JP3986894B2 - 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 - Google Patents

半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、IC、LSI等の半導体素子を金属フレーム及び有機基板等に接着する樹脂ペーストに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、IC等の半導体素子をリードフレームに接着する方法として半導体用樹脂ペーストが一般的に使用されている。近年の電子機器の小型軽量化、高機能化の動向に対応して、半導体装置の小型化、薄型化、狭ピッチ化が益々加速する方向であり、これに伴い半導体用樹脂ペーストには、半導体装置の吸湿後の耐半田クラック性の向上が強く求められるようになってきた。耐半田クラック性の向上には半導体素子とリードフレームが密着していることと半田処理時の応力を緩和させることが重要である。その中でも特に吸湿処理後の密着性向上が重要であったが、従来の半導体用樹脂ペーストでは、吸湿処理後のリードフレームや半導体素子と半導体用樹脂ペーストとの密着性が低下してしまい、半導体装置の信頼性が期待した程には向上しないといった問題があった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、吸湿処理による密着性の低下がなく、吸湿処理後の耐半田クラック性試験において半導体用樹脂ペースト層の剥離が起こらない信頼性に優れた半導体用樹脂ペースト、及びこれを用いた半導体装置を提供するものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明は、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)分子内に式(1)で示される構造を有する化合物及び(D)フィラーを必須成分とし、(C)分子内に式(1)で示される構造を有する化合物が式(2)、(3)又は式(4)で示される化合物であり、エポキシ樹脂100重量部当たり0.1〜50重量部である半導体用樹脂ペーストである。
【0005】
【化5】
Figure 0003986894
【0006】
C)分子内に式(1)で示される構造を有する化合物が、式(2)、(3)又は式(4)で示される化合物である半導体用樹脂ペーストである。
【化6】
Figure 0003986894
【化7】
Figure 0003986894
【化8】
Figure 0003986894
また、上記に記載の半導体用樹脂ペーストを用いて製作されてなる半導体装置である。
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明で用いられる(A)エポキシ樹脂は、エポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を指す。例えば、ビスフェノールA、ビスフェノールF、フェノールノボラック、クレゾールノボラック類とエピクロルヒドリンとの反応によって得られるポリグリシジルエーテル、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂、ブタンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル等の脂肪族エポキシ樹脂、ジグリシジルヒダントイン等の複素環式エポキシ樹脂、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、ジシクロペンタジエンジオキサイド、アリサイクリックジエポキシーアジペイト等の脂環式エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン、2,2−ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)プロパンジグリシジルエーテル等の水添型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは1種類あるいは複数種を併用して使うことが可能である。
エポキシ樹脂は分子量によって各種のものがあるが、分子量が小さく常温で液状のものが、配合するときの作業性及び配合後の粘度の点から好ましい。
【0008】
エポキシ樹脂が固形や半固形である場合や、液状でも粘度が高い場合は、エポキシ基を有する反応性希釈剤を併用することが好ましい。反応性希釈剤としては、例えば、n−ブチルグリシジルエーテル、バーサティック酸グリシジルエステル、スチレンオサイド、エチルヘキシルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、ブチルフェニルグリシジルエーテル等が挙げられ、これらは1種類あるいは複数種を併用して使うことが可能である。
【0009】
本発明で用いられる(B)硬化剤としては、例えばジカルボン酸ジヒドラジド化合物、イミダゾール化合物、脂肪族アミン、芳香族アミン、ジシアンジアミド、フェノール樹脂等が挙げられ、これらは1種類あるいは複数種を併用して使うことが可能である。この中でもジカルボン酸ジヒドラジド化合物、イミダゾール化合物、脂肪族アミン、芳香族アミン、ジシアンジアミドは分子内に1級及び2級アミンを有するため、硬化時に式(1)の構造を開環させ、接着強度が向上するため好ましい。
【0010】
ジカルボン酸ジヒドラジド化合物としては、例えば、アジピン酸ジヒドラジド、ドデカン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、p-オキシ安息香酸ジヒドラジド等のカルボン酸ジヒドラジド等が挙げられ、これらは1種類あるいは複数種を併用して使うことが可能である。
【0011】
イミダゾール化合物としては、例えば、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−C1123−イミダゾール等の一般的なイミダゾールやトリアジンやイソシアヌル酸を付加し、保存安定性を付与した2,4−ジアミノ−6−{2−メチルイミダゾール−(1)}−エチル−S−トリアジン、又そのイソシアネート付加物等が挙げられ、これらは1種類あるいは複数種を併用して使うことが可能である。
【0012】
フェノール樹脂としては、エポキシ基と反応して架橋にあずかる活性水素基を1分子当り2個以上有することが望ましい。このようなフェノール樹脂としては、例えば、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、テトラメチルビスフェノールA、テトラメチルビスフェノールF、テトラメチルビスフェノールS、ジヒドロキシジフェニルエーテル、ジヒドロキシベンゾフェノン、o-ヒドロキシフェノール、m-ヒドロキシフェノール、p-ヒドロキシフェノール、ビフェノール、テトラメチルビフェノール、エチリデンビスフェノール、メチルエチリデンビス(メチルフェノール)、シクロへキシリデンビスフェノール、又フェノール、クレゾール、キシレノール等の1価フェノール類とホルムアルデヒドとを稀薄水溶液中強酸性下で反応させることによって得られるフェノールノボラック樹脂、1価フェノール類とアクロレイン、グリオキザール等の多官能アルデヒド類との酸性下の初期縮合物や、レゾルシン、カテコール、ハイドロキノン等の多価フェノール類とホルムアルデヒドとの酸性下の初期縮合物等が挙げられ、これらは1種類あるいは複数種を併用して使うことが可能である。
(B)硬化剤の配合量としては特に制限されないが、エポキシ樹脂100重量部当たり0.1〜200重量部が好ましい。0.1重量部未満であると接着強度が低下する可能性があり、200重量部を超えると粘度が高くなり、作業性が低下するする可能性があり好ましくない。
【0013】
本発明で用いられる(C)分子内に式(1)で示される構造を有する化合物の具体的な例を式(2)(3)及び(4)に示すが、これらに限定されるものではなく、これらは1種類あるいは複数種を併用して使うことが可能である。その中でも式(2)(3)及び(4)で示される化合物から選択される1種類以上が特に好ましい。
【0014】
分子内に式(1)で示される構造(ジチオカーボナート基)を有することにより、硬化時に開環し、被着体との水素結合等の相互作用が強くなるために接着強度が向上することと、開環することによりチオールが生成し、チオールとエポキシ基が反応するために硬化率が向上する。
式(1)で示される構造とアミンとの反応例を式(5)に示した。
【化9】
Figure 0003986894
(C)分子内に式(1)で示される構造を有する化合物の配合量としては、エポキシ樹脂100重量部当たり0.1〜50重量部が好ましく、より好ましくは0.3〜20重量部である。下限値未満だと分子内に式(1)で示される構造を有する化合物を配合することによる吸湿後の接着強度が低下することを防止する効果が無く、上限値を超えると、吸湿処理後の接着強度低下は少ないが、粘度が高くなるので好ましくない。
【0015】
本発明で用いられる(D)フィラーとしては、例えば、無機フィラー、有機フィラー等が挙げられる。
無機フィラーとしては、例えば、金粉、銀粉、銅粉、アルミニウム粉等の金属粉や、溶融シリカ、結晶シリカ、窒化珪素、アルミナ、窒化アルミ、タルク等が挙げられる。これらの内、金属粉は主に導電性や熱伝導性を付与するために用いられる。
有機フィラーとしては、例えば、シリコーン樹脂、ポリテトラフロロエチレン等のフッ素樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂、ベンゾグアナミンやメラミンとホルムアルデヒドとの架橋物等が挙げられる。
これらのフィラーは、ハロゲンイオン、アルカリ金属イオン等のイオン性不純物の含有量が10ppm以下であることが好ましい。
【0016】
フィラーの形状としては、例えば、フレーク状、鱗片状、樹脂状、球状等のものが用いられる。
必要とする半導体用樹脂ペーストの粘度によって、使用するフィラーの粒径は異なるが、通常、平均粒径は0.3〜20μm、最大粒径は50μm程度のものが好ましい。平均粒径が0.3μm未満だと粘度が高くなり、20μmを越えると塗布又は硬化時に樹脂成分が流出するのでブリードが発生する可能性がある。最大粒径が50μmを越えるとディスペンサーで半導体用樹脂ペーストを塗布するときに、ニードルの出口を塞ぎ長時間の連続使用ができない。又、比較的粗いフィラーと細かいフィラーとを混合して用いることもでき、種類、形状についても各種のものを適宜混合してもよい。
又、必要とされる特性を付与するためには、前記以外のフィラーを用いてもよい。例えば、粒径が1〜100nm程度のナノスケールフィラーや、シリカとアクリルとの複合材、有機フィラー表面に金属コーティングを施したもの等の様な有機化合物と無機化合物との複合フィラー等が挙げられる。
尚、本発明のフィラーは、予め表面をアルコキシシラン、アシロキシシラン、シラザン、オルガノアミノシラン等のシランカップリング剤等で処理したものを用いてもよい。
(D)フィラーの配合量としては特に制限されないが、樹脂ペースト100重量部当たり1.0〜95重量部が好ましい。1.0重量部未満であると粘度が低すぎてペーストのタレが発生したり、フィラーによる補強強化が得られない為接着強度や耐半田性が低下する可能性があり、95重量部を超えると粘度が高くなり作業性が低下したり、ペースト硬化物が脆くなる為、耐半田性が低下する可能性があり好ましくない。
【0017】
本発明の半導体用樹脂ペーストは(A)〜(D)成分を必須成分とするが、それら以外にも必要に応じて硬化促進剤、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤、顔料、染料、消泡剤、界面活性剤、イオン捕捉剤、溶剤等の添加剤を適宜配合することができる。
本発明の半導体用樹脂ペーストは、(A)〜(D)成分、及びその他の添加剤等を予備混合し、ロール等を用いて混練した後、真空下脱泡する等の製造方法で得られる。
本発明の半導体用樹脂ペーストを用いて、半導体装置を製造するには、公知の方法を用いることができる。
【0018】
【実施例】
本発明を実施例で具体的に説明する。各成分の配合割合は重量部とする。
<実施例1〜15>
表1の配合に従って各成分をロールで混練し、真空チャンバーを用いて脱泡して半導体用樹脂ペーストを得た。得られた半導体用樹脂ペーストを以下の方法で評価した。結果を表1に示す。
【0019】
<用いる原料成分>
エポキシ樹脂:
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(粘度4000mPa・s/25℃、エポキシ当量170)(以下、BPAEPという)
2,2−ビス(4−ヒドロキシシクロヘキシル)プロパンジグリシジルエーテル(粘度1700mPa・s/25℃、エポキシ当量190)(以下HBPADGEという)
硬化剤:
ジシアンジアミド
2−フェニル−4−メチル−イミダゾール(以下、2P4MZという)
式(1)の構造を分子内に有する化合物:
式(2)で示される化合物
【化10】
Figure 0003986894
【0020】
式(3)で示され、mが平均値で4、nが平均値で12の化合物
【化11】
Figure 0003986894
式(4)で示され、mが平均値で3、nが平均値で10の化合物
【化12】
Figure 0003986894
【0021】
無機フィラー:
銀粉 :粒径0.1〜50μm、平均粒径3μm、フレーク状。
シリカ:平均粒径3μm、最大粒径20μm、球状。
【0022】
<評価方法>
・粘度:E型粘度計(3°コーン)を用いて、25℃、2.5rpmでの値を測定した。
・接着強度:5mm×5mmのシリコンチップを、半導体用樹脂ペーストを用いて銅フレームにマウントし、オーブンを用いて200℃、60分間で硬化した。硬化後260℃での熱時ダイシェア強度を測定した。
・吸湿処理後接着強度:接着強度と同様にしてサンプルを作成し、サンプルを85℃、相対湿度85%の環境下で72時間放置し吸湿処理を行った。吸湿処理後260℃での熱時ダイシェア強度を測定した。
・耐半田性(剥離率):シリコンチップ(サイズ9.0mm×9.0mm)を半導体用樹脂ペーストを用いてリードフレーム(銅製)にマウントし、オーブンを用いて窒素雰囲気下、200℃、60分間で硬化した。このリードフレームをエポキシ樹脂封止材を用いて、80ピンQFP(パッケージサイズは14×20mm、厚み2.0mm)を金型温度175℃、射出圧力7.5MPa、硬化時間60秒間でトランスファー成形し、175℃、8時間で後硬化させた。得られたパッケージを85℃、相対湿度85%の環境下で168時間放置し、その後260℃の半田槽に10秒間浸漬した。透過型の超音波探傷装置を用いてパッケージ内部の剥離面積の合計値を測定し、又、反射型の超音波探傷装置を用いてチップとエポキシ樹脂封止材との剥離面積及びリードフレームとエポキシ樹脂封止材との剥離面積の合計値を測定した。(ダイアタッチ層の剥離面積)=[(透過での剥離面積の合計値)−(反射での剥離面積の合計値)]を求め、半導体用樹脂ペーストの剥離率を、(剥離率)=[(ダイアタッチ層の剥離面積)/(チップ面積)×100]として、5個のパッケージの平均値を求め、%で表示した。
【0023】
<比較例1〜14>
表2の配合に従い実施例と同様にして半導体用樹脂ペーストを得、実施例と同様にして評価した。結果を表2に示す。
【表1】
Figure 0003986894
【0024】
【表2】
Figure 0003986894
【発明の効果】
本発明に従うと、熱時接着強度の低下がなく、吸湿処理後の耐半田クラック性試験において半導体用樹脂ペースト層の剥離が起こらない信頼性に優れた半導体用樹脂ペースト、及びこれを用いた半導体装置が得られる。

Claims (3)

  1. (A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)分子内に式(1)で示される構造を有する化合物、及び(D)フィラーを必須成分とし、(C)分子内に式(1)で示される構造を有する化合物が式(2)、(3)又は式(4)で示される化合物であり、エポキシ樹脂100重量部当たり0.1〜50重量部であることを特徴とする半導体用樹脂ペースト。
    Figure 0003986894
    Figure 0003986894
    Figure 0003986894
    Figure 0003986894
  2. (B)硬化剤としてジカルボン酸ジヒドラジド化合物、イミダゾール化合物、脂肪族アミン、芳香族アミン、ジシアンジアミドのうち、少なくとも1つを含む
    ことを特徴とする請求項1記載の半導体用樹脂ペースト
  3. 請求項1又は2に記載の半導体用樹脂ペーストを用いて製作されてなる半導体装置。
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JP2002037864A (ja) * 2000-07-31 2002-02-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体素子用樹脂ペースト及び半導体装置
JP2002134530A (ja) * 2000-10-30 2002-05-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用樹脂ペーストの製造方法、半導体用樹脂ペースト及び半導体装置

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