JP2006180247A - 弾性表面波素子、電子機器、及び弾性表面波素子の励振空間形成方法 - Google Patents
弾性表面波素子、電子機器、及び弾性表面波素子の励振空間形成方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 上記課題を解決するためのSAW素子は、平面基板12の一主面に櫛歯状電極18を形成して共振素子片を構成する圧電基板12と、前記圧電基板12を挟み込み、少なくとも前記圧電基板12の主面に対向する側の面を平面とした一対の蓋体20,30とを有し、前記圧電基板12と当該圧電基板12を挟み込む一対の蓋体20,30とを接合しつつ前記圧電基板12が励振する際の振動空間を確保するための金属パターン14,22,32を、前記圧電基板12と前記蓋体20,32とが対向する面の四辺縁部に形成したことを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
また、上記構成の弾性表面波素子において、前記一対の蓋体は、熱膨張率が前記圧電基板に近似する素材で構成すると良い。
圧電基板と蓋体とが同一素材で構成されていれば、熱膨張率は同一となることから、温度変化によって上述した現象が生じる虞が少なくなる。
圧電基板に上記のような貫通溝を形成することによれば、弾性表面波素子に対する外部応力や衝撃が、前記支持片としての共振素子片に伝搬されることを緩和することができる。
貫通溝を上記形状とすることにより、支持片(共振素子片)を片持ち状態で保持することとなり、外部からの衝撃緩和に対して有利な効果を奏する。
このような構成を採ることにより、支持片と枠部との接合部分の面積が小さくなり、枠部側から支持片側に伝搬される衝撃等を緩和する場合に有利な効果を果たす。
図1は本発明の弾性表面波素子(SAW素子)に係る第1の実施形態を示す断面図である。図1に示すように本実施形態のSAW素子10は、圧電基板12と、当該圧電基板12を挟み込む一対の蓋体20,30とを基本的な構成としている。ここで、図2には前記圧電基板12の平面図を、図3には前記圧電基板12を挟み込む上下一対の蓋体20,30の平面図を、それぞれ示すこととする。
図3に示すように、蓋体20,30は、図2に示す圧電基板12と同一な形状とし、その四辺縁部には、接着層としての金属パターン22,32が施されている。なお、蓋体20,30に施される金属パターン22,32は、前記圧電基板12に施される金属パターン14と同一なものとすることが望ましい。また、図3(A)に示す上側の蓋体20には、圧電基板(SAW素子片)12における入出力電極16と重なる位置に、貫通孔24が設けられている。前記貫通孔24は、SAW素子片における入出力電極16を外部へ導くためのものであり、当該貫通孔24の内部及びその裏面側開口部周辺には、金属被膜26が被覆されている。金属被膜26に用いる金属としては、蓋体20,30の四辺縁部に施したものと同様なものとすれば良い。貫通孔24の内面の濡れ性を向上させるためである。また、前記貫通孔24は、ストレート構造のものとしても良いが、図1に示すようなテーパ構造のものとすることが望ましい。前記貫通孔24には導通性を向上させ、SAW素子10として構成した際に外部端子としての役割を担う金属28を充填する。このため、前記貫通孔24をテーパ形状とすることで、前記貫通孔24内部に金属28を充填する際の効率を上げることができる。
本実施形態のSAW素子は、第1の実施形態のSAW素子と比べると、圧電基板の構成のみが異なる。具体的には、圧電基板12に対して、IDT18並びに反射器18a及びその入出力電極から成る電極部分が支持片Aとして構成され、他の部分が枠部Bとして構成されるように貫通溝19を設けた点が第1の実施形態のSAW素子と異なる。よって、機能を同一とする箇所には第1の実施形態と同一な符号を付してその詳細な説明を省略する。
まず、圧電基板12に対してCr/Auの成膜を行う。その後、金属パターン14及び入出力電極16の形成を行う。金属パターン14及び入出力電極16の形成が終了した後、IDT18及び反射器18aを形成するためのAl膜を成膜し、IDT18及び反射器18aを形成する。このような工程を経て、上記圧電基板12にパターンが形成される。なお、圧電基板12には実施形態のように、必要に応じて貫通溝19を形成する。貫通溝19の形成は、例えばCr/Auの成膜の前段とすると良い。パターン形成前に貫通溝を設けるようにすることで、エッチングにより形成したパターンに悪影響を与える虞が無い。
その後、金属28をロウ材として前記貫通孔24へ流し込む。そして、ダイシングによってウェハを個片化することにより上記実施形態のSAW素子10が形成される。
Claims (8)
- 平面基板の一主面に櫛歯状電極を形成して共振素子片を構成する圧電基板と、
前記圧電基板を挟み込み、少なくとも前記圧電基板の主面に対向する側の面を平面とした一対の蓋体とを有し、
前記圧電基板と当該圧電基板を挟み込む一対の蓋体とを接合しつつ前記圧電基板が励振する際の振動空間を確保するための金属パターンを、前記圧電基板と前記蓋体とが対向する面の四辺縁部に形成したことを特徴とする弾性表面波素子。 - 前記一対の蓋体は、熱膨張率が前記圧電基板に近似する素材で構成することを特徴とする請求項1に記載の弾性表面波素子。
- 前記一対の蓋体は、前記圧電基板と同一素材で構成することを特徴とする請求項1に記載の弾性表面波素子。
- 前記圧電基板には櫛歯状電極を有する共振素子片を支持片として構成し他の部分を枠部として構成する貫通溝を形成することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の弾性表面波素子。
- 前記圧電基板に形成する貫通溝は、前記共振素子片を構成する電極部分を囲う矩形状のうち、少なくとも三辺を繋いだ形状としたことを特徴とする請求項4に記載の弾性表面波素子。
- 前記圧電基板に形成する貫通溝は、前記支持片と前記枠部との接合部分に、くびれを形成することを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の弾性表面波素子。
- 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の弾性表面波素子を搭載したことを特徴とする電子機器。
- 平面基板の一主面に櫛歯状電極を形成して共振素子片を構成する圧電基板と、
前記圧電基板を挟み込み、少なくとも前記圧電基板の主面に対向する側の面を平面とした一対の蓋体とを有する弾性表面波素子における励振空間の形成方法であって、
前記圧電基板と当該圧電基板を挟み込む一対の蓋体とを接合するための金属パターンによって、前記圧電基板が励振する際の励振空間を形成することを特徴とする弾性表面波素子の励振空間形成方法。
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