JP2019114986A - 弾性波装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】基本波よりも周波数が高い高次モードの強度を低減させる。【解決手段】弾性波装置１は、圧電膜４と、高音速部材と、低音速膜３と、ＩＤＴ電極５とを備える。低音速膜３は、圧電膜４と高音速部材との間に設けられており、圧電膜４を伝搬する弾性波の音速よりも、伝搬する弾性波の音速が低速である膜である。ＩＤＴ電極５は、複数の電極指５１を有する。複数の電極指５１は、互いに離隔して第１方向Ｄ１に並んで設けられている。複数の電極指５１の少なくとも１つは、金属層を有する。金属層は、第１本体部５２と、第２本体部５９とを含む。凹部５４は、第１方向Ｄ１における電極指５１の中央領域に形成されており、第２方向Ｄ２に窪んでいる。凸部５３は、第１方向Ｄ１に突出して設けられている。【選択図】図１
Description
本発明は、一般に弾性波装置に関し、特に、圧電膜及びＩＤＴ電極を備える弾性波装置に関する。
従来、共振子や帯域フィルタなどに用いられる弾性波装置が知られている（例えば特許文献１参照）。
特許文献１に記載された弾性波装置では、高音速支持基板上に、低音速膜、圧電膜、及びＩＤＴ電極がこの順序で積層されている。高音速支持基板を伝搬する弾性波の音速は、圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも高速である。低音速膜を伝搬する弾性波の音速は、圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも低速である。
しかしながら、特許文献１に記載された従来の弾性波装置では、基本波よりも周波数が高い高次モードの強度が大きいという問題があった。
本発明は上記の点に鑑みてなされた発明であり、本発明の目的は、基本波よりも周波数が高い高次モードの強度を低減させることができる弾性波装置を提供することにある。
本発明の一態様に係る弾性波装置は、圧電膜と、高音速部材と、低音速膜と、ＩＤＴ電極とを備える、前記高音速部材は、前記圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも、伝搬する弾性波の音速が高速である部材である。前記低音速膜は、前記圧電膜と前記高音速部材との間に設けられており、前記圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも、伝搬する弾性波の音速が低速である膜である。前記ＩＤＴ電極は、前記圧電膜の主面に設けられている。前記ＩＤＴ電極は、複数の電極指を有する。前記複数の電極指は、互いに離隔して第１方向に並んで設けられている。前記複数の電極指の少なくとも１つは、少なくとも１つの金属層を有する。前記金属層は、第１本体部と、第２本体部とを含む。前記第１本体部は、前記圧電膜の前記主面に直接的又は間接的に設けられている。前記第２本体部は、前記第１方向と直交しかつ前記圧電膜の厚さ方向である第２方向において前記第１本体部を挟んで前記圧電膜とは反対側に設けられている。第２本体部は、凹部を有し、かつ、少なくとも１つの凸部を含む。前記凹部は、前記第１方向における端部領域間に位置する中央領域に形成されており、前記第２方向に窪んでいる。前記凸部は、前記第１方向及び前記第２方向の両方と直交する第３方向からの平面視で前記第１方向に突出して設けられている。
本発明の上記態様に係る弾性波装置によれば、基本波よりも周波数が高い高次モードの強度を低減させることができる。
以下の実施形態１〜３の各々は、一般に弾性波装置に関し、より詳細には、圧電膜及びＩＤＴ電極を備える弾性波装置に関する。
以下、実施形態１〜３に係る弾性波装置について、図面を参照して説明する。
下記の実施形態等において説明する図１、図３Ａ〜３Ｈ、図４〜図６、図８〜図１１は、模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
（実施形態１）
（１）弾性波装置の全体構成
まず、実施形態１に係る弾性波装置１の全体構成について、図面を参照して説明する。
（１）弾性波装置の全体構成
まず、実施形態１に係る弾性波装置１の全体構成について、図面を参照して説明する。
実施形態１に係る弾性波装置１は、図１に示すように、高音速支持基板２と、低音速膜３と、圧電膜４と、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極５とを備える。低音速膜３は、圧電膜４を伝搬する弾性波の音速よりも、伝搬する弾性波の音速が低速である膜である。ＩＤＴ電極５は、圧電膜４の主面４１に設けられており、複数の電極指５１を有する。複数の電極指５１は、互いに離隔して第１方向Ｄ１に並んで設けられている。実施形態１に係る弾性波装置１は、例えば共振子又は帯域フィルタに用いられる。
このような弾性波装置１において、ＩＤＴ電極５の複数の電極指５１の各々は、Ｔｉ層５０１と、ＡｌＣｕ層５０２と、Ｔｉ層５０３とを有する。ＡｌＣｕ層５０２は、第１本体部５２と、第２本体部５９とを有する。第１本体部５２は、圧電膜４の主面４１に直接的又は間接的に設けられている。第２本体部５９は、凹部５４を有し、かつ、少なくとも１つの凸部５３を含む。凸部５３は、第１方向Ｄ１に突出して設けられている。
（２）弾性波装置の各構成要素
次に、実施形態１に係る弾性波装置１の各構成要素について、図面を参照して説明する。
次に、実施形態１に係る弾性波装置１の各構成要素について、図面を参照して説明する。
（２．１）高音速支持基板
高音速支持基板２は、圧電膜４を伝搬する弾性波の音速より、伝搬する弾性波の音速が高速である基板である。ここで、高音速支持基板２は、高音速部材を構成する。
高音速支持基板２は、圧電膜４を伝搬する弾性波の音速より、伝搬する弾性波の音速が高速である基板である。ここで、高音速支持基板２は、高音速部材を構成する。
高音速支持基板２の材料は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、マグネシアダイヤモンド、又は、上記各材料を主成分とする材料、上記各材料の混合物を主成分とする材料である。
（２．２）低音速膜
低音速膜３は、圧電膜４を伝搬する弾性波の音速より、伝搬する弾性波の音速が低速である膜である。低音速膜３は、高音速支持基板２と圧電膜４との間に設けられている。低音速膜３が高音速支持基板２と圧電膜４との間に設けられていることにより、弾性波の音速が低下する。弾性波は本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中する。したがって、圧電膜４内及び弾性波が励振されているＩＤＴ電極５内への弾性波のエネルギーの閉じ込め効果を高めることができる。その結果、低音速膜３が設けられていない場合に比べて、損失を低減し、Ｑ値を高めることができる。
低音速膜３は、圧電膜４を伝搬する弾性波の音速より、伝搬する弾性波の音速が低速である膜である。低音速膜３は、高音速支持基板２と圧電膜４との間に設けられている。低音速膜３が高音速支持基板２と圧電膜４との間に設けられていることにより、弾性波の音速が低下する。弾性波は本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中する。したがって、圧電膜４内及び弾性波が励振されているＩＤＴ電極５内への弾性波のエネルギーの閉じ込め効果を高めることができる。その結果、低音速膜３が設けられていない場合に比べて、損失を低減し、Ｑ値を高めることができる。
低音速膜３の材料は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素、炭素、若しくはホウ素を加えた化合物、又は、上記各材料を主成分とする材料である。
低音速膜３の材料が酸化ケイ素である場合、温度特性を改善することができる。圧電膜４の材料であるＬｉＴａＯ３の弾性定数が負の温度特性を有し、酸化ケイ素の温度特性が正の温度特性を有する。したがって、弾性波装置１では、ＴＣＦ（Temperature Coefficients of Frequency：周波数温度係数）の絶対値を小さくすることができる。さらに、酸化ケイ素の固有音響インピーダンスは、圧電膜４の材料であるＬｉＴａＯ３の固有音響インピーダンスより小さい。したがって、電気機械結合係数の増大すなわち比帯域の拡大と、周波数温度特性の改善との両方を図ることができる。
低音速膜３の膜厚は、ＩＤＴ電極５の電極指の周期で定まる弾性波の波長をλとすると、２．０λ以下であることが好ましい。低音速膜３の膜厚を２．０λ以下とすることにより、膜応力を低減させることができ、その結果、ウェハの反りを低減させることができ、良品率の向上及び特性の安定化が可能となる。また、低音速膜３の膜厚が０．１λ以上０．５λ以下の範囲内であれば、電気機械結合係数がほとんど変わらない。
（２．３）圧電膜
圧電膜４は、低音速膜３上に直接又は間接的に積層されている。圧電膜４の材料は、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３、ＺｎＯ、ＡｌＮ、又はＰＺＴである。
圧電膜４は、低音速膜３上に直接又は間接的に積層されている。圧電膜４の材料は、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３、ＺｎＯ、ＡｌＮ、又はＰＺＴである。
高音速支持基板２の厚さ方向（第２方向Ｄ２）における圧電膜４の膜厚は、３．５λ以下であることが好ましい。圧電膜４の膜厚が３．５λ以下である場合、Ｑ値が高くなる。また、圧電膜４の膜厚を２．５λ以下とすることで、ＴＣＦを小さくすることができる。さらに、圧電膜４の膜厚を１．５λ以下とすることで、弾性波の音速の調整が容易になる。
（２．４）ＩＤＴ電極
ＩＤＴ電極５は、複数の電極指５１と、２つのバスバー（図示せず）とを含み、圧電膜４の主面４１に設けられている。複数の電極指５１は、第１方向Ｄ１において互いに並んで配置されている。２つのバスバーは、第１方向Ｄ１を長手方向とする長尺状に形成されており、複数の電極指５１と電気的に接続されている。より詳細には、複数の電極指５１は、複数の第１電極指と、複数の第２電極指とを有する。複数の第１電極指は、２つのバスバーのうちの第１バスバーと電気的に接続されている。複数の第２電極指は、２つのバスバーのうちの第２バスバーと電気的に接続されている。
ＩＤＴ電極５は、複数の電極指５１と、２つのバスバー（図示せず）とを含み、圧電膜４の主面４１に設けられている。複数の電極指５１は、第１方向Ｄ１において互いに並んで配置されている。２つのバスバーは、第１方向Ｄ１を長手方向とする長尺状に形成されており、複数の電極指５１と電気的に接続されている。より詳細には、複数の電極指５１は、複数の第１電極指と、複数の第２電極指とを有する。複数の第１電極指は、２つのバスバーのうちの第１バスバーと電気的に接続されている。複数の第２電極指は、２つのバスバーのうちの第２バスバーと電気的に接続されている。
複数の電極指５１の材料は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、若しくはＷ、又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金など適宜の金属材料により形成されている。また、複数の電極指５１は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有してもよい。
図１の例では、複数の電極指５１の各々は、Ｔｉ層５０１と、ＡｌＣｕ層５０２（Ａｌ系層、金属層）と、Ｔｉ層５０３とを有する。Ｔｉ層５０１とＡｌＣｕ層５０２とＴｉ層５０３とが、この順で積層されている。Ｔｉ層５０１は、圧電膜４に対する密着性が優れているので、密着層として機能する。また、ＡｌＣｕ層５０２に比べて、Ｔｉ層５０１及びＴｉ層５０３の各々の膜厚は薄い。なお、密着層は、Ｔｉ層５０１に限らず、Ｃｒ層又はＮｉＣｒ層であってもよい。
上記のようなＩＤＴ電極５において、各電極指５１のＡｌＣｕ層５０２は、第１本体部５２と、第２本体部５９とを有する。
第１本体部５２は、Ｔｉ層５０１を介して圧電膜４の主面４１に間接的に設けられている。すなわち、第１本体部５２は、Ｔｉ層５０１を介して圧電膜４の主面４１から、圧電膜４の厚さ方向である第２方向Ｄ２に突出して設けられている。
第１本体部５２は、テーパ状に形成されている。より詳細には、第１本体部５２は、第２方向Ｄ２において圧電膜４側に位置する基端から、第２方向Ｄ２において基端とは反対側である第２本体部５９側に向かうにつれて第１方向Ｄ１の幅が狭くなるように形成されている。
第２本体部５９は、第２方向Ｄ２において、第１本体部５２を挟んで圧電膜４とは反対側に設けられている。第２本体部５９は、２つの凸部５３を含む。
２つの凸部５３は、第１本体部５２上の部分の両端から第１方向Ｄ１に突出して設けられている。言い換えると、各凸部５３は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２と直交する第３方向からの平面視で、第１方向Ｄ１に突出して設けられている。各凸部５３は、第３方向からの平面視で三角形状に形成されている。
第２本体部５９は、第２方向Ｄ２における先端部において、第１方向Ｄ１における中央領域に形成されている凹部５４を有する。言い換えると、凹部５４は、第１方向Ｄ１における電極指５１の端部領域５５間に位置する中央領域５６に形成されている。電極指５１の中央領域５６は、第１方向Ｄ１において、電極指５１の２つの端部領域５５に挟まれた領域である。凹部５４は、第２方向Ｄ２に窪んでいる。
（３）弾性波装置の特性
次に、実施形態１に係る弾性波装置１の周波数特性について、図２を参照して説明する。図２は、実施形態１に係る弾性波装置１の周波数特性Ａ１と、比較例１の弾性波装置の周波数特性Ａ２を示す。図２の横軸は周波数、縦軸は強度を示す。比較例１の弾性波装置では、ＩＤＴ電極の複数の電極指の各々に凸部が設けられていない。
次に、実施形態１に係る弾性波装置１の周波数特性について、図２を参照して説明する。図２は、実施形態１に係る弾性波装置１の周波数特性Ａ１と、比較例１の弾性波装置の周波数特性Ａ２を示す。図２の横軸は周波数、縦軸は強度を示す。比較例１の弾性波装置では、ＩＤＴ電極の複数の電極指の各々に凸部が設けられていない。
図２の周波数特性に示すとおり、実施形態１に係る弾性波装置１のほうが、比較例１の弾性波装置よりも、基本波よりも周波数が高い高次モードの強度が小さい。つまり、実施形態１に係る弾性波装置１では、ＩＤＴ電極５の複数の電極指５１が凸部５３を含むことにより、高次モードの強度を低減させることができる。
なお、圧電膜４を伝搬する弾性波のモードとして、縦波、ＳＨ波、若しくはＳＶ波、又はこれらが複合したモードが存在する。そして、実施形態１に係る弾性波装置１は、ＳＨ波を主成分とするモードをメインモードとして使用している。高次モードとは、圧電膜４を伝搬する弾性波のメインモードよりも高周波数側に発生するスプリアスモードのことである。
（４）弾性波装置の製造方法
次に、実施形態１に係る弾性波装置１の製造方法について、図３Ａ〜図３Ｈを参照して説明する。実施形態１に係る弾性波装置１は、第１工程から第１１工程により製造される。
次に、実施形態１に係る弾性波装置１の製造方法について、図３Ａ〜図３Ｈを参照して説明する。実施形態１に係る弾性波装置１は、第１工程から第１１工程により製造される。
第１工程では、高音速支持基板２を準備する。第２工程では、高音速支持基板２の上に低音速膜３を形成する。第３工程では、低音速膜３の上に圧電膜４を形成する。
次に、第４工程〜第１１工程によって、圧電膜４にＩＤＴ電極５を形成する。
第４工程では、図３Ａに示すように、圧電膜４の主面４１にレジスト層６１を形成する。より詳細には、圧電膜４の主面４１のうちＩＤＴ電極５の複数の電極指５１が設けられる領域以外の領域にレジスト層６１を形成する。
第５工程では、図３Ｂに示すように、Ｔｉ層５０１の元になるＴｉ膜６２１を、圧電膜４の主面４１及びレジスト層６１を覆うように形成する。さらに、Ｔｉ膜６２１の上に、ＡｌＣｕ層５０２の元になるＡｌＣｕ膜６２２を形成する。
第６工程では、図３Ｃに示すように、レジスト層６１を除去する。レジスト層６１を除去することにより、レジスト層６１の上に形成されているＴｉ膜６２１及びＡｌＣｕ膜６２２も除去される。これにより、Ｔｉ層５０１及びＡｌＣｕ層５０２が形成される。
第７工程では、図３Ｄに示すように、圧電膜４の主面４１にレジスト層６３を形成する。より詳細には、圧電膜４の主面４１のうち、Ｔｉ層５０１及びＡｌＣｕ層５０２が形成されていない領域にレジスト層６３を形成する。ここで、Ｔｉ層５０１の側面と、ＡｌＣｕ層５０２の側面のうち先端側の一部を除く部位とを覆うように、レジスト層６３を形成する。
第８工程では、図３Ｅに示すように、ＡｌＣｕ層５０２及びレジスト層６３を覆うように、凸部５３の元になるＡｌＣｕ膜６４を形成する。
第９工程では、図３Ｆに示すように、ＡｌＣｕ層６４上にレジスト膜を形成する。そのときＡｌＣｕ層６２２の中心部は覆わないようにし、ドライエッチングする。次にレジスト膜を剥離する。次にレジスト層６３の上面が露出する程度までエッチングを行う。これにより、凸部５３と、凹部５４の元になる凹部５８とが形成される。
第１０工程では、図３Ｇに示すように、レジスト層６３を除去する。第１１工程では、図３Ｈに示すように、ＡｌＣｕ層５０２の上にＴｉ層５０３を形成する。
（５）効果
以上説明したように、実施形態１に係る弾性波装置１では、高音速支持基板２（高音速部材）に低音速膜３、圧電膜４、及びＩＤＴ電極５がこの順に設けられている積層構造において、ＩＤＴ電極５の複数の電極指５１の各々に、第１方向Ｄ１における中央領域に凹部５４が形成されており、かつ、凸部５３が第１方向Ｄ１に突出して設けられている。これにより、基本波よりも周波数が高い高次モードの強度を低減させることができる。
以上説明したように、実施形態１に係る弾性波装置１では、高音速支持基板２（高音速部材）に低音速膜３、圧電膜４、及びＩＤＴ電極５がこの順に設けられている積層構造において、ＩＤＴ電極５の複数の電極指５１の各々に、第１方向Ｄ１における中央領域に凹部５４が形成されており、かつ、凸部５３が第１方向Ｄ１に突出して設けられている。これにより、基本波よりも周波数が高い高次モードの強度を低減させることができる。
実施形態１に係る弾性波装置１によれば、各電極指５１の第１本体部５２がテーパ状に形成されていることによって、高次モードの強度を更に低減させることができる。
実施形態１に係る弾性波装置１によれば、各電極指５１が１層のみで形成される場合よりも、各電極指５１にとって最適な組合せを選択することができる。
実施形態１に係る弾性波装置１によれば、Ａｌ系層（ＡｌＣｕ層５０２）よりもＴｉ層５０１のほうが圧電膜４との密着性が高く、Ｔｉ層５０１が接着層として機能するので、圧電膜４と電極指５１との間の接着強度を高めることができる。
（６）変形例
以下、実施形態１の変形例について説明する。
以下、実施形態１の変形例について説明する。
実施形態１の変形例１として、図４に示すような凸部５３ａが設けられていてもよい。
弾性波装置１ａは、図４に示すように、ＩＤＴ電極５（図１参照）に代えて、ＩＤＴ電極５ａを備える。ＩＤＴ電極５ａは、実施形態１のＩＤＴ電極５と同様、複数の電極指５１ａを含む。そして、複数の電極指５１ａの各々において、ＡｌＣｕ層５０２は、第１本体部５２ａと、第２本体部５９ａとを含む。第２本体部５９ａは、２つの凸部５３ａを含む。また、第２本体部５９ａは、凹部５４を有する。
２つの凸部５３ａは、第２本体部５９ａのうちの第１本体部５２ａ上の部分の第１方向Ｄ１における両端から突出して設けられている。各凸部５３ａは、第１方向Ｄ１に沿った平板状に形成されている。
実施形態１の変形例２として、図５に示すような凸部５３ｂが設けられていてもよい。
弾性波装置１ｂは、図５に示すように、ＩＤＴ電極５（図１参照）に代えて、ＩＤＴ電極５ｂを備える。ＩＤＴ電極５ｂは、実施形態１のＩＤＴ電極５と同様、複数の電極指５１ｂを含む。そして、複数の電極指５１ｂの各々において、ＡｌＣｕ層５０２は、第１本体部５２ｂと、第２本体部５９ｂとを含む。第２本体部５９ｂは、２つの凸部５３ｂを含む。また、第２本体部５９ｂは、凹部５４を有する。
２つの凸部５３ｂは、第２本体部５９ｂのうちの第１本体部５２ｂ上の部分の第１方向Ｄ１における両端から突出して設けられている。各凸部５３ｂは、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２と直交する第３方向からの平面視で、第１方向Ｄ１に沿って突出しているのではなく、先端になるにつれて圧電膜４側に近づくように形成されている。
実施形態１の変形例３として、弾性波装置１ｃは、図６に示すようなＩＤＴ電極５ｃを備えてもよい。
ＩＤＴ電極５ｃは、実施形態１のＩＤＴ電極５と同様、複数の電極指５１ｃを含む。そして、複数の電極指５１ｃの各々において、ＡｌＣｕ層５０２は、第１本体部５２ｃと、第２本体部５９ｃとを含む。第２本体部５９は、２つの凸部５３ｃを含む。また、第２本体部５９ｃは、凹部５４を有する。
第１本体部５２ｃは、テーパ状でなく、長方形状に形成されている。つまり、第１方向Ｄ１における第１本体部５２ｃの基端の幅と先端の幅とが同じである。ここで、「第１方向Ｄ１における第１本体部５２ｃの基端の幅と先端の幅とが同じである」とは、基端の幅と先端の幅とが厳格に同一であることに限定されず、基端の幅に対して基端の幅と先端の幅との差の絶対値が５％以内である関係も含む。
２つの凸部５３ｃは、第１方向Ｄ１に突出して設けられている。各凸部５３ｃは、変形例１の各凸部５３ａと同様、第１方向Ｄ１に沿った平板状に形成されている。
ここで、変形例３に係る弾性波装置１ｃの周波数特性について、図７を参照して説明する。図７は、変形例３に係る弾性波装置１ｃの周波数特性Ｂ１と、比較例２の弾性波装置の周波数特性Ｂ２を示す。比較例２の弾性波装置では、ＩＤＴ電極の複数の電極指の各々に凸部が設けられていない。
図７の周波数特性に示すとおり、変形例３に係る弾性波装置１ｃのほうが、比較例２の弾性波装置よりも、高次モードの強度が小さい。つまり、変形例３に係る弾性波装置１ｃでは、ＩＤＴ電極５ｃの複数の電極指５１ｃが凸部５３ｃを含むことにより、高次モードの強度を低減させることができる。
上記の各変形例に係る弾性波装置１ａ，１ｂ，１ｃにおいても、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の効果を奏する。
（実施形態２）
図８に示す実施形態２に係る弾性波装置１ｄは、高音速部材の構成が異なる点で、実施形態１に係る弾性波装置１（図１参照）と相違する。なお、実施形態２に係る弾性波装置１ｄに関し、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
図８に示す実施形態２に係る弾性波装置１ｄは、高音速部材の構成が異なる点で、実施形態１に係る弾性波装置１（図１参照）と相違する。なお、実施形態２に係る弾性波装置１ｄに関し、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
弾性波装置１ｄは、支持基板２１と、高音速膜２２と、低音速膜３と、圧電膜４と、ＩＤＴ電極５ｄとを備える。実施形態２では、高音速膜２２が高音速部材を構成する。
実施形態２に係る弾性波装置１ｄも、実施形態１に係る弾性波装置１と同様、例えば共振子又は帯域フィルタに用いられる。
次に、実施形態２に係る弾性波装置１ｄの各構成要素について、図面を参照して説明する。
支持基板２１の材料は、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、ガラス等の誘電体、又はシリコン、窒化ガリウム等の半導体、及び樹脂基板等である。
高音速膜２２は、支持基板２１の上に設けられている。高音速膜２２は、圧電膜４を伝搬する弾性波の音速より、伝搬する弾性波の音速が高速である膜である。高音速膜２２は、弾性波を圧電膜４及び低音速膜３が積層されている部分に閉じ込め、高音速膜２２より下の構造（支持基板２１）に弾性波が漏れないように機能している。
この構造では、フィルタや共振子の特性を得るために利用する特定のモードの弾性波のエネルギーは圧電膜４及び低音速膜３の全体に分布し、高音速膜２２の低音速膜３側の一部にも分布し、支持基板２１には分布しないことになる。高音速膜２２により弾性波を閉じ込めるメカニズムは非漏洩なＳＨ波であるラブ波型の表面波の場合と同様のメカニズムであり、例えば、文献「弾性表面波デバイスシミュレーション技術入門」、橋本研也、リアライズ社、ｐ．２６−ｐ．２８に記載されている。上記メカニズムは、音響多層膜によるブラッグ反射器を用いて弾性波を閉じ込めるメカニズムとは異なる。
高音速膜２２の材料は、ダイヤモンドライクカーボン（Diamond-like Carbon：ＤＬＣ）膜、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、マグネシアダイヤモンド、又は、上記各材料を主成分とする材料、上記各材料の混合物を主成分とする材料である。
高音速膜２２の膜厚に関しては、弾性波を圧電膜４及び低音速膜３に閉じ込める機能を高音速膜２２が有するため、高音速膜２２の膜厚は厚いほど好ましい。高音速膜２２の膜厚を０．３λ以上にすることで、共振点でのエネルギー集中度を１００％とすることができる。さらに、高音速膜２２の膜厚を０．５λ以上とすることにより、反共振点でのエネルギー集中度も１００％とすることができ、更に良好なデバイス特性を得ることができる。
ＩＤＴ電極５ｄは、実施形態１のＩＤＴ電極５（図１参照）と同様、複数の電極指５１ｄと、２つのバスバー（図示せず）とを含み、圧電膜４の主面４１に設けられている。なお、実施形態２のＩＤＴ電極５ｄに関し、実施形態１のＩＤＴ電極５と同様の構成及び機能については説明を省略する。
そして、ＩＤＴ電極５ｄにおいて、複数の電極指５１ｄの各々は、Ｔｉ層５０１と、ＡｌＣｕ層５０２（Ａｌ系層、金属層）と、Ｔｉ層５０３とを有する。ＡｌＣｕ層５０２は、第１本体部５２ｄと、第２本体部５９ｄとを有する。第２本体部５９ｄは、２つの凸部５３ｄを有する。また、第２本体部５９ｄは、凹部５４を有する。
２つの凸部５３ｄは、第１本体部５２ｄ上の部分両端から第１方向Ｄ１に突出して設けられている。各凸部５３ｄは、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２と直交する方向からの平面視で三角形状に形成されている。
以上説明した実施形態２に係る弾性波装置１ｄにおいても、ＩＤＴ電極５ｄの複数の電極指５１ｄの各々に、凸部５３ｄが第１方向Ｄ１に突出して設けられている。これにより、実施形態２に係る弾性波装置１ｄにおいても、実施形態１に係る弾性波装置１と同様、基本波よりも周波数が高い高次モードの強度を低減させることができる。
以下、実施形態２の変形例について説明する。
実施形態２の変形例１として、図９に示すような凸部５３ｅが設けられていてもよい。
弾性波装置１ｅは、図９に示すように、ＩＤＴ電極５ｄ（図８参照）に代えて、ＩＤＴ電極５ｅを備える。ＩＤＴ電極５ｅは、実施形態２のＩＤＴ電極５ｄと同様、複数の電極指５１ｅを含む。そして、複数の電極指５１ｅの各々において、ＡｌＣｕ層５０２は、第１本体部５２ｅと、第２本体部５９ｅとを含む。第２本体部５９ｅは、２つの凸部５３ｅを含む。また、第２本体部５９ｅは、凹部５４を有する。
２つの凸部５３ｅは、第２本体部５９ｅのうちの第１本体部５２ｅ上の部分の第１方向Ｄ１における両端から突出して設けられている。各凸部５３ｅは、第１方向Ｄ１に沿った平板状に形成されている。
実施形態２の変形例２として、図１０に示すような凸部５３ｆが設けられていてもよい。
弾性波装置１ｆは、図１０に示すように、ＩＤＴ電極５ｄ（図８参照）に代えて、ＩＤＴ電極５ｆを備える。ＩＤＴ電極５ｆは、実施形態１のＩＤＴ電極５と同様、複数の電極指５１ｆを含む。そして、複数の電極指５１ｆの各々において、ＡｌＣｕ層５０２は、第１本体部５２ｆと、第２本体部５９ｆとを含む。第２本体部５９ｆは、２つの凸部５３ｆを含む。また、第２本体部５９ｆは、凹部５４を有する。
２つの凸部５３ｆは、第２本体部５９ｆのうちの第１本体部５２ｆ上の部分の第１方向Ｄ１における両端から突出して設けられている。各凸部５３ｆは、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２と直交する第３方向からの平面視で、第１方向Ｄ１に沿って突出しているのではなく、先端になるにつれて圧電膜４側に近づくように形成されている。
実施形態２の変形例３として、弾性波装置１ｇは、図１１に示すようなＩＤＴ電極５ｇを備えてもよい。
ＩＤＴ電極５ｇは、実施形態２のＩＤＴ電極５ｄと同様、複数の電極指５１ｇを含む。そして、複数の電極指５１ｇの各々において、ＡｌＣｕ層５０２は、第１本体部５２ｇと、第２本体部５９ｇとを含む。第２本体部５９ｇは、２つの凸部５３ｇを含む。また、第２本体部５９ｇは、凹部５４を有する。
第１本体部５２ｇは、テーパ状でなく、長方形状に形成されている。つまり、第１方向Ｄ１における第１本体部５２ｇの基端の幅と先端の幅とが同じである。ここで、「第１方向Ｄ１における第１本体部５２ｇの基端の幅と先端の幅とが同じである」とは、基端の幅と先端の幅とが厳格に同一であることに限定されず、基端の幅に対する基端の幅と先端の幅との差の絶対値が５％以内である関係も含む。
２つの凸部５３ｇは、第１方向Ｄ１に突出して設けられている。各凸部５３ｇは、変形例１の各凸部５３ｅと同様、第１方向Ｄ１に沿った平板状に形成されている。
上記の各変形例に係る弾性波装置１ｅ，１ｆ，１ｇにおいても、実施形態２に係る弾性波装置１ｄと同様の効果を奏する。
（参考例）
参考例として、図１２に示す弾性波装置１ｈについて説明する。弾性波装置１ｈは、図１２に示すように、ＩＤＴ電極５ｈの複数の電極指５１ｈの中央領域に凹部５４を有しない点で、実施形態１に係る弾性波装置１（図１参照）と相違する。なお、参考例の弾性波装置１ｈに関し、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
参考例として、図１２に示す弾性波装置１ｈについて説明する。弾性波装置１ｈは、図１２に示すように、ＩＤＴ電極５ｈの複数の電極指５１ｈの中央領域に凹部５４を有しない点で、実施形態１に係る弾性波装置１（図１参照）と相違する。なお、参考例の弾性波装置１ｈに関し、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
弾性波装置１ｈは、実施形態１に係る弾性波装置１と同様、高音速支持基板２と、低音速膜３と、圧電膜４と、ＩＤＴ電極５ｈとを備える。参考例の高音速支持基板２、低音速膜３、及び圧電膜４は、実施形態１の高音速支持基板２、低音速膜３、及び圧電膜４と同様の機能を有する。そして、参考例の弾性波装置１ｈも、実施形態１に係る弾性波装置１と同様、例えば共振子又は帯域フィルタに用いられる。
ＩＤＴ電極５ｈは、複数の電極指５１ｈと、２つのバスバー（図示せず）とを含み、圧電膜４の主面４１に設けられている。
複数の電極指５１ｈの各々は、第２方向Ｄ２における先端部において、平坦となっている。つまり、各電極指５１ｈには、第１方向Ｄ１における中央領域に凹部５４（図１参照）が形成されていない。
なお、弾性波装置１ｈにおいて、ＩＤＴ電極５ｈの複数の電極指５１ｈの各凸部５３ｈは、第１方向Ｄ１に沿った平板状に形成されていてもよい。各凸部５３ｈは、実施形態１の変形例１の凸部５３ａ（図４参照）と同様の形状である。
弾性波装置１ｈにおいて、各凸部５３ｈは、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２と直交する第３方向からの平面視で、第１方向Ｄ１に沿って突出しているのではなく、先端になるにつれて圧電膜４側に近づくように形成されていてもよい。各凸部５３は、実施形態１の変形例２の凸部５３ｂ（図５参照）と同様の形状である。
第１本体部５２ｈは、テーパ状でなく、長方形状に形成されていてもよい。つまり、第１方向Ｄ１における第１本体部５２ｈの基端の幅と先端の幅とが同じである。第１本体部５２ｈは、実施形態１の変形例３の第１本体部５２ｃ（図６参照）と同様の形状である。ここで、「第１方向Ｄ１における第１本体部５２ｈの基端の幅と先端の幅とが同じである」とは、基端の幅と先端の幅とが厳格に同一であることに限定されず、基端の幅と先端の幅とが５％以内の差を有する関係も含む。
さらに、弾性波装置１ｈは、高音速支持基板２に代えて、支持基板及び高音速膜を備えてもよい。支持基板及び高音速膜は、例えば、実施形態２の支持基板２１及び高音速膜２２（図８参照）と同様である。
以上説明した実施形態及び変形例は、本発明の様々な実施形態及び変形例の一部に過ぎない。また、実施形態及び変形例は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
（まとめ）
以上説明した実施形態及び変形例より以下の態様が開示されている。
以上説明した実施形態及び変形例より以下の態様が開示されている。
第１の態様に係る弾性波装置（１；１ａ〜１ｃ；１ｄ；１ｅ〜１ｇ）は、圧電膜（４）と、高音速部材（高音速支持基板２；高音速膜２２）と、低音速膜（３）と、ＩＤＴ電極（５；５ａ〜５ｃ；５ｄ；５ｅ〜５ｇ）とを備える。高音速部材は、圧電膜（４）を伝搬する弾性波の音速よりも、伝搬する弾性波の音速が高速である部材である。低音速膜（３）は、圧電膜（４）と高音速部材との間に設けられており、圧電膜（４）を伝搬する弾性波の音速よりも、伝搬する弾性波の音速が低速である膜である。ＩＤＴ電極（５；５ａ〜５ｃ；５ｄ；５ｅ〜５ｇ）は、圧電膜（４）の主面（４１）に設けられている。ＩＤＴ電極（５；５ａ〜５ｃ；５ｄ；５ｅ〜５ｇ）は、複数の電極指（５１；５１ａ〜５１ｃ；５１ｄ；５１ｅ〜５１ｇ）を有する。複数の電極指（５１；５１ａ〜５１ｃ；５１ｄ；５１ｅ〜５１ｇ）は、互いに離隔して第１方向（Ｄ１）に並んで設けられている。複数の電極指（５１；５１ａ〜５１ｃ；５１ｄ；５１ｅ〜５１ｇ）の少なくとも１つは、少なくとも１つの金属層（ＡｌＣｕ層５０２）を有する。金属層（ＡｌＣｕ層５０２）は、第１本体部（５２；５２ａ〜５２ｃ；５２ｄ；５２ｅ〜５２ｇ）と、第２本体部（５９；５９ａ〜５９ｃ；５９ｄ；５９ｅ〜５９ｇ）とを含む。第１本体部（５２；５２ａ〜５２ｃ；５２ｄ；５２ｅ〜５２ｇ）は、圧電膜（４）の主面（４１）に直接的又は間接的に設けられている。第２本体部（５９；５９ａ〜５９ｃ；５９ｄ；５９ｅ〜５９ｇ）は、第１方向（Ｄ１）と直交しかつ前記圧電膜の厚さ方向である第２方向（Ｄ２）において第１本体部（５２；５２ａ〜５２ｃ；５２ｄ；５２ｅ〜５２ｇ）を挟んで圧電膜（４）とは反対側に設けられている。第２本体部（５９；５９ａ〜５９ｃ；５９ｄ；５９ｅ〜５９ｇ）は、凹部（５４）を有し、かつ、少なくとも１つの凸部（５３）を含む。凹部（５４）は、第１方向（Ｄ１）における端部領域（５５）間に位置する中央領域（５６）に形成されており、第２方向（Ｄ２）に窪んでいる。凸部（５３；５３ａ〜５３ｃ；５３ｄ；５３ｅ〜５３ｇ）は、第１方向（Ｄ１）及び第２方向（Ｄ２）の両方と直交する第３方向からの平面視で第１方向（Ｄ１）に突出して設けられている。
第１の態様に係る弾性波装置（１；１ａ〜１ｃ；１ｄ；１ｅ〜１ｇ）は、高音速部材（高音速支持基板２；高音速膜２２）に低音速膜（３）、圧電膜（４）、及びＩＤＴ電極（５；５ａ〜５ｃ；５ｄ；５ｅ〜５ｇ）がこの順に設けられている積層構造を有する。そして、ＩＤＴ電極（５；５ａ〜５ｃ；５ｄ；５ｅ〜５ｇ）の複数の電極指（５１；５１ａ〜５１ｃ；５１ｄ；５１ｅ〜５１ｇ）の少なくとも１つに、第１方向（Ｄ１）における中央領域（５６）に凹部（５４）が形成されており、かつ、凸部（５３；５３ａ〜５３ｃ；５３ｄ；５３ｅ〜５３ｇ）が第１方向（Ｄ１）に突出して設けられている。これにより、基本波よりも周波数が高い高次モードの強度を低減させることができる。
第２の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）では、第１の態様において、第１本体部（５２；５２ａ〜５２ｃ；５２ｄ；５２ｅ〜５２ｇ）は、第２方向（Ｄ２）において圧電膜（４）側から第２本体部（５９；５９ａ〜５９ｃ；５９ｄ；５９ｅ〜５９ｇ）に向かうにつれて第１方向（Ｄ１）の幅が狭くなるようにテーパ状に形成されている。
第２の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｄ；１ｅ；１ｆ）によれば、各電極指（５１；５１ａ〜５１ｃ；５１ｄ；５１ｅ〜５１ｇ）の第１本体部（５２；５２ａ〜５２ｃ；５２ｄ；５２ｅ〜５２ｇ）がテーパ状に形成されていることによって、高次モードの強度を更に低減させることができる。
第３の態様に係る弾性波装置（１；１ａ〜１ｃ；１ｄ；１ｅ〜１ｇ）では、第１又は２の態様において、複数の電極指（５１；５１ａ〜５１ｃ；５１ｄ；５１ｅ〜５１ｇ）の上記少なくとも１つは、金属層（ＡｌＣｕ層５０２）を含む２層以上の層を有する。
第３の態様に係る弾性波装置（１；１ａ〜１ｃ；１ｄ；１ｅ〜１ｇ）によれば、電極指（５１；５１ａ〜５１ｃ；５１ｄ；５１ｅ〜５１ｇ）が１層のみで形成される場合よりも、電極指（５１；５１ａ〜５１ｃ；５１ｄ；５１ｅ〜５１ｇ）にとって最適な組合せを選択することができる。
第４の態様に係る弾性波装置（１；１ａ〜１ｃ；１ｄ；１ｅ〜１ｇ）では、第３の態様において、複数の電極指（５１；５１ａ〜５１ｃ；５１ｄ；５１ｅ〜５１ｇ）の上記少なくとも１つは、密着層（Ｔｉ層５０１）を更に有する。密着層は、圧電膜（４）の主面（４１）に設けられている。金属層は、密着層を挟んで圧電膜（４）とは反対側に設けられているＡｌ系層（ＡｌＣｕ層５０２）である。
第４の態様に係る弾性波装置（１；１ａ〜１ｃ；１ｄ；１ｅ〜１ｇ）によれば、圧電膜（４）と電極指（５１；５１ａ〜５１ｃ；５１ｄ；５１ｅ〜５１ｇ）との間の接着強度を高めることができる。
第５の態様に係る弾性波装置（１；１ａ〜１ｃ；１ｄ；１ｅ〜１ｇ）では、第４の態様において、複数の電極指（５１；５１ａ〜５１ｃ；５１ｄ；５１ｅ〜５１ｇ）の少なくとも１つは、Ｔｉ層（５０３）を更に有する。Ｔｉ層（５０３）は、Ａｌ系層（ＡｌＣｕ層５０２）の上に設けられている。
第６の態様に係る弾性波装置（１；１ａ〜１ｃ）では、第１〜５の態様のいずれか１つにおいて、高音速部材は、高音速支持基板（２）を含む。
第７の態様に係る弾性波装置（１ｄ；１ｅ〜１ｇ）は、第１〜５の態様のいずれか１つにおいて、支持基板（２１）を更に備える。高音速部材は、高音速膜（２２）を含む。高音速膜（２２）は、支持基板（２１）上に設けられている。
第８の態様に係る弾性波装置（１；１ａ〜１ｃ；１ｄ；１ｅ〜１ｇ）では、第１〜７の態様のいずれか１つにおいて、圧電膜（４）は、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３、ＺｎＯ、ＡｌＮ、又は、ＰＺＴからなる。
第９の態様に係る弾性波装置（１；１ａ〜１ｃ；１ｄ；１ｅ〜１ｇ）では、第１〜８の態様のいずれか１つにおいて、低音速膜（３）は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、及び、酸化ケイ素にフッ素、炭素、若しくはホウ素を加えた化合物からなる群から選択される少なくとも１種の材料を含む。
第１０の態様に係る弾性波装置（１；１ａ〜１ｃ）では、第６の態様において、高音速支持基板（２）は、シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、及びマグネシアダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含む。
第１１の態様に係る弾性波装置（１ｄ；１ｅ〜１ｇ）では、第７の態様において、支持基板（２１）は、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、ガラス、シリコン、窒化ガリウム、及び樹脂から選択される少なくとも１種の材料を含む。
第１２の態様に係る弾性波装置（１ｄ；１ｅ〜１ｇ）では、第７又は１１の態様において、高音速膜（２２）は、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、及びマグネシアダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含む。
１，１ａ〜１ｇ 弾性波装置
２ 高音速支持基板（高音速部材）
２１ 支持基板
２２ 高音速膜（高音速部材）
３ 低音速膜
４ 圧電膜
４１ 主面
５，５ａ〜５ｇ ＩＤＴ電極
５０１ Ｔｉ層
５０２ ＡｌＣｕ層（Ａｌ系層、金属層）
５０３ Ｔｉ層
５１，５１ａ〜５１ｇ 電極指
５２，５２ａ〜５２ｇ 第１本体部
５３，５３ａ〜５３ｇ 凸部
５４ 凹部
５５ 端部領域
５６ 中央領域
５８ 凹部
５９，５９ａ〜５９ｇ 第２本体部
６１ レジスト層
６２１ Ｔｉ膜（密着層）
６２２ ＡｌＣｕ膜
６３ レジスト層
６４ ＡｌＣｕ膜
Ｄ１ 第１方向
Ｄ２ 第２方向
Ａ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２ 周波数特性
２ 高音速支持基板（高音速部材）
２１ 支持基板
２２ 高音速膜（高音速部材）
３ 低音速膜
４ 圧電膜
４１ 主面
５，５ａ〜５ｇ ＩＤＴ電極
５０１ Ｔｉ層
５０２ ＡｌＣｕ層（Ａｌ系層、金属層）
５０３ Ｔｉ層
５１，５１ａ〜５１ｇ 電極指
５２，５２ａ〜５２ｇ 第１本体部
５３，５３ａ〜５３ｇ 凸部
５４ 凹部
５５ 端部領域
５６ 中央領域
５８ 凹部
５９，５９ａ〜５９ｇ 第２本体部
６１ レジスト層
６２１ Ｔｉ膜（密着層）
６２２ ＡｌＣｕ膜
６３ レジスト層
６４ ＡｌＣｕ膜
Ｄ１ 第１方向
Ｄ２ 第２方向
Ａ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２ 周波数特性
Claims (12)
- 圧電膜と、
前記圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも、伝搬する弾性波の音速が高速である高音速部材と、
前記圧電膜と前記高音速部材との間に設けられており、前記圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも、伝搬する弾性波の音速が低速である低音速膜と、
前記圧電膜の主面に設けられているＩＤＴ電極と、を備え、
前記ＩＤＴ電極は、
互いに離隔して第１方向に並んで設けられている複数の電極指を有し、
前記複数の電極指の少なくとも１つは、
少なくとも１つの金属層を有し、
前記金属層は、
前記圧電膜の前記主面に直接的又は間接的に設けられている第１本体部と、
前記第１方向と直交しかつ前記圧電膜の厚さ方向である第２方向において前記第１本体部を挟んで前記圧電膜とは反対側に設けられている第２本体部と、を含み、
前記第２本体部は、
前記第１方向における端部領域間に位置する中央領域に形成されており前記第２方向に窪んでいる凹部を有し、かつ、
前記第１方向及び前記第２方向の両方と直交する第３方向からの平面視で前記第１方向に突出して設けられている少なくとも１つの凸部を含む
ことを特徴とする弾性波装置。 - 前記第１本体部は、前記第２方向において前記圧電膜側から前記第２本体部側に向かうにつれて前記第１方向の幅が狭くなるようにテーパ状に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の弾性波装置。 - 前記複数の電極指の前記少なくとも１つは、前記金属層を含む２層以上の層を有する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の弾性波装置。 - 前記複数の電極指の前記少なくとも１つは、
前記圧電膜の前記主面に設けられている密着層を更に有し、
前記金属層は、前記密着層に対して前記圧電膜の反対側に設けられているＡｌ系層である、
ことを特徴とする請求項３に記載の弾性波装置。 - 前記複数の電極指の前記少なくとも１つは、前記Ａｌ系層の上に設けられているＴｉ層を更に有する
ことを特徴とする請求項４に記載の弾性波装置。 - 前記高音速部材は、高音速支持基板を含む
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波装置。 - 支持基板を更に備え、
前記高音速部材は、
前記支持基板上に設けられている高音速膜を含む
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波装置。 - 前記圧電膜は、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３、ＺｎＯ、ＡｌＮ、又は、ＰＺＴからなる
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波装置。 - 前記低音速膜は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、及び、酸化ケイ素にフッ素、炭素、若しくはホウ素を加えた化合物からなる群から選択される少なくとも１種の材料を含む
ことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の弾性波装置。 - 前記高音速支持基板は、シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、及びマグネシアダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含む
ことを特徴とする請求項６に記載の弾性波装置。 - 前記支持基板は、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、ガラス、シリコン、窒化ガリウム、及び樹脂から選択される少なくとも１種の材料を含む
ことを特徴とする請求項７に記載の弾性波装置。 - 前記高音速膜は、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、及びマグネシアダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含む
ことを特徴とする請求項７又は１１に記載の弾性波装置。
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