JP3960515B2 - 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 - Google Patents
半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3960515B2 JP3960515B2 JP2001345497A JP2001345497A JP3960515B2 JP 3960515 B2 JP3960515 B2 JP 3960515B2 JP 2001345497 A JP2001345497 A JP 2001345497A JP 2001345497 A JP2001345497 A JP 2001345497A JP 3960515 B2 JP3960515 B2 JP 3960515B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- epoxy resin
- resin
- resin paste
- general formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、IC、LSI等の半導体素子を金属フレーム等に接着する樹脂ペーストに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、IC等の半導体素子をリードフレームに接着する方法として半導体用樹脂ペーストが一般的に使用されている。近年の電子機器の小型軽量化、高機能化の動向に対応して、半導体装置の小型化、薄型化、狭ピッチ化が益々加速する方向であり、これに伴い半導体用樹脂ペーストには、半導体装置の吸湿後の耐半田クラック性や耐湿性の向上が強く求められるようになってきた。耐半田クラック性の向上には半導体素子とリードフレームが密着していることと半田処理時の応力を緩和させることが必要である。しかし従来の半導体用樹脂ペーストでは、リードフレームや半導体素子と半導体用樹脂ペーストとの密着性と熱時の弾性率を低下させることの両立化が困難で、半導体装置の信頼性が期待した程には向上しないといった問題があった。
【0003】
一方、耐湿性の向上には半導体用樹脂ペースト及び封止材の不純物、特にハロゲンイオンやアルカリ金属イオンの低減が必須である。半導体装置の吸湿処理を行うと各部材界面の水分濃度が増加するため、半導体素子の表面に水分に溶けだした上記イオン量が多くなることから配線の腐食が発生する。耐半田クラック試験を向上させるため、脂肪族エポキシを用いた半導体用樹脂ペーストも報告されているが、脂肪族エポキシ中に含まれる塩素濃度が高いため、耐湿性信頼性には劣るといった問題があった。
このため、半田クラック性試験及び耐湿試験において半導体用樹脂ペースト層の剥離や半導体素子の配線腐食が起こらない信頼性に優れた半導体用樹脂ペーストが求められていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、熱時の接着強度に優れ且つ熱時低弾性率であり、耐半田クラック性試験及び耐湿試験において半導体用樹脂ペースト層の剥離や半導体素子の配線腐食が起こらない信頼性に優れた半導体用樹脂ペーストを提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体素子を金属フレームに接着する樹脂ペーストであって、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、及び(C)フィラーを必須成分とし、該エポキシ樹脂100重量部中に一般式(1)で示される化合物を5重量部以上と25℃で液状のビスフェノールF型エポキシ樹脂又はビスフェノールA型エポキシ樹脂を含み、且つ一般式(1)で示される化合物、及び全エポキシ樹脂の加水分解性塩素含有量が500ppm以下である半導体用樹脂ペーストである。
【化3】
(R1は炭素数6〜12のアルキレン基)
更に好ましい形態としては、一般式(1)で示される化合物が、式(2)で示される化合物である半導体用樹脂ペーストである。
【化4】
また、(A)エポキシ樹脂が、式(2)で示される化合物と25℃で液状のビスフェノールF型エポキシ樹脂又はビスフェノールA型エポキシ樹脂を併用している半導体用樹脂ペーストである。更に上記の半導体用樹脂ペーストを用いて製作されてなる半導体装置である。
【0006】
【発明の実施の形態】
本発明で用いられる一般式(1)で示される化合物は、
【化5】
(R1は炭素数6〜12のアルキレン基)
であり、加水分解性塩素含有量が500ppm以下のエポキシ樹脂である。一般式(1)で示される化合物は脂肪族エポキシ樹脂であるため塩素が抽出され易く、加水分解性塩素量は500ppm以下が必要である。500ppmを超えると半導体用樹脂ペースト中の塩素イオン量が多くなり、耐湿信頼性試験時に半導体素子の配線を腐食させるために好ましくない。
【0007】
本発明では一般式(1)で示される化合物を全エポキシ樹脂100重量部中に5重量部以上含むことを特徴としているが、5重量部未満であると接着強度は強いが、弾性率も高くなるため応力緩和出来ず、耐リフロー性評価時にダイアタッチ層の剥離が発生するため好ましくない。
同様なエポキシ樹脂としてR1の炭素数が6未満のアルキレン基である化合物もあるが、沸点が低く硬化時に揮発し、ダイアタッチ層に気泡が発生したり、エポキシ基間の距離が短いため架橋密度が高くなり、弾性率が高く応力が緩和できない、また皮膚感作性が強いという問題があり好ましくない。また、R1の炭素数が12を越えるアルキレン基である化合物は加水分解性塩素の低減が困難である、架橋点間距離が長くなるため接着強度が低下する、芳香族エポキシ樹脂との相溶性に劣るという問題があるため好ましくない。
【0008】
一般式(1)で示されるエポキシ樹脂の例として、例えば、式(2)、(3)及び(4)に示す化合物等があるがこれらに限定されるものではない。
【化6】
【化7】
【化8】
【0009】
この中でも式(2)で示されるエポキシ樹脂は、低粘度であり、加水分解性塩素量を低くできるため特に好ましい。
【0010】
一般式(1)で示される化合物と共に用いられるエポキシ樹脂としては、エポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を指す。例えば、ビスフェノールA、ビスフェノールF、フェノールノボラック、クレゾールノボラック類とエピクロルヒドリンとの反応によって得られるポリグリシジルエーテル、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂、 ジグリシジルヒダントイン等の複素環式エポキシ樹脂、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、ジシクロペンタジエンジオキサイド、アリサイクリックジエポキシーアジペイト等の脂環式エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン等が挙げられ、これらは1種類あるいは複数種を併用して使うことが可能である。
【0011】
一般式(1)で示される化合物と共に用いられるエポキシ樹脂としては、分子量が小さく常温で液状のものが、配合するときの作業性及び配合後の粘度の点から好ましい。
この中でも特に、25℃で液状のビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂が、相溶性に優れ、低粘度であり、接着強度に優れている点で好ましい。
【0012】
エポキシ樹脂全体の加水分解性塩素量は、一般式(1)で示される化合物と同様に500ppm以下が好ましく、500ppmを超えると半導体用樹脂ペースト中の塩素イオンが多くなり耐湿信頼性試験時に半導体素子の配線を腐食させるために好ましくない。
【0013】
エポキシ樹脂が固形や半固形である場合や、液状でも粘度が高い場合は、エポキシ基を有する反応性希釈剤を併用することが好ましい。反応性希釈剤としては、例えば、n−ブチルグリシジルエーテル、バーサティック酸グリシジルエステル、スチレンオサイド、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル等が挙げられ、これらは1種類あるいは複数種を併用して使うことが可能である。
【0014】
本発明で用いられる硬化剤としては、例えば、イミダゾール化合物、フェノール樹脂、ジカルボン酸ジヒドラジド化合物、脂肪族アミン、芳香族アミン、ジシアンジアミド等が挙げられ、これらは1種類あるいは複数種を併用して使うことが可能である。
【0015】
フェノール樹脂としては、エポキシ基と反応して架橋にあずかる活性水素基を1分子当り2個以上有することが望ましい。このようなフェノール樹脂としては、例えば、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、テトラメチルビスフェノールA、テトラメチルビスフェノールF、テトラメチルビスフェノールS、ジヒドロキシジフェニルエーテル、ジヒドロキシベンゾフェノン、o-ヒドロキシフェノール、m-ヒドロキシフェノール、p-ヒドロキシフェノール、ビフェノール、テトラメチルビフェノール、エチリデンビスフェノール、メチルエチリデンビス(メチルフェノール)、シクロへキシリデンビスフェノール、又フェノール、クレゾール、キシレノール等の1価フェノール類とホルムアルデヒドとを稀薄水溶液中強酸性下で反応させることによって得られるフェノールノボラック樹脂、1価フェノール類とアクロレイン、グリオキザール等の多官能アルデヒド類との酸性下の初期縮合物や、レゾルシン、カテコール、ハイドロキノン等の多価フェノール類とホルムアルデヒドとの酸性下の初期縮合物等が挙げられ、これらは1種類あるいは複数種を併用して使うことが可能である。
【0016】
ジカルボン酸ジヒドラジド化合物としては、例えば、アジピン酸ジヒドラジド、ドデカン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、p-オキシ安息香酸ジヒドラジド等のカルボン酸ジヒドラジド等が挙げられ、これらは1種類あるいは複数種を併用して使うことが可能である。
【0017】
イミダゾール化合物としては、例えば、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−C11H23−イミダゾール等の一般的なイミダゾールやトリアジンやイソシアヌル酸を付加し、保存安定性を付与した2,4−ジアミノ−6−{2−メチルイミダゾール−(1)}−エチル−S−トリアジン、又そのイソシアネート付加物等が挙げられ、これらは1種類あるいは複数種を併用して使うことが可能である。
【0018】
本発明で用いられるフィラーとしては、例えば、無機フィラー、有機フィラー等が挙げられる。
無機フィラーとしては、例えば、金粉、銀粉、銅粉、アルミニウム粉等の金属粉や、溶融シリカ、結晶シリカ、窒化珪素、アルミナ、窒化アルミ、タルク等が挙げられる。これらの内、金属粉は主に導電性や熱伝導性を付与するために用いられる。
【0019】
有機フィラーとしては、例えば、シリコーン樹脂、ポリテトラフロロエチレン等のフッ素樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂、ベンゾグアナミンやメラミンとホルムアルデヒドとの架橋物等が挙げられる。
その中でも導電性の用途には特に銀粉が入手が容易なこと、形状や粒径の種類が多く、導電性が良好であり、加熱しても導電性が変化しない点で好ましく、絶縁用途の半導体樹脂ペーストにはシリカが入手の容易さと種類の豊富さの点で好ましい。これらのフィラーは、ハロゲンイオン、アルカリ金属イオン等のイオン性不純物の含有量が10ppm以下であることが好ましい。
又、フィラーの形状としては、例えば、フレーク状、鱗片状、樹脂状、球状等のものが用いられる。
【0020】
必要とする半導体用樹脂ペーストの粘度によって、使用するフィラーの粒径は異なり、特に制限されないが、平均粒径は0.3〜20μm、最大粒径は50μm程度のものが好ましい。平均粒径が0.3μm未満だと粘度が高くなり、20μmを越えると塗布又は硬化時に樹脂成分が流出するのでブリードが発生する可能性がある。最大粒径が50μmを越えるとディスペンサーで半導体用樹脂ペーストを塗布するときに、ニードルの出口を塞ぎ長時間の連続使用ができない。又、比較的粗いフィラーと細かいフィラーとを混合して用いることもでき、種類、形状についても各種のものを適宜混合してもよい。
【0021】
又、必要とされる特性を付与するためには、前記以外のフィラーを用いてもよい。例えば、粒径が1〜100nm程度のナノスケールフィラーや、シリカとアクリルとの複合材、有機フィラー表面に金属コーティングを施したもの等の様な有機化合物と無機化合物との複合フィラー等が挙げられる。
尚、本発明のフィラーは、予め表面をアルコキシシラン、アシロキシシラン、シラザン、オルガノアミノシラン等のシランカップリング材等で処理したものを用いてもよい。
【0022】
本発明の半導体用樹脂ペーストは、(A)〜(C)成分を必須成分とするが、それら以外にも必要に応じて硬化促進剤、ゴムやシリコーン等の低応力化剤、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤、顔料、染料、消泡剤、界面活性剤、溶剤等の添加剤を適宜配合することができる。
【0023】
本発明の半導体用樹脂ペーストは、(A)〜(C)成分及びその他の添加剤等を予備混合し、ロール等を用いて混練した後、真空下脱泡する等の製造方法で得られる。
本発明の半導体用樹脂ペーストを用いて、半導体装置を製造するには、公知の方法を用いることができる。
【0024】
【実施例】
本発明を実施例で具体的に説明する。各成分の配合割合は重量部とする。
<実施例1〜5>
表1の配合に従って各成分を混合し、ロールで混練し、真空チャンバーを用いて脱泡して半導体用樹脂ペーストを得た。得られた半導体用樹脂ペーストを以下の方法で評価した。結果を表1に示す。
【0025】
<用いる原料成分>
エポキシ樹脂:
・式(2)で示される加水分解性塩素含有量300ppmのエポキシ樹脂( 粘度10mPa・s/25℃、エポキシ当量120)(以下EP−1とい う)
・式(2)で示される加水分解性塩素含有量1000ppmのエポキシ樹脂( 粘度10mPa・s/25℃、エポキシ当量125。)(以下EP−2と いう)
【0026】
・式(5)で示される加水分解性塩素含有量300ppmのエポキシ樹脂(粘度10mPa・s/25℃、エポキシ当量105)(以下EP−3という)
【化9】
・ビスフェノールA型エポキシ樹脂(粘度4000mPa・s/25℃、エポキシ当量190。加水分解性塩素含有量200ppm)(以下、BPAEPという)
【0027】
硬化剤:
・フェノールノボラック樹脂(水酸基当量104)
・ジシアンジアミド
・2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール(以下、2P4MHZという)
【0028】
無機フィラー:
・銀粉 :粒径0.1〜30μm、平均粒径3μm、フレーク状
・シリカ:平均粒径3μm、最大粒径20μm、球状
【0029】
<評価方法>
・粘度:E型粘度計(3°コーン)を用いて、25℃、2.5rpmでの値を測定した。
・不純物濃度:半導体用樹脂ペースト5gをオーブンを用いて200℃、60分間で硬化した。この硬化物を粉砕し、200メッシュの篩で篩分して通過した 粉2gを蒸留水40gと共に耐圧容器に入れ、120℃20時間抽出した。抽出水をイオンクロマトグラフィーにより塩素イオン濃度を測定した。
【0030】
・接着強度:5mm×5mmのシリコンチップを、半導体用樹脂ペーストを用いて銅フレームにマウントし、オーブンを用いて200℃、60分間で硬化した。硬化後、マウント強度測定装置を用いて25℃、260℃での熱時ダイシェア強度を測定した。
・弾性率:フッ素樹脂系シート上に半導体用樹脂ペーストを幅10mm、長さ約150mm、厚さ100μmに塗布し、200℃のオーブン中で60分間硬化した後、引っ張り試験機を用いて試験長100mm、引っ張り速度1mm/60秒、25℃、又は260℃で測定し、得られた応力−ひずみ曲線の初期勾配から弾性率を算出した。
【0031】
・耐半田性(剥離率):シリコンチップ(サイズ9.0mm×9.0mm)を半導体用樹脂ペーストを用いてリードフレーム(銅製)にマウントし、オーブンを用いて窒素雰囲気下、200℃、60分間で硬化した。このリードフレームをエポキシ樹脂封止材を用いて、80ピンQFP(パッケージサイズは14×20mm、厚み2.0mm)を金型温度175℃、射出圧力7.5MPa、硬化時間60秒間でトランスファー成形し、175℃、8時間で後硬化させた。得られたパッケージを85℃、相対湿度85%の環境下で168時間放置し、その後260℃の半田槽に10秒間浸漬した。透過型の超音波探傷装置を用いてパッケージ内部の剥離面積の合計値を測定し、又、反射型の超音波探傷装置を用いてチップとエポキシ樹脂封止材との剥離面積及びリードフレームとエポキシ樹脂封止材との剥離面積の合計値を測定した。(ダイアタッチ層の剥離面積)=[(透過での剥離面積の合計値)−(反射での剥離面積の合計値)]を求め、半導体用樹脂ペーストの剥離率を、(剥離率)=[(ダイアタッチ層の剥離面積)/(チップ面積)]×100として、5個のパッケージの平均値を求め、%で表示した。但し、各パッケージで反射での剥離面積が25%を超えるものは計算から除外した。
【0032】
・耐湿性:IC用TEG(サイズ9.0mm×9.0mm、アルミ配線、線幅1μm)を半導体用樹脂ペーストを用いてリードフレーム(銅製)にマウントし、オーブンを用いて窒素雰囲気下、200℃、60分間で硬化した。硬化後、金線ワイヤーボンディングを行い、エポキシ樹脂封止材を用いて、80ピンQFP(パッケージサイズは14×20mm、厚み2.0mm)を金型温度175℃、射出圧力7.5MPa、硬化時間60秒間でトランスファー成形し、175℃、8時間で後硬化させた。このパッケージを125℃、相対湿度85%の環境下で10Vの電圧を印加し、500時間処理後、発煙硝酸にて開封を行いTEG表面を観察し、アルミ配線腐食の有無を確認した。
【0033】
<比較例1〜8>
表2の配合に従い実施例1と同様にして半導体用樹脂ペーストを得、実施例1と同様にして評価した。結果を表2に示す。
【0034】
【表1】
【0035】
【表2】
【0036】
【発明の効果】
本発明に従うと、熱時の接着強度に優れ且つ熱時低弾性率であり、耐半田クラック性試験及び耐湿試験において半導体用樹脂ペースト層の剥離や半導体素子の配線腐食が起こらない信頼性に優れた半導体用樹脂ペースト、及びこれを用いた半導体装置が得られる。
Claims (3)
- 半導体素子を金属フレームに接着する樹脂ペーストであって、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤及び(C)フィラーを必須成分とし、該エポキシ樹脂100重量部中に一般式(1)で示される化合物を5重量部以上と25℃で液状のビスフェノールF型エポキシ樹脂又はビスフェノールA型エポキシ樹脂を含み、且つ一般式(1)で示される化合物、及び全エポキシ樹脂の加水分解性塩素含有量が500ppm以下であることを特徴とする半導体用樹脂ペースト。
- 一般式(1)で示される化合物が、式(2)で示される化合物である請求項1記載の半導体用樹脂ペースト。
- 請求項1又は2に記載の半導体用樹脂ペーストを用いて製作されてなる半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001345497A JP3960515B2 (ja) | 2001-11-12 | 2001-11-12 | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001345497A JP3960515B2 (ja) | 2001-11-12 | 2001-11-12 | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003147046A JP2003147046A (ja) | 2003-05-21 |
JP3960515B2 true JP3960515B2 (ja) | 2007-08-15 |
Family
ID=19158817
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001345497A Expired - Fee Related JP3960515B2 (ja) | 2001-11-12 | 2001-11-12 | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3960515B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006137924A (ja) * | 2004-07-01 | 2006-06-01 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性樹脂組成物、導電性樹脂硬化物、および電子部品モジュール |
US7842178B2 (en) | 2005-04-18 | 2010-11-30 | University Of Iowa Research Foundation | Magnet incorporated electrically conductive electrodes |
WO2007097405A1 (ja) * | 2006-02-27 | 2007-08-30 | Showa Denko K.K. | 低塩素多官能脂肪族グリシジルエーテル化合物を含む熱硬化性樹脂組成物、該組成物の硬化物およびその用途 |
JP5803348B2 (ja) * | 2011-07-01 | 2015-11-04 | 富士電機株式会社 | ポリマーナノコンポジット樹脂組成物 |
TWI654218B (zh) * | 2018-01-08 | 2019-03-21 | 財團法人工業技術研究院 | 樹脂組合物與導熱材料的形成方法 |
-
2001
- 2001-11-12 JP JP2001345497A patent/JP3960515B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003147046A (ja) | 2003-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3854103B2 (ja) | 導電性ペースト及び該ペーストを用いてなる半導体装置 | |
JP4780041B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
EP1325053B1 (en) | Die-attaching paste and semiconductor device | |
JP4622131B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
JP3960515B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
JP4064090B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
JP3847095B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
JP4148754B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
JP2003335923A (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
JP2007063565A (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
JP4014402B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
JP4342772B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
JP2974902B2 (ja) | 導電性樹脂ペースト | |
JP2002284889A (ja) | 半導体用樹脂ペーストの製造方法、半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
JP2004186525A (ja) | エリア実装型半導体装置 | |
JPH10120873A (ja) | 半導体用絶縁樹脂ペースト | |
JP2002252235A (ja) | 半導体用樹脂ペースト及びそれを用いた半導体装置 | |
JP3986894B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
JP3719855B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト | |
JP5061760B2 (ja) | ダイアタッチペースト及び半導体装置 | |
JP2002187938A (ja) | ダイアタッチペースト及び半導体装置 | |
JP2003347322A (ja) | ダイアタッチペースト及び半導体装置 | |
JP3608908B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト | |
JP3719856B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト | |
JP3521065B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト及びそれを用いた半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040913 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060811 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060818 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061017 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070126 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070511 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070511 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3960515 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110525 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110525 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120525 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120525 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130525 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130525 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140525 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |