DE10217747A1 - Verfahren zur Herstellung eines akustischen Oberflächenwellenfilterpakets - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines akustischen Oberflächenwellenfilterpakets

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Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines akustischen Oberflächenwellenfilterchipakets beschrieben, umfassend die Schritte, den akustischen Oberflächenwellenfilterchip auf einem Substrat zu befestigen; Ausbilden einer Unterfüllung in einem Freiraum zwischen dem Substrat und dem akustischen Oberflächenwellenfilterchip; Ausbilden einer metallischen Schutzschicht auf der gesamten Außenfläche des akustischen Oberflächenwellenfilterchips durch Verwendung eines Sprühverfahrens und Aufbringen von Harzen auf der metallischen Schutzschicht. Das Verfahren weist die Vorteile auf, dass der Verfahrensschritt, einen schmalen Streifen auszubilden, um die Abdeckung einer Stufe zu verbessern, ersetzt wird durch Ausbilden einer metallischen Schutzschicht aus einem leitenden Epoxid unter Zuhilfenahme einer Sprühdüse. Eine einschichtige metallische Schutzschicht wird ausgebildet, ohne eine zusätzliche Metallschicht zur Verhinderung von Oxidation in der Metallschicht durch Ausbilden der Außenseite des SAW-Filterchippakets durch die Benutzung eines oberseitigen Formgebungsverfahrens, sodass ein strukturell stabiles SAW-Filterpaket hergestellt werden kann.

Description

    Hintergrund der Erfindung 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft im Allgemeinen ein Verfahren zur Herstellung eines akustischen Oberflächenwellenfilterpakets (SAW) und, insbesondere ein Verfahren, um ein strukturell stabiles akustisches Oberflächenwellenfilterpaket durch die Benutzung eines oberseitigen Formgebungsverfahrens herzustellen, bei dem eine metallische Schutzschicht durch ein Sprühverfahren gebildet wird.
  • 2. Beschreibung des Standes der Technik
  • Akustische Oberflächenwellenfilter bzw. Surface Acoustic Wave Filter (im Folgenden als "SAW-Filter" bezeichnet) werden in kommerziellen und anderen Anwendungen häufig als RF- und IF-Filter benutzt, um eine Frequenzauswählbarkeit und andere elektronische Funktionen herzustellen. Da sich die akustische Welle in dem SAW-Filter oft entlang oder sehr nahe der Oberfläche fortpflanzt, ist ein SAW-Filter im Allgemeinen sehr empfindlich gegenüber Oberflächenverhältnissen. Wenn ein akustischer Oberflächenwellenfilter durch Befestigen auf einem Substrat bestückt wird, wird daher ein Schutzbauteil auf der Unterseite des SAW-Filters vorgesehen, um einen Luftspalt für den Schutz der Oberfläche des SAW-Filters zu bilden. Um insbesondere die Widerstandsfähigkeit gegenüber äußeren Effekten sicherzustellen, wird der mit dem Schutzbauteil versehene SAW-Filterchip auf einem Substrat befestigt, entlang dessen Außenseite eine metallische Schutzschicht gebildet ist. Als Ergebnis wird ein SAW-Filterchippaket erhalten.
  • Um den Hintergrund der vorliegenden Erfindung besser verstehen zu können, wird nachfolgend eine Beschreibung eines herkömmlichen Verfahrens zur Herstellung eines akustischen Oberflächenwellenfilterchippakets gegeben.
  • Die Fig. 1a bis 1f sind schematische Querschnittansichten, die die schrittweise herkömmliche Herstellung eines SAW-Filterchippakets darstellen.
  • Bezug nehmend auf Fig. 1a ist ein SAW-Filterchip 3, an dessen Unterseite Protektoren 5 angebracht sind, und ein Substrat 2, an dessen Oberseite Erhöhungen 4 für die Befestigung nach dem Flip-Chip-Bonding-Verfahren angebracht sind, dargestellt.
  • Bezugnehmend auf Fig. 1b ist der SAW-Filterchip 3 auf dem Substrat 2 befestigt, und der SAW-Filterchip ist elektrisch und mechanisch mit einem Verdrahtungsabschnitt des Substrats 2 durch das Flip-Chip-Bonding-Verfahren verbunden.
  • Bezug nehmend auf Fig. 1c sind Unterfüllungen 6 in einen Freiraum zwischen dem Substrat und dem SAW-Filterchip eingebracht. Wenn Unterfüllungen 6 zwischen das Substrat und den SAW-Filterchip eingebracht werden, wird ein aktiver Bereich, der auf der Unterseite des SAW-Filterchips festgelegt ist, durch den von den Protektoren 5 gebildeten Luftspalt geschützt.
  • Daher sollte die metallische Schutzschicht oberhalb einer Außenwand des SAW- Filterchips 3 gebildet sein, um die Zuverlässigkeit des SAW-Filterchips beim Abfangen von elektrischen Einflüssen sicherzustellen, die von außen auf das SAW- Filterchippaket einwirken. Es ist jedoch schwierig, eine Metallschicht gleichmäßig auf der gesamten Außenwand des SAW-Filterchips aufzubringen, wegen der abgestuften Seitenabschnitte, die an Seitenabschnitten des SAW-Filterchips 3 und des Substrats 2 gebildet sind. Dementsprechend wird ein schmaler Streifen 7 gebildet, um die abgestuften Seitenabschnitte, die einen steilen Übergang besitzen, in abgestufte Seiten mit einem sanften Übergang umzuwandeln, wie in Fig. 1d gezeigt ist. Der schmale Streifen 7 ist aus einem Isoliermaterial hergestellt und verbindet die abgestufte Seite mit dem sanften Übergang mit der Flanke des SAW-Filterchips 3, sodass die Metallschicht einfach auf dem SAW-Filterchip aufgetragen werden kann.
  • Bezug nehmend auf Fig. 1e ist die metallische Schutzschicht 8 auf der Außenwand des SAW-Filterchips ausgebildet. Dabei sollten wenigstens zwei metallische Schutzschichten 8 aufgetragen werden. Mit anderen Worten, um die Zuverlässigkeit des SAW-Filterchips sicherzustellen, wird eine innere Metallschicht gebildet, die elektrische Einflüsse von der Außenseite des SAW-Filterchippakets her abfängt, und anschließend wird eine äußere Metallschicht zur Verhinderung von Oxidation der inneren Metallschicht zusätzlich auf der inneren Metallschicht ausgebildet, da die innere Metallschicht der Atmosphäre ausgesetzt ist.
  • Bei dem herkömmlichen Aufbau sollte der schmale Streifen dünn ausgebildet sein, da die Größe des schmalen Streifens von der Größe des SAW-Filterchippakets abhängt. Der dünne schmale Streifen, auch wenn er entsprechend gebildet ist, kann nicht als vollständige Stufenabdeckung um die Seitenflanken des Chips herum dienen, wie in Fig. 1d gezeigt ist. Daher muss eine metallische Schutzschicht dick oberhalb des SAW-Filterchips aufgetragen werden, damit bedingt durch die Stufe kein Flächenabschnitt unbedeckt von der metallischen Schutzschicht bleibt.
  • Nachdem die Herstellung der metallischen Schutzschicht 8 beendet ist, wird das sich ergebende SAW-Filterchippaket markiert, um es identifizieren zu können. Das bedeutet, eine dunkle Farbpaste wird auf der metallischen Schutzschicht 8 aufgetragen, um eine Identifikationsschicht 9 zu bilden, wie in Fig. 1f gezeigt ist.
  • Wie oben beschrieben wurde, sollte bei dem herkömmlichen Verfahren zur Herstellung eines SAW-Filterchippakets die metallische Schutzschicht gleichförmig auf der gesamten Außenwand des SAW-Filterchippakets ausgebildet werden, da die metallische Schutzschicht als äußerste Schicht des SAW-Filterchippakets gebildet wird. Dementsprechend ist der Verfahrensschritt erforderlich, den schmalen Streifen auszubilden, um zu verhindern, dass ein Abschnitt der Außenwand des SAW-Filterchippakets aufgrund der gestuften Seiten nicht beschichtet wird, die durch den Chip und das Substrat gebildet werden. Darüber hinaus ist die metallische Schutzschicht als außenliegender Abschnitt des SAW-Filterchippakets der Atmosphäre ausgesetzt, und sie sichert die Zuverlässigkeit des SAW-Filterchips, indem sie elektrische Wirkungen von der Außenseite des SAW-Filterchippakets abfängt. Daher sollte eine weitere Außenschicht zur Verhinderung von Oxidation der metallischen Schutzschicht ausgebildet werden.
  • Dementsprechend weist das herkömmliche Verfahren zur Herstellung des SAW- Filterchippakets die Nachteile auf, dass der Verfahrensschritt des Ausbildens des schmalen Streifens zusätzlich erforderlich ist und dass wenigstens zwei metallische Schutzschichten mit einer ausreichenden Dicke auf der Außenwand des SAW-Filterchips ausgebildet werden, und dementsprechend ist die Produktivität des Verfahrens zur Herstellung des SAW-Filterchippakets sehr schlecht.
  • Ein weiterer Nachteil des herkömmlichen Verfahrens zur Herstellung des SAW- Filterchippakets besteht darin, dass ein dünnes Substratpaket oder die Seitenflanke des SAW-Filterchips strukturell brechen kann, wenn das SAW-Filterchippaket herunterfällt oder wenn ein äußerer Druck angewendet wird.
  • Daher besteht weiterhin ein Bedürfnis nach einem verbesserten Verfahren, um ein stabiles Oberflächenwellenfilterpaket einfach herzustellen.
    • Zusammenfassung der Erfindung
  • Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Nachteile des bekannten Standes der Technik zu vermeiden und ein Verfahren zum einfachen Herstellen eines stabilen akustischen Oberflächenwellenfilterpakets ohne den Verfahrensschritt des Ausbildens eines dünnen Streifens anzugeben, bei welchem Verfahren eine metallische Schutzschicht durch ein Sprühverfahren gebildet wird und durch das ein akustisches Oberflächenwellenfilterpaket durch die Benutzung eines oberseitigen Umgebungsverfahrens vereinfacht wird.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der vorliegenden Erfindung werden anhand der folgenden genauen Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen erläutert, in denen:
  • Fig. 1a-1f sind schematische Querschnittansichten und stellen die schrittweise herkömmliche Herstellung eines SAW- Filterchippakets dar;
  • Fig. 2a-2e sind schematische Querschnittansichten und stellen die schrittweise Herstellung eines SAW-Filterchippakets gemäß der vorliegenden Erfindung dar.
    • Detaillierte Beschreibung der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung offenbart ein Verfahrung zur Herstellung eines akustischen Oberflächenwellenfilterchippakets, umfassend die Schritte des Befestigens des akustischen Oberflächenwellenfilterchips auf einem Substrat; Ausbilden einer Unterfüllung in einem Freiraum zwischen dem Substrat und dem akustischen Oberflächenwellenfilterchip; Ausbilden einer metallischen Schutzschicht auf der gesamten Außenwand des akustischen Oberflächenwellenfilterchips durch Aufsprühen; und Aufbringen von Harzen auf der metallischen Schutzschicht.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung weist der SAW- Filterchip mehrere Schutzstrukturen auf, um einen Luftspalt auf der Unterseite des SAW-Filterchips auszubilden, und er wird auf dem Substrat durch das Flip-Chip- Bonding-Verfahren befestigt.
  • Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung kann ein strukturell vereinfachtes Aussehen des SAW-Filterpakets, z. B. in der Form eines rechteckigen Parallelepipeds, erhalten werden durch Formen des SAW- Filterchippakets mit Epoxidformmasse (EMC, Epoxy Molding Compound), sodass die metallische Schutzschicht vollständig bedeckt ist.
  • Die vorliegende Erfindung lässt sich besser verstehen unter Bezugnahme auf die nachfolgende genaue Beschreibung von bevorzugten Ausführungsbeispielen der Erfindung und der Figuren.
  • Fig. 2a-2e sind schematische Querschnittansichten und zeigen die schrittweise Herstellung eines SAW-Filterchippakets gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Bezug nehmend auf Fig. 2a sind der SAW-Filterchip 13, an dessen Unterseite Protektoren 15 befestigt sind, und ein Substrat 12, an dessen Unterseite Erhöhungen 14 für das Flip-Chip-Bonding-Verfahren befestigt sind, vorhanden. Wie oben beschrieben wurde, sind Protektoren 15 Strukturen, die einen Luftspalt bilden, der einen aktiven Bereich auf der unteren Oberfläche des SAW-Filterchips schützt. Protektoren können von Fachleuten einfach aus trockenen Filmen hergestellt werden. Die Erhöhungen 14, die auf der Oberfläche des Substrats 12 ausgebildet sind, bestehen aus Gold, Kupfer, Aluminium oder einer Legierung von diesen, und werden benutzt, um die Verdrahtung des Substrats mit dem Chip zu verbinden.
  • Bezug nehmend auf Fig. 2b ist der SAW-Filterchip 13 elektrisch angeschlossen und mechanisch befestigt an dem Verdrahtungsabschnitt des Substrats 13 durch die Erhöhungen mittels des Flip-Chip-Bonding-Verfahrens.
  • Bezug nehmend auf Fig. 2c ist ein flüssiges Unterfüllungsmaterial in einen Freiraum zwischen dem Substrat 12 und den SAW-Filterchip 13 eingefüllt und ausgehärtet, um Unterfüllungen 16 zu bilden. Die Unterfüllungen 16 dienen dazu, die Unterseite des SAW-Filterchips 13 von der Umgebung zu isolieren und verstärken die mechanische Verbindung des SAW-Filterchips mit dem Substrat.
  • Bezug nehmend auf Fig. 2d ist die metallische Schutzschicht 20 auf der Außenseite des SAW-Filterchips 13 ausgebildet, der auf dem Substrat 12 befestigt ist, um äußere elektrische Effekte abzuschirmen. Bei herkömmlichen Verfahren wird eine Metallschicht zum Schutz gegen Oxidation der metallischen Schutzschicht und eine weitere Metallschicht zum Abfangen äußerer elektrischer Effekte auf der Oberseite des Chips galvanisch aufgetragen. Gemäß der vorliegenden Erfindung wird jedoch lediglich eine Metallschicht 20 zum Ausschließen von äußeren elektrischen Effekten durch Aufsprühen ausgebildet.
  • Während des Aufsprühens wird elektrisch leitendes Epoxid durch eine Düse auf den Chip gesprüht, um die Metallschicht auszubilden. Daher kann die Metallschicht vollständig auf der Außenwand bzw. der Außenseite des SAW-Filterchips ausgebildet werden, obwohl eine abgestufte Seite an einer Seite des Chips ausgebildet ist, ebenso kann der Verfahrensschritt des Ausbildens eines schmalen Streifens weggelassen werden, dadurch wird das Verfahren zur Herstellung des SAW-Filterchippakets vereinfacht und die Herstellungskosten können verringert werden.
  • Erfindungsgemäß ist darüber hinaus eine zusätzliche Metallschicht zum Schutz gegen Oxidation der Metallschicht nicht erforderlich, da die metallische Schutzschicht 20 nicht als äußerste Schicht gebildet ist, sondern sie ist ausgebildet, um die Zuverlässigkeit des SAW-Filterchips sicherzustellen, indem sie elektrische Effekte von der Außenseite des SAW-Filterchippakets her ausschließt.
  • Bezug nehmend auf Fig. 2e ist ein Harzformabschnitt 22 auf der gesamten Außenseite des Chips ausgebildet, auf der die metallische Schutzschicht 20 ausgebildet ist. Dabei ist die metallische Schutzschicht 20 nicht der Atmosphäre ausgesetzt, und somit ist eine zusätzliche metallische Schicht zum Schutz gegen Oxidation der Metallschicht nicht erforderlich.
  • Vorzugsweise wird der Harzformabschnitt 22 mittels eines oberseitigen Formgebungsverfahrens (Top Molding Process) durch Benutzung von Epoxidformmasse (EMC) ausgebildet, um das Aussehen des SAW-Filterchippakets zu vereinfachen und strukturell zu verstärken. Thermoplastische Harze, kalt aushärtende Harze oder Epoxidharz können als Harzmaterial benutzt werden.
  • Darüber hinaus kann das SAW-Filterchippaket durch den Harzformabschnitt 22 wie ein rechteckiges Parallelepiped geformt sein, wie in Fig. 2e gezeigt ist. Dementsprechend ist die Strapazierfähigkeit des SAW-Filterchippakets durch Harze verbessert, ebenso kann der SAW-Filterchip nicht einfach zerbrechen. Dementsprechend ist die Handhabung des SAW-Filterchips einfach, da die Seitenflanke des SAW-Filterchips nicht der Atmosphäre ausgesetzt ist.
  • Der Harzformabschnitt gemäß der vorliegenden Erfindung kann in einem der Seitenflanke des SAW-Filterchips entsprechenden Freiraum dünn ausgebildet werden, indem herkömmlicherweise schmale Streifen ausgebildet werden, sodass das erfindungsgemäße SAW-Filterchippaket die gleiche Größe wie das des herkömmlichen SAW-Filterchippakets besitzt.
  • Im Falle der Herstellung mehrerer SAW-Filterchippakete werden mehrere SAW- Filterchips auf dem Substrat befestigt, mit Harzen geformt und dann in Würfel geschnitten, um die einzelnen SAW-Filterchippakete zu erhalten.
  • Wie oben beschrieben wurde, weist die vorliegende Erfindung die Vorteile auf, dass das Verfahren zur Herstellung eines akustischen Oberflächenwellenfilterpakets vereinfacht wird durch Weglassen des Verfahrensschritts des Ausbildens eines schmalen Streifens und indem lediglich eine einschichtige metallische Schutzschicht ausgebildet wird, sodass ein von seinem Aufbau her stabiles SAW- Filterpaket hergestellt werden kann, wobei das Aussehen des Pakets vereinfacht ist durch die Benutzung eines oberseitigen Formgebungsverfahrens, nachdem die metallische Schutzschicht durch Aufsprühen ausgebildet ist.
  • Die vorliegende Erfindung wurde zur Erläuterung beschrieben und es ist so zu verstehen, dass die benutzte Terminologie zur Beschreibung und nicht als Beschränkung verwendet wurde. Viele Modifikationen und Abwandlungen der vorliegenden Erfindung sind im Lichte der obigen Lehre möglich. Daher kann die Erfindung innerhalb des Schutzbereichs der Patentansprüche auch anders als beschrieben ausgeführt werden.

Claims (5)

1. Verfahren zur Herstellung eines akustischen Oberflächenwellenfilterchippaktes, umfassend die folgenden Schritte:
Befestigen eines akustischen Oberflächenwellenfilterchips auf einem Substrat;
Ausbilden einer Unterfüllung in einem Freiraum zwischen dem Substrat und der Oberfläche des akustischen Oberflächenwellenfilterchips;
Aufbringen einer metallischen Schutzschicht auf die gesamte Außenseite des akustischen Oberflächenwellenfilterchips durch ein Sprühverfahren; und
Aufbringen eines Harzes auf die metallische Schutzschicht.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der akustische Oberflächenwellenfilterchip mit mehreren Schutzstrukturen versehen wird, um auf einer unteren Seitenfläche des akustischen Oberflächenwellenfilterchips einen Luftspalt auszubilden.
3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die metallische Schutzschicht gebildet wird durch Aufsprühen von leitendem Epoxidharz auf die Außenseite des akustischen Oberflächenwellenfilterchips durch die Benutzung einer Sprühdüse.
4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei Epoxidformmasse auf den gesamten Chip aufgebracht wird, um die metallische Schutzschicht zu bedecken.
5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der akustische Oberflächenwellenfilterchip auf dem Substrat mittels des Flip-Chip-Bonding-Verfahrens befestigt wird.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011016554A1 (de) * 2011-04-08 2012-10-11 Epcos Ag Waferlevel-Package und Verfahren zur Herstellung

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004077898A2 (en) * 2003-02-26 2004-09-10 Wavezero Inc. Methods and devices for connecting and grounding an emi shield to a printed circuit board
US7239023B2 (en) * 2003-09-24 2007-07-03 Tai-Saw Technology Co., Ltd. Package assembly for electronic device
JP4576849B2 (ja) * 2004-03-01 2010-11-10 パナソニック株式会社 集積回路装置
JP4645233B2 (ja) * 2005-03-03 2011-03-09 パナソニック株式会社 弾性表面波装置
JP4712632B2 (ja) * 2006-07-24 2011-06-29 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス及びその製造方法
US8350367B2 (en) 2008-02-05 2013-01-08 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8022511B2 (en) 2008-02-05 2011-09-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8212339B2 (en) * 2008-02-05 2012-07-03 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US7989928B2 (en) * 2008-02-05 2011-08-02 Advanced Semiconductor Engineering Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
JPWO2009113267A1 (ja) * 2008-03-14 2011-07-21 パナソニック株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US8410584B2 (en) 2008-08-08 2013-04-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US20100110656A1 (en) * 2008-10-31 2010-05-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and manufacturing method thereof
FR2940588B1 (fr) * 2008-12-19 2011-01-07 St Microelectronics Grenoble Ensemble multicomposant blinde a montage en surface
JP5442990B2 (ja) * 2008-12-24 2014-03-19 京セラ株式会社 回路装置の製造方法及び電子機器の製造方法
US8110902B2 (en) * 2009-02-19 2012-02-07 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and manufacturing method thereof
US8212340B2 (en) 2009-07-13 2012-07-03 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and manufacturing method thereof
US8030750B2 (en) * 2009-11-19 2011-10-04 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8378466B2 (en) 2009-11-19 2013-02-19 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Wafer-level semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8368185B2 (en) * 2009-11-19 2013-02-05 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8569894B2 (en) 2010-01-13 2013-10-29 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package with single sided substrate design and manufacturing methods thereof
TWI411075B (zh) 2010-03-22 2013-10-01 Advanced Semiconductor Eng 半導體封裝件及其製造方法
TWI540698B (zh) 2010-08-02 2016-07-01 日月光半導體製造股份有限公司 半導體封裝件與其製造方法
US9406658B2 (en) 2010-12-17 2016-08-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Embedded component device and manufacturing methods thereof
US20130075892A1 (en) * 2011-09-27 2013-03-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for Three Dimensional Integrated Circuit Fabrication
US8704341B2 (en) 2012-05-15 2014-04-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor packages with thermal dissipation structures and EMI shielding
US8653634B2 (en) 2012-06-11 2014-02-18 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. EMI-shielded semiconductor devices and methods of making
US9680445B2 (en) * 2014-10-31 2017-06-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Packaged device including cavity package with elastic layer within molding compound
JP6547617B2 (ja) * 2015-12-22 2019-07-24 株式会社村田製作所 電子部品
CN105810666A (zh) * 2016-03-30 2016-07-27 江苏长电科技股份有限公司 一种具有电磁屏蔽功能的封装结构的制作方法
CN111066246B (zh) * 2017-09-14 2023-08-22 京瓷株式会社 弹性波器件及通信装置
CN108022886A (zh) * 2017-11-30 2018-05-11 深圳华远微电科技有限公司 一种倒装芯片式滤波器的封装结构
US11011502B2 (en) * 2018-01-19 2021-05-18 Nepes Co., Ltd. Semiconductor package
WO2021114140A1 (zh) * 2019-12-11 2021-06-17 广东省半导体产业技术研究院 滤波芯片封装方法及封装结构
CN111525907B (zh) * 2020-04-30 2024-05-28 甬矽电子(宁波)股份有限公司 一种声表面波滤波芯片的封装结构及封装方法
CN112349607A (zh) * 2020-11-11 2021-02-09 北京航天微电科技有限公司 空气腔型薄膜滤波器的封装方法和空气腔型薄膜滤波器

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58137235A (ja) * 1982-02-09 1983-08-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体用容器のハ−メチツクシ−ル方法
JPH01143346A (ja) * 1987-11-30 1989-06-05 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2530056B2 (ja) * 1989-09-14 1996-09-04 株式会社東芝 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JPH0722506A (ja) * 1993-07-05 1995-01-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
US5459368A (en) * 1993-08-06 1995-10-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device mounted module
JPH0832399A (ja) * 1994-07-19 1996-02-02 Meidensha Corp 弾性表面波素子及び圧電振動素子
EP0740340B1 (de) * 1995-04-07 2002-06-26 Shinko Electric Industries Co. Ltd. Struktur und Verfahren zur Montage eines Halbleiterchips
JPH10270975A (ja) * 1996-03-08 1998-10-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品とその製造方法
JPH1093383A (ja) * 1996-05-15 1998-04-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波デバイス及びその製造方法
JPH1174755A (ja) * 1997-08-29 1999-03-16 Kyocera Corp 弾性表面波装置
JPH11150440A (ja) * 1997-11-14 1999-06-02 Nec Corp フリップチップ実装型表面弾性波素子の樹脂封止構造
JP3439975B2 (ja) * 1998-01-29 2003-08-25 京セラ株式会社 弾性表面波装置
US5969461A (en) * 1998-04-08 1999-10-19 Cts Corporation Surface acoustic wave device package and method
US6329739B1 (en) * 1998-06-16 2001-12-11 Oki Electric Industry Co., Ltd. Surface-acoustic-wave device package and method for fabricating the same
JP3677409B2 (ja) * 1999-03-05 2005-08-03 京セラ株式会社 弾性表面波装置及びその製造方法
JP3722642B2 (ja) * 1999-04-28 2005-11-30 京セラ株式会社 弾性表面波装置
FR2799883B1 (fr) * 1999-10-15 2003-05-30 Thomson Csf Procede d'encapsulation de composants electroniques
US6914367B2 (en) * 2000-07-06 2005-07-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Surface acoustic wave device and method of manufacturing the device
KR100437490B1 (ko) * 2001-10-18 2004-06-25 주식회사 케이이씨 표면 탄성파 필터용 에어 캐비티 패키지

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011016554A1 (de) * 2011-04-08 2012-10-11 Epcos Ag Waferlevel-Package und Verfahren zur Herstellung
US9647196B2 (en) 2011-04-08 2017-05-09 Snaptrack, Inc. Wafer-level package and method for production thereof
DE102011016554B4 (de) 2011-04-08 2018-11-22 Snaptrack, Inc. Waferlevel-Package und Verfahren zur Herstellung

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