JP2003138244A - 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 - Google Patents
半導体用樹脂ペースト及び半導体装置Info
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- JP2003138244A JP2003138244A JP2001339018A JP2001339018A JP2003138244A JP 2003138244 A JP2003138244 A JP 2003138244A JP 2001339018 A JP2001339018 A JP 2001339018A JP 2001339018 A JP2001339018 A JP 2001339018A JP 2003138244 A JP2003138244 A JP 2003138244A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱伝導性、接着性と作業性に優れた絶縁性半
導体用樹脂ペーストを提供する。 【解決手段】 （Ａ）熱硬化性樹脂と（Ｂ）フィラーか
らなる半導体用樹脂ペーストにおいて、（Ｂ）フィラー
１００重量部中に、金属粉を有機樹脂で被覆したフィラ
ーを３０重量部以上含み、（Ｂ）フィラーの平均粒径が
０．３〜２０μmであり、且つ最大粒径が５０μm以下で
ある絶縁性半導体用樹脂ペーストである。また、絶縁性
半導体用樹脂ペーストを用いて製作された半導体装置で
ある。
導体用樹脂ペーストを提供する。 【解決手段】 （Ａ）熱硬化性樹脂と（Ｂ）フィラーか
らなる半導体用樹脂ペーストにおいて、（Ｂ）フィラー
１００重量部中に、金属粉を有機樹脂で被覆したフィラ
ーを３０重量部以上含み、（Ｂ）フィラーの平均粒径が
０．３〜２０μmであり、且つ最大粒径が５０μm以下で
ある絶縁性半導体用樹脂ペーストである。また、絶縁性
半導体用樹脂ペーストを用いて製作された半導体装置で
ある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等の
半導体素子を金属フレーム、有機基板等に接着する絶縁
性半導体用樹脂ペーストに関するものである。
半導体素子を金属フレーム、有機基板等に接着する絶縁
性半導体用樹脂ペーストに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣ等の半導体素子をリードフレ
ームに接着する方法として半導体用樹脂ペーストが一般
的に使用されている。近年の電子機器の小型軽量化、高
機能化の動向に対応して、半導体装置の小型化、薄型
化、狭ピッチ化が益々加速する方向にある。半導体素子
では、細線化や高速化により発熱量が増加する傾向にあ
り、半導体用樹脂ペーストには高熱伝導性が求められる
ようになってきた。フィラーとして金属粉を用いる導電
性樹脂ペーストの場合は、金属粉を高充填化することで
高熱伝導化が可能であるが、絶縁性の樹脂ペーストでは
セラミック系のフィラーや有機フィラーが用いられるた
め、フィラーの熱伝導率が低く、高熱伝導化が困難であ
った。また、熱伝導率を向上させるためにフィラーを高
充填化すると、リードフレームや半導体素子と半導体用
樹脂ペーストとの密着性が低下してしまうといった問題
や、粘度が上昇してしまい樹脂ペーストの塗布作業性が
劣るといった問題があった。このため、塗布作業性と接
着強度に優れた絶縁性の高熱伝導半導体用樹脂ペースト
が求められていた。
ームに接着する方法として半導体用樹脂ペーストが一般
的に使用されている。近年の電子機器の小型軽量化、高
機能化の動向に対応して、半導体装置の小型化、薄型
化、狭ピッチ化が益々加速する方向にある。半導体素子
では、細線化や高速化により発熱量が増加する傾向にあ
り、半導体用樹脂ペーストには高熱伝導性が求められる
ようになってきた。フィラーとして金属粉を用いる導電
性樹脂ペーストの場合は、金属粉を高充填化することで
高熱伝導化が可能であるが、絶縁性の樹脂ペーストでは
セラミック系のフィラーや有機フィラーが用いられるた
め、フィラーの熱伝導率が低く、高熱伝導化が困難であ
った。また、熱伝導率を向上させるためにフィラーを高
充填化すると、リードフレームや半導体素子と半導体用
樹脂ペーストとの密着性が低下してしまうといった問題
や、粘度が上昇してしまい樹脂ペーストの塗布作業性が
劣るといった問題があった。このため、塗布作業性と接
着強度に優れた絶縁性の高熱伝導半導体用樹脂ペースト
が求められていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、熱伝
導性、接着性と作業性に優れた絶縁性半導体用樹脂ペー
ストを提供することにある。
導性、接着性と作業性に優れた絶縁性半導体用樹脂ペー
ストを提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）熱硬化
性樹脂と（Ｂ）フィラーからなる絶縁性半導体用樹脂ペ
ーストにおいて、（Ｂ）フィラー１００重量部中に、金
属粉を有機樹脂で被覆したフィラーを３０重量部以上含
む絶縁性半導体用樹脂ペーストである。更に好ましい形
態としては、（Ｂ）フィラーの平均粒径が０．３〜２０
μmであり、且つ最大粒径が５０μm以下であり、フィラ
ー中の金属粉に有機樹脂で被覆したフィラーの金属粉が
銀粉又は／及び銅粉である絶縁性半導体用樹脂ペースト
である。また、上記に記載の絶縁性半導体用樹脂ペース
トを用いて製作された半導体装置である。
性樹脂と（Ｂ）フィラーからなる絶縁性半導体用樹脂ペ
ーストにおいて、（Ｂ）フィラー１００重量部中に、金
属粉を有機樹脂で被覆したフィラーを３０重量部以上含
む絶縁性半導体用樹脂ペーストである。更に好ましい形
態としては、（Ｂ）フィラーの平均粒径が０．３〜２０
μmであり、且つ最大粒径が５０μm以下であり、フィラ
ー中の金属粉に有機樹脂で被覆したフィラーの金属粉が
銀粉又は／及び銅粉である絶縁性半導体用樹脂ペースト
である。また、上記に記載の絶縁性半導体用樹脂ペース
トを用いて製作された半導体装置である。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明で用いられる有機樹脂で被
覆した金属粉は、フィラーの熱伝導性が優れているた
め、このフィラーを充填した半導体用樹脂ペーストは熱
伝導性に優れ、且つ絶縁性という特徴がある。また、高
充填化しなくても熱伝導率が良好であり、樹脂ペースト
の粘度を低く出来るため、塗布作業性、接着強度に優れ
るという特徴がある。
覆した金属粉は、フィラーの熱伝導性が優れているた
め、このフィラーを充填した半導体用樹脂ペーストは熱
伝導性に優れ、且つ絶縁性という特徴がある。また、高
充填化しなくても熱伝導率が良好であり、樹脂ペースト
の粘度を低く出来るため、塗布作業性、接着強度に優れ
るという特徴がある。
【０００６】本発明に用いる熱硬化性樹脂（Ａ）は、樹
脂、硬化剤、硬化促進剤等からなる一般的な熱硬化性樹
脂であり、特に限定されるものではないがペーストを形
成する材料であることから樹脂としては室温で液状であ
ることが望ましい。
脂、硬化剤、硬化促進剤等からなる一般的な熱硬化性樹
脂であり、特に限定されるものではないがペーストを形
成する材料であることから樹脂としては室温で液状であ
ることが望ましい。
【０００７】本発明に用いられる液状の樹脂としては、
例えば、液状のシアネート樹脂、液状エポキシ樹脂とし
てはビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノール
Ｆ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、
脂環式エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、グリシジル
アミン型の液状エポキシ樹脂、ラジカル重合性の各種ア
クリル樹脂、アリール基を有するトリアリールイソシア
ヌレートなどが挙げられる。
例えば、液状のシアネート樹脂、液状エポキシ樹脂とし
てはビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノール
Ｆ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、
脂環式エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、グリシジル
アミン型の液状エポキシ樹脂、ラジカル重合性の各種ア
クリル樹脂、アリール基を有するトリアリールイソシア
ヌレートなどが挙げられる。
【０００８】シアネート樹脂の硬化触媒としては、例え
ば、銅アセチルアセトナート、亜鉛アセチルアセトナー
ト等の金属錯体が挙げられる。エポキシ樹脂の硬化剤と
しては、例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、ジシア
ンジアミド、ジカルボン酸ジヒドラジド化合物、フェノ
ール樹脂等が例として挙げられる。ジヒドラジド化合物
の例としては、アジピン酸ジヒドラジド、ドデカン酸ジ
ヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、P-オキシ安息
香酸ジヒドラジド等のカルボン酸ジヒドラジドなどが挙
げられる。
ば、銅アセチルアセトナート、亜鉛アセチルアセトナー
ト等の金属錯体が挙げられる。エポキシ樹脂の硬化剤と
しては、例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、ジシア
ンジアミド、ジカルボン酸ジヒドラジド化合物、フェノ
ール樹脂等が例として挙げられる。ジヒドラジド化合物
の例としては、アジピン酸ジヒドラジド、ドデカン酸ジ
ヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、P-オキシ安息
香酸ジヒドラジド等のカルボン酸ジヒドラジドなどが挙
げられる。
【０００９】硬化促進剤兼硬化剤としては各種のイミダ
ゾール化合物あり、その例としては、２−メチルイミダ
ゾール，２−エチルイミダゾール，２−フェニルイミダ
ゾール，２−フェニル−４−メチルイミダゾール，２−
フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾ
ール，２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミ
ダゾール，２−Ｃ11Ｈ23−イミダゾール等の一般的なイ
ミダゾールやトリアジンやイソシアヌル酸を付加し、保
存安定性を付与した２，４−ジアミノ−６−｛２−メチ
ルイミダゾール−（１）｝−エチル−Ｓ−トリアジン、
またそのイソシアネート付加物等があり、これらは何れ
も１種類あるいは複数種と併用して使うことが可能であ
る。
ゾール化合物あり、その例としては、２−メチルイミダ
ゾール，２−エチルイミダゾール，２−フェニルイミダ
ゾール，２−フェニル−４−メチルイミダゾール，２−
フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾ
ール，２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミ
ダゾール，２−Ｃ11Ｈ23−イミダゾール等の一般的なイ
ミダゾールやトリアジンやイソシアヌル酸を付加し、保
存安定性を付与した２，４−ジアミノ−６−｛２−メチ
ルイミダゾール−（１）｝−エチル−Ｓ−トリアジン、
またそのイソシアネート付加物等があり、これらは何れ
も１種類あるいは複数種と併用して使うことが可能であ
る。
【００１０】本発明においては室温で固体の熱硬化性樹
脂成分を特性低下が起きない程度に混合して用いること
も充分可能である。例えば、ビスフェノールＡ、ビスフ
ェノールＦ、フェノールノボラック、クレゾールノボラ
ック類とエピクロルヒドリンとの反応により得られるポ
リグリシジルエーテル、ブタンジオールジグリシジルエ
ーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル
等の脂肪族エポキシ、ジグリシジルヒダントイン等の複
素環式エポキシ、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、
ジシクロペンタジエンジオキサイド、アリサイクリック
ジエポキシーアジペイトのような脂環式エポキシがあ
り、これらの内の１種類あるいは複数種と併用可能であ
る。
脂成分を特性低下が起きない程度に混合して用いること
も充分可能である。例えば、ビスフェノールＡ、ビスフ
ェノールＦ、フェノールノボラック、クレゾールノボラ
ック類とエピクロルヒドリンとの反応により得られるポ
リグリシジルエーテル、ブタンジオールジグリシジルエ
ーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル
等の脂肪族エポキシ、ジグリシジルヒダントイン等の複
素環式エポキシ、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、
ジシクロペンタジエンジオキサイド、アリサイクリック
ジエポキシーアジペイトのような脂環式エポキシがあ
り、これらの内の１種類あるいは複数種と併用可能であ
る。
【００１１】本発明に用いるフィラー（Ｂ）において、
金属粉に有機樹脂で被覆したフィラーの金属粉として、
例えば、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄等の
粉末及び錫−鉛や錫−銀、錫−銀−ビスマス等の半田粉
等があるが、入手のし易さ、形状、粒径の多様さ、価
格、熱伝導性から銀粉、銅粉が特に好ましい。被覆する
有機樹脂には熱硬化樹脂と熱可塑樹脂があり、熱硬化樹
脂としては、例えば、フェノール樹脂、メラミン樹脂、
ユリア樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、エポキシ樹脂、ア
クリル樹脂、ポリイミド樹脂等があり、熱可塑樹脂とし
てはポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエス
テル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアセタール樹
脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリ
フェニレンオキサイド樹脂、ポリテトラフロロエチレン
等のフッ素樹脂がある。熱硬化樹脂は金属粉を被覆後、
硬化させたものが望ましく、熱可塑樹脂の場合は金属粉
を被覆し且つ絶縁性を保つため、融点が１８０℃以上が
望ましい。１８０℃以下では硬化時や半導体素子の封止
時に被覆が溶けたり膜厚が薄くなり、絶縁性を保てなく
なるため好ましくない。有機樹脂は金属粉全体を被覆し
ていることが望ましく、被覆に欠陥があると絶縁性を保
てないため、好ましくない。有機樹脂で金属粉を被覆す
る方法としては、金属粉を完全に被覆可能であれば特定
する方法は無いが、界面重合法、ｉｎ ｓｉｔｕ重合
法、液中硬化被覆法等の化学的マイクロカプセル化法や
気中懸濁被覆法、スプレードライ法等の物理的・機械的
製法、又は界面沈澱法等の物理化学的製法がある。
金属粉に有機樹脂で被覆したフィラーの金属粉として、
例えば、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄等の
粉末及び錫−鉛や錫−銀、錫−銀−ビスマス等の半田粉
等があるが、入手のし易さ、形状、粒径の多様さ、価
格、熱伝導性から銀粉、銅粉が特に好ましい。被覆する
有機樹脂には熱硬化樹脂と熱可塑樹脂があり、熱硬化樹
脂としては、例えば、フェノール樹脂、メラミン樹脂、
ユリア樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、エポキシ樹脂、ア
クリル樹脂、ポリイミド樹脂等があり、熱可塑樹脂とし
てはポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエス
テル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアセタール樹
脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリ
フェニレンオキサイド樹脂、ポリテトラフロロエチレン
等のフッ素樹脂がある。熱硬化樹脂は金属粉を被覆後、
硬化させたものが望ましく、熱可塑樹脂の場合は金属粉
を被覆し且つ絶縁性を保つため、融点が１８０℃以上が
望ましい。１８０℃以下では硬化時や半導体素子の封止
時に被覆が溶けたり膜厚が薄くなり、絶縁性を保てなく
なるため好ましくない。有機樹脂は金属粉全体を被覆し
ていることが望ましく、被覆に欠陥があると絶縁性を保
てないため、好ましくない。有機樹脂で金属粉を被覆す
る方法としては、金属粉を完全に被覆可能であれば特定
する方法は無いが、界面重合法、ｉｎ ｓｉｔｕ重合
法、液中硬化被覆法等の化学的マイクロカプセル化法や
気中懸濁被覆法、スプレードライ法等の物理的・機械的
製法、又は界面沈澱法等の物理化学的製法がある。
【００１２】本発明に用いる有機樹脂を被覆した金属粉
以外のフィラーとしては、例えば、溶融シリカ、結晶シ
リカ、窒化珪素、アルミナ、窒化アルミ、タルク等の無
機フィラーやシリコーン樹脂、ポリテトラフロロエチレ
ン等のフッ素樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアク
リル樹脂、ベンゾグアナミンやメラミンとホルムアルデ
ヒドとの架橋物等の有機フィラーが挙げられる。また、
粒径が１〜１００ｎｍ程度のナノスケールフィラーやシ
リカとアクリル複合材のような有機と無機の複合フィラ
ーがある。使用するフィラーは、ハロゲンイオン、アル
カリ金属イオン等のイオン性不純物の含有量は１０ｐｐ
ｍ以下であることが好ましい。又形状としてはフレーク
状、鱗片状、樹脂状や球状等が用いられる。必要とする
ペーストの粘度により、使用する粒径は異なるが、通常
平均粒径は０．３〜２０μｍ、最大粒径は５０μｍ程度
のものが好ましい。平均粒径が０．３μｍ未満だと粘度
が高くなり、２０μｍを越えると塗布又は硬化時に樹脂
分が流出するのでブリードが発生するため好ましくな
い。最大粒径が５０μｍを越えるとディスペンサーでペ
ーストを塗布するときに、ニードルの出口を塞ぎ長時間
の連続使用ができない。又比較的粗いフィラーと細かい
フィラーとを混合して用いることもでき、種類、形状に
ついても各種のものを適宜混合してもよい。尚、本発明
のフィラーは、予め表面をアルコキシシラン、アシロキ
シシラン、シラザン、オルガノアミノシラン等のシラン
カップリング材等で処理したものを用いてもよい。
以外のフィラーとしては、例えば、溶融シリカ、結晶シ
リカ、窒化珪素、アルミナ、窒化アルミ、タルク等の無
機フィラーやシリコーン樹脂、ポリテトラフロロエチレ
ン等のフッ素樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアク
リル樹脂、ベンゾグアナミンやメラミンとホルムアルデ
ヒドとの架橋物等の有機フィラーが挙げられる。また、
粒径が１〜１００ｎｍ程度のナノスケールフィラーやシ
リカとアクリル複合材のような有機と無機の複合フィラ
ーがある。使用するフィラーは、ハロゲンイオン、アル
カリ金属イオン等のイオン性不純物の含有量は１０ｐｐ
ｍ以下であることが好ましい。又形状としてはフレーク
状、鱗片状、樹脂状や球状等が用いられる。必要とする
ペーストの粘度により、使用する粒径は異なるが、通常
平均粒径は０．３〜２０μｍ、最大粒径は５０μｍ程度
のものが好ましい。平均粒径が０．３μｍ未満だと粘度
が高くなり、２０μｍを越えると塗布又は硬化時に樹脂
分が流出するのでブリードが発生するため好ましくな
い。最大粒径が５０μｍを越えるとディスペンサーでペ
ーストを塗布するときに、ニードルの出口を塞ぎ長時間
の連続使用ができない。又比較的粗いフィラーと細かい
フィラーとを混合して用いることもでき、種類、形状に
ついても各種のものを適宜混合してもよい。尚、本発明
のフィラーは、予め表面をアルコキシシラン、アシロキ
シシラン、シラザン、オルガノアミノシラン等のシラン
カップリング材等で処理したものを用いてもよい。
【００１３】本発明の半導体用樹脂ペーストは、
（Ａ）、（Ｂ）成分、及びその他の添加剤等を予備混合
し、ロール等を用いて混練した後、真空下脱泡する等の
製造方法で得られる。半導体装置の製造方法は公知の方
法を用いることができる。
（Ａ）、（Ｂ）成分、及びその他の添加剤等を予備混合
し、ロール等を用いて混練した後、真空下脱泡する等の
製造方法で得られる。半導体装置の製造方法は公知の方
法を用いることができる。
【００１４】
【実施例】以下に実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明する。 ＜実施例１〜７＞実施例１〜７は表１に示した組成の各
成分とフィラーを配合し、３本ロールで混練して樹脂ペ
ーストを得た。この樹脂ペーストを真空チャンバーにて
２ｍｍＨｇで３０分間脱泡した後、以下の方法により各
種の性能を評価した。実施例の評価結果を表１に示す。
的に説明する。 ＜実施例１〜７＞実施例１〜７は表１に示した組成の各
成分とフィラーを配合し、３本ロールで混練して樹脂ペ
ーストを得た。この樹脂ペーストを真空チャンバーにて
２ｍｍＨｇで３０分間脱泡した後、以下の方法により各
種の性能を評価した。実施例の評価結果を表１に示す。
【００１５】＜用いる原料成分＞
・液状エポキシ樹脂：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂
（粘度４．０Ｐａ・ｓ／２５℃、エポキシ当量１７０）
（以下、ＢＰＦＥＰという） ・フェノール樹脂：フェノールノボラック樹脂（軟化点
１１０℃、水酸基当量１０５）（以下、ＰＮという） ・ジシアンジアミド（以下、ＤＤＡという） ・２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイ
ミダゾール（以下、２Ｐ４ＭＨＺという） ・シアネートＬ−１０
（粘度４．０Ｐａ・ｓ／２５℃、エポキシ当量１７０）
（以下、ＢＰＦＥＰという） ・フェノール樹脂：フェノールノボラック樹脂（軟化点
１１０℃、水酸基当量１０５）（以下、ＰＮという） ・ジシアンジアミド（以下、ＤＤＡという） ・２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイ
ミダゾール（以下、２Ｐ４ＭＨＺという） ・シアネートＬ−１０
【化１】
【００１６】・ナフテン酸コバルト
・ウレタンアクリレート（東亞合成株式会社製、アロニ
ックスRＭ−１６００） ・１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，
５−トリメチルシクロヘキサン（以下、パーヘキサ３
Ｍ） ・無機フィラー 被覆銀粉−１：平均粒径３．０μｍで、最大粒径３０μ
ｍのフレーク状銀粉を熱硬化樹脂のエポキシ樹脂（ビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂とジアミノジフェニルメタ
ンの混合物）で被覆し、樹脂を硬化させたフィラーで被
覆した樹脂の膜厚は１μｍ 被覆銀粉―２：平均粒径３．０μｍで、最大粒径３０μ
ｍのフレーク状銀粉を熱可塑樹脂のポリアミド樹脂（ナ
イロン６６、融点２６５℃）で被覆したフィラーで被覆
した樹脂の膜厚は１μｍ 被覆銅粉：平均粒径３．０μｍで、最大粒径３０μｍの
フレーク状銅粉を熱硬化樹脂のエポキシ樹脂（ビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂とジアミノジフェニルメタンの
混合物）で被覆し、樹脂を硬化させたフィラーで被覆し
た樹脂の膜厚は１μｍ シリカ：平均粒径１．５μｍで、最大粒径２０μｍのシ
リカ粉 窒化アルミ：平均粒径２．０μｍで、最大粒径２０μｍ
の窒化アルミ粉
ックスRＭ−１６００） ・１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，
５−トリメチルシクロヘキサン（以下、パーヘキサ３
Ｍ） ・無機フィラー 被覆銀粉−１：平均粒径３．０μｍで、最大粒径３０μ
ｍのフレーク状銀粉を熱硬化樹脂のエポキシ樹脂（ビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂とジアミノジフェニルメタ
ンの混合物）で被覆し、樹脂を硬化させたフィラーで被
覆した樹脂の膜厚は１μｍ 被覆銀粉―２：平均粒径３．０μｍで、最大粒径３０μ
ｍのフレーク状銀粉を熱可塑樹脂のポリアミド樹脂（ナ
イロン６６、融点２６５℃）で被覆したフィラーで被覆
した樹脂の膜厚は１μｍ 被覆銅粉：平均粒径３．０μｍで、最大粒径３０μｍの
フレーク状銅粉を熱硬化樹脂のエポキシ樹脂（ビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂とジアミノジフェニルメタンの
混合物）で被覆し、樹脂を硬化させたフィラーで被覆し
た樹脂の膜厚は１μｍ シリカ：平均粒径１．５μｍで、最大粒径２０μｍのシ
リカ粉 窒化アルミ：平均粒径２．０μｍで、最大粒径２０μｍ
の窒化アルミ粉
【００１７】＜評価方法＞
・粘度：Ｅ型粘度計（３°コーン）を用い２５℃、２．
５ｒｐｍでの値を測定し粘度とした。 ・チキソ比： Ｅ型粘度計（３°コーン）を用い２５℃
でのチキソ比（０．５ｒｐｍでの粘度／２．５ｒｐｍで
の粘度）を計算した。 ・熱伝導率：半導体樹脂ペーストを型に入れて２００℃
６０分で硬化させて１０ｍｍφ、厚み１ｍｍの硬化物を
作成した。この硬化物の熱伝導率をレーザーフラッ シ
ュ方で測定した。 ・接着強度：６×６ｍｍのシリコンチップを半導体用樹
脂ペーストを用いて銅フレームにマウントし、オーブン
を使用し２００℃６０分で硬化させた。硬化後マウ ン
ト強度測定装置を用い２５０℃での熱時ダイシェア強度
を測定した。
５ｒｐｍでの値を測定し粘度とした。 ・チキソ比： Ｅ型粘度計（３°コーン）を用い２５℃
でのチキソ比（０．５ｒｐｍでの粘度／２．５ｒｐｍで
の粘度）を計算した。 ・熱伝導率：半導体樹脂ペーストを型に入れて２００℃
６０分で硬化させて１０ｍｍφ、厚み１ｍｍの硬化物を
作成した。この硬化物の熱伝導率をレーザーフラッ シ
ュ方で測定した。 ・接着強度：６×６ｍｍのシリコンチップを半導体用樹
脂ペーストを用いて銅フレームにマウントし、オーブン
を使用し２００℃６０分で硬化させた。硬化後マウ ン
ト強度測定装置を用い２５０℃での熱時ダイシェア強度
を測定した。
【００１８】
【表１】
【００１９】＜比較例１〜１２＞表２に示す配合割合に
基づき実施例と同様にして半導体用樹脂ペーストを得、
実施例１と同様にして評価した。結果を表２に示す。
基づき実施例と同様にして半導体用樹脂ペーストを得、
実施例１と同様にして評価した。結果を表２に示す。
【００２０】
【表２】
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、熱伝導性、接着性に優
れ、且つ塗布作業性に優れた絶縁性半導体用樹脂ペース
ト、及びこれを用いた半導体装置が得られる。
れ、且つ塗布作業性に優れた絶縁性半導体用樹脂ペース
ト、及びこれを用いた半導体装置が得られる。
Claims (4)
- 【請求項１】 （Ａ）熱硬化性樹脂と（Ｂ）フィラーか
らなる半導体用樹脂ペーストにおいて、（Ｂ）フィラー
１００重量部中に、金属粉を有機樹脂で被覆したフィラ
ーを３０重量部以上含むことを特徴とする絶縁性半導体
用樹脂ペースト。 - 【請求項２】 （Ｂ）フィラーの平均粒径が０．３〜２
０μmであり、且つ最大粒径が５０μm以下である請求項
１記載の絶縁性半導体用樹脂ペースト。 - 【請求項３】 （Ｂ）フィラー中の金属粉に有機樹脂で
被覆したフィラーの金属粉が銀粉又は／及び銅粉である
請求項１又は２記載の絶縁性半導体用樹脂ペースト。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の絶縁性
半導体用樹脂ペーストを用いて製作された半導体装置。
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