JP2003335923A - 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 - Google Patents
半導体用樹脂ペースト及び半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱時の接着強度に優れ且つ熱時低弾性率であ
り、耐半田クラック性試験及び耐湿試験において半導体
用樹脂ペースト層の剥離や半導体素子の配線腐食が起こ
らない信頼性に優れた半導体用樹脂ペーストを得る。 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及
び（Ｃ）フィラーを必須成分とし、該エポキシ樹脂１０
０重量部中に一般式（１）で示される化合物を５重量部
以上含み、且つ一般式（１）で示される化合物、及び全
エポキシ樹脂の加水分解性塩素含有量が５００ｐｐｍ以
下であることを特徴とする半導体用樹脂ペースト。 【化１２】 （Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は炭素数１〜８のアルキル基で、そ
れらは同一でも異なっていても良い。ｎは平均値で０〜
１．０の正数）
り、耐半田クラック性試験及び耐湿試験において半導体
用樹脂ペースト層の剥離や半導体素子の配線腐食が起こ
らない信頼性に優れた半導体用樹脂ペーストを得る。 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及
び（Ｃ）フィラーを必須成分とし、該エポキシ樹脂１０
０重量部中に一般式（１）で示される化合物を５重量部
以上含み、且つ一般式（１）で示される化合物、及び全
エポキシ樹脂の加水分解性塩素含有量が５００ｐｐｍ以
下であることを特徴とする半導体用樹脂ペースト。 【化１２】 （Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は炭素数１〜８のアルキル基で、そ
れらは同一でも異なっていても良い。ｎは平均値で０〜
１．０の正数）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等の
半導体素子を金属フレーム、有機基板等に接着する樹脂
ペーストに関するものである。
半導体素子を金属フレーム、有機基板等に接着する樹脂
ペーストに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣ等の半導体素子をリードフレ
ームに接着する方法として半導体用樹脂ペーストが一般
的に使用されている。近年の電子機器の小型軽量化、高
機能化の動向に対応して、半導体装置の小型化、薄型
化、狭ピッチ化が益々加速する方向であり、これに伴い
半導体用樹脂ペーストには、半導体装置の吸湿後の耐半
田クラック性や耐湿性の向上が強く求められるようにな
ってきた。耐半田クラック性の向上には半導体素子とリ
ードフレームが密着していることと半田処理時の応力を
緩和させることが必要である。しかし従来の半導体用樹
脂ペーストでは、リードフレームや半導体素子と半導体
用樹脂ペーストとの密着性と熱時の弾性率を低下させる
ことの両立化が困難で、半導体装置の信頼性が期待した
程には向上しないといった問題があった。
ームに接着する方法として半導体用樹脂ペーストが一般
的に使用されている。近年の電子機器の小型軽量化、高
機能化の動向に対応して、半導体装置の小型化、薄型
化、狭ピッチ化が益々加速する方向であり、これに伴い
半導体用樹脂ペーストには、半導体装置の吸湿後の耐半
田クラック性や耐湿性の向上が強く求められるようにな
ってきた。耐半田クラック性の向上には半導体素子とリ
ードフレームが密着していることと半田処理時の応力を
緩和させることが必要である。しかし従来の半導体用樹
脂ペーストでは、リードフレームや半導体素子と半導体
用樹脂ペーストとの密着性と熱時の弾性率を低下させる
ことの両立化が困難で、半導体装置の信頼性が期待した
程には向上しないといった問題があった。
【０００３】一方、耐湿性の向上には半導体用樹脂ペー
スト及び封止材の不純物、特にハロゲンイオンやアルカ
リ金属イオンの低減が必須である。半導体装置の吸湿処
理を行うと各部材界面の水分濃度が増加するため、半導
体素子の表面に水分に溶けだした上記イオンが多くなる
ことから配線の腐食が発生する。耐半田クラック試験を
向上させるため、多官能エポキシ樹脂を用いた半導体用
樹脂ペーストも報告されているが、接着強度は向上する
が弾性率も高くなってしまい、耐半田性が向上しない、
脂肪族の多官能エポキシは接着強度と弾性率の両立化が
可能であったが、樹脂中に含まれる塩素濃度が高く耐湿
性信頼性に劣るという問題があった。このため、半田ク
ラック性試験及び耐湿試験において半導体用樹脂ペース
ト層の剥離や半導体素子の配線腐食が起こらない信頼性
に優れた半導体用樹脂ペーストが求められていた。
スト及び封止材の不純物、特にハロゲンイオンやアルカ
リ金属イオンの低減が必須である。半導体装置の吸湿処
理を行うと各部材界面の水分濃度が増加するため、半導
体素子の表面に水分に溶けだした上記イオンが多くなる
ことから配線の腐食が発生する。耐半田クラック試験を
向上させるため、多官能エポキシ樹脂を用いた半導体用
樹脂ペーストも報告されているが、接着強度は向上する
が弾性率も高くなってしまい、耐半田性が向上しない、
脂肪族の多官能エポキシは接着強度と弾性率の両立化が
可能であったが、樹脂中に含まれる塩素濃度が高く耐湿
性信頼性に劣るという問題があった。このため、半田ク
ラック性試験及び耐湿試験において半導体用樹脂ペース
ト層の剥離や半導体素子の配線腐食が起こらない信頼性
に優れた半導体用樹脂ペーストが求められていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、熱時
の接着強度に優れ且つ熱時低弾性率であり、耐半田クラ
ック性試験及び耐湿試験において半導体用樹脂ペースト
層の剥離や半導体素子の配線腐食が起こらない信頼性に
優れた半導体用樹脂ペーストを提供することにある。
の接着強度に優れ且つ熱時低弾性率であり、耐半田クラ
ック性試験及び耐湿試験において半導体用樹脂ペースト
層の剥離や半導体素子の配線腐食が起こらない信頼性に
優れた半導体用樹脂ペーストを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、
［１］ （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び
（Ｃ）フィラーを必須成分とし、該エポキシ樹脂１００
重量部中に、一般式（１）で示され、かつ加水分解性塩
素含有量が５００ｐｐｍ以下である化合物を５重量部以
上含み、且つ全エポキシ樹脂の加水分解性塩素含有量が
５００ｐｐｍ以下であることを特徴とする半導体用樹脂
ペースト、
（Ｃ）フィラーを必須成分とし、該エポキシ樹脂１００
重量部中に、一般式（１）で示され、かつ加水分解性塩
素含有量が５００ｐｐｍ以下である化合物を５重量部以
上含み、且つ全エポキシ樹脂の加水分解性塩素含有量が
５００ｐｐｍ以下であることを特徴とする半導体用樹脂
ペースト、
【化４】
（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は炭素数１〜８のアルキル基で、そ
れらは同一でも異なっていても良い。ｎの平均値は、０
＜ｎ＜１．０の正数である） ［２］ 一般式（１）で示される化合物が、式（２）又
は式（３）で示される化合物である第１項記載の半導体
用樹脂ペースト、
れらは同一でも異なっていても良い。ｎの平均値は、０
＜ｎ＜１．０の正数である） ［２］ 一般式（１）で示される化合物が、式（２）又
は式（３）で示される化合物である第１項記載の半導体
用樹脂ペースト、
【化５】
【化６】
［３］ （Ａ）エポキシ樹脂が、式（２）又は式（３）
で示される化合物と２５℃で液状のビスフェノールＦ型
エポキシ樹脂又はビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を併
用している第１項記載の半導体用樹脂ペースト、 ［４］ 第１〜３項のいずれかに記載の半導体用樹脂ペ
ーストを用いて製作されてなる半導体装置である。
で示される化合物と２５℃で液状のビスフェノールＦ型
エポキシ樹脂又はビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を併
用している第１項記載の半導体用樹脂ペースト、 ［４］ 第１〜３項のいずれかに記載の半導体用樹脂ペ
ーストを用いて製作されてなる半導体装置である。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明で用いられる一般式（１）
で示されるエポキシ樹脂は、
で示されるエポキシ樹脂は、
【化７】
（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は炭素数１〜８のアルキル基で、そ
れらは同一でも異なっていても良い。ｎの平均値は、０
＜ｎ＜１．０の正数である）であり、加水分解性塩素含
有量が５００ｐｐｍ以下のエポキシ樹脂である。５００
ｐｐｍを超えると半導体用樹脂ペースト中の塩素イオン
が多くなり、耐湿信頼性試験時に半導体素子の配線を腐
食させるために好ましくなく、加水分解性塩素含有量が
少ないほど耐湿信頼性が向上するため好ましい。１分子
中の水酸基の数ｎは平均で１．０未満が好ましい。水酸
基が１．０以上ではグルシジルエーテル基の数が少なく
なるため、反応性や接着強度が低下してしまうため好ま
しくない。
れらは同一でも異なっていても良い。ｎの平均値は、０
＜ｎ＜１．０の正数である）であり、加水分解性塩素含
有量が５００ｐｐｍ以下のエポキシ樹脂である。５００
ｐｐｍを超えると半導体用樹脂ペースト中の塩素イオン
が多くなり、耐湿信頼性試験時に半導体素子の配線を腐
食させるために好ましくなく、加水分解性塩素含有量が
少ないほど耐湿信頼性が向上するため好ましい。１分子
中の水酸基の数ｎは平均で１．０未満が好ましい。水酸
基が１．０以上ではグルシジルエーテル基の数が少なく
なるため、反応性や接着強度が低下してしまうため好ま
しくない。
【０００７】本発明では一般式（１）で示される化合物
を全エポキシ樹脂１００重量部中に５重量部以上含むこ
とを特徴としているが、５重量部未満であると弾性率が
高くなるため応力緩和出来ず、耐リフロー性評価時にダ
イアタッチ層の剥離が発生するため好ましくない。一般
式（１）で示されるエポキシ樹脂の例として、例えば、
式（２）、及び（３）に示す化合物があるがこれらに限
定されるものではない。
を全エポキシ樹脂１００重量部中に５重量部以上含むこ
とを特徴としているが、５重量部未満であると弾性率が
高くなるため応力緩和出来ず、耐リフロー性評価時にダ
イアタッチ層の剥離が発生するため好ましくない。一般
式（１）で示されるエポキシ樹脂の例として、例えば、
式（２）、及び（３）に示す化合物があるがこれらに限
定されるものではない。
【化８】
【化９】
【０００８】また、必要により用途に応じた特性を損な
わない範囲内でエポキシ樹脂を併用しても良い。この場
合のエポキシ樹脂とはエポキシ基を有するモノマー、オ
リゴマー、ポリマー全般を指す。例えば、ビスフェノー
ルＡ、ビスフェノールＦ、フェノールノボラック、クレ
ゾールノボラック類とエピクロルヒドリンとの反応によ
って得られるポリグリシジルエーテル、ビフェニル型エ
ポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノ
ン型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂、ブタンジオ
ールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジ
グリシジルエーテル等の脂肪族エポキシ樹脂、ジグリシ
ジルヒダントイン等の複素環式エポキシ樹脂、ビニルシ
クロヘキセンジオキサイド、ジシクロペンタジエンジオ
キサイド、アリサイクリックジエポキシーアジペイト等
の脂環式エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェ
ノール型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキ
シ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニルアラル
キル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン等が挙げられ、
これらは１種類あるいは複数種を併用して使うことが可
能である。
わない範囲内でエポキシ樹脂を併用しても良い。この場
合のエポキシ樹脂とはエポキシ基を有するモノマー、オ
リゴマー、ポリマー全般を指す。例えば、ビスフェノー
ルＡ、ビスフェノールＦ、フェノールノボラック、クレ
ゾールノボラック類とエピクロルヒドリンとの反応によ
って得られるポリグリシジルエーテル、ビフェニル型エ
ポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノ
ン型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂、ブタンジオ
ールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジ
グリシジルエーテル等の脂肪族エポキシ樹脂、ジグリシ
ジルヒダントイン等の複素環式エポキシ樹脂、ビニルシ
クロヘキセンジオキサイド、ジシクロペンタジエンジオ
キサイド、アリサイクリックジエポキシーアジペイト等
の脂環式エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェ
ノール型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキ
シ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニルアラル
キル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン等が挙げられ、
これらは１種類あるいは複数種を併用して使うことが可
能である。
【０００９】一般式（１）で示される化合物と共に用い
られるエポキシ樹脂全体の加水分解性塩素量は、一般式
（１）で示される化合物と同様に５００ｐｐｍ以下が好
ましく、５００ｐｐｍを超えると半導体用樹脂ペースト
中の塩素イオンが多くなり耐湿信頼性試験時に半導体素
子の配線を腐食させるために好ましくない。加水分解性
塩素含有量は少ないほど耐湿信頼性が向上するため好ま
しい。エポキシ樹脂は分子量によって各種のものがある
が、分子量が小さく常温で液状のものが、配合するとき
の作業性及び配合後の粘度の点から好ましい。この中で
も特に、２５℃で液状のビスフェノールＦ型エポキシ樹
脂又はビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が、相溶性に優
れ、低粘度であり、接着強度に優れている点で好まし
い。
られるエポキシ樹脂全体の加水分解性塩素量は、一般式
（１）で示される化合物と同様に５００ｐｐｍ以下が好
ましく、５００ｐｐｍを超えると半導体用樹脂ペースト
中の塩素イオンが多くなり耐湿信頼性試験時に半導体素
子の配線を腐食させるために好ましくない。加水分解性
塩素含有量は少ないほど耐湿信頼性が向上するため好ま
しい。エポキシ樹脂は分子量によって各種のものがある
が、分子量が小さく常温で液状のものが、配合するとき
の作業性及び配合後の粘度の点から好ましい。この中で
も特に、２５℃で液状のビスフェノールＦ型エポキシ樹
脂又はビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が、相溶性に優
れ、低粘度であり、接着強度に優れている点で好まし
い。
【００１０】エポキシ樹脂が固形や半固形である場合
や、液状でも粘度が高い場合は、エポキシ基を有する反
応性希釈剤を併用することが好ましい。反応性希釈剤と
しては、例えば、ｎ−ブチルグリシジルエーテル、バー
サティック酸グリシジルエステル、スチレンオサイド、
エチルヘキシルグリシジルエーテル、フェニルグリシジ
ルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、ブチルフェ
ニルグリシジルエーテル等が挙げられ、これらは１種類
あるいは複数種を併用して使うことが可能である。
や、液状でも粘度が高い場合は、エポキシ基を有する反
応性希釈剤を併用することが好ましい。反応性希釈剤と
しては、例えば、ｎ−ブチルグリシジルエーテル、バー
サティック酸グリシジルエステル、スチレンオサイド、
エチルヘキシルグリシジルエーテル、フェニルグリシジ
ルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、ブチルフェ
ニルグリシジルエーテル等が挙げられ、これらは１種類
あるいは複数種を併用して使うことが可能である。
【００１１】本発明で用いられる硬化剤としては、例え
ば、イミダゾール化合物、フェノール樹脂、ジカルボン
酸ジヒドラジド化合物、脂肪族アミン、芳香族アミン、
ジシアンジアミド等が挙げられ、これらは１種類あるい
は複数種を併用して使うことが可能である。
ば、イミダゾール化合物、フェノール樹脂、ジカルボン
酸ジヒドラジド化合物、脂肪族アミン、芳香族アミン、
ジシアンジアミド等が挙げられ、これらは１種類あるい
は複数種を併用して使うことが可能である。
【００１２】フェノール樹脂としては、エポキシ基と反
応して架橋にあずかる活性水素基を１分子当り２個以上
有することが望ましい。このようなフェノール樹脂とし
ては、例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、
ビスフェノールＳ、テトラメチルビスフェノールＡ、テ
トラメチルビスフェノールＦ、テトラメチルビスフェノ
ールＳ、ジヒドロキシジフェニルエーテル、ジヒドロキ
シベンゾフェノン、o-ヒドロキシフェノール、m-ヒドロ
キシフェノール、p-ヒドロキシフェノール、ビフェノー
ル、テトラメチルビフェノール、エチリデンビスフェノ
ール、メチルエチリデンビス(メチルフェノール)、シク
ロへキシリデンビスフェノール、又フェノール、クレゾ
ール、キシレノール等の１価フェノール類とホルムアル
デヒドとを稀薄水溶液中強酸性下で反応させることによ
って得られるフェノールノボラック樹脂、１価フェノー
ル類とアクロレイン、グリオキザール等の多官能アルデ
ヒド類との酸性下の初期縮合物や、レゾルシン、カテコ
ール、ハイドロキノン等の多価フェノール類とホルムア
ルデヒドとの酸性下の初期縮合物等が挙げられ、これら
は１種類あるいは複数種を併用して使うことが可能であ
る。
応して架橋にあずかる活性水素基を１分子当り２個以上
有することが望ましい。このようなフェノール樹脂とし
ては、例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、
ビスフェノールＳ、テトラメチルビスフェノールＡ、テ
トラメチルビスフェノールＦ、テトラメチルビスフェノ
ールＳ、ジヒドロキシジフェニルエーテル、ジヒドロキ
シベンゾフェノン、o-ヒドロキシフェノール、m-ヒドロ
キシフェノール、p-ヒドロキシフェノール、ビフェノー
ル、テトラメチルビフェノール、エチリデンビスフェノ
ール、メチルエチリデンビス(メチルフェノール)、シク
ロへキシリデンビスフェノール、又フェノール、クレゾ
ール、キシレノール等の１価フェノール類とホルムアル
デヒドとを稀薄水溶液中強酸性下で反応させることによ
って得られるフェノールノボラック樹脂、１価フェノー
ル類とアクロレイン、グリオキザール等の多官能アルデ
ヒド類との酸性下の初期縮合物や、レゾルシン、カテコ
ール、ハイドロキノン等の多価フェノール類とホルムア
ルデヒドとの酸性下の初期縮合物等が挙げられ、これら
は１種類あるいは複数種を併用して使うことが可能であ
る。
【００１３】ジカルボン酸ジヒドラジド化合物として
は、例えば、アジピン酸ジヒドラジド、ドデカン酸ジヒ
ドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、p-オキシ安息香
酸ジヒドラジド等のカルボン酸ジヒドラジド等が挙げら
れ、これらは１種類あるいは複数種を併用して使うこと
が可能である。
は、例えば、アジピン酸ジヒドラジド、ドデカン酸ジヒ
ドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、p-オキシ安息香
酸ジヒドラジド等のカルボン酸ジヒドラジド等が挙げら
れ、これらは１種類あるいは複数種を併用して使うこと
が可能である。
【００１４】イミダゾール化合物としては、例えば、２
−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−
フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミ
ダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシ
メチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロ
キシメチルイミダゾール、２−Ｃ11Ｈ23−イミダゾール
等の一般的なイミダゾールやトリアジンやイソシアヌル
酸を付加し、保存安定性を付与した２，４−ジアミノ−
６−｛２−メチルイミダゾール−（１）｝−エチル−Ｓ
−トリアジン、又そのイソシアネート付加物等が挙げら
れ、これらは１種類あるいは複数種を併用して使うこと
が可能である。
−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−
フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミ
ダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシ
メチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロ
キシメチルイミダゾール、２−Ｃ11Ｈ23−イミダゾール
等の一般的なイミダゾールやトリアジンやイソシアヌル
酸を付加し、保存安定性を付与した２，４−ジアミノ−
６−｛２−メチルイミダゾール−（１）｝−エチル−Ｓ
−トリアジン、又そのイソシアネート付加物等が挙げら
れ、これらは１種類あるいは複数種を併用して使うこと
が可能である。
【００１５】本発明で用いられるフィラーとしては、例
えば、無機フィラー、有機フィラー等が挙げられる。無
機フィラーとしては、例えば、金粉、銀粉、銅粉、アル
ミニウム粉等の金属粉や、溶融シリカ、結晶シリカ、窒
化珪素、アルミナ、窒化アルミ、タルク等が挙げられ
る。これらの内、金属粉は主に導電性や熱伝導性を付与
するために用いられる。有機フィラーとしては、例え
ば、シリコーン樹脂、ポリテトラフロロエチレン等のフ
ッ素樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹
脂、ベンゾグアナミンやメラミンとホルムアルデヒドと
の架橋物等が挙げられる。その中でも導電性の用途には
特に銀粉が入手が容易なこと、形状や粒径の種類が多
く、導電性が良好であり、加熱しても導電性が変化しな
い点で好ましく、絶縁用途の半導体樹脂ペーストにはシ
リカが入手の容易さと種類の豊富さの点で好ましい。
えば、無機フィラー、有機フィラー等が挙げられる。無
機フィラーとしては、例えば、金粉、銀粉、銅粉、アル
ミニウム粉等の金属粉や、溶融シリカ、結晶シリカ、窒
化珪素、アルミナ、窒化アルミ、タルク等が挙げられ
る。これらの内、金属粉は主に導電性や熱伝導性を付与
するために用いられる。有機フィラーとしては、例え
ば、シリコーン樹脂、ポリテトラフロロエチレン等のフ
ッ素樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹
脂、ベンゾグアナミンやメラミンとホルムアルデヒドと
の架橋物等が挙げられる。その中でも導電性の用途には
特に銀粉が入手が容易なこと、形状や粒径の種類が多
く、導電性が良好であり、加熱しても導電性が変化しな
い点で好ましく、絶縁用途の半導体樹脂ペーストにはシ
リカが入手の容易さと種類の豊富さの点で好ましい。
【００１６】これらのフィラーは、ハロゲンイオン、ア
ルカリ金属イオン等のイオン性不純物の含有量が１０ｐ
ｐｍ以下であることが好ましい。又、フィラーの形状と
しては、例えば、フレーク状、鱗片状、樹脂状、球状等
のものが用いられる。必要とする半導体用樹脂ペースト
の粘度によって、使用するフィラーの粒径は異なるが、
通常、平均粒径は０．３〜２０μｍ、最大粒径は５０μ
ｍ程度のものが好ましい。平均粒径が０．３μｍ未満だ
と粘度が高くなり、２０μｍを越えると塗布又は硬化時
に樹脂成分が流出するのでブリードが発生する可能性が
ある。最大粒径が５０μｍを越えるとディスペンサーで
半導体用樹脂ペーストを塗布するときに、ニードルの出
口を塞ぎ長時間の連続使用ができない。又、比較的粗い
フィラーと細かいフィラーとを混合して用いることもで
き、種類、形状についても各種のものを適宜混合しても
よい。
ルカリ金属イオン等のイオン性不純物の含有量が１０ｐ
ｐｍ以下であることが好ましい。又、フィラーの形状と
しては、例えば、フレーク状、鱗片状、樹脂状、球状等
のものが用いられる。必要とする半導体用樹脂ペースト
の粘度によって、使用するフィラーの粒径は異なるが、
通常、平均粒径は０．３〜２０μｍ、最大粒径は５０μ
ｍ程度のものが好ましい。平均粒径が０．３μｍ未満だ
と粘度が高くなり、２０μｍを越えると塗布又は硬化時
に樹脂成分が流出するのでブリードが発生する可能性が
ある。最大粒径が５０μｍを越えるとディスペンサーで
半導体用樹脂ペーストを塗布するときに、ニードルの出
口を塞ぎ長時間の連続使用ができない。又、比較的粗い
フィラーと細かいフィラーとを混合して用いることもで
き、種類、形状についても各種のものを適宜混合しても
よい。
【００１７】又、必要とされる特性を付与するために
は、前記以外のフィラーを用いてもよい。例えば、粒径
が１〜１００ｎｍ程度のナノスケールフィラーや、シリ
カとアクリルとの複合材、有機フィラー表面に金属コー
ティングを施したもの等の様な有機化合物と無機化合物
との複合フィラー等が挙げられる。尚、本発明のフィラ
ーは、予め表面をアルコキシシラン、アシロキシシラ
ン、シラザン、オルガノアミノシラン等のシランカップ
リング材等で処理したものを用いてもよい。
は、前記以外のフィラーを用いてもよい。例えば、粒径
が１〜１００ｎｍ程度のナノスケールフィラーや、シリ
カとアクリルとの複合材、有機フィラー表面に金属コー
ティングを施したもの等の様な有機化合物と無機化合物
との複合フィラー等が挙げられる。尚、本発明のフィラ
ーは、予め表面をアルコキシシラン、アシロキシシラ
ン、シラザン、オルガノアミノシラン等のシランカップ
リング材等で処理したものを用いてもよい。
【００１８】本発明の半導体用樹脂ペーストは（Ａ）〜
（Ｃ）成分を必須成分とするが、それら以外にも必要に
応じて硬化促進剤、ゴムやシリコーン等の低応力化剤、
シランカップリング剤、チタネートカップリング剤、顔
料、染料、消泡剤、界面活性剤、イオン捕捉剤、溶剤等
の添加剤を適宜配合することができる。本発明の半導体
用樹脂ペーストは、（Ａ）〜（Ｃ）成分、及びその他の
添加剤等を予備混合し、ロール等を用いて混練した後、
真空下脱泡する等の製造方法で得られる。本発明の半導
体用樹脂ペーストを用いて、半導体装置を製造するに
は、公知の方法を用いることができる。
（Ｃ）成分を必須成分とするが、それら以外にも必要に
応じて硬化促進剤、ゴムやシリコーン等の低応力化剤、
シランカップリング剤、チタネートカップリング剤、顔
料、染料、消泡剤、界面活性剤、イオン捕捉剤、溶剤等
の添加剤を適宜配合することができる。本発明の半導体
用樹脂ペーストは、（Ａ）〜（Ｃ）成分、及びその他の
添加剤等を予備混合し、ロール等を用いて混練した後、
真空下脱泡する等の製造方法で得られる。本発明の半導
体用樹脂ペーストを用いて、半導体装置を製造するに
は、公知の方法を用いることができる。
【００１９】
【実施例】本発明を実施例で具体的に説明する。各成分
の配合割合は重量部とする。 ＜実施例１＞式（２）で示される加水分解性塩素含有量
２００ｐｐｍのエポキシ樹脂（粘度２００ｍＰａ・ｓ／
２５℃、エポキシ当量１３０、ｎ＝０．５）５０重量
部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（粘度４０００ｍ
Ｐａ・ｓ／２５℃、エポキシ当量１９０）５０重量部、
水酸基当量１０４のフェノールノボラック樹脂１０重量
部、ジシアンジアミド１重量部、及び粒径０．１〜３０
μｍ、平均粒径３μｍ、フレーク状の銀粉を混合し、ロ
ールで混練し、真空チャンバーを用いて脱泡して半導体
用樹脂ペーストを得た。得られた半導体用樹脂ペースト
を以下の方法で評価した。結果を表１に示す。
の配合割合は重量部とする。 ＜実施例１＞式（２）で示される加水分解性塩素含有量
２００ｐｐｍのエポキシ樹脂（粘度２００ｍＰａ・ｓ／
２５℃、エポキシ当量１３０、ｎ＝０．５）５０重量
部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（粘度４０００ｍ
Ｐａ・ｓ／２５℃、エポキシ当量１９０）５０重量部、
水酸基当量１０４のフェノールノボラック樹脂１０重量
部、ジシアンジアミド１重量部、及び粒径０．１〜３０
μｍ、平均粒径３μｍ、フレーク状の銀粉を混合し、ロ
ールで混練し、真空チャンバーを用いて脱泡して半導体
用樹脂ペーストを得た。得られた半導体用樹脂ペースト
を以下の方法で評価した。結果を表１に示す。
【００２０】＜実施例２〜８＞表１の配合に従って、実
施例１と同様に各成分を混合し、ロールで混練し、真空
チャンバーを用いて脱泡して半導体用樹脂ペーストを得
た。得られた半導体用樹脂ペーストを実施例１と同様に
して評価した。結果を表１に示す。 ＜比較例１〜１５＞表２の配合に従って、実施例１と同
様にして半導体用樹脂ペーストを得、実施例１と同様に
して評価した。結果を表２に示す。
施例１と同様に各成分を混合し、ロールで混練し、真空
チャンバーを用いて脱泡して半導体用樹脂ペーストを得
た。得られた半導体用樹脂ペーストを実施例１と同様に
して評価した。結果を表１に示す。 ＜比較例１〜１５＞表２の配合に従って、実施例１と同
様にして半導体用樹脂ペーストを得、実施例１と同様に
して評価した。結果を表２に示す。
【００２１】＜用いる原料成分＞
エポキシ樹脂：式（２）で示される加水分解性塩素含有
量２００ｐｐｍのエポキシ樹脂（粘度２００ｍＰａ・ｓ
／２５℃、エポキシ当量１３０、ｎ＝０．５）（以下Ｅ
Ｐ−１という）
量２００ｐｐｍのエポキシ樹脂（粘度２００ｍＰａ・ｓ
／２５℃、エポキシ当量１３０、ｎ＝０．５）（以下Ｅ
Ｐ−１という）
【化１０】
式（３）で示される加水分解性塩素含有量２００ｐｐｍ
のエポキシ樹脂（粘度３００ｍＰａ・ｓ／２５℃、エポ
キシ当量１７０、ｎ＝０．５）（以下ＥＰ−２という）
のエポキシ樹脂（粘度３００ｍＰａ・ｓ／２５℃、エポ
キシ当量１７０、ｎ＝０．５）（以下ＥＰ−２という）
【化１１】
【００２２】式（２）で示される加水分解性塩素含有量
２５０ｐｐｍのエポキシ樹脂（粘度１５０ｍＰａ・ｓ／
２５℃、エポキシ当量１５０、ｎ＝１．５）（以下ＥＰ
−３という） 式（２）で示される加水分解性塩素含有量１０００ｐｐ
ｍのエポキシ樹脂（粘度１５０ｍＰａ・ｓ／２５℃、エ
ポキシ当量１４０、ｎ＝０．５）（以下ＥＰ−４とい
う） 式（３）で示される加水分解性塩素含有量２００ｐｐｍ
のエポキシ樹脂（粘度２８０ｍＰａ・ｓ／２５℃、エポ
キシ当量２００、ｎ＝１．５）（以下ＥＰ−５という） 式（３）で示される加水分解性塩素含有量１０００ｐｐ
ｍのエポキシ樹脂（粘度４００ｍＰａ・ｓ／２５℃、エ
ポキシ当量１８０、ｎ＝０．５）（以下ＥＰ−６とい
う） ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（粘度４０００ｍＰａ
・ｓ／２５℃、エポキシ当量１９０）（以下、ＢＰＡＥ
Ｐという）
２５０ｐｐｍのエポキシ樹脂（粘度１５０ｍＰａ・ｓ／
２５℃、エポキシ当量１５０、ｎ＝１．５）（以下ＥＰ
−３という） 式（２）で示される加水分解性塩素含有量１０００ｐｐ
ｍのエポキシ樹脂（粘度１５０ｍＰａ・ｓ／２５℃、エ
ポキシ当量１４０、ｎ＝０．５）（以下ＥＰ−４とい
う） 式（３）で示される加水分解性塩素含有量２００ｐｐｍ
のエポキシ樹脂（粘度２８０ｍＰａ・ｓ／２５℃、エポ
キシ当量２００、ｎ＝１．５）（以下ＥＰ−５という） 式（３）で示される加水分解性塩素含有量１０００ｐｐ
ｍのエポキシ樹脂（粘度４００ｍＰａ・ｓ／２５℃、エ
ポキシ当量１８０、ｎ＝０．５）（以下ＥＰ−６とい
う） ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（粘度４０００ｍＰａ
・ｓ／２５℃、エポキシ当量１９０）（以下、ＢＰＡＥ
Ｐという）
【００２３】硬化剤：
フェノールノボラック樹脂（水酸基当量１０４）
ジシアンジアミド
２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミ
ダゾール（以下、２Ｐ４ＭＨＺという）
ダゾール（以下、２Ｐ４ＭＨＺという）
【００２４】無機フィラー：
銀粉 ：粒径０．１〜３０μｍ、平均粒径３μｍ、フレ
ーク状 シリカ：平均粒径３μｍ、最大粒径２０μｍ、球状
ーク状 シリカ：平均粒径３μｍ、最大粒径２０μｍ、球状
【００２５】＜評価方法＞
・粘度：Ｅ型粘度計（３°コーン）を用いて、２５℃、
２．５ｒｐｍでの値を測定した。 ・不純物濃度：半導体用樹脂ペースト５ｇをオーブンを
用いて２００℃、６０分間で硬化した。この硬化物を粉
砕し、２００メッシュの篩で篩分して通過した粉２ｇを
蒸留水４０ｇと共に耐圧容器に入れ、１２０℃２０時間
抽出した。抽出水をイオンクロマトグラフィーにより塩
素イオン濃度を測定した。 ・接着強度：５ｍｍ×５ｍｍのシリコンチップを、半導
体用樹脂ペーストを用いて銅フレームにマウントし、オ
ーブンを用いて２００℃、６０分間で硬化した。硬化
後、マウント強度測定装置を用いて２５℃、２６０℃で
の熱時ダイシェア強度を測定した。 ・弾性率：テフロン（Ｒ）シート上に半導体用樹脂ペー
ストを幅１０ｍｍ、長さ約１５０ｍｍ、厚さ１００μｍ
に塗布し、２００℃のオーブン中で６０分間硬化した
後、引っ張り試験機を用いて試験長１００ｍｍ、引っ張
り速度１ｍｍ／６０秒、２５℃、又は２６０℃で測定
し、得られた応力−ひずみ曲線の初期勾配から弾性率を
算出した。
２．５ｒｐｍでの値を測定した。 ・不純物濃度：半導体用樹脂ペースト５ｇをオーブンを
用いて２００℃、６０分間で硬化した。この硬化物を粉
砕し、２００メッシュの篩で篩分して通過した粉２ｇを
蒸留水４０ｇと共に耐圧容器に入れ、１２０℃２０時間
抽出した。抽出水をイオンクロマトグラフィーにより塩
素イオン濃度を測定した。 ・接着強度：５ｍｍ×５ｍｍのシリコンチップを、半導
体用樹脂ペーストを用いて銅フレームにマウントし、オ
ーブンを用いて２００℃、６０分間で硬化した。硬化
後、マウント強度測定装置を用いて２５℃、２６０℃で
の熱時ダイシェア強度を測定した。 ・弾性率：テフロン（Ｒ）シート上に半導体用樹脂ペー
ストを幅１０ｍｍ、長さ約１５０ｍｍ、厚さ１００μｍ
に塗布し、２００℃のオーブン中で６０分間硬化した
後、引っ張り試験機を用いて試験長１００ｍｍ、引っ張
り速度１ｍｍ／６０秒、２５℃、又は２６０℃で測定
し、得られた応力−ひずみ曲線の初期勾配から弾性率を
算出した。
【００２６】・耐半田性（剥離率）：シリコンチップ
（サイズ９．０ｍｍ×９．０ｍｍ）を半導体用樹脂ペー
ストを用いてリードフレーム（銅製）にマウントし、オ
ーブンを用いて窒素雰囲気下、２００℃、６０分間で硬
化した。このリードフレームをエポキシ樹脂封止材を用
いて、８０ピンＱＦＰ（パッケージサイズは１４×２０
ｍｍ、厚み２．０ｍｍ）を金型温度１７５℃、射出圧力
７．５ＭＰａ、硬化時間６０秒間でトランスファー成形
し、１７５℃、８時間で後硬化させた。得られたパッケ
ージを８５℃、相対湿度８５％の環境下で１６８時間放
置し、その後２６０℃の半田槽に１０秒間浸漬した。透
過型の超音波探傷装置を用いてパッケージ内部の剥離面
積の合計値を測定し、又、反射型の超音波探傷装置を用
いてチップとエポキシ樹脂封止材との剥離面積及びリー
ドフレームとエポキシ樹脂封止材との剥離面積の合計値
を測定した。（ダイアタッチ層の剥離面積）＝［（透過
での剥離面積の合計値）−（反射での剥離面積の合計
値）］を求め、半導体用樹脂ペーストの剥離率を、（剥
離率）＝［（ダイアタッチ層の剥離面積）／（チップ面
積）×１００］として、５個のパッケージの平均値を求
め、％で表示した。
（サイズ９．０ｍｍ×９．０ｍｍ）を半導体用樹脂ペー
ストを用いてリードフレーム（銅製）にマウントし、オ
ーブンを用いて窒素雰囲気下、２００℃、６０分間で硬
化した。このリードフレームをエポキシ樹脂封止材を用
いて、８０ピンＱＦＰ（パッケージサイズは１４×２０
ｍｍ、厚み２．０ｍｍ）を金型温度１７５℃、射出圧力
７．５ＭＰａ、硬化時間６０秒間でトランスファー成形
し、１７５℃、８時間で後硬化させた。得られたパッケ
ージを８５℃、相対湿度８５％の環境下で１６８時間放
置し、その後２６０℃の半田槽に１０秒間浸漬した。透
過型の超音波探傷装置を用いてパッケージ内部の剥離面
積の合計値を測定し、又、反射型の超音波探傷装置を用
いてチップとエポキシ樹脂封止材との剥離面積及びリー
ドフレームとエポキシ樹脂封止材との剥離面積の合計値
を測定した。（ダイアタッチ層の剥離面積）＝［（透過
での剥離面積の合計値）−（反射での剥離面積の合計
値）］を求め、半導体用樹脂ペーストの剥離率を、（剥
離率）＝［（ダイアタッチ層の剥離面積）／（チップ面
積）×１００］として、５個のパッケージの平均値を求
め、％で表示した。
【００２７】・耐湿性：ＩＣ用ＴＥＧ（サイズ９．０ｍ
ｍ×９．０ｍｍ、アルミ配線、線幅１μｍ）を半導体用
樹脂ペーストを用いてリードフレーム（銅製）にマウン
トし、オーブンを用いて窒素雰囲気下、２００℃、６０
分間で硬化した。硬化後、金線ワイヤーボンディングを
行い、エポキシ樹脂封止材を用いて、８０ピンＱＦＰ
（パッケージサイズは１４×２０ｍｍ、厚み２．０ｍ
ｍ）を金型温度１７５℃、射出圧力７．５ＭＰａ、硬化
時間６０秒間でトランスファー成形し、１７５℃、８時
間で後硬化させた。このパッケージを１２５℃、相対湿
度８５％の環境下で１０Ｖの電圧を印加し５００時間処
理後、発煙硝酸にて開封を行いＴＥＧ表面を観察し、ア
ルミ配線腐食の有無を確認した。
ｍ×９．０ｍｍ、アルミ配線、線幅１μｍ）を半導体用
樹脂ペーストを用いてリードフレーム（銅製）にマウン
トし、オーブンを用いて窒素雰囲気下、２００℃、６０
分間で硬化した。硬化後、金線ワイヤーボンディングを
行い、エポキシ樹脂封止材を用いて、８０ピンＱＦＰ
（パッケージサイズは１４×２０ｍｍ、厚み２．０ｍ
ｍ）を金型温度１７５℃、射出圧力７．５ＭＰａ、硬化
時間６０秒間でトランスファー成形し、１７５℃、８時
間で後硬化させた。このパッケージを１２５℃、相対湿
度８５％の環境下で１０Ｖの電圧を印加し５００時間処
理後、発煙硝酸にて開封を行いＴＥＧ表面を観察し、ア
ルミ配線腐食の有無を確認した。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【表２】
【００３０】
【発明の効果】本発明に従うと、熱時の接着強度に優れ
且つ熱時低弾性率であり、耐半田クラック性試験及び耐
湿試験において半導体用樹脂ペースト層の剥離や半導体
素子の配線腐食が起こらない信頼性に優れた半導体用樹
脂ペースト、及びこれを用いた半導体装置が得られる。
且つ熱時低弾性率であり、耐半田クラック性試験及び耐
湿試験において半導体用樹脂ペースト層の剥離や半導体
素子の配線腐食が起こらない信頼性に優れた半導体用樹
脂ペースト、及びこれを用いた半導体装置が得られる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｂ 1/20 Ｈ０１Ｂ 1/20 Ａ
Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｅ
Ｆターム(参考） 4J002 CC043 CC063 CD011 CD012
CD021 CD041 CD051 CD061
CD071 CD131 DA077 DA097
DE147 DF017 DJ007 DJ017
DJ047 ED056 EJ026 EJ036
EN01 EN05 EQ026 ET00
EU116 EV076 FD017 FD143
FD146 GQ05
4J036 AA05 AB01 AB15 AC02 AC05
AD07 AD08 AD10 AE05 AE07
AF05 AF06 AF08 AH00 AJ09
DB05 DC06 DC10 DC31 DC35
DC40 FA02 FA03 FA04 FA05
FB02 FB03 FB08 FB09 FB15
JA06 JA15
4J040 EC031 EC061 KA16 KA42
LA06 LA07 LA08 MA02 MA10
NA19 NA20
5F047 BA34
5G301 DA02 DA03 DA57 DD01
Claims (4)
- 【請求項１】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び
（Ｃ）フィラーを必須成分とし、該エポキシ樹脂１００
重量部中に、一般式（１）で示され、かつ加水分解性塩
素含有量が５００ｐｐｍ以下である化合物を５重量部以
上含み、且つ全エポキシ樹脂の加水分解性塩素含有量が
５００ｐｐｍ以下であることを特徴とする半導体用樹脂
ペースト。 【化１】 （Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は炭素数１〜８のアルキル基で、そ
れらは同一でも異なっていても良い。ｎの平均値は、０
＜ｎ＜１．０の正数である） - 【請求項２】 一般式（１）で示される化合物が、式
（２）又は式（３）で示される化合物である請求項１記
載の半導体用樹脂ペースト。 【化２】 【化３】 - 【請求項３】 （Ａ）エポキシ樹脂が、式（２）又は式
（３）で示される化合物と２５℃で液状のビスフェノー
ルＦ型エポキシ樹脂又はビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂を併用してなる請求項１記載の半導体用樹脂ペース
ト。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の半導体
用樹脂ペーストを用いて製作されてなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002145637A JP2003335923A (ja) | 2002-05-21 | 2002-05-21 | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002145637A JP2003335923A (ja) | 2002-05-21 | 2002-05-21 | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003335923A true JP2003335923A (ja) | 2003-11-28 |
Family
ID=29704866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002145637A Pending JP2003335923A (ja) | 2002-05-21 | 2002-05-21 | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003335923A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005226049A (ja) * | 2004-02-16 | 2005-08-25 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路接続材料及びそれを用いたフィルム状回路接続材料、並びに回路部材の接続構造及びその製造方法 |
| JP2005325149A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 接着剤組成物 |
| JP2010116453A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Nippon Steel Chem Co Ltd | フィルム状接着剤、それを用いた半導体パッケージ及びその製造方法 |
| JP2012251089A (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-20 | Takiron Co Ltd | 熱伝導性軟質エポキシ樹脂シート |
| WO2018221682A1 (ja) * | 2017-05-31 | 2018-12-06 | 日立化成株式会社 | 圧縮成型用液状樹脂組成物及び電子部品装置 |
| WO2018221681A1 (ja) * | 2017-05-31 | 2018-12-06 | 日立化成株式会社 | 封止用液状樹脂組成物及び電子部品装置 |
-
2002
- 2002-05-21 JP JP2002145637A patent/JP2003335923A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005226049A (ja) * | 2004-02-16 | 2005-08-25 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路接続材料及びそれを用いたフィルム状回路接続材料、並びに回路部材の接続構造及びその製造方法 |
| JP4655488B2 (ja) * | 2004-02-16 | 2011-03-23 | 日立化成工業株式会社 | 回路接続材料及びそれを用いたフィルム状回路接続材料、並びに回路部材の接続構造及びその製造方法 |
| JP2005325149A (ja) * | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | 接着剤組成物 |
| JP4590927B2 (ja) * | 2004-05-12 | 2010-12-01 | 横浜ゴム株式会社 | 接着剤組成物 |
| JP2010116453A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Nippon Steel Chem Co Ltd | フィルム状接着剤、それを用いた半導体パッケージ及びその製造方法 |
| JP2012251089A (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-20 | Takiron Co Ltd | 熱伝導性軟質エポキシ樹脂シート |
| WO2018221682A1 (ja) * | 2017-05-31 | 2018-12-06 | 日立化成株式会社 | 圧縮成型用液状樹脂組成物及び電子部品装置 |
| WO2018221681A1 (ja) * | 2017-05-31 | 2018-12-06 | 日立化成株式会社 | 封止用液状樹脂組成物及び電子部品装置 |
| JPWO2018221681A1 (ja) * | 2017-05-31 | 2020-07-09 | 日立化成株式会社 | 封止用液状樹脂組成物及び電子部品装置 |
| JPWO2018221682A1 (ja) * | 2017-05-31 | 2020-08-06 | 日立化成株式会社 | 圧縮成型用液状樹脂組成物及び電子部品装置 |
| JP7148508B2 (ja) | 2017-05-31 | 2022-10-05 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 圧縮成型用液状樹脂組成物及び電子部品装置 |
| JP7148507B2 (ja) | 2017-05-31 | 2022-10-05 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 封止用液状樹脂組成物及び電子部品装置 |
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