JP3555930B2 - 半導体用樹脂ペースト及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子を金属フレーム等に接着する樹脂ペーストに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
エレクトロニクス業界の最近の著しい発展により、トランジスター、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩと進化してきており、これら半導体素子に於ける回路の集積度が急激に増大すると共に大量生産が可能となり、これらを用いた半導体製品の普及に伴って、その量産に於ける作業性の向上並びにコストダウンが重要な問題となってきた。従来は半導体素子を金属フレームなどの導体にＡｕ−Ｓｉ共晶法により接合し、次いでハーメチックシールによって封止して、半導体製品とするのが普通であった。しかし量産時の作業性、コストの面より、樹脂封止法が開発され、現在は一般化されている。これに伴い、マウント工程に於けるＡｕ−Ｓｉ共晶法の改良としてハンダ材料や樹脂ペースト即ちマウント用樹脂による方法が取り上げられるようになった。
【０００３】
しかし、ハンダ法では信頼性が低いこと、素子の電極の汚染を起こし易いこと等が欠点とされ、高熱伝導性を要するパワートランジスター、パワーＩＣの素子に使用が限られている。これに対しマウント用樹脂はハンダ法に較べ、作業性に於いても信頼性等に於いても優れており、その需要が急激に増大している。
【０００４】
更に近年、ＩＣ等の集積度の高密度化により、チップが大型化してきており、一方従来用いられてきたリードフレームである４２合金フレームが高価なことより、コストダウンの目的から銅フレームが用いられるようになってきた。ここでＩＣ等のチップの大きさが約４〜５ｍｍ角より大きくなると、ＩＣ等の組立工程での加熱により、マウント法としてＡｕ−Ｓｉ共晶法を用いると、チップの熱膨張率と銅フレームの熱膨張率との差からチップのクラックや反りによる特性不良が問題となってきている。
【０００５】
即ちこれは、チップの材料であるシリコン等の熱膨張率が３×１０−６／℃であるのに対し、４２合金フレームでは８×１０−６／℃であるが、銅フレームでは２０×１０−６／℃と大きくなる為である。これに対し、マウント法としてマウント用樹脂を用いることが考えられるが、従来のエポキシ樹脂系ペーストでは、熱硬化性樹脂で三次元硬化する為、弾性率が高く、チップと銅フレームとの歪を吸収するには至らなかった。
【０００６】
また、硬化時に架橋密度を小さくするようなエポキシ樹脂、例えばエポキシモノマーを多量に含むものを使用すれば弾性率を低くできるが、接着強度が低下するという欠点があった。更に通常のエポキシ樹脂は粘度が高く、これに無機フィラーを配合すると粘度が高くなりすぎ、ディスペンス時の糸ひきが発生し作業性が悪くなる。作業性を改良するために多量の溶剤を添加するとボイドが発生するという問題があった。
また従来のマウント用樹脂は硬化に１５０〜２００℃のオーブンで１〜２時間加熱処理する必要があった。最近では半導体組立工程の合理化のため、オーブンで３０分以内に硬化するインライン化の要求が高まっている。速硬化にするためには、硬化促進剤を多量に添加する方法があるが、常温または低温での保存性、すなわちポットライフやシェルライフが短くなり、１液タイプでは実用性がなく、熱時の接着強度も低いという欠点があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、熱時接着強度を低下させないで、ＩＣ等の大型チップと銅フレーム等の組合せでもチップクラックや反りによるＩＣ等の特性不良が起こらず、速硬化でかつボイドの発生のない樹脂ペーストを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、熱時接着強度を低下させないで低弾性率化をはかったもので、一般式（１）の構造を有する液状エポキシ樹脂とエポキシ基を有する反応性希釈剤の重量比が６０：４０〜９０：１０である（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）潜在性硬化剤、（Ｃ）イミダゾール化合物、（Ｄ）無機フィラーからなり、成分（Ａ）１００重量部に対し、成分（Ｂ）が０．５〜５重量部、成分（Ｃ）が０．５〜１０重量部である半導体用樹脂ペーストである。
また、上記の半導体用樹脂ペーストを用いて製作された半導体装置である。
【０００９】
【化１】
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明に用いるエポキシ樹脂（Ａ）は、一般式（１）の構造を有する液状エポキシ樹脂とエポキシ基を有する反応性希釈剤の重量比が６０：４０〜９０：１０である液状のエポキシ樹脂である。一般式（１）で示されるものは分子量により各種のものがあるが、分子量が小さく常温で液状のものが、配合するときの作業性及び配合後の粘度の点から好ましい。
【００１１】
一般式（１）で示される液状エポキシ樹脂と混合するエポキシ基を有する反応性希釈剤には、例えば、ｎ−ブチルグリシジルエーテル、バーサティック酸グリシジルエステル、スチレンオサイド、エチルヘキシルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、ブチルフェニルグリシジルエーテル等があり、これらの内の１種類あるいは複数種と併用可能である。
【００１２】
一般式（１）で示される液状エポキシ樹脂とエポキシ基を有する反応性希釈剤の重量比は６０：４０〜９０：１０であることが好ましい。反応性希釈剤の重量比が４０を越えると接着強度が弱く、１０未満では樹脂ペーストとしたときに粘度が高くなり作業性が低下する。
【００１３】
本発明においては他のエポキシ樹脂を混合して用いてもよい。上記エポキシ樹脂と混合する場合の他のエポキシ樹脂としては，例えばビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェノールノボラック、クレゾールノボラック類とエピクロルヒドリンとの反応により得られるポリグリシジルエーテル、ブタンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル等の脂肪族エポキシ、ジグリシジルヒダントイン等の複素環式エポキシ、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、ジシクロペンタジエンジオキサイド、アリサイクリックジエポキシーアジペイトのような脂環式エポキシがあり、これらの内の１種類あるいは複数種と併用可能である。
【００１４】
本発明に用いる潜在性硬化剤（Ｂ）は、エポキシ樹脂の硬化剤として用いられ、例えばアジピン酸ジヒドラジド、ドデカン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、Ｐ−オキシ安息香酸ジヒドラジド等のカルボン酸ジヒドラジドやジシアンジアミド等の潜在性硬化剤である。潜在性硬化剤を用いるとフェノール硬化剤単独で硬化した場合に比べ著しく熱時接着強度が高くなる。又潜在性硬化剤はフェノール硬化剤よりも当量が小さいため、併用することにより粘度がそれ程高くなく、又潜在性であるため保存性にも優れたペーストを得ることができる。潜在性硬化剤（Ｂ）の配合量は全エポキシ樹脂に対し、０．５〜５重量部使用するのが好ましい。０．５重量部未満では熱時接着強度が弱く、５重量部を越えると低応力性が低下する。
【００１５】
本発明においては，速硬化を可能とするためイミダゾール化合物（Ｃ）を使用することを必須としている。一般にイミダゾール化合物は、目的とする温度１７０〜２５０℃で硬化時間が短いことが知られている。イミダゾール化合物としては、例えば２−メチルイミダゾール，２−エチルイミダゾール，２−フェニルイミダゾール，２−フェニル−４−メチルイミダゾール，２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール，２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール，２−Ｃ１１Ｈ２３−イミダゾール等の一般的なイミダゾールやトリアジンやイソシアヌル酸を付加し、保存安定性を付与した２，４−ジアミノ−６−｛２−メチルイミダゾール−（１）｝−エチル−Ｓ−トリアジン，またそのイソシアネート付加物等があり、これらの内の１種類あるいは複数種と併用可能である。イミダゾール化合物の配合量は、全エポキシ樹脂に対し、０．５〜１０重量部使用するのが好ましい。０．５重量部未満では熱時接着強度が弱く、１０重量部を越えるとポットライフ著しく短くなる。
【００１６】
本発明に用いる無機フィラー（Ｄ）としては銀粉、シリカフィラー等がある。
【００１７】
銀粉は導電性を付与するために用いられ、ハロゲンイオン、アルカリ金属イオン等のイオン性不純物の含有量は１０ｐｐｍ以下であることが好ましい。又銀粉の形状としてはフレーク状、樹脂状や球状等が用いられる。必要とするペーストの粘度により、使用する銀粉の粒径は異なるが、通常平均粒径は２〜１０μｍ、最大粒径は５０μｍ程度のものが好ましい。又比較的粗い銀粉と細かい銀粉とを混合して用いることもでき、形状についても各種のものを適宜混合してもよい。
【００１８】
本発明に用いるシリカフィラーは平均粒径１〜２０μｍで最大粒径５０μｍ以下のものである。平均粒径が１μｍ以下だと粘度が高くなり、２０μｍ以上だと塗布又は硬化時に樹脂分が流出するのでブリードが発生するため好ましくない。最大粒径が５０μｍを越えるとディスペンサーでペーストを塗布するときに、ニードルの出口を塞ぎ長時間の連続使用ができない。又比較的粗いシリカフィラーと細かいシリカフィラーとを混合して用いることもでき、形状についても各種のものを適宜混合してもよい。
【００１９】
又、必要とされる特性を付与するために本発明以外の無機フィラーを添加してもよい。
【００２０】
本発明における樹脂ペーストには、必要により用途に応じた特性を損なわない範囲内で、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤、顔料、染料、消泡剤、界面活性剤、溶剤等の添加剤を用いることができる。本発明の製造法としては、例えば各成分を予備混合し、三本ロール等を用いて混練してペーストを得た後、真空下脱抱すること等がある。
【００２１】
本発明の半導体用樹脂ペーストを用いて製作された半導体装置は、オーブン硬化での速硬化が可能で、熱次接着強度の低下がなく、大型チップと銅フレーム等の組み合わせでも反りがないため、信頼性の高い半導体装置を得ることが出来る。半導体用樹脂ペーストを用いて半導体装置を製作する方法は公知の方法を用いることが出来る。
【００２２】
【実施例】
本発明を実施例で具体的に説明する。各成分の配合割合は重量部とする。
【００２３】
＜実施例１〜７及び比較例１〜８＞
表１及び表２に示した組成の各成分と無機フィラーを配合し、三本ロールで混練して樹脂ペーストを得た。この樹脂ペーストを真空チャンバーにて２ｍｍＨｇで３０分間脱泡した後、以下の方法により各種の性能を評価した。評価結果を表１及び表２に示す。
【００２４】
【００２６】
＜評価方法＞
・粘度：Ｅ型粘度計（３°コーン）を用い２５℃、２．５ｒｐｍでの値を測定し粘度とした。
・弾性率：テフロンシート上にペーストを幅１０ｍｍ長さ約１５０ｍｍ厚さ１００μｍに塗布し、２００℃オーブン中３０分間硬化した後、引っ張り試験機で試験長１００ｍｍ引っ張り速度１ｍｍ／分にて測定し得られた応力―ひずみ曲線の初期勾配より弾性率を算出した。
・接着強度：２×２ｍｍのシリコンチップをペーストを用いて銅フレームにマウントし２００℃中３０分間オーブン中で硬化した。硬化後マウント強度測定装置でを用い２５℃，２５０℃での熱時ダイシェア強度を測定した。
・反り量：６×１５×０．３ｍｍシリコンチップを銅フレーム（２００μｍ厚さ）に導電性樹脂ペーストでマウントし、２００℃２０分間硬化した後、チップの反りを表面粗さ計（測定長１３ｍｍ）で測定した。
・ポットライフ：２５℃の恒温槽内に樹脂ペーストを放置した時の粘度が初期粘度の１．２倍以上増粘するまでの日数を測定した。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【表２】
【００２９】
実施例１〜７では熱時接着強度、低応力性（低弾性率、低反り量）及びポットライフが長い優れたペーストが得られるが、比較例１はビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を使用したため低応力性が悪く、反り量が大きくなりチップクラックが発生した。比較例２はビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を使用したため低応力性が悪く、反り量が大きくなりチップクラックが発生した。比較例３は反応性希釈剤の配合量が多く、接着強度が著しく低下した。比較例４は反応性希釈剤の配合量が少なく、粘度が著しく高くなり作業性が低下した。比較例５は潜在性硬化剤の配合量が少なく、接着強度が著しく低下した。比較例６は潜在性硬化剤の配合量が多く、反り量が大きくなりチップクラックが発生した。比較例７はイミダゾール化合物の配合量が少なく、接着強度が著しく低下した。比較例８はイミダゾール化合物の配合量が多く、ポットライフが著しく短くなった。
【００３０】
【発明の効果】
本発明の半導体用樹脂ペーストは、オーブン硬化での速硬化が可能で、熱時接着強度が高く、かつ応力緩和性に優れているため、ＩＣ等の大型チップと銅フレームとの接着に適しており、ＩＣ組立工程でのチップクラックやチップ歪みによるＩＣ等の特性不良を防止でき、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【発明の属する技術分野】
本発明はＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子を金属フレーム等に接着する樹脂ペーストに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
エレクトロニクス業界の最近の著しい発展により、トランジスター、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩと進化してきており、これら半導体素子に於ける回路の集積度が急激に増大すると共に大量生産が可能となり、これらを用いた半導体製品の普及に伴って、その量産に於ける作業性の向上並びにコストダウンが重要な問題となってきた。従来は半導体素子を金属フレームなどの導体にＡｕ−Ｓｉ共晶法により接合し、次いでハーメチックシールによって封止して、半導体製品とするのが普通であった。しかし量産時の作業性、コストの面より、樹脂封止法が開発され、現在は一般化されている。これに伴い、マウント工程に於けるＡｕ−Ｓｉ共晶法の改良としてハンダ材料や樹脂ペースト即ちマウント用樹脂による方法が取り上げられるようになった。
【０００３】
しかし、ハンダ法では信頼性が低いこと、素子の電極の汚染を起こし易いこと等が欠点とされ、高熱伝導性を要するパワートランジスター、パワーＩＣの素子に使用が限られている。これに対しマウント用樹脂はハンダ法に較べ、作業性に於いても信頼性等に於いても優れており、その需要が急激に増大している。
【０００４】
更に近年、ＩＣ等の集積度の高密度化により、チップが大型化してきており、一方従来用いられてきたリードフレームである４２合金フレームが高価なことより、コストダウンの目的から銅フレームが用いられるようになってきた。ここでＩＣ等のチップの大きさが約４〜５ｍｍ角より大きくなると、ＩＣ等の組立工程での加熱により、マウント法としてＡｕ−Ｓｉ共晶法を用いると、チップの熱膨張率と銅フレームの熱膨張率との差からチップのクラックや反りによる特性不良が問題となってきている。
【０００５】
即ちこれは、チップの材料であるシリコン等の熱膨張率が３×１０−６／℃であるのに対し、４２合金フレームでは８×１０−６／℃であるが、銅フレームでは２０×１０−６／℃と大きくなる為である。これに対し、マウント法としてマウント用樹脂を用いることが考えられるが、従来のエポキシ樹脂系ペーストでは、熱硬化性樹脂で三次元硬化する為、弾性率が高く、チップと銅フレームとの歪を吸収するには至らなかった。
【０００６】
また、硬化時に架橋密度を小さくするようなエポキシ樹脂、例えばエポキシモノマーを多量に含むものを使用すれば弾性率を低くできるが、接着強度が低下するという欠点があった。更に通常のエポキシ樹脂は粘度が高く、これに無機フィラーを配合すると粘度が高くなりすぎ、ディスペンス時の糸ひきが発生し作業性が悪くなる。作業性を改良するために多量の溶剤を添加するとボイドが発生するという問題があった。
また従来のマウント用樹脂は硬化に１５０〜２００℃のオーブンで１〜２時間加熱処理する必要があった。最近では半導体組立工程の合理化のため、オーブンで３０分以内に硬化するインライン化の要求が高まっている。速硬化にするためには、硬化促進剤を多量に添加する方法があるが、常温または低温での保存性、すなわちポットライフやシェルライフが短くなり、１液タイプでは実用性がなく、熱時の接着強度も低いという欠点があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、熱時接着強度を低下させないで、ＩＣ等の大型チップと銅フレーム等の組合せでもチップクラックや反りによるＩＣ等の特性不良が起こらず、速硬化でかつボイドの発生のない樹脂ペーストを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、熱時接着強度を低下させないで低弾性率化をはかったもので、一般式（１）の構造を有する液状エポキシ樹脂とエポキシ基を有する反応性希釈剤の重量比が６０：４０〜９０：１０である（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）潜在性硬化剤、（Ｃ）イミダゾール化合物、（Ｄ）無機フィラーからなり、成分（Ａ）１００重量部に対し、成分（Ｂ）が０．５〜５重量部、成分（Ｃ）が０．５〜１０重量部である半導体用樹脂ペーストである。
また、上記の半導体用樹脂ペーストを用いて製作された半導体装置である。
【０００９】
【化１】
【発明の実施の形態】
本発明に用いるエポキシ樹脂（Ａ）は、一般式（１）の構造を有する液状エポキシ樹脂とエポキシ基を有する反応性希釈剤の重量比が６０：４０〜９０：１０である液状のエポキシ樹脂である。一般式（１）で示されるものは分子量により各種のものがあるが、分子量が小さく常温で液状のものが、配合するときの作業性及び配合後の粘度の点から好ましい。
【００１１】
一般式（１）で示される液状エポキシ樹脂と混合するエポキシ基を有する反応性希釈剤には、例えば、ｎ−ブチルグリシジルエーテル、バーサティック酸グリシジルエステル、スチレンオサイド、エチルヘキシルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、ブチルフェニルグリシジルエーテル等があり、これらの内の１種類あるいは複数種と併用可能である。
【００１２】
一般式（１）で示される液状エポキシ樹脂とエポキシ基を有する反応性希釈剤の重量比は６０：４０〜９０：１０であることが好ましい。反応性希釈剤の重量比が４０を越えると接着強度が弱く、１０未満では樹脂ペーストとしたときに粘度が高くなり作業性が低下する。
【００１３】
本発明においては他のエポキシ樹脂を混合して用いてもよい。上記エポキシ樹脂と混合する場合の他のエポキシ樹脂としては，例えばビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェノールノボラック、クレゾールノボラック類とエピクロルヒドリンとの反応により得られるポリグリシジルエーテル、ブタンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル等の脂肪族エポキシ、ジグリシジルヒダントイン等の複素環式エポキシ、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、ジシクロペンタジエンジオキサイド、アリサイクリックジエポキシーアジペイトのような脂環式エポキシがあり、これらの内の１種類あるいは複数種と併用可能である。
【００１４】
本発明に用いる潜在性硬化剤（Ｂ）は、エポキシ樹脂の硬化剤として用いられ、例えばアジピン酸ジヒドラジド、ドデカン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、Ｐ−オキシ安息香酸ジヒドラジド等のカルボン酸ジヒドラジドやジシアンジアミド等の潜在性硬化剤である。潜在性硬化剤を用いるとフェノール硬化剤単独で硬化した場合に比べ著しく熱時接着強度が高くなる。又潜在性硬化剤はフェノール硬化剤よりも当量が小さいため、併用することにより粘度がそれ程高くなく、又潜在性であるため保存性にも優れたペーストを得ることができる。潜在性硬化剤（Ｂ）の配合量は全エポキシ樹脂に対し、０．５〜５重量部使用するのが好ましい。０．５重量部未満では熱時接着強度が弱く、５重量部を越えると低応力性が低下する。
【００１５】
本発明においては，速硬化を可能とするためイミダゾール化合物（Ｃ）を使用することを必須としている。一般にイミダゾール化合物は、目的とする温度１７０〜２５０℃で硬化時間が短いことが知られている。イミダゾール化合物としては、例えば２−メチルイミダゾール，２−エチルイミダゾール，２−フェニルイミダゾール，２−フェニル−４−メチルイミダゾール，２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール，２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール，２−Ｃ１１Ｈ２３−イミダゾール等の一般的なイミダゾールやトリアジンやイソシアヌル酸を付加し、保存安定性を付与した２，４−ジアミノ−６−｛２−メチルイミダゾール−（１）｝−エチル−Ｓ−トリアジン，またそのイソシアネート付加物等があり、これらの内の１種類あるいは複数種と併用可能である。イミダゾール化合物の配合量は、全エポキシ樹脂に対し、０．５〜１０重量部使用するのが好ましい。０．５重量部未満では熱時接着強度が弱く、１０重量部を越えるとポットライフ著しく短くなる。
【００１６】
本発明に用いる無機フィラー（Ｄ）としては銀粉、シリカフィラー等がある。
【００１７】
銀粉は導電性を付与するために用いられ、ハロゲンイオン、アルカリ金属イオン等のイオン性不純物の含有量は１０ｐｐｍ以下であることが好ましい。又銀粉の形状としてはフレーク状、樹脂状や球状等が用いられる。必要とするペーストの粘度により、使用する銀粉の粒径は異なるが、通常平均粒径は２〜１０μｍ、最大粒径は５０μｍ程度のものが好ましい。又比較的粗い銀粉と細かい銀粉とを混合して用いることもでき、形状についても各種のものを適宜混合してもよい。
【００１８】
本発明に用いるシリカフィラーは平均粒径１〜２０μｍで最大粒径５０μｍ以下のものである。平均粒径が１μｍ以下だと粘度が高くなり、２０μｍ以上だと塗布又は硬化時に樹脂分が流出するのでブリードが発生するため好ましくない。最大粒径が５０μｍを越えるとディスペンサーでペーストを塗布するときに、ニードルの出口を塞ぎ長時間の連続使用ができない。又比較的粗いシリカフィラーと細かいシリカフィラーとを混合して用いることもでき、形状についても各種のものを適宜混合してもよい。
【００１９】
又、必要とされる特性を付与するために本発明以外の無機フィラーを添加してもよい。
【００２０】
本発明における樹脂ペーストには、必要により用途に応じた特性を損なわない範囲内で、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤、顔料、染料、消泡剤、界面活性剤、溶剤等の添加剤を用いることができる。本発明の製造法としては、例えば各成分を予備混合し、三本ロール等を用いて混練してペーストを得た後、真空下脱抱すること等がある。
【００２１】
本発明の半導体用樹脂ペーストを用いて製作された半導体装置は、オーブン硬化での速硬化が可能で、熱次接着強度の低下がなく、大型チップと銅フレーム等の組み合わせでも反りがないため、信頼性の高い半導体装置を得ることが出来る。半導体用樹脂ペーストを用いて半導体装置を製作する方法は公知の方法を用いることが出来る。
【００２２】
【実施例】
本発明を実施例で具体的に説明する。各成分の配合割合は重量部とする。
【００２３】
＜実施例１〜７及び比較例１〜８＞
表１及び表２に示した組成の各成分と無機フィラーを配合し、三本ロールで混練して樹脂ペーストを得た。この樹脂ペーストを真空チャンバーにて２ｍｍＨｇで３０分間脱泡した後、以下の方法により各種の性能を評価した。評価結果を表１及び表２に示す。
【００２４】
＜評価方法＞
・粘度：Ｅ型粘度計（３°コーン）を用い２５℃、２．５ｒｐｍでの値を測定し粘度とした。
・弾性率：テフロンシート上にペーストを幅１０ｍｍ長さ約１５０ｍｍ厚さ１００μｍに塗布し、２００℃オーブン中３０分間硬化した後、引っ張り試験機で試験長１００ｍｍ引っ張り速度１ｍｍ／分にて測定し得られた応力―ひずみ曲線の初期勾配より弾性率を算出した。
・接着強度：２×２ｍｍのシリコンチップをペーストを用いて銅フレームにマウントし２００℃中３０分間オーブン中で硬化した。硬化後マウント強度測定装置でを用い２５℃，２５０℃での熱時ダイシェア強度を測定した。
・反り量：６×１５×０．３ｍｍシリコンチップを銅フレーム（２００μｍ厚さ）に導電性樹脂ペーストでマウントし、２００℃２０分間硬化した後、チップの反りを表面粗さ計（測定長１３ｍｍ）で測定した。
・ポットライフ：２５℃の恒温槽内に樹脂ペーストを放置した時の粘度が初期粘度の１．２倍以上増粘するまでの日数を測定した。
【００２７】
【表１】
【表２】
実施例１〜７では熱時接着強度、低応力性（低弾性率、低反り量）及びポットライフが長い優れたペーストが得られるが、比較例１はビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を使用したため低応力性が悪く、反り量が大きくなりチップクラックが発生した。比較例２はビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を使用したため低応力性が悪く、反り量が大きくなりチップクラックが発生した。比較例３は反応性希釈剤の配合量が多く、接着強度が著しく低下した。比較例４は反応性希釈剤の配合量が少なく、粘度が著しく高くなり作業性が低下した。比較例５は潜在性硬化剤の配合量が少なく、接着強度が著しく低下した。比較例６は潜在性硬化剤の配合量が多く、反り量が大きくなりチップクラックが発生した。比較例７はイミダゾール化合物の配合量が少なく、接着強度が著しく低下した。比較例８はイミダゾール化合物の配合量が多く、ポットライフが著しく短くなった。
【００３０】
【発明の効果】
本発明の半導体用樹脂ペーストは、オーブン硬化での速硬化が可能で、熱時接着強度が高く、かつ応力緩和性に優れているため、ＩＣ等の大型チップと銅フレームとの接着に適しており、ＩＣ組立工程でのチップクラックやチップ歪みによるＩＣ等の特性不良を防止でき、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
Claims (2)
- 一般式（１）の構造を有する液状エポキシ樹脂とエポキシ基を有する反応性希釈剤の重量比が６０：４０〜９０：１０である（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）潜在性硬化剤、（Ｃ）イミダゾール化合物、（Ｄ）無機フィラーからなり、成分（Ａ）１００重量部に対し、成分（Ｂ）が０．５〜５重量部、成分（Ｃ）が０．５〜１０重量部であることを特徴とする半導体用樹脂ペースト。
- 請求項１記載の半導体用樹脂ペーストを用いて製作された半導体装置。
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-
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