JP2008028842A - 弾性波デバイス及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】複数のチップを一体化後のチップ間の機械強度の向上と再配線層の形成を同時に図ることができる。これにより，デュアルフィルタの更なる小型化が可能となる。
【解決手段】少なくとも二つの弾性表面波素子間が樹脂の充填により接続されて形成された弾性波デバイスであって，前記弾性表面波素子のそれぞれは，基板と，前記基板の表面に構成された機能部分と，前記機能部分の動作に必要な空間部分を形成する凹みを備え，且つ前記基板の表面を覆うパッケージを有し，更に前記少なくとも二つの弾性表面波素子間の樹脂の充填により接続される部分に対応する，前記少なくとも二つの弾性表面波素子のそれぞれパッケージの側面に，少なくとも一箇所以上の切り欠きを備え，前記少なくとも二つの弾性表面波素子の基板側面，背面，および前面の一部を第一の樹脂で覆い，且つ前記パッケージの側面の少なくとも一箇所以上の切り欠きに前記第一の樹脂が充填されている。
【選択図】図５Ｂ

Description

本発明は，弾性波デバイスおよびその製造方法に関する。特に，例えばテレビジョン（以下，TVと略す）やビデオテープレコーダ（以下，VTRと略す）やDVD（Digital Versatile Disk）レコーダや携帯電話機等の機能部に使用されるフィルタ素子や発振子として機能させることができる弾性表面波デバイスや圧電薄膜を用いた薄膜共振子（FBAR：Film Bulk Acoustic Resonator）等の弾性波デバイスおよびその製造方法に関する。

現在，弾性波デバイスとして，弾性表面波デバイス（以下，ＳＡＷデバイス：Surface Acoustic Wave Deviceという）は，例えば４５ＭＨｚ〜２ＧＨｚ帯の周波数帯域における無線信号を処理する各種回路であって，送信用バンドパスフィルタ，受信用バンドパスフィルタ，局部発信フィルタ，アンテナ共用器，中間周波フィルタ，ＦＭ変調器等に広く用いられている。

また，薄膜共振子等の弾性波デバイスも１GHz〜１０GHzの周波数帯域におけるフィルタとして用いられ始めている。

近年，これらの信号処理機器は小型化が進み，使用されるＳＡＷデバイスや薄膜共振子等の電子部品も小型化の要求が強くなってきている。また，異なる複数の周波数領域で使用できるマルチバンド携帯電話の需要が高くなっており，携帯電話では，シングルバンド適用機器以上にデバイスの小型集積化が要求されている。

このような携帯電話では，複数のフィルタを内蔵したマルチフィルタが使用されている。このうち，二つのフィルタを内蔵したデュアルフィルタの従来の構成例を，図１Ａ，図１Ｂ，図１Ｃに示す図（その１，その２，その３）である。

図１Ａは，２つのフィルタチップＣ１，Ｃ２を内蔵したデュアルフィルタの電極端子部側より見た平面構成図である。図１Ｂ，図１Ｃは，それぞれ図１Ａの電極端子部側より見た平面構成を共通とする異なるデュアルフィルタの第１，第２の例であって，図１ＡのＡ−Ｂ線に沿う断面図を示す図である。

端子電極は，シングルフィルタと同様に，信号電極(入力端子ＩＮ，出力ＯＵＴ)と接地電極ＧＮＤから構成され，チップの数分信号電極は増える。グランド電極ＧＮＤは，グランドを強化するために，共通化する場合が多い。

断面図は，インターポーザーであるセラミック基板の形状により，図１Ｂ又は，図１Ｃに示すような構成となっている。

図１Ｂは，セラミック基板１が容器形状となっており，この中にバンプを形成したフィルタチップＣ１，Ｃ２をフリップチップ３により固定する。そして，容器を気密封止層２で蓋をする。フィルタチップＣ１，Ｃ２とセラミック基板１とのバンプ３で規定された空間はＳＡＷデバイス素子となるフィルタチップＣ１，Ｃ２に形成された櫛歯電極の振動空間１０となる。

セラミック基板１の内部には，バンプ３で接続した配線を端子電極ＩＮ，ＯＵＴ−Ｃ１，Ｃ２の形状位置になるように移動させるために再配線層１１が形成されている。この再配線層１１は，各チップの接地配線を共通化する場合にも使用される。

図１Ｃは，セラミック基板１が板状１ａになっている場合で，図１Ｂの容器型と同様にバンプ３を形成したフィルタチップＣ１，Ｃ２をフリップチップ３により固定する。そして，フィルタチップＣ１，Ｃ２を覆うように気密封止層２が形成されている。板状のセラミック基板１ａの場合は，容器型よりも枠が無くなる分だけ小型化できる。但し，容器型と同様にバンプ３で規定された振動空間１０および再配線層１１が必要であるので，図１Ｂの容器型基板１による場合と垂直方向の厚さは変わらない。

ここで，シングルフィルタの場合，ウェハレベルで，先に述べた振動空間１０および再配線層１１を形成するパッケージングにより小型，薄型が可能となりつつある。シングルフィルタでのウェハレベルパッケージングの例としては，本願発明者らにより先の特許出願により提案している（特願２００５−２９０９６９号）。

一方，デュアルフィルタの場合は，それぞれの周波数で最適な電極膜厚等が異なるため，複数の素子を個々にチップ単位で使用する必要があり，シングルフィルタのウェハレベルパッケージングと同様の方法が使えない。

しかしながら，複数のチップをチップレベルで小型化する手法としては，特許文献１および特許文献２に記載の技術が知られている。すなわち，これら特許文献に示されるように，チップ間の側面を直接接着する方法があり，それぞれの使用周波数に適した電極膜厚で形成されたチップが直接接着される。

特許文献１に記載の発明では，特許文献１に記載の図面を再掲して図２Ａ，図２Ｂに示したように，二つのチップの側面のみ(図２Ａ，１５)，あるいは，側面の上下のみ(図２Ｂ，１６，１７)を接着し一体化している。

あるいは，特許文献２に記載の発明では，特許文献２に記載の図面を再掲して図３に示すように，基板Ｘよりも低弾性の樹脂上接着剤Ｙで側面のみを接着し一体化している。
特開平１０−２１５１４３号公報 特開平１１−１６８４５号公報

ここで，上記特許文献のいずれの方法も一体化後に更に容器に入れることを想定しているため，容器に入れることなしに一体化後単体で使用する場合は強度が不足することになる。

また，マルチフィルタでは，複数の素子を接続するための再配線層１１（図１Ｂ，図１Ｃ）が必要であるが，上記先願の方法では，特許文献１，２の従来技術と同様に容器に配線層を形成しているために厚さ方向に薄くすることができない。

したがって，本願発明の目的は，ウェハレベルパッケージしたシングルフィルタの側面を接着し一体化する方法でデュアルフィルタを構成し，小型化を図る場合において，一体化後のチップ間の機械強度の向上と再配線層の形成方法を改善することにある。

かかる問題を解決するために，本発明の第一の側面は，少なくとも二つの弾性表面波素子間が樹脂の充填により接続されて形成された弾性波デバイスであって，前記弾性表面波素子のそれぞれは，基板と，前記基板の表面に構成された機能部分と，前記機能部分の動作に必要な空間部分を形成する凹みを備え，且つ前記基板の表面を覆うパッケージを有し，更に前記少なくとも二つの弾性表面波素子間の樹脂の充填により接続される部分に対応する，前記少なくとも二つの弾性表面波素子のそれぞれパッケージの側面に，少なくとも一箇所以上の切り欠きを備え，前記少なくとも二つの弾性表面波素子の基板側面，背面，および前面の一部を第一の樹脂で覆い，且つ前記パッケージの側面の少なくとも一箇所以上の切り欠きに前記第一の樹脂が充填されていることを特徴とする。

前記第１の側面において，前記少なくとも二つの弾性表面波素子が，それぞれ異なる周波数動作領域を有するデュアルフィルタとしても良い。

また，前記第一の樹脂がエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などの熱硬化型樹脂であるとすることができる。

前記第１の側面において，前記第一の樹脂が銀，カーボン，金属微粒子などの導電性フィラーを含有し，導電性を有しているとしても良い。

さらに，前記第一の樹脂が， SiO₂や窒化アルミニウムなどの無機物のフィラーが含有していても良い。

また，本発明の第２の側面は，少なくとも二つの弾性表面波素子間が樹脂の充填により接続されて形成された弾性波デバイスであって，前記弾性表面波素子のそれぞれは，基板と，前記基板の表面に構成された機能部分と，前記機能部分の動作に必要な空間部分を形成する凹みを備え，且つ前記基板の表面を覆うパッケージを有し，更に前記パッケージの全ての側面のそれぞれに，少なくとも一箇所以上の切り欠きを備え，前記少なくとも二つの弾性表面波素子の基板側面，背面，および前面の一部を第一の樹脂で覆い，且つ前記パッケージの全ての側面に備えた少なくとも一箇所以上の切り欠きに前記第一の樹脂が充填されていることを特徴とする。

前記第２の側面において，前記パッケージの全ての側面のそれぞれに備えた切り欠きの数が，前記少なくとも二つの弾性表面波素子間の樹脂の充填により接続される部分に対応する前記パッケージの側面に対して最も多いことを特徴とする。

前記第１，または第２の側面において，前記パッケージの切り欠きにより露出された前記基板の領域にグランド端子が形成されているように構成できる。

更に前記第一，または第二の側面において，前記パッケージの上層に，前記少なくとも二つの弾性表面波素子の電極と電気的に接続される導体部を有し、且つ感光性を有する第二の樹脂層が形成されているようにしても良い。

前記第２の側面において，前記第二の樹脂層が感光性エポキシ樹脂あるいは感光性ポリイミドとしても良い，
前記第２の側面において，前記導体部と接続されるはんだボールが前記第二の樹脂層上に形成されるように構成しても良い。

さらに，本発明の第３の側面は，弾性波デバイスの製造方法であって，粘着層が形成された第一の支持基板に，それぞれ機能部が形成された複数の素子を，前記素子の機能部が形成された面を前記粘着層に対向するように設置する工程と，前記第一の支持基板に設置した前記複数の素子の表面及び側面に第一の樹脂を塗布し，且つ前記設置された複数の素子間に第一の樹脂を充填する工程と，前記第一の樹脂を硬化させる工程と，前記第一の支持基板を剥離する工程と，前記素子の前記一の支持基板が剥離された面側に感光性を有する第二の樹脂層を形成する工程と，前記第二の樹脂層をパターニングして配線を形成する箇所を開口する工程と，前記開口された箇所に電極層およびはんだを充填する工程と，前記充填されたはんだをリフローしてはんだボールを形成する工程と，素子層をダイシングにより分離する工程とを有し，前記粘着層が形成された第一の支持基板に配置される素子が，基板と，前記基板の表面に構成された機能部分と，前記機能部分の動作に必要な空間部分を形成する凹みを備え，且つ前記基板の表面を覆うパッケージを有し，更に前記少なくとも二つの弾性表面波素子間の樹脂の充填により接続される部分に対応する，前記少なくとも二つの弾性表面波素子のそれぞれパッケージの側面に，少なくとも一箇所以上の切り欠きを備えていることを特徴とする。

前記支持基板がガラスなどの透明基板としても良い。

また前記第一の樹脂を塗布，及び充填する工程は，前記支持基板を真空中において第一の樹脂を塗布する工程，あるいは，前記第一の樹脂を塗布後真空中にて脱泡する工程により行うようにしても良い。

さらに，前記第３の側面において，前記開口された箇所に電極層およびはんだを充填する工程は，第二の支持基板表面全面に第一のシード金属を成膜する工程と，めっき保護用レジストを塗布する工程と，前記めっき保護用レジストをパターニングし，前記配線層開口部を開口する工程と，前記金属を利用して前記開口部にめっきで金属およびはんだを充填する工程と，前記めっき保護用レジストを除去する工程と，前記めっきで導電性物質が形成された箇所以外の前記シード金属を除去する工程により行うようにしても良い。

上記特徴により，ウェハレベルパッケージしたシングルフィルタの側面を接着し一体化する方法でデュアルフィルタを構成し，小型化を図る場合に，一体化後のチップ間の機械強度の向上と再配線層の形成を同時に図ることができる。これにより，デュアルフィルタの更なる小型化が可能となる。

以下，本発明の実施の形態例について図面を用いて詳細に説明する。なお，実施の形態例では，ＳＡＷデバイスの場合について記載しているが，同様の方法で薄膜共振子（FBAR）等の弾性波デバイスにも適用できる。

また，本発明は，デュアルフィルタのみならず，同様にＩＰＤやフィルタ等の複数のチップで構成されるデュープレクサにも適用できる。

本発明に従うデュアルフィルタの実施例構造を図４，図５Ａ，図５Ｂを用いて説明する。

図４は本発明に従う第１の実施の形態例のデュアルフィルタを電極端子側から見た平面図である。図５Ａ，図５Ｂは，それぞれ図４の点線Ａ−Ａ及び，Ｂ−Ｂに沿う断面図である。

二つのウェハレベルパッケージを行ったフィルタチップＣ１，Ｃ２を内蔵しており，第一の樹脂層２０で覆われ，固定されている。第一の樹脂層２０は，エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などの熱硬化型樹脂よりなる。

さらに，第一の樹脂層２０は，導電性を有している。導電性は，金属フィラーあるいはカーボン微粒子などを含有して得られる。また，強度を稼ぐため，或いは放熱性を高めるために，ＳｉＯ₂や窒化アルミニウムなどのフィラーを第一の樹脂層２０に含有していても良い。

二つのフィルタチップＣ１，Ｃ２の蓋状のパッケージ２には中空空間２２が形成され，弾性表面波の伝播空間が形成されている。

さらに，二つのフィルタチップＣ１，Ｃ２のパッケージ２上に第二の樹脂層２１が形成され，従って，フィルタチップＣ１，Ｃ２は，第一の樹脂層２０と第二の樹脂層２１により封止されている。第二の樹脂層２１は，感光性を有する樹脂より構成されており，感光性エポキシ樹脂，感光性ポリイミド樹脂などからなる。

そして，この第二の樹脂層２１内にフィルタチップＣ１，Ｃ２の端子部（入力端子ＩＮＣ１．ＩＮＣ２，出力ＯＵＴＣ１，ＯＵＴＣ２)及び，接地端子ＧＮＤに対応してめっき電極３ａが形成されている。このめっき電極３ａを通して，フィルタチップＣ１，Ｃ２の端子部が外部のはんだボール３と接続されている。

図６，図７Ａ，図７Ｂは，更に，上記第１の実施の形態例の層構造を説明する図である。

図６は，第１の実施の形態例に高さ方向の界面位置Ａ，Ｂ，Ｃを示す図である。

図７Ａ，図７Ｂ，及び図７Ｃは，それぞれ図６の界面位置Ａ，Ｂ，Ｃに対応する平断面図である。

図７Ａは，チップフィルタＣ１，Ｃ２の圧電基板３０Ｃ１，３０Ｃ２とパッケージ２との界面位置Ａの平面図であり，チップフィルタＣ１，Ｃ２の圧電基板３０Ｃ１，３０Ｃ２上には弾性波フィルタを形成する櫛歯電極１００と配線層が形成されている。また，配線層の他に配線層と接続する入出力端子パターンＩＮＣ１，ＯＵＴＣ１，ＩＮＣ２，ＯＵＴＣ２が形成されている。

図中，ＳＡＷ共振器を用いたラダータイプのフィルタを示しているが，実際数の共振器のなどは図示省略している。チップフィルタＣ１，Ｃ２の圧電基板３０Ｃ１，３０Ｃ２の周囲は導電性を有する第一の樹脂層２０で覆われている。

図７Ｂは，図６の界面位置Ｂの平断面を示し，パッケージ２の厚さ半分くらいのところでスライスした平面図である。パッケージ２には，電極（ＩＮＣ１，ＩＮＣ２，ＯＵＴＣ１，ＯＵＴＣ２）用開口部３１と，切り欠き４０と，中空空間２２が存在する。

開口部３１には，信号の入出力電極ＩＮＣ１，ＩＮＣ２，ＯＵＴＣ１，ＯＵＴＣ２が埋め込まれ，中空空間２２には櫛歯電極１００が存在する。切り欠き４０に対応する圧電基板３０Ｃ１，３０Ｃ２上にはグランド端子ＧＮＤが形成されており，切り欠き４０に導電性を有する第一の樹脂層２０が充填され，グランド端子ＧＮＤと電気的に接続している。

図７Ｃは，パッケージ２と第二の樹脂層２１との界面でスライスした平面図である。はんだボール３の端子部とパッケージ２の開口部３１に設けられた電極ＩＮＣ１，ＩＮＣ２，ＯＵＴＣ１，ＯＵＴＣ及び，導電性の第一の樹脂層２０を接続するようにめっき電極３ａが形成されている。

上記のような構造によりインターポーザー（中間配線層基板）を使わずに，複数のチップの再配線を行うことができる。

また，図８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，図８Ｄは，第一の樹脂層２０が充填される領域を示す図である。
図８Ａは，図７Ｂに相当する界面一の平面図における第一の樹脂層２０が充填される領域を示し，二つのフィルタチップＣ１，Ｃ２の周囲と，切り欠き４０に第一の樹脂層２０が充填されている。

図８Ｂ，図８Ｃは，それぞれ，図８ＡのＸ−Ｘ断面，Ｙ−Ｙ断面における第一の樹脂層２０の充填領域である。図８Ｄは，端子側と反対面の二つのフィルタチップＣ１，Ｃ２を上面から覆う領域である。

図８Ｂは，図８ＡのＸ−Ｘ線に沿う断面を，図８Ｃは，図８ＡのＸ−Ｘ線に沿う断面を示す。複数の切り欠き４０がパッケージ２に形成されているので，第一の樹脂層２０が充填され，二つのフィルタチップＣ１，Ｃ２に接する面積が広く強固な接着が可能である。また，図８Ｂの断面に見られるように，チップＣ１，Ｃ２を上下面から第一の樹脂層２０の充填により押さえることが可能である。これにより，一体化後の強度をより高くすることができる。

ここで，本発明の適用において，図７Ｂに示したように，パッケージ２のチップＣ１，Ｃ２間を貼り合わす面に切り欠き４０を多数設けることが望ましく，その他の態様も可能である。図９Ａ，図９Ｂ，図１０Ａ，図１０Ｂは，かかる他の切り欠き構造の実施例を示す図である。

図９Ａ，図９Ｂに示す例は，チップＣ１，Ｃ２間を貼り合わす面に切り欠き４０を設ける他に側面に切り欠き４１を設けた例である。図９Ａは，一つのチップＣ１を端子側から見た平面図を，図９Ｂは，ｙ−ｙ線に沿う側断面図を示す。

図１０Ａは，一つのチップＣ１を端子側から見た平面図を，図１０Ｂは，ｙ−ｙ線に沿う側断面図を示す。同様に，チップＣ１，Ｃ２間を貼り合わす面に切り欠き４０を設ける他に側面に切り欠き４１を設けた例である。ただし，図９Ａ，図９Ｂに示す例と異なる点は，きり欠き４０，４１をパッケージ２の厚さ全体でなく，その一部に形成し，きり欠きを凹み状にした例である。かかる場合は，樹脂層２０とパッケージ２の接触面の数が多くなるので，より強固な結合が期待できる。

つぎに，上記の本発明に従うＳＡＷデバイスの作製方法を図１１，図１２により説明する。

図１１は，ウエハーレベルでのフィルタチップの作成手順の段階を示すフローである。なお，処理工程Ｐ１からＰ１１まで，１チップ分について図示している。

ウエハー状の圧電基板３０上に，複数のＳＡＷ素子のそれぞれを構成するＩＤＴと入出力端子及びＧＮＤ端子を形成する（（処理工程Ｐ１）。この上にスピンコートによりレジストを塗布する（処理工程Ｐ２）。

次いで，マスク２０１を用いて露光し（処理工程Ｐ３），マスクされた領域のレジストを焼成して残し，柱を形成する（処理工程Ｐ４）。

さらに，透明の支持フィルム２０２に感光性材料であるラミネートフィルム２０３を貼り付け，処理工程Ｐ４で形成された柱の上に沿ってラミネートする（処理工程Ｐ５）。マスク２０４を用いて端子部分領域を露光し，露光後に支持フィルム２０２を剥離する（処理工程Ｐ６）。ついで，現像及び焼成を行う（処理工程Ｐ７）。これにより，端子部分領域（開口部３１）が露出される。

さらに，本発明に従う特徴として，この端子部分領域（開口部３１）を露光する際に，本願発明の弾性波デバイスの特徴を得るために，マスク２０４のパターンを柱の側面に切り欠き４０が形成される。

さらに，露出された端子部分上にニッケル等のバリアメタルのメッキ２０５を施す（処理工程Ｐ８）。メッキ２０５の上にはんだボール２０６を置き（処理工程Ｐ９），リフローする（処理工程Ｐ１０）。これまでの行程によりウエハーレベルのパッケージが生成される。

図１２は，ウエハーレベルのパッケージから更にＳＡＷデバイスを完成する行程フローを示す図である。

図１２において，異なる周波数帯域で使用する複数のフィルタチップを共通にパッケージ化して一つのＳＡＷデバイスを生成する際に，異なる周波数帯域ごとに，先に説明した処理工程Ｐ１〜Ｐ１０の行程に従ってウエハレベルパッケージを作成する。

図１２に示す例では図１１の構成で個別に作成された異なる周波数で使用するフィルタチップをそれぞれ有する二つのウエハレベルパッケージＩ，ＩＩを用いる。

まず，図１２，I，IIに示すように，あらかじめウェハレベルパッケージした二つのウェハのそれぞれを素子単位にダイシングで切り分ける（処理工程Ｐ１１，Ｐ１１ａ）。

次に，各チップを粘着層２０６を貼り付けた支持基板２０７上に素子面が裏になるように配列する（処理工程Ｐ１２）。粘着層２０６は，後で簡単に剥離ができるものが望ましく，紫外線の照射などによって容易に粘着性を弱めることができるものを用いる。支持基板２０７は透明なものが望ましく，ガラスが望ましい。

その後，表面に第一の樹脂層２０を塗布する。この際，真空雰囲気で塗布，あるいは，塗布後真空脱泡することで，チップ間の隙間および前面のパッケージの切り欠き４０にも樹脂が浸透するように，熱硬化させる（処理工程Ｐ１３）。

ついで，支持基板２０７の背面越しに紫外線を照射することで支持基板２０７の粘着層２０６の粘着性を弱め，チップ前面に付いた支持基板２０７を剥離する（処理工程Ｐ１４）。

次いで，前面に感光性を持った第二の樹脂層２１を形成し，露光，現像により電極端子部に相当する部分には開口部を設ける（処理工程Ｐ１５）。

そして，印刷あるいはめっきなどにより開口部に電極（導電体）３ａおよびはんだボール３を形成する。

印刷で行う場合は，真空印刷などの方法で銀ペーストおよびはんだペーストを印刷し，その後リフローし，はんだボール３を形成する（処理工程Ｐ１６）。

なお，めっきで形成する場合は，第二の樹脂層２１の表面にシード金属をスパッタした後，めっき保護レジストを塗布し，第二の樹脂層２１にめっき電極３ａの部分に対応して開口するようにパターニングする。その後，めっきにより電極およびはんだを形成する。めっき保護レジストを除去後，シード金属を除去した後リフローを行いはんだボールを形成する。

前面にスパッタなどでシードメタルを形成後，配線層パターン以外をめっき耐性のあるレジストで保護し，電解めっきを行い，配線パターンを形成する。その後，めっきレジストおよびシードメタルを除去する。

さらに，基板をダイシングにより個片化することで，本発明に従うＳＡＷデバイスが完成する（処理工程Ｐ１７）。

以上説明したように，本発明の弾性波デバイスの構造および製造方法によれば，ウェハレベルパッケージしたシングルフィルタの側面を接着し一体化する方法でデュアルフィルタを構成し，小型化を図る場合において，一体化後のチップ間の機械強度の向上と再配線層の形成を図ることができる。以上によりデュアルフィルタの更なる小型化が可能となり産業上寄与するところ大である。

２つのフィルタチップＣ１，Ｃ２を内蔵したデュアルフィルタの電極端子部側より見た平面構成図である。 図１Ａの電極端子部側より見た平面構成を共通とするデュアルフィルタの第１の例であって，図１ＡのＡ−Ｂ線に沿う断面図を示す図である。 図１Ａの電極端子部側より見た平面構成を共通とするデュアルフィルタの第２の例であって，図１ＡのＡ−Ｂ線に沿う断面図を示す図である。 公知例（特開平10-215143）の第１の構造を示す図である。 公知例（特開平10-215143）の第２の構造を示す図である。 公知例（特開平11-168745）の構造を示す図である。 本発明に従う第１の実施の形態例のデュアルフィルタを電極端子側から見た平面図である。 図４の点線Ａ−Ａに沿う断面図である。 図４の点線Ｂ−Ｂに沿う断面図である。 第１の実施の形態例に高さ方向の界面位置Ａ，Ｂ，Ｃを示す図である。 図６の界面位置Ａに対応する平断面図である。 図６の界面位置Ｂに対応する平断面図である。 図６の界面位置Ｃに対応する平断面図である。 図７Ｂに相当する界面一の平面図における第一の樹脂層が充填される領域を示す図である。 図８ＡのＸ−Ｘ断面における第一の樹脂層の充填領域を示す図である。 図８ＡのＹ−Ｙ断面における第一の樹脂層の充填領域を示す図である。 端子側と反対面の二つのフィルタチップＣ１，Ｃ２を上面から覆う領域を示す図である。 他の切り欠き構造の実施例で，一つのチップＣ１を端子側から見た平面図である。 図９Ａのｙ−ｙ線に沿う側断面図である。 他の切り欠き構造の実施例で，一つのチップＣ１を端子側から見た平面図である。 図１０Ａのｙ−ｙ線に沿う側断面図である。 ウエハーレベルでのフィルタチップの作成手順の段階を示すフローである。 図１１のフローに続き，異なる周波数で使用するフィルタチップをそれぞれ有する二つのウエハレベルパッケージを用いる本発明のＳＡＷデバイスの製作フローである。

符号の説明

Ｃ１，Ｃ２ フィルタチップ
２ 気密封止層（パッケージ）
３ フリップチップ（はんだボール）
３ａ メッキ電極
２０ 第一の樹脂層
２１ 第二の樹脂層
２２ 中空空間

Claims (16)

1. 少なくとも二つの弾性表面波素子間が樹脂の充填により接続されて形成された弾性波デバイスであって，
   前記弾性表面波素子のそれぞれは，
   基板と，
   前記基板の表面に構成された機能部分と，
   前記機能部分の動作に必要な空間部分を形成する凹みを備え，且つ前記基板の表面を覆うパッケージを有し，更に
   前記少なくとも二つの弾性表面波素子間の樹脂の充填により接続される部分に対応する，前記少なくとも二つの弾性表面波素子のそれぞれパッケージの側面に，少なくとも一箇所以上の切り欠きを備え，
   前記少なくとも二つの弾性表面波素子の基板側面，背面，および前面の一部を第一の樹脂で覆い，且つ前記パッケージの側面の少なくとも一箇所以上の切り欠きに前記第一の樹脂が充填されている，
   ことを特徴とする弾性波デバイス。
2. 請求項1において，
   前記少なくとも二つの弾性表面波素子が，それぞれ異なる周波数動作領域を有するデュアルフィルタであることを特徴とする弾性波デバイス。
3. 請求項１において，
   前記第一の樹脂がエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などの熱硬化型樹脂であることを特徴とする弾性波デバイス。
4. 請求項３において，
   前記第一の樹脂が銀，カーボン，金属微粒子などの導電性フィラーを含有し，導電性を有していることを特徴とする弾性波デバイス。
5. 請求項４において，
   前記第一の樹脂が， SiO₂や窒化アルミニウムなどの無機物のフィラーを含有していることを特徴とする弾性波デバイス。
6. 少なくとも二つの弾性表面波素子間が樹脂の充填により接続されて形成された弾性波デバイスであって，
   前記弾性表面波素子のそれぞれは，
   基板と，
   前記基板の表面に構成された機能部分と，
   前記機能部分の動作に必要な空間部分を形成する凹みを備え，且つ前記基板の表面を覆うパッケージを有し，更に
   前記パッケージの全ての側面のそれぞれに，少なくとも一箇所以上の切り欠きを備え，
   前記少なくとも二つの弾性表面波素子の基板側面，背面，および前面の一部を第一の樹脂で覆い，且つ前記パッケージの全ての側面に備えた少なくとも一箇所以上の切り欠きに前記第一の樹脂が充填されている，
   ことを特徴とする弾性波デバイス。
7. 請求項６において，
   前記パッケージの全ての側面のそれぞれに備えた切り欠きの数が，前記少なくとも二つの弾性表面波素子間の樹脂の充填により接続される部分に対応する前記パッケージの側面に対して最も多いことを特徴とする弾性波デバイス。
8. 請求項1又は6において，
   前記パッケージの切り欠きにより露出された前記基板の領域にグランド端子が形成されていることを特徴とする弾性波デバイス。
9. 請求項1又は6において，更に
   前記パッケージの上層に，前記少なくとも二つの弾性表面波素子の電極と電気的に接続される導体部を有し、且つ感光性を有する第二の樹脂層が形成されていることを特徴とする弾性波デバイス。
10. 請求項９において，
    前記第二の樹脂層が感光性エポキシ樹脂あるいは感光性ポリイミドからなることを特徴とする弾性波デバイス。
11. 請求項９において，
    前記導体部と接続されるはんだボールが前記第二の樹脂層上に形成されていることを特徴とする弾性波デバイス。
12. 粘着層が形成された第一の支持基板に，それぞれ機能部が形成された複数の素子を，前記素子の機能部が形成された面を前記粘着層に対向するように設置する工程と，
    前記第一の支持基板に設置した前記複数の素子の表面及び側面に第一の樹脂を塗布し，且つ前記設置された複数の素子間に第一の樹脂を充填する工程と，
    前記第一の樹脂を硬化させる工程と，
    前記第一の支持基板を剥離する工程と，
    前記素子の前記一の支持基板が剥離された面側に感光性を有する第二の樹脂層を形成する工程と，
    前記第二の樹脂層をパターニングして配線を形成する箇所を開口する工程と，
    前記開口された箇所に電極層およびはんだを充填する工程と，
    前記充填されたはんだをリフローしてはんだボールを形成する工程と，
    素子層をダイシングにより分離する工程とを有し，
    前記粘着層が形成された第一の支持基板に配置される素子が，
    基板と，
    前記基板の表面に構成された機能部分と，
    前記機能部分の動作に必要な空間部分を形成する凹みを備え，且つ前記基板の表面を覆うパッケージを有し，更に
    前記少なくとも二つの弾性表面波素子間の樹脂の充填により接続される部分に対応する，前記少なくとも二つの弾性表面波素子のそれぞれパッケージの側面に，少なくとも一箇所以上の切り欠きを備えている
    ことを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
13. 請求項１２において，
    前記粘着層が紫外線によって粘着力が弱められる接着剤よりなることを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
14. 請求項１２において，
    前記支持基板がガラスなどの透明基板よりなることを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
15. 請求項１２において，
    前記第一の樹脂を塗布，及び充填する工程は，
    前記支持基板を真空中において第一の樹脂を塗布する工程，あるいは，
    前記第一の樹脂を塗布後真空中にて脱泡する工程により行うことを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
16. 請求項１２において，
    前記開口された箇所に電極層およびはんだを充填する工程は，
    第二の支持基板表面全面に第一のシード金属を成膜する工程と，
    めっき保護用レジストを塗布する工程と，
    前記めっき保護用レジストをパターニングし，前記配線層開口部を開口する工程と，
    前記金属を利用して前記開口部にめっきで金属およびはんだを充填する工程と，
    前記めっき保護用レジストを除去する工程と，
    前記めっきで導電性物質が形成された箇所以外の前記シード金属を除去する工程により行うことを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
    

Images