JPH02178953A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH02178953A JPH02178953A JP63331531A JP33153188A JPH02178953A JP H02178953 A JPH02178953 A JP H02178953A JP 63331531 A JP63331531 A JP 63331531A JP 33153188 A JP33153188 A JP 33153188A JP H02178953 A JPH02178953 A JP H02178953A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 abstract description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 abstract description 2
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004637 bakelite Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
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- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に関する。
従来の樹脂封止型半導体装置は第３図（ａ）（ｂ）、（
ｃ）に示すように、鉄系又は銅系の合金から成るリード
フレームの半導体素子裁置部３１′ｂ（アイランド〉に
半導体素子３２を銀ペースト等のろう材３３により固着
し、次いで金等のボンティングワイヤ３４により、半導
体素子３２と内部リード３１ｂとを電気的に接続した後
、モールド樹脂３５で封止し、外部のり−トを加工成形
した構造を有していた。
ｃ）に示すように、鉄系又は銅系の合金から成るリード
フレームの半導体素子裁置部３１′ｂ（アイランド〉に
半導体素子３２を銀ペースト等のろう材３３により固着
し、次いで金等のボンティングワイヤ３４により、半導
体素子３２と内部リード３１ｂとを電気的に接続した後
、モールド樹脂３５で封止し、外部のり−トを加工成形
した構造を有していた。
上述した従来の樹脂封止型半導体装置は、微量ではある
が空気中の水分を吸収しているため（０コール０．４ｗ
ｔ％程度）、プリント基板等に実装する際の熱ストレス
により上記吸湿水分がパッケージ内部て気化膨張し、パ
ッケージ内部にクラックや剥離を生しさせ、さらには耐
湿性が劣化してしまうという欠点がある。
が空気中の水分を吸収しているため（０コール０．４ｗ
ｔ％程度）、プリント基板等に実装する際の熱ストレス
により上記吸湿水分がパッケージ内部て気化膨張し、パ
ッケージ内部にクラックや剥離を生しさせ、さらには耐
湿性が劣化してしまうという欠点がある。
特に、近年、半導体素子の集積度増大に伴い素子サイス
が大型化する一方、高密度実装の要求に伴いパッケージ
の軽薄短小化が進むことて、実装ス１〜レスに耐え得る
パッケージ強度を確保するのが非常に困難になりつつあ
る。
が大型化する一方、高密度実装の要求に伴いパッケージ
の軽薄短小化が進むことて、実装ス１〜レスに耐え得る
パッケージ強度を確保するのが非常に困難になりつつあ
る。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、少なくとも半導体素
子載置部及び半導体素子載置部の吊りリードの裏面に多
孔性樹脂膜を設けたというものてある。
子載置部及び半導体素子載置部の吊りリードの裏面に多
孔性樹脂膜を設けたというものてある。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例の平面図、第１図
（ｂ）は第１図（ａ）のＸ−Ｘ′線断面図、第１図（Ｃ
）は第１図（ａ）のＹ−Ｙ’線断面図である。
（ｂ）は第１図（ａ）のＸ−Ｘ′線断面図、第１図（Ｃ
）は第１図（ａ）のＹ−Ｙ’線断面図である。
半導体素子載置部］１′ｂ及びその吊りり〜トコ１′ａ
の裏面には多孔性樹脂膜１６を設けである。多孔性樹脂
膜はリードフレームやモールド樹脂との接着性が良好な
電子部品用コーチインク材料なら特に制限はなく、絶縁
性ても導電性でもかまわないが、本実施例では多孔性コ
ーディング材料として比較的良く知られているフェノー
ル樹脂系コーチインク材料（例えば、住友ベークライ１
〜■製ＰＲ−５３１９２）を使用した。塗布条件はメー
カー推奨条件に準拠し、最終硬化温度は１５０℃、９０
分とした。また膜厚はモールド樹脂による封入工程を考
慮し、約１００ ）ｔ、 ｍ程度としたが特に限定され
るものではない。
の裏面には多孔性樹脂膜１６を設けである。多孔性樹脂
膜はリードフレームやモールド樹脂との接着性が良好な
電子部品用コーチインク材料なら特に制限はなく、絶縁
性ても導電性でもかまわないが、本実施例では多孔性コ
ーディング材料として比較的良く知られているフェノー
ル樹脂系コーチインク材料（例えば、住友ベークライ１
〜■製ＰＲ−５３１９２）を使用した。塗布条件はメー
カー推奨条件に準拠し、最終硬化温度は１５０℃、９０
分とした。また膜厚はモールド樹脂による封入工程を考
慮し、約１００ ）ｔ、 ｍ程度としたが特に限定され
るものではない。
上述の多孔性樹脂膜は透水率が高いなめ、プリン１へ基
板等への実装時にお（づる熱ストレスにより急激にパッ
ケージ内の水分が気化膨張しても、多孔性樹脂膜を通し
て水蒸気が排出される。すなわちパッケージ内部のス１
ヘレスか増大しないため、パッケージ内部にクラックや
剥離等の欠陥を生しに＜＜、耐湿性等信頼性の劣化を防
止することがてきる。さらには、多孔性樹脂膜の種類を
選択することて、モールド樹脂との密着力を高めること
かでき、界面剥離防止の効果も高めることができる。
板等への実装時にお（づる熱ストレスにより急激にパッ
ケージ内の水分が気化膨張しても、多孔性樹脂膜を通し
て水蒸気が排出される。すなわちパッケージ内部のス１
ヘレスか増大しないため、パッケージ内部にクラックや
剥離等の欠陥を生しに＜＜、耐湿性等信頼性の劣化を防
止することがてきる。さらには、多孔性樹脂膜の種類を
選択することて、モールド樹脂との密着力を高めること
かでき、界面剥離防止の効果も高めることができる。
６４ピン・フラゾ１〜・モールｌ〜ＩＣを本実施例で試
作し、半田浸し後の１２５°Ｃ１相対湿度（ＲＨ）１０
０％のプレッシャクッ力試験ＰＣＴを行った結果を第４
図に示す。
作し、半田浸し後の１２５°Ｃ１相対湿度（ＲＨ）１０
０％のプレッシャクッ力試験ＰＣＴを行った結果を第４
図に示す。
従来例に比して著しく改善されていることか判る。
第２図（ａ）は本発明の第２の実施例の平面図、第２図
り１〕）は第２図（ａ）のＸ−Ｘ′線断面図、第２図（
ｃ）は第２図（ａ）のＹ−Ｙ′線断面図である。
り１〕）は第２図（ａ）のＸ−Ｘ′線断面図、第２図（
ｃ）は第２図（ａ）のＹ−Ｙ′線断面図である。
本実施例では半導体素子２２並ひにホンティングワイヤ
２４との接続部及び外部り−Ｉ〜２１ａ以外の金属部（
つまり半導体素子搭載部２１′ｂの裏面、吊りリード２
］′ａ及び内部リード２１ｂ）はぼ全面に多孔性樹脂膜
２６を設けている。
２４との接続部及び外部り−Ｉ〜２１ａ以外の金属部（
つまり半導体素子搭載部２１′ｂの裏面、吊りリード２
］′ａ及び内部リード２１ｂ）はぼ全面に多孔性樹脂膜
２６を設けている。
（樹脂膜の形成条件は第１の実施例と同しである。）
従って半導体素子載置部のみならず、内部リードからも
水蒸気の排出かなされ、より一層、内部欠陥発生を防止
することがてきる。またモールド樹脂との密着力も全体
的に高まることからストレスを分散することか可能であ
り、このことからも内部欠陥発生防止の効果が期待でき
る。実際、第４図から明らかなように、第１の実施例よ
りも更に改善される。
水蒸気の排出かなされ、より一層、内部欠陥発生を防止
することがてきる。またモールド樹脂との密着力も全体
的に高まることからストレスを分散することか可能であ
り、このことからも内部欠陥発生防止の効果が期待でき
る。実際、第４図から明らかなように、第１の実施例よ
りも更に改善される。
以」二説明したように本発明は、少なくとも半導体素子
載置部及びその吊りリードの裏面に多孔性樹脂膜を設け
ることにより、プリント基板等へ実装する際の熱ストレ
スにより発生ずる水蒸気をパッケージ外部に排出し、さ
らにモールド樹脂との密着力も高められることから、パ
ッケージ内部に発生ずるクラックや剥離等の欠陥の発生
を防止てき、樹脂封止型半導体装置の耐湿性劣化を防止
できる効果かある。
載置部及びその吊りリードの裏面に多孔性樹脂膜を設け
ることにより、プリント基板等へ実装する際の熱ストレ
スにより発生ずる水蒸気をパッケージ外部に排出し、さ
らにモールド樹脂との密着力も高められることから、パ
ッケージ内部に発生ずるクラックや剥離等の欠陥の発生
を防止てき、樹脂封止型半導体装置の耐湿性劣化を防止
できる効果かある。
第１図（ａ）は本発明の第］の実施例の平面図、第１図
（ｂ）は第１゜図（ａ）のｘ−ｘ′線断面図、第１図（
ｃ）は第１図（ａ）のｙ−ｙ’線断面図、第２図（ａ）
は第２の実施例の平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）
のＸ−Ｘ′線断面図、第２図（ｃ）は第２図（ａ）のＹ
−Ｙ’線断面図、第３図（ａ）は従来例の平面図、第３
図（ｂ）は第３図（ａ）のｘ−ｘ’線断面図、第３図（
Ｃ）は第３図（ａ）のＹ−Ｙ′線断面図、第４図は第１
の実施例、第２の実施例及び従来例のプレッシャクッ力
試験結果を示す図である。 ］、］、ａ、２１ａ、３］、ａ・外部リード、１１ｂ、
２１．ｂ、３１ｂ・・・内部リード、１１′ ａ２１′
ａ、３］、′ａ−吊りり−１−１］１′ｂ２１′ｂ、３
］’ １つ・・半導体素子載置部（アイラン１〜＞、２
１，２２．３２・・・半導体素子、１３２Ｂ、３３・ろ
う材、１．４，２４．．３４・ボンデインクワイヤ、１
５．２５．３５・・モールド樹脂、１６．２６・・多孔
性樹脂膜。
（ｂ）は第１゜図（ａ）のｘ−ｘ′線断面図、第１図（
ｃ）は第１図（ａ）のｙ−ｙ’線断面図、第２図（ａ）
は第２の実施例の平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）
のＸ−Ｘ′線断面図、第２図（ｃ）は第２図（ａ）のＹ
−Ｙ’線断面図、第３図（ａ）は従来例の平面図、第３
図（ｂ）は第３図（ａ）のｘ−ｘ’線断面図、第３図（
Ｃ）は第３図（ａ）のＹ−Ｙ′線断面図、第４図は第１
の実施例、第２の実施例及び従来例のプレッシャクッ力
試験結果を示す図である。 ］、］、ａ、２１ａ、３］、ａ・外部リード、１１ｂ、
２１．ｂ、３１ｂ・・・内部リード、１１′ ａ２１′
ａ、３］、′ａ−吊りり−１−１］１′ｂ２１′ｂ、３
］’ １つ・・半導体素子載置部（アイラン１〜＞、２
１，２２．３２・・・半導体素子、１３２Ｂ、３３・ろ
う材、１．４，２４．．３４・ボンデインクワイヤ、１
５．２５．３５・・モールド樹脂、１６．２６・・多孔
性樹脂膜。
Claims (1)
- 少なくとも半導体素子載置部及び半導体素子裁置部の吊
りリードの裏面に多孔性樹脂膜を設けたことを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63331531A JPH02178953A (ja) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63331531A JPH02178953A (ja) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02178953A true JPH02178953A (ja) | 1990-07-11 |
Family
ID=18244699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63331531A Pending JPH02178953A (ja) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02178953A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0504634A2 (en) * | 1991-03-08 | 1992-09-23 | Japan Gore-Tex, Inc. | Resin-sealed semiconductor device containing porous fluorocarbon resin |
| US5641997A (en) * | 1993-09-14 | 1997-06-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plastic-encapsulated semiconductor device |
| WO2003107417A1 (de) * | 2002-06-17 | 2003-12-24 | Infineon Technologies Ag | Verpackung für halbleiterbauelemente und verfahren zum herstellen derselben |
-
1988
- 1988-12-29 JP JP63331531A patent/JPH02178953A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0504634A2 (en) * | 1991-03-08 | 1992-09-23 | Japan Gore-Tex, Inc. | Resin-sealed semiconductor device containing porous fluorocarbon resin |
| EP0504634A3 (en) * | 1991-03-08 | 1994-06-01 | Japan Gore Tex Inc | Resin-sealed semiconductor device containing porous fluorocarbon resin |
| US5446315A (en) * | 1991-03-08 | 1995-08-29 | Japan Gore-Tex, Inc. | Resin-sealed semiconductor device containing porous fluorocarbon resin |
| US5641997A (en) * | 1993-09-14 | 1997-06-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plastic-encapsulated semiconductor device |
| WO2003107417A1 (de) * | 2002-06-17 | 2003-12-24 | Infineon Technologies Ag | Verpackung für halbleiterbauelemente und verfahren zum herstellen derselben |
| US7384822B2 (en) | 2002-06-17 | 2008-06-10 | Infineon Technologies Ag | Package for semiconductor components and method for producing the same |
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