JPH08213874A - 表面弾性波装置及びその製造方法 - Google Patents
表面弾性波装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH08213874A JPH08213874A JP7016852A JP1685295A JPH08213874A JP H08213874 A JPH08213874 A JP H08213874A JP 7016852 A JP7016852 A JP 7016852A JP 1685295 A JP1685295 A JP 1685295A JP H08213874 A JPH08213874 A JP H08213874A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- electrode
- surface acoustic
- cover substrate
- anodic bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子機器に用いられる表面弾性波装置におい
て、小型で製造コストが安く、電気的特性を安定化する
ことを目的とする。 【構成】 表面にインターディジタルトランスデューサ
電極３と取り出し電極４と陽極接合部５とを有する表面
弾性波素子１と、取り出し電極４と一致する位置に形設
した貫通孔９に設けた外部電極１０を有するカバー基板
６を備え、取り出し電極４と外部電極１０を接続し、か
つカバー基板６と陽極接合部５とを接合して封止した。
て、小型で製造コストが安く、電気的特性を安定化する
ことを目的とする。 【構成】 表面にインターディジタルトランスデューサ
電極３と取り出し電極４と陽極接合部５とを有する表面
弾性波素子１と、取り出し電極４と一致する位置に形設
した貫通孔９に設けた外部電極１０を有するカバー基板
６を備え、取り出し電極４と外部電極１０を接続し、か
つカバー基板６と陽極接合部５とを接合して封止した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、テレビ、ＶＴＲや携帯
電話等の移動体通信機器に用いられる表面弾性波装置及
びその製造方法に関する。
電話等の移動体通信機器に用いられる表面弾性波装置及
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下に従来の表面弾性波装置について説
明する。
明する。
【０００３】図９に示すように、表面弾性波素子２０
は、一般に圧電体の単結晶基板２１上に表面波を励振・
受信する機能を有したインターディジタルトランスデュ
ーサ（以下、ＩＤＴという）電極２２とＩＤＴ電極２２
に通電するための取り出し電極２３を有し、ステム２４
のアース電極２５上にダイボンド樹脂２６により装着、
固定されている。取り出し電極２３と端子電極２７と
は、接続用のＡｌワイヤ２８でワイヤボンド方式により
電気的に接続されている。なお、Ａｌワイヤ２８に代え
て、Ａｕワイヤを用いることもある。端子電極２７は端
子２９に接続されており、外部回路と接続できる構成で
ある。
は、一般に圧電体の単結晶基板２１上に表面波を励振・
受信する機能を有したインターディジタルトランスデュ
ーサ（以下、ＩＤＴという）電極２２とＩＤＴ電極２２
に通電するための取り出し電極２３を有し、ステム２４
のアース電極２５上にダイボンド樹脂２６により装着、
固定されている。取り出し電極２３と端子電極２７と
は、接続用のＡｌワイヤ２８でワイヤボンド方式により
電気的に接続されている。なお、Ａｌワイヤ２８に代え
て、Ａｕワイヤを用いることもある。端子電極２７は端
子２９に接続されており、外部回路と接続できる構成で
ある。
【０００４】表面弾性波装置は、表面波の伝搬特性を利
用しているので、表面を保護膜で被覆することができ
ず、ＩＤＴ電極２２の表面に空間を有する構成としてい
る。すなわち、表面弾性波素子２０とＡｌワイヤ２８に
接触せず、かつ、外部と気密を保つ構成としたキャップ
３０をかぶせて、その周辺部をシーム溶接してシーム溶
接部３１を形成して、封止した構成である。
用しているので、表面を保護膜で被覆することができ
ず、ＩＤＴ電極２２の表面に空間を有する構成としてい
る。すなわち、表面弾性波素子２０とＡｌワイヤ２８に
接触せず、かつ、外部と気密を保つ構成としたキャップ
３０をかぶせて、その周辺部をシーム溶接してシーム溶
接部３１を形成して、封止した構成である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、シーム溶接による封止により信頼性は高
いが、一括して溶接することができないので、工数がか
かり製造コストが高くなるという問題点、また、表面弾
性波装置をプリント基板に実装するときの加熱により、
ダイボンド樹脂２６からガスが放出されて周波数特性を
変化させるという問題点、さらに、高周波帯域で使用す
るときには、Ａｌワイヤ２８がインダクタとして作用し
て、Ａｌワイヤ２８の張り方によってインダクタンスが
変化するので、周波数特性が不安定であるという問題点
を有していた。
来の構成では、シーム溶接による封止により信頼性は高
いが、一括して溶接することができないので、工数がか
かり製造コストが高くなるという問題点、また、表面弾
性波装置をプリント基板に実装するときの加熱により、
ダイボンド樹脂２６からガスが放出されて周波数特性を
変化させるという問題点、さらに、高周波帯域で使用す
るときには、Ａｌワイヤ２８がインダクタとして作用し
て、Ａｌワイヤ２８の張り方によってインダクタンスが
変化するので、周波数特性が不安定であるという問題点
を有していた。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、製造コストが安く、周波数特性が変化せず、安定し
た特性の表面弾性波装置及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
で、製造コストが安く、周波数特性が変化せず、安定し
た特性の表面弾性波装置及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の表面弾性波装置は、表面に表面弾性波を励振
・受信するＩＤＴ電極と取り出し電極と陽極接合部とを
有する表面弾性波素子と、表面弾性波素子の取り出し電
極と一致する位置に形設した貫通孔に設けた外部電極を
有するガラス板製のカバー基板を備え、取り出し電極と
外部電極を電気的に接続し、かつガラス基板と陽極接合
部とを接合してＩＤＴ電極を封止した構成としたもので
ある。
に本発明の表面弾性波装置は、表面に表面弾性波を励振
・受信するＩＤＴ電極と取り出し電極と陽極接合部とを
有する表面弾性波素子と、表面弾性波素子の取り出し電
極と一致する位置に形設した貫通孔に設けた外部電極を
有するガラス板製のカバー基板を備え、取り出し電極と
外部電極を電気的に接続し、かつガラス基板と陽極接合
部とを接合してＩＤＴ電極を封止した構成としたもので
ある。
【０００８】また、その製造方法は、表面に表面弾性波
を励振・受信するＩＤＴ電極と取り出し電極とその周囲
全体に配設したアルミニウムを主成分とする膜よりなる
陽極接合部を有する表面弾性波素子を多数配置し、か
つ、陽極接合部がすべて接続されて表面弾性波素子が形
成されていない領域に引き出されて設けた陽極接合端子
を有する素子形成基板を作成する工程と、表面弾性波素
子のそれぞれの取り出し電極と一致する位置に形設した
多数の貫通孔を有するカバー基板形成ガラス板を作成す
る工程と、素子形成基板の取り出し電極とカバー基板形
成ガラス板の貫通孔とを位置合わせして密着させた後、
カバー基板形成ガラス板と陽極接合部との間に電圧を印
加するとともに全体を加熱して表面弾性波素子の陽極接
合部を一括してカバー基板形成ガラス板に接合する工程
と、ついで接合された素子形成基板とカバー基板形成ガ
ラス板を真空装置中でのスパッタリングにより、カバー
基板形成ガラス板の貫通孔とその周辺部に外部電極を形
成する工程と、ついで外部電極に外部回路と接続する印
刷電極を形成する工程と、ついで陽極接合部のほぼ中心
部を切断する工程とを有するものである。
を励振・受信するＩＤＴ電極と取り出し電極とその周囲
全体に配設したアルミニウムを主成分とする膜よりなる
陽極接合部を有する表面弾性波素子を多数配置し、か
つ、陽極接合部がすべて接続されて表面弾性波素子が形
成されていない領域に引き出されて設けた陽極接合端子
を有する素子形成基板を作成する工程と、表面弾性波素
子のそれぞれの取り出し電極と一致する位置に形設した
多数の貫通孔を有するカバー基板形成ガラス板を作成す
る工程と、素子形成基板の取り出し電極とカバー基板形
成ガラス板の貫通孔とを位置合わせして密着させた後、
カバー基板形成ガラス板と陽極接合部との間に電圧を印
加するとともに全体を加熱して表面弾性波素子の陽極接
合部を一括してカバー基板形成ガラス板に接合する工程
と、ついで接合された素子形成基板とカバー基板形成ガ
ラス板を真空装置中でのスパッタリングにより、カバー
基板形成ガラス板の貫通孔とその周辺部に外部電極を形
成する工程と、ついで外部電極に外部回路と接続する印
刷電極を形成する工程と、ついで陽極接合部のほぼ中心
部を切断する工程とを有するものである。
【０００９】
【作用】この構成において、表面弾性波素子と外部への
リードとを接続するリード線や表面弾性波素子を固定す
るダイボンド樹脂を用いないので、大きさを小さくで
き、かつリード線によるインダクタンスの発生やダイボ
ンド樹脂からのガスの放出がなくて、周波数変動が生じ
ず、電気的特性が安定することとなる。
リードとを接続するリード線や表面弾性波素子を固定す
るダイボンド樹脂を用いないので、大きさを小さくで
き、かつリード線によるインダクタンスの発生やダイボ
ンド樹脂からのガスの放出がなくて、周波数変動が生じ
ず、電気的特性が安定することとなる。
【００１０】また、この方法において、表面弾性波素子
を多数形成した素子形成基板上にガラス製のカバー基板
を一括で陽極接合により形成でき、かつ表面弾性波素子
の取り出し電極と一致する位置に設けた貫通孔に外部電
極を形成することで外部への電極の取り出しと封止も一
括で行うこととなる。
を多数形成した素子形成基板上にガラス製のカバー基板
を一括で陽極接合により形成でき、かつ表面弾性波素子
の取り出し電極と一致する位置に設けた貫通孔に外部電
極を形成することで外部への電極の取り出しと封止も一
括で行うこととなる。
【００１１】
（実施例１）以下本発明の一実施例について説明する。
【００１２】図１に示すように、表面弾性波素子１は、
圧電体の単結晶基板２上にＩＤＴ電極３と取り出し電極
４及びこれらを取り囲むように配設した陽極接合部５と
で構成し、絶縁性のカバー基板６は、ガラス板７に空隙
部８と貫通孔９を形成し、貫通孔９とその周辺部に設け
た外部電極１０と、外部電極１０に添設した印刷電極１
１とで構成し、表面弾性波素子１の取り出し電極４をカ
バー基板６の外部電極１０と接合し、かつ、陽極接合部
５をカバー基板６に接合してＩＤＴ電極３を封止した構
成としている。
圧電体の単結晶基板２上にＩＤＴ電極３と取り出し電極
４及びこれらを取り囲むように配設した陽極接合部５と
で構成し、絶縁性のカバー基板６は、ガラス板７に空隙
部８と貫通孔９を形成し、貫通孔９とその周辺部に設け
た外部電極１０と、外部電極１０に添設した印刷電極１
１とで構成し、表面弾性波素子１の取り出し電極４をカ
バー基板６の外部電極１０と接合し、かつ、陽極接合部
５をカバー基板６に接合してＩＤＴ電極３を封止した構
成としている。
【００１３】本実施例では、単結晶基板２として水晶を
用い、各電極は、アルミニウムを材料として膜厚を５０
０ｎｍで形成し、ガラス板７としては、水晶の熱膨張係
数に近いソーダガラスを用いた。
用い、各電極は、アルミニウムを材料として膜厚を５０
０ｎｍで形成し、ガラス板７としては、水晶の熱膨張係
数に近いソーダガラスを用いた。
【００１４】上述の表面弾性波装置の製造方法につい
て、以下に説明する。まず、図２に示すように、素子形
成基板１２に、その多数の単結晶基板２上にＩＤＴ電極
３と取り出し電極４とその周辺部に配設した陽極接合部
５を有する表面弾性波素子１を多数形成する。陽極接合
部５は表面弾性波素子１の周辺部に形成されるととも
に、それぞれがすべて共通に接続された陽極接合端子１
３と接続されている。陽極接合端子１３は、本実施例で
は２個設けているが個数は特に制約されるものではな
い。
て、以下に説明する。まず、図２に示すように、素子形
成基板１２に、その多数の単結晶基板２上にＩＤＴ電極
３と取り出し電極４とその周辺部に配設した陽極接合部
５を有する表面弾性波素子１を多数形成する。陽極接合
部５は表面弾性波素子１の周辺部に形成されるととも
に、それぞれがすべて共通に接続された陽極接合端子１
３と接続されている。陽極接合端子１３は、本実施例で
は２個設けているが個数は特に制約されるものではな
い。
【００１５】また、図３に示すように、カバー基板形成
ガラス板１４に、個々の表面弾性波素子１に相当する位
置に多数の空隙部８と貫通孔９を形設する。
ガラス板１４に、個々の表面弾性波素子１に相当する位
置に多数の空隙部８と貫通孔９を形設する。
【００１６】ついで、図４及び図５に示すように、素子
形成基板１２の表面弾性波素子１の取り出し電極４とカ
バー基板形成ガラス板１４の貫通孔９とがそれぞれ一致
するように位置合わせして、素子形成基板１２とカバー
基板形成ガラス板１４を密着させた後、素子形成基板１
２の陽極接合端子１３とカバー基板形成ガラス板１４と
の間に５００Ｖの電圧を印加するとともに全体を３５０
℃に加熱して両者を陽極接合する。カバー基板形成ガラ
ス板１４の上に接触させる電極は、特に位置には制約は
なく、陽極接合部５は、素子形成基板１２の全面に渡っ
て陽極接合端子１３と接続されているので、すべての表
面弾性波素子１を数分でカバー基板形成ガラス板１４に
接合することができる。この後、真空装置中でのスパッ
タリングにより、図６に示すように、貫通孔９とその周
辺部に第１層がＴｉ膜（膜厚：５０ｎｍ）、第２層がＣ
ｕ膜（膜厚：２μｍ）の外部電極１０を形成し、ついで
Ｃｕを主体としたペーストを印刷してプリント基板に半
田付けする印刷電極１１を形成する。取り出し電極４と
陽極接合部５の電極の膜厚が同一であるので、取り出し
電極４と貫通孔９との間にほとんど隙間が生じないこと
から、スパッタリングで形成した外部電極１０で導通と
充分な封止ができる。上述の工程までを一括して処理し
た後、陽極接合部５のほぼ中心部をダイシングソーで切
断して、図１に示した表面弾性波装置とする。
形成基板１２の表面弾性波素子１の取り出し電極４とカ
バー基板形成ガラス板１４の貫通孔９とがそれぞれ一致
するように位置合わせして、素子形成基板１２とカバー
基板形成ガラス板１４を密着させた後、素子形成基板１
２の陽極接合端子１３とカバー基板形成ガラス板１４と
の間に５００Ｖの電圧を印加するとともに全体を３５０
℃に加熱して両者を陽極接合する。カバー基板形成ガラ
ス板１４の上に接触させる電極は、特に位置には制約は
なく、陽極接合部５は、素子形成基板１２の全面に渡っ
て陽極接合端子１３と接続されているので、すべての表
面弾性波素子１を数分でカバー基板形成ガラス板１４に
接合することができる。この後、真空装置中でのスパッ
タリングにより、図６に示すように、貫通孔９とその周
辺部に第１層がＴｉ膜（膜厚：５０ｎｍ）、第２層がＣ
ｕ膜（膜厚：２μｍ）の外部電極１０を形成し、ついで
Ｃｕを主体としたペーストを印刷してプリント基板に半
田付けする印刷電極１１を形成する。取り出し電極４と
陽極接合部５の電極の膜厚が同一であるので、取り出し
電極４と貫通孔９との間にほとんど隙間が生じないこと
から、スパッタリングで形成した外部電極１０で導通と
充分な封止ができる。上述の工程までを一括して処理し
た後、陽極接合部５のほぼ中心部をダイシングソーで切
断して、図１に示した表面弾性波装置とする。
【００１７】以上のように本実施例によれば、表面弾性
波素子１の封止及び外部への導体の取り出しをカバー基
板６のガラスと表面弾性波素子１の陽極接合部５のアル
ミニウム膜との陽極接合及び貫通孔９の外部電極１０を
介して印刷電極１１で実現し、その製造方法において、
封止と外部電極１０の取り出しが一括して処理できるの
で、従来例に比して、工数低減と小型化ができるととも
に、従来例のように接続用のＡｌワイヤーやダイボンド
樹脂等を使用しないので、電気的特性の安定性を向上で
きる。
波素子１の封止及び外部への導体の取り出しをカバー基
板６のガラスと表面弾性波素子１の陽極接合部５のアル
ミニウム膜との陽極接合及び貫通孔９の外部電極１０を
介して印刷電極１１で実現し、その製造方法において、
封止と外部電極１０の取り出しが一括して処理できるの
で、従来例に比して、工数低減と小型化ができるととも
に、従来例のように接続用のＡｌワイヤーやダイボンド
樹脂等を使用しないので、電気的特性の安定性を向上で
きる。
【００１８】（実施例２）以下本発明の第２の実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１９】図７に示すように、本実施例は前述実施例
１の構成に、実施例１の印刷電極１１をリード端子１５
とし、電磁シールド膜１６及びモールド樹脂１７を備え
た構成としている。
１の構成に、実施例１の印刷電極１１をリード端子１５
とし、電磁シールド膜１６及びモールド樹脂１７を備え
た構成としている。
【００２０】また、その製造方法は、前述実施例１の素
子形成基板１２とカバー基板形成ガラス板１４との陽極
接合を行い、スパッタリングで外部電極１０を形成する
工程までは同一の方法である。その後、ダイシングソー
で切断し、表面弾性波素子１の外部に銀を主体としたペ
ーストを印刷により被覆した電磁シールド膜１６を形成
する。この電磁シールド膜１６は図示していないが外部
電極１０のアース端子部と接続されている。
子形成基板１２とカバー基板形成ガラス板１４との陽極
接合を行い、スパッタリングで外部電極１０を形成する
工程までは同一の方法である。その後、ダイシングソー
で切断し、表面弾性波素子１の外部に銀を主体としたペ
ーストを印刷により被覆した電磁シールド膜１６を形成
する。この電磁シールド膜１６は図示していないが外部
電極１０のアース端子部と接続されている。
【００２１】ついで、リード端子１５を外部電極１０に
溶接により接合した後、全体をモールド樹脂１７でパッ
ケージして表面弾性波装置とする。
溶接により接合した後、全体をモールド樹脂１７でパッ
ケージして表面弾性波装置とする。
【００２２】以上のように本実施例によれば、電磁シー
ルド膜１６を表面弾性波素子１の外面に設けたことによ
り、前述実施例１の効果に加えて、外部からの電磁ノイ
ズの影響を受けずに良好な特性を維持でき、また、モー
ルド樹脂１７によるパッケージを採用したことにより、
量産性がさらに向上できる。
ルド膜１６を表面弾性波素子１の外面に設けたことによ
り、前述実施例１の効果に加えて、外部からの電磁ノイ
ズの影響を受けずに良好な特性を維持でき、また、モー
ルド樹脂１７によるパッケージを採用したことにより、
量産性がさらに向上できる。
【００２３】（実施例３）以下本発明の第３の実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２４】図８に示すように、本実施例は前述実施例
１の構成に、実施例１のカバー基板６の空隙部８のない
カバー基板１８と、表面弾性波素子１の取り出し電極４
と陽極接合部５の膜厚を約３μｍ増加させた表面弾性波
素子１９と、電磁シールド膜１６を備えた構成としてい
る。すなわち、膜厚を厚くした取り出し電極４と陽極接
合部５によって、ＩＤＴ電極３とカバー基板１８との間
に隙間ができるので、前述実施例１のカバー基板６の空
隙部８は不要となる。
１の構成に、実施例１のカバー基板６の空隙部８のない
カバー基板１８と、表面弾性波素子１の取り出し電極４
と陽極接合部５の膜厚を約３μｍ増加させた表面弾性波
素子１９と、電磁シールド膜１６を備えた構成としてい
る。すなわち、膜厚を厚くした取り出し電極４と陽極接
合部５によって、ＩＤＴ電極３とカバー基板１８との間
に隙間ができるので、前述実施例１のカバー基板６の空
隙部８は不要となる。
【００２５】また、その製造方法は、上述の表面弾性波
素子１９とカバー基板１８を用いて、前述実施例１と同
様な製造方法により陽極接合部５と貫通孔９への外部電
極１０の形成を行った。また、印刷電極１１を同様に形
成した後、ダイシングソーで切断し、前述実施例２と同
様に表面弾性波素子１９の外面を被覆した電磁シールド
膜１６を印刷で形成する。
素子１９とカバー基板１８を用いて、前述実施例１と同
様な製造方法により陽極接合部５と貫通孔９への外部電
極１０の形成を行った。また、印刷電極１１を同様に形
成した後、ダイシングソーで切断し、前述実施例２と同
様に表面弾性波素子１９の外面を被覆した電磁シールド
膜１６を印刷で形成する。
【００２６】以上のように本実施例によれば、前述実施
例１の効果に加えて、外部からの電磁ノイズの影響を受
けずに良好な特性を維持でき、また、カバー基板１８に
空隙部を設けなくてもよいので、加工工数を減らすこと
ができ、さらに、素子形成基板１２やカバー基板形成ガ
ラス板１４に反りやうねりがあっても取り出し電極４の
厚さにより吸収できるので、封止接合の信頼性を大きく
向上できる。
例１の効果に加えて、外部からの電磁ノイズの影響を受
けずに良好な特性を維持でき、また、カバー基板１８に
空隙部を設けなくてもよいので、加工工数を減らすこと
ができ、さらに、素子形成基板１２やカバー基板形成ガ
ラス板１４に反りやうねりがあっても取り出し電極４の
厚さにより吸収できるので、封止接合の信頼性を大きく
向上できる。
【００２７】なお、本実施例１ないし３については、表
面弾性波素子１について説明したが、共振器や発振器、
あるいはフィルター等の各素子についても適用できるこ
とはいうまでもない。また、表面に形成されたアルミニ
ウム膜とガラスとの陽極接合により接合して封止する構
成であるので、単結晶基板２として水晶基板のみでな
く、リチウムタンタレート（ＬｉＴａ2Ｏ3）、リチウム
ナイオベート（ＬｉＮｂ 2Ｏ3）あるいはリチウムディボ
レート（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ6）等の単結晶基板２が使用可能で
あり、さらに、単結晶基板２に制約されずガラス板７上
に圧電体薄膜とＩＤＴ電極３が形成された構成について
も使用可能である。
面弾性波素子１について説明したが、共振器や発振器、
あるいはフィルター等の各素子についても適用できるこ
とはいうまでもない。また、表面に形成されたアルミニ
ウム膜とガラスとの陽極接合により接合して封止する構
成であるので、単結晶基板２として水晶基板のみでな
く、リチウムタンタレート（ＬｉＴａ2Ｏ3）、リチウム
ナイオベート（ＬｉＮｂ 2Ｏ3）あるいはリチウムディボ
レート（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ6）等の単結晶基板２が使用可能で
あり、さらに、単結晶基板２に制約されずガラス板７上
に圧電体薄膜とＩＤＴ電極３が形成された構成について
も使用可能である。
【００２８】また、陽極接合部５の電極材料としては純
粋なアルミニウム膜のみでなく、不純物を含むアルミニ
ウム膜でも同様な接合が可能であり、表面弾性波素子１
の耐久性強化の目的で添加されているＣｕ，Ｔｉ，Ｐ
ｄ，Ｓｃ，Ｚｒ，Ｓｉ等を含むアルミニウム膜でも使用
可能である。
粋なアルミニウム膜のみでなく、不純物を含むアルミニ
ウム膜でも同様な接合が可能であり、表面弾性波素子１
の耐久性強化の目的で添加されているＣｕ，Ｔｉ，Ｐ
ｄ，Ｓｃ，Ｚｒ，Ｓｉ等を含むアルミニウム膜でも使用
可能である。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように本発明
は、ＩＤＴ電極と取り出し電極と陽極接合部を有する
と、表面弾性波素子の取り出し電極と一致する位置に形
設した貫通孔に設けた外部電極を有するガラス板製のカ
バー基板を備え、取り出し電極を電気的に接続し、か
つ、ガラス基板と陽極接合部とを接合してＩＤＴ電極を
封止した構成、また、ＩＤＴ電極と取り出し電極とその
周囲全体に設けたアルミニウムを主成分とする膜よりな
る陽極接合部を有する表面弾性波素子を多数配置し、か
つ、陽極接合部がすべて接続されて表面弾性波素子が形
成されていない領域に引き出されて設けた陽極接合端子
を有する素子形成基板を作成する工程と、表面弾性波素
子のそれぞれの取り出し電極と一致する位置に形設した
多数の貫通孔を有するカバー基板形成ガラス板を作成す
る工程と、素子形成基板の取り出し電極とカバー基板形
成ガラス板の貫通孔とを位置合わせして密着させた後、
カバー基板形成ガラス板と陽極接合部との間に電圧を印
加するとともに全体を加熱して表面弾性波素子の陽極接
合部を一括してカバー基板形成ガラス板に接合する工程
と、ついで接合された素子形成基板とカバー基板形成ガ
ラス板を真空中でのスパッタリングにより、カバー基板
形成ガラス板の貫通孔とその周辺部に外部電極を形成す
る工程と、ついで外部電極に印刷電極を形成する工程
と、ついで陽極接合部のほぼ中心部を切断する工程とを
有する製造方法により、製造コストが安く、周波数特性
が変化せず、安定した特性の優れた表面弾性波装置及び
その製造方法を実現できるものである。
は、ＩＤＴ電極と取り出し電極と陽極接合部を有する
と、表面弾性波素子の取り出し電極と一致する位置に形
設した貫通孔に設けた外部電極を有するガラス板製のカ
バー基板を備え、取り出し電極を電気的に接続し、か
つ、ガラス基板と陽極接合部とを接合してＩＤＴ電極を
封止した構成、また、ＩＤＴ電極と取り出し電極とその
周囲全体に設けたアルミニウムを主成分とする膜よりな
る陽極接合部を有する表面弾性波素子を多数配置し、か
つ、陽極接合部がすべて接続されて表面弾性波素子が形
成されていない領域に引き出されて設けた陽極接合端子
を有する素子形成基板を作成する工程と、表面弾性波素
子のそれぞれの取り出し電極と一致する位置に形設した
多数の貫通孔を有するカバー基板形成ガラス板を作成す
る工程と、素子形成基板の取り出し電極とカバー基板形
成ガラス板の貫通孔とを位置合わせして密着させた後、
カバー基板形成ガラス板と陽極接合部との間に電圧を印
加するとともに全体を加熱して表面弾性波素子の陽極接
合部を一括してカバー基板形成ガラス板に接合する工程
と、ついで接合された素子形成基板とカバー基板形成ガ
ラス板を真空中でのスパッタリングにより、カバー基板
形成ガラス板の貫通孔とその周辺部に外部電極を形成す
る工程と、ついで外部電極に印刷電極を形成する工程
と、ついで陽極接合部のほぼ中心部を切断する工程とを
有する製造方法により、製造コストが安く、周波数特性
が変化せず、安定した特性の優れた表面弾性波装置及び
その製造方法を実現できるものである。
【図１】本発明の第１の実施例の表面弾性波装置の断面
図
図
【図２】同表面弾性波装置の製造方法における素子形成
基板の要部斜視図
基板の要部斜視図
【図３】同製造方法におけるカバー基板形成ガラス板の
斜視図
斜視図
【図４】同製造方法における素子形成基板とカバー基板
形成ガラス板の接合状態を示す断面図
形成ガラス板の接合状態を示す断面図
【図５】図４の各表面弾性波素子と各カバー基板の分解
斜視図
斜視図
【図６】同製造方法における外部電極と印刷電極の形成
状態を示す断面図
状態を示す断面図
【図７】本発明の第２の実施例の表面弾性波装置の断面
図
図
【図８】本発明の第３の実施例の表面弾性波装置の断面
図
図
【図９】従来の表面弾性波装置の断面図
１ 表面弾性波素子 ３ インターディジタルトランスデューサ電極 ４ 取り出し電極 ５ 陽極接合部 ６ カバー基板 ８ 空隙部 ９ 貫通孔 １０ 外部電極 １１ 印刷電極
Claims (4)
- 【請求項１】 表面に表面弾性波を励振・受信するイン
ターディジタルトランスデューサ電極と取り出し電極と
その周囲全体に配設したアルミニウムを主成分とする膜
よりなる陽極接合部とを有する表面弾性波素子と、前記
表面弾性波素子の取り出し電極と一致する位置に形設し
た貫通孔に設けた外部電極と印刷電極を有し、かつ前記
表面弾性波素子と対向する面に空隙部を形設した絶縁性
のカバー基板を備え、前記取り出し電極と前記外部電極
を電気的に接合し、かつ、前記カバー基板と前記陽極接
合部を接合して封止したことを特徴とする表面弾性波装
置。 - 【請求項２】 表面に表面弾性波を励振・受信するイン
ターディジタルトランスデューサ電極と取り出し電極と
その周囲全体に配設したアルミニウムを主成分とする膜
よりなる陽極接合部とを有する表面弾性波素子と、前記
表面弾性波素子の取り出し電極と一致する位置に形設し
た貫通孔に設けた外部電極を有し、かつ前記表面弾性波
素子と対向する面に空隙部を形設した絶縁性のカバー基
板を備え、前記取り出し電極と前記外部電極を電気的に
接合し、かつ、前記カバー基板と前記陽極接合部を接合
して封止し、前記外部電極にリード端子を接合した後、
前記表面弾性波素子の外面に電磁シールド膜を被覆し、
全体をモールド樹脂でパッケージしたことを特徴とする
表面弾性波装置。 - 【請求項３】 表面に表面弾性波を励振・受信するイン
ターディジタルトランスデューサ電極と取り出し電極と
その周囲全体に配設したアルミニウムを主成分とする膜
よりなる陽極接合部とを有する表面弾性波素子と、前記
表面弾性波素子の取り出し電極と一致する位置に形設し
た貫通孔に設けた外部電極を有する絶縁性のカバー基板
を備え、前記取り出し電極と前記外部電極を電気的に接
合し、かつ、前記カバー基板と前記陽極接合部を接合し
て封止し、前記表面弾性波素子の外面に電磁シールド膜
を被覆したことを特徴とする表面弾性波装置。 - 【請求項４】 表面に表面弾性波を励振・受信するイン
ターディジタルトランスデューサ電極と取り出し電極と
その周囲全体に配設したアルミニウムを主成分とする膜
よりなる陽極接合部とを有する表面弾性波素子を多数配
置し、かつ、前記陽極接合部がすべて接続されて、前記
表面弾性波素子が形成されていない領域に引き出されて
設けた陽極接合端子を有する素子形成基板を作成する工
程と、前記表面弾性波素子のそれぞれの取り出し電極と
一致する位置に形設した多数の貫通孔を有するカバー基
板形成ガラス板を作成する工程と、前記素子形成基板の
取り出し電極と前記カバー基板形成ガラス板の貫通孔と
を位置合わせして密着させた後、前記カバー基板形成ガ
ラス板と前記素子形成基板の陽極接合端子との間に電圧
を印加するとともに全体を加熱して、前記表面弾性波素
子の陽極接合部を一括して前記カバー基板形成ガラス板
に接合する工程と、ついで接合された前記素子形成基板
と前記カバー基板形成ガラス板を真空装置中でのスパッ
タリングにより、前記カバー基板形成ガラス板の貫通孔
とその周辺部に外部電極を形成する工程と、ついで前記
外部電極に外部回路と接続する印刷電極を形成する工程
と、ついで前記陽極接合部のほぼ中心部を切断する工程
とを有する表面弾性波装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01685295A JP3265889B2 (ja) | 1995-02-03 | 1995-02-03 | 表面弾性波装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01685295A JP3265889B2 (ja) | 1995-02-03 | 1995-02-03 | 表面弾性波装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08213874A true JPH08213874A (ja) | 1996-08-20 |
| JP3265889B2 JP3265889B2 (ja) | 2002-03-18 |
Family
ID=11927752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01685295A Expired - Fee Related JP3265889B2 (ja) | 1995-02-03 | 1995-02-03 | 表面弾性波装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3265889B2 (ja) |
Cited By (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001022580A1 (fr) * | 1999-09-20 | 2001-03-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dispositif a ondes acoustiques de surface et son procede de fabrication |
| JP2002510863A (ja) * | 1998-03-31 | 2002-04-09 | ハネウエル・インコーポレーテッド | 蒸着層で密封されたチャンバを有するウエハー対 |
| WO2004012331A1 (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電部品およびその製造方法 |
| WO2004012330A1 (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電部品およびその製造方法 |
| EP1431242A2 (en) * | 2002-11-14 | 2004-06-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Bonding method for flip-chip semiconductor device, mems device package and package method using the same |
| WO2005031861A1 (en) * | 2003-09-26 | 2005-04-07 | Tessera, Inc. | Structure and method of making capped chips including a flowable conductive medium |
| JP2005252335A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 集積回路装置およびその製造方法 |
| WO2006006343A1 (ja) * | 2004-07-14 | 2006-01-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電デバイス |
| JP2006506805A (ja) * | 2002-11-14 | 2006-02-23 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 気密に密封された素子、及びこれを製造するためのウェーハスケール法 |
| JP2006180247A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子、電子機器、及び弾性表面波素子の励振空間形成方法 |
| JP2006184011A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-13 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波センサ |
| JP2006217225A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
| US7102272B2 (en) * | 2002-07-31 | 2006-09-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric component and method for manufacturing the same |
| JP2006270170A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子及び弾性表面波素子の製造方法 |
| EP1742353A1 (en) * | 2005-07-06 | 2007-01-10 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing a piezoelectric vibration device |
| JP2007081867A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Seiko Epson Corp | 導通孔形成方法、並びに圧電デバイスの製造方法、及び圧電デバイス |
| US7205705B2 (en) | 2002-12-19 | 2007-04-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component and method of producing the same |
| JP2007134370A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品パッケージ |
| JP2007142149A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品パッケージおよびそれを用いた電子部品モジュール |
| EP1819042A2 (en) | 2006-02-01 | 2007-08-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wafer level package for surface acoustic wave device and fabrication method thereof |
| JP2007243915A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品パッケージ |
| JP2007259410A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品パッケージ |
| WO2007129496A1 (ja) | 2006-04-07 | 2007-11-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 電子部品およびその製造方法 |
| JP2007335468A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 中空封止素子およびその製造方法 |
| EP1976118A1 (en) * | 2006-01-18 | 2008-10-01 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Surface acoustic wave device and boundary acoustic wave device |
| US7436272B2 (en) | 2004-06-25 | 2008-10-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric device |
| US7459829B2 (en) | 2004-12-17 | 2008-12-02 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same, IC card, and mobile electronic apparatus |
| US7528523B2 (en) | 2005-09-13 | 2009-05-05 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof |
| US7554242B2 (en) | 2005-01-17 | 2009-06-30 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave chip, surface acoustic wave device, and manufacturing method for implementing the same |
| JP2009247012A (ja) * | 2009-07-27 | 2009-10-22 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法 |
| WO2010097901A1 (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | セイコーインスツル株式会社 | 陽極接合方法、パッケージの製造方法、圧電振動子の製造方法、発振器、電子機器および電波時計 |
| JP4714214B2 (ja) * | 2005-04-01 | 2011-06-29 | パナソニック株式会社 | 弾性表面波デバイス |
| US7999632B2 (en) | 2007-02-28 | 2011-08-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Branching filter and method for manufacturing the same |
| JP2013048489A (ja) * | 2007-10-30 | 2013-03-07 | Kyocera Corp | 弾性波装置 |
| CN104104356A (zh) * | 2008-11-28 | 2014-10-15 | 京瓷株式会社 | 弹性波装置及电路基板 |
| JP2016064955A (ja) * | 2014-09-25 | 2016-04-28 | 日本電気硝子株式会社 | ガラスセル、及び液晶素子、並びに陽極接合方法 |
| US9548145B2 (en) | 2007-01-05 | 2017-01-17 | Invensas Corporation | Microelectronic assembly with multi-layer support structure |
| US20170237410A1 (en) * | 2016-02-17 | 2017-08-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Acoustic wave filter device, package to manufacture acoustic wave filter device, and method to manufacture acoustic wave filter device |
| JP2021507576A (ja) * | 2017-12-15 | 2021-02-22 | スリーディー グラス ソリューションズ，インク３Ｄ Ｇｌａｓｓ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ，Ｉｎｃ | 接続伝送線路共振ｒｆフィルタ |
-
1995
- 1995-02-03 JP JP01685295A patent/JP3265889B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (68)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002510863A (ja) * | 1998-03-31 | 2002-04-09 | ハネウエル・インコーポレーテッド | 蒸着層で密封されたチャンバを有するウエハー対 |
| WO2001022580A1 (fr) * | 1999-09-20 | 2001-03-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dispositif a ondes acoustiques de surface et son procede de fabrication |
| WO2004012331A1 (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電部品およびその製造方法 |
| WO2004012330A1 (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電部品およびその製造方法 |
| US7042056B2 (en) | 2002-07-31 | 2006-05-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Chip-size package piezoelectric component |
| US7102272B2 (en) * | 2002-07-31 | 2006-09-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric component and method for manufacturing the same |
| EP1431242A3 (en) * | 2002-11-14 | 2005-10-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Bonding method for flip-chip semiconductor device, mems device package and package method using the same |
| JP2006506805A (ja) * | 2002-11-14 | 2006-02-23 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 気密に密封された素子、及びこれを製造するためのウェーハスケール法 |
| EP1431242A2 (en) * | 2002-11-14 | 2004-06-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Bonding method for flip-chip semiconductor device, mems device package and package method using the same |
| US7205705B2 (en) | 2002-12-19 | 2007-04-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component and method of producing the same |
| WO2005031862A1 (en) * | 2003-09-26 | 2005-04-07 | Tessera, Inc. | Structure and method of making sealed capped chips |
| WO2005031863A1 (en) * | 2003-09-26 | 2005-04-07 | Tessera, Inc. | Structure and method of making capped chips having vertical interconnects |
| WO2005031861A1 (en) * | 2003-09-26 | 2005-04-07 | Tessera, Inc. | Structure and method of making capped chips including a flowable conductive medium |
| US7298030B2 (en) | 2003-09-26 | 2007-11-20 | Tessera, Inc. | Structure and method of making sealed capped chips |
| US7129576B2 (en) | 2003-09-26 | 2006-10-31 | Tessera, Inc. | Structure and method of making capped chips including vertical interconnects having stud bumps engaged to surfaces of said caps |
| JP2005252335A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 集積回路装置およびその製造方法 |
| JP4576849B2 (ja) * | 2004-03-01 | 2010-11-10 | パナソニック株式会社 | 集積回路装置 |
| US7436272B2 (en) | 2004-06-25 | 2008-10-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric device |
| KR100680511B1 (ko) * | 2004-07-14 | 2007-02-08 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 압전 디바이스 |
| US7259500B2 (en) | 2004-07-14 | 2007-08-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric device |
| JPWO2006006343A1 (ja) * | 2004-07-14 | 2008-04-24 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス |
| WO2006006343A1 (ja) * | 2004-07-14 | 2006-01-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電デバイス |
| US7459829B2 (en) | 2004-12-17 | 2008-12-02 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same, IC card, and mobile electronic apparatus |
| JP2006180247A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子、電子機器、及び弾性表面波素子の励振空間形成方法 |
| JP4518255B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2010-08-04 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波素子および電子機器 |
| JP2006184011A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-13 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波センサ |
| JP4618492B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2011-01-26 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波センサ |
| US7554242B2 (en) | 2005-01-17 | 2009-06-30 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave chip, surface acoustic wave device, and manufacturing method for implementing the same |
| JP2006217225A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
| JP2006270170A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子及び弾性表面波素子の製造方法 |
| US7982364B2 (en) | 2005-04-01 | 2011-07-19 | Panasonic Corporation | Surface acoustic wave device and method for manufacturing the same |
| JP4714214B2 (ja) * | 2005-04-01 | 2011-06-29 | パナソニック株式会社 | 弾性表面波デバイス |
| US7421767B2 (en) | 2005-07-06 | 2008-09-09 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing a piezoelectric vibration device |
| EP1742353A1 (en) * | 2005-07-06 | 2007-01-10 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing a piezoelectric vibration device |
| US7528523B2 (en) | 2005-09-13 | 2009-05-05 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof |
| US7484279B2 (en) | 2005-09-14 | 2009-02-03 | Seiko Epson Corporation | Method of forming a conductive through hole for a piezoelectric substrate |
| JP2007081867A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Seiko Epson Corp | 導通孔形成方法、並びに圧電デバイスの製造方法、及び圧電デバイス |
| JP4517992B2 (ja) * | 2005-09-14 | 2010-08-04 | セイコーエプソン株式会社 | 導通孔形成方法、並びに圧電デバイスの製造方法、及び圧電デバイス |
| JP2007243915A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品パッケージ |
| JP2007134370A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品パッケージ |
| JP2007142149A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品パッケージおよびそれを用いた電子部品モジュール |
| JP4706452B2 (ja) * | 2005-11-18 | 2011-06-22 | パナソニック株式会社 | 電子部品モジュール |
| EP1976118A4 (en) * | 2006-01-18 | 2011-12-14 | Murata Manufacturing Co | ACOUSTIC SURFACE WAVE DEVICE AND LIMIT ACOUSTIC WAVE DEVICE |
| EP1976118A1 (en) * | 2006-01-18 | 2008-10-01 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Surface acoustic wave device and boundary acoustic wave device |
| EP1819042A2 (en) | 2006-02-01 | 2007-08-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wafer level package for surface acoustic wave device and fabrication method thereof |
| EP1819042A3 (en) * | 2006-02-01 | 2008-01-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wafer level package for surface acoustic wave device and fabrication method thereof |
| US7545017B2 (en) | 2006-02-01 | 2009-06-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wafer level package for surface acoustic wave device and fabrication method thereof |
| JP2007259410A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品パッケージ |
| WO2007129496A1 (ja) | 2006-04-07 | 2007-11-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 電子部品およびその製造方法 |
| JP2007335468A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 中空封止素子およびその製造方法 |
| US9548145B2 (en) | 2007-01-05 | 2017-01-17 | Invensas Corporation | Microelectronic assembly with multi-layer support structure |
| US7999632B2 (en) | 2007-02-28 | 2011-08-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Branching filter and method for manufacturing the same |
| JP2013048489A (ja) * | 2007-10-30 | 2013-03-07 | Kyocera Corp | 弾性波装置 |
| JP2014099928A (ja) * | 2007-10-30 | 2014-05-29 | Kyocera Corp | 弾性波装置および弾性波モジュール |
| JP2014064329A (ja) * | 2007-10-30 | 2014-04-10 | Kyocera Corp | 弾性波装置および弾性波モジュール |
| JP5214627B2 (ja) * | 2007-10-30 | 2013-06-19 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置 |
| US8436514B2 (en) | 2007-10-30 | 2013-05-07 | Kyocera Corporation | Acoustic wave device comprising an inter-digital transducer electrode |
| CN104104356A (zh) * | 2008-11-28 | 2014-10-15 | 京瓷株式会社 | 弹性波装置及电路基板 |
| JPWO2010097901A1 (ja) * | 2009-02-25 | 2012-08-30 | セイコーインスツル株式会社 | 陽極接合方法、パッケージの製造方法、圧電振動子の製造方法、発振器、電子機器および電波時計 |
| WO2010097901A1 (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | セイコーインスツル株式会社 | 陽極接合方法、パッケージの製造方法、圧電振動子の製造方法、発振器、電子機器および電波時計 |
| JP2009247012A (ja) * | 2009-07-27 | 2009-10-22 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法 |
| JP4722204B2 (ja) * | 2009-07-27 | 2011-07-13 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法 |
| JP2016064955A (ja) * | 2014-09-25 | 2016-04-28 | 日本電気硝子株式会社 | ガラスセル、及び液晶素子、並びに陽極接合方法 |
| US20170237410A1 (en) * | 2016-02-17 | 2017-08-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Acoustic wave filter device, package to manufacture acoustic wave filter device, and method to manufacture acoustic wave filter device |
| CN107094005A (zh) * | 2016-02-17 | 2017-08-25 | 三星电机株式会社 | 声波滤波器装置、制造声波滤波器装置的封装件和方法 |
| US10298204B2 (en) * | 2016-02-17 | 2019-05-21 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Acoustic wave filter device, package to manufacture acoustic wave filter device, and method to manufacture acoustic wave filter device |
| CN107094005B (zh) * | 2016-02-17 | 2020-11-17 | 三星电机株式会社 | 声波滤波器装置、制造声波滤波器装置的封装件和方法 |
| JP2021507576A (ja) * | 2017-12-15 | 2021-02-22 | スリーディー グラス ソリューションズ，インク３Ｄ Ｇｌａｓｓ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ，Ｉｎｃ | 接続伝送線路共振ｒｆフィルタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3265889B2 (ja) | 2002-03-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3265889B2 (ja) | 表面弾性波装置及びその製造方法 | |
| US7378922B2 (en) | Piezoelectric filter | |
| US20040245895A1 (en) | Piezoelectric oscillator, portable telephone unit using piezoelectric oscillator, and electronic equipment using piezoelectric oscillator | |
| KR20040086189A (ko) | 탄성 표면파 디바이스 및 그 제조 방법 | |
| JP2006197554A (ja) | 弾性表面波デバイス及びその製造方法、ｉｃカード、携帯用電子機器 | |
| JP2004214787A (ja) | 圧電発振器およびその製造方法 | |
| JP2001094390A (ja) | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 | |
| JPH07112142B2 (ja) | 圧電共振子の封止構造 | |
| JP2000312127A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP4012753B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2001345673A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2002043890A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2000196400A (ja) | 弾性表面波装置の実装構造 | |
| JPH0818390A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH05291864A (ja) | 弾性表面波素子実装回路とその製造方法 | |
| JPH09162690A (ja) | 弾性表面波素子を有する装置およびその製造方法 | |
| JP2001102905A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH08213764A (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JPH10242795A (ja) | 圧電素子とその製造方法 | |
| JPH10163797A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH08330894A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP3736226B2 (ja) | Ｓａｗデバイス | |
| JPH10215142A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2009147976A (ja) | 電子部品 | |
| JP2003198312A (ja) | 圧電デバイスとその製造方法、及び圧電デバイスを利用した携帯電話装置ならびに圧電デバイスを利用した電子機器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080111 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090111 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090111 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100111 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |