JPH02154435A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH02154435A JPH02154435A JP63308028A JP30802888A JPH02154435A JP H02154435 A JPH02154435 A JP H02154435A JP 63308028 A JP63308028 A JP 63308028A JP 30802888 A JP30802888 A JP 30802888A JP H02154435 A JPH02154435 A JP H02154435A
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、リードフレームを有するプラスチ・ツクパッ
ケージ型の半導体装置に関するものである。
ケージ型の半導体装置に関するものである。
従来の技術
従来のり一トフレームを用いたプラスチ・ツクパッケー
ジ型半導体装置においては、第4図に示すようにリード
フレームのダイノ(・ント1に半導体素子2を銀ペース
ト3により接着し、半導体素子2のポンディングパッド
とリードフレームのインナーリード4とを金線5により
接続している。
ジ型半導体装置においては、第4図に示すようにリード
フレームのダイノ(・ント1に半導体素子2を銀ペース
ト3により接着し、半導体素子2のポンディングパッド
とリードフレームのインナーリード4とを金線5により
接続している。
発明が解決しようとする課題
しかし、半導体素子の製造技術が向」ニして微細化がず
ずむにつれて、半導体素子のサイズも小さくなり、ピン
数およびボンティングバット数はふえてきた。一方、リ
ードフレームの製造技術も向上したが、インナーリート
の先端部をワイヤーポンドに必要な幅に確保しようとす
ると、パラ)7−−シの中に入らなくなってくる。これ
に住い、゛(′導体素子とインナーリートとを接続する
だめの金線の長さが長(なり、金線の垂れ下りや、樹脂
打止時のワイヤーのループ変形等が問題となっている。
ずむにつれて、半導体素子のサイズも小さくなり、ピン
数およびボンティングバット数はふえてきた。一方、リ
ードフレームの製造技術も向上したが、インナーリート
の先端部をワイヤーポンドに必要な幅に確保しようとす
ると、パラ)7−−シの中に入らなくなってくる。これ
に住い、゛(′導体素子とインナーリートとを接続する
だめの金線の長さが長(なり、金線の垂れ下りや、樹脂
打止時のワイヤーのループ変形等が問題となっている。
課題を解決するための手段
本発明は、かかる課題を解決するべくなされたもので、
本発明によると、リードフレームのグイパッドの面上に
絶縁層を設け、この絶縁層−Fに設けた複数個の導電膜
に、半導体素子のポンディングパッドを電気的に接続せ
しめる。
本発明によると、リードフレームのグイパッドの面上に
絶縁層を設け、この絶縁層−Fに設けた複数個の導電膜
に、半導体素子のポンディングパッドを電気的に接続せ
しめる。
作用
このように構成すると、半導体素子とリートフレームの
インナーリードとの接続を、ダイパッド上に設けた絶縁
層上の複数の導電膜を経て行なうことになるので、ボン
ド用ワイヤーを短かくでき、同ワイヤーの垂れ下りや封
止時のループ変形の発生を防止することができる。
インナーリードとの接続を、ダイパッド上に設けた絶縁
層上の複数の導電膜を経て行なうことになるので、ボン
ド用ワイヤーを短かくでき、同ワイヤーの垂れ下りや封
止時のループ変形の発生を防止することができる。
実施例
本発明を、第1図ないし第3図に示した実施例とともに
説明する。
説明する。
厚さ18μnの銅箔を、厚さ120μmのガラスエポキ
シ積層板に張り合わせた銅張ガラスエポキシ積層板の前
記銅箔を所定のパターンにエツチングしたのち、前記鋼
箔の表面上に銀メツキを施こす。か(して得た多数の導
電膜6を有する四角枠状のガラスエポキシ積層板7を、
エポキシ樹脂接着剤8で厚さ0.15mmの鉄−ニッケ
ル合金(42アロイ)製のリードフレームのダイパッド
1上に接着する。そして、ダイパッド1の中央部上に半
導体素子2を銀ペースト3により接着する。
シ積層板に張り合わせた銅張ガラスエポキシ積層板の前
記銅箔を所定のパターンにエツチングしたのち、前記鋼
箔の表面上に銀メツキを施こす。か(して得た多数の導
電膜6を有する四角枠状のガラスエポキシ積層板7を、
エポキシ樹脂接着剤8で厚さ0.15mmの鉄−ニッケ
ル合金(42アロイ)製のリードフレームのダイパッド
1上に接着する。そして、ダイパッド1の中央部上に半
導体素子2を銀ペースト3により接着する。
本実施例では、半導体素子2が搭載される部分を穴にす
べくガラスエポキシ積層板7を(り抜き、半導体素子2
をダイパッド1上に直接接着したが、くり抜かずに半導
体素子2をガラスエポキシ積層板7上に接着してもよい
。
べくガラスエポキシ積層板7を(り抜き、半導体素子2
をダイパッド1上に直接接着したが、くり抜かずに半導
体素子2をガラスエポキシ積層板7上に接着してもよい
。
搭載後の半導体素子2のボンディングパットとガラスエ
ポキシ積層板7の導電膜6とを、30μmφの金線9に
よってワイヤーボンディングする。そしてその後、ガラ
スエポキシ積層板7の導電膜6とリードフレームのイン
ナーリード4とを、30μmφの金線5によってワイヤ
ーボンディングする。
ポキシ積層板7の導電膜6とを、30μmφの金線9に
よってワイヤーボンディングする。そしてその後、ガラ
スエポキシ積層板7の導電膜6とリードフレームのイン
ナーリード4とを、30μmφの金線5によってワイヤ
ーボンディングする。
このように、ダイパッド1上に設けられたカラスエポキ
シ積層板7の導電膜6は、半導体素子2とインナーリー
ド4とを接続する場合の中継端子の役割を果たす。なお
、半導体素子2と導電膜6とインナーリード4との3点
を、ワイヤーボンダーによって一度に連続的に結線して
もよいか、半導体素子2と導電膜6とを一担結線したの
ち、導電膜6とインナーリード4とを結線してもよい。
シ積層板7の導電膜6は、半導体素子2とインナーリー
ド4とを接続する場合の中継端子の役割を果たす。なお
、半導体素子2と導電膜6とインナーリード4との3点
を、ワイヤーボンダーによって一度に連続的に結線して
もよいか、半導体素子2と導電膜6とを一担結線したの
ち、導電膜6とインナーリード4とを結線してもよい。
結線後はエポキシ封止樹脂によって樹脂封止をする。
前述の実施例では、ダイパッド上にガラスエポキシ積層
板を貼りつけたが、ダイパッド上にポリイミドシートや
カラスエポキシ積層板を貼りつけるか、低融点カラスや
樹脂被覆を施こし、その上に銀や銅ペーストをスクリー
ン印刷等で印刷し、かつ焼成して前記導電膜を得てもよ
い。
板を貼りつけたが、ダイパッド上にポリイミドシートや
カラスエポキシ積層板を貼りつけるか、低融点カラスや
樹脂被覆を施こし、その上に銀や銅ペーストをスクリー
ン印刷等で印刷し、かつ焼成して前記導電膜を得てもよ
い。
発明の効果
本発明によると前述のように、ボンディングワイヤーの
端子間長さを短くできるので、ワイヤーの垂れ下りや樹
脂封止時のワイヤーループ変形をなくし得て、品質の向
上を図ることができる。ま′た、リードフレームのイン
ナーリードを内方へ深く入り込ませる必要がなくなるの
で、リードフレームの作成が容易になり、化学エツチン
グ法による加工ではなく、金型でのパンチング加工を適
用することもでき、コストダウンを図ることができる。
端子間長さを短くできるので、ワイヤーの垂れ下りや樹
脂封止時のワイヤーループ変形をなくし得て、品質の向
上を図ることができる。ま′た、リードフレームのイン
ナーリードを内方へ深く入り込ませる必要がなくなるの
で、リードフレームの作成が容易になり、化学エツチン
グ法による加工ではなく、金型でのパンチング加工を適
用することもでき、コストダウンを図ることができる。
また、半導体素子のサイズに合わせてリードフレームを
作成する必要がなくなり、ダイパッドサイズの大きなも
のをいく種類かつくっておけば、リードフレームの標準
化ができる。
作成する必要がなくなり、ダイパッドサイズの大きなも
のをいく種類かつくっておけば、リードフレームの標準
化ができる。
第1図は本発明を実施した半導体装置の半導体素子搭載
前の平面図、第2図は同側断面図、第3図は搭載後の側
断面図、第4図は従来の半導体装置の側断面図である。 ■・・・・・・リードフレームのダイパッド、2・・・
・・・半導体素子、4・・・・・・リードフレームのイ
ンナーリード、6・・・・・・導電膜、7・・・・・・
積層板。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1名第 図 第 図 ダイペ、7ド インク−ソード 第 図 / 第 図
前の平面図、第2図は同側断面図、第3図は搭載後の側
断面図、第4図は従来の半導体装置の側断面図である。 ■・・・・・・リードフレームのダイパッド、2・・・
・・・半導体素子、4・・・・・・リードフレームのイ
ンナーリード、6・・・・・・導電膜、7・・・・・・
積層板。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1名第 図 第 図 ダイペ、7ド インク−ソード 第 図 / 第 図
Claims (1)
- リードフレームのダイパッドの面上に絶縁層を設け、こ
の絶縁層上に設けた複数個の導電膜に、半導体素子のボ
ンディングパッドを電気的に接続せしめてなることを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63308028A JPH02154435A (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63308028A JPH02154435A (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02154435A true JPH02154435A (ja) | 1990-06-13 |
Family
ID=17976020
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63308028A Pending JPH02154435A (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02154435A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011187841A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Renesas Electronics Corp | 電子装置、中継部材、実装基板、及び電子装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-12-06 JP JP63308028A patent/JPH02154435A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011187841A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Renesas Electronics Corp | 電子装置、中継部材、実装基板、及び電子装置の製造方法 |
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