JP2003347322A - ダイアタッチペースト及び半導体装置 - Google Patents
ダイアタッチペースト及び半導体装置Info
- Publication number
- JP2003347322A JP2003347322A JP2002152240A JP2002152240A JP2003347322A JP 2003347322 A JP2003347322 A JP 2003347322A JP 2002152240 A JP2002152240 A JP 2002152240A JP 2002152240 A JP2002152240 A JP 2002152240A JP 2003347322 A JP2003347322 A JP 2003347322A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crosslinked
- powder
- resin
- paste
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 信頼性に優れた絶縁性半導体用ダイアタッチ
ペースト及び耐半田クラック性等の信頼性に優れた半導
体装置を提供すること 【解決手段】 （Ａ）熱硬化性樹脂と（Ｂ）充填材に有
機樹脂粒子を含むことを特徴とする絶縁性半導体用樹脂
ペーストであり、（Ｂ）有機樹脂粒子がシロキサン結合
を三次元網目状に架橋した構造を持つポリオルガノシル
セスキオキサン硬化物粉末又は／及び直鎖状のジメチル
ポリシロキサンを架橋した構造を持つシリコーンゴムの
微粉末又は／及び直鎖状のジメチルポリシロキサンを架
橋した構造を持つシリコーンゴムの微粉末の表面をシロ
キサン結合を三次元網目状に架橋した構造を持つポリオ
ルガノシルセスキオキサン硬化物粉末で被覆した微粉末
であるものが好ましい。
ペースト及び耐半田クラック性等の信頼性に優れた半導
体装置を提供すること 【解決手段】 （Ａ）熱硬化性樹脂と（Ｂ）充填材に有
機樹脂粒子を含むことを特徴とする絶縁性半導体用樹脂
ペーストであり、（Ｂ）有機樹脂粒子がシロキサン結合
を三次元網目状に架橋した構造を持つポリオルガノシル
セスキオキサン硬化物粉末又は／及び直鎖状のジメチル
ポリシロキサンを架橋した構造を持つシリコーンゴムの
微粉末又は／及び直鎖状のジメチルポリシロキサンを架
橋した構造を持つシリコーンゴムの微粉末の表面をシロ
キサン結合を三次元網目状に架橋した構造を持つポリオ
ルガノシルセスキオキサン硬化物粉末で被覆した微粉末
であるものが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等の
半導体素子を金属フレーム、有機基板に接着する絶縁性
半導体用樹脂ペーストに関するものである。
半導体素子を金属フレーム、有機基板に接着する絶縁性
半導体用樹脂ペーストに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣ等の半導体素子を金属フレー
ム、有機基板に接着する方法として半導体用樹脂ペース
トが一般的に使用されている。近年、環境対応の一環と
して半導体装置を基板に搭載する際に使用する半田から
鉛を除去撤廃するために半田リフロー温度を従来の２２
０〜２４５℃から２６０〜２７０℃にする必要があり、
半導体用樹脂ペーストには半田リフロー温度の上昇に伴
い発生する熱応力の増加に対する耐性をより一層求めら
れるようになってきている。
ム、有機基板に接着する方法として半導体用樹脂ペース
トが一般的に使用されている。近年、環境対応の一環と
して半導体装置を基板に搭載する際に使用する半田から
鉛を除去撤廃するために半田リフロー温度を従来の２２
０〜２４５℃から２６０〜２７０℃にする必要があり、
半導体用樹脂ペーストには半田リフロー温度の上昇に伴
い発生する熱応力の増加に対する耐性をより一層求めら
れるようになってきている。
【０００３】更に大型半導体素子に対応するため弾性率
を小さくして低応力性を重視したダイアッタチペースト
の場合、高温での接着力が十分でなく２６０〜２７０℃
といった高温での半田リフロー時に剥離が発生し、場合
によっては半導体素子のクラックに進展し信頼性の点で
も不満足なものであった。
を小さくして低応力性を重視したダイアッタチペースト
の場合、高温での接着力が十分でなく２６０〜２７０℃
といった高温での半田リフロー時に剥離が発生し、場合
によっては半導体素子のクラックに進展し信頼性の点で
も不満足なものであった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、信頼性に優
れた絶縁性半導体用ダイアタッチペースト及び耐半田ク
ラック性等の信頼性に優れた半導体装置を提供すること
である。
れた絶縁性半導体用ダイアタッチペースト及び耐半田ク
ラック性等の信頼性に優れた半導体装置を提供すること
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、
［１］（Ａ）熱硬化性樹脂組成物と（Ｂ）有機樹脂粒子
とを含むことを特徴とする絶縁性半導体用樹脂ペース
ト、［２］（Ｂ）有機樹脂粒子がシロキサン結合を三次
元網目状に架橋した構造を持つポリオルガノシルセスキ
オキサン硬化物粉末及び／又は直鎖状のジメチルポリシ
ロキサンを架橋した構造を持つシリコーンゴムの微粉末
及び／又は直鎖状のジメチルポリシロキサンを架橋した
構造を持つシリコーンゴムの微粉末の表面をシロキサン
結合を三次元網目状に架橋した構造を持つポリオルガノ
シルセスキオキサン硬化物粉末で被覆した微粉末である
［１］項記載の絶縁性半導体樹脂ペースト、［３］
（Ｂ）有機樹脂粒子が、平均粒径が０．５〜１５ｕｍで
且つ最大粒径が５０ｕｍ以下である［２］項記載の絶縁
性半導体樹脂ペースト、［４］ ［１］［２］又は
［３］項記載の半導体樹脂ペーストを用いて製作されて
なる半導体装置である。
とを含むことを特徴とする絶縁性半導体用樹脂ペース
ト、［２］（Ｂ）有機樹脂粒子がシロキサン結合を三次
元網目状に架橋した構造を持つポリオルガノシルセスキ
オキサン硬化物粉末及び／又は直鎖状のジメチルポリシ
ロキサンを架橋した構造を持つシリコーンゴムの微粉末
及び／又は直鎖状のジメチルポリシロキサンを架橋した
構造を持つシリコーンゴムの微粉末の表面をシロキサン
結合を三次元網目状に架橋した構造を持つポリオルガノ
シルセスキオキサン硬化物粉末で被覆した微粉末である
［１］項記載の絶縁性半導体樹脂ペースト、［３］
（Ｂ）有機樹脂粒子が、平均粒径が０．５〜１５ｕｍで
且つ最大粒径が５０ｕｍ以下である［２］項記載の絶縁
性半導体樹脂ペースト、［４］ ［１］［２］又は
［３］項記載の半導体樹脂ペーストを用いて製作されて
なる半導体装置である。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明で用いられる有機樹脂粒子
は、無機粒子に比べて軟らかく、樹脂への分散性に優れ
るという特徴がある。
は、無機粒子に比べて軟らかく、樹脂への分散性に優れ
るという特徴がある。
【０００７】本発明に用いる熱硬化性樹脂組成物（Ａ）
は、熱硬化性樹脂、硬化剤、硬化促進剤等からなる一般
的な熱硬化性樹脂組成物であり、特に限定されるもので
はないがペーストを形成する材料であることから室温で
液状であることが望ましい。
は、熱硬化性樹脂、硬化剤、硬化促進剤等からなる一般
的な熱硬化性樹脂組成物であり、特に限定されるもので
はないがペーストを形成する材料であることから室温で
液状であることが望ましい。
【０００８】本発明に望ましく用いる液状の樹脂として
は、例えば、液状のシアネート樹脂、液状エポキシ樹
脂、ラジカル重合性の各種アクリル樹脂、アリール基を
有するトリアリールイソシアヌレートなどが挙げられ、
液状エポキシ樹脂としてはビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノー
ルＥ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族エポ
キシ樹脂、グリシジルアミン型の液状エポキシ樹脂など
が挙げられる。
は、例えば、液状のシアネート樹脂、液状エポキシ樹
脂、ラジカル重合性の各種アクリル樹脂、アリール基を
有するトリアリールイソシアヌレートなどが挙げられ、
液状エポキシ樹脂としてはビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノー
ルＥ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族エポ
キシ樹脂、グリシジルアミン型の液状エポキシ樹脂など
が挙げられる。
【０００９】シアネート樹脂の硬化触媒としては、例え
ば、銅アセチルアセトナート、亜鉛アセチルアセトナー
ト等の金属錯体が挙げられる。エポキシ樹脂の硬化剤と
しては、例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、ジシア
ンジアミド、ジカルボン酸ジヒドラジド化合物、フェノ
ール樹脂等が例として挙げられる。ジヒドラジド化合物
の例としては、アジピン酸ジヒドラジド、ドデカン酸ジ
ヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、P-オキシ安息
香酸ジヒドラジド等のカルボン酸ジヒドラジドなどが挙
げられる。
ば、銅アセチルアセトナート、亜鉛アセチルアセトナー
ト等の金属錯体が挙げられる。エポキシ樹脂の硬化剤と
しては、例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、ジシア
ンジアミド、ジカルボン酸ジヒドラジド化合物、フェノ
ール樹脂等が例として挙げられる。ジヒドラジド化合物
の例としては、アジピン酸ジヒドラジド、ドデカン酸ジ
ヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、P-オキシ安息
香酸ジヒドラジド等のカルボン酸ジヒドラジドなどが挙
げられる。
【００１０】硬化促進剤兼硬化剤としては各種のイミダ
ゾール化合物があり、その例としては、２−メチルイミ
ダゾール，２−エチルイミダゾール，２−フェニルイミ
ダゾール，２−フェニル−４−メチルイミダゾール，２
−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダ
ゾール，２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイ
ミダゾール，２−Ｃ11Ｈ23−イミダゾール等の一般的な
イミダゾールやトリアジンやイソシアヌル酸を付加し、
保存安定性を付与した２，４−ジアミノ−６−｛２−メ
チルイミダゾール−（１）｝−エチル−Ｓ−トリアジ
ン、またそのイソシアネート付加物等があり、これらは
何れも１種類あるいは複数種と併用して使うことが可能
である。
ゾール化合物があり、その例としては、２−メチルイミ
ダゾール，２−エチルイミダゾール，２−フェニルイミ
ダゾール，２−フェニル−４−メチルイミダゾール，２
−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダ
ゾール，２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイ
ミダゾール，２−Ｃ11Ｈ23−イミダゾール等の一般的な
イミダゾールやトリアジンやイソシアヌル酸を付加し、
保存安定性を付与した２，４−ジアミノ−６−｛２−メ
チルイミダゾール−（１）｝−エチル−Ｓ−トリアジ
ン、またそのイソシアネート付加物等があり、これらは
何れも１種類あるいは複数種と併用して使うことが可能
である。
【００１１】本発明においては室温で固体の熱硬化性樹
脂成分を特性低下が起きない程度に混合して用いること
も充分可能である。例えば、ビスフェノールＡ、ビスフ
ェノールＦ、フェノールノボラック、クレゾールノボラ
ック類とエピクロルヒドリンとの反応により得られるポ
リグリシジルエーテル、ブタンジオールジグリシジルエ
ーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル
等の脂肪族エポキシ、ジグリシジルヒダントイン等の複
素環式エポキシ、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、
ジシクロペンタジエンジオキサイド、アリサイクリック
ジエポキシーアジペイトのような脂環式エポキシがあ
り、これらの内の１種類あるいは複数種と併用可能であ
る。
脂成分を特性低下が起きない程度に混合して用いること
も充分可能である。例えば、ビスフェノールＡ、ビスフ
ェノールＦ、フェノールノボラック、クレゾールノボラ
ック類とエピクロルヒドリンとの反応により得られるポ
リグリシジルエーテル、ブタンジオールジグリシジルエ
ーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル
等の脂肪族エポキシ、ジグリシジルヒダントイン等の複
素環式エポキシ、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、
ジシクロペンタジエンジオキサイド、アリサイクリック
ジエポキシーアジペイトのような脂環式エポキシがあ
り、これらの内の１種類あるいは複数種と併用可能であ
る。
【００１２】本発明に用いる（Ｂ）有機樹脂粒子には、
例えば、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリテトラ
フロロエチレン等のフッ素樹脂、ポリメチルメタクリレ
ート等のアクリル樹脂、ベンゾグアナミンやメラミンと
ホルムアルデヒドとの架橋物等が挙げられる。さらに好
ましくは有機樹脂粒子がシロキサン結合を三次元網目状
に架橋した構造を持つポリオルガノシルセスキオキサン
硬化物粉末又は／及び直鎖状のジメチルポリシロキサン
を架橋した構造を持つシリコーンゴムの微粉末又は／及
び直鎖状のジメチルポリシロキサンを架橋した構造を持
つシリコーンゴムの微粉末の表面をシロキサン結合を三
次元網目状に架橋した構造を持つポリオルガノシルセス
キオキサン硬化物粉末で被覆した微粉末である。本発明
に用いる（Ｂ）有機樹脂粒子の形状としてはフレーク
状、鱗片状、樹脂状や球状等が用いられる。必要とする
ペーストの粘度により、使用する粒径は異なるが、通常
平均粒径は０．５〜１５ｕｍ、最大粒径は５０ｕｍ程度
のものが好ましい。平均粒径が０．５ｕｍ未満だと粘度
が高くなり、１５ｕｍを越えると塗布又は硬化時に樹脂
分が流出するのでブリードが発生するため好ましくな
い。最大粒径が５０ｕｍを越えるとディスペンサーでペ
ーストを塗布するときに、ニードルの出口を塞ぎ長時間
の連続使用ができない。又比較的粗い有機樹脂粒子と細
かい有機樹脂粒子とを混合して用いることもでき、種
類、形状についても各種のものを適宜混合してもよい。
尚、本発明に用いる（Ｂ）有機樹脂粒子は、予め表面を
アルコキシシラン、アシロキシシラン、シラザン、オル
ガノアミノシラン等のシランカップリング材等で処理し
たものを用いてもよい。本発明の半導体用樹脂ペースト
は、（Ａ）、（Ｂ）成分、及びその他の添加剤等を予備
混合し、ロール等を用いて混練した後、真空下脱泡する
等の製造方法で得られる。半導体装置の製造方法は公知
の方法を用いることができる。以下実施例を用いて本発
明を具体的に説明する。配合割合は重量部で示す。
例えば、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリテトラ
フロロエチレン等のフッ素樹脂、ポリメチルメタクリレ
ート等のアクリル樹脂、ベンゾグアナミンやメラミンと
ホルムアルデヒドとの架橋物等が挙げられる。さらに好
ましくは有機樹脂粒子がシロキサン結合を三次元網目状
に架橋した構造を持つポリオルガノシルセスキオキサン
硬化物粉末又は／及び直鎖状のジメチルポリシロキサン
を架橋した構造を持つシリコーンゴムの微粉末又は／及
び直鎖状のジメチルポリシロキサンを架橋した構造を持
つシリコーンゴムの微粉末の表面をシロキサン結合を三
次元網目状に架橋した構造を持つポリオルガノシルセス
キオキサン硬化物粉末で被覆した微粉末である。本発明
に用いる（Ｂ）有機樹脂粒子の形状としてはフレーク
状、鱗片状、樹脂状や球状等が用いられる。必要とする
ペーストの粘度により、使用する粒径は異なるが、通常
平均粒径は０．５〜１５ｕｍ、最大粒径は５０ｕｍ程度
のものが好ましい。平均粒径が０．５ｕｍ未満だと粘度
が高くなり、１５ｕｍを越えると塗布又は硬化時に樹脂
分が流出するのでブリードが発生するため好ましくな
い。最大粒径が５０ｕｍを越えるとディスペンサーでペ
ーストを塗布するときに、ニードルの出口を塞ぎ長時間
の連続使用ができない。又比較的粗い有機樹脂粒子と細
かい有機樹脂粒子とを混合して用いることもでき、種
類、形状についても各種のものを適宜混合してもよい。
尚、本発明に用いる（Ｂ）有機樹脂粒子は、予め表面を
アルコキシシラン、アシロキシシラン、シラザン、オル
ガノアミノシラン等のシランカップリング材等で処理し
たものを用いてもよい。本発明の半導体用樹脂ペースト
は、（Ａ）、（Ｂ）成分、及びその他の添加剤等を予備
混合し、ロール等を用いて混練した後、真空下脱泡する
等の製造方法で得られる。半導体装置の製造方法は公知
の方法を用いることができる。以下実施例を用いて本発
明を具体的に説明する。配合割合は重量部で示す。
【００１３】
【実施例】実施例１〜３、比較例１〜２
成分（Ａ）として、ビスフェノールＡとエピクロルヒド
リンとの反応により得られるジグリシジルビスフェノー
ルＡ（エポキシ当量１８０、室温で液体、以下ビスＡエ
ポキシ）、クレジルグリシジルエーテル（エポキシ当量
１８５、以下ＣＧＥ）、フェノールノボラック樹脂（水
酸基当量１０４、軟化点８５℃、以下ＰＮ）、２−フェ
ニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国
化成工業（株）製、キュアゾール２ＰＨＺ）、グリシジ
ル基を有するシランカップリング剤（信越化学工業
（株）製、ＫＢＭ−４０３Ｅ）、成分（Ｂ）として平均
粒径２μｍ、最大粒径４μｍのシロキサン結合を三次元
網目状に架橋した構造を持つポリオルガノシルセスキオ
キサン硬化物粉末（以下有機樹脂粒子Ａ）、平均粒径５
μｍ、最大粒径１０μｍの直鎖状のジメチルポリシロキ
サンを架橋した構造を持つシリコーンゴムの微粉末（以
下有機樹脂粒子Ｂ）、平均粒径３μｍ、最大粒径１５μ
ｍの破砕シリカ粉末（以下無機粒子Ａ）、平均粒径１．
５μｍ、最大粒径７μｍの球状シリカ粉末（以下無機粒
子Ｂ）を表１のように配合し、３本ロールを用いて混練
し、脱泡後ペーストを得た。得られたペーストを以下の
方法により評価した。評価結果を表１に示す。
リンとの反応により得られるジグリシジルビスフェノー
ルＡ（エポキシ当量１８０、室温で液体、以下ビスＡエ
ポキシ）、クレジルグリシジルエーテル（エポキシ当量
１８５、以下ＣＧＥ）、フェノールノボラック樹脂（水
酸基当量１０４、軟化点８５℃、以下ＰＮ）、２−フェ
ニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国
化成工業（株）製、キュアゾール２ＰＨＺ）、グリシジ
ル基を有するシランカップリング剤（信越化学工業
（株）製、ＫＢＭ−４０３Ｅ）、成分（Ｂ）として平均
粒径２μｍ、最大粒径４μｍのシロキサン結合を三次元
網目状に架橋した構造を持つポリオルガノシルセスキオ
キサン硬化物粉末（以下有機樹脂粒子Ａ）、平均粒径５
μｍ、最大粒径１０μｍの直鎖状のジメチルポリシロキ
サンを架橋した構造を持つシリコーンゴムの微粉末（以
下有機樹脂粒子Ｂ）、平均粒径３μｍ、最大粒径１５μ
ｍの破砕シリカ粉末（以下無機粒子Ａ）、平均粒径１．
５μｍ、最大粒径７μｍの球状シリカ粉末（以下無機粒
子Ｂ）を表１のように配合し、３本ロールを用いて混練
し、脱泡後ペーストを得た。得られたペーストを以下の
方法により評価した。評価結果を表１に示す。
【００１４】評価方法
・粘度： E型粘度計（３°コーン）を用い２５℃、
２．５ｒｐｍでの値を測定した。 ・弾性率：１０ｘ１５０ｘ０．１ｍｍの試験片を作成し
（硬化条件１５０℃、１５分）、引っ張り試験により加
重−変位曲線を測定しその初期勾配より弾性率を求めた
（測定長：１００ｍｍ、試験速度：１ｍｍ／分、測定温
度：２５℃）。 ・耐半田クラック性：表１に示すペースト組成物を用
い、シリコンチップを、下記の硬化条件により硬化し、
接着した。その後スミコンＥＭＥ−Ｇ７７０（住友ベー
クライト（株）製）の封止材料を用い、封止したパッケ
ージを８５℃、相対湿度６０％、１６８時間吸湿処理し
た後、ＩＲリフロー処理（２６０℃、１０秒、３回リフ
ロー）を行い、処理後のパッケージを超音波探傷装置
（透過型）により剥離の程度を測定した。ダイアタッチ
部の剥離面積が１０％未満の場合を合格とした。 パッケージ：３５ｘ３５ｍｍＢＧＡ チップサイズ：１０×１０ｍｍ 硬化条件：１５０Ｃ３０分
２．５ｒｐｍでの値を測定した。 ・弾性率：１０ｘ１５０ｘ０．１ｍｍの試験片を作成し
（硬化条件１５０℃、１５分）、引っ張り試験により加
重−変位曲線を測定しその初期勾配より弾性率を求めた
（測定長：１００ｍｍ、試験速度：１ｍｍ／分、測定温
度：２５℃）。 ・耐半田クラック性：表１に示すペースト組成物を用
い、シリコンチップを、下記の硬化条件により硬化し、
接着した。その後スミコンＥＭＥ−Ｇ７７０（住友ベー
クライト（株）製）の封止材料を用い、封止したパッケ
ージを８５℃、相対湿度６０％、１６８時間吸湿処理し
た後、ＩＲリフロー処理（２６０℃、１０秒、３回リフ
ロー）を行い、処理後のパッケージを超音波探傷装置
（透過型）により剥離の程度を測定した。ダイアタッチ
部の剥離面積が１０％未満の場合を合格とした。 パッケージ：３５ｘ３５ｍｍＢＧＡ チップサイズ：１０×１０ｍｍ 硬化条件：１５０Ｃ３０分
【００１５】
【表１】
【００１６】
【発明の効果】本発明のダイアタッチペーストは、信頼
性に優れた絶縁性半導体用ダイアタッチペーストであ
り、その結果耐半田クラック性等の信頼性に優れた半導
体装置を得ることができる。
性に優れた絶縁性半導体用ダイアタッチペーストであ
り、その結果耐半田クラック性等の信頼性に優れた半導
体装置を得ることができる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4J002 BD15X BG00W BG06X CC02X
CC18X CC19X CD00W CM02W
CP03X EU196 GQ05
4J040 DF041 DH021 EC061 EC121
EC261 EH021 EK032 JA05
JB02 KA03 KA07 LA09 MA02
MA10 NA20
5F047 BA33 BA51
Claims (4)
- 【請求項１】（Ａ）熱硬化性樹脂組成物と（Ｂ）有機樹
脂粒子とを含むことを特徴とする絶縁性半導体用樹脂ペ
ースト。 - 【請求項２】（Ｂ）有機樹脂粒子がシロキサン結合を三
次元網目状に架橋した構造を持つポリオルガノシルセス
キオキサン硬化物粉末及び／又は直鎖状のジメチルポリ
シロキサンを架橋した構造を持つシリコーンゴムの微粉
末及び／又は直鎖状のジメチルポリシロキサンを架橋し
た構造を持つシリコーンゴムの微粉末の表面をシロキサ
ン結合を三次元網目状に架橋した構造を持つポリオルガ
ノシルセスキオキサン硬化物粉末で被覆した微粉末であ
る請求項１記載の絶縁性半導体樹脂ペースト。 - 【請求項３】（Ｂ）有機樹脂粒子が、平均粒径が０．５
〜１５ｕｍで且つ最大粒径が５０ｕｍ以下である請求項
２記載の絶縁性半導体樹脂ペースト。 - 【請求項４】 請求項１、２又は３記載の半導体樹脂ペ
ーストを用いて製作されてなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002152240A JP4387085B2 (ja) | 2002-05-27 | 2002-05-27 | ダイアタッチペースト及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002152240A JP4387085B2 (ja) | 2002-05-27 | 2002-05-27 | ダイアタッチペースト及び半導体装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007178615A Division JP5061760B2 (ja) | 2007-07-06 | 2007-07-06 | ダイアタッチペースト及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003347322A true JP2003347322A (ja) | 2003-12-05 |
| JP4387085B2 JP4387085B2 (ja) | 2009-12-16 |
Family
ID=29769616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002152240A Expired - Lifetime JP4387085B2 (ja) | 2002-05-27 | 2002-05-27 | ダイアタッチペースト及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4387085B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007269922A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Jsr Corp | ポリシロキサン複合架橋粒子および該複合架橋粒子を含む樹脂組成物 |
| JP2009013294A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物および半導体装置 |
| JP2009283927A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-12-03 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 半導体ウエハ用保護フィルム |
| JP2011084605A (ja) * | 2009-10-13 | 2011-04-28 | Nippon Shokubai Co Ltd | 硬化性樹脂組成物 |
| US10590319B2 (en) | 2015-08-03 | 2020-03-17 | Namics Corporation | High performance, thermally conductive surface mount (die attach) adhesives |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5061760B2 (ja) * | 2007-07-06 | 2012-10-31 | 住友ベークライト株式会社 | ダイアタッチペースト及び半導体装置 |
-
2002
- 2002-05-27 JP JP2002152240A patent/JP4387085B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007269922A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Jsr Corp | ポリシロキサン複合架橋粒子および該複合架橋粒子を含む樹脂組成物 |
| JP2009013294A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物および半導体装置 |
| JP2009283927A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-12-03 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 半導体ウエハ用保護フィルム |
| JP2011084605A (ja) * | 2009-10-13 | 2011-04-28 | Nippon Shokubai Co Ltd | 硬化性樹脂組成物 |
| US10590319B2 (en) | 2015-08-03 | 2020-03-17 | Namics Corporation | High performance, thermally conductive surface mount (die attach) adhesives |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4387085B2 (ja) | 2009-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPWO2011129272A1 (ja) | 半導体装置 | |
| JP4780041B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
| JP4064090B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
| JP4387085B2 (ja) | ダイアタッチペースト及び半導体装置 | |
| JP5061760B2 (ja) | ダイアタッチペースト及び半導体装置 | |
| JP4622131B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
| JP2003129017A (ja) | 導電性接着フィルム及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP3240861B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2003212963A (ja) | 熱硬化性液状封止樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP3922618B2 (ja) | 半導体素子及び半導体装置並びに半導体実装構造 | |
| JP2002284889A (ja) | 半導体用樹脂ペーストの製造方法、半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
| JP2002252235A (ja) | 半導体用樹脂ペースト及びそれを用いた半導体装置 | |
| JP2003335923A (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
| JP3847095B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
| JP4342772B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
| JP2003147046A (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
| JP3608908B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト | |
| JP2004186525A (ja) | エリア実装型半導体装置 | |
| JP3719855B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト | |
| JP2004155982A (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
| JP2002134530A (ja) | 半導体用樹脂ペーストの製造方法、半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
| JP2007063565A (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
| JP4014402B2 (ja) | 半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
| JP2012188598A (ja) | 半導体接着用熱硬化性樹脂組成物および半導体装置 | |
| JP2798565B2 (ja) | 半導体用導電性樹脂ペースト |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050111 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061026 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061110 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061227 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070130 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070330 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070508 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090831 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090930 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4387085 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131009 Year of fee payment: 4 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |