DE3112564A1 - Gekapselte halbleiteranordnung - Google Patents

Gekapselte halbleiteranordnung

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DE3112564A1
DE3112564A1 DE19813112564 DE3112564A DE3112564A1 DE 3112564 A1 DE3112564 A1 DE 3112564A1 DE 19813112564 DE19813112564 DE 19813112564 DE 3112564 A DE3112564 A DE 3112564A DE 3112564 A1 DE3112564 A1 DE 3112564A1
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glass
organic
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Kazumichi Kodaira Mitsusada
Katsumi Nishitama Tokyo Ogiue
Kanji Higashiyamato Otsuka
Kunizou Kodaira Sahara
Masao Kunitachi Sekibata
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VLSI Technology Research Association
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Description

VLSI Technology Research Association Takatsu-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa-ken, Japan
Gekapselte Halbleiteranordnung
Die Erfindung bezieht sich auf eine gekapselte Halbleiteranordnung, in der ein Halbleiterplättchen mjt Halbleiterbauelementen, wie z. B. solchen mit Speicherfunktion, hermetisch eingekapselt ist.
Üblicherweise wird ein Halbleiterplättchen in einer Einkapselung aus einem keramischen Material, Glas oder Kunststoff (Kunstharz) dicht eingeschlossen.
Es istvbegannt, daß, wenn ein Halbleiterplättchen mit einem Speicherkreis, wie z. B. einem CCD(Ladungskopplungsanordnung)-Speicherkreis, einem dynamischen Ein-MOS-Speicherkreis oder einem statischen Speicherkreis, in einer solchen Einkapselung dicht eingeschlossen wird, eine Punktionsstörung des Speicher-
kreises wegen ungünstiger Einflüsse der Einkapselung auftritt. Insbesondere gibt die Einkapselung Alpha (^)-Teilchen oder Alpha (oC)-Strahlen ab, die eine Funktionsstörung des Speicherkreises verursachen.
Es wurde in der DE-OS 2 946 801 (entsprechend der JP-PA 1*2 575/78) beschrieben, die Oberfläche des in einer Einkapselung dicht einzuschließenden HaIbleiterplättchenSmit einer Schicht aus einem organischen Material, das weniger r;O -Teilchen abgibt, wie z. B. aus einem Polyimidkunstharz, zu überziehen, um die Funktionsstörung des Speicherkreises aufgrund der . oC -Teilchen zu vermeiden.
Die Erfinder stellten fest, daß die in der vorstehend beschriebenen Weise behandelte, eingekapselte Halbleiteranordnung noch die folgenden Nachteile aufweist.
Die Schicht aus organischem Material zersetzt sich unter Freigabe von Feuchtigkeit und/oder Gas, wie z. B. CO2-GaS, bei einer Temperatur, die beim Einkapseln des Halbleiterplättchens auftritt. Die Feuchtigkeit erodiert insbesondere eine mit niedrigem Aufwand auf dem Halbleiterplättchen gebildete Aluminiummetallisierschicht niedrigen Widerstandes. Die organische Polyimidschicht kann Temperaturen bis zu angenähert j58O 0C aushalten. Demgemäß wird, wenn das Halbleiterplättchen bei einer Temperatur über 380 °C eingekapselt wird, die Schicht aus organischem Material zersetzt, sobaß das oben erläuterte Problem auftritt.
Um das Halbleiterplättchen bei einer Einkapselungstemperatur unter 38O C einzukapseln, kann eine Abdichtung mit einem Lotmaterial aus einer eutektisehen Au-Sn-Legierung oder eine Nahtschweißung verwendet werden. Jedoch müssen, wenn ein solches Abdichtungsverfahren angewandt werdensoll, die Abdichtungsteile der Einkapselung ein metallisches Material aufweisen. Insbesondere wird eine laminierte keramische Einkapselung benötigt, um solche keramischewEinkapselungsteite aufzuweisen, die ein mit ihren Verbindungs- oder Abdichtungsflächen verbundenes oder daran haftendes metallisches Material haben. Außerdem wurde festgestellt, daß bei einer solchen laminierten keramischen Einkapselung (l) die Kosten des Einkapselungsmaterials um eine Größenordnung höher als die eines anderen Einkapselungsmaterials sind und (2) die Arbeitskosten zur Montage des Halbleiterplättchens in der Einkapselung hoch sind.
Als Möglichkeit einer Verringerung der Einkapselungskosten kann die Verwendung einer Einkapselung in Betracht gezogen werden, die mit einem Glas niedrigen Schmelzpunktes (mit wenigstens 60 Gew. ^ PbO) abgedichtet wird. Bei diesem Verfahren kann ein im Vergleich mit der bei der laminierten keramischen Einkapselung verwendeten Au-Sn-Legierung billigeres Glas verwendet werden, und es ist keine Metallisierung des Abdichtungsteils der Einkapselung erforderlich. Daher können die Kosten wesentlich gesenkt werden. Jedoch schmilzt das Glas bei einer Temperatur von angenähert 400-450 °C. Die Abdichtungstemperatur müßte
daher etwa 4lO-46o 0C sein. Als Ergebnis kann dieses Verfahren trotz des Vorteils der Kostenverminderung die Funktion der Anordnung durch die Erosion der Aluminiumraetallisierung infolge der Zersetzung des Überzugs aus dem organischen Material auf dem HaIbleiterplättchen gemäß obiger Erläuterung verschlechtern.
Die Erfinder stellten außerdem fest, daß die Verwendung eines Glases niedrigen Schmelzpunktes zum Abdichten oder Verbinden der Einkapselungsteile, wobei eine solch hohe wie die vorstehend erwähnte Abdichtungstemperatur benötigt wird, einen erheblichen Anstieg des Gasdrucks innerhalb der Einkapselung aufgrund der durch die Schicht aus organischem Material auf dem Halbleiterplättchen erzeugten, oben erwähnten Gase verursacht und daß das Glas niedrigen Schmelzpunktes dazu neigt, durch den Gasdruckanstieg verformt zu werden, wodurch die mechanische Festigkeit der Abdichtung verringert wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine gekapselte Halbleiteranordnung zu entwickeln, in der ein Halbleiterplättchen mit einem Speicherkreis derart einkapselbar ist, daß Funktionsstörungen durch 0^- -Teilchen und =6 -Strahlen und Korrosionsschäden durch einen organischen Überzug mit mögliehst geringem Aufwand vermieden werden.
Gegenstand der Erfindung, womit diese Aufgabe gelöst wird, ist eine gekapselte Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterplättchen, einem auf wenigstens einem Teil der Oberfläche des Halbleiterplättchens
gebildeten Überzug aus organischem Material und einer das Halbleiterplättchen mit dem Überzug aus organischem Material enthaltenden Einkapselung aus einem Unter-• teil und einem Haubenteil, die mittels einer Zwischenschicht hermetisch miteinander verbunden sind, mit demjCennzeionen, daß die den Unterteil und den Haubenteil verbindende Zwischenschicht aus einem Glasmaterial niedrigen Schmelzpunktes besteht und daß ein Gettermaterial in der Einkapselung angebracht ist.
Zweckmäßig ist das Halbleiterplättchen auf der Oberfläche des Unterteils in der Einkapselung angebracht, und das Gettermaterial kann auf wenigstens einem Teil der Oberfläche des Haubenteils in der Einkapselung abgeschieden sein.
Eine andere Möglichkeit besteht darin, daß das Gettermaterial wenigstens auf dem Überzug aus organischem Material ausgebildet ist.
Vorzugsweise enthält das Gettermaterial wenigstens ein aus der aus einem Aluminiumoxidgel, einem Aluminiumsilikatgel, einem Kieselsäuregel und einem silikatreichen Glas bestehenden Gruppe gewähltes Material.
Der Überzug aus organischem Material besteht vorteilhaft aus'einem organischen Polyimidmaterial.
Der Unterteil und der Haubenteil können aus einem Epoxyharz bestehen, und das Glasmaterial nMrigen
Schmelzpunktes der Zwischenschicht ist vorzugsweise ein PbO-B2O^.-Glas.
Der Unterteil und der Haubenteil der Einkapselung können auch aus einem keramischen Material bestehen.
Dabei kann der Unterteil zwei laminierte keramische Schichten aufweisen.
Anderersejts können der Unterteil und der Haubenteil der Einkapselung auch aus einem Glas bestehen.
Zweckmäßig enthält das Gettermaterial ein Material in der Form von Granalien oder Pulver, wobei die Granalien- oder Pulverteilchen offene Hohlräume im wesentlichen so geringer Abmessungen wie des Moleküldurehmessers von HpO, C0_, Op oder N enthalten.
Die Dicke des Überzugs aus organischem Material beträgt vorzugsweise wenigstens 10/um.
Die Erfindung wird anhand der in der Zeichnung veranschaulichten Ausführungsbelspiele näher erläutert; darin zeigen:
Fig. 1 eine Schnittansicht einer .gekapselten
Halbleiteranordnung nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 2 einen Zusammenbauschritt für die Anordnung nach Fig. 1 in Perspektivdarstellung;
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3112554
- io-
Fig. 3 ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung zwischen der von einem organischen Material abgegebenen Gasmenge und der Temperatur;
Fig. 4 und 8 Schnittansichten von Agekapselten Halbleiteranordnungen nach weiteren Ausführungsbeispieleri der Erfindung;
Fig. 5 und 6 Teilschnittansichten von zu ..kapselnden Halbleiterplättchen abgewandelten Aufbaus; und
Fig. 7 eine Aufsicht eines anderen zu kapselnden Halbleiterplättchens.
Fig. 1 ist eine Schnittansicht einas Ausführungsbeispiels der gekapselten Halbleiteranordnung gemäß der Erfindung, und man erkennt ein Halbleiterplättchen 1, das einen CCD-Speicherkreis, einen dynamischen Ein-MOS-Speicherkreis oder einen statischen Speicherkreis enthält. Insbesondere kann es ein Halbleiterplättchen mit einem dynamischen 64 K-bit-Ein-MOS-RAM (Speicher mit wahlfreiem Zugriff) sein. Das Halbleiterplättchen 1 ist an der Innenoberfläche eines Unterteils 2 einer keramischen Einkapselung (mit wenigstens 90 Gew. % AIpO ) Befestigt. Ein Haubenteil 3 der keramischen Einkapselung ist mit dem Unterteil 2 mittels einer PbO-BpO -Glaszwischenschicht (mit wenigstens 60 Gew. % PbO) niedrigen Schmelzpunktes zur hermetischen Abdichtung des Halbleiterplättchens 1 in der Einkapselung fest verbunden. Man erkennt weiter einen Überzug 5 aus einem organischen Polyimidmaterial, das nur eine geringe Menge von c^ -Teilchen abgibt, z. B. -einen Poljimidharzüberzug oder einen Polyimid-Isoindol-Chinazolindion-Kunststoffüberzug. Die Dicke des Überzugs 5 aus dem
- ii -
organischen Material sollte 10 /um oder mehr betragen. Er muß dick genug Bein, um zu verhindern, daß die vom Haubenteil 2 abgegebenen -^-Teilchen die Oberfläche des Halbleiterplättchens 1 (aus z. B. Si) erreichen. Eine bevorzugte Dicke des Überzugs 5 aus dem organischen Material nach dem Abdichten ist 60-100 /Um. Man erkennt weiter ein Gettermaterial 6, das auf der Oberfläche des Haubenteils J> in der Einkapselung abgeschieden ist, um die Erosion der Aluminiummetallisierungsschicht und/oder den Anstieg des Gasdrucks innerhalb der Einkapselung zu verhindern. Es kann ein Sinterprodukt aus Aluminiumoxidgel (z. B. Sikkativ "PD-08"), Aluminiumsilikatgel, Kieselsäuregel oder "Vycor"-Glas, das ein silikatreiches Glas ist, sein. Das Gettermaterial ist in der Form von Granalien, Körnern oder Pulver und besteht aus Teilchen, die Poren oder offene Hohlräume einer Abmessung aufweisen, die einem MoIeWi!durchmesser von HpO, CO2, Op oder Np nahe ist. Um HpO zu adsorbieren, das in diesem Fall besonders schädlich ist, wird vorzugsweise das vorstehend erwähnte Gettermaterial gewählt. Kalziumoxid kann als Gettermaterial zur Adsorption von COp und H„0 verwendet werden. Weiter kann Phosphorsäureanhydrid als ein H O-Gettermaterial verwendet werden.
Man erkannt außerdem Anschlußleiter 7, die in der Einkapselung zunächst in der Form eines Anschlußleiterrahmens verbunden und zwischen den Verbindungs- oder Abdichtungstellen des Haubenteils
zwischenschicht
und des Unterteils von der Glas/4 niedrigen Schmelzpunktes umgeben sind, wobei sich deren ersten Enden in die Einkapselung erstrecken und sich deren . zweiten Enden nach außerhalb der Einkapselung erstrecken. Der Anschlußleiterrahmen wird nach der dichten Einbettung an seinem Ende, wo die äußeren Enden der Anschlußleiter untereinander, verbunden waren, aufgeschnitten, um getrennte Anschlußleiter zu bilden. Drähte 8 aus Gold od. dgl. sind fest angebracht, um die Elektroden der auf dem Halbleiterplättchen 1 gebildeten Halbleiterbauelemente und die Anschlußleiter 7 zu verbinden. Die vorstehend angedeuteten Halbleiterbauelemente sind in der durch die Perspektivdarstellung in Fig. 2 veranschaulichten Weise ausgebildet.
Gemäß Fig. 2.haften die Anschlußleiter 7 durch die
schicht K
Glaszwischen! / niedrigen Schmelzpunktes fest am
Unterteil 2. Nach der Montage des Halbleiterplättchens 1 auf dem Unterteil 2 erfolgt die feste Anbringung der Drähte 8 zur elektrischen Verbindung der Anschlußleiter 7 mit dem Halbleiterplättchen 1, und dann wird der Überzug 5 aus dem organischen Material auf dem Halbleiterplättchen 1 ausgebildet. Dann wird der Haubenteil J5 mit dem darauf angebrachten Gettermaterial 6 und mit dem auf seiner Verbindungsfläche angebrachten Glas niedrigen Schmelzpunktes zum Unterteil 2 unter gegenseitigem Kontakt der Verbindungsflächen der Teile 2 und 5 ausgerichtet.
311256 A
Durch Erhitzen der so erhaltenen Baueinheit zwecks Schmelzens des Glases niedrigen Schmelzpunktes werden der Haubenteil 3 und der Unterteil 2 hermetisch untereinander zur Bildung der z. B. in Fig. 1 gezeigten gekapselten Halbleiteranordnung verbunden.
Gemäß dem Aufbau des abgestellten Ausführungsbeispiels wird der Anschlußleiterrahmen durch den oberen Haubenteil und den Unterteil der Einkapselung, d. h. den keramischen Unterteil und den keramischen Haubenteil eingefaßt und durch das Glas niedrigen Schmelzpunktes abgedichtet. So läßt sich, da weder das Lotmaterial aus der eutektischen Au-Sn-Legierung noch die laminierte Keramikplatte verwendet werden, die Anordnung mit sehr geringem Aufwand zusammenbauen.
Weiter werden trotz der Anwesenheit des Überzugs aus dem organischen Material auf dem Halbleiterplättchen 1 die Aluminiumanschlußsockel oder -metallisierungsschicht am Halbleiterplättchen bei der Temperatur der Glasschmelzdichtung nicht erodiert. Das zur hermetischen Abdichtung der Einkapselung verwendete Glas niedrigen Schmelzpunktes hat eine Abdichtungstemperatur von wenigstens 410 0C. Ein Glas niedrigen Schmelzpunktes, das bei etwa 450 0C schmilzt, wird bevorzugt. Um das Glas niedrigen Schmelzpunktes zur Durchführung des Abdichtungsvorganges aufzuschmelzen, ist sine Erhitzung von etwa 10 min auf etwa ^10-^60 0C erforderlich. Bei diesem Verfahrensschritt zersetzt sich der Überzug aus dem organischen Material, der auf dem Halbleiter-
plättchen 1 ausgebildet ist, um eine Sperre gegen die vom Haubenteil 3 abgegebenen oC-Teilchen zu bilden, und gibt Gas ab. Ein Versuch der Erfinder zeigte, daß im Fall des Polyimid-Isoindol-Chinazo-
es
lindion-Harz, das einer der oben erwähnten organischen Überzugsmaterialien ist, die Menge des erzeugten Gases, wie z. B. HgO oder CO3, bei 400 0C oder darüber scharf ansteigt, wie Fig. 3 zeigt. Die Erfinder stellten fest, daß der HpO-Gehalt des Gases die Metallisierungsschicht erodiert, was seinerseits die Funktion der Halbleiteranordnung verschlechtert. Das Gettermaterial dient zum "Gettern" nicht nur des von dem Überzug aus organischem Material abgegebenen HpO und CO2, sondern auch des im Raum innerhalb der Einkapselung vorhandenen O2 und Np, so daß ein Anstieg des Gasdrucks innerhalb der Einkapselung vermieden werden kann. Diese Tatsache führt zur wirksamen Vermeidung der Verringerung der mechanischen Festigkeit der Abdichtung der Einkapselung.
Erfindungsgemäß wird durch die Anwesenheit des Gettermaterials in der Einkapselung die im Raum der Einkapselung auftretende Menge von Wasserdampf (HpO) im Vergleich mit dem Fall, wo "kein .Gettermaterial verwendet wird, erheblieh gesenkt. Bei Abwesenheit des Gettermaterials ist die im Raum der Einkapselung bleibende Wasserdampfmenge angenähert 3ΟΟΟ-8ΟΟΟ ppm. Wenn das Gettermaterial (z. B. Sikkativ nPD-08", das l8 Gew. % Wasserdampf adsorbiert) wie im vorstend beschriebenen Ausfürungs-
beispiel anwesend ist, sinkt die Wasserdampfmenge in der Einkapselung auf angenähert 500 ppm oder weniger. Dies bedeutet, daß eine hochverläßliche Halbleiteranordnung, die die US-"MIL-Vorschrift (nicht mehr als 5OO ppm) erfüllt, erhalten wird.
Die Erfindung ist auf das vorstehend beschriebene Ausführungsbeispiel nicht beschränkt, sondern verlangt grundsätzlich, daß die Einkapselung mit einem Glas niedrigen Schmelzpunktes hermetisch abgedichtet wird, der Überzug aus dem organischen Material auf wenigstens einem Teil der Oberfläche des Halbleiterplättchens ausgebildet wird, um ungünstige Einflüsse der von der isolierenden Einkapselung abgegebenen oC -Teilchen auf die Bauelemente des Halbleiterplättchens zu vermeiden, und das Gettermaterial innerhalb der Einkapselung angebracht 1st.
Soweit die obigen Anforderungen erfüllt werden, sind die folgenden Abänderungen möglich.
Wie in Fig. 4 gezeigt ist, kann die gekapselte Halbleiteranordnung einen Unterteil 42 aus einer laminierten Keramikplatte aufweisen, die z. B. zwei Keramikplatten und dazwischen geschichtete Metallisierungssehichten enthält. Man erkennt in Fig. 4 ein Halbleiterplättchen 1 mit z. B. einem Speicherkreis, dessen Oberfläche wie im Fall des vorigen Ausführungsbeispiels mit einem Überzug 5 aus organischem Material bedeckt ist. Das Halbleiterplättchen 1 wird vom Unterteil 42 der laminierten Keramikplatte getragen. Man erkennt außerdem einen
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Haubenteil 3 aus keramischem Material, der auf. der , Oberseite des Unterteils 42 mittels einer Glaszwischeuniedrigen Schmelzpunktes befestigt ist, um das schicht Halbleiterplättchen 1 in der Einkapselung hermetisch einzuschließen. Ein Gettermaterial 6 ist auf einem Teil der Innenoberfläche des Haubenteils j5 wie im Fall des vorigen Ausführungsbeispiels angebracht. Man erkennt außerdem die Metallisierungsschichten aus z. B. Mo, deren Oberflächenteile 9', mit denen Drähte 8 und Anschlußleiter 7 verbunden werden, mit einer Au-Auflage versehen sind.
Der Haubenteil 3 und der Unterteil 2 in der in Fig. 1 dargestellten gekapselten Halbleiteranordnung können aus einem Epoxyharz oder einem Glas mit einem höheren Schmelzpunkt als dem des Glases niedrigen Schmelzpunktes bestehen.
In der in Fig. 1 und 4 dargestellten gekapselten Halbleiteranordnung wird der Überzug 5 aus dem organischen Material auf dem Halbleiterplättchen 1 nach der Drahtverbindung ausgebildet. Alternativ kann er vor der Drahtverbindung ausgebildet werden, wie in den Fig.5 oder 6 gezeigt ist. In den Fig. 5 und 6 erkennt man einen in einem Substrat 51 gebildeten Halbleiterbereich 60 mit einem entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp wie dem des Substrats 51, der einen Teil des Speicherkreises bildet, eine Oxidschicht 6l (61'), wie z. B. eine SiO^Schicht, die die Oberfläche des Substrats 51 mit Ausnahme des Bereichs 60 bedeckt, eine auf der Schicht 6l gebildete Phosphorsilikatglassehicht 62 (Fig. 5),
eine Aluminiummetallisierungsschicht 63 (6j5!) zur elektrischen Verbindung mit dem Bereich 60 und einen Aluminiumanschlußsockel 64 (64') in elektrischem Kontakt mit der Metallisierungsschicht 63 (63'). Weiter ist ein Überzug 55 (55') aus organischem Material vorgesehen. Der Überzug 55 (55') aus dem organischen Material kann auch auf nur einem Teil der Anordnung, der von den cO-Teilchen beeinträchtigt wird, z, B. nur auf aktiven Bereichen 15 eines Halbleiterplättchens 1 ausgebildet werden, wie in Fig. 7 gezeigt ist.
Außerdem kann, wie Fig. 8 zeigt, das Gettermaterial 6 so abgeschieden sein, daß es das Halbleiterplättchen bedeckt, das vorher mit dem überzug 5 aus dem organischen Material versehen wurde.
Es versteht sich, daß die gekapselte Halbleiteranordnung mit irgendeiner Kombination der Lage und der Art des Gettermaterials, des Materials der Einkapselung, des Materials der Zwischenschicht zum hermetischen Abdichten der Einkapselung und der Lage und des Materials des Überzugs aus dem organischen Material zum Verhindern der Beeinträchtigung durch die c6 -Teilchen ( oC -Strahlen), wie sie im Zusammenhang mit den Ausführungsbeispielen der Erfindung beschrieben wurden, die wesentlichen Merkmale der Erfindung verkörpert.
it
Leerseite

Claims (11)

  1. Ansprüche
    I Gekapselte Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterplättchen, einem auf wenigstens einem Teil der Oberfläche des Halbleiterpl&ttchens gebildeten Überzug aus organischem Material und einer das Halbleiterplättehen mit dem Überzug aus organischem Material enthaltenden Einkapselung aus einem Unterteil und einem Haubenteil, die mittels einer Zwischenschicht hermetisch miteinander verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß die den Unterteil (2; 42) und den Haubenteil (3) verbindende Zwischenschicht (4) aus einem Glasmaterial niedrigen Schmelzpunktes besteht und
    daß ein Gettermaterial (6) in der Einkapselung (2, 3; 42, 3) angebracht ist.
  2. 2. Anordnung nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß das Halbleiterplättchen (l) auf der Oberfläche des Unterteils (2; 42) in der Einkapselung (2, 3; 42, 3) angebracht ist und das Gettermaterial (6) auf wenigstens einem Teil der Oberfläche des Haubenteils (3) in der Einkapselung (2, 3; 42, 3) abgeschieden ist.
  3. 3. Anordnung nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß das Gettermaterial (6) wenigstens auf dem Überzug (5) ausjorganlsehem Material ausgebildet ist.
    81-Ca 5243-02)-TP
  4. 4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Gettermaterial (6) wenigstens ein aus der aus einem Aluminiumoxidgel, einem Aluminiumsilikatgel, einem Kieselsäuregel und einem •silikatreichen Glas bestehenden Gruppe gewähltes Material enthält.
  5. 5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Überzug (5; 55; 55') aus organischem Material aus einem organischen Polyimidmaterial besteht.
  6. 6. Anordnung nach den Ansprüchen 4 und 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Unterteil (2) und der Haubenteil (3) aus einem Epoxyharz bestehen und das Glasmaterial niedrigen Schmelzpunktes der Zwischenschicht (4) ein PbO-BpO,-Glas ist.
  7. 7. Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Unterteil (2; 42) und der Haubenteil (3) der Einkapselung (2, 3; .4j2, 3) aus einem keramischen Material bestehen.
  8. 8. Anordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Unterteil (^2) zwei laminierte keramische Schichten (42) aufweist.
    Q
    12564
  9. 9. Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Unterteil (2) und der Haubenteil (3) der Einkapselung (2, 3) aus einem Glas bestehen.
  10. 10. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Gettermaterial (6) ein Material in der Form von Granalien oder Pulver enthält, wobei die Granalienoder Pulverteilchen offene Hohlräume im wesentlichen so geringer Abmessungen wie des MolekUldurchmessers von HO, CCg, 0 oder Np enthalten.
  11. 11. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des Überzugs (5s 55; 55') aus organischem Material wenigstens 10 /um beträgt.
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