JP2007035853A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】外形寸法の異なる各種半導体チップを搭載可能とするリードフレームを提供する。
【解決手段】ダイボンドエリア３ａと、ダイボンドエリア３ａに４方向から接続する４本の吊りリード２と、４本の吊りリード２にそれぞれ所定の間隔を設けて形成された複数個のダイボンドエリア３ｂとを備えるリードフレーム１を用いることにより、互いに異なる外形寸法の半導体チップが提供された場合、半導体チップが搭載されるダイボンドエリア３ｂを変更し、同一のリードフレーム１を用いてパッケージに組み立てる。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、半導体チップを搭載するリードフレームの標準化に適用して有効な技術に関するものである。

種々の異なる半導体装置に適用可能なリードフレームを実現する様々な方法が提案されている。

例えば半導体チップの外形寸法に応じてリードの先端を適宜の長さに切断することにより、外形寸法の異なる各種半導体チップをダイパッド上に搭載可能としたリードフレームおよびその製造方法が開示されている（例えば特許文献１参照。）。

また、ダイパッドを廃止して、半導体ペレット搭載位置の中央に直線状に延在する支持リードを設け、この支持リードの上面に、予め熱可塑性樹脂で接着層を形成しておくことにより、種々のサイズの半導体ペレットに対応可能なリードフレームを形成する技術が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。

また、半導体チップが複数に分散して配置された小形のタブによって支持されており、半導体チップが接着剤を介して、その裏面の４角に対応して分散配置された４個の小形の円形のタブによって支持されるリードフレームが開示されている（例えば、特許文献３参照。）。
特開平６−２１６３０３号公報（段落［００４０］〜［００４２］、図１１、図１２） 特開平８−６４７４６号公報（段落［００３９］、［００４５］、［００４６］、図１、図６） 国際特許公開ＷＯ０２／０６９４０２号パンフレット（図３）

近年、半導体集積回路装置の製造形態が需要の多様化により他品種少量生産化しており、品種の増加に応じて、リードフレームも多くの種類を用意しなければならず、その管理が煩雑であり製造コストも増加している。そこで、例えば前述した特許文献１、２または３に開示された方法等により、リードフレームの標準化がなされている。しかし、半導体チップのサイズがさらに大きくなると、ダイパッドまたはリードフレームとの接着面積に対する半導体チップの面積割合が大きくなり、組立工程において半導体チップが回転ずれや剥がれを起こしたりする不具合が生じてしまう。この不具合は、特にダイパッドに半導体チップを搭載するダイボンド工程の直後に生じ易い。半導体チップをダイパッドに搭載した後は、キュア工程（またはクリーンキュア工程）において半導体チップとダイパッドとの間に介在する接着剤（ペースト材）を硬化させるが、ダイボンド工程とキュア工程とは異なる装置で行うため、半導体チップを搭載したリードフレームを装置間で搬送させる必要がある。しかしながら、硬化させる前の接着剤は粘度を有した状態であるため、この搬送中の振動により半導体チップが動いてしまう。

本発明の目的は、外形寸法の異なる各種半導体チップを搭載可能とするリードフレームを提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

本発明は、第１ダイボンドエリアと、第１ダイボンドエリアに４方向から接続する４本の吊りリードと、４本の吊りリードにそれぞれ所定の間隔を設けて形成された複数個の第２ダイボンドエリアとを備えるリードフレームを用意し、半導体チップの一面と第１ダイボンドエリアおよび複数個の第２ダイボンドエリアから選択された所定の第２ダイボンドエリアとをペースト材を介して接着する工程を含む半導体装置の製造方法であって、半導体チップが覆う第１ダイボンドエリアおよび選択された所定の第２ダイボンドエリアの全チップ搭載面の面積が半導体チップの一面の面積よりも小さいものである。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。

ダイボンドエリアを変更するだけで、同一のリードフレームに外形寸法の異なる各種半導体チップを搭載することができる。

本実施の形態においては、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、本実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、本実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。

また、本実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。

（実施の形態１）
本発明の実施の形態１による表面実装型パッケージの１つであるＱＦＰ（Quad Flat Package）の製造に用いるリードフレームを図１に示す平面図を用いて説明する。

リードフレーム１の半導体チップが搭載される中央部分には、円形のダイボンドエリア（第１ダイボンドエリア）３ａが形成され、このダイボンドエリア３ａに４本の吊りリード（または支持リード）２が４方向から接続されている。さらに、４本の吊りリード２には互いに対称の位置に複数個の円形のダイボンドエリア（第２ダイボンドエリア）３ｂが形成されている。吊りリード２の幅は、例えば０．３ｍｍ程度である。

ダイボンドエリア３ａ，３ｂの個々のチップ搭載面の面積は、その上に搭載される半導体チップの一面（例えば主面または裏面）の面積よりも遙かに小さく形成される。ダイボンドエリア３ａ，３ｂの直径（図１中に示すａ）は、例えば０．５〜１．５ｍｍ程度であり、隣接するダイボンドエリア３ａ，３ｂの間隔（図１中に示すｂ）は、例えば０．４〜４ｍｍ程度である。従って、半導体チップで覆われるダイボンドエリア３ａ，３ｂの全チップ搭載面の面積は、半導体チップの一面の面積よりも小さくなる。しかし、複数個のダイボンドエリア３ａ，３ｂを用いて半導体チップを吊りリード２に接着できることから、ダイボンドエリア３ａ，３ｂ上で半導体チップが回転ずれや剥がれを起こしたりする不具合を防止することができる。また、使用するダイボンドエリア３ａ，３ｂの位置および数は吊りリードに搭載される半導体チップの外形寸法に応じて決定することができるので、外形寸法が１ｍｍ×１ｍｍ程度の相対的に小さい半導体チップから、外形寸法が２０ｍｍ×２０ｍｍ程度の相対的に大きい半導体チップまで、種々の外形寸法の半導体チップを搭載することができる。

隣接する吊りリード２の間には、複数本のリード４が配置されている。吊りリード２およびリード４の中途部には、絶縁性の薄い合成樹脂フィルムからなるテープ５が枠状に形成されて接着されている。このテープ５の外側には、リード４の支持とモールド時における樹脂の溢出防止とを兼ねたダムバー６が枠状に各リード４間を連結するように形成されている。

リードフレーム１の最外周部は、単位フレームを複数連結している外枠７および単位フレーム間を分離するように形成されている内枠８からなり、外枠７の一部には、リードフレーム１をモールド金型に位置決めする際のガイドとなるガイド孔９が設けられている。

リードフレーム１を構成する吊りリード２，ダイボンドエリア３ａ，３ｂ、リード４、ダムバー６、外枠７および内枠８は、４２アロイやＣｕなどの導電材料からなる。リード４の一部を構成し、後に樹脂で封止されるインナーリード部４ａの先端には、Ａｇのメッキが施されている。図示はしないが、リードフレーム１は、これらの各部により構成される単位フレームを一方向に複数個連設した構成になっている。

次に、前述したリードフレーム１に搭載される半導体チップの例を図２〜図５に示す吊りリード部分の拡大平面図を用いて説明する。

図２は、相対的に外形寸法の小さい半導体チップ１０を搭載するリードフレーム１の吊りリード部分を例示する。半導体チップ１０の外形寸法に合わせて５箇所のダイボンドエリア３ａ，３ｂが選択され、その５箇所のダイボンドエリア３ａ，３ｂ上にペースト材（図中、黒く塗りつぶした部分）１１が塗布されて、半導体チップ１０が接着される。選択された５箇所以外のダイボンドエリア３ａ，３ｂにはペースト材１１は塗布されない。

図３は、相対的に外形寸法の大きい半導体チップ１２を搭載するリードフレーム１の吊りリード部分を例示する。半導体チップ１２の外形寸法に合わせて１３箇所のダイボンドエリア３ａ，３ｂが選択され、その１３箇所のダイボンドエリア３ａ，３ｂ上にペースト材１１が塗布されて、半導体チップ１２が接着される。選択された１３箇所以外のダイボンドエリア３ａ，３ｂにはペースト材１１は塗布されない。

図４は、前記図３と同様に、相対的に外形寸法の大きい半導体チップ１２を搭載するリードフレーム１の吊りリード部分を例示するが、半導体チップ１２は、５箇所（半導体チップ１２の中央部に対応する１箇所および半導体チップ１２の外周部に対応する４箇所）のダイボンドエリア３ａ，３ｂに接着される。半導体チップ１２の回転ずれや剥がれが大きな問題とならない場合は、半導体チップ１２の外形寸法に合わせて選択したダイボンドエリア３ａ，３ｂのうち、部分的に接着することができる。これにより、ペースト材１１の塗布が短時間で済み、またその塗布量も低減できるという利点がある。

図５は、互いに異なる外形寸法を有する２つの半導体チップ１３，１４を搭載するリードフレーム１の吊りリード部分を例示す。２つの半導体チップ１３，１４の外形寸法および配置に合わせて７箇所のダイボンドエリア３ａ，３ｂが選択され、その７箇所のダイボンドエリア３ａ，３ｂ上にペースト材１１が塗布されて、２つの半導体チップ１３，１４が接着される。選択された７箇所以外のダイボンドエリア３ａ，３ｂにはペースト材１１は塗布されない。

図５に示すように、半導体装置の高機能化をはかるため、１つの半導体装置内に異なる種類の半導体チップを複数個搭載する場合がある。図５に示す半導体チップは、例えば符号１３がコントローラチップであり、符号１４がメモリ（ＳＤＲＡＭ）である。また、半導体装置の薄型化のため、複数個の半導体チップは平置きに搭載することが要求される。

ダイボンドエリア３ａ，３ｂが中央部に対応する１箇所、およびその外周部に対応する４箇所の計５箇所しか形成されていない場合、２つの半導体チップ１３，１４を搭載すると、２つの半導体チップ１３，１４の距離（間隔）が狭いため、半導体チップを搭載するダイボンド工程において半導体チップ同士が接触する、または半導体チップを保持するコレットが先に搭載した半導体チップに接触する可能性がある。これにより半導体チップの割れなどの問題が生じる。

しかしながら、本実施の形態１では、吊りリード２の互いに対称の位置に複数個の円形のダイボンドエリア３ｂが形成されているので、２つの半導体チップ１３，１４の距離を遠ざけて搭載することができる。これにより、２つの半導体チップ同士の接触を防ぐことが可能である。

次に、前述したリードフレーム１を用いた半導体装置（ＱＦＰ）の製造方法の一例を図６〜図１１を用いて工程順に説明する。

まず、図６に示すように、リードフレーム１のダイボンドエリア３ａ，３ｂ上に半導体チップを接着するためのペースト材１１を塗布する。ここでは、前記図２に例示した半導体チップ１０をリードフレーム１に搭載するとして、中心部の１個のダイボンドエリア３ａとその周辺部の４個のダイボンドエリア３ｂにペースト材１１を塗布する。ペースト材１１の塗布は、例えばリードフレーム１のダイボンドエリア３ａ，３ｂ上にディスペンサを使ってペースト材１１を滴下することにより行う。ペースト材１１は、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂にＡｇ粉末を混入させたものからなる。

次に、ペースト材１１を塗布したダイボンドエリア３ａ，３ｂ上にコレットを用いて半導体チップ１０の位置を決める。続いて、リードフレーム１をヒートステージ上で加熱してペースト材１１を硬化させる。加熱条件として、例えば温度２００〜２５０℃程度、時間３０秒〜１分程度を例示することができる。これにより、半導体チップ１０の裏面とダイボンドエリア３ａ，３ｂとをペースト材１１を介して接着する。なお、ペースト材１１の硬化は、オーブンを使うこともできる。図７は、ダイボンドエリア３ａ，３ｂ上に半導体チップ１０を搭載する工程が完了したリードフレーム１の平面図である。

次に、図８および図９に示すように、ダイボンドエリア３ａ，３ｂ上に搭載された半導体チップ１０のボンディングパッド１５とインナーリード部４ａとの間をＡｕのワイヤ１６によりボンディングして電気的に接続する。

次に、上記リードフレーム１をモールド金型に装着し、図１０に示すように、半導体チップ１０、ダイボンドエリア３ａ，３ｂ、インナーリード部４ａおよびワイヤ１６をエポキシ樹脂などでモールドすることによりパッケージ本体１７を形成してパッケージを組み立てる。続いて、リードフレーム１の不要箇所、すなわちパッケージ本体１７の外部に露出したダムバー６、外枠７および内枠８などをプレスで切断除去し、最後にパッケージ本体１７の外部に露出したリード４を所定の形状に形成することにより、図１１に示す表面実装型の半導体装置１８が完成する。

その後、半導体装置１８をリフロー半田付け法により実装基板上に実装する。なお、半導体装置１８が吸湿した場合、リフロー半田工程での高温に起因したパッケージ・クラックが発生する問題が生ずるが、ダイボンドエリア３ａ，３ｂの全チップ搭載面の面積をその上に搭載される半導体チップ１０の面積よりも小さくできることから、リフロー・クラック耐性の向上した半導体装置１８を提供することができる（例えば特開平６−２１６３０３号公報、[００５９]、[００６０]参照）。

なお、本実施の形態１では、半導体チップ１０の裏面とダイボンドエリア３ａ，３ｂとをペースト材１１を介して接着した半導体装置１８を形成したが、図１２に示すように、半導体チップ１０の主面とダイボンドエリア３ａ，３ｂとをペースト材１１を介して接着した、例えばＬＯＣ（Lead on Chip）構造の半導体装置１９を形成することもできる。

このように、本実施の形態１によれば、互いに外形寸法が異なる半導体チップ（例えば半導体チップ１０，１２，１３または１４）が提供されても、半導体チップが搭載されるダイボンドエリア３ａ，３ｂを変更するだけで、同一のリードフレーム１を用いてパッケージに組み立てることができる。さらに、これにより、リードフレーム１を標準化することができて、互いに外形寸法の異なる半導体チップ毎にリードフレームを作成する手間が不要となる。

（実施の形態２）
本発明の実施の形態２によるリードフレームを図１３に示す吊りリード部分の拡大平面図を用いて説明する。

前述した実施の形態１と相違する点は、リードフレームの半導体チップが搭載される２本の吊りリードが平行に配置されていることである。すなわち、前述した実施の形態１のリードフレーム１では、リードフレーム１の中央部に円形のダイボンドエリア３ａが配置され、これに４本の吊りリード２が４方向から接続されていたが、本実施の形態２のリードフレームでは、図１３に示すように、２本の吊りリード２２が平行に配置されており、２本の吊りリード２２にそれぞれ複数個の円形のダイボンドエリア２３が形成されている。

吊りリード２２の幅は、例えば０．３ｍｍ程度である。ダイボンドエリア２３の直径および隣接するダイボンドエリア２３の間隔は、前述したダイボンドエリア３ｂと同様であり、それぞれ例えば０．５〜１．５ｍｍ程度および０．４〜４ｍｍ程度である。また、吊りリード２２に搭載される半導体チップの外形寸法に応じて、使用するダイボンドエリア２３の位置および数が決定される。従って、外形寸法が１ｍｍ×１ｍｍ程度の相対的に小さい半導体チップから、外形寸法が２０ｍｍ×２０ｍｍ程度の相対的に大きい半導体チップまで、種々の外形寸法の半導体チップを搭載することができる。

次に、前述したリードフレームに搭載される半導体チップの例を図１４および図１５に示す吊りリード部分の拡大平面図を用いて説明する。

図１４は、１つの半導体チップ２４を搭載するリードフレームの吊りリード部分を例示する。半導体チップ２４の外形寸法に合わせて１２箇所のダイボンドエリア２３が選択され、その１２箇所のダイボンドエリア２３上にペースト材１１が塗布されて、２本の吊りリード２３に渡って半導体チップ２４が接着される。選択された１２箇所以外のダイボンドエリア２３にはペースト材１１は塗布されない。

図１５は、互いに異なる外形寸法を有する２つの半導体チップ２５，２６を搭載するリードフレームの吊りリード部分を例示す。２つの半導体チップ２５，２６の外形寸法および配置に合わせて１０箇所のダイボンドエリア２３が選択され、その１０箇所のダイボンドエリア２３上にペースト材１１が塗布されて、２本の吊りリード２３に渡って２つの半導体チップ２５，２６がそれぞれ接続される。選択された１０箇所以外のダイボンドエリア２３にはペースト材１１は塗布されない。

なお、本実施の形態２では、リードフレームの吊りリード部分を２本の平行に配置され、複数個のダイボンドエリア２３が形成された吊りリード２３により構成するとしたが、半導体チップのダイボンドエリア２３への接着強度や接着剤の最低塗布領域が確保できれば、リードフレームの吊りリード部分を１本の吊りリードで構成することもできる。

図１６に、本実施の形態２の変形例である１本の吊りリード部分の拡大平面図を示す。１本の吊りリード２７には複数個の円形のダイボンドエリア２３が形成され、吊りリード２７に搭載される半導体チップの外形寸法に応じて、使用するダイボンドエリア２３の位置および数が決定される。

このように、本実施の形態２によれば、前述した実施の形態１と同様に、互いに外形寸法が異なる半導体チップを同一のリードフレームを用いてパッケージに組み立てることができる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

例えば前記実施の形態では、ダイボンドエリアの形状を円形とした。これは、応力が掛かりにくい、製造が容易であるまたはペースト材が均一に塗布できる等の利点を有する理由からである。しかし、ダイボンドエリアの形状は円形に限らず、例えば楕円、矩形等であってもよい。

また、前記実施の形態では、表面実装型パッケージ、例えばＱＦＰを製造するためのリードフレームに本発明を適用した場合について説明したが、例えばＤＩＰ（Dual In-line Package）のようなピン挿入型パッケージを製造するためのリードフレームに適用することもできる。

本発明の半導体装置の製造方法は、リードフレームの標準化を図ることにより、少量他品種に対応した安価なリードフレームの提供に利用することができる。

本発明の実施の形態１によるリードフレームの平面図である。 本発明の実施の形態１による半導体チップを搭載したリードフレームの吊りリード部分の拡大平面図である。 本発明の実施の形態１による半導体チップを搭載したリードフレームの吊りリード部分の拡大平面図である。 本発明の実施の形態１による半導体チップを搭載したリードフレームの吊りリード部分の拡大平面図である。 本発明の実施の形態１による半導体チップを搭載したリードフレームの吊りリード部分の拡大平面図である。 本発明の実施の形態１による半導体装置の製造工程を示すリードフレームの要部平面図である。 本発明の実施の形態１による半導体装置の製造工程を示すリードフレームの要部平面図である。 本発明の実施の形態１による半導体装置の製造工程を示すリードフレームの要部平面図である。 本発明の実施の形態１による半導体装置の製造工程を示すリードフレームの要部断面図である。 本発明の実施の形態１による半導体装置の製造工程を示す半導体装置の要部平面図である。 本発明の実施の形態１による半導体装置の製造工程を示す半導体装置の要部断面図である。 本発明の実施の形態１の変形例である半導体装置の要部断面図である。 本発明の実施の形態２によるリードフレームの吊りリード部分の拡大平面図である。 本発明の実施の形態２による半導体チップを搭載したリードフレームの吊りリード部分の拡大平面図である。 本発明の実施の形態２による半導体チップを搭載したリードフレームの吊りリード部分の拡大平面図である。 本発明の実施の形態２の変形例である吊りリード部分の拡大平面図である。

符号の説明

１ リードフレーム
２ 吊りリード
３ａ ダイボンドエリア（第１ダイボンドエリア）
３ｂ ダイボンドエリア（第２ダイボンドエリア）
４ リード
４ａ インナーリード部
５ テープ
６ ダムバー
７ 外枠
８ 内枠
９ ガイド孔
１０ 半導体チップ
１１ ペースト材
１２ 半導体チップ
１３ 半導体チップ
１４ 半導体チップ
１５ ボンディングパッド
１６ ワイヤ
１７ パッケージ本体
１８ 半導体装置
１９ 半導体装置
２２ 吊りリード
２３ ダイボンドエリア
２４ 半導体チップ
２５ 半導体チップ
２６ 半導体チップ
２７ 吊りリード

Claims (6)

1. （ａ）第１ダイボンドエリアと、前記第１ダイボンドエリアに４方向から接続する４本の吊りリードと、前記４本の吊りリードにそれぞれ所定の間隔を設けて形成された複数個の第２ダイボンドエリアと、前記４本の吊りリードの隣接間に配置された複数本のリードとを備えるリードフレームを用意する工程、
   （ｂ）半導体チップの一面と前記第１ダイボンドエリアおよび前記複数個の第２ダイボンドエリアから選択された所定の第２ダイボンドエリアとをペースト材を介して接着する工程、
   （ｃ）前記半導体チップの電極とこれに対応する前記リードフレームのインナーリードとをワイヤによって電気的に接続する工程、
   （ｄ）前記半導体チップ、前記ワイヤ、前記第１ダイボンドエリアおよび前記複数個の第２ダイボンドエリアを、その全体を覆うように樹脂封止する工程、
   （ｅ）前記複数本のリードを前記リードフレームから分離する工程を有し、
   前記半導体チップで覆われる前記第１ダイボンドエリアおよび前記選択された所定の第２ダイボンドエリアの全チップ搭載面の面積が、前記半導体チップの一面の面積よりも小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. （ａ）第１ダイボンドエリアと、前記第１ダイボンドエリアに４方向から接続する４本の吊りリードと、前記４本の吊りリードにそれぞれ所定の間隔を設けて形成された複数個の第２ダイボンドエリアと、前記４本の吊りリードの隣接間に配置された複数本のリードとを備えるリードフレームを用意する工程、
   （ｂ）第１半導体チップの一面と前記複数個の第２ダイボンドエリアから選択された所定の第２ダイボンドエリアとをペースト材を介して接着する工程、
   （ｃ）第２半導体チップの一面と前記選択された所定の第２ダイボンドエリアとは異なる前記複数個の第２ダイボンドエリアから選択された他の所定の第２ダイボンドエリアとをペースト材を介して接着する工程、
   （ｄ）前記第１および第２半導体チップの電極とこれに対応する前記リードフレームのインナーリードとをワイヤによって電気的に接続する工程、
   （ｅ）前記第１および第２半導体チップ、前記ワイヤ、前記第１ダイボンドエリアおよび前記複数個の第２ダイボンドエリアを、その全体を覆うように樹脂封止する工程、
   （ｆ）前記複数本のリードを前記リードフレームから分離する工程を有し、
   前記第１半導体チップで覆われる前記選択された所定の第２ダイボンドエリアの全チップ搭載面の面積が、前記第１半導体チップの一面の面積よりも小さく、前記第２半導体チップで覆われる前記選択された他の所定の第２ダイボンドエリアの全チップ搭載面の面積が、前記第２半導体チップの一面の面積よりも小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 請求項２記載の半導体装置の製造方法において、前記第１半導体チップまたは前記第２半導体チップの前記一面と前記第１ダイボンドエリアとをペースト材を介して接着する工程を含み、
   前記第１ダイボンドエリアの面積を含めた全チップ搭載面の面積が、前記第１半導体チップまたは前記第２半導体チップの一面の面積よりも小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. （ａ）平行に配置された２本の吊りリードと、前記２本の吊りリードにそれぞれ所定の間隔を設けて形成された複数個のダイボンドエリアと、前記２本の吊りリードの周囲に配置された複数本のリードとを備えるリードフレームを用意する工程、
   （ｂ）半導体チップの一面と前記複数個のダイボンドエリアから選択された所定のダイボンドエリアとをペースト材を介して接着する工程、
   （ｃ）前記半導体チップの電極とこれに対応する前記リードフレームのインナーリードとをワイヤによって電気的に接続する工程、
   （ｄ）前記半導体チップ、前記ワイヤおよび前記複数個のダイボンドエリアを、その全体を覆うように樹脂封止する工程、
   （ｅ）前記複数本のリードを前記リードフレームから分離する工程を有し、
   前記半導体チップで覆われる前記選択された所定のダイボンドエリアの全チップ搭載面の面積が、前記半導体チップの一面の面積よりも小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. （ａ）平行に配置された２本の吊りリードと、前記２本の吊りリードにそれぞれ所定の間隔を設けて形成された複数個のダイボンドエリアと、前記２本の吊りリードの周囲に配置された複数本のリードとを備えるリードフレームを用意する工程、
   （ｂ）第１半導体チップの一面と前記複数個のダイボンドエリアから選択された所定のダイボンドエリアとをペースト材を介して接着する工程、
   （ｃ）第２半導体チップの一面と前記選択された所定のダイボンドエリアとは異なる前記複数個のダイボンドエリアから選択された他の所定のダイボンドエリアとをペースト材を介して接着する工程、
   （ｄ）前記第１および第２半導体チップの電極とこれに対応する前記リードフレームのインナーリードとをワイヤによって電気的に接続する工程、
   （ｅ）前記第１および第２半導体チップ、前記ワイヤおよび前記複数個のダイボンドエリアを、その全体を覆うように樹脂封止する工程、
   （ｆ）前記複数本のリードを前記リードフレームから分離する工程を有し、
   前記第１半導体チップで覆われる前記選択された所定のダイボンドエリアの全チップ搭載面の面積が、前記第１半導体チップの一面の面積よりも小さく、前記第２半導体チップで覆われる前記選択された他の所定のダイボンドエリアの全チップ搭載面の面積が、前記第２半導体チップの一面の面積よりも小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. （ａ）１本の吊りリードと、前記１本の吊りリードに所定の間隔を設けて形成された複数個のダイボンドエリアと、前記１本の吊りリードの両側に配置された複数本のリードとを備えるリードフレームを用意する工程、
   （ｂ）半導体チップの一面と前記複数個のダイボンドエリアから選択された所定のダイボンドエリアとをペースト材を介して接着する工程、
   （ｃ）前記半導体チップの電極とこれに対応する前記リードフレームのインナーリードとをワイヤによって電気的に接続する工程、
   （ｄ）前記半導体チップ、前記ワイヤおよび前記複数個のダイボンドエリアを、その全体を覆うように樹脂封止する工程、
   （ｅ）前記複数本のリードを前記リードフレームから分離する工程を有し、
   前記半導体チップで覆われる前記選択された所定のダイボンドエリアの全チップ搭載面の面積が、前記半導体チップの一面の面積よりも小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。

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