JPH08279585A - リードフレームおよびその半導体装置 - Google Patents
リードフレームおよびその半導体装置Info
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- JPH08279585A JPH08279585A JP10823495A JP10823495A JPH08279585A JP H08279585 A JPH08279585 A JP H08279585A JP 10823495 A JP10823495 A JP 10823495A JP 10823495 A JP10823495 A JP 10823495A JP H08279585 A JPH08279585 A JP H08279585A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- semiconductor device
- support bar
- support bars
- adhesive
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- Pending
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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-
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ICチップとパッドの固着に係る接着材の吸
湿を抑止すると共に、熱ストレスの影響を受けず、また
各材質界面に剥離を生じさせない、優れた信頼性を確保
した半導体装置を提供する。 【構成】 複数本の並列したインナーリードと、該イン
ナーリードの直角方向に設けられていて、橋状に連結さ
れ、さらに必要に応じて凹部を形成して下方に位置させ
た所定数のサポートバーを備えており、該サポートバー
上面に極微量の接着材を塗布して半導体チップを固着搭
載したリードフレームを用い、前記サポートバーに固着
搭載されたICチップと前記インナーリードとをボンデ
ィングワイヤーにより接続して、前記インナーリード以
内を封止材料でパッケージした半導体装置である。
湿を抑止すると共に、熱ストレスの影響を受けず、また
各材質界面に剥離を生じさせない、優れた信頼性を確保
した半導体装置を提供する。 【構成】 複数本の並列したインナーリードと、該イン
ナーリードの直角方向に設けられていて、橋状に連結さ
れ、さらに必要に応じて凹部を形成して下方に位置させ
た所定数のサポートバーを備えており、該サポートバー
上面に極微量の接着材を塗布して半導体チップを固着搭
載したリードフレームを用い、前記サポートバーに固着
搭載されたICチップと前記インナーリードとをボンデ
ィングワイヤーにより接続して、前記インナーリード以
内を封止材料でパッケージした半導体装置である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、パッドを有することな
く半導体チップ(以下 ICチップという)を搭載する
ことのできるリードフレームと、これを用いた半導体装
置に関する。
く半導体チップ(以下 ICチップという)を搭載する
ことのできるリードフレームと、これを用いた半導体装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】通常、半導体装置(IC)は、リードフ
レームのパッドにICチップを固着搭載し、ICチップ
の各電極と対応するインナーリード部とをボンディング
ワイヤ−により接続させて、封止材料によってインナー
リード以内をパッケージングし、当該パッケージから突
出するアウターリードを所望の形状に成形して製造され
る。
レームのパッドにICチップを固着搭載し、ICチップ
の各電極と対応するインナーリード部とをボンディング
ワイヤ−により接続させて、封止材料によってインナー
リード以内をパッケージングし、当該パッケージから突
出するアウターリードを所望の形状に成形して製造され
る。
【0003】
【この発明が解決しようとする課題】しかしながら、上
記のような構成の半導体装置においては、ICチップを
パッドへ固着させる際、Agペースト、熱可塑性テー
プ、あるいは絶縁性接着フィルムなど、何らかの接着材
を介して固着しなければならないが、該接着材は吸湿性
を有しており、該吸湿性に起因するリードフレームの腐
食、電気的機能不良、さらに加熱に伴う吸湿水分の気化
膨張による半導体装置のパッケージクラックおよび反り
等の各種不良の発生が絶えない。
記のような構成の半導体装置においては、ICチップを
パッドへ固着させる際、Agペースト、熱可塑性テー
プ、あるいは絶縁性接着フィルムなど、何らかの接着材
を介して固着しなければならないが、該接着材は吸湿性
を有しており、該吸湿性に起因するリードフレームの腐
食、電気的機能不良、さらに加熱に伴う吸湿水分の気化
膨張による半導体装置のパッケージクラックおよび反り
等の各種不良の発生が絶えない。
【0004】また、ICチップ、リードフレーム、封止
樹脂では各材質により熱膨張係数が異なるため、ダイボ
ンディング工程あるいは基板実装工程で加わる熱ストレ
スにより、前記各材質界面に剥離を生じさせており、半
導体装置の信頼性を著しく低下させている。
樹脂では各材質により熱膨張係数が異なるため、ダイボ
ンディング工程あるいは基板実装工程で加わる熱ストレ
スにより、前記各材質界面に剥離を生じさせており、半
導体装置の信頼性を著しく低下させている。
【0005】近年ではICチップメモリーの高集積化に
伴い、ICチップがより大型化していくなか、半導体パ
ッケージ自体は一層の小型化、薄型化の傾向に進んでお
り、本傾向が進むにつれ上記問題の発生もより顕著であ
る。本発明では前述してきた問題点を解消するため、リ
ードフレームにパッドを備えず、サポートバーのみによ
ってICチップを固着搭載することにより、接着材の吸
湿性に起因する各種不良発生率を極めて低下させると共
に、熱ストレスによる各材質界面の剥離を防止する、優
れた信頼性を確保した半導体装置の提供を目的とする。
伴い、ICチップがより大型化していくなか、半導体パ
ッケージ自体は一層の小型化、薄型化の傾向に進んでお
り、本傾向が進むにつれ上記問題の発生もより顕著であ
る。本発明では前述してきた問題点を解消するため、リ
ードフレームにパッドを備えず、サポートバーのみによ
ってICチップを固着搭載することにより、接着材の吸
湿性に起因する各種不良発生率を極めて低下させると共
に、熱ストレスによる各材質界面の剥離を防止する、優
れた信頼性を確保した半導体装置の提供を目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の特徴とするところは、複数本の並列したインナーリ
ードの直角方向にICチップを搭載する橋状に連結され
た所定数のサポートバーを備えたリードフレームを用
い、前記サポートバー上面に微量の接着材を塗布してI
Cチップを固着搭載する半導体装置にある。また、他の
特徴は前記サポートバーに凹部を形成し、インナーリー
ドより下げたところにある。
明の特徴とするところは、複数本の並列したインナーリ
ードの直角方向にICチップを搭載する橋状に連結され
た所定数のサポートバーを備えたリードフレームを用
い、前記サポートバー上面に微量の接着材を塗布してI
Cチップを固着搭載する半導体装置にある。また、他の
特徴は前記サポートバーに凹部を形成し、インナーリー
ドより下げたところにある。
【0007】
【作用】本発明は、複数本の並列したインナーリードの
直角方向に設けられた、橋状に連結された所定数のサポ
ートバーのみによってICチップを固着して搭載するた
め、ICチップの固着に関して極微量の接着材しか必需
しないことから、接着材に係る吸湿を抑止できる。ま
た、前記サポートバーとICチップの接合面積が僅域の
ため、封止樹脂とICチップの接触面積が拡大して接合
強度が向上する。よってこれらが相乗して半導体装置の
信頼性が長期にわたって確保できる。さらに、前記サポ
ートバーを凹部の形成によりインナーリード面より下げ
たものでは、半導体装置の薄型化が容易である。
直角方向に設けられた、橋状に連結された所定数のサポ
ートバーのみによってICチップを固着して搭載するた
め、ICチップの固着に関して極微量の接着材しか必需
しないことから、接着材に係る吸湿を抑止できる。ま
た、前記サポートバーとICチップの接合面積が僅域の
ため、封止樹脂とICチップの接触面積が拡大して接合
強度が向上する。よってこれらが相乗して半導体装置の
信頼性が長期にわたって確保できる。さらに、前記サポ
ートバーを凹部の形成によりインナーリード面より下げ
たものでは、半導体装置の薄型化が容易である。
【0008】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図1は本発明に係るリードフレーム上面図。図
2は本発明に係る半導体装置横面図である。
明する。図1は本発明に係るリードフレーム上面図。図
2は本発明に係る半導体装置横面図である。
【0009】1はインナーリード、2はサポートバーで
あって、該サポートバー2はインナーリード1に対し
て、直角方向に橋状に連結されて設けられている。ただ
し該サポートバー2はこの実施例の2本に限られること
はなく任意である。また、該サポートバー2間の間隔は
応力バランスを考慮したものであり任意に設定ができ
る。さらに、必要に応じてサポートバー2の両側に凹部
2aを形成し、当該サポートバーの中間部を下方に位置
させると、半導体装置の薄型化やボンディングワイヤー
の短縮が図れる
あって、該サポートバー2はインナーリード1に対し
て、直角方向に橋状に連結されて設けられている。ただ
し該サポートバー2はこの実施例の2本に限られること
はなく任意である。また、該サポートバー2間の間隔は
応力バランスを考慮したものであり任意に設定ができ
る。さらに、必要に応じてサポートバー2の両側に凹部
2aを形成し、当該サポートバーの中間部を下方に位置
させると、半導体装置の薄型化やボンディングワイヤー
の短縮が図れる
【0010】3はICチップであって、前記サポートバ
ー2上面に極微量の接着材を介して固着搭載されてい
る。
ー2上面に極微量の接着材を介して固着搭載されてい
る。
【0011】前記接着材の使用が極微量であるため、接
着材の吸湿性に起因していたリードフレームの腐食、電
気的機能不良、さらに加熱加圧に伴う吸湿水分の気化膨
張による半導体装置のパッケージクラックおよび反り等
の各種不良が防止できる。
着材の吸湿性に起因していたリードフレームの腐食、電
気的機能不良、さらに加熱加圧に伴う吸湿水分の気化膨
張による半導体装置のパッケージクラックおよび反り等
の各種不良が防止できる。
【0012】前記ICチップ3と前記サポートバー2の
接着面積は僅域であるため、パッケージサイズ内におけ
る封止樹脂の充填率が向上し、前記ICチップ3と封止
樹脂との接触面積も向上する、よって強固な状態を保持
できる。
接着面積は僅域であるため、パッケージサイズ内におけ
る封止樹脂の充填率が向上し、前記ICチップ3と封止
樹脂との接触面積も向上する、よって強固な状態を保持
できる。
【0013】また、前記サポートバーは幅狭であり、ダ
イボンディング工程あるいは基板実装時の加熱加圧によ
る熱ストレスを受けにくく、前記封止樹脂の充填率向上
と相乗してICチップ材料、リードフレーム材料および
封止樹脂材料間の熱膨張率の差異によって生じていた前
記各材質界面での剥離を防止できる。
イボンディング工程あるいは基板実装時の加熱加圧によ
る熱ストレスを受けにくく、前記封止樹脂の充填率向上
と相乗してICチップ材料、リードフレーム材料および
封止樹脂材料間の熱膨張率の差異によって生じていた前
記各材質界面での剥離を防止できる。
【0014】図2において4はボンディングワイヤ−で
あり、前記ICチップ3とインナーリード1間の電気導
通を目的とする金属の細線であって、ICチップ3の回
路端子と各インナーリード1とを接続している。5は本
発明に係る半導体装置のパッケージであって、前記イン
ナーリード1以内を樹脂あるいはセラミック等の封止材
料によってパッケ−ジングして、パッケ−ジ5より突出
したアウタ−リ−ド6を所望の形状に成形をおこなった
ものである。
あり、前記ICチップ3とインナーリード1間の電気導
通を目的とする金属の細線であって、ICチップ3の回
路端子と各インナーリード1とを接続している。5は本
発明に係る半導体装置のパッケージであって、前記イン
ナーリード1以内を樹脂あるいはセラミック等の封止材
料によってパッケ−ジングして、パッケ−ジ5より突出
したアウタ−リ−ド6を所望の形状に成形をおこなった
ものである。
【0015】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、リードフ
レームにパッドを備えず、橋状に連結されたサポートバ
ーのみによってICチップを固着搭載することにより、
接着材に係る吸湿を抑止できると共に、熱ストレスの影
響を受けず、また各材質界面に剥離を生じさせない、I
Cチップと封止樹脂の接合強度が向上した信頼性の高い
半導体装置が得られる。さらに、前記サポートバーを凹
形状として下げたものでは半導体装置を薄くでき、また
ボンディングワイヤーを短縮でき信号伝送が高速化でき
る。
レームにパッドを備えず、橋状に連結されたサポートバ
ーのみによってICチップを固着搭載することにより、
接着材に係る吸湿を抑止できると共に、熱ストレスの影
響を受けず、また各材質界面に剥離を生じさせない、I
Cチップと封止樹脂の接合強度が向上した信頼性の高い
半導体装置が得られる。さらに、前記サポートバーを凹
形状として下げたものでは半導体装置を薄くでき、また
ボンディングワイヤーを短縮でき信号伝送が高速化でき
る。
【図1】本発明実施例のリ−ドフレ−ム上面図
【図2】本発明実施例の半導体装置断面図
1、インナ−リード 2、サポートバー 2a、サポートバー凹部 3、ICチップ 4、ボンディングワイヤ− 5、パッケージ
Claims (4)
- 【請求項1】 複数本の並列したインナーリードと、該
インナーリードの直角方向に半導体チップを搭載する橋
状に連結された所定数のサポートバーを備えており、該
サポートバー上面に極微量の接着材を塗布して半導体チ
ップを固着搭載することを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項2】 前記サポートバーが凹部の形成により下
げられた請求項1記載のリードフレーム。 - 【請求項3】 所定数の橋状に連結されたサポートバー
上面に固着搭載された半導体チップと、前記サポートバ
ーの直角方向に並列する複数本のインナーリードとがボ
ンディングワイヤーで接続され、前記インナーリード以
内を封止材料によりパッケージした半導体装置。 - 【請求項4】 前記サポートバーが凹部の形成により下
げられた請求項3記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10823495A JPH08279585A (ja) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | リードフレームおよびその半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10823495A JPH08279585A (ja) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | リードフレームおよびその半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08279585A true JPH08279585A (ja) | 1996-10-22 |
Family
ID=14479473
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10823495A Pending JPH08279585A (ja) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | リードフレームおよびその半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08279585A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6541311B1 (en) | 1998-04-06 | 2003-04-01 | Infineon Technologies Ag | Method of positioning a component mounted on a lead frame in a test socket |
JP2007035853A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-04-06 JP JP10823495A patent/JPH08279585A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6541311B1 (en) | 1998-04-06 | 2003-04-01 | Infineon Technologies Ag | Method of positioning a component mounted on a lead frame in a test socket |
JP2007035853A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4679991B2 (ja) * | 2005-07-26 | 2011-05-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
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