JP2002294198A - 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 - Google Patents
半導体用樹脂ペースト及び半導体装置Info
- Publication number
- JP2002294198A JP2002294198A JP2001094566A JP2001094566A JP2002294198A JP 2002294198 A JP2002294198 A JP 2002294198A JP 2001094566 A JP2001094566 A JP 2001094566A JP 2001094566 A JP2001094566 A JP 2001094566A JP 2002294198 A JP2002294198 A JP 2002294198A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- resin paste
- epoxy resin
- semiconductor
- agent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 吸湿後熱時接着強度が向上し、吸湿処理後の
耐半田クラック性試験において半導体用樹脂ペースト層
の剥離が起こらない信頼性に優れた低弾性率の半導体用
樹脂ペーストを提供する。 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、
（Ｃ）低応力化剤、及び（Ｄ）フィラーを必須成分と
し、該低応力化剤が、分子末端にアルコキシシリル基を
有し、且つエポキシ樹脂及び硬化剤と混合して硬化させ
た場合に均一に分散する化合物であり、エポキシ樹脂１
００重量部当たりの該低応力化剤が３〜３０重量部であ
る半導体用樹脂ペーストである。
耐半田クラック性試験において半導体用樹脂ペースト層
の剥離が起こらない信頼性に優れた低弾性率の半導体用
樹脂ペーストを提供する。 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、
（Ｃ）低応力化剤、及び（Ｄ）フィラーを必須成分と
し、該低応力化剤が、分子末端にアルコキシシリル基を
有し、且つエポキシ樹脂及び硬化剤と混合して硬化させ
た場合に均一に分散する化合物であり、エポキシ樹脂１
００重量部当たりの該低応力化剤が３〜３０重量部であ
る半導体用樹脂ペーストである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等の
半導体素子を金属フレーム等に接着する樹脂ペーストに
関するものである。
半導体素子を金属フレーム等に接着する樹脂ペーストに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣ等の半導体素子の集積度が高
密度化してきたため、半導体素子が大型化してきてい
る。一方、半導体装置のリードフレームとしては、従来
から用いられてきた４２合金フレームでは高価であるこ
とから、コストダウンのため銅フレームが用いられるよ
うになってきている。この様な大型の半導体素子と、銅
フレームの様な熱膨張率の大きいリードフレームを用い
た半導体装置に対応して、半導体素子をリードフレーム
に接着するマウント工程には従来使用されていた半導体
用樹脂ペーストに代わって、半導体素子のクラックや反
りを防止するため、低応力化剤を配合して低弾性率化し
た半導体用樹脂ペーストが使用されるようになってきて
いる。他方、電子機器の小型軽量化、高機能化の動向に
対応して、半導体装置の小型化、薄型化、狭ピッチ化が
益々加速する中で、半導体用樹脂ペーストには、半導体
装置の吸湿後の耐半田クラック性や耐湿性の向上が強く
求められている。これらの信頼性の向上には半導体素子
とリードフレームが密着していることが必要である。し
かし従来の低応力化剤を配合した半導体用樹脂ペースト
では、低弾性率化するために多量の低応力化剤を配合し
なければならず、リードフレームや半導体素子と半導体
用樹脂ペーストとの密着性が低下してしまうため、半導
体装置の信頼性が期待した程には向上しないといった問
題があった。
密度化してきたため、半導体素子が大型化してきてい
る。一方、半導体装置のリードフレームとしては、従来
から用いられてきた４２合金フレームでは高価であるこ
とから、コストダウンのため銅フレームが用いられるよ
うになってきている。この様な大型の半導体素子と、銅
フレームの様な熱膨張率の大きいリードフレームを用い
た半導体装置に対応して、半導体素子をリードフレーム
に接着するマウント工程には従来使用されていた半導体
用樹脂ペーストに代わって、半導体素子のクラックや反
りを防止するため、低応力化剤を配合して低弾性率化し
た半導体用樹脂ペーストが使用されるようになってきて
いる。他方、電子機器の小型軽量化、高機能化の動向に
対応して、半導体装置の小型化、薄型化、狭ピッチ化が
益々加速する中で、半導体用樹脂ペーストには、半導体
装置の吸湿後の耐半田クラック性や耐湿性の向上が強く
求められている。これらの信頼性の向上には半導体素子
とリードフレームが密着していることが必要である。し
かし従来の低応力化剤を配合した半導体用樹脂ペースト
では、低弾性率化するために多量の低応力化剤を配合し
なければならず、リードフレームや半導体素子と半導体
用樹脂ペーストとの密着性が低下してしまうため、半導
体装置の信頼性が期待した程には向上しないといった問
題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、密着性が良
く、且つ低弾性率で、吸湿処理後の耐半田クラック性試
験において半導体用樹脂ペースト層の剥離が起こらない
信頼性に優れた半導体用樹脂ペーストを提供する。ま
た、これを用いた半導体装置を提供する。
く、且つ低弾性率で、吸湿処理後の耐半田クラック性試
験において半導体用樹脂ペースト層の剥離が起こらない
信頼性に優れた半導体用樹脂ペーストを提供する。ま
た、これを用いた半導体装置を提供する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）低応力化剤及び（Ｄ）フィラーを
必須成分とし、該低応力化剤が、分子末端にアルコキシ
シリル基を有し、且つエポキシ樹脂及び硬化剤と混合し
て硬化させた場合に均一に分散する化合物であり、エポ
キシ樹脂１００重量部当たりの該低応力化剤が３〜３０
重量部である半導体用樹脂ペーストである。更に好まし
い形態としては、（Ｃ）低応力化剤が、一般式（１）、
一般式（２）で示される化合物から選択される１種類以
上である半導体用樹脂ペーストである。また上記の半導
体用樹脂ペーストを用いた製作された半導体装置であ
る。
（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）低応力化剤及び（Ｄ）フィラーを
必須成分とし、該低応力化剤が、分子末端にアルコキシ
シリル基を有し、且つエポキシ樹脂及び硬化剤と混合し
て硬化させた場合に均一に分散する化合物であり、エポ
キシ樹脂１００重量部当たりの該低応力化剤が３〜３０
重量部である半導体用樹脂ペーストである。更に好まし
い形態としては、（Ｃ）低応力化剤が、一般式（１）、
一般式（２）で示される化合物から選択される１種類以
上である半導体用樹脂ペーストである。また上記の半導
体用樹脂ペーストを用いた製作された半導体装置であ
る。
【０００５】
【化３】 （Ｒ１〜Ｒ４は炭素数１〜４のアルキル基でそれぞれ異
なってもよい。Ｘは１または２，nは１以上の整数であ
る。Meはメチル基）
なってもよい。Ｘは１または２，nは１以上の整数であ
る。Meはメチル基）
【０００６】
【化４】 （Ｒ１〜Ｒ４は炭素数１〜４のアルキル基でそれぞれ異
なってもよい。Ｒ５は炭素数１〜４のアルキレン基，Ｘ
は０〜２の整数，nは１以上の整数である。）
なってもよい。Ｒ５は炭素数１〜４のアルキレン基，Ｘ
は０〜２の整数，nは１以上の整数である。）
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明で用いられるエポキシ樹脂
は、エポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマ
ー全般を指す。例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノ
ールＦ、フェノールノボラック、クレゾールノボラック
類とエピクロルヒドリンとの反応によって得られるポリ
グリシジルエーテル、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチ
ルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂
等の結晶性エポキシ樹脂、ブタンジオールジグリシジル
エーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテ
ル等の脂肪族エポキシ樹脂、ジグリシジルヒダントイン
等の複素環式エポキシ樹脂、ビニルシクロヘキセンジオ
キサイド、ジシクロペンタジエンジオキサイド、アリサ
イクリックジエポキシーアジペイト等の脂環式エポキシ
樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ
樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ナフトー
ル型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹
脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、グリシジル
アミン等が挙げられ、これらは１種類あるいは複数種を
併用して使うことが可能である。エポキシ樹脂は分子量
によって各種のものがあるが、分子量が小さく常温で液
状のものが、配合するときの作業性及び配合後の粘度の
点から好ましい。
は、エポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマ
ー全般を指す。例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノ
ールＦ、フェノールノボラック、クレゾールノボラック
類とエピクロルヒドリンとの反応によって得られるポリ
グリシジルエーテル、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチ
ルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂
等の結晶性エポキシ樹脂、ブタンジオールジグリシジル
エーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテ
ル等の脂肪族エポキシ樹脂、ジグリシジルヒダントイン
等の複素環式エポキシ樹脂、ビニルシクロヘキセンジオ
キサイド、ジシクロペンタジエンジオキサイド、アリサ
イクリックジエポキシーアジペイト等の脂環式エポキシ
樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ
樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ナフトー
ル型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹
脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、グリシジル
アミン等が挙げられ、これらは１種類あるいは複数種を
併用して使うことが可能である。エポキシ樹脂は分子量
によって各種のものがあるが、分子量が小さく常温で液
状のものが、配合するときの作業性及び配合後の粘度の
点から好ましい。
【０００８】エポキシ樹脂が固形や半固形である場合
や、液状でも粘度が高い場合は、エポキシ基を有する反
応性希釈剤を併用することが好ましい。反応性希釈剤と
しては、例えば、ｎ−ブチルグリシジルエーテル、バー
サティック酸グリシジルエステル、スチレンオキサイ
ド、エチルヘキシルグリシジルエーテル、フェニルグリ
シジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、ブチル
フェニルグリシジルエーテル等が挙げられ、これらは１
種類あるいは複数種を併用して使うことが可能である。
や、液状でも粘度が高い場合は、エポキシ基を有する反
応性希釈剤を併用することが好ましい。反応性希釈剤と
しては、例えば、ｎ−ブチルグリシジルエーテル、バー
サティック酸グリシジルエステル、スチレンオキサイ
ド、エチルヘキシルグリシジルエーテル、フェニルグリ
シジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、ブチル
フェニルグリシジルエーテル等が挙げられ、これらは１
種類あるいは複数種を併用して使うことが可能である。
【０００９】本発明で用いられる硬化剤としては、例え
ば、フェノール樹脂、ジカルボン酸ジヒドラジド化合
物、イミダゾール化合物、脂肪族アミン、芳香族アミ
ン、ジシアンジアミド等が挙げられ、これらは１種類あ
るいは複数種を併用して使うことが可能である。
ば、フェノール樹脂、ジカルボン酸ジヒドラジド化合
物、イミダゾール化合物、脂肪族アミン、芳香族アミ
ン、ジシアンジアミド等が挙げられ、これらは１種類あ
るいは複数種を併用して使うことが可能である。
【００１０】フェノール樹脂としては、エポキシ基と反
応して架橋にあずかる活性水素基を１分子当り２個以上
有することが望ましい。このようなフェノール樹脂とし
ては、例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、
ビスフェノールＳ、テトラメチルビスフェノールＡ、テ
トラメチルビスフェノールＦ、テトラメチルビスフェノ
ールＳ、ジヒドロキシジフェニルエーテル、ジヒドロキ
シベンゾフェノン、o-ヒドロキシフェノール、m-ヒドロ
キシフェノール、p-ヒドロキシフェノール、ビフェノー
ル、テトラメチルビフェノール、エチリデンビスフェノ
ール、メチルエチリデンビス(メチルフェノール)、シク
ロへキシリデンビスフェノール、又フェノール、クレゾ
ール、キシレノール等の１価フェノール類とホルムアル
デヒドとを稀薄水溶液中強酸性下で反応させることによ
って得られるフェノールノボラック樹脂、１価フェノー
ル類とアクロレイン、グリオキザール等の多官能アルデ
ヒド類との酸性下の初期縮合物や、レゾルシン、カテコ
ール、ハイドロキノン等の多価フェノール類とホルムア
ルデヒドとの酸性下の初期縮合物等が挙げられ、これら
は１種類あるいは複数種を併用して使うことが可能であ
る。
応して架橋にあずかる活性水素基を１分子当り２個以上
有することが望ましい。このようなフェノール樹脂とし
ては、例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、
ビスフェノールＳ、テトラメチルビスフェノールＡ、テ
トラメチルビスフェノールＦ、テトラメチルビスフェノ
ールＳ、ジヒドロキシジフェニルエーテル、ジヒドロキ
シベンゾフェノン、o-ヒドロキシフェノール、m-ヒドロ
キシフェノール、p-ヒドロキシフェノール、ビフェノー
ル、テトラメチルビフェノール、エチリデンビスフェノ
ール、メチルエチリデンビス(メチルフェノール)、シク
ロへキシリデンビスフェノール、又フェノール、クレゾ
ール、キシレノール等の１価フェノール類とホルムアル
デヒドとを稀薄水溶液中強酸性下で反応させることによ
って得られるフェノールノボラック樹脂、１価フェノー
ル類とアクロレイン、グリオキザール等の多官能アルデ
ヒド類との酸性下の初期縮合物や、レゾルシン、カテコ
ール、ハイドロキノン等の多価フェノール類とホルムア
ルデヒドとの酸性下の初期縮合物等が挙げられ、これら
は１種類あるいは複数種を併用して使うことが可能であ
る。
【００１１】ジカルボン酸ジヒドラジド化合物として
は、例えば、アジピン酸ジヒドラジド、ドデカン酸ジヒ
ドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、p-オキシ安息香
酸ジヒドラジド等のカルボン酸ジヒドラジド等が挙げら
れ、これらは１種類あるいは複数種を併用して使うこと
が可能である。
は、例えば、アジピン酸ジヒドラジド、ドデカン酸ジヒ
ドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、p-オキシ安息香
酸ジヒドラジド等のカルボン酸ジヒドラジド等が挙げら
れ、これらは１種類あるいは複数種を併用して使うこと
が可能である。
【００１２】イミダゾール化合物としては、例えば、２
−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−
フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミ
ダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシ
メチルイミダゾール、２−フェニル−４、５−ジヒドロ
キシメチルイミダゾール、２−Ｃ11Ｈ23−イミダゾール
等の一般的なイミダゾールやトリアジンやイソシアヌル
酸を付加し、保存安定性を付与した２、４−ジアミノ−
６−｛２−メチルイミダゾール−（１）｝−エチル−Ｓ
−トリアジン、又そのイソシアネート付加物等が挙げら
れ、これらは１種類あるいは複数種を併用して使うこと
が可能である。
−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−
フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミ
ダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシ
メチルイミダゾール、２−フェニル−４、５−ジヒドロ
キシメチルイミダゾール、２−Ｃ11Ｈ23−イミダゾール
等の一般的なイミダゾールやトリアジンやイソシアヌル
酸を付加し、保存安定性を付与した２、４−ジアミノ−
６−｛２−メチルイミダゾール−（１）｝−エチル−Ｓ
−トリアジン、又そのイソシアネート付加物等が挙げら
れ、これらは１種類あるいは複数種を併用して使うこと
が可能である。
【００１３】本発明で用いられる低応力化剤（Ｃ）とし
ては、分子末端にアルコキシシリル基を有し、且つエポ
キシ樹脂及び硬化剤とともに混合して硬化させた場合に
均一に分散する化合物であれば、特に限定するものでは
なく、これらは１種類あるいは複数種を併用して使うこ
とが可能である。一般式（１）、（２）で示される化合
物から選択される１種類以上が好ましい。一般式
（１）、（２）の具体的な例を以下に示すが、これらに
限定されるものではない。
ては、分子末端にアルコキシシリル基を有し、且つエポ
キシ樹脂及び硬化剤とともに混合して硬化させた場合に
均一に分散する化合物であれば、特に限定するものでは
なく、これらは１種類あるいは複数種を併用して使うこ
とが可能である。一般式（１）、（２）で示される化合
物から選択される１種類以上が好ましい。一般式
（１）、（２）の具体的な例を以下に示すが、これらに
限定されるものではない。
【００１４】
【化５】 Meはメチル基，数平均分子量約５０００
【００１５】
【化６】 Meはメチル基，数平均分子量約９０００
【００１６】分子末端にアルコキシシリル基を有する化
合物であっても、エポキシ樹脂及び硬化剤とともに混合
して硬化させた場合に相分離してしまうものだとペース
ト成分にムラが出来るため好ましくない。低応力化剤
（Ｃ）の配合量としては、エポキシ樹脂１００重量部当
たり３〜３０重量部が好ましく、より好ましくは５〜２
０重量部である。３重量部未満だと低応力化剤を配合す
ることによる低弾性率化の効果が無く、３０重量部を超
えると作業性が低下し、耐パッケージクラック性も低下
するので好ましくない。
合物であっても、エポキシ樹脂及び硬化剤とともに混合
して硬化させた場合に相分離してしまうものだとペース
ト成分にムラが出来るため好ましくない。低応力化剤
（Ｃ）の配合量としては、エポキシ樹脂１００重量部当
たり３〜３０重量部が好ましく、より好ましくは５〜２
０重量部である。３重量部未満だと低応力化剤を配合す
ることによる低弾性率化の効果が無く、３０重量部を超
えると作業性が低下し、耐パッケージクラック性も低下
するので好ましくない。
【００１７】本発明で用いられるフィラーとしては、例
えば、無機フィラー、有機フィラー等が挙げられる。無
機フィラーとしては、例えば、金粉、銀粉、銅粉、アル
ミニウム粉等の金属粉や、溶融シリカ、結晶シリカ、窒
化珪素、アルミナ、窒化アルミ、タルク等が挙げられ
る。これらの内、金属粉は主に導電性や熱伝導性を付与
するために用いられる。有機フィラーとしては、例え
ば、シリコーン樹脂、ポリテトラフロロエチレン等のフ
ッ素樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹
脂、ベンゾグアナミンやメラミンとホルムアルデヒドと
の架橋物等が挙げられる。
えば、無機フィラー、有機フィラー等が挙げられる。無
機フィラーとしては、例えば、金粉、銀粉、銅粉、アル
ミニウム粉等の金属粉や、溶融シリカ、結晶シリカ、窒
化珪素、アルミナ、窒化アルミ、タルク等が挙げられ
る。これらの内、金属粉は主に導電性や熱伝導性を付与
するために用いられる。有機フィラーとしては、例え
ば、シリコーン樹脂、ポリテトラフロロエチレン等のフ
ッ素樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹
脂、ベンゾグアナミンやメラミンとホルムアルデヒドと
の架橋物等が挙げられる。
【００１８】これらのフィラーは、ハロゲンイオン、ア
ルカリ金属イオン等のイオン性不純物の含有量が１０ｐ
ｐｍ以下であることが好ましい。又、フィラーの形状と
しては、例えば、フレーク状、鱗片状、樹脂状、球状等
のものが用いられる。必要とする半導体用樹脂ペースト
の粘度によって、使用するフィラーの粒径は異なるが、
通常、平均粒径は０．３〜２０μｍ、最大粒径は５０μ
ｍ程度のものが好ましい。平均粒径が０．３μｍ未満だ
と粘度が高くなり、２０μｍを越えると塗布又は硬化時
に樹脂成分が流出するのでブリードが発生する可能性が
ある。最大粒径が５０μｍを越えるとディスペンサーで
半導体用樹脂ペーストを塗布するときに、ニードルの出
口を塞ぎ長時間の連続使用ができない。又、比較的粗い
フィラーと細かいフィラーとを混合して用いることもで
き、種類、形状についても各種のものを適宜混合しても
よい。
ルカリ金属イオン等のイオン性不純物の含有量が１０ｐ
ｐｍ以下であることが好ましい。又、フィラーの形状と
しては、例えば、フレーク状、鱗片状、樹脂状、球状等
のものが用いられる。必要とする半導体用樹脂ペースト
の粘度によって、使用するフィラーの粒径は異なるが、
通常、平均粒径は０．３〜２０μｍ、最大粒径は５０μ
ｍ程度のものが好ましい。平均粒径が０．３μｍ未満だ
と粘度が高くなり、２０μｍを越えると塗布又は硬化時
に樹脂成分が流出するのでブリードが発生する可能性が
ある。最大粒径が５０μｍを越えるとディスペンサーで
半導体用樹脂ペーストを塗布するときに、ニードルの出
口を塞ぎ長時間の連続使用ができない。又、比較的粗い
フィラーと細かいフィラーとを混合して用いることもで
き、種類、形状についても各種のものを適宜混合しても
よい。
【００１９】又、必要とされる特性を付与するために
は、前記以外のフィラーを用いてもよい。例えば、粒径
が１〜１００ｎｍ程度のナノスケールフィラーや、シリ
カとアクリルとの複合材、有機フィラー表面に金属コー
ティングを施したもの等の様な有機化合物と無機化合物
との複合フィラー等が挙げられる。尚、本発明のフィラ
ーは、予め表面をアルコキシシラン、アシロキシシラ
ン、シラザン、オルガノアミノシラン等のシランカップ
リング剤等で処理したものを用いてもよい。
は、前記以外のフィラーを用いてもよい。例えば、粒径
が１〜１００ｎｍ程度のナノスケールフィラーや、シリ
カとアクリルとの複合材、有機フィラー表面に金属コー
ティングを施したもの等の様な有機化合物と無機化合物
との複合フィラー等が挙げられる。尚、本発明のフィラ
ーは、予め表面をアルコキシシラン、アシロキシシラ
ン、シラザン、オルガノアミノシラン等のシランカップ
リング剤等で処理したものを用いてもよい。
【００２０】本発明の半導体用樹脂ペーストは（Ａ）〜
（Ｄ）成分を必須成分とするが、それら以外にも必要に
応じて硬化促進剤、シランカップリング剤、チタネート
カップリング剤、顔料、染料、消泡剤、界面活性剤、溶
剤等の添加剤を適宜配合することができる。本発明の半
導体用樹脂ペーストは、（Ａ）〜（Ｄ）成分、その他の
添加剤等を予備混合し、ロール等を用いて混練した後、
真空下脱泡する等の製造方法で得られる。本発明の半導
体用樹脂ペーストを用いて、半導体装置を製造するに
は、公知の方法を用いることができる。
（Ｄ）成分を必須成分とするが、それら以外にも必要に
応じて硬化促進剤、シランカップリング剤、チタネート
カップリング剤、顔料、染料、消泡剤、界面活性剤、溶
剤等の添加剤を適宜配合することができる。本発明の半
導体用樹脂ペーストは、（Ａ）〜（Ｄ）成分、その他の
添加剤等を予備混合し、ロール等を用いて混練した後、
真空下脱泡する等の製造方法で得られる。本発明の半導
体用樹脂ペーストを用いて、半導体装置を製造するに
は、公知の方法を用いることができる。
【００２１】
【実施例】本発明を実施例で具体的に説明する。各成分
の配合割合は重量部とする。 ＜実施例１〜６、比較例１〜５＞表１に示した組成の各
成分とフィラーを配合し、三本ロールで混練して樹脂ペ
ーストを得た。この樹脂ペーストを真空チャンバーにて
２mmHgで３０分間脱泡した後、以下の方法により各種の
性能を評価した。評価結果を表１に示す。
の配合割合は重量部とする。 ＜実施例１〜６、比較例１〜５＞表１に示した組成の各
成分とフィラーを配合し、三本ロールで混練して樹脂ペ
ーストを得た。この樹脂ペーストを真空チャンバーにて
２mmHgで３０分間脱泡した後、以下の方法により各種の
性能を評価した。評価結果を表１に示す。
【００２２】＜原料成分＞用いた原料成分は次のとおり
である。 ・ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；エピコート８２８
(油化シェルエポキシ（株）) ・フェニルグリシジルエーテル ・フェノールノボラック樹脂；ＰＨ５１４７０（住友デ
ュレズ（株）） ・トリフェノールメタン ・ジシアンジアミド ・N-フェニル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン；
ＫＢＭ５７３(信越化学（株）)
である。 ・ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；エピコート８２８
(油化シェルエポキシ（株）) ・フェニルグリシジルエーテル ・フェノールノボラック樹脂；ＰＨ５１４７０（住友デ
ュレズ（株）） ・トリフェノールメタン ・ジシアンジアミド ・N-フェニル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン；
ＫＢＭ５７３(信越化学（株）)
【００２３】・低応力化剤１
【化７】 Meはメチル基，数平均分子量約５０００
【００２４】・低応力化剤２
【化８】 Meはメチル基，数平均分子量約９０００ ・無機フィラー： 銀粉 ：粒径０。１〜５０μｍ、平均粒径３μｍ、フレ
ーク状。 シリカ：平均粒径３μｍ、最大粒径２０μｍ、球状
ーク状。 シリカ：平均粒径３μｍ、最大粒径２０μｍ、球状
【００２５】＜評価方法＞ ・粘度：Ｅ型粘度計（３°コーン）を用いて、２５℃、
２．５ｒｐｍでの値を測定した。 ・接着強度：６ｍｍ×６ｍｍのシリコンチップを、半導
体用樹脂ペーストを用いて銅フレームにマウントし、オ
ーブンを用いて１７５℃、３０分間で硬化した。硬化
後、１７５℃、８時間ポストキュアを行い、その後８５
℃、相対湿度８５％の環境下で１６８時間放置し、マウ
ント強度測定装置を用いて２６０℃での熱時ダイシェア
強度を測定した。 ・弾性率：テフロン（登録商標）シート上に半導体用樹
脂ペーストを幅１０ｍｍ、長さ約１５０ｍｍ、厚さ１０
０μｍに塗布し、１７５℃のオーブン中で３０分間硬化
した後、引っ張り試験機を用いて試験長１００ｍｍ、引
っ張り速度１０ｍｍ／６０秒、２６０℃で測定し、得ら
れた応力−ひずみ曲線の初期勾配から弾性率を算出し
た。 ・耐パッケージクラック性：６×６mmのシリコンチップ
をペーストを用いて銅フレームにマウントし、１７５℃
中３０分間オーブン中で硬化した。これをエポキシ封止
材料を用い、下記の条件で成形したパッケージを８５
℃、相対湿度８５％の環境下で１６８時間吸湿処理した
後、IRリフロー処理（２６０℃、１０秒）を行い、パッ
ケージの断面観察により内部クラックの数を測定して、
耐パッケージクラック性の指標とした。 パッケージ：８０pＱＦＰ（１４×２０×２mm厚さ） チップサイズ：６×６mm（表面アルミ配線のみ） リードフレーム：銅 封止材の成形：１７５℃、２分間 ポストモールドキュア：１７５℃、８時間 全パッケージ数：１２個
２．５ｒｐｍでの値を測定した。 ・接着強度：６ｍｍ×６ｍｍのシリコンチップを、半導
体用樹脂ペーストを用いて銅フレームにマウントし、オ
ーブンを用いて１７５℃、３０分間で硬化した。硬化
後、１７５℃、８時間ポストキュアを行い、その後８５
℃、相対湿度８５％の環境下で１６８時間放置し、マウ
ント強度測定装置を用いて２６０℃での熱時ダイシェア
強度を測定した。 ・弾性率：テフロン（登録商標）シート上に半導体用樹
脂ペーストを幅１０ｍｍ、長さ約１５０ｍｍ、厚さ１０
０μｍに塗布し、１７５℃のオーブン中で３０分間硬化
した後、引っ張り試験機を用いて試験長１００ｍｍ、引
っ張り速度１０ｍｍ／６０秒、２６０℃で測定し、得ら
れた応力−ひずみ曲線の初期勾配から弾性率を算出し
た。 ・耐パッケージクラック性：６×６mmのシリコンチップ
をペーストを用いて銅フレームにマウントし、１７５℃
中３０分間オーブン中で硬化した。これをエポキシ封止
材料を用い、下記の条件で成形したパッケージを８５
℃、相対湿度８５％の環境下で１６８時間吸湿処理した
後、IRリフロー処理（２６０℃、１０秒）を行い、パッ
ケージの断面観察により内部クラックの数を測定して、
耐パッケージクラック性の指標とした。 パッケージ：８０pＱＦＰ（１４×２０×２mm厚さ） チップサイズ：６×６mm（表面アルミ配線のみ） リードフレーム：銅 封止材の成形：１７５℃、２分間 ポストモールドキュア：１７５℃、８時間 全パッケージ数：１２個
【００２６】評価結果を表１に示す。
【表１】
【００２７】
【発明の効果】本発明に従うと、吸湿後熱時接着強度が
向上し、吸湿処理後の耐半田クラック性試験において半
導体用樹脂ペースト層の剥離が起こらない信頼性に優れ
た低弾性率の半導体用樹脂ペースト、及びこれを用いた
半導体装置が得られる。
向上し、吸湿処理後の耐半田クラック性試験において半
導体用樹脂ペースト層の剥離が起こらない信頼性に優れ
た低弾性率の半導体用樹脂ペースト、及びこれを用いた
半導体装置が得られる。
Claims (3)
- 【請求項１】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、
（Ｃ）低応力化剤、及び（Ｄ）フィラーを必須成分と
し、該低応力化剤が、分子末端にアルコシキシリル基を
有し、且つエポキシ樹脂及び硬化剤と混合して硬化させ
た場合に均一に分散する化合物であり、エポキシ樹脂１
００重量部当たりの該低応力化剤の配合量が３〜３０重
量部であることを特徴とする半導体用樹脂ペースト。 - 【請求項２】 （Ｃ）低応力化剤が、一般式（１）、一
般式（２）で示される化合物から選択される１種類以上
である請求項１記載の半導体用樹脂ペースト。 【化１】 （Ｒ１〜Ｒ４は炭素数１〜４のアルキル基でそれぞれ異
なってもよい。nは１以上の整数である。Meはメチル
基） 【化２】 （Ｒ１〜Ｒ４は炭素数１〜４のアルキル基でそれぞれ異
なってもよい。Ｒ５は炭素数１〜４のアルキレン基，Ｘ
は０〜２の整数，nは１以上の整数である。） - 【請求項３】 請求項１又は２記載の半導体用樹脂ペー
ストを用いて製作された半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001094566A JP2002294198A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001094566A JP2002294198A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002294198A true JP2002294198A (ja) | 2002-10-09 |
Family
ID=18948738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001094566A Pending JP2002294198A (ja) | 2001-03-29 | 2001-03-29 | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002294198A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008283199A (ja) * | 2008-06-05 | 2008-11-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
| JP2009164500A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-23 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 接着剤および半導体パッケージ |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0987529A (ja) * | 1995-09-19 | 1997-03-31 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物 |
| JPH10316838A (ja) * | 1997-05-16 | 1998-12-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPH11186462A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Sony Corp | 半導体装置と電子機器 |
| JP2001207021A (ja) * | 2000-01-28 | 2001-07-31 | Hitachi Chem Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
| JP2002076203A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Hitachi Chem Co Ltd | ウエハレベルチップサイズパッケージ用の封止用成形材料及びウエハレベルチップサイズパッケージ |
| JP2002241584A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 |
-
2001
- 2001-03-29 JP JP2001094566A patent/JP2002294198A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0987529A (ja) * | 1995-09-19 | 1997-03-31 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物 |
| JPH10316838A (ja) * | 1997-05-16 | 1998-12-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPH11186462A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Sony Corp | 半導体装置と電子機器 |
| JP2001207021A (ja) * | 2000-01-28 | 2001-07-31 | Hitachi Chem Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
| JP2002076203A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Hitachi Chem Co Ltd | ウエハレベルチップサイズパッケージ用の封止用成形材料及びウエハレベルチップサイズパッケージ |
| JP2002241584A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009164500A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-23 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 接着剤および半導体パッケージ |
| JP2008283199A (ja) * | 2008-06-05 | 2008-11-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
| JP4706722B2 (ja) * | 2008-06-05 | 2011-06-22 | 日立化成工業株式会社 | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4780041B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
| JP4622131B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
| KR100681565B1 (ko) | 다이부착형 페이스트 및 반도체소자 | |
| JP4064090B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
| JP2001106767A (ja) | 半導体用樹脂ペースト及びそれを用いた半導体装置 | |
| JP3847095B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
| JPH10120873A (ja) | 半導体用絶縁樹脂ペースト | |
| JP2002252235A (ja) | 半導体用樹脂ペースト及びそれを用いた半導体装置 | |
| JP3960515B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
| JP2001106873A (ja) | 半導体用樹脂ペースト及びそれを用いた半導体装置 | |
| JP2002284889A (ja) | 半導体用樹脂ペーストの製造方法、半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
| JPH08176409A (ja) | 導電性樹脂ペースト | |
| JP2002294198A (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
| JP2004063992A (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
| JP2003335923A (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
| JP4342772B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
| JP2004186525A (ja) | エリア実装型半導体装置 | |
| JP3555930B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト及びそれを用いた半導体装置 | |
| JP3719855B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト | |
| JP2004155982A (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
| JP3568742B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト | |
| JP3719856B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト | |
| JP3608908B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト | |
| JP2002187938A (ja) | ダイアタッチペースト及び半導体装置 | |
| JP4014402B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040407 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080617 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080808 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081118 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090116 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090616 |