JPH0730017A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0730017A JPH0730017A JP17322393A JP17322393A JPH0730017A JP H0730017 A JPH0730017 A JP H0730017A JP 17322393 A JP17322393 A JP 17322393A JP 17322393 A JP17322393 A JP 17322393A JP H0730017 A JPH0730017 A JP H0730017A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- die pad
- resin
- inner lead
- moisture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】ダイパッド部のモールド剤より外に露出してい
る部分の樹脂形状がパッケージ中心より外側に延びてい
る半導体装置。ダイパッド１上に載置されたＩＣチップ
４上の各端子パッドから各インナーリード２上に導電性
細線３が張られており、その全体をモールド樹脂５で封
止している。各インナーリード２がそのまま外方向に伸
び、各アウターリードとして外部の端子との接続部とな
る。 【効果】ダイパッド部の外に露出している部分の樹脂形
状がパッケージ中心より外側へ延びているため、パッケ
ージ内部への水分浸入経路が通常より長くなっているた
め、その分内部浸水量が少なくて済む。外部環境の変化
に対するパッケージの品質を向上できる。またダイパッ
ド部１だけでなくインナーリード２の周りを囲むように
モールド樹脂を突起させても良い。こうすることでダイ
パッドからだけでなくインナーリードを経路として浸入
してくる水分等も防ぐことができる。
る部分の樹脂形状がパッケージ中心より外側に延びてい
る半導体装置。ダイパッド１上に載置されたＩＣチップ
４上の各端子パッドから各インナーリード２上に導電性
細線３が張られており、その全体をモールド樹脂５で封
止している。各インナーリード２がそのまま外方向に伸
び、各アウターリードとして外部の端子との接続部とな
る。 【効果】ダイパッド部の外に露出している部分の樹脂形
状がパッケージ中心より外側へ延びているため、パッケ
ージ内部への水分浸入経路が通常より長くなっているた
め、その分内部浸水量が少なくて済む。外部環境の変化
に対するパッケージの品質を向上できる。またダイパッ
ド部１だけでなくインナーリード２の周りを囲むように
モールド樹脂を突起させても良い。こうすることでダイ
パッドからだけでなくインナーリードを経路として浸入
してくる水分等も防ぐことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の構造に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の半導体装置の１例であり、
その平面図を示している。この半導体装置は、ダイパッ
ド１上に載置されたＩＣチップ４上の各端子パッドから
各インナーリード２上に導電性細線３が張られており、
その全体をモールド樹脂５で封止した構造となってい
る。各インナーリード２がそのまま外方向に伸び、各ア
ウターリードとなって外部の端子との接続部となる。普
通樹脂成形の際、モールド工程で用いられる樹脂を封入
する金型は応力のバランス、使用時の汎用性も考えて、
出来上がったパッケージの形状が平面的にみて正方形あ
るいは長方形になるようになっているのが一般的であ
り、樹脂の側面はフラットな平面であることが多い。
その平面図を示している。この半導体装置は、ダイパッ
ド１上に載置されたＩＣチップ４上の各端子パッドから
各インナーリード２上に導電性細線３が張られており、
その全体をモールド樹脂５で封止した構造となってい
る。各インナーリード２がそのまま外方向に伸び、各ア
ウターリードとなって外部の端子との接続部となる。普
通樹脂成形の際、モールド工程で用いられる樹脂を封入
する金型は応力のバランス、使用時の汎用性も考えて、
出来上がったパッケージの形状が平面的にみて正方形あ
るいは長方形になるようになっているのが一般的であ
り、樹脂の側面はフラットな平面であることが多い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような半導体装
置を用いて基板実装が行われるわけだが、実際に実装す
る際には、アウターリードと基板とを半田にて接続す
る。半田の溶融温度は二百数十度に上昇し、その温度雰
囲気の中に数分間にわたってパッケージをさらす。当然
それだけの高温下にさらされればパッケージ自身（モー
ルド樹脂）を始め、内部のＩＣ、リードフレーム、ダイ
ボンド剤も膨張する。基板実装が終わるとパッケージは
外気によって冷却されるため、高温放置前の体積に収縮
しようとする。ところが、ＩＣ、リードフレーム、ダイ
ボンド剤、モールド樹脂はそれぞれ化学的性質が異なる
物質であるため、温度変化に対する収縮する体積が異な
る。この熱膨張率の違いはパッケージの品質に大きく影
響する。
置を用いて基板実装が行われるわけだが、実際に実装す
る際には、アウターリードと基板とを半田にて接続す
る。半田の溶融温度は二百数十度に上昇し、その温度雰
囲気の中に数分間にわたってパッケージをさらす。当然
それだけの高温下にさらされればパッケージ自身（モー
ルド樹脂）を始め、内部のＩＣ、リードフレーム、ダイ
ボンド剤も膨張する。基板実装が終わるとパッケージは
外気によって冷却されるため、高温放置前の体積に収縮
しようとする。ところが、ＩＣ、リードフレーム、ダイ
ボンド剤、モールド樹脂はそれぞれ化学的性質が異なる
物質であるため、温度変化に対する収縮する体積が異な
る。この熱膨張率の違いはパッケージの品質に大きく影
響する。
【０００４】熱膨張率の大きなものは小さなものより単
位時間当たりの収縮の度合いが大きいため早く収縮す
る。パッケージ内部では異物質間での化学的反応は起こ
らないため化合物とならず、従って異物質は界面で接合
でなく接触の状態にある。よって異物質の収縮の際に起
きる熱膨張率の差は、そこにわずかな間隙を生んでしま
う。一方パッケージは基盤への実装時において低温から
高温、そしてまた低温へと温度変遷を経るため、高温か
ら低温へ冷却される際に周囲の大気中の水分が凝縮し、
水蒸気の状態でパッケージの周りを覆う。この水蒸気
は、ダイパッド部のパッケージ外部へ露出した部分から
ダイパッドを通して、あるいはパッケージ表面からパッ
ケージの構成分子間を通してパッケージ内部に入り込
み、先程説明した熱膨張率の差から生じた間隙に凝縮し
水分として停留する。この停留した水分は、更なるリフ
ローを実施したとき、または使用時の環境等においてパ
ッケージが熱せられたとき膨張し、水蒸気となって周り
のパッケージを押圧し、パッケージの構造が膨張圧力に
耐えられなくなったとき、パッケージを破壊してしま
う。
位時間当たりの収縮の度合いが大きいため早く収縮す
る。パッケージ内部では異物質間での化学的反応は起こ
らないため化合物とならず、従って異物質は界面で接合
でなく接触の状態にある。よって異物質の収縮の際に起
きる熱膨張率の差は、そこにわずかな間隙を生んでしま
う。一方パッケージは基盤への実装時において低温から
高温、そしてまた低温へと温度変遷を経るため、高温か
ら低温へ冷却される際に周囲の大気中の水分が凝縮し、
水蒸気の状態でパッケージの周りを覆う。この水蒸気
は、ダイパッド部のパッケージ外部へ露出した部分から
ダイパッドを通して、あるいはパッケージ表面からパッ
ケージの構成分子間を通してパッケージ内部に入り込
み、先程説明した熱膨張率の差から生じた間隙に凝縮し
水分として停留する。この停留した水分は、更なるリフ
ローを実施したとき、または使用時の環境等においてパ
ッケージが熱せられたとき膨張し、水蒸気となって周り
のパッケージを押圧し、パッケージの構造が膨張圧力に
耐えられなくなったとき、パッケージを破壊してしま
う。
【０００５】実際のパッケージではこういった環境下を
経たものの品質を評価するために８５℃３０％の水蒸気
雰囲気中で吸湿させた後２６０℃の半田中にパッケージ
を浸透させて内部の構造変化を調べたり、８５℃４５％
の水蒸気雰囲気中で吸湿させた後二百数十℃の炉を通し
た後１２１℃２気圧雰囲気中で蒸気を当てたりするなど
の各加速試験を行い、パッケージの品質を保証してい
る。
経たものの品質を評価するために８５℃３０％の水蒸気
雰囲気中で吸湿させた後２６０℃の半田中にパッケージ
を浸透させて内部の構造変化を調べたり、８５℃４５％
の水蒸気雰囲気中で吸湿させた後二百数十℃の炉を通し
た後１２１℃２気圧雰囲気中で蒸気を当てたりするなど
の各加速試験を行い、パッケージの品質を保証してい
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
パッケージ内部へ入り込もうとする水分の経路をできる
だけ長く取るために、ダイパッド部の外へ露出している
部分の樹脂形状をパッケージ中心より外側へ延ばすこと
を特徴としている。
パッケージ内部へ入り込もうとする水分の経路をできる
だけ長く取るために、ダイパッド部の外へ露出している
部分の樹脂形状をパッケージ中心より外側へ延ばすこと
を特徴としている。
【０００７】
【実施例】図１は本発明の半導体装置の一例であり、そ
の平面図を示している。ダイパッド１上に載置されたＩ
Ｃチップ４上の各端子パッドから各インナーリード２上
に導電性細線３が張られており、その全体をモールド樹
脂５で封止している。各インナーリード２がそのまま外
方向に伸び、各アウターリードとして外部の端子との接
続部となる。本発明は、特開昭６１ー１９４８５７の様
な放熱構造をとったＬ／Ｆを用いたパッケージに適用さ
せることができ、図１はそのＬ／Ｆを模倣している。図
１に示すように本発明ではダイパッド部のモールド剤よ
り外に露出している部分の樹脂形状がパッケージ中心よ
り外側に延びている。従来のパッケージであればモール
ド樹脂の平面形状は長方形をしているが本発明品では平
面的にみて突起部を有していることが特徴である。こう
することでダイパッドを伝わってパッケージ内部に浸入
してくる水分その他不純物の浸入経路を長くすることが
可能でありその突起部が長ければ長いほど浸水量を押さ
えることができる。
の平面図を示している。ダイパッド１上に載置されたＩ
Ｃチップ４上の各端子パッドから各インナーリード２上
に導電性細線３が張られており、その全体をモールド樹
脂５で封止している。各インナーリード２がそのまま外
方向に伸び、各アウターリードとして外部の端子との接
続部となる。本発明は、特開昭６１ー１９４８５７の様
な放熱構造をとったＬ／Ｆを用いたパッケージに適用さ
せることができ、図１はそのＬ／Ｆを模倣している。図
１に示すように本発明ではダイパッド部のモールド剤よ
り外に露出している部分の樹脂形状がパッケージ中心よ
り外側に延びている。従来のパッケージであればモール
ド樹脂の平面形状は長方形をしているが本発明品では平
面的にみて突起部を有していることが特徴である。こう
することでダイパッドを伝わってパッケージ内部に浸入
してくる水分その他不純物の浸入経路を長くすることが
可能でありその突起部が長ければ長いほど浸水量を押さ
えることができる。
【０００８】ここでモールド樹脂５中の突起部はダイパ
ッド部１の外側に延びている部分に限定しているが、図
３のようにダイパッド部１だけでなくインナーリード２
の周りを囲むようにモールド樹脂を突起させても良い。
こうすることでダイパッドからだけでなくインナーリー
ドを経路として浸入してくる水分等も防ぐことができ
る。
ッド部１の外側に延びている部分に限定しているが、図
３のようにダイパッド部１だけでなくインナーリード２
の周りを囲むようにモールド樹脂を突起させても良い。
こうすることでダイパッドからだけでなくインナーリー
ドを経路として浸入してくる水分等も防ぐことができ
る。
【０００９】次に図４の説明に移る。図１のパッケージ
の形状が水分浸入経路をできるだけ長くして浸入量をで
きるだけ押さえようとしているのに対し、図３では水分
浸入経路を完全に断つことを目的にしている。ダイパッ
ド１のモールド樹脂より外に露出している部分のモール
ド樹脂との接触部を塗料６で封じているのが特徴であ
る。塗料の塗布の仕方はモールド樹脂から外に露出して
いる部分とモールド樹脂との間隙を完全に覆うようにす
る。また塗料の厚みはダイパッド厚みが０．１５ｍｍに
対し隣接アウターリードピッチも考慮にいれ０．２以下
に押さえるのが妥当である。
の形状が水分浸入経路をできるだけ長くして浸入量をで
きるだけ押さえようとしているのに対し、図３では水分
浸入経路を完全に断つことを目的にしている。ダイパッ
ド１のモールド樹脂より外に露出している部分のモール
ド樹脂との接触部を塗料６で封じているのが特徴であ
る。塗料の塗布の仕方はモールド樹脂から外に露出して
いる部分とモールド樹脂との間隙を完全に覆うようにす
る。また塗料の厚みはダイパッド厚みが０．１５ｍｍに
対し隣接アウターリードピッチも考慮にいれ０．２以下
に押さえるのが妥当である。
【００１０】塗料は隣接リードとの短絡防止のため非導
電性でなければならず、ダイパッド、モールド樹脂との
結合力を持たせるためある程度の粘性を持つ必要がある
ため接着剤を含有した塗料のようなものがよい。例えば
モールド樹脂から考慮してエポキシ系の接着剤を含む塗
料を用いれば親和力が強いため十分な接着力が得られ、
また吸湿して飽和すればパッケージ内部への水分の浸入
を防ぐことが可能である。
電性でなければならず、ダイパッド、モールド樹脂との
結合力を持たせるためある程度の粘性を持つ必要がある
ため接着剤を含有した塗料のようなものがよい。例えば
モールド樹脂から考慮してエポキシ系の接着剤を含む塗
料を用いれば親和力が強いため十分な接着力が得られ、
また吸湿して飽和すればパッケージ内部への水分の浸入
を防ぐことが可能である。
【００１１】
【発明の効果】以上述べたような、ダイパッドのモール
ド樹脂より外に露出した部分の樹脂形状を取ることで、
パッケージ内部に浸入する水分の経路が長くなるためそ
れだけ浸入の危険を少なくできる。また、ダイパッドの
モールド樹脂より外に露出した部分に塗料を塗布するこ
とでパッケージ内部への水分の浸入を防ぐことができ、
パッケージの信頼性を向上させることができる。
ド樹脂より外に露出した部分の樹脂形状を取ることで、
パッケージ内部に浸入する水分の経路が長くなるためそ
れだけ浸入の危険を少なくできる。また、ダイパッドの
モールド樹脂より外に露出した部分に塗料を塗布するこ
とでパッケージ内部への水分の浸入を防ぐことができ、
パッケージの信頼性を向上させることができる。
【図１】本発明の半導体装置の要部の平面図。
【図２】従来の半導体装置の要部の平面図。
【図３】本発明の半導体装置の一例を示す平面図。
【図４】本発明の半導体装置の一例を示す平面図。
１ ダイパッド ２ インナーリード ３ 導電性細線 ４ ＩＣチップ ５ モールド樹脂 ６ 塗料
Claims (2)
- 【請求項１】 内部にトランジスタ、抵抗、コンデンサ
等から成る集積回路を有し、その外周部にある電極パッ
ドとリードフレームのインナーリードとを導電性細線で
結線したものを樹脂封止した半導体装置において、パッ
ケージの側面中央部に位置するダイパッド保持部または
インナーリードの少なくとも一部分の樹脂形状が他の部
位よりもパッケージ中心より外側へ延びた形状を有する
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 上記半導体装置において、ダイパッドの
保持部またはインナーリードの少なくとも一部分と封止
樹脂とが接している部分に塗料等が塗布してあることを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17322393A JPH0730017A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17322393A JPH0730017A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730017A true JPH0730017A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15956424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17322393A Pending JPH0730017A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0730017A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018097410A1 (ko) * | 2016-11-28 | 2018-05-31 | 주식회사 네패스 | 신뢰성을 가지는 반도체 패키지 및 이의 제조방법 |
-
1993
- 1993-07-13 JP JP17322393A patent/JPH0730017A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018097410A1 (ko) * | 2016-11-28 | 2018-05-31 | 주식회사 네패스 | 신뢰성을 가지는 반도체 패키지 및 이의 제조방법 |
| KR20180060891A (ko) * | 2016-11-28 | 2018-06-07 | 주식회사 네패스 | 신뢰성을 가지는 반도체 패키지 및 이의 제조방법 |
| US11062990B2 (en) | 2016-11-28 | 2021-07-13 | Nepes Laweh Corporation | Semiconductor package of using insulating frame |
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