JP3137518B2 - 電子部品用液状接着剤およびそれを用いる絶縁接着層の形成方法 - Google Patents

電子部品用液状接着剤およびそれを用いる絶縁接着層の形成方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置を構成する
リードフレーム周辺の部材間、例えば、リードピン、半
導体チップ搭載用基板、放熱板、半導体チップ自身等の
接着に使用するための電子部品用液状接着剤およびそれ
を用いる絶縁接着層の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、樹脂封止型半導体装置内において
使用される接着テープ等には、リードフレーム固定用接
着テープ、ＴＡＢテープなどがあり、例えば、リードフ
レーム固定用接着テープの場合には、図１に示すよう
に、リードフレームのリードピンを固定し、リードフレ
ーム自体および半導体アセンブリ工程全体の生産歩留ま
りおよび生産性の向上を目的として使用されており、一
般にリードフレームメーカーでリードフレーム上にテー
ピングして、半導体メーカーに持ち込まれ、ＩＣ搭載
後、樹脂封止される。なお、図１において、（ａ）は全
体図，（ｂ）は要部の拡大図であり、１はリードピン固
定位置、２はダムバー、３はリードピン、４はアイラン
ド部である。そのためリードフレーム固定用接着テープ
には、半導体レベルでの一般的な信頼性およびテーピン
グ時の作業性等は勿論のこと、テーピング直後の十分な
室温接着力、半導体装置組立て工程での加熱に耐える十
分な耐熱性等が要求される。従来、この様な用途に使用
される接着テープとしては、例えば、ポリイミドフィル
ム等の支持体フィルム上に、ポリアクリロニトリル、ポ
リアクリル酸エステル或いはアクリロニトリル−ブタジ
エン共重合体等の合成ゴム系樹脂等の単独、または他の
樹脂で変性したもの、或いは他の樹脂と混合したものよ
りなる接着剤を塗布し、Ｂステージ状態としたものが使
用されている。また、近年、半導体装置内部において
も、多ピン化や放熱性の確保のためパッケージ構造が複
雑化し、その中に使用される接着テープ等の有機材料に
ついても、その電気的・物理的特性や取扱い特性に対す
る要求が厳しくなっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで，従来のよう
にベースフィルムを必要とする形態の電子部品用接着テ
ープは、リードピンの固定やその他の用途に対してそれ
ぞれ問題が生じていた。例えば、従来開発されている図
２に示されるような樹脂封止型半導体装置（半導体パッ
ケージ）におけるリードピンの固定において、ベースフ
ィルムに接着剤を塗布した従来の接着テープをリードピ
ン固定テープとして使用した場合には、耐熱性や電気的
信頼性が十分でない場合があった。なお、図２において
は、リードピン３をリードピン固定テープ５で固定し、
アイランド部４上の半導体チップ６とボンディングワイ
ヤー７で接続し、それらがモールド樹脂８によって封止
されている。また、ポリイミド樹脂テープ等を適用した
場合には、そのテーピング温度や圧力、ポリイミド樹脂
の硬化条件等が厳しく、リードフレーム等の金属材料を
損傷する恐れがあった。また、従来のテープ形態では、
打ち抜き金型および精度の点でテーピングにある程度の
面積が必要であったが、多ピン化やパッケージの小型化
に伴い必要な面積が確保できなくなっている。この為、
従来より狭い領域に精度良く適用でき、リードピンの固
定が可能な材料およびシステムの開発が必要となってき
た。
【０００４】また、図１に示すようなダムバー２は、ト
ランスファーモールド時の樹脂のはみだしを防ぐ目的で
設けられていたが、その後、切断・除去する工程が必要
である。さらに多ピン化に伴い、アウターリードピッチ
が狭くなり、金属ダムバーの除去そのものが困難になっ
てくる。そのため、従来の電子部品用接着テープを用い
て、金属ダムバーの代替をさせる試みもなされている
が、ポリイミドベースフィルムがあるためにモールド時
にピンが変形する等の不具合が生じていた。さらに、多
層リードフレームの場合、例えば、ヒートシンクとリー
ドフレームを絶縁を保ちながら接着させる場合、ポリイ
ミドフィルムを中心層として、上下に電気的信頼性が高
く、かつ発生ガスの少ない接着剤を塗布した３層構造の
テープを使用しているが、工程が複雑になるため、多層
リードフレームの低コスト化が困難であった。そのた
め、ヒートシンクとリードフレームを接着させる場合に
使用できるような液状接着剤の開発が要望されている。
また、ＬＯＣ構造やＣＯＬ構造等のようにリードピンと
半導体チップ本体を接着するために、電子部品用両面接
着テープが用いられているが、テーピング時の圧力、温
度および衝撃が半導体チップにも加わる点や、低コスト
化し難い等の問題があった。その他、電子部品用として
の種々の接着テープ、接着剤、有機絶縁材料には、それ
ぞれ少なからず問題をかかえている。したがって、上記
の問題を解決するために、比較的低温で接着・硬化で
き、十分な耐熱性、信頼性および加工性を有する電子部
品用液状接着剤の開発が望まれている。したがって、本
発明の目的は、比較的低温で接着、硬化ができ、十分な
耐熱性、信頼性等を有する電子部品用液状接着剤および
それを用いる絶縁接着層の形成方法を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の電子部品用液状
接着剤は、有機溶剤に（ａ）下記式（Ｉ−１）または
（Ｉ−２）
【化４】 （式中、ｋ、ｍおよびｎは、モル比であって、ｎ＝１に
対して、ｋ＝３〜１７５、ｍ＝０．３〜９３の範囲の数
を表わす。）のいずれかで示される重量平均分子量１，
０００〜２００，０００で、アクリロニトリル含有率５
〜５０重量％、アミノ基当量５００〜１０，０００のピ
ペラジニルエチルアミノカルボニル基含有ブタジエン−
アクリロニトリル共重合体を溶解して得られた溶液中
に、（ｂ）下記式（II−１）ないし式（II−６）
【化５】
【化６】 で示される化合物から選択された２個以上のマレイミド
基を含有する化合物を、成分（ａ）１００重量部に対し
て、成分（ｂ）が１０〜９００重量部の割合で分散して
なることを特徴とする。
【０００６】以下、本発明について詳細に説明する。成
分（ａ）として使用される重量平均分子量１，０００〜
２００，０００で、アクリロニトリル含有率５〜５０重
量％、アミノ基当量５００〜１０，０００の上記一般式
（Ｉ−１）または（Ｉ−２）で示されるピペラジニルエ
チルアミノカルボニル基含有ブタジエン−アクリロニト
リル共重合体は、種々の方法で合成することができ、ま
たは市販品として入手することができる。例えば、式
（Ｉ−１）で示されるものは、両末端にカルボキシル基
を有するブタジエン−アクリロニトリル共重合体をＮ−
アミノエチルピペラジンでアミド化することによって合
成することができ、また、市販のものを適宜選定して使
用することができる。また、式（Ｉ−２）で示されるも
のは、下記一般式（III ）で示されるカルボキシル基含
有ブタジエン−アクリロニトリル共重合体とＮ−アミノ
エチルピペラジンとを、例えば、亜りん酸エステルの存
在下で縮合させることによって合成することができる。
【化７】 （式中、ｋ、ｍおよびｎは、上記と同意義を有する。）
【０００７】本発明において、ピペラジニルエチルアミ
ノカルボニル基含有ブタジエン−アクリロニトリル共重
合体としては、重量平均分子量１，０００〜２００，０
００、好ましくは２０，０００〜１５０，０００、アク
リロニトリル含有率５〜５０重量％、好ましくは１０〜
４０重量％、アミノ基当量５００〜１０，０００、好ま
しくは１，０００〜８，０００を有するものが使用され
る。なお、上記式（Ｉ−１）または（Ｉ−２）のピペラ
ジニルエチルアミノカルボニル基含有ブタジエン−アク
リロニトリル共重合体の代わりに、下記式（Ｉ−３）で
示されるものを用いることも可能である。
【化８】
【０００８】本発明において、成分（ｂ）の２個以上の
マレイミド基を含有する化合物は、成分（ａ）のピペラ
ジニルエチルアミノカルボニル基含有ブタジエン−アク
リロニトリル共重合体１００重量部に対して、１０〜９
００重量部、好ましくは２０〜５００重量部の範囲で配
合される。成分（ｂ）が１０重量部よりも少なくなる
と、塗布して硬化した後、接着剤の耐熱性、特にＴｇ、
ヤング率の低下が著しくなり、目的の用途に適さなくな
り、また、９００重量部よりも多くなると、接着剤を硬
化した際に、接着剤自体が脆くなり、作業性が低下して
しまう。
【０００９】本発明において、上記成分（ａ）と成分
（ｂ）との混合は、成分（ａ）を溶解するが成分（ｂ）
を溶解しない有機溶剤中で行われる。使用できる有機溶
剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベ
ンゼン、ブチルベンゼン、クメン、メシチレン、ｐ−シ
メン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、ジペンチ
ルベンゼン、ドデシルベンゼン、２−メトキシエタノー
ル、２−エトキシエタノール、２ーブトキシエタノー
ル、１，４−ジオキサン、クロロベンゼン、ジクロロベ
ンゼン、四塩化炭素、ニトロベンゼン、ぎ酸メチル、ぎ
酸エチル、ぎ酸プロピル、ぎ酸ブチル、ぎ酸イソブチ
ル、ぎ酸ペンチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロ
ピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチ
ル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ペンチル、酢酸イソペン
チル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオン
酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソペン
チル、トリクロロエチレン、トリクロロエタン、ピリジ
ン等があげられるが、これらは、成分（ａ）を溶解し、
成分（ｂ）は溶解しないように、適宜選択して使用する
必要がある。
【００１０】本発明の液状接着剤には、必要に応じて、
上記成分（ａ）と成分（ｂ）との付加反応、および成分
（ｂ）同士の付加反応を促進させるために、ジアザビシ
クロオクタン、または、メチルエチルケトンパーオキサ
イド、シクロヘキサンパーオキサイド、３，３，５−ト
リメチルシクロヘキサノンパーオキサイド、メチルシク
ロヘキサノンパーオキサイド、メチルアセトアセテート
パーオキサイド、アセチルアセトンパーオキサイド、
１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−
トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチル
パーオキシ）シクロヘキサン、２，２−ビス（ｔ−ブチ
ルパーオキシ）オクタン、ｎ−ブチル−４，４−ビス
（ｔ−ブチルパーオキシ）バレート、２，２−ビス（ｔ
−ブチルパーオキシブタン）、ｔ−ブチルハイドロパー
オキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジ−イソ
プロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、Ｐ−メンタ
ンハイドロパーオキサイド、２，５−ジメチルヘキサン
−２，５−ジハイドロパーオキサイド、１，１，３，３
−テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ
−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルクミルパーオキサ
イド、ジ−クミルパーオキサイド、α，α′−ビス（ｔ
−ブチルパーオキシ−ｍ−イソプロピル）ベンゼン、
２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパオキシ）
ヘキサン、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチル
パーオキシ）ヘキサン、アセチルパーオキサイド、イソ
ブチルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、
デカノイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイ
ド、ラウロイルパーオキサイド、３，５，５−トリメチ
ルヘキサノイルパーオキサイド、スクシニックアシッド
パーオキサイド、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキ
サイド、ｍ−トルオイルパーオキサイド、ジ−イソプロ
ピルパーオキシジカーボネート、ジ−２−エチルヘキシ
ルパーオキシジカーボネート、ジ−ｎ−プロプルパーオ
キシジカーボネート、ビスー（４−ｔ−ブチルシクロヘ
キシル）パーオキシジカーボネート、ジ−ミリスチルパ
ーオキシジカーボネート、ジ−２−エトキシエチルパー
オキシジカーボネート、ジ−メトキシイソプロピルパー
オキシジカーボネート、ジ（３−メチル−３−メトキシ
ブチル）パーオキシジカーボネート、ジ−アリルパーオ
キシジカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシアセテー
ト、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ｔ−ブチル
パーオキシピバレート、ｔ−ブチルパーオキシネオデカ
ネート、クミルパーオキシネオドデカネート、ｔ−ブチ
ルパーオキシ−２−エチルヘキサネート、ｔ−ブチルパ
ーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサネート、ｔ−
ブチルパーオキシラウレート、ｔ−ブチルパーオキシジ
ベンゾエート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシイソフタレー
ト、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ベンゾイルパーオ
キシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシマレイン酸、ｔ
−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、クミル
パーオキシオクテート、ｔ−ヘキシルパーオキシネオデ
カネート、ｔ−ヘキシルパーオキシピバレート、ｔ−ブ
チルパーオキシネオヘキサネート、ｔ−ヘキシルパーオ
キシネオヘキサネート、クミルパーオキシネオヘキサネ
ート、アセチルシクロヘキシルスルフォニルパーオキサ
イド、ｔ−ブチルパーオキシアリルカーボネート等の有
機過酸化物類、１，２−ジメチルイミダゾール、１−メ
チル−２−エチルイミダゾール、２−メチルイミダゾー
ル、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−ウンデ
シルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２
−フェニルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイ
ミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾー
ル、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール・トリメ
リット酸塩、１−ベンジル−２−エチルイミダゾール、
１−ベンジル−２−エチル−５−メチルイミダゾール、
２−エチルイミダゾ−ル、２−イソプロピルイミダゾー
ル、２−フェニル−４−ベンジルイミダゾール、１−シ
アノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチ
ル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノ
エチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチ
ル−２−イソプロピルイミダゾール、１−シアノエチル
−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−
メチルイミダゾリウムトリメリテート、１−シアノエチ
ル−２−エチル−４−メチルイミダゾリウムトリメリテ
ート、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウム
トリメリテート、２，４−ジアミノ−６−［２′−メチ
ルイミダゾリル−（１）′］−エチル−Ｓ−トリアジ
ン、２，４−ジアミノ−６−［２′−エチル−４−メチ
ルイミダゾリル−（１）′］−エチル−Ｓ−トリアジ
ン、２，４−ジアミノ−６−［２′−ウンデシルイミダ
ゾリル−（１）′］−エチル−Ｓ−トリアジン、２−メ
チルイミダゾリウムイソシアヌール酸付加物、２−フェ
ニルイミダゾリウムイソシアヌール酸付加物、２，４−
ジアミノ−６−［２′−メチルイミダゾール−
（１）′］−エチル−Ｓ−トリアジン−イソシアヌール
酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチル
イミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロ
キシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−ベンジル
−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、４，４′−メチ
レン−ビス−（２−エチル−５−メチル−イミダゾー
ル）、１−アミノエチル−２−メチルイミダゾール、１
−シアノエチル−２−フェニル−４，５−ジ（シアノエ
トキシメチル）イミダゾール、１−ドデシル−２−メチ
ル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、４，４′
−メチレン−ビス−（２−エチル−５−メチルイミダゾ
ール）、２−メチルイミダゾール・ベンゾトリアゾール
付加物、１，２−ジメチルイミダゾール・ベンゾトリア
ゾール付加物、１−アミノエチル−２−エチルイミダゾ
ール、１−（シアノエチルアミノエチル）−２−メチル
イミダゾール、Ｎ，Ｎ′−［２−メチルイミダゾリル−
（１）−エチル］−アジポイルジアミド、Ｎ，Ｎ′−ビ
ス−（２−メチルイミダゾリル−１−エチル）尿素、Ｎ
−［２−メチルイミダゾリル−１−エチル］−尿素、
Ｎ，Ｎ′−［２−メチルイミダゾリル−（１）−エチ
ル］ドデカンジオイルジアミド、Ｎ，Ｎ′−［２−メチ
ルイミダゾリル−（１）−エチル］エイコサンジオイル
ジアミド、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール・
塩化水素酸塩、１−シアノエチル−２−フェニル−４，
５−ジ（シアノエトキシメチル）イミダゾール等のイミ
ダゾール類、トリフェニルホスフィン類等の反応促進剤
を添加することもできる。
【００１１】さらに、上記成分の溶融時の形状の保持、
液状接着剤の塗布性を向上させるために、粒径２０μｍ
以下の球状、粉砕型、フレーク状、または無定形のフィ
ラーを含ませることができる。フィラーとしては、例え
ば、シリカ、石英粉、アルミナ、炭酸カルシウム、酸化
マグネシウム、ダイヤモンド粉、マイカ、フッ素樹脂
粉、ジルコン粉等が使用される。これらフィラーは単独
で使用してもよいし、２種以上混合しても構わない。フ
ィラーの含有量は、全固形分の２〜６０重量％、好まし
くは５〜４０重量％の範囲に設定される。含有量が２重
量％よりも低くなると、形状保持性および塗布性の向上
は認められず、また、６０重量％よりも多くなると、硬
化後の接着力および強度が低下してしまう。
【００１２】次に、本発明の上記の電子部品用液状接着
剤を種々の加工プロセスに使用する場合について説明す
る。本発明の電子部品用液状接着剤を用いて樹脂パター
ン等の絶縁接着層を作製するには、次の工程にしたがっ
て加工を行うことが好ましい。まず、配合工程におい
て、成分（ａ）を有機溶剤に溶解して得た溶液を作製
し、その中に粉末状の成分（ｂ）を配合する。その後、
分散工程において、ボールミル、３本ロール等によって
混練し分散を行う。この分散・混練により得られた液状
接着剤を、塗布工程において、ディスペンス装置または
スクリーン印刷機を用いて、金属製被塗布体、例えば、
リードフレーム等の電子部品に、所定のパターン状に塗
布した後、乾燥工程において、加熱により、液状接着剤
の脱溶剤またはプリプレグ状態とし、次いで、プレス工
程において熱プレスによって所定の塗布厚さまで溶融・
押圧し、所定のパターン形状を得る。その後、硬化工程
により液状接着剤を加熱硬化させて、目的の樹脂パター
ンまたは絶縁層を得る。上記のプロセスにおいて、配合
工程としては、主剤、硬化剤、エラストマー、充填剤、
溶剤その他の添加剤を混合する工程を言い、添加する順
序は特に制約を受けない。また、混合する方法は特に制
約を受けない。
【００１３】また、分散工程では、前記で配合した組成
物がほぼ均一になればよく、２個以上のマレイミド基を
有する化合物は、粒径０．０１μｍのものが５０重量％
以上、好ましくは８０重量％以上存在し、かつ、粒径の
上限は５００μｍ、好ましくは１００μｍ以下であれば
よい。分散方法としては、３本ロール、ボールミル、ホ
モジナイザー等が好ましいが、他の方法によって上記目
的を達成できれば特に限定されない。
【００１４】本発明の液状接着剤の塗布工程には、ディ
スペンス法またはスクリーン印刷法が適用できる。ディ
スペンス法の概略を図６に、また、スクリーン印刷法の
概略を図７に示す。ディスペンス法による場合は、図６
に示すように、上記液状接着剤をシリンジに充填し、Ｘ
Ｙロボットを装備したディスペンサー１１に装着する。
次に、液状接着剤パターンを塗布する基板、例えば、リ
ードフレーム１３等を所定の位置にセットし、塗布プロ
グラム等により、ディスペンス部または基板を駆動させ
ながら吐出を行わせることにより基板上に目的の液状接
着剤パターン１２を形成させる。スクリーン印刷法によ
る場合は、図７に示すように所定のパターンを設けたス
クリーン刷版１４上に、液状接着剤１５を乗せ、パター
ン塗布を行う電子部品、例えばリードフレーム１３を配
置した後、スキージ１６を被塗布体に押し付けながらス
クリーン刷版上を移動させて、液状接着剤パターン１２
を電子部品に転写させる。
【００１５】乾燥工程は、接着剤に溶剤分が含まれる場
合、それをある程度除去するために行われ、また、溶剤
分を含まない場合、ある程度のプリプレグ状態を得る目
的で行うことができる。ただし、接着剤塗布後の放置等
により溶剤がある程度揮発した場合や、放置等によりプ
リプレグ状態が得られた場合には、乾燥工程を省略する
ことができる。ここで乾燥の方法は、前記目的が行われ
れば、熱風加熱や赤外線加熱等、如何なる方法によって
もよい。
【００１６】プレス工程は、ディスペンスまたはスクリ
ーン印刷によりパターン状に塗布された液状接着剤を、
加熱しながら押圧することにより、所定の形状に整える
目的で行う工程である。例えば、基板がリードフレーム
等、凹凸や隙間があり、樹脂パターンを完全に埋め込む
場合には、プレス工程が有効である。
【００１７】硬化工程は、前記工程で形状を整えられた
液状接着剤パターンを加熱することにより、熱硬化させ
た樹脂パターンを得る目的で行う工程である。加熱の方
法としては、ヒートブロック上、或いは空気または窒素
雰囲気のオーブン中での加熱、赤外線による加熱、これ
らの組み合わせによる方法が可能であるが、他の方法に
よっても樹脂が加熱されれば、本発明の目的を達成でき
る。
【００１８】さらに、本発明の液状接着剤を種々の電子
部品に対して適用する場合についていくつかの例を挙げ
て説明する。第１の例として、本発明の液状接着剤を使
用してリードピンの固定を行う場合について説明する。
本発明の液状接着剤をディスペンス法またはスクリーン
印刷法によりリードピン上にパターン状に塗布し、必要
に応じてプレス工程を経た後、加熱硬化させ、リードピ
ン固定用樹脂パターンを形成する。具体的には、ディス
ペンス法による場合は、パターンが異なる場合でも、デ
ィスペンス装置のニードルやプログラムを変更するだけ
で対応でき、また、スクリーン印刷法による場合でも刷
版パターンの交換のみで対応できるため、従来の金型が
不要である。また、狭い領域にも塗布することが可能な
ため、これまでテーピングが不可能であった形状のリー
ドフレームに対しても、リードピンの固定を容易に行う
ことができる。本発明の液状接着剤を使用することによ
り、従来のテープ形態のものを使用した場合における多
ピン化やパッケージの小型化に伴って生じる下記１）〜
４）のような問題点が解決される。 １）それぞれのパターンに対して金型が必要なため、多
品種少量生産で特に高コストとなる。 ２）テーピング時のテープ幅が１ｍｍ程度必要なこと、
およびテーピング精度を考慮すると、小型パッケージで
はテーピング領域が確保できない場合がある。 ３）ポリイミドベースフィルムが必要なため、その分コ
ストが上昇する。 ４）ポリイミドベースフィルムの吸湿性が高いため、外
的要因で吸湿した場合、パッケージクラックを起こす可
能性がある。
【００１９】第２の例として、本発明の液状接着剤を使
用してダムバー樹脂パターンを作製する場合について説
明する。本発明の液状接着剤を用い、上記の塗布工程に
よりダムバーの部分に塗布した場合、液状接着剤は、リ
ードピンの間にもある程度進入し、図９（ａ）のような
断面形状となる。その後、上記のプレス工程を経ること
により、液状接着剤は、図９（ｂ）のようにリードピン
の間に完全に充填され、ダムバーの働きを行うことがで
きる。また、このときの樹脂の厚さは、リードフレーム
の厚さとほぼ等しくなり、モールド時にリードピンに余
分な圧力が加わる可能性もなくなる。また、硬化工程を
経ることにより、本発明の液状接着剤の架橋が進み、比
較的高ヤング率の樹脂となるため、ダムバーとしての機
能を持たせることができる。本発明の液状接着剤を用い
ると、従来のようにリードフレーム作製時に図１に示す
ダムバー２の部分を残し、トランスファーモールド後ダ
ムバーを除去する必要がなくなり、手間およびコストが
低減する。また、ピンの固定と絶縁性に実績のあるポリ
イミドをベースフィルムとした電子部品用絶縁テープを
使用した場合における次の１）〜３）の問題が解消され
る。 １）接着剤が完全にピン間に充填されにくいため、ダム
バーの機能が完全に果たせない場合がある。 ２）接着剤硬化物のヤング率が低いため、モールド時の
圧力にダム部分の接着剤硬化物が押し出され、ダム機能
が果たせない場合がある。 ３）ベースフィルムが存在するため、モールド金型がベ
ースフィルムを加圧し、その影響でリードピンが曲がる
場合がある。
【００２０】第３の例として、図３に示すように多層リ
ードフレームに本発明の液状接着剤を使用する場合につ
いて説明する。なお、図３においては、半導体チップ６
を搭載したヒートシンク１０とリードフレームのリード
ピン３とが液状接着剤による絶縁接着層９を介して接合
され、半導体チップとリードピンがボンディングワイヤ
ーによって接続され、それらがモールド樹脂によって封
止されている。図３に示すように、ヒートシンクとリー
ドピンを絶縁を保ちながら接着させる場合、ヒートシン
クまたはリードピンまたはその両方に本発明の液状接着
剤をディスペンス法またはスクリーン印刷法によって所
定のパターンを塗布し、ヒートシンクとリードフレーム
を簡単に貼り合わせた後、加熱により、液状接着剤を硬
化させることにより、絶縁性を保ちながら接着させるこ
とができる。
【００２１】第４の例として、図４に示すようなＬＯＣ
構造や、図５に示すようなＣＯＬ構造等に対して、本発
明の液状接着剤を使用する場合を説明する。なお、図４
および図５においては、半導体チップ６とリードピン３
が液状接着剤による絶縁接着層９を介して接合され、半
導体チップとリードピンが、ボンディングワイヤー７に
よって接続されている。リードピンと半導体チップ本体
を本発明の液状接着剤を使用して接着する場合、上記と
同様にディスペンスまたはスクリーン印刷によって所定
の接着剤パターンを形成させた後、半導体チップと電子
部品を絶縁性を保って接着することができる。この場
合、両面テープを使用した際に起こるテーピング時の圧
力、温度および衝撃がチップにも加わる等の問題は回避
できる。
【００２２】以上のように、本発明の液状接着剤を用い
た場合、それをディスペンス法またはスクリーン印刷法
によって、種々の電子部品に塗布し、接着硬化させて樹
脂パターンまたは絶縁層を形成することができる。
【００２３】
【実施例】実施例１ 上記式（Ｉ−１）で示される両末端にピペラジニルエチ
ルアミノカルボニル基を有するアクリロニトリル−ブタ
ジエン共重合体（ハイカーＡＴＢＮ、宇部興産株式会社
製）（ｍ＝８３．５、ｎ＝１６．５、重量平均分子量
３，６００、アクリロニトリル含有率１６．５重量％、
アミノ基当量９００））５０重量部をトルエン２００部
に溶解し、その溶解液に前記式（II−１）で示される化
合物５０重量部、およびベンゾイルパーオキサイド１重
量部、平均粒子径０．２５μｍの球状アルミナ２０重量
部を混合し分散して液状接着剤を得た。 実施例２ 実施例１において、両末端にピペラジニルエチルアミノ
カルボニル基を有するアクリロニトリル−ブタジエン共
重合体５０重量部を８０重量部に、式（II−１）５０重
量部を２０重量部に代え、その他は実施例１と同様に操
作して液状接着剤を得た。 実施例３ 実施例１において、両末端にピペラジニルエチルアミノ
カルボニル基を有するアクリロニトリル−ブタジエン共
重合体５０重量部を２０重量部に、式（II−１）５０重
量部を８０重量部に代え、その他は実施例１と同様に操
作して液状接着剤を得た。 実施例４ 実施例１において、両末端にピペラジニチルアミノカル
ボニル基を有するアクリロニトリル−ブタジエン共重合
体を、重量平均分子量５０，０００、アクリロニトリル
含有量２５％、アミノ基当量５，０００の式（Ｉ−２）
で示される化合物に、トルエン２００部を４００部に代
え、その他は実施例１と同様に操作して液状接着剤を得
た。
【００２４】実施例５ 実施例１において、上記式（II−１）で示される化合物
を式（II−４）で示される化合物に代えた以外は、その
他は実施例１と同様に操作して液状接着剤を得た。 実施例６ 実施例１において、上記式（II−１）で示される化合物
を式（II−６）で示される化合物の一種（２０００Ｍ
Ｐ、三菱油化社製）に代えた以外は、その他は実施例１
と同様に操作して液状接着剤を得た。 実施例７ 実施例１において、ベンゾイルパーオキサイドを２−エ
チル−４−メチルイミダゾールに代えた以外は、その他
は実施例１と同様に操作して液状接着剤を得た。
【００２５】比較例１ エポキシアクリレート（Ｒ−５５１、日本化薬社製）１
００重量部に対して、過酸化ベンゾイル１部添加して液
状接着剤を得た。 比較例２ ナイロンエポキシ系接着剤（トレジンＦＳ−４１０、帝
国化学産業社製）（固形分率２０％、溶剤；イソプロピ
ルアルコール：メチルエチルケトン＝２：１）１００重
量部に対し、実施例１の球状アルミナ２０重量部を添加
して、液状接着剤を得た。 比較例３ ポリイミド系ワニス（ラークＴＰＩ、三井東圧化学株式
会社製）のＮ−メチルピロリドン２０％溶液の固形分１
００重量部に対し、アルミナ（ＵＡ−５１０５、昭和電
工社製）２０重量部を添加して液状接着剤を得た。
【００２６】（パッケジージの組立）図１に示すリード
フレームを、下記の手順で作成した。 （ａ）リードフレームの作成 実施例１〜５および比較例１、３の液状接着剤を用いる
場合 ＸＹロボットディスペンサーを用いて図１（ａ）に示す
部位に、液状接着剤を塗布して接着剤パターンを形成
し、表１に示した条件で接着剤の乾燥・硬化を行った。 実施例６〜７および比較例２の液状接着剤を用いる場合 スクリーン印刷機を用いて図１（ａ）に示す部位に液状
接着剤を塗布して接着剤パターンを形成し、表１に示し
た条件で接着剤の乾燥・硬化を行った。
【００２７】
【表１】
【００２８】その後、作成したリードフレームを使用
し、以下の手順でパッケージを組み立てた。リードフレ
ーム組立時に圧着条件及び効果条件が異なるのは、各接
着剤の特性が異なるためである。ここでは、各接着剤に
最適の接着条件を選定し、それに基づいて接着硬化させ
た。 （ｂ）ダイボンディング 半導体チップをダイボンディング用銀ペーストを用いて
プレーン部へ接着し、１５０℃で２時間硬化させる。 （ｃ）ワイヤーボンディング ワイヤーボンダーにより金線で半導体チップ上のワイヤ
ーパッドとインナーリード先端部の銀メッキ部分とを配
線する。 （ｄ）モールディング エポキシ系モールド材でトランスファーモールドする。 （ｅ）仕上げ工程 ホーミング、ダムカット、アウターリード部のメッキ等
の工程を含め、パッケージに仕上げる。
【００２９】（接着剤の評価）リードフレーム作製に際
して、次の評価を行った。その評価結果を表２に示す。 １．インク適性 液状接着剤の塗布性、保存性等の作業性の評価を行っ
た。 ２．リードフレームの酸化 液状接着剤の塗布または圧着、硬化中にリードフレーム
表面の酸化が起こっているか否かの評価を行った。 ３．接着力 十分な接着力があり、そのバラツキは小さいか否かにつ
いて評価を行った。室温で９０°ピール強度を測定し
た。 ４．Ｗ／Ｂ性 パッケージ組立に際して、金線のワイヤーボンディング
時のリードフレーム上へのワイヤーボンダビリティーお
よび接着強度を確認した。これは、樹脂の耐熱性の指標
になるものである。 ５．電気的信頼性 ピン間５０μｍのリードピンに１５６℃／８５％ＲＨ／
４気圧の条件下で５Ｖのバイアス電圧を印加し、ショー
トするまでの時間を測定した。
【００３０】
【表２】 ＃１ 乾燥温度が高すぎるため、リードフレームの表面
酸化が始まっている。 ＃２ 金ワイヤーを十分な強度で打つことができない。 ＃３ ３３６時間以内でショートが確認された。 表２の結果から明らかなように、本発明の液状接着剤を
使用した接着ペーストの場合、半導体パッケージを良好
に作製することができる。これに対して、比較例の接着
剤の場合には、リードフレームの酸化が生じる、金線の
ワイヤーボンディングを行うことができない、電気的信
頼性がない、等の問題が生じた。
【００３１】（他の電子部品に対する適用実施例および
比較例） 実施例８ 樹脂ダムバーを作製する目的で、実施例１で得られた液
状接着剤を用いた。基板としては図８に示した金属製ダ
ムバーの無いリードフレームを使用し、本来ダムバーの
ある部分にパターン塗布を行った。得られた接着剤パタ
ーンの溶剤をある程度除去するため、パターン上から１
５０℃加熱した窒素を３０秒間吹き付け、乾燥を行っ
た。プレスは接着剤パターンに接触する面にテフロンコ
ートを施したものを使用し、それにより１５０℃で、３
０秒間押圧して、接着剤パターンをリードピンの間隙に
埋め込ませ、且つパターン上面の凹凸を無くした形状に
成形した。さらに接着剤パターンを熱硬化させるため
に、内部を窒素雰囲気にした遠赤外線加熱炉中で２５０
℃で５分間加熱して、目的の樹脂ダムバーの付いたリー
ドフレームを得た。 実施例９ 実施例２で得られた液状接着剤を用い、接着剤と塗布を
スクリーン印刷による以外は、実施例８と同様な操作に
より樹脂ダムバーの付いたリードフレームを得た。
【００３２】比較例４ 比較例２で得られたナイロンエポキシ系接着剤を使用
し、熱風オーブン中で１５０℃で３時間で加熱硬化させ
た以外は、実施例８と同様な操作により樹脂ダムバーの
付いたリードフレームを得た。 比較例５ 従来のリードフレーム固定用テープ（巴川製紙所製、Ｒ
−７２２）を用いてダムバー部分にテーピングを行い、
熱風オーブン中で１５０℃で３時間で加熱硬化させ、ポ
リイミドベースフィルムの付いた樹脂ダムバー付きリー
ドフレームを得た。
【００３３】（評価）実施例８、９および比較例４、５
は、それぞれ得られたリードフレームをエポキシ系モー
ルド樹脂を用いてトランスファーモールドを行い、次の
項目について評価を行った。結果を表３に示す。 １．リードピンの形状（曲がりの状態） ２．ピン間からのモールド剤のはみ出し ３．ピン間以外からのモールド剤のはみ出し ４．ダムバーの剥離 ５．ダムバーの形状
【００３４】
【表３】 表３に示したように、本発明の液状接着剤を用いてディ
スペンス法またはスクリーン印刷法により、樹脂製ダム
バーを形成した場合、他の接着剤や従来の電子部品用接
着テープを用いた場合に比較して良好な特性を得ること
ができる。
【００３５】
【発明の効果】本発明の液状接着剤は、比較的低温で接
着、硬化することができ、耐熱性、信頼性および加工性
を有する。これをディスペンス法またはスクリーン印刷
法によって、さまざまな電子部品に塗布し、接着硬化さ
せて樹脂パターンまたは絶縁層を形成することができる
ため、従来の電子部品用接着テープや液状接着剤の抱え
る種々の問題点を解決することができる。また、本発明
の液状接着剤は、半導体装置を構成するリードフレーム
周辺の部材間の接着に特に好適に使用されるため、複雑
な構造の半導体装置を構成する際に使用することができ
る。したがってまた、低コスト化に寄与する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 リードフレームの概略構成図であり、図１
（ａ）は全体図、図１（ｂ）は要部の拡大図である。
【図２】 樹脂封止半導体装置の一例の断面図である。
【図３】 樹脂封止半導体装置の他の一例の断面図であ
る。
【図４】 ＬＯＣ構造の概略図である。
【図５】 ＣＯＬ構造の概略図である。
【図６】 ディスペンス法の説明図である。
【図７】 スクリーン印刷法の説明図である。
【図８】 ダムバーなしタイプのリードフレームの一部
の概略図である。
【図９】 液状接着剤による樹脂ダムバー作製の説明図
であって、図９（ａ）は塗布直後の断面図、（ｂ）はプ
レス後の断面図である。
【符号の説明】
１…リードピン固定位置、２…ダムバー、３…リードピ
ン、４…アイランド部、５…リードピン固定テープ、６
…半導体チップ、７…ボンディングワイヤー、８…モー
ルド樹脂、９…絶縁接着層、１０…ヒートシンク、１１
…ディスペンサー、１２…液状接着剤パターン、１３…
リードフレーム、１４…スクリーン刷版、１５…液状接
着剤、１６…スキージ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 正治 静岡県静岡市用宗巴町３番１号 株式会 社巴川製紙所電子・ディスプレイ材料研 究所内 (72)発明者 作本 征則 静岡県静岡市用宗巴町３番１号 株式会 社巴川製紙所電子・ディスプレイ材料研 究所内 (56)参考文献 特開 平７−126592（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−126591（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/52 H01L 23/50 C09J 109/02

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 有機溶剤に（ａ）下記式（Ｉ−１）また
    は（Ｉ−２） 【化１】 （式中、ｋ、ｍおよびｎは、モル比であって、ｎ＝１に
    対して、ｋ＝３〜１７５、ｍ＝０．３〜９３の範囲の数
    を表わす。）のいずれかで示される重量平均分子量１，
    ０００〜２００，０００で、アクリロニトリル含有率５
    〜５０重量％、アミノ基当量５００〜１０，０００のピ
    ペラジニルエチルアミノカルボニル基含有ブタジエン−
    アクリロニトリル共重合体を溶解して得られた溶液中
    に、（ｂ）下記式（II−１）ないし式（II−６） 【化２】 【化３】 で示される化合物から選択された２個以上のマレイミド
    基を含有する化合物を、成分（ａ）１００重量部に対し
    て、成分（ｂ）が１０〜９００重量部の割合で分散して
    なることを特徴とする電子部品用液状接着剤。
  2. 【請求項２】 有機溶剤が、ベンゼン、トルエン、キシ
    レン、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノー
    ル、２ーブトキシエタノール、クロロベンゼン、トリク
    ロロエチレンおよびピリジンから選択された少なくとも
    １種である請求項１記載の電子部品用液状接着剤。
  3. 【請求項３】 請求項１の電子部品用液状接着剤を電子
    部品に対して、ディスペンス法またはスクリーン印刷法
    により塗布し、次いで熱硬化させることにより絶縁パタ
    ーンまたは絶縁層を形成することを特徴とする電子部品
    における絶縁接着層の形成方法。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2590747B2 (ja) * 1994-07-29 1997-03-12 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP2896751B2 (ja) * 1995-03-30 1999-05-31 株式会社巴川製紙所 電子部品用接着テープ
JP2896754B2 (ja) * 1995-06-08 1999-05-31 株式会社巴川製紙所 電子部品用接着テープ
JP3535281B2 (ja) * 1995-08-31 2004-06-07 株式会社巴川製紙所 電子部品用接着テープ及び液状接着剤
FR2741191B1 (fr) * 1995-11-14 1998-01-09 Sgs Thomson Microelectronics Procede de fabrication d'un micromodule, notamment pour cartes a puces
JPH09283545A (ja) * 1996-04-10 1997-10-31 Oki Electric Ind Co Ltd 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
DE19638786A1 (de) * 1996-09-21 1998-04-02 Mci Computer Gmbh Halbleiter-Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US5904500A (en) * 1996-10-03 1999-05-18 The Dexter Corporation Method for the preparation of lead-on-chip assemblies
US5840598A (en) 1997-08-14 1998-11-24 Micron Technology, Inc. LOC semiconductor assembled with room temperature adhesive
JPH1187572A (ja) 1997-09-10 1999-03-30 Oki Electric Ind Co Ltd 樹脂封止半導体装置およびその製造方法
KR100481527B1 (ko) * 1998-04-02 2005-06-08 삼성전자주식회사 다이 본딩 장치
EP1180918B1 (en) * 2000-08-16 2010-01-27 Ericsson AB Method for dispensing adhesive on a circuit-board carrier member and circuit-board provided thereby
US6512039B1 (en) * 2001-11-16 2003-01-28 Lord Corporation Adhesives for bonding peroxide-cured elastomers
US6751099B2 (en) * 2001-12-20 2004-06-15 Intel Corporation Coated heat spreaders
DE112004002845T5 (de) * 2004-05-13 2007-03-08 The Yokohama Rubber Co., Ltd. Kautschuk mit endständigem Maleinimid und härtbare Zusammensetzungen, hergestellt unter Verwendung des Kautschuks mit endständigem Maleinimid
JP4995764B2 (ja) * 2008-04-25 2012-08-08 力成科技股▲分▼有限公司 リード支持型半導体パッケージ
JP6022761B2 (ja) * 2011-12-02 2016-11-09 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 両面接着材の製造方法
KR101366394B1 (ko) * 2012-04-09 2014-02-25 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 디바이스 및 그 제조 방법
CN103943598B (zh) * 2014-03-31 2016-08-17 山东华芯半导体有限公司 一种通用预封装基板结构、封装结构及封装方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2958672A (en) * 1956-11-19 1960-11-01 Du Pont Curing process for high molecular weight polymers involving the use of free radical generators and free radical acceptors and product thereof
US4088708A (en) * 1975-06-13 1978-05-09 The B. F. Goodrich Company Thermoplastic, thermosetting elastomeric compositions and methods for making the same
US5087681A (en) * 1982-12-24 1992-02-11 Secretary Of State For Defence In Her Majesty's Government Of United Kingdom Composition from reacting vinylidene terminated polybutadiene/acrylonitrile and bisimide
US4918260A (en) * 1985-07-26 1990-04-17 Preleg, Inc. Adhesive-coated wire and method and printed circuit board using same
US5364700A (en) * 1985-12-27 1994-11-15 Amoco Corporation Prepregable resin composition and composite
JP2903610B2 (ja) * 1990-03-26 1999-06-07 日立化成工業株式会社 接着剤組成物及び半導体装置の製造法

Also Published As

Publication number Publication date
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