JP2990968B2 - 半導体チップの実装構造 - Google Patents
半導体チップの実装構造Info
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- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
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- Die Bonding (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は接着材を使用して半導体
チップを基板に実装する半導体チップの実装構造に関す
る。
チップを基板に実装する半導体チップの実装構造に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来は、基板側の半導体チップ搭載ゾー
ンに接着剤を直接的に転写する,或いは印刷する等の方
法で塗布した後、その上に半導体チップを載置し、接着
剤を硬化させることによってこの半導体チップを基板に
実装していた。
ンに接着剤を直接的に転写する,或いは印刷する等の方
法で塗布した後、その上に半導体チップを載置し、接着
剤を硬化させることによってこの半導体チップを基板に
実装していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法で半導体チップを基板に実装すると下記に示す
ような障害が発生する。
来の方法で半導体チップを基板に実装すると下記に示す
ような障害が発生する。
【0004】.基板の表面には凹凸があるため、基板
側の半導体チップ搭載ゾーンに接着剤を塗布する過程で
空気を巻き込む可能性がある。接着剤の中に空気の気泡
が介在すると接着力が低下して半導体チップが基板から
剥がれ易くなる。
側の半導体チップ搭載ゾーンに接着剤を塗布する過程で
空気を巻き込む可能性がある。接着剤の中に空気の気泡
が介在すると接着力が低下して半導体チップが基板から
剥がれ易くなる。
【0005】.この方式は接着剤と基板が直接的に接
触する方式であることから、基板内に含まれている水分
を接着剤が吸収する可能性がある。接着剤の中に水分が
介在していると電極間の短絡事故や半導体チップの腐食
事故等が発生し易い。
触する方式であることから、基板内に含まれている水分
を接着剤が吸収する可能性がある。接着剤の中に水分が
介在していると電極間の短絡事故や半導体チップの腐食
事故等が発生し易い。
【0006】本発明は、基板側の半導体チップ搭載ゾー
ンにシールド層を形成することにより、接着剤内に空気
が巻き込まれる現象と基板内に含まれている水分が接着
剤側へ浸透する現象を回避して製品の信頼性向上を可能
にした半導体チップの実装構造を実現しようとするもの
である。
ンにシールド層を形成することにより、接着剤内に空気
が巻き込まれる現象と基板内に含まれている水分が接着
剤側へ浸透する現象を回避して製品の信頼性向上を可能
にした半導体チップの実装構造を実現しようとするもの
である。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体チッ
プの実装構造は、図1に示すように、基板3の表面側に
設定されたチップ搭載ゾーンαを覆う形で設けられた金
属箔より成るシールド層2と、当該チップ搭載ゾーンα
に実装される半導体チップ1と、を前記シールド層2の
表面に塗布した接着材6を介して接合することによって
前記半導体チップ1を基板3に実装する実装構造をその
特徴とする。
プの実装構造は、図1に示すように、基板3の表面側に
設定されたチップ搭載ゾーンαを覆う形で設けられた金
属箔より成るシールド層2と、当該チップ搭載ゾーンα
に実装される半導体チップ1と、を前記シールド層2の
表面に塗布した接着材6を介して接合することによって
前記半導体チップ1を基板3に実装する実装構造をその
特徴とする。
【0008】
【作用】基板3側のチップ搭載ゾーンαに形成されるこ
のシールド層2は、気体,液体等を透過させない金属箔
によって構成されていることから、基板3内に含まれて
いる空気や水分等が接着剤6側へ浸透するのを効果的に
遮断する。このため、この実装構造を適用すると、空気
や水分によって接着剤6の接着力が低下する現象や電極
間の短絡事故,或いは半導体チップ1が腐食する等の現
象は的確に回避される。
のシールド層2は、気体,液体等を透過させない金属箔
によって構成されていることから、基板3内に含まれて
いる空気や水分等が接着剤6側へ浸透するのを効果的に
遮断する。このため、この実装構造を適用すると、空気
や水分によって接着剤6の接着力が低下する現象や電極
間の短絡事故,或いは半導体チップ1が腐食する等の現
象は的確に回避される。
【0009】
【実施例】以下実施例図に基づいて本発明を詳細に説明
する。図1は本発明の一実施例を示す模式的側断面図、
図2は本発明に用いる基板の基本構成を示す模式的斜視
図、図3は本発明の他の実施例を示す模式的側断面図を
それぞれ示す。
する。図1は本発明の一実施例を示す模式的側断面図、
図2は本発明に用いる基板の基本構成を示す模式的斜視
図、図3は本発明の他の実施例を示す模式的側断面図を
それぞれ示す。
【0010】本発明による半導体チップの実装構造は、
図1に示すように、基板3側に設けられたチップ搭載ゾ
ーンαに金属箔から成るシールド層2を形成すると共
に、チップ搭載ゾーンα上に形成されたこのシールド層
2と半導体チップ1を接着剤6で接合して当該半導体チ
ップ1を前記基板3に実装することを構造上の特徴とす
る。図中、4は半導体チップ1側に設けられたチップ側
電極、5は基板3側に設けられた基板側電極、7はチッ
プ側電極4と基板側電極5を電気的に接続するワイヤを
それぞれ示す。
図1に示すように、基板3側に設けられたチップ搭載ゾ
ーンαに金属箔から成るシールド層2を形成すると共
に、チップ搭載ゾーンα上に形成されたこのシールド層
2と半導体チップ1を接着剤6で接合して当該半導体チ
ップ1を前記基板3に実装することを構造上の特徴とす
る。図中、4は半導体チップ1側に設けられたチップ側
電極、5は基板3側に設けられた基板側電極、7はチッ
プ側電極4と基板側電極5を電気的に接続するワイヤを
それぞれ示す。
【0011】このシールド層2は例えば銅箔等の金属箔
によって構成されていることから表面が滑らかで凹凸が
ない。このため、接着剤6を塗布する時に空気を巻き込
む危険性が極めて少ない。また、このシールド層2を設
けたことによって基板3の内部に含まれている水分が接
着剤6側へ浸透する現象も的確に回避される。このた
め、これら空気や水分の作用によって接着剤6の接着力
が低下する現象や電極間の短絡事故、或いは半導体チッ
プ1が腐食する現象等は的確に回避される。
によって構成されていることから表面が滑らかで凹凸が
ない。このため、接着剤6を塗布する時に空気を巻き込
む危険性が極めて少ない。また、このシールド層2を設
けたことによって基板3の内部に含まれている水分が接
着剤6側へ浸透する現象も的確に回避される。このた
め、これら空気や水分の作用によって接着剤6の接着力
が低下する現象や電極間の短絡事故、或いは半導体チッ
プ1が腐食する現象等は的確に回避される。
【0012】図2は本発明に用いる基板の基本構成を示
す模式的斜視図である。図2に示すように、この基板3
のチップ搭載ゾーンαには金属箔より成るシールド層2
が設けられている。このシールド層2は基板側電極5を
形成する工程でこれら各基板側電極5と同時に形成する
のが最も効率的である。本実施例では基板側電極5を銅
箔で形成しているのでこのシールド層2も銅箔である。
す模式的斜視図である。図2に示すように、この基板3
のチップ搭載ゾーンαには金属箔より成るシールド層2
が設けられている。このシールド層2は基板側電極5を
形成する工程でこれら各基板側電極5と同時に形成する
のが最も効率的である。本実施例では基板側電極5を銅
箔で形成しているのでこのシールド層2も銅箔である。
【0013】図3は本発明の他の実施例を示す模式的側
断面図である。この実施例は半導体チップ1側のチップ
側電極4と基板3側の基板側電極5をバンプ8(このバ
ンプ8は通常“金”を用いて製作される)で接続する場
合に適用される。この例ではシールド層2以外の部分に
も接着剤6が塗布されることになるので空気や水分が接
着剤6内に浸透する可能性が無いとはいえない。しかし
ながら、この場合でも、シールド層2を設けたことによ
って接着剤6と基板3が接触する部分の面積は必然的に
縮小されるのでこのシールド層2を設けたことによる効
果は大である。
断面図である。この実施例は半導体チップ1側のチップ
側電極4と基板3側の基板側電極5をバンプ8(このバ
ンプ8は通常“金”を用いて製作される)で接続する場
合に適用される。この例ではシールド層2以外の部分に
も接着剤6が塗布されることになるので空気や水分が接
着剤6内に浸透する可能性が無いとはいえない。しかし
ながら、この場合でも、シールド層2を設けたことによ
って接着剤6と基板3が接触する部分の面積は必然的に
縮小されるのでこのシールド層2を設けたことによる効
果は大である。
【0014】この半導体チップの実装構造は、接着剤6
内に空気が巻き込まれる現象と基板3内に含まれている
水分が接着剤6内に浸透する現象がシールド層2を設け
たことによって防止されることから、この構造を適用す
ると高性能の半導体製品を極めて効率的に製造すること
ができる。
内に空気が巻き込まれる現象と基板3内に含まれている
水分が接着剤6内に浸透する現象がシールド層2を設け
たことによって防止されることから、この構造を適用す
ると高性能の半導体製品を極めて効率的に製造すること
ができる。
【0015】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
による半導体チップの実装構造は、基板側に設けたシー
ルド層の作用によって半導体チップを基板に接合する接
着剤内に空気が巻き込まれる現象と、基板内に含まれて
いる水分が接着剤内に浸透する現象が極めて効率的に排
除されることから、この構造を適用して製造された半導
体製品は極めて信頼性が高い。
による半導体チップの実装構造は、基板側に設けたシー
ルド層の作用によって半導体チップを基板に接合する接
着剤内に空気が巻き込まれる現象と、基板内に含まれて
いる水分が接着剤内に浸透する現象が極めて効率的に排
除されることから、この構造を適用して製造された半導
体製品は極めて信頼性が高い。
【図1】 本発明の一実施例を示す模式的側断面図であ
る。
る。
【図2】 本発明に用いる基板の基本構成を示す模式的
斜視図である。
斜視図である。
【図3】 本発明の他の実施例を示す模式的側断面図で
ある。
ある。
1 半導体チップ 2 シールド層 3 基板 4 チップ側電極 5 基板側電極 6 接着材 7 ワイヤ 8 バンプ α チップ搭載ゾーン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 直樹 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 佐々木 康則 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 吉良 秀彦 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 海沼 則夫 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平3−24742(JP,A) 特開 平3−48436(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/60 311
Claims (1)
- 【請求項1】電極を有する基板と、 該基板の電極とバンプ接続される半導体チップと、 該基板表面のチップ搭載ゾーンに設けられ、該基板の電
極と同時形成される金属箔より成るシールド層と、 該半導体チップと該基板とを固定する接着剤と、 を備えることを特徴とする半導体チップの実装構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24749692A JP2990968B2 (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 半導体チップの実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24749692A JP2990968B2 (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 半導体チップの実装構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0697208A JPH0697208A (ja) | 1994-04-08 |
JP2990968B2 true JP2990968B2 (ja) | 1999-12-13 |
Family
ID=17164332
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24749692A Expired - Fee Related JP2990968B2 (ja) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | 半導体チップの実装構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2990968B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI692067B (zh) * | 2018-03-15 | 2020-04-21 | 日商東芝記憶體股份有限公司 | 半導體裝置 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000026959A1 (en) | 1998-10-30 | 2000-05-11 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of manufacture thereof, circuit board and electronic device |
JP3613098B2 (ja) | 1998-12-21 | 2005-01-26 | セイコーエプソン株式会社 | 回路基板ならびにそれを用いた表示装置および電子機器 |
JP3741005B2 (ja) | 2000-09-13 | 2006-02-01 | セイコーエプソン株式会社 | 配線基板、その製造方法、表示装置および電子機器 |
-
1992
- 1992-09-17 JP JP24749692A patent/JP2990968B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI692067B (zh) * | 2018-03-15 | 2020-04-21 | 日商東芝記憶體股份有限公司 | 半導體裝置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0697208A (ja) | 1994-04-08 |
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