JP5061760B2 - ダイアタッチペースト及び半導体装置 - Google Patents
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Description
[1]半導体素子を金属フレーム又は有機基板に接着するダイアタッチペーストであって、(A)熱硬化性樹脂組成物と(B)有機樹脂粒子とを含み、(A)熱硬化性樹脂組成物が液状エポキシ樹脂、硬化剤及び/又は硬化促進剤を含み、(B)有機樹脂粒子がシロキサン結合を三次元網目状に架橋した構造を持つポリオルガノシルセスキオキサン硬化物粉末である絶縁性ダイアタッチペースト。
[2](B)有機樹脂粒子が、平均粒径が0.5〜15μmで且つ最大粒径が50μm以下である[1]項記載の絶縁性半導体樹脂ペースト、
[3] [1]又は[2]項記載の半導体樹脂ペーストを用いて製作されてなる半導体装置、である。
有機樹脂粒子と細かい有機樹脂粒子とを混合して用いることもでき、種類、形状についても各種のものを適宜混合してもよい。尚、本発明に用いる(B)有機樹脂粒子は、予め表面をアルコキシシラン、アシロキシシラン、シラザン、オルガノアミノシラン等のシランカップリング材等で処理したものを用いてもよい。本発明の半導体用樹脂ペーストは、(A)、(B)成分、及びその他の添加剤等を予備混合し、ロール等を用いて混練した後、真空下脱泡する等の製造方法で得られる。半導体装置の製造方法は公知の方法を用いることができる。以下実施例を用いて本発明を具体的に説明する。配合割合は重量部で示す。
・粘度: E型粘度計(3°コーン)を用い25℃ 2.5rpmでの値を測定した。
・弾性率:10×150×0.1mmの試験片を作成し(硬化条件150℃、15分)、引っ張り試験により加重−変位曲線を測定しその初期勾配より弾性率を求めた(測定長:100mm、試験速度:1mm/分、測定温度:25℃)。
・耐半田クラック性:表1に示すペースト組成物を用い、シリコンチップを、下記の硬化条件により硬化し、接着した。その後スミコンEME−G770(住友ベークライト(株)製)の封止材料を用い、封止したパッケージを85℃、相対湿度60%、168時間吸湿処理した後、IRリフロー処理(260℃10秒、3回リフロー)を行い、処理後のパッケージを超音波探傷装置(透過型)により剥離の程度を測定した。ダイアタッチ部の剥離面積が10%未満の場合を合格とした。
パッケージ:35×35mmBGAチップサイズ:10×10mm硬化条件:150℃30分
Claims (3)
- 半導体素子を金属フレーム又は有機基板に接着するダイアタッチペーストであって、(A)熱硬化性樹脂組成物と(B)有機樹脂粒子とを含み、(A)熱硬化性樹脂組成物が液状エポキシ樹脂、硬化剤及び/又は硬化促進剤を含み、(B)有機樹脂粒子がシロキサン結合を三次元網目状に架橋した構造を持つポリオルガノシルセスキオキサン硬化物粉末である絶縁性ダイアタッチペースト。
- (B)有機樹脂粒子が、平均粒径が0.5〜15μmで且つ最大粒径が50μm以下である請求項1記載の絶縁性ダイアタッチペースト。
- 請求項1又は2記載の絶縁性ダイアタッチペーストを用いて製作されてなる半導体装置。
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