JPH09283545A - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 クラックの発生を抑えるとともに、半導体装
置の薄型化を図ることができる樹脂封止型半導体装置及
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体素子の表面にリードが延在されて
いる樹脂封止型半導体装置において、リード12と半導
体素子11とを液状接着剤樹脂15で接着し、かつその
接着を半導体素子11の側面で行う。
置の薄型化を図ることができる樹脂封止型半導体装置及
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体素子の表面にリードが延在されて
いる樹脂封止型半導体装置において、リード12と半導
体素子11とを液状接着剤樹脂15で接着し、かつその
接着を半導体素子11の側面で行う。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置の構造及びその製造方法に関するものである。
装置の構造及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、特開昭61−218139号公報に開示される
ものがあった。図8はかかる従来の樹脂封止型半導体装
置の断面図である。この図において、1は半導体素子、
2は絶縁テープ、3はリード、4は金属メッキ、5は金
球、6は金線、7はモールド樹脂である。
例えば、特開昭61−218139号公報に開示される
ものがあった。図8はかかる従来の樹脂封止型半導体装
置の断面図である。この図において、1は半導体素子、
2は絶縁テープ、3はリード、4は金属メッキ、5は金
球、6は金線、7はモールド樹脂である。
【0003】図8に示すように、半導体素子1表面に絶
縁テープ2でリード3を接着させたLOC構造(Lea
d On Chip)の半導体装置となっている。この
ような樹脂封止型半導体装置においては、半導体素子
(ペレット)1の大型化に伴い、パッケージ側端と半導
体素子1との間の寸法が一段と狭くなる傾向にある。こ
れは、半導体素子1が大型化されているのに、これを収
納するパッケージのサイズが規格化されているため、パ
ッケージを大きくすることができないことに起因する。
縁テープ2でリード3を接着させたLOC構造(Lea
d On Chip)の半導体装置となっている。この
ような樹脂封止型半導体装置においては、半導体素子
(ペレット)1の大型化に伴い、パッケージ側端と半導
体素子1との間の寸法が一段と狭くなる傾向にある。こ
れは、半導体素子1が大型化されているのに、これを収
納するパッケージのサイズが規格化されているため、パ
ッケージを大きくすることができないことに起因する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の半導体
装置の重要な課題として、図9に示すように、基板実装
時の熱によって本体にクラック8が生じ、機能を損ねる
ことがある。その原因は、半導体装置が空気中で保管さ
れた時に水分が吸湿され、基板実装時の熱で水分が蒸気
化され、その力でクラック8が発生する。
装置の重要な課題として、図9に示すように、基板実装
時の熱によって本体にクラック8が生じ、機能を損ねる
ことがある。その原因は、半導体装置が空気中で保管さ
れた時に水分が吸湿され、基板実装時の熱で水分が蒸気
化され、その力でクラック8が発生する。
【0005】特に、絶縁テープ2は水分を吸収しやす
く、絶縁テープ2からのクラック8の発生率が高い。更
に、半導体装置の薄型化に対しては、絶縁テープ2があ
るため、その阻害要因となっている。本発明は、上記問
題点を除去し、クラックの発生を抑えるとともに、半導
体装置の薄型化を図ることができる樹脂封止型半導体装
置及びその製造方法を提供することを目的とする。
く、絶縁テープ2からのクラック8の発生率が高い。更
に、半導体装置の薄型化に対しては、絶縁テープ2があ
るため、その阻害要因となっている。本発明は、上記問
題点を除去し、クラックの発生を抑えるとともに、半導
体装置の薄型化を図ることができる樹脂封止型半導体装
置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔1〕半導体素子の表面にリードが延在されている樹脂
封止型半導体装置において、リードと半導体素子とを液
状接着剤樹脂で接着し、かつその接着を半導体素子の側
面で行うようにしたものである。
成するために、 〔1〕半導体素子の表面にリードが延在されている樹脂
封止型半導体装置において、リードと半導体素子とを液
状接着剤樹脂で接着し、かつその接着を半導体素子の側
面で行うようにしたものである。
【0007】このように、リードと半導体素子との固定
を半導体素子の側面で液状接着剤樹脂による接着とした
ため、半導体装置の厚さは接着剤によって増えることな
く、薄型化が可能となる。また、接着剤が各リードのみ
に塗布されるので、接着剤の占める面積が小さいため、
水分の吸湿も少なくすることができ、基板実装時の樹脂
クラックもそれだけ発生し難くなる。
を半導体素子の側面で液状接着剤樹脂による接着とした
ため、半導体装置の厚さは接着剤によって増えることな
く、薄型化が可能となる。また、接着剤が各リードのみ
に塗布されるので、接着剤の占める面積が小さいため、
水分の吸湿も少なくすることができ、基板実装時の樹脂
クラックもそれだけ発生し難くなる。
【0008】〔2〕半導体素子の表面にリードが延在さ
れている樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前
記リードの前記半導体素子の周辺に位置する箇所に液状
接着剤樹脂を塗布する工程と、前記リードを反転させ
て、前記半導体素子の側面を前記液状接着剤樹脂により
接着し、乾燥させる工程とを施すようにしたものであ
る。
れている樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前
記リードの前記半導体素子の周辺に位置する箇所に液状
接着剤樹脂を塗布する工程と、前記リードを反転させ
て、前記半導体素子の側面を前記液状接着剤樹脂により
接着し、乾燥させる工程とを施すようにしたものであ
る。
【0009】このように、液状接着剤樹脂を圧力によっ
て、ある一定量を半導体素子の周辺部にあたるリードの
部分に塗布し、そこに半導体素子を接着させるようにし
たので、薄型で樹脂クラックが発生し難い樹脂封止型半
導体装置を得ることができる。 〔3〕半導体素子の表面にリードが延在されている樹脂
封止型半導体装置の製造方法において、前記リードの前
記半導体素子の周辺に位置する箇所に塗布される液状接
着剤樹脂の入った接着剤浸漬槽上にリードフレームを通
して前記液状接着剤樹脂を塗布する工程と、前記リード
にそのまま前記半導体素子の側面を前記液状接着剤樹脂
により接着し、乾燥させる工程とを施すようにしたもの
である。
て、ある一定量を半導体素子の周辺部にあたるリードの
部分に塗布し、そこに半導体素子を接着させるようにし
たので、薄型で樹脂クラックが発生し難い樹脂封止型半
導体装置を得ることができる。 〔3〕半導体素子の表面にリードが延在されている樹脂
封止型半導体装置の製造方法において、前記リードの前
記半導体素子の周辺に位置する箇所に塗布される液状接
着剤樹脂の入った接着剤浸漬槽上にリードフレームを通
して前記液状接着剤樹脂を塗布する工程と、前記リード
にそのまま前記半導体素子の側面を前記液状接着剤樹脂
により接着し、乾燥させる工程とを施すようにしたもの
である。
【0010】このように、リードへの液状接着剤樹脂の
塗布を接着剤浸漬槽に通すことにより行うようにしたの
で、リードフレームの反転は不要となり、スムーズに半
導体素子の接着が可能となる。 〔4〕半導体素子の表面にリードが延在されている樹脂
封止型半導体装置において、前記リードと前記半導体素
子とを液状接着剤樹脂で接着し、かつその液状接着剤樹
脂は前記リードの凹部に設けられ、その接着を前記半導
体素子のコーナと側面で行うようにしたものである。
塗布を接着剤浸漬槽に通すことにより行うようにしたの
で、リードフレームの反転は不要となり、スムーズに半
導体素子の接着が可能となる。 〔4〕半導体素子の表面にリードが延在されている樹脂
封止型半導体装置において、前記リードと前記半導体素
子とを液状接着剤樹脂で接着し、かつその液状接着剤樹
脂は前記リードの凹部に設けられ、その接着を前記半導
体素子のコーナと側面で行うようにしたものである。
【0011】このように、リードと半導体素子との固定
を液状接着剤樹脂で行い、半導体素子コーナ、かつ側面
で接着を行うようにしたので、より接着面積が広くな
り、強度が保てる。また、リードに凹部を設けるように
したので、液状接着剤樹脂の塗布時のはみ出しがなくな
る。
を液状接着剤樹脂で行い、半導体素子コーナ、かつ側面
で接着を行うようにしたので、より接着面積が広くな
り、強度が保てる。また、リードに凹部を設けるように
したので、液状接着剤樹脂の塗布時のはみ出しがなくな
る。
【0012】〔5〕半導体素子の表面にリードが延在さ
れている樹脂封止型半導体装置において、前記リードと
前記半導体素子とを液状接着剤樹脂で接着し、かつその
液状接着剤樹脂は前記リードの凹部に設けられ、この凹
部は前記リード先端まで延びる溝を有し、その接着を前
記半導体素子のコーナと側面で行うようにしたものであ
る。
れている樹脂封止型半導体装置において、前記リードと
前記半導体素子とを液状接着剤樹脂で接着し、かつその
液状接着剤樹脂は前記リードの凹部に設けられ、この凹
部は前記リード先端まで延びる溝を有し、その接着を前
記半導体素子のコーナと側面で行うようにしたものであ
る。
【0013】このように、リードと半導体素子との固定
を液状接着剤樹脂で行い、半導体素子コーナ、側面、リ
ード下で接着を行ったので、より接着面積が広くなり、
強度が保てる。
を液状接着剤樹脂で行い、半導体素子コーナ、側面、リ
ード下で接着を行ったので、より接着面積が広くなり、
強度が保てる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明の第
1実施例を示す樹脂封止型半導体装置の断面図である。
この図に示すように、半導体素子11と金線13により
電気的に接続されているリード12は、半導体素子11
表面に位置している。
いて図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明の第
1実施例を示す樹脂封止型半導体装置の断面図である。
この図に示すように、半導体素子11と金線13により
電気的に接続されているリード12は、半導体素子11
表面に位置している。
【0015】リード12と半導体素子11との固定は半
導体素子11の表面でなく、側面で液状接着剤樹脂15
によって固定されている。リード12と半導体素子11
との固定は、予め半導体素子11の周辺部に位置する箇
所のリード12上に液状接着剤樹脂15が塗布されてお
り、その液状接着剤樹脂15により、リード12と半導
体素子11との接着は、半導体素子11の表面でなく、
半導体素子11の側面とリード12の表面で行われる。
導体素子11の表面でなく、側面で液状接着剤樹脂15
によって固定されている。リード12と半導体素子11
との固定は、予め半導体素子11の周辺部に位置する箇
所のリード12上に液状接着剤樹脂15が塗布されてお
り、その液状接着剤樹脂15により、リード12と半導
体素子11との接着は、半導体素子11の表面でなく、
半導体素子11の側面とリード12の表面で行われる。
【0016】以上のように、第1実施例によれば、リー
ド12と半導体素子11との固定を半導体素子11の側
面で液状接着剤樹脂15による接着としたため、半導体
装置の厚さは接着剤によって増えることなく、薄型化が
可能となる。また、液状接着剤樹脂15が各リード12
のみに塗布され、その液状接着剤樹脂15の占める面積
が小さいため、水分の吸湿も少なくすることができ、基
板実装時の樹脂クラックもそれだけ発生し難くなる。な
お、14はモールド樹脂である。
ド12と半導体素子11との固定を半導体素子11の側
面で液状接着剤樹脂15による接着としたため、半導体
装置の厚さは接着剤によって増えることなく、薄型化が
可能となる。また、液状接着剤樹脂15が各リード12
のみに塗布され、その液状接着剤樹脂15の占める面積
が小さいため、水分の吸湿も少なくすることができ、基
板実装時の樹脂クラックもそれだけ発生し難くなる。な
お、14はモールド樹脂である。
【0017】以下、本発明の第1実施例を示す樹脂封止
型半導体装置の製造方法について、図2を参照して説明
する。まず、図2(a)に示すように、リードフレーム
16は、半導体素子(図示なし)の表面に接するように
リード12が形成されている。次に、図2(b)に示す
ように、そのリード12へ、液状接着剤樹脂15をディ
スペンサー17から、ある一定量を塗布する。塗布する
位置は、半導体素子11の周辺部とほぼ同じところで各
リード12上となる。
型半導体装置の製造方法について、図2を参照して説明
する。まず、図2(a)に示すように、リードフレーム
16は、半導体素子(図示なし)の表面に接するように
リード12が形成されている。次に、図2(b)に示す
ように、そのリード12へ、液状接着剤樹脂15をディ
スペンサー17から、ある一定量を塗布する。塗布する
位置は、半導体素子11の周辺部とほぼ同じところで各
リード12上となる。
【0018】その後、図2(c)に示すように、リード
フレーム16を反転させて、リード12を半導体素子1
1の側面に接着させる。液状接着剤樹脂15は乾燥後、
固定され、以降通常工程に入る。このように、第1実施
例の製造方法によれば、液状接着剤樹脂15を圧力によ
って、ある一定量を半導体素子11の周辺部に位置する
リード12に塗布し、そこに半導体素子11を接着させ
るようにしたので、薄型で樹脂クラックが発生し難い樹
脂封止型半導体装置を得ることができる。
フレーム16を反転させて、リード12を半導体素子1
1の側面に接着させる。液状接着剤樹脂15は乾燥後、
固定され、以降通常工程に入る。このように、第1実施
例の製造方法によれば、液状接着剤樹脂15を圧力によ
って、ある一定量を半導体素子11の周辺部に位置する
リード12に塗布し、そこに半導体素子11を接着させ
るようにしたので、薄型で樹脂クラックが発生し難い樹
脂封止型半導体装置を得ることができる。
【0019】本発明の第1実施例を示す樹脂封止型半導
体装置の他の製造方法について、図3を参照して説明す
る。図2に示したように、リードフレーム16は、半導
体素子11表面に接するようにリード12が形成されて
いる。このリードフレーム16を、図3(a)に示すよ
うに、液状接着剤樹脂22の入った接着剤浸漬槽21の
上を通し、必要な場所のみに液状接着剤樹脂22を付け
る。
体装置の他の製造方法について、図3を参照して説明す
る。図2に示したように、リードフレーム16は、半導
体素子11表面に接するようにリード12が形成されて
いる。このリードフレーム16を、図3(a)に示すよ
うに、液状接着剤樹脂22の入った接着剤浸漬槽21の
上を通し、必要な場所のみに液状接着剤樹脂22を付け
る。
【0020】その接着剤浸漬槽21は、必要な場所、つ
まり、半導体素子(図示なし)の大きさに合わせて変え
ることができ、図3(b)に示すように、各々のリード
12に一定量付けられる。その後、図示しないが、その
まま半導体素子11をリード12下に設置し、半導体素
子11の側面に接着させる。液状接着剤樹脂22は乾燥
後、固定され、以降通常工程に入る。
まり、半導体素子(図示なし)の大きさに合わせて変え
ることができ、図3(b)に示すように、各々のリード
12に一定量付けられる。その後、図示しないが、その
まま半導体素子11をリード12下に設置し、半導体素
子11の側面に接着させる。液状接着剤樹脂22は乾燥
後、固定され、以降通常工程に入る。
【0021】以上のように、この実施例の製造方法によ
れば、リード12への液状接着剤樹脂22の塗布を、接
着剤浸漬槽21に通すことにより行うようにしたので、
リードフレーム16の反転は不要となり、スムーズに半
導体素子11の接着が可能となる。次に、本発明の第2
実施例について説明する。
れば、リード12への液状接着剤樹脂22の塗布を、接
着剤浸漬槽21に通すことにより行うようにしたので、
リードフレーム16の反転は不要となり、スムーズに半
導体素子11の接着が可能となる。次に、本発明の第2
実施例について説明する。
【0022】図4は本発明の第2実施例を示す樹脂封止
型半導体装置の断面図、図5はその樹脂封止型半導体装
置のリードフレームの部分平面図である。これらの図に
示すように、半導体素子11と金線13で電気的に接続
されているリードフレーム33のリード31は、半導体
素子11とは、半導体素子11の表面コーナ、かつ側面
で液状接着剤樹脂35によって固定されている。
型半導体装置の断面図、図5はその樹脂封止型半導体装
置のリードフレームの部分平面図である。これらの図に
示すように、半導体素子11と金線13で電気的に接続
されているリードフレーム33のリード31は、半導体
素子11とは、半導体素子11の表面コーナ、かつ側面
で液状接着剤樹脂35によって固定されている。
【0023】このように、リード31は半導体素子11
の表面に位置している。また、リード31と半導体素子
11との接着は、予め半導体素子11の周辺部が位置す
るリード31上に液状接着剤樹脂35を塗布しておき、
また、その部分のリード31は、ハーフエッチで凹部3
2が設けられており、半導体素子11コーナ、かつ側面
とリード31の表面で接着されるようになっている。
の表面に位置している。また、リード31と半導体素子
11との接着は、予め半導体素子11の周辺部が位置す
るリード31上に液状接着剤樹脂35を塗布しておき、
また、その部分のリード31は、ハーフエッチで凹部3
2が設けられており、半導体素子11コーナ、かつ側面
とリード31の表面で接着されるようになっている。
【0024】以上のように、第2実施例によれば、リー
ド31と半導体素子11との固定を液状接着剤樹脂35
で行い、半導体素子11コーナ、かつ側面で接着を行っ
たので、より接着面積が広くなり、強度を保つことがで
きる。また、リード31に凹部32を設けるようにした
ので、液状接着剤樹脂35の塗布時のはみ出しがなくな
る。なお、14はモールド樹脂である。
ド31と半導体素子11との固定を液状接着剤樹脂35
で行い、半導体素子11コーナ、かつ側面で接着を行っ
たので、より接着面積が広くなり、強度を保つことがで
きる。また、リード31に凹部32を設けるようにした
ので、液状接着剤樹脂35の塗布時のはみ出しがなくな
る。なお、14はモールド樹脂である。
【0025】図6は本発明の第3実施例を示す樹脂封止
型半導体装置の断面図、図7はその樹脂封止型半導体装
置のリードフレームの部分平面図である。この実施例で
は、半導体素子11と金線13で電気的に接続されてい
るリード31は半導体素子11の表面に位置している。
リード31と半導体素子11は、半導体素子11の表面
コーナ、側面、リード31下部分で液状接着剤樹脂35
によって固定されている。
型半導体装置の断面図、図7はその樹脂封止型半導体装
置のリードフレームの部分平面図である。この実施例で
は、半導体素子11と金線13で電気的に接続されてい
るリード31は半導体素子11の表面に位置している。
リード31と半導体素子11は、半導体素子11の表面
コーナ、側面、リード31下部分で液状接着剤樹脂35
によって固定されている。
【0026】このように、リード31は半導体素子11
の表面に位置している。また、リード31と半導体素子
11との固定は、予め半導体素子11の周辺部が位置す
るリード31上に、液状接着剤樹脂35があり、また、
その部分のリードは、ハーフエッチで凹部32が設けら
れ、この凹部32から各リードの先端まで達するハーフ
エッチ溝36を有しており、半導体素子11のコーナ、
側面、リード31下で接着されることになる。
の表面に位置している。また、リード31と半導体素子
11との固定は、予め半導体素子11の周辺部が位置す
るリード31上に、液状接着剤樹脂35があり、また、
その部分のリードは、ハーフエッチで凹部32が設けら
れ、この凹部32から各リードの先端まで達するハーフ
エッチ溝36を有しており、半導体素子11のコーナ、
側面、リード31下で接着されることになる。
【0027】以上のように、第3実施例によれば、リー
ド31と半導体素子11との固定を液状接着剤樹脂35
で行い、半導体素子11コーナ、側面、リード31下で
接着を行ったので、より接着面積が広くなり強度が保て
る。なお、14はモールド樹脂である。なお、本発明は
上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に
基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範
囲から排除するものではない。
ド31と半導体素子11との固定を液状接着剤樹脂35
で行い、半導体素子11コーナ、側面、リード31下で
接着を行ったので、より接着面積が広くなり強度が保て
る。なお、14はモールド樹脂である。なお、本発明は
上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に
基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範
囲から排除するものではない。
【0028】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 (1)請求項1記載の発明によれば、リードと半導体素
子との固定を半導体素子の側面で液状接着剤樹脂による
接着としたため、半導体装置の厚さは、接着剤によって
増えることなく、薄型化が可能となる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 (1)請求項1記載の発明によれば、リードと半導体素
子との固定を半導体素子の側面で液状接着剤樹脂による
接着としたため、半導体装置の厚さは、接着剤によって
増えることなく、薄型化が可能となる。
【0029】また、接着剤が各リードのみに塗布される
ので、接着剤の占める面積が小さいため、水分の吸湿も
少なくすることができ、基板実装時の樹脂クラックもそ
れだけ発生し難くなる。 (2)請求項2記載の発明によれば、液状接着剤樹脂を
圧力によって、ある一定量を半導体素子の周辺部にあた
るリードの部分に塗布し、そこに半導体素子を接着させ
るようにしたので、薄型で樹脂クラックが発生し難い樹
脂封止型半導体装置を得ることができる。
ので、接着剤の占める面積が小さいため、水分の吸湿も
少なくすることができ、基板実装時の樹脂クラックもそ
れだけ発生し難くなる。 (2)請求項2記載の発明によれば、液状接着剤樹脂を
圧力によって、ある一定量を半導体素子の周辺部にあた
るリードの部分に塗布し、そこに半導体素子を接着させ
るようにしたので、薄型で樹脂クラックが発生し難い樹
脂封止型半導体装置を得ることができる。
【0030】(3)請求項3記載の発明によれば、リー
ドへの液状接着剤樹脂の塗布を接着剤浸漬槽に通すこと
により行うようにしたので、リードフレームの反転は不
要となり、スムーズに半導体素子の接着が可能となる。 (4)請求項4記載の発明によれば、リードと半導体素
子との固定を液状接着剤樹脂で行い、半導体素子コー
ナ、かつ側面で接着を行ったので、より接着面積が広く
なり強度が保てる。
ドへの液状接着剤樹脂の塗布を接着剤浸漬槽に通すこと
により行うようにしたので、リードフレームの反転は不
要となり、スムーズに半導体素子の接着が可能となる。 (4)請求項4記載の発明によれば、リードと半導体素
子との固定を液状接着剤樹脂で行い、半導体素子コー
ナ、かつ側面で接着を行ったので、より接着面積が広く
なり強度が保てる。
【0031】また、リードに凹部を設けるようにしたの
で、液状接着剤樹脂の塗布時のはみ出しがなくなる。 (5)請求項5記載の発明によれば、リードと半導体素
子との固定を液状接着剤樹脂で行い、半導体素子コー
ナ、側面、リード下で接着を行うようにしたので、より
接着面積が広くなり、強度が保てる。
で、液状接着剤樹脂の塗布時のはみ出しがなくなる。 (5)請求項5記載の発明によれば、リードと半導体素
子との固定を液状接着剤樹脂で行い、半導体素子コー
ナ、側面、リード下で接着を行うようにしたので、より
接着面積が広くなり、強度が保てる。
【図1】本発明の第1実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図2】本発明の第1実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の製造方法を示す図である。
置の製造方法を示す図である。
【図3】本発明の第1実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の他の製造方法を示す図である。
置の他の製造方法を示す図である。
【図4】本発明の第2実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図5】本発明の第2実施例を示す樹脂封止型半導体装
置のリードフレームの部分平面図である。
置のリードフレームの部分平面図である。
【図6】本発明の第3実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図7】本発明の第3実施例を示す樹脂封止型半導体装
置のリードフレームの部分平面図である。
置のリードフレームの部分平面図である。
【図8】従来の樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図9】従来技術の問題点を示す樹脂封止型半導体装置
の断面図である。
の断面図である。
11 半導体素子 12,31 リード 13 金線 14 モールド樹脂 15,22,35 液状接着剤樹脂 16,33 リードフレーム 17 ディスペンサー 21 接着剤浸漬槽 32 凹部 36 ハーフエッチ溝
Claims (5)
- 【請求項1】 半導体素子の表面にリードが延在されて
いる樹脂封止型半導体装置において、 前記リードと前記半導体素子とを液状接着剤樹脂で接着
し、かつ該接着を前記半導体素子の側面で行うことを特
徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項2】 半導体素子の表面にリードが延在されて
いる樹脂封止型半導体装置の製造方法において、(a)
前記リードの前記半導体素子の周辺に位置する箇所に液
状接着剤樹脂を塗布する工程と、(b)前記リードを反
転させて、前記半導体素子の側面を前記液状接着剤樹脂
により接着し、乾燥させる工程とを施すことを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項3】 半導体素子の表面にリードが延在されて
いる樹脂封止型半導体装置の製造方法において、(a)
前記リードの前記半導体素子の周辺に位置する箇所に塗
布される液状接着剤樹脂の入った接着剤浸漬槽上にリー
ドフレームを通して前記液状接着剤樹脂を塗布する工程
と、(b)前記リードにそのまま前記半導体素子の側面
を前記液状接着剤樹脂により接着し、乾燥させる工程と
を施すことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
法。 - 【請求項4】 半導体素子の表面にリードが延在されて
いる樹脂封止型半導体装置において、 前記リードと前記半導体素子とを液状接着剤樹脂で接着
し、かつ前記液状接着剤樹脂は前記リードの凹部に設け
られ、前記接着を前記半導体素子のコーナと側面で行う
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項5】 半導体素子の表面にリードが延在されて
いる樹脂封止型半導体装置において、 前記リードと前記半導体素子とを液状接着剤樹脂で接着
し、かつ前記液状接着剤樹脂はリードの凹部に設けら
れ、該凹部は前記リード先端まで延びる溝を有し、その
接着を前記半導体素子のコーナと側面で行うことを特徴
とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8086968A JPH09283545A (ja) | 1996-04-10 | 1996-04-10 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
TW086104250A TW494507B (en) | 1996-04-10 | 1997-04-02 | Semiconductor device and its assembling method |
EP97105675A EP0801424B1 (en) | 1996-04-10 | 1997-04-07 | Semiconductor device and assembling method thereof |
DE69735032T DE69735032T2 (de) | 1996-04-10 | 1997-04-07 | Halbleiteranordnung und Verfahren zum Zusammensetzen derselben |
KR1019970013295A KR100366110B1 (ko) | 1996-04-10 | 1997-04-10 | 반도체장치및그실장방법 |
US08/827,693 US6097083A (en) | 1996-04-10 | 1997-04-10 | Semiconductor device which is crack resistant |
CN97111651A CN1091950C (zh) | 1996-04-10 | 1997-04-10 | 半导体器件及其装配方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8086968A JPH09283545A (ja) | 1996-04-10 | 1996-04-10 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09283545A true JPH09283545A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=13901682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8086968A Withdrawn JPH09283545A (ja) | 1996-04-10 | 1996-04-10 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6097083A (ja) |
EP (1) | EP0801424B1 (ja) |
JP (1) | JPH09283545A (ja) |
KR (1) | KR100366110B1 (ja) |
CN (1) | CN1091950C (ja) |
DE (1) | DE69735032T2 (ja) |
TW (1) | TW494507B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005277415A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Samsung Electronics Co Ltd | リードチップ直接付着型半導体パッケージ、その製造方法及び装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2001320007A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置用フレーム |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06105721B2 (ja) * | 1985-03-25 | 1994-12-21 | 日立超エル・エス・アイエンジニアリング株式会社 | 半導体装置 |
US4974057A (en) * | 1986-10-31 | 1990-11-27 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device package with circuit board and resin |
JPS6437132U (ja) * | 1987-08-31 | 1989-03-06 | ||
JPH02125454A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-14 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
US5403785A (en) * | 1991-03-03 | 1995-04-04 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Process of fabrication IC chip package from an IC chip carrier substrate and a leadframe and the IC chip package fabricated thereby |
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