CN110011637B - 弹性波装置 - Google Patents

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Abstract

一种弹性波装置，能够降低频率比基本波高的高次模式的强度。弹性波装置(1)具备压电膜(4)、高声速构件、低声速膜(3)及IDT电极(5)。低声速膜(3)设置在压电膜(4)与高声速构件之间，是与在压电膜(4)传播的弹性波的声速相比所传播的弹性波的声速为低速的膜。IDT电极(5)具有多个电极指(51)。多个电极指(51)相互分离地沿第一方向(D1)并排设置。多个电极指(51)的至少一个具有第一金属层。第一金属层包含第一主体部(52)和第二主体部(59)。凹部(54)形成在电极指(51)的第一方向(D1)上的中央区域，在压电膜(4)的厚度方向(D2)上凹陷。凸部(53)设置为在第一方向(D1)上比第一主体部(52)的至少一部分突出。

Description

弹性波装置
技术领域
本发明一般涉及弹性波装置，尤其是涉及具备压电膜及IDT电极的弹性波装置。
背景技术
以往，已知有在谐振器、带通滤波器等中使用的弹性波装置(例如参照专利文献1)。
在专利文献1所记载的弹性波装置中，在高声速支承基板上依次层叠有低声速膜、压电膜以及IDT电极。在高声速支承基板传播的弹性波的声速与在压电膜传播的弹性波的声速相比为高速。在低声速膜传播的弹性波的声速与在压电膜传播的弹性波的声速相比为低速。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2017/043427号
发明内容
发明要解决的课题
然而，在专利文献1所记载的以往的弹性波装置中，存在频率比基本波高的高次模式的强度大这样的问题。
本发明是鉴于上述问题而完成的发明，本发明的目的在于，提供一种能够降低频率比基本波高的高次模式的强度的弹性波装置。
用于解决课题的方案
本发明的一方式的弹性波装置具备压电膜、高声速构件、低声速膜以及IDT电极，所述高声速构件是与在所述压电膜传播的弹性波的声速相比所传播的弹性波的声速为高速的构件。所述低声速膜设置在所述压电膜与所述高声速构件之间，是与在所述压电膜传播的弹性波的声速相比所传播的弹性波的声速为低速的膜。所述IDT电极设置于所述压电膜的主面。所述IDT电极具有多个电极指。所述多个电极指相互分离地沿第一方向并排设置。所述多个电极指的至少一个电极指具有第一金属层。所述第一金属层包含第一主体部和第二主体部。所述第一主体部直接或间接地设置于所述压电膜的所述主面。所述第二主体部设置在所述第一主体部上。第二主体部具有凹部，且包含凸部。所述凹部形成在所述电极指中的所述第一方向的中央区域，且在所述压电膜的厚度方向上凹陷。所述凸部在所述第一方向上比所述第一主体部的至少一部分突出。
发明效果
根据本发明的上述方式的弹性波装置，能够降低频率比基本波高的高次模式的强度。
附图说明
图1是本发明的实施方式1的弹性波装置的剖视图。
图2是上述弹性波装置的频率特性图。
图3的A～H是用于说明上述弹性波装置的工序的剖视图。
图4是本发明的实施方式1的变形例1的弹性波装置的剖视图。
图5是本发明的实施方式1的变形例2的弹性波装置的剖视图。
图6是本发明的实施方式1的变形例3的弹性波装置的剖视图。
图7是上述弹性波装置的频率特性图。
图8是本发明的实施方式2的弹性波装置的剖视图。
图9是本发明的实施方式2的变形例1的弹性波装置的剖视图。
图10是本发明的实施方式2的变形例2的弹性波装置的剖视图。
图11是本发明的实施方式2的变形例3的弹性波装置的剖视图。
图12是参考例的弹性波装置的剖视图。
附图标记说明：
1、1a～1g 弹性波装置；
2 高声速支承基板(高声速构件)；
21 支承基板；
22 高声速膜(高声速构件)；
3 低声速膜；
4 压电膜；
41 主面；
5、5a～5g IDT电极；
501 Ti层；
502 AlCu层(A1系层、金属层)；
503 Ti层；
51、51a～51g 电极指；
52、52a～52g 第一主体部；
53、53a～53g 凸部；
54 凹部；
55 端部区域；
56 中央区域；
58 凹部；
59、59a～59g 第二主体部；
61 抗蚀剂层；
621 Ti膜(密接层)；
622 AlCu膜；
63 抗蚀剂层；
64 AlCu膜；
D1 第一方向；
D2 第二方向；
A1、A2、B1、B2 频率特性。
具体实施方式
以下的实施方式1～3分别一般涉及弹性波装置，更详细而言涉及具备压电膜及IDT电极的弹性波装置。
以下，参照附图对实施方式1～3的弹性波装置进行说明。
在下述的实施方式等中说明的图1、图3的A～H、图4～图6、图8～图11是示意性的图，图中的各构成要素的大小、厚度各自的比例未必反映实际的尺寸比例。
(实施方式1)
(1)弹性波装置的整体结构
首先，参照附图对实施方式1的弹性波装置1的整体结构进行说明。
如图1所示，实施方式1的弹性波装置1具备高声速支承基板2、低声速膜3、压电膜4以及IDT(Interdigital Transducer，叉指换能器)电极5。低声速膜3是与在压电膜4传播的弹性波的声速相比所传播的弹性波的声速为低速的膜。IDT电极5设置于压电膜4的主面41，且具有多个电极指51。多个电极指51相互分离地沿第一方向D1并排设置。实施方式1的弹性波装置1例如用于谐振器或带通滤波器。
在这样的弹性波装置1中，IDT电极5的多个电极指51分别具有Ti层501、AlCu层502以及Ti层503。AlCu层502具有第一主体部52和第二主体部59。第一主体部52直接或间接地设置于压电膜4的主面41。第二主体部59具有凹部54，且包含至少一个凸部53。凸部53沿第一方向D1突出地设置。
(2)弹性波装置的各构成要素
接着，参照附图对实施方式1的弹性波装置1的各构成要素进行说明。
(2.1)高声速支承基板
高声速支承基板2是与在压电膜4传播的弹性波的声速相比所传播的弹性波的声速为高速的基板。这里，高声速支承基板2构成高声速构件。
高声速支承基板2的材料为氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、水晶等压电体、氧化铝、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石等各种陶瓷、氧化镁金刚石(magnesia diamond)、或者以上述各材料为主成分的材料、以上述各材料的混合物为主成分的材料。
(2.2)低声速膜
低声速膜3是与在压电膜4传播的弹性波的声速相比所传播的弹性波的声速为低速的膜。低声速膜3设置在高声速支承基板2与压电膜4之间。通过将低声速膜3设置在高声速支承基板2与压电膜4之间，从而弹性波的声速下降。弹性波本质上在低声速的介质中能量集中。因此，能够提高弹性波的能量向压电膜4内及激励弹性波的IDT电极5内封入的封入效果。其结果是，与未设置低声速膜3的情况相比，能够降低损耗且提高Q值。
低声速膜3的材料为氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、向氧化硅添加了氟、碳或硼而得到的化合物、或者以上述各材料为主成分的材料。
在低声速膜3的材料为氧化硅的情况下，能够改善温度特性。作为压电膜4的材料的LiTaO3的弹性常数具有负的温度特性，氧化硅的弹性常数具有正的温度特性。因此，在弹性波装置1中，能够减小TCF(Temperature Coefficients of Frequency：频率温度系数)的绝对值。此外，氧化硅的固有声阻抗小于作为压电膜4的材料的LiTaO3的固有声阻抗。因此，能够实现机电耦合系数的增大即分数带宽的扩大与频率温度特性的改善的双方。
在将由IDT电极5的电极指的周期决定的弹性波的波长设为λ时，低声速膜3的膜厚优选为2.0λ以下。通过将低声速膜3的膜厚设为2.0λ以下，能够降低膜应力，其结果是，能够降低晶片的翘曲，能够实现合格品比例的提高及特性的稳定化。另外，若低声速膜3的膜厚为0.1λ以上且0.5λ以下的范围内，则机电耦合系数几乎不改变。
(2.3)压电膜
压电膜4直接或间接地层叠在低声速膜3上。压电膜4的材料为LiTaO3、LiNbO3、ZnO、AlN或PZT。
高声速支承基板2的厚度方向(第二方向D2)上的压电膜4的膜厚优选为3.5λ以下。在压电膜4的膜厚为3.5λ以下的情况下，Q值变高。另外，通过将压电膜4的膜厚设为2.5λ以下，能够减小TCF。进而，通过将压电膜4的膜厚设为1.5λ以下，弹性波的声速的调整变得容易。
(2.4)IDT电极
IDT电极5包含多个电极指51和两个汇流条(未图示)，且设置于压电膜4的主面41。多个电极指51在第一方向D1上相互并排地配置。两个汇流条形成为将第一方向D1作为长边方向的长条状，且与多个电极指51电连接。更详细而言，多个电极指51具有多个第一电极指和多个第二电极指。多个第一电极指与两个汇流条中的第一汇流条电连接。多个第二电极指与两个汇流条中的第二汇流条电连接。
多个电极指51的材料由Al、Cu、Pt、Au、Ag、Ti、Ni、Cr、Mo或W、或者以这些金属的任一种为主体的合金等适当的金属材料形成。另外，多个电极指51也可以具有将由这些金属或合金构成的多个金属膜层叠而成的构造。
在图1的例子中，多个电极指51分别具有Ti层501、AlCu层502(Al系层、金属层)以及Ti层503。Ti层501、AlCu层502以及Ti层503依次层叠。Ti层501相对于压电膜4的密接性优异，因此作为密接层发挥功能。另外，Ti层501及Ti层503各自的膜厚比AlCu层502的膜厚薄。需要说明的是，密接层不局限于Ti层501，也可以为Cr层或NiCr层。
在上述那样的IDT电极5中，各电极指51的AlCu层502具有第一主体部52和第二主体部59。
第一主体部52经由Ti层501而间接地设置于压电膜4的主面41。即，第一主体部52设置为经由Ti层501从压电膜4的主面41沿压电膜4的厚度方向即第二方向D2突出。
第一主体部52形成为锥状。更详细而言，第一主体部52形成为，随着从在第二方向D2上位于压电膜4侧的基端朝向在第二方向D2上与基端相反的一侧即第二主体部59侧而使第一方向D1的宽度变窄。
第二主体部59设置在第一主体部52上。也就是说，第二主体部59在第二方向D2(压电膜4的厚度方向)上设置在隔着第一主体部52而与压电膜4相反的一侧。第二主体部59包含两个凸部53。
两个凸部53设置为从第一主体部52上的部分的两端沿第一方向D1突出。换言之，各凸部53在从与第一方向D1及第二方向D2正交的第三方向的俯视观察下，设置为在第一方向D1上比第一主体部52的至少一部分突出。各凸部53在从第三方向的俯视观察下形成为三角形。
第二主体部59在第二方向D2上的前端部具有形成在第一方向D1上的中央区域的凹部54。换言之，凹部54形成在电极指51的在第一方向D1上位于端部区域55之间的中央区域56。电极指51的中央区域56是在第一方向D1上被电极指51的两个端部区域55夹着的区域。凹部54在第二方向D2上凹陷。
(3)弹性波装置的特性
接着，参照图2对实施方式1的弹性波装置1的频率特性进行说明。图2表示实施方式1的弹性波装置1的频率特性A1和比较例1的弹性波装置的频率特性A2。图2的横轴表示频率，纵轴表示强度。在比较例1的弹性波装置中，在IDT电极的多个电极指均未设置凸部。
如图2的频率特性所示，实施方式1的弹性波装置1与比较例1的弹性波装置相比，频率比基本波高的高次模式的强度小。也就是说，在实施方式1的弹性波装置1中，通过IDT电极5的多个电极指51包含凸部53，能够降低高次模式的强度。
需要说明的是，作为在压电膜4传播的弹性波的模式，存在纵波、SH波或SV波、或者将它们复合而成的模式。而且，实施方式1的弹性波装置1将以SH波为主成分的模式用作主模式。高次模式是指，与在压电膜4传播的弹性波的主模式相比在高频侧产生的寄生模式。
(4)弹性波装置的制造方法
接着，参照图3的A～H对实施方式1的弹性波装置1的制造方法进行说明。实施方式1的弹性波装置1通过第一工序至第十一工序来制造。
在第一工序中，准备高声速支承基板2。在第二工序中，在高声速支承基板2之上形成低声速膜3。在第三工序中，在低声速膜3之上形成压电膜4。
接着，通过第四工序～第十一工序而在压电膜4形成IDT电极5。
在第四工序中，如图3的A所示，在压电膜4的主面41形成抗蚀剂层61。更详细而言，在压电膜4的主面41中的设置IDT电极5的多个电极指51的区域以外的区域形成抗蚀剂层61。
在第五工序中，如图3的B所示，将成为Ti层501的基础的Ti膜621形成为覆盖压电膜4的主面41及抗蚀剂层61。进而，在Ti膜621之上形成成为AlCu层502的基础的AlCu膜622。
在第六工序中，如图3的C所示，去除抗蚀剂层61。通过去除抗蚀剂层61，形成在抗蚀剂层61之上的Ti膜621及AlCu膜622也被去除。由此，形成Ti层501及AlCu层502。
在第七工序中，如图3的D所示，在压电膜4的主面41形成抗蚀剂层63。更详细而言，在压电膜4的主面41中的未形成Ti层501及AlCu层502的区域形成抗蚀剂层63。这里，将抗蚀剂层63形成为，覆盖Ti层501的侧面和AlCu层502的侧面中的除了前端侧的一部分之外的部位。
在第八工序中，如图3的E所示，将成为凸部53的基础的AlCu膜64形成为覆盖AlCu层502及抗蚀剂层63。
在第九工序中，在AlCu层64上形成抗蚀剂膜。此时，使得不覆盖AlCu层502的中心部，进行干式蚀刻。接着剥离抗蚀剂膜。接着，进行蚀刻，直至抗蚀剂层63的上表面露出的程度为止。由此，如图3的F所示，形成凸部53和成为凹部54的基础的凹部58。
在第十工序中，如图3的G所示，去除抗蚀剂层63。在第十一工序中，如图3的H所示，在AlCu层502之上形成Ti层503。
(5)效果
如以上说明的那样，在实施方式1的弹性波装置1中，在高声速支承基板2(高声速构件)依次设置有低声速膜3、压电膜4及IDT电极5的层叠构造中，在IDT电极5的多个电极指51各自的第一方向D1上的中央区域形成有凹部54，并且，将凸部53沿第一方向D1突出地设置。由此，能够降低频率比基本波高的高次模式的强度。
根据实施方式1的弹性波装置1，通过将各电极指51的第一主体部52形成为锥状，能够进一步降低高次模式的强度。
根据实施方式1的弹性波装置1，与各电极指51仅由一层形成的情况相比，能够选择对各电极指51来说最佳的组合。
根据实施方式1的弹性波装置1，Ti层501与压电膜4的密接性比Al系层(AlCu层502)高，Ti层501作为粘接层发挥功能，因此，能够提高压电膜4与电极指51之间的粘接强度。
(6)变形例
以下，对实施方式1的变形例进行说明。
作为实施方式1的变形例1，也可以设置图4所示的凸部53a。
如图4所示，弹性波装置1a具备IDT电极5a来取代IDT电极5(参照图1)。IDT电极5a与实施方式1的IDT电极5同样地包含多个电极指51a。而且，在多个电极指51a的各个电极指51a中，AlCu层502包含第一主体部52a和第二主体部59a。第二主体部59a包含两个凸部53a。另外，第二主体部59a具有凹部54。
两个凸部53a设置为从第二主体部59a中的第一主体部52a上的部分的第一方向D1上的两端突出。各凸部53a形成为沿着第一方向D1的平板状。
作为实施方式1的变形例2，也可以设置图5所示的凸部53b。
如图5所示，弹性波装置1b具备IDT电极5b来取代IDT电极5(参照图1)。IDT电极5b与实施方式1的IDT电极5同样地包含多个电极指51b。而且，在多个电极指51b的各个电极指51b中，AlCu层502包含第一主体部52b和第二主体部59b。第二主体部59b包含两个凸部53b。另外，第二主体部59b具有凹部54。
两个凸部53b设置为从第二主体部59b中的第一主体部52b上的部分的第一方向D1上的两端突出。各凸部53b在从与第一方向D1及第二方向D2正交的第三方向的俯视观察下，未沿着第一方向D1突出，而是形成为随着朝向前端而接近压电膜4侧。
作为实施方式1的变形例3，弹性波装置1c也可以具备图6所示的IDT电极5c。
IDT电极5c与实施方式1的IDT电极5同样地包含多个电极指51c。而且，在多个电极指51c的各个电极指51c中，AlCu层502包含第一主体部52c和第二主体部59c。第二主体部59c包含两个凸部53c。另外，第二主体部59c具有凹部54。
第一主体部52c未形成为锥状，而是形成为长方形状。也就是说，第一方向D1上的第一主体部52c的基端的宽度与前端的宽度相同。这里，“第一方向D1上的第一主体部52c的基端的宽度与前端的宽度相同”并不局限于基端的宽度与前端的宽度严格地相同，也包含基端的宽度与前端的宽度之差的绝对值相对于基端的宽度在5％以内的关系。
两个凸部53c沿第一方向D1突出地设置。各凸部53c与变形例1的各凸部53a同样地形成为沿着第一方向D1的平板状。
这里，参照图7对变形例3的弹性波装置1c的频率特性进行说明。图7表示变形例3的弹性波装置1c的频率特性B1和比较例2的弹性波装置的频率特性B2。在比较例2的弹性波装置中，在IDT电极的多个电极指均未设置凸部。
如图7的频率特性所示，变形例3的弹性波装置1c与比较例2的弹性波装置相比，高次模式的强度小。也就是说，在变形例3的弹性波装置1c中，通过IDT电极5c的多个电极指51c包含凸部53c，能够降低高次模式的强度。
在上述的各变形例的弹性波装置1a、1b、1c中，也起到与实施方式1的弹性波装置1同样的效果。
(实施方式2)
图8所示的实施方式2的弹性波装置1d与实施方式1的弹性波装置1(参照图1)的不同之处在于，高声速构件的结构不同。需要说明的是，关于实施方式2的弹性波装置1d，针对与实施方式1的弹性波装置1同样的构成要素，标注相同的标记并省略说明。
弹性波装置1d具备支承基板21、高声速膜22、低声速膜3、压电膜4以及IDT电极5d。在实施方式2中，高声速膜22构成高声速构件。
实施方式2的弹性波装置1d也与实施方式1的弹性波装置1同样地用于例如谐振器或带通滤波器。
接着，参照附图对实施方式2的弹性波装置1d的各构成要素进行说明。
支承基板21的材料为蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、水晶等压电体、氧化铝、氧化镁、氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石等各种陶瓷、玻璃等电介质、或者硅、氮化镓等半导体、以及树脂基板等。
高声速膜22设置在支承基板21之上。高声速膜22是与在压电膜4传播的弹性波的声速相比所传播的弹性波的声速为高速的膜。高声速膜22作用为，将弹性波封入到层叠有压电膜4及低声速膜3的部分，使得弹性波不泄漏到比高声速膜22靠下的构造(支承基板21)。
在该构造中，为了得到滤波器、谐振器的特性而利用的特定模式的弹性波的能量分布在压电膜4及低声速膜3的整体，也分布在高声速膜22的面向低声速膜3的部分，不分布在支承基板21。由高声速膜22封入弹性波的机制是与作为非泄漏的SH波的洛夫波型的表面波的情况同样的机制，例如，记载于文献“弹性表面波デバイスシミユレ一ション技術入門(声表面波器件仿真技术入门)”，桥本研也，Realize公司，p.26-p.28。上述机制与使用基于声学多层膜的布拉格反射器来封入弹性波的机制不同。
高声速膜22的材料为类金刚石碳(Diamond-like Carbon：DLC)膜、氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、水晶等压电体、氧化铝、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石等各种陶瓷、氧化镁金刚石、或者以上述各材料为主成分的材料、以上述各材料的混合物为主成分的材料。
关于高声速膜22的膜厚，由于高声速膜22具有将弹性波封入到压电膜4及低声速膜3的功能，因此，优选高声速膜22的膜厚越厚越好。通过将高声速膜22的膜厚设为0.3λ以上，能够使谐振点处的能量集中度成为100％。进而，通过将高声速膜22的膜厚设为0.5λ以上，能够使反谐振点处的能量集中度也成为100％，能够得到更加良好的器件特性。
IDT电极5d与实施方式1的IDT电极5(参照图1)同样地包含多个电极指51d和两个汇流条(未图示)，且设置于压电膜4的主面41。需要说明的是，关于实施方式2的IDT电极5d，针对与实施方式1的IDT电极5同样的结构及功能省略说明。
而且，在IDT电极5d中，多个电极指51d分别具有Ti层501、AlCu层502(Al系层、金属层)以及Ti层503。AlCu层502具有第一主体部52d和第二主体部59d。第二主体部59d具有两个凸部53d。另外，第二主体部59d具有凹部54。
两个凸部53d设置为从第一主体部52d上的部分的两端沿第一方向D1突出。各凸部53d在从与第一方向D1及第二方向D2正交的方向的俯视观察下形成为三角形。
在以上说明的实施方式2的弹性波装置1d中，也在IDT电极5d的多个电极指51d分别沿第一方向D1突出地设置有凸部53d。由此，在实施方式2的弹性波装置1d中，也与实施方式1的弹性波装置1同样地，能够降低频率比基本波高的高次模式的强度。
以下，对实施方式2的变形例进行说明。
作为实施方式2的变形例1，也可以设置图9所示的凸部53e。
如图9所示，弹性波装置1e具备IDT电极5e来取代IDT电极5d(参照图8)。IDT电极5e与实施方式2的IDT电极5d同样地包含多个电极指51e。而且，在多个电极指51e的各个电极指51e中，AlCu层502包含第一主体部52e和第二主体部59e。第二主体部59e包含两个凸部53e。另外，第二主体部59e具有凹部54。
两个凸部53e设置为从第二主体部59e中的第一主体部52e上的部分的第一方向D1上的两端突出。各凸部53e形成为沿着第一方向D1的平板状。
作为实施方式2的变形例2，也可以设置图10所示的凸部53f。
如图10所示，弹性波装置1f具备IDT电极5f来取代IDT电极5d(参照图8)。IDT电极5f与实施方式1的IDT电极5同样地包含多个电极指51f。而且，在多个电极指51f的各个电极指51f中，AlCu层502包含第一主体部52f和第二主体部59f。第二主体部59f包含两个凸部53f。另外，第二主体部59f具有凹部54。
两个凸部53f设置为从第二主体部59f中的第一主体部52f上的部分的第一方向D1上的两端突出。各凸部53f在从与第一方向D1及第二方向D2正交的第三方向的俯视观察下，未沿着第一方向D1突出，而是形成为随着朝向前端而接近压电膜4侧。
作为实施方式2的变形例3，弹性波装置1g也可以具备图11所示的IDT电极5g。
IDT电极5g与实施方式2的IDT电极5d同样地包含多个电极指51g。而且，在多个电极指51g的各个电极指51g中，AlCu层502包含第一主体部52g和第二主体部59g。第二主体部59g包含两个凸部53g。另外，第二主体部59g具有凹部54。
第一主体部52g未形成为锥状，而是形成为长方形状。也就是说，第一方向D1上的第一主体部52g的基端的宽度与前端的宽度相同。这里，“第一方向D1上的第一主体部52g的基端的宽度与前端的宽度相同”并不局限于基端的宽度与前端的宽度严格地相同，也包含基端的宽度与前端的宽度之差的绝对值相对于基端的宽度在5％以内的关系。
两个凸部53g沿第一方向D1突出地设置。各凸部53g与变形例1的各凸部53e同样地形成为沿着第一方向D1的平板状。
在上述的各变形例的弹性波装置1e、1f、1g中，也起到与实施方式2的弹性波装置1d同样的效果。
(参考例)
作为参考例，对图12所示的弹性波装置1h进行说明。如图12所示，弹性波装置1h与实施方式1的弹性波装置1(参照图1)的不同之处在于，在IDT电极5h的多个电极指51h的中央区域不具有凹部54。需要说明的是，关于参考例的弹性波装置1h，针对与实施方式1的弹性波装置1同样的构成要素，标注相同的标记并省略说明。
弹性波装置1h与实施方式1的弹性波装置1同样地具备高声速支承基板2、低声速膜3、压电膜4以及IDT电极5h。参考例的高声速支承基板2、低声速膜3以及压电膜4具有与实施方式1的高声速支承基板2、低声速膜3以及压电膜4同样的功能。而且，参考例的弹性波装置1h也与实施方式1的弹性波装置1同样地用于例如谐振器或带通滤波器。
IDT电极5h包含多个电极指51h和两个汇流条(未图示)，且设置于压电膜4的主面41。
多个电极指51h分别在第二方向D2上的前端部形成为平坦。也就是说，在各电极指51h的第一方向D1上的中央区域未形成凹部54(参照图1)。
需要说明的是，在弹性波装置1h中，IDT电极5h的多个电极指51h的各凸部53h也可以形成为沿着第一方向D1的平板状。各凸部53h是与实施方式1的变形例1的凸部53a(参照图4)同样的形状。
在弹性波装置1h中，也可以为，各凸部53h在从与第一方向D1及第二方向D2正交的第三方向的俯视观察下，未沿着第一方向D1突出，而是形成为随着朝向前端而接近压电膜4侧。各凸部53h是与实施方式1的变形例2的凸部53b(参照图5)同样的形状。
第一主体部52h也可以不形成为锥状而形成为长方形状。也就是说，第一方向D1上的第一主体部52h的基端的宽度与前端的宽度相同。第一主体部52h是与实施方式1的变形例3的第一主体部52c(参照图6)同样的形状。这里，“第一方向D1上的第一主体部52h的基端的宽度与前端的宽度相同”并不局限于基端的宽度与前端的宽度严格地相同，也包含基端的宽度与前端的宽度具有5％以内的差的关系。
此外，弹性波装置1h也可以具备支承基板及高声速膜来取代高声速支承基板2。支承基板及高声速膜例如与实施方式2的支承基板21及高声速膜22(图8参照)同样。
以上说明的实施方式及变形例只不过是本发明的各种实施方式及变形例的一部分。另外，实施方式及变形例只要能够实现本发明的目的，则也能够根据设计等而进行各种变更。
(总结)
根据以上说明的实施方式及变形例而公开了以下的方式。
第一方式的弹性波装置1、1a～1c、1d、1e～1g具备压电膜4、高声速构件(高声速支承基板2、高声速膜22)、低声速膜3以及IDT电极5、5a～5c、5d、5e～5g。高声速构件是与在压电膜4传播的弹性波的声速相比所传播的弹性波的声速为高速的构件。低声速膜3设置在压电膜4与高声速构件之间，是与在压电膜4传播的弹性波的声速相比所传播的弹性波的声速为低速的膜。IDT电极5、5a～5c、5d、5e～5g设置于压电膜4的主面41。IDT电极5、5a～5c、5d、5e～5g具有多个电极指51、51a～51c、51d、51e～51g。多个电极指51、51a～51c、51d、51e～51g相互分离地沿第一方向D1并排设置。多个电极指51、51a～51c、51d、51e～51g的至少一个电极指具有第一金属层(AlCu层502)。第一金属层(AlCu层502)包含第一主体部52、52a～52c、52d、52e～52g和第二主体部59、59a～59c、59d、59e～59g。第一主体部52、52a～52c、52d、52e～52g直接或间接地设置于压电膜4的主面41。第二主体部59、59a～59c、59d、59e～59g设置在第一主体部52、52a～52c、52d、52e～52g上。第二主体部59、59a～59c、59d、59e～59g具有凹部54，且包含凸部53。凹部54形成在该电极指中的第一方向D1的中央区域56，且在压电膜4的厚度方向D2上凹陷。凸部53、53a～53c、53d、53e～53g在第一方向D1上比第一主体部52、52a～52c、52d、52e～52g的至少一部分突出。
第一方式的弹性波装置1、1a～1c、1d、1e～1g具有在高声速构件(高声速支承基板2、高声速膜22)依次设置有低声速膜3、压电膜4及IDT电极5、5a～5c、5d、5e～5g的层叠构造。而且，在IDT电极5、5a～5c、5d、5e～5g的多个电极指51、51a～51c、51d、51e～51g的至少一个电极指的第一方向D1上的中央区域56形成有凹部54，并且，凸部53、53a～53c、53d、53e～53g沿第一方向D1突出地设置。由此，能够降低频率比基本波高的高次模式的强度。
第二方式的弹性波装置1、1a、1b、1d、1e、1f在第一方式的基础上，第一主体部52、52a～52c、52d、52e～52g形成为锥状，使得随着从第二方向D2上的面向压电膜4的基端朝向第二主体部59、59a～59c、59d、59e～59g而使第一方向D1的宽度变窄。
根据第二方式的弹性波装置1、1a、1b、1d、1e、1f，通过各电极指51、51a～51c、51d、51e～51g的第一主体部52、52a～52c、52d、52e～52g形成为锥状，能够进一步降低高次模式的强度。
第三方式的弹性波装置1、1a～1c、1d、1e～1g在第一方式或第二方式的基础上，多个电极指51、51a～51c、51d、51e～51g的上述至少一个电极指具有包含第一金属层(AlCu层502)在内的两层以上的层。
根据第三方式的弹性波装置1、1a～1c、1d、1e～1g，与电极指51、51a～51c、51d、51e～51g仅由一层形成的情况相比，能够选择对电极指51、51a～51c、51d、51e～51g来说最佳的组合。
第四方式的弹性波装置1、1a～1c、1d、1e～1g在第三方式的基础上，多个电极指51、51a～51c、51d、51e～51g的上述至少一个电极指还具有密接层(Ti层501)。密接层设置于压电膜4的主面41。第一金属层是设置在隔着密接层而与压电膜4相反的一侧的Al系层(AlCu层502)。
根据第四方式的弹性波装置1、1a～1c、1d、1e～1g，能够提高压电膜4与电极指51、51a～51c、51d、51e～51g之间的粘接强度。
第五方式的弹性波装置1、1a～1c、1d、1e～1g在第四方式的基础上，多个电极指51、51a～51c、51d、51e～51g的至少一个电极指还具有Ti层503。Ti层503设置在Al系层(AlCu层502)之上。
第六方式的弹性波装置1、1a～1c在第一方式～第五方式中任一方式的基础上，高声速构件包含高声速支承基板2。
第七方式的弹性波装置1d、1e～1g在第一方式～第五方式中任一方式的基础上，还具备支承基板21。高声速构件包含高声速膜22。高声速膜22设置在支承基板21上。
第八方式的弹性波装置1、1a～1c、1d、1e～1g在第一方式～第七方式中任一方式的基础上，压电膜4由LiTaO3、LiNbO3、ZnO、AlN或PZT构成。
第九方式的弹性波装置1、1a～1c、1d、1e～1g在第一方式～第八方式中任一方式的基础上，低声速膜3包含从由氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽及向氧化硅添加了氟、碳或硼而得到的化合物构成的组中选择的至少一种材料。
第十方式的弹性波装置1、1a～1c在第六方式的基础上，高声速支承基板2包含从由硅、氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、水晶、氧化铝、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石及氧化镁金刚石构成的组中选择的至少一种材料。
第十一方式的弹性波装置1d、1e～1g在第七方式的基础上，支承基板21包含从蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、水晶、氧化铝、氧化镁、氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石、玻璃、硅、氮化镓及树脂中选择的至少一种材料。
第十二方式的弹性波装置1d、1e～1g在第七方式或第十一方式的基础上，高声速膜22包含从由类金刚石碳、氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、水晶、氧化铝、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石及氧化镁金刚石构成的组中选择的至少一种材料。

Claims (12)

1.一种弹性波装置，其特征在于，
所述弹性波装置具备：
压电膜；
高声速构件，与在所述压电膜传播的弹性波的声速相比，在该高声速构件传播的弹性波的声速为高速；
低声速膜，其设置在所述压电膜与所述高声速构件之间，与在所述压电膜传播的弹性波的声速相比，在该低声速膜传播的弹性波的声速为低速；以及
IDT电极，其设置于所述压电膜的主面，
所述IDT电极具有相互分离地沿第一方向并排设置的多个电极指，
所述多个电极指的至少一个电极指具有第一金属层，
所述第一金属层包括：
第一主体部，其直接或间接地设置于所述压电膜的所述主面；以及
第二主体部，其设置在所述第一主体部上，
所述第二主体部具有凹部，该凹部形成在所述电极指中的所述第一方向的中央区域，且在所述压电膜的厚度方向上凹陷，并且，
所述第二主体部具有凸部，该凸部在所述第一方向上比所述第一主体部的至少一部分突出。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于，
所述第一主体部形成为锥状，使得所述第一主体部的所述第一方向的宽度随着从在所述压电膜的厚度方向上面向所述压电膜的基端朝向所述第二主体部侧而变窄。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其特征在于，
所述多个电极指的所述至少一个电极指具有包含所述第一金属层在内的两层以上的层。
4.根据权利要求3所述的弹性波装置，其特征在于，
所述多个电极指的所述至少一个电极指还具有在所述压电膜的所述主面设置的密接层，
所述第一金属层是相对于所述密接层而设置在所述压电膜的相反侧的Al系层。
5.根据权利要求4所述的弹性波装置，其特征在于，
所述多个电极指的所述至少一个电极指还具有设置在所述Al系层之上的Ti层。
6.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其特征在于，
所述高声速构件包含高声速支承基板。
7.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其特征在于，
所述弹性波装置还具备支承基板，
所述高声速构件包含设置在所述支承基板上的高声速膜。
8.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其特征在于，
所述压电膜由LiTaO3、LiNbO3、ZnO、AlN或PZT构成。
9.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其特征在于，
所述低声速膜包含从由氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽及向氧化硅添加了氟、碳或硼而得到的化合物构成的组中选择的至少一种材料。
10.根据权利要求6所述的弹性波装置，其特征在于，
所述高声速支承基板包含从由硅压电体、氮化铝压电体、氧化铝压电体、碳化硅压电体、氮化硅压电体、蓝宝石压电体、钽酸锂压电体、铌酸锂压电体、水晶压电体、氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷、堇青石陶瓷、莫来石陶瓷、滑石陶瓷、镁橄榄石陶瓷及氧化镁金刚石构成的组中选择的至少一种材料。
11.根据权利要求7所述的弹性波装置，其特征在于，
所述支承基板包含从蓝宝石压电体、钽酸锂压电体、铌酸锂压电体、水晶压电体、氧化铝陶瓷、氧化镁陶瓷、氮化硅陶瓷、氮化铝陶瓷、碳化硅陶瓷、氧化锆陶瓷、堇青石陶瓷、莫来石陶瓷、滑石陶瓷、镁橄榄石陶瓷、玻璃电介质、硅半导体、氮化镓半导体及树脂选择的至少一种材料。
12.根据权利要求7所述的弹性波装置，其特征在于，
所述高声速膜包含从由类金刚石碳压电体、氮化铝压电体、氧化铝压电体、碳化硅压电体、氮化硅压电体、硅压电体、蓝宝石压电体、钽酸锂压电体、铌酸锂压电体、水晶压电体、氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷、堇青石陶瓷、莫来石陶瓷、滑石陶瓷、镁橄榄石陶瓷及氧化镁金刚石构成的组中选择的至少一种材料。
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