JPH0325959A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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- H01L2924/181—Encapsulation
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特に半導体素子
搭載部と、吊りリードと複数のリードとを有するリード
フレームを用いた樹脂封止型半導体装置に関する. 〔従来の技術〕 従来、半導体装置は安価で量産性に適していることから
樹脂封止型半導体装置が主流となっていた. 第3図(a).(b)は従来の樹脂封止型半導体装置の
一例であるが、銀ペースト等のろう材39を用いて、半
導体素子搭載部37に固着された半導体素子31を金線
等のボンデイングワイヤ32により内部リード33と電
気的に接続した後、エボキシ樹脂等の封止樹脂38で封
入し、外部リード34を戒形加工して製造していた。
搭載部と、吊りリードと複数のリードとを有するリード
フレームを用いた樹脂封止型半導体装置に関する. 〔従来の技術〕 従来、半導体装置は安価で量産性に適していることから
樹脂封止型半導体装置が主流となっていた. 第3図(a).(b)は従来の樹脂封止型半導体装置の
一例であるが、銀ペースト等のろう材39を用いて、半
導体素子搭載部37に固着された半導体素子31を金線
等のボンデイングワイヤ32により内部リード33と電
気的に接続した後、エボキシ樹脂等の封止樹脂38で封
入し、外部リード34を戒形加工して製造していた。
上述した従来の樹脂封止型半導体装置では、プリント基
板への実装時に、リードフレームと樹脂の界面に溜まっ
た水が熱ショックにより気化,!1張して界面の剥離,
樹脂のクラック等のパッケージ内部欠陥を引き起こし、
外観上,品質上の不良になるという欠点がある。
板への実装時に、リードフレームと樹脂の界面に溜まっ
た水が熱ショックにより気化,!1張して界面の剥離,
樹脂のクラック等のパッケージ内部欠陥を引き起こし、
外観上,品質上の不良になるという欠点がある。
特に、近年要求が高まっている軽薄短小の表面実装型パ
ッケージでは、上記の実装時の過大な熱ストレスに伴う
品質劣化は深刻な問題となっている。
ッケージでは、上記の実装時の過大な熱ストレスに伴う
品質劣化は深刻な問題となっている。
本発明の目的は、パッケージ内部欠陥がなく、外観上,
品質上の不良の発生のない樹脂封止型半導体装置を提供
することにある。
品質上の不良の発生のない樹脂封止型半導体装置を提供
することにある。
本発明は、半導体素子搭載部と、吊りリードと、複数の
内部リードとを有するリードフレームを用いた樹脂封止
型半導体装置において、少なくとも前記半導体素子搭載
部と前記吊りリードの裏面に半導体素子の外部に通じる
ハーフエッチの溝を設け、さらに、前記ハーフエッチの
溝をふさがない様な透湿性被膜が設けられている。
内部リードとを有するリードフレームを用いた樹脂封止
型半導体装置において、少なくとも前記半導体素子搭載
部と前記吊りリードの裏面に半導体素子の外部に通じる
ハーフエッチの溝を設け、さらに、前記ハーフエッチの
溝をふさがない様な透湿性被膜が設けられている。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図(a),(b)は本発明の第1の実施例のリード
フレームの平面図及び樹脂封止型半導体装置の断面図で
ある. 第1の実施例は、第1図(a),(b)に示すように、
まず、リードフレーム15の半導体素子搭載部17及び
吊りリード16の裏面にハーフエッチIAを設け、しか
も、ハーフエッチの溝がパッケージの外部に通じる様に
設ける。
フレームの平面図及び樹脂封止型半導体装置の断面図で
ある. 第1の実施例は、第1図(a),(b)に示すように、
まず、リードフレーム15の半導体素子搭載部17及び
吊りリード16の裏面にハーフエッチIAを設け、しか
も、ハーフエッチの溝がパッケージの外部に通じる様に
設ける。
次に、上述のリードフレーム15の裏面に上述のハーフ
エッチの溝をふさがない様な被膜IBを設けた後、半導
体素子l1をろう材19を用いて固着し、ボンディング
ワイヤl2を用いて半導体素子11と内部リード13と
を電気的に接続し、さらに、樹脂18で封止し、外部リ
ード14を止上げ加工する. 被JIilBは、リードフレーム15との接着性,樹脂
との密着性が良好で不純物含有量の少ない電子部品用材
料ならば特に制限はなく、絶縁性でも導電性でも構わな
いが、本実施例では比較的良く知られている接着剤層付
きポリイミドフィルム(デュポン■製カブトン)を12
5℃1分の硬化条件で使用した。
エッチの溝をふさがない様な被膜IBを設けた後、半導
体素子l1をろう材19を用いて固着し、ボンディング
ワイヤl2を用いて半導体素子11と内部リード13と
を電気的に接続し、さらに、樹脂18で封止し、外部リ
ード14を止上げ加工する. 被JIilBは、リードフレーム15との接着性,樹脂
との密着性が良好で不純物含有量の少ない電子部品用材
料ならば特に制限はなく、絶縁性でも導電性でも構わな
いが、本実施例では比較的良く知られている接着剤層付
きポリイミドフィルム(デュポン■製カブトン)を12
5℃1分の硬化条件で使用した。
上述の説明から、本発明の構造をとることで、プリント
基板等への実装時における熱ストレスにより急激にパッ
ケージ内のリードフレーム15と樹脂18の界面に溜ま
った水分が気化膨張しても、ハーフエッチ部1Aの溝を
通して水蒸気が排出される。すなわち、パッケージ内部
のストレスが増大しないため、パッケージ内部にクラツ
クや界面剥離等の欠陥が生じに<<、品質の劣化を防止
することができる。さらには、リードフレーム15への
被膜IBを選ぶことで、樹脂18との密着性を高めるこ
と力fでき、界面剥離防止の効果も高めることができる
。
基板等への実装時における熱ストレスにより急激にパッ
ケージ内のリードフレーム15と樹脂18の界面に溜ま
った水分が気化膨張しても、ハーフエッチ部1Aの溝を
通して水蒸気が排出される。すなわち、パッケージ内部
のストレスが増大しないため、パッケージ内部にクラツ
クや界面剥離等の欠陥が生じに<<、品質の劣化を防止
することができる。さらには、リードフレーム15への
被膜IBを選ぶことで、樹脂18との密着性を高めるこ
と力fでき、界面剥離防止の効果も高めることができる
。
たとえば、従来の構造では、任意の製品で40%発生し
ていたパッケージ内部の欠陥をO%にし、はんだ熱処理
後の125℃ 2jatmのP C T (Press
ure Cooker Test)において、不良発生
時間が約4倍伸びて品質を著しく改善できた. 第2図は本発明の第2の実施例の断面図である。
ていたパッケージ内部の欠陥をO%にし、はんだ熱処理
後の125℃ 2jatmのP C T (Press
ure Cooker Test)において、不良発生
時間が約4倍伸びて品質を著しく改善できた. 第2図は本発明の第2の実施例の断面図である。
第2の実施例は、第2図に示すように、さらに、内部リ
ード23の上下面にもハーフエッチ部2Aと、ハーフエ
ッチ部2Aの溝をふさがない様な被pA2Bを設けてあ
る。従って、半導体素子搭載部27と吊りリードのみな
らず内部リード23からも水蒸気の排出がなされ、より
一層、パッケージ内部欠陥の発生を防止することができ
る。
ード23の上下面にもハーフエッチ部2Aと、ハーフエ
ッチ部2Aの溝をふさがない様な被pA2Bを設けてあ
る。従って、半導体素子搭載部27と吊りリードのみな
らず内部リード23からも水蒸気の排出がなされ、より
一層、パッケージ内部欠陥の発生を防止することができ
る。
また、樹脂28との密着性も全体的に、しかも、均一に
高まることからストレスを分散することが可能であり、
さらに、パッケージ内部欠陥発生防止の効果が期待でき
る。
高まることからストレスを分散することが可能であり、
さらに、パッケージ内部欠陥発生防止の効果が期待でき
る。
たとえば、従来の構造と比べると、任意の製品ではんだ
熱処理後の125℃ 2jatmのPCTにおいて不良
発生時間を約8倍延ばし耐湿性劣化を大幅に改善できる
様になった。
熱処理後の125℃ 2jatmのPCTにおいて不良
発生時間を約8倍延ばし耐湿性劣化を大幅に改善できる
様になった。
以上説明した様に本発明は、少なくとも半導体素子搭載
部及びその吊りリード部の少なくとも裏面に、半導体素
子の外部に通じるハーフエッチの溝を設け、さらに、上
記ハーフエッチの溝をふさがない様な被膜を設けること
により、以下に列挙する効果が得られる。
部及びその吊りリード部の少なくとも裏面に、半導体素
子の外部に通じるハーフエッチの溝を設け、さらに、上
記ハーフエッチの溝をふさがない様な被膜を設けること
により、以下に列挙する効果が得られる。
(1)プリント基板へ実装する際の熱ショックにより発
生する水蒸気をパッケージ外部に排出し、パッケージ内
部に発生するクラックや界面剥離等の欠陥の発生を防止
できる。
生する水蒸気をパッケージ外部に排出し、パッケージ内
部に発生するクラックや界面剥離等の欠陥の発生を防止
できる。
(2〉封止樹脂との密着性が良好な被膜を形成すること
で、リードフレームと樹脂の界面から水分,不純物が進
入するのを防ぎ、耐湿性を著しく向上できる。
で、リードフレームと樹脂の界面から水分,不純物が進
入するのを防ぎ、耐湿性を著しく向上できる。
15.35・・・リードフレーム、1.6.36・・・
吊りリード、17,27.37・・・半導体素子搭載部
、18,28.38・・・樹脂、19,29.39・・
・ろう材、LA,2A・・・ハーフエッチ部、IB,2
B・・・被膜。
吊りリード、17,27.37・・・半導体素子搭載部
、18,28.38・・・樹脂、19,29.39・・
・ろう材、LA,2A・・・ハーフエッチ部、IB,2
B・・・被膜。
Claims (1)
- 半導体素子搭載部と、吊りリードと、複数の内部リード
とを有するリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装
置において、少なくとも前記半導体素子搭載部と前記吊
りリードの裏面に半導体素子の外部に通じるハーフエッ
チの溝を設け、さらに、前記ハーフエッチの溝をふさが
ない様な透湿性被膜を設けたことを特徴とする樹脂封止
型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1161442A JPH0325959A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1161442A JPH0325959A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0325959A true JPH0325959A (ja) | 1991-02-04 |
Family
ID=15735194
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1161442A Pending JPH0325959A (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0325959A (ja) |
-
1989
- 1989-06-23 JP JP1161442A patent/JPH0325959A/ja active Pending
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