JP2000265144A - ダイアタッチペースト - Google Patents
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- H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
- H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱時接着強度を低下させないで、ＩＣ等の大
型チップと銅フレーム等の組合せでもチップクラックや
反りによるＩＣ等の特性不良が起こらず、速硬化でかつ
ボイドの発生のないダイアタッチペーストを提供するこ
とにある。 【解決手段】 （Ａ）熱硬化性樹脂と（Ｂ）無機フィラ
ーからなるダイアタッチペーストであり、銅リードフレ
ームとシリコンチップを接続した後、８５℃、８５％の
高温高湿度下に７２時間放置した後の２６０℃における
剪断接着強度が６Ｋｇｆ以上であるダイアタッチペース
トである。
型チップと銅フレーム等の組合せでもチップクラックや
反りによるＩＣ等の特性不良が起こらず、速硬化でかつ
ボイドの発生のないダイアタッチペーストを提供するこ
とにある。 【解決手段】 （Ａ）熱硬化性樹脂と（Ｂ）無機フィラ
ーからなるダイアタッチペーストであり、銅リードフレ
ームとシリコンチップを接続した後、８５℃、８５％の
高温高湿度下に７２時間放置した後の２６０℃における
剪断接着強度が６Ｋｇｆ以上であるダイアタッチペース
トである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＩＣ、ＬＳＩ等の半
導体素子を金属フレーム等に接着する樹脂ペーストに関
するものである。
導体素子を金属フレーム等に接着する樹脂ペーストに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロニクス業界の最近の著しい発
展により、トランジスター、IC、LSI、超LSIと進化して
きており、これら半導体素子に於ける回路の集積度が急
激に増大すると共に大量生産が可能となり、これらを用
いた半導体製品の普及に伴って、その量産に於ける作業
性の向上並びにコストダウンが重要な問題となってき
た。従来は半導体素子を金属フレームなどの導体にAu-S
i共晶法により接合し、次いでハーメチックシールによ
って封止して、半導体製品とするのが普通であった。し
かし量産時の作業性、コストの面より、樹脂封止法が開
発され、現在は一般化されている。これに伴い、マウン
ト工程に於けるAu-Si共晶法の改良としてハンダ材料や
樹脂ペースト即ちマウント用樹脂による方法が取り上げ
られるようになった。
展により、トランジスター、IC、LSI、超LSIと進化して
きており、これら半導体素子に於ける回路の集積度が急
激に増大すると共に大量生産が可能となり、これらを用
いた半導体製品の普及に伴って、その量産に於ける作業
性の向上並びにコストダウンが重要な問題となってき
た。従来は半導体素子を金属フレームなどの導体にAu-S
i共晶法により接合し、次いでハーメチックシールによ
って封止して、半導体製品とするのが普通であった。し
かし量産時の作業性、コストの面より、樹脂封止法が開
発され、現在は一般化されている。これに伴い、マウン
ト工程に於けるAu-Si共晶法の改良としてハンダ材料や
樹脂ペースト即ちマウント用樹脂による方法が取り上げ
られるようになった。
【０００３】しかし、ハンダ法では信頼性が低いこと、
素子の電極の汚染を起こし易いこと等が欠点とされ、高
熱伝導性を要するパワートランジスター、パワーICの素
子に使用が限られている。これに対しマウント用樹脂は
ハンダ法に較べ、作業性に於いても信頼性等に於いても
優れており、その需要が急激に増大している。
素子の電極の汚染を起こし易いこと等が欠点とされ、高
熱伝導性を要するパワートランジスター、パワーICの素
子に使用が限られている。これに対しマウント用樹脂は
ハンダ法に較べ、作業性に於いても信頼性等に於いても
優れており、その需要が急激に増大している。
【０００４】更に近年、IC等の集積度の高密度化によ
り、チップが大型化してきている。一方従来用いられて
きたリードフレームである42合金フレームが高価なこと
より、コストダウンの目的から銅フレームが用いられる
ようになってきた。ここでIC等のチップの大きさが約4
〜5mm角より大きくなると、IC等の組立工程での加熱に
より、マウント法としてAu-Si共晶法を用いると、チッ
プの熱膨張率と銅フレームの熱膨張率との差からチップ
のクラックや反りによる特性不良が問題となってきてい
る。
り、チップが大型化してきている。一方従来用いられて
きたリードフレームである42合金フレームが高価なこと
より、コストダウンの目的から銅フレームが用いられる
ようになってきた。ここでIC等のチップの大きさが約4
〜5mm角より大きくなると、IC等の組立工程での加熱に
より、マウント法としてAu-Si共晶法を用いると、チッ
プの熱膨張率と銅フレームの熱膨張率との差からチップ
のクラックや反りによる特性不良が問題となってきてい
る。
【０００５】即ちこれは、チップの材料であるシリコン
等の熱膨張率が3×10-6/℃であるのに対し、42合金フレ
ームでは8×10-6/℃であるが、銅フレームでは20×10-6
/℃と大きくなる為である。これに対し、マウント法と
してマウント用樹脂を用いることが考えられるが、従来
のエポキシ樹脂系ペーストでは、熱硬化性樹脂で三次元
硬化する為、弾性率が高く、チップと銅フレームとの歪
を吸収するには至らなかった。
等の熱膨張率が3×10-6/℃であるのに対し、42合金フレ
ームでは8×10-6/℃であるが、銅フレームでは20×10-6
/℃と大きくなる為である。これに対し、マウント法と
してマウント用樹脂を用いることが考えられるが、従来
のエポキシ樹脂系ペーストでは、熱硬化性樹脂で三次元
硬化する為、弾性率が高く、チップと銅フレームとの歪
を吸収するには至らなかった。
【０００６】また、硬化時に架橋密度を小さくするよう
なエポキシ樹脂、例えばエポキシモノマーを多量に含む
ものを使用すれば弾性率を低くできるが、接着強度が低
下するという欠点があった。更に通常のエポキシ樹脂は
粘度が高く、これに無機フィラーを配合すると粘度が高
くなりすぎ、ディスペンス時の糸ひきが発生し作業性が
悪くなる。作業性を改良するために多量の溶剤を添加す
るとボイドが発生するという問題があった。
なエポキシ樹脂、例えばエポキシモノマーを多量に含む
ものを使用すれば弾性率を低くできるが、接着強度が低
下するという欠点があった。更に通常のエポキシ樹脂は
粘度が高く、これに無機フィラーを配合すると粘度が高
くなりすぎ、ディスペンス時の糸ひきが発生し作業性が
悪くなる。作業性を改良するために多量の溶剤を添加す
るとボイドが発生するという問題があった。
【０００７】また従来のマウント用樹脂は硬化に150〜2
00℃のオーブンで1〜2時間加熱処理する必要があった。
最近では半導体組立工程の合理化のため、オーブンで３
０分以内に硬化するインライン化の要求が高まってい
る。速硬化にするためには、硬化促進剤を多量に添加す
る方法があるが、常温または低温での保存性、すなわち
ポットライフやシェルライフが短くなり、1液タイプで
は実用性がなく、熱時の接着強度も低いという欠点があ
った。
00℃のオーブンで1〜2時間加熱処理する必要があった。
最近では半導体組立工程の合理化のため、オーブンで３
０分以内に硬化するインライン化の要求が高まってい
る。速硬化にするためには、硬化促進剤を多量に添加す
る方法があるが、常温または低温での保存性、すなわち
ポットライフやシェルライフが短くなり、1液タイプで
は実用性がなく、熱時の接着強度も低いという欠点があ
った。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、熱時
接着強度を低下させないで、ＩＣ等の大型チップと銅フ
レーム等の組合せでもチップクラックや反りによるＩＣ
等の特性不良が起こらず、速硬化でかつボイドの発生の
ない樹脂ペーストを提供することにある。
接着強度を低下させないで、ＩＣ等の大型チップと銅フ
レーム等の組合せでもチップクラックや反りによるＩＣ
等の特性不良が起こらず、速硬化でかつボイドの発生の
ない樹脂ペーストを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）熱硬化
性樹脂と（Ｂ）無機フィラーからなるダイアタッチペー
ストであり、銅リードフレームとシリコンチップを接続
した後、８５℃、８５％の高温高湿度下に７２時間放置
した後の２６０℃における剪断接着強度が６Ｋｇｆ以上
であるダイアタッチペーストである。更に好ましい形態
としては、該シリコンチップの大きさが６ｍｍ角以上で
あるダイアタッチペーストである。
性樹脂と（Ｂ）無機フィラーからなるダイアタッチペー
ストであり、銅リードフレームとシリコンチップを接続
した後、８５℃、８５％の高温高湿度下に７２時間放置
した後の２６０℃における剪断接着強度が６Ｋｇｆ以上
であるダイアタッチペーストである。更に好ましい形態
としては、該シリコンチップの大きさが６ｍｍ角以上で
あるダイアタッチペーストである。
【００１０】本発明に用いる熱硬化性樹脂（Ａ）は樹
脂、硬化剤、硬化促進剤等からなる一般的な熱硬化性樹
脂であり、特に限定されるものではないがペーストを形
成する材料であることから室温で液状であることが望ま
しい。
脂、硬化剤、硬化促進剤等からなる一般的な熱硬化性樹
脂であり、特に限定されるものではないがペーストを形
成する材料であることから室温で液状であることが望ま
しい。
【００１１】本発明に用いられる液状の樹脂としては液
状のシアネート樹脂、液状エポキシ樹脂としてはビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキ
シ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、脂環式エポ
キシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、グリシジルアミン型の
液状エポキシ樹脂、ラジカル重合性の各種アクリル樹
脂、アリール基を有するトリアリールイソシアヌレート
などが挙げられる。
状のシアネート樹脂、液状エポキシ樹脂としてはビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキ
シ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、脂環式エポ
キシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、グリシジルアミン型の
液状エポキシ樹脂、ラジカル重合性の各種アクリル樹
脂、アリール基を有するトリアリールイソシアヌレート
などが挙げられる。
【００１２】シアネート樹脂の硬化触媒としては銅アセ
チルアセトナート、亜鉛アセチルアセトナート等の金属
錯体が挙げられる。エポキシ樹脂の硬化剤としては脂肪
族アミン、芳香族アミン、ジシアンジアミド、ジカルボ
ン酸ジヒドラジド化合物等が例として挙げられる。ジヒ
ドラジド化合物の例としてはアジピン酸ジヒドラジド、
ドデカン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、
P-オキシ安息香酸ジヒドラジド等のカルボン酸ジヒドラ
ジドなどが挙げられる。
チルアセトナート、亜鉛アセチルアセトナート等の金属
錯体が挙げられる。エポキシ樹脂の硬化剤としては脂肪
族アミン、芳香族アミン、ジシアンジアミド、ジカルボ
ン酸ジヒドラジド化合物等が例として挙げられる。ジヒ
ドラジド化合物の例としてはアジピン酸ジヒドラジド、
ドデカン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、
P-オキシ安息香酸ジヒドラジド等のカルボン酸ジヒドラ
ジドなどが挙げられる。
【００１３】硬化促進剤兼硬化剤としては各種のイミダ
ゾール化合物あり、その例としては、２−メチルイミダ
ゾール，２−エチルイミダゾール，２−フェニルイミダ
ゾール，２−フェニル−４−メチルイミダゾール，２−
フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾ
ール，２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミ
ダゾール，２−Ｃ１１Ｈ２３−イミダゾール等の一般的
なイミダゾールやトリアジンやイソシアヌル酸を付加
し、保存安定性を付与した２，４−ジアミノ−６−｛２
−メチルイミダゾール−（１）｝−エチル−Ｓ−トリア
ジン、またそのイソシアネート付加物等があり、これら
は何れも１種類あるいは複数種と併用して使うことが可
能である。
ゾール化合物あり、その例としては、２−メチルイミダ
ゾール，２−エチルイミダゾール，２−フェニルイミダ
ゾール，２−フェニル−４−メチルイミダゾール，２−
フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾ
ール，２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミ
ダゾール，２−Ｃ１１Ｈ２３−イミダゾール等の一般的
なイミダゾールやトリアジンやイソシアヌル酸を付加
し、保存安定性を付与した２，４−ジアミノ−６−｛２
−メチルイミダゾール−（１）｝−エチル−Ｓ−トリア
ジン、またそのイソシアネート付加物等があり、これら
は何れも１種類あるいは複数種と併用して使うことが可
能である。
【００１４】本発明においては室温で固体の熱硬化性樹
脂成分を特性低下が起きない程度に混合して用いること
も充分可能である。例えばビスフェノールＡ、ビスフェ
ノールＦ、フェノールノボラック、クレゾールノボラッ
ク類とエピクロルヒドリンとの反応により得られるポリ
グリシジルエーテル、ブタンジオールジグリシジルエー
テル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル等
の脂肪族エポキシ、ジグリシジルヒダントイン等の複素
環式エポキシ、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、ジ
シクロペンタジエンジオキサイド、アリサイクリックジ
エポキシーアジペイトのような脂環式エポキシがあり、
これらの内の１種類あるいは複数種と併用可能である。
脂成分を特性低下が起きない程度に混合して用いること
も充分可能である。例えばビスフェノールＡ、ビスフェ
ノールＦ、フェノールノボラック、クレゾールノボラッ
ク類とエピクロルヒドリンとの反応により得られるポリ
グリシジルエーテル、ブタンジオールジグリシジルエー
テル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル等
の脂肪族エポキシ、ジグリシジルヒダントイン等の複素
環式エポキシ、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、ジ
シクロペンタジエンジオキサイド、アリサイクリックジ
エポキシーアジペイトのような脂環式エポキシがあり、
これらの内の１種類あるいは複数種と併用可能である。
【００１５】本発明に用いる無機フィラー（Ｄ）として
は銀粉、シリカフィラー等がある。
は銀粉、シリカフィラー等がある。
【００１６】銀粉は導電性を付与するために用いられ、
ハロゲンイオン、アルカリ金属イオン等のイオン性不純
物の含有量は10ppm以下であることが好ましい。又銀粉
の形状としてはフレーク状、樹脂状や球状等が用いられ
る。必要とするペーストの粘度により、使用する銀粉の
粒径は異なるが、通常平均粒径は2〜10μｍ、最大粒径
は50μｍ程度のものが好ましい。又比較的粗い銀粉と細
かい銀粉とを混合して用いることもでき、形状について
も各種のものを適宜混合してもよい。
ハロゲンイオン、アルカリ金属イオン等のイオン性不純
物の含有量は10ppm以下であることが好ましい。又銀粉
の形状としてはフレーク状、樹脂状や球状等が用いられ
る。必要とするペーストの粘度により、使用する銀粉の
粒径は異なるが、通常平均粒径は2〜10μｍ、最大粒径
は50μｍ程度のものが好ましい。又比較的粗い銀粉と細
かい銀粉とを混合して用いることもでき、形状について
も各種のものを適宜混合してもよい。
【００１７】本発明に用いるシリカフィラーは平均粒径
1〜20μmで最大粒径50μｍ以下のものである。平均粒径
が１μm未満だと粘度が高くなり、20μｍを越えると塗
布又は硬化時に樹脂分が流出するのでブリードが発生す
るため好ましくない。最大粒径が50μmを越えるとディ
スペンサーでペーストを塗布するときに、ニードルの出
口を塞ぎ長時間の連続使用ができない。又比較的粗いシ
リカフィラーと細かいシリカフィラーとを混合して用い
ることもでき、形状についても各種のものを適宜混合し
てもよい。
1〜20μmで最大粒径50μｍ以下のものである。平均粒径
が１μm未満だと粘度が高くなり、20μｍを越えると塗
布又は硬化時に樹脂分が流出するのでブリードが発生す
るため好ましくない。最大粒径が50μmを越えるとディ
スペンサーでペーストを塗布するときに、ニードルの出
口を塞ぎ長時間の連続使用ができない。又比較的粗いシ
リカフィラーと細かいシリカフィラーとを混合して用い
ることもでき、形状についても各種のものを適宜混合し
てもよい。
【００１８】又、必要とされる特性を付与するために本
発明以外の無機フィラーを添加してもよい。
発明以外の無機フィラーを添加してもよい。
【００１９】本発明のダイアタッチペーストは熱硬化性
樹脂と無機フィラーからなり、このペーストを用いて銅
リードフレームとシリコンチップ接続した後、８５℃、
８５％の高温高湿下に７２時間放置した後の剪断接着強
度が６Kgf以上であることが好ましい。これは半導体パ
ッケージをプリント配線基板に半田リフロー接続で搭載
される際にパッケージ自体が２４０℃から２６０℃の温
度で数十秒間曝された時に内部のペースト層の接着強度
が低いと先ずペースト層が剥離しパッケージにクラック
を発生することになるのでダイアタッッチペーストは吸
湿後でも高温での接着強度が高い方が半導体パッケージ
の信頼性の点から好ましいためである。
樹脂と無機フィラーからなり、このペーストを用いて銅
リードフレームとシリコンチップ接続した後、８５℃、
８５％の高温高湿下に７２時間放置した後の剪断接着強
度が６Kgf以上であることが好ましい。これは半導体パ
ッケージをプリント配線基板に半田リフロー接続で搭載
される際にパッケージ自体が２４０℃から２６０℃の温
度で数十秒間曝された時に内部のペースト層の接着強度
が低いと先ずペースト層が剥離しパッケージにクラック
を発生することになるのでダイアタッッチペーストは吸
湿後でも高温での接着強度が高い方が半導体パッケージ
の信頼性の点から好ましいためである。
【００２０】上記の条件での剪断接着強度が６Kgf以上
で有れば高温半田リフロー時にペースト層の剥離が発生
しないので好ましい。また、シリコンチップのサイズが
６ｍｍ角以上になると、本発明のダイアタッチペースト
を用いることによる効果が大きくなる。これはチップサ
イズが６ｍｍ角以上になるとチップと銅フレームの歪み
がより大きくなりペースト層での剥離が起こるためであ
る。
で有れば高温半田リフロー時にペースト層の剥離が発生
しないので好ましい。また、シリコンチップのサイズが
６ｍｍ角以上になると、本発明のダイアタッチペースト
を用いることによる効果が大きくなる。これはチップサ
イズが６ｍｍ角以上になるとチップと銅フレームの歪み
がより大きくなりペースト層での剥離が起こるためであ
る。
【００２１】銅リードフレームは線膨張係数が４２アロ
イ製のフレームよりも大きいのでシリコンチップとの膨
張係数のミスマッチが大きいので銅フレームでの吸湿処
理後の剪断接着強度を評価することが望ましい。
イ製のフレームよりも大きいのでシリコンチップとの膨
張係数のミスマッチが大きいので銅フレームでの吸湿処
理後の剪断接着強度を評価することが望ましい。
【００２２】本発明における樹脂ペーストには、必要に
より用途に応じた特性を損なわない範囲内で、シランカ
ップリング剤、チタネートカップリング剤、顔料、染
料、消泡剤、界面活性剤、溶剤等の添加剤を用いること
ができる。本発明の製造法としては、例えば各成分を予
備混合して三本ロール等を用いて、ペーストを得て、真
空下脱抱すること等がある。
より用途に応じた特性を損なわない範囲内で、シランカ
ップリング剤、チタネートカップリング剤、顔料、染
料、消泡剤、界面活性剤、溶剤等の添加剤を用いること
ができる。本発明の製造法としては、例えば各成分を予
備混合して三本ロール等を用いて、ペーストを得て、真
空下脱抱すること等がある。
【００２３】
【実施例】本発明を実施例で具体的に説明する．各成分
の配合割合は重量部とする。
の配合割合は重量部とする。
【００２４】＜実施例１〜４、比較例１〜５＞表１に示
した組成の各成分と無機フィラーを配合し、三本ロール
で混練して樹脂ペーストを得た。この樹脂ペーストを真
空チャンバーにて2mmHgで30分間脱泡した後、以下の方
法により各種の性能を評価した。評価結果を表1に示
す。
した組成の各成分と無機フィラーを配合し、三本ロール
で混練して樹脂ペーストを得た。この樹脂ペーストを真
空チャンバーにて2mmHgで30分間脱泡した後、以下の方
法により各種の性能を評価した。評価結果を表1に示
す。
【００２５】用いる原料成分
【表１】
【００２６】・ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＢＰ
Ｆ）：粘度5000mPa・s、エポキシ当量170 ・ ＊１：反応性希釈剤 ：パラ−ターシャリーブチル
フェニルグリシジルエーテル
Ｆ）：粘度5000mPa・s、エポキシ当量170 ・ ＊１：反応性希釈剤 ：パラ−ターシャリーブチル
フェニルグリシジルエーテル
【００２７】・ ＊２：
【化１】 ・ ＊３：
【化２】
【００２８】・ ＊４：
【化３】 ・ ＊５：
【化４】
【００２９】・潜在性硬化剤（Ｂ）：ジシアンジアミド
（ＤＤＡ） ・ ＊６：
（ＤＤＡ） ・ ＊６：
【化５】 ・ ＊７：１、１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−
３，３，５−トリメチルシクロヘキサン
３，３，５−トリメチルシクロヘキサン
【００３０】・無機フィラー（Ｄ）：銀粉：粒径が0.1
〜50μmで平均粒径3μmのフレーク状 シリカフィラー：平均粒径5μｍで最大粒径20μｍのシ
リカフィラー
〜50μmで平均粒径3μmのフレーク状 シリカフィラー：平均粒径5μｍで最大粒径20μｍのシ
リカフィラー
【００３１】評価方法 ・粘度 ：Ｅ型粘度計（３°コーン）を用い２５
℃、２．５ｒｐｍでの値を測定し粘度とした。 ・接着強度 ：６×６ｍｍのシリコンチップをペース
トを用いて銅フレームにマウントし１７５℃中２０分間
オーブン中で硬化した。硬化後マウント強度測定装置を
用い２５℃，２６０℃での熱時ダイシェア強度を測定し
た。 ・ポットライフ：２５℃の恒温槽内に樹脂ペーストを放
置した時の粘度が初期粘度の１．２倍以上に増粘するま
での日数を測定した。
℃、２．５ｒｐｍでの値を測定し粘度とした。 ・接着強度 ：６×６ｍｍのシリコンチップをペース
トを用いて銅フレームにマウントし１７５℃中２０分間
オーブン中で硬化した。硬化後マウント強度測定装置を
用い２５℃，２６０℃での熱時ダイシェア強度を測定し
た。 ・ポットライフ：２５℃の恒温槽内に樹脂ペーストを放
置した時の粘度が初期粘度の１．２倍以上に増粘するま
での日数を測定した。
【００３２】・耐パッケージクラック性：スミコンＥＭ
Ｅ−７３７２（住友ベークライト 製）の封止材料を用
い、下記の条件で成形したパッケージを８５℃、相対湿
度８５％、１６８時間吸湿処理した後、ＩＲリフロー
（２４０℃、１０秒）にかけ断面観察により内部クラッ
クの数を測定して耐パッケージクラック性の指標とし
た。 ・パッケージ：８０ｐＱＦＰ（１４ｘ２０ｘ２ｍｍ厚
さ） ・チップサイズ：７．５ｘ７．５ｍｍ（表面アルミ配線
のみ） ・リードフレーム：銅 ・封止材の成形：１７５℃、２分間 ・ポストモールドキュアー：１７５℃、４時間 ・全パッケージ数：１２個
Ｅ−７３７２（住友ベークライト 製）の封止材料を用
い、下記の条件で成形したパッケージを８５℃、相対湿
度８５％、１６８時間吸湿処理した後、ＩＲリフロー
（２４０℃、１０秒）にかけ断面観察により内部クラッ
クの数を測定して耐パッケージクラック性の指標とし
た。 ・パッケージ：８０ｐＱＦＰ（１４ｘ２０ｘ２ｍｍ厚
さ） ・チップサイズ：７．５ｘ７．５ｍｍ（表面アルミ配線
のみ） ・リードフレーム：銅 ・封止材の成形：１７５℃、２分間 ・ポストモールドキュアー：１７５℃、４時間 ・全パッケージ数：１２個
【００３３】実施例１〜４では吸湿前後において熱時接
着強度の優れたペーストが得られ耐パッケージクラック
性も良好であるが、比較例１〜５ではペーストの剪断接
着強度が６Kgf未満の全般に低い強度しか得られないの
で耐パッケージクラック性も低い。
着強度の優れたペーストが得られ耐パッケージクラック
性も良好であるが、比較例１〜５ではペーストの剪断接
着強度が６Kgf未満の全般に低い強度しか得られないの
で耐パッケージクラック性も低い。
【００３４】
【発明の効果】本発明の半導体用樹脂ペーストは、オー
ブン硬化での速硬化が可能で、熱時接着強度が高いた
め、IC等の大型チップと銅フレームとの接着に適してお
り、IC組立工程でのパッケージクラック等の特性不良を
防止できる。
ブン硬化での速硬化が可能で、熱時接着強度が高いた
め、IC等の大型チップと銅フレームとの接着に適してお
り、IC組立工程でのパッケージクラック等の特性不良を
防止できる。
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ａ）熱硬化性樹脂と（Ｂ）無機フィラ
ーからなるダイアタッチペーストであり、銅リードフレ
ームとシリコンチップを接続した後、８５℃、８５％の
高温高湿度下に７２時間放置した後の２６０℃における
剪断接着強度が６Ｋｇｆ以上であることを特徴とするダ
イアタッチペースト。 - 【請求項２】 該シリコンチップの大きさが６ｍｍ角以
上である請求項１記載のダイアタッチペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11069510A JP2000265144A (ja) | 1999-03-16 | 1999-03-16 | ダイアタッチペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11069510A JP2000265144A (ja) | 1999-03-16 | 1999-03-16 | ダイアタッチペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000265144A true JP2000265144A (ja) | 2000-09-26 |
Family
ID=13404820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11069510A Pending JP2000265144A (ja) | 1999-03-16 | 1999-03-16 | ダイアタッチペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000265144A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003096426A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-03 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着部材 |
| JP2005255866A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Mitsui Chemicals Inc | フィルム状接着材の製造方法およびその用途 |
| WO2012020694A1 (ja) * | 2010-08-11 | 2012-02-16 | 株式会社日立製作所 | 電極用ガラス組成物、及びそれを用いた電極用ペースト、並びにそれを適用した電子部品 |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62145601A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-06-29 | 住友ベークライト株式会社 | 導電性樹脂ペ−スト |
| JPS63304076A (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-12 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | 一液型接着剤組成物 |
| JPH037780A (ja) * | 1989-03-14 | 1991-01-14 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 電子線硬化型導電性ペースト組成物 |
| JPH0520919A (ja) * | 1991-07-14 | 1993-01-29 | Sony Chem Corp | 導電ペースト |
| JPH06184282A (ja) * | 1992-12-18 | 1994-07-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 導電性樹脂ペースト |
| JPH0967553A (ja) * | 1995-08-31 | 1997-03-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイボンディング用樹脂ペースト |
| JPH09183959A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-07-15 | Natl Starch & Chem Investment Holding Corp | 軟質エポキシ樹脂組成物 |
| JPH09279121A (ja) * | 1996-04-15 | 1997-10-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物および該組成物からなる接続部材 |
| JPH107763A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-01-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 導電性樹脂ペースト |
| JPH10152664A (ja) * | 1996-11-26 | 1998-06-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
| JPH10340624A (ja) * | 1997-06-05 | 1998-12-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 導電性樹脂ペースト及びこれを用いて製造された半導体装置 |
| JP2000239627A (ja) * | 1999-02-25 | 2000-09-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイアタッチペースト |
-
1999
- 1999-03-16 JP JP11069510A patent/JP2000265144A/ja active Pending
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