WO2021200469A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2021200469A1
WO2021200469A1 PCT/JP2021/012228 JP2021012228W WO2021200469A1 WO 2021200469 A1 WO2021200469 A1 WO 2021200469A1 JP 2021012228 W JP2021012228 W JP 2021012228W WO 2021200469 A1 WO2021200469 A1 WO 2021200469A1
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piezoelectric substrate
gap
bus bar
elastic wave
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翔 永友
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株式会社村田製作所
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    • H03H9/14544—Transducers of particular shape or position

Definitions

  • This disclosure relates to an elastic wave device.
  • a surface acoustic wave element having a piezoelectric substrate and at least one IDT electrode arranged on the piezoelectric substrate as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-143657 (Patent Document 1) is known.
  • the IDT electrode is composed of a pair of first comb-shaped electrodes and a second comb-shaped electrode.
  • Each comb-shaped electrode has a bus bar electrode and a plurality of electrode fingers whose tips are located at positions extending from the bus bar electrode and having a gap with respect to the other comb-shaped electrode.
  • Patent Document 1 describes a technique for arranging an insulating film having a dielectric constant smaller than that of the piezoelectric substrate between the bus bar electrode and the piezoelectric substrate. It is disclosed that the electric field is concentrated on the insulating film, the electric field generated in the gap is weakened, and the distorted wave is suppressed.
  • an object of the present invention is to achieve both suppression of distorted waves by reducing the electric field generated in the gap and suppression of deterioration of characteristics.
  • the elastic wave device includes a piezoelectric substrate and an IDT electrode provided on the piezoelectric substrate, and the IDT electrode has a pair of busbar electrodes facing each other and a plurality of electrode fingers.
  • the plurality of electrode fingers have one end connected to either one of the pair of Basba electrodes, and the other end facing the other of the pair of Basba electrodes with a gap in between.
  • the gap between the facing surface of the bus bar electrode and the facing surface of the electrode finger facing each other with the electrode finger is narrower in the portion away from the piezoelectric substrate than in the portion in contact with the piezoelectric substrate.
  • a convex portion is provided so as to project toward the gap side from a portion distant from the piezoelectric substrate, and a cavity exists between the convex portion and the piezoelectric substrate.
  • the present disclosure it is possible to suppress the distortion wave by reducing the strength of the electric field generated in the gap in the piezoelectric substrate while suppressing the deterioration of the characteristics.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the operation of the elastic wave device of FIG.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a modified example of the first elastic wave device.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining a method of manufacturing the first elastic wave device.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining a method of manufacturing the first elastic wave device.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of the elastic wave device according to the second embodiment.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of the elastic wave device according to the third embodiment.
  • any direction of the elastic wave device may be upward or downward, but in the following, for convenience, the orthogonal coordinate system xyz is defined and the z direction is defined.
  • the positive side (upper side of the paper surface in FIG. 2) is upward
  • the negative side in the z direction (lower side of the paper surface in FIG. 2) is lower
  • terms such as upper, lower, upper, lower, and the like are used.
  • top surface and the bottom surface are referred to as referring to any surface of the IDT electrode 11.
  • terms such as bottom surface and top surface are used, with the surface of the IDT electrode 11 on the piezoelectric substrate 10 side as the bottom surface and the surface of the IDT electrode 11 facing the bottom surface as the top surface.
  • the top surface is above the bottom surface and the bottom surface is below the top surface.
  • the “side surface” refers to the surface of the IDT electrode 11 sandwiched between the top surface and the bottom surface, and in other terms, the top surface and the bottom surface of the surface of the IDT electrode 11 The side that does not correspond to and is defined as the side.
  • FIG. 1 is a plan view of an elastic wave device 1 according to an embodiment of the present invention.
  • the surface acoustic wave device 1 according to the embodiment of the present invention is, for example, an elastic surface wave device.
  • the elastic wave device 1 has a piezoelectric substrate 10.
  • the piezoelectric substrate 10 is made of lithium tantalate.
  • the piezoelectric substrate 10 may be made of a piezoelectric single crystal other than lithium tantalate such as lithium niobate, or an appropriate piezoelectric ceramic.
  • the piezoelectric substrate 10 has one main surface 10a, and an IDT electrode 11 is provided on the main surface 10a.
  • an AC voltage By applying an AC voltage to the IDT electrode 11, elastic waves are excited.
  • a reflector 14a and a reflector 14 including the reflector 14b are arranged on both sides of the IDT electrode 11 in the elastic wave propagation direction (x direction).
  • the reflector 14a and the reflector 14b include a plurality of reflecting electrode fingers extending in a direction (y direction) orthogonal to the elastic wave propagation direction (x direction) and parallel to each other.
  • the IDT electrode 11 has a first bus bar electrode 16 and a second bus bar electrode 18 facing each other.
  • the IDT electrode 11 has one end connected to the first bus bar electrode 16 and is connected to a plurality of first electrode fingers 17 extending toward the second bus bar electrode 18 and one end to the second bus bar electrode 18. It has a plurality of second electrode fingers 19 extending toward the bus bar electrode 16.
  • the first bus bar electrode 16 and the first electrode finger 17 constitute the first comb-shaped electrode 12, and the second bus bar electrode 18 and the second electrode finger 19 constitute the second comb-shaped electrode 13.
  • the first comb-toothed electrode 12 and the second comb-toothed electrode 13 may be simply referred to as comb-toothed electrodes, and these may not be distinguished.
  • the plurality of first electrode fingers 17 and the plurality of second electrode fingers 19 are interleaved with each other. That is, in the pair of comb-shaped electrodes, the plurality of first electrode fingers 17 and the plurality of second electrode fingers 19 are arranged so as to be interleaved with each other. However, it is not necessary that all of the plurality of first electrode fingers 17 and the plurality of second electrode fingers 19 are interleaved with each other, and a part of them may be interleaved with each other.
  • the tips of the first bus bar electrode 16 and the plurality of second electrode fingers 19 or the tips of the second bus bar electrode 18 and the plurality of first electrode fingers 17 are in the elastic wave propagation direction (x direction in FIG. 1). ) (In the y direction in FIG. 1), they face each other through the gap 15.
  • the first bus bar electrode 16 and the second bus bar electrode 18 may have a dummy electrode finger extending toward the opposite bus bar electrode.
  • the dummy electrode finger is described as being included in the bus bar electrode. Even if the dummy electrode finger and the bass bar electrode are treated as different ones, the effects produced by the present invention are the same, and therefore individual description and paraphrase of the dummy electrode finger will be omitted.
  • the IDT electrode 11 is made of a laminated metal film in which a plurality of metal layers are laminated. Examples of this metal include Al, W, Mo, Ta, Hf, Cu, Pt, Ti, Au, Ag, Ni, Zn, Cr, and alloys containing them as main components.
  • the IDT electrode may be composed of a single metal layer.
  • the distance between the centers of the first electrode fingers 17 adjacent to each other in the x direction is defined as the IDT electrode pitch p.
  • the thickness of the piezoelectric substrate 10 is preferably 2p or less.
  • the piezoelectric substrate 10 may be laminated on the support substrate. As described above, when the thickness of the piezoelectric substrate 10 is 2p or less, the effect that the Q value and the coupling coefficient of the surface acoustic wave device can be increased can be obtained.
  • the elastic wave device 1 has an adhesive layer interposed between the IDT electrode 11 and the reflector 14 and the piezoelectric substrate 10, or the IDT electrode 11 and the reflector 14 on the upper surface 10a of the piezoelectric substrate 10. It may have a protective layer or the like covering the above.
  • the wiring for inputting / outputting a signal to the IDT electrode 11 and the pad are not shown.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the elastic wave device according to the first embodiment. Specifically, it is a schematic cross-sectional view when the IDT electrode 11 shown in FIG. 1 is cut along the line AA.
  • FIGS. 2 (a), 2 (b), and 2 (c) refer to elastic wave devices having the same structure, but the structure of the elastic wave device and the structure of the elastic wave device according to the first embodiment, which will be described later, are divided into each figure. , Explain the area.
  • first bus bar electrode 16 and the second electrode finger 19 will be described in detail, but the description is not limited to this combination and is applicable to the combination of the second bus bar electrode 17 and the first electrode finger 18. May be done. Since the effects produced by the present invention are the same regardless of the combination, in the description of the present specification and the claims, the combination of the first bus bar electrode 16 and the second electrode finger 19 is used. Give an explanation.
  • the first bus bar electrode 16 included in the first comb-shaped electrode 12 and the plurality of second electrode fingers 19 included in the second comb-shaped electrode 13 are formed on the piezoelectric substrate 10. They face each other through the gap 15.
  • the gap 15 in the present specification refers to a gap between the first bus bar electrode 16 and the second electrode finger 19 in which the material of the IDT electrode 11 does not exist.
  • the surface on the piezoelectric substrate 10 side is defined as the bottom surface 31, and the surface facing the bottom surface 31 is defined as the top surface 30.
  • the surface sandwiched between the top surface 30 and the bottom surface 31 is defined as the side surface, and in other terms, the surface of the IDT electrode 11 that does not correspond to the top surface and the bottom surface is defined as the side surface. ..
  • the side surface of the first bus bar electrode 16 on the second electrode finger 19 side is referred to as the first side surface 33
  • the side surface of the second electrode finger 19 on the first bus bar electrode 16 side is referred to as the second side surface 34.
  • the first side surface 33 and the second side surface 34 face each other through the gap 15.
  • the portion where the first side surface 33 and the piezoelectric substrate 10 are in contact is defined as the first point 41
  • the portion where the second side surface 34 and the piezoelectric substrate 10 are in contact is defined as the second point 42.
  • the first gap 100 is between the first point 41 and the second point 42
  • the first portion 43 and the second portion 44 face each other in the second gap 101 having a length shorter than the first gap 100.
  • the third portion 45 and the fourth portion 46 face each other in the first gap 100.
  • the first point 41 and the second point 42 are examples of the "first facing portion 47”
  • the first portion 43 and the second portion 44 are examples of the "second facing portion 48".
  • the gap length in the present invention refers to the length along the direction (y direction) orthogonal to the elastic wave propagation direction (x direction).
  • the first portion 43 is located on the top surface 30 side of the first point 41, and the second portion 44 is located on the top surface 30 side of the second point 42.
  • the first portion 43 and the third portion 45 are a part of the first side surface 33
  • the second portion 44 and the fourth portion 46 are a part of the second side surface 34 and have a substantially cross section.
  • the corresponding portion may be a point or a line.
  • the portions corresponding to the first portion 43, the second portion 44, the third portion 45, and the fourth portion 46 are indicated by lines.
  • the area sandwiched between the first side surface 33 and the second side surface 34 is referred to as the first area 301.
  • the first region 301 more accurately, assuming a first virtual line 200 connecting the top surface 30 of the first bus bar electrode 16 to the top surface 30 of the second electrode finger 19, the first virtual line 200 and The region sandwiched between the piezoelectric substrate 10, the first bus bar electrode 16, and the second electrode finger 19 is referred to as the first region 301.
  • the first virtual line 200 is accurately expressed, the portion closest to the second electrode finger 19 facing the top surface of the first bus bar electrode 16 is opposed to the top surface of the second electrode finger 19.
  • the straight line assuming that the portion closest to the first bus bar electrode 16 is connected is referred to as the first virtual line 200. Since the top surface 30 of the IDT electrode 11 is mainly flat, the first virtual line 200 of the present application is substantially parallel to the piezoelectric substrate 10.
  • the cavity in the present invention refers to a portion not filled with a solid or liquid material including an insulator or the like. More specifically, for example, it is a state in which a gas such as air is mainly arranged.
  • the second region 302 is a region sandwiched between the first portion 43, which is the second facing portion 48, and the piezoelectric substrate 10, and the second portion 44, which is the second facing portion 48, and the piezoelectric substrate 10. It is an area sandwiched between.
  • the cavity may be provided only in a part of the region or may be included when the cavity is "provided”.
  • the portion of the first bus bar electrode 16 that protrudes toward the first gap 100 from the second point 42 at the first point 41 and the second electrode finger 19 is referred to as a convex portion 70. That is, the first portion 43 and the second portion 44, which are the second facing portions 48, are convex portions with respect to the first point 41 and the second point 42, which are the first facing portions. More precisely, a perpendicular line B is drawn with respect to the piezoelectric substrate 10 passing through the first point 41. Similarly, a perpendicular line C with respect to the piezoelectric substrate 10 passing through the second point 42 is drawn. In the first bus bar electrode and the second electrode finger, the portion existing in the region sandwiched by the two perpendicular lines B and the perpendicular line C is referred to as a convex portion 70.
  • a cavity is provided in at least one of the region sandwiched between the convex portion 70 of the first bus bar electrode 16 and the piezoelectric substrate 10 and the region sandwiched between the convex portion 70 of the second electrode finger 19 and the piezoelectric substrate 10. ..
  • a convex portion 70 is provided so as to project toward the gap 15 side from a portion distant from the piezoelectric substrate 10 so that the gap 15 is narrower in the portion. Further, there is a cavity between the convex portion 70 and the piezoelectric substrate 10.
  • the height from the main surface 10a of the piezoelectric substrate 10 to the surface of the convex portion 70 on the piezoelectric substrate side is defined as the first height 20.
  • the first height from the main surface 10a of the piezoelectric substrate 10 to the convex portion 70 of the first bus bar electrode and the surface of the convex portion 70 derived from the second electrode finger on the piezoelectric substrate side is determined from the viewpoint of the manufacturing method. , Consists of approximately the same height. However, when the first height 20 is different, the shorter length is adopted as the first height.
  • FIG. 1 it is assumed that the first comb-tooth electrode 12 has a higher potential than the second comb-tooth electrode 13.
  • an electric field E is generated in the region between the first comb-shaped electrode 12 and the second comb-shaped electrode 13 of the piezoelectric substrate 10. That is, an electric field Ex along the elastic wave propagation direction (x direction) and an electric field Ey along the direction orthogonal to the elastic wave propagation direction (y direction) are generated in the gap region.
  • an electric field E is generated, a strain current is generated due to the non-linearity of the piezoelectric substrate 10 made of a piezoelectric material.
  • a strain current corresponding to the electric field flows due to the second-order non-linearity of the dielectric constant of the piezoelectric substrate 10.
  • an electric field is excited inside the piezoelectric crystal by an IDT electrode formed on the surface of the piezoelectric crystal, and the electric field is a component in a direction parallel to the main surface 10a of the piezoelectric substrate 10. It has a component in the direction perpendicular to (depth direction).
  • the non-linearity of the anisotropic dielectric constant corresponds to this electric field, and the strain current caused by each corresponds.
  • the strain current Ix flowing between the first electrode fingers 17 is the strain current Ixin flowing into the first electrode finger 17 and the first electrode finger 17. Since the strain current Ixout flowing out of the is opposite in the y direction, they cancel each other out. Therefore, the distorted wave based on the distorted current Ix is basically not output to the outside of the elastic wave device 1. Similarly, in the second electrode finger 19, the strain currents Ix cancel each other out. Therefore, the strain currents Ix of the IDT electrode 11 in the x direction cancel each other out and are not output as a strain wave to the outside of the elastic wave device 1.
  • the distorted current Iy that remains without canceling each other is considered to be one of the factors that generate the distorted wave in the gap 15.
  • FIG. 3 shows the principle that the distorted wave can be suppressed by the present invention.
  • 3A and 3B are cross-sectional views taken when the IDT electrode 11 shown in FIG. 1 is cut along the line AA.
  • FIG. 3A is a cross-sectional view of a conventional elastic wave device
  • FIG. 3B is an elastic wave device according to the present invention. It is sectional drawing of the wave device.
  • the gap length is kept substantially uniform from the bottom surface to the top surface. Therefore, an electric field Ey having the same penetration depth (length in the z direction) is generated between the gaps 15.
  • the penetration depth refers to the length from the minimum value to the maximum value of the z-axis component in an arbitrary electric field Eye.
  • This electric field Eye is larger toward the upper surface side of the piezoelectric substrate 10 because more electric fields can pass through the piezoelectric substrate 10 toward the upper surface side of the piezoelectric substrate 10 closer to the electrode finger 2.
  • the length of the gap between the bottom surfaces 31 of the comb-shaped electrodes is the first.
  • the penetration depth of the electric field between the gaps is approximately equal to the length of the gap. Becomes shallower.
  • the penetration depth of the electric field 5 generated between the gaps of the second gap 101 can be made shallower than that in FIG. 3A, and the electric field 5 generated between the second gaps 101 reaches the piezoelectric substrate 10. It can be difficult to do.
  • the electric field generated on the side surface of the first bus bar electrode 16 and the side surface of the second electrode finger 19 facing each other through the second gap 101 can reach the piezoelectric substrate 10, it may reach the second region.
  • the effect of reducing the strength of the electric field can also be obtained by passing through the arranged cavity containing air having a relatively low dielectric constant.
  • the electric field Eye generated in the gap is considered to be one of the factors for generating the distorted wave, the distorted wave is also suppressed by weakening the strength of the electric field Eye.
  • the electric field generated in the gap means, in detail, that an electric field is generated in the region directly below the gap in the piezoelectric substrate.
  • the relationship between the length defined by the second gap 101 and the length defined by the first height 20 makes it possible to further reduce the electric field applied to the piezoelectric substrate.
  • the electric field applied to the piezoelectric substrate can be further reduced by making the value of the distance of the first height 20 larger than the value of the length of the second gap 101.
  • the value of the distance of the first height 20 should be larger than the value of the length of the second gap 101. Therefore, the electric field generated in the convex portion 70 has the effect of making it difficult to reach the piezoelectric substrate.
  • the same configuration as the elastic wave device 1 according to the first embodiment will be described by omitting the description and focusing on different parts.
  • a modification 1 of the first embodiment is shown in FIG. 4 (a).
  • the side surface of the first bus bar electrode 16 and the side surface of the second electrode finger 19 facing each other via the second gap are not necessarily parallel to each other, and may have an inclined shape. Even in this case, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
  • the length of the gap is not continuously shortened from the piezoelectric substrate 10 toward the top surface 30 (first virtual line 200) of the IDT electrode, but is gradually shortened.
  • the fact that the length of the gap is gradually shortened means that the portion of the first bus bar electrode 16 and the second electrode finger 19 that protrudes into the gap portion has a shape like a staircase, and the length changes smoothly. Refers to the state of not doing.
  • the gap having the shortest length is defined as the second gap 101.
  • the first portion 43 and the second portion 44 facing each other via the second gap 101 correspond to the second facing portion 48.
  • the IDT electrode 11 is not limited to a shape in which the distance from the main surface 10a of the piezoelectric substrate 10 to the top surface of the IDT electrode 11 is constant.
  • the gap is gradually shortened, and the second facing portion 48 is the first portion 43 and the second portion 43, which is the side surface on the top surface side of the first side surface and the second side surface being divided into two. Equal to part 44. Even in this case, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
  • the portion 45 of the first side surface 33 of the second facing portion 48 closest to the piezoelectric substrate 10 and the portion 46 of the second side surface 34 of the second facing portion 48 closest to the piezoelectric substrate 10 Both are exposed in the cavity. Since the strength of the electric field generated between the gaps becomes stronger in inverse proportion to the length between the gaps, the strength of the electric field derived from the second facing portion 48 becomes higher than the electric field strength generated between the gaps. Moreover, the electric field generated between the portions close to the piezoelectric substrate 10 is more likely to reach the piezoelectric substrate 10 than the electric field generated between the portions far from the piezoelectric substrate 10.
  • the cavity coincides with the cavity arranged in the second region 302. This may be the case as in the case of the second modification, or the case where the cavity is different from the cavity arranged in the second region 302.
  • a modification 3 of the first embodiment is shown in FIG. 4 (c).
  • the length of the gap may be shortened continuously from the piezoelectric substrate 10 toward the top surface 30 (first virtual line 200) instead of stepwise. More specifically, the side surface of the first bus bar electrode 16 and the side surface of the second electrode finger 19 facing each other via the gap may be inclined.
  • the first side surface 33 excluding the first point 41 is the first portion 43
  • the second side surface excluding the second point 42 is the second portion 44.
  • both the portion where the first side surface 33 and the top surface 30 of the first bus bar electrode 16 are in contact with each other and the portion where the second side surface 34 and the top surface of the second electrode finger 19 are in contact with each other are It is exposed in the cavity.
  • the effect of reducing the strength of the electric field is further enhanced.
  • it is necessary that both the portion where the first side surface 33 and the top surface 30 of the first bus bar electrode 16 are in contact with each other and the portion where the second side surface 34 and the top surface of the second electrode finger 19 are in contact with each other are exposed to the cavity. It is sufficient that at least one of them is exposed, and the cavity does not necessarily have to coincide with the cavity arranged in the second region 42.
  • the gap length is not a shape that is continuously shortened at all points from the piezoelectric substrate 11 toward the top surface 30, but from the piezoelectric substrate 11 as shown in FIG. 4 (d).
  • the shape may be such that a part of the portion toward the top surface 30 is continuously shortened.
  • the distance between the gaps from that point toward the top surface 30 is more continuous than the first gap. It has an arc-shaped shape so as to be shortened.
  • an example of a shape in which the length of the gap is continuously shortened is shown, and the shape is not necessarily limited to the arc-shaped shape as shown in the figure.
  • the first portion 43 in the modified example 4 is a portion of the first side surface 33 shown by a curve
  • the second portion 44 is also a portion of the second side surface 34 shown by a curve. Therefore, they face each other with a gap having a length shorter than that of the first gap.
  • both the first bus bar electrode 16 and the second electrode finger 19 arranged on the piezoelectric substrate 10 have a characteristic shape, but the present invention is limited to this. It's not something.
  • FIG. 4 (e) a modification 5 of the first embodiment is shown in FIG. 4 (e).
  • first bus bar electrode 16 has a convex portion 70
  • the other second electrode finger 19 has a convex portion 70. It may have a shape that does not exist. Even in this case, since the second gap 101, which is shorter than the first gap 100, is provided on the top surface 30 side, it is possible to obtain the effect that the electric field between the gaps does not easily reach the piezoelectric substrate 11.
  • the convex portion 70 is provided only on the first bus bar electrode 16 is shown, it may be the case that only the second electrode finger 19 has the convex portion 70.
  • Modification 5 has a shape in which the length of the gap gradually decreases from the piezoelectric substrate 10 toward the top surface 30 of the IDT electrode.
  • the second facing portion 48 in the modified example 5 will be described.
  • the first portion 43 which is the side surface on the top surface side of the two divided side surfaces, serves as the second facing portion 48.
  • the second portion 44 facing the second facing portion 48 of the first bus bar electrode 16 via the second gap 101 becomes the second facing portion 48.
  • the electrodes facing each other through the gap for example, the first bus bar electrode 16 and the second electrode finger 19, are axisymmetric with respect to the perpendicular line passing through the midpoint of the first gap 100. It is not necessary, and even if the shape is not axisymmetric, the desired effect can be obtained as long as the shape has the second gap 101 shorter than the first gap 100 on the top surface side of the bus bar electrode 16 or the second electrode finger 19. Can be done.
  • FIGS. 5 and 6 are cross-sectional views arranged in the order of the manufacturing process of the surface acoustic wave element, and are taken along the line AA of FIG. Corresponds to the cross section.
  • the manufacturing process proceeds in order from FIG. 5 (a) to FIG. 5 (d) and FIGS. 6 (e) to 6 (g).
  • the shape and the like of each layer changes as the process progresses, but a common code may be used before and after the change.
  • the piezoelectric substrate 10 is prepared.
  • a second electrode pattern including the IDT electrode 11, the reflector 14, and the like is formed on the main surface 10a of the piezoelectric substrate 10 by using a photolithography technique or an etching technique.
  • the electrode film 91 of 1 is formed.
  • the method for forming the IDT electrode 11 and the reflector 14 is not limited to the photolithography process, and an etching process of film formation, resist patterning, etching, and resist peeling may be used in this order.
  • a thin passivation film SiO2, SiN, etc. may be provided in order to suppress corrosion of the IDT electrode 11.
  • the sacrificial layer 92 is provided in the gap 15 of the first electrode film 91 generated up to FIG. 5 (b).
  • the material of the sacrificial layer 92 for example, PI or ZnO is used. However, it is not limited to this material.
  • the resist pattern 93 is formed so that the length in the direction (y direction) orthogonal to the elastic wave propagation direction is shorter than that of the sacrificial layer 92.
  • a second electrode film 94 made of an electrode material (Al) is formed on the resist pattern 93 and on the first electrode film 91 by using the above-mentioned methods such as thin film deposition and sputtering. To form.
  • the resist pattern 93 is dissolved with a solvent, and the unnecessary electrode film adhering on the resist pattern 93 is removed.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of the elastic wave device 1 according to the second embodiment.
  • the first bus bar electrode 16 included in the first comb-shaped electrode 12 and the plurality of second electrode fingers 19 included in the second comb-shaped electrode 13 are formed on the piezoelectric substrate 10.
  • the portions face each other through the gap 15.
  • the surface on the piezoelectric substrate 10 side is defined as the bottom surface 31, and the surface facing the bottom surface 31 is defined as the top surface 30.
  • the side surface of the second electrode finger side 19 of the first bus bar electrode 16 is the first side surface 33 and the side surface of the second electrode finger 19 is the first bus bar electrode 16 side.
  • the side surface of be the second side surface 34. At that time, the first side surface 33 and the second side surface 34 face each other through a gap.
  • the first bus bar electrode 16 and the second electrode finger 19 face each other through a second gap 101 having a length shorter than the length of the first gap 100, which is the gap between the first point 41 and the second point 42.
  • a portion (second facing portion 48) is provided on the top surface 30 side of the first gap 100.
  • the portion where the first bus bar electrode 16 and the second electrode finger 19 face each other through a gap having a length shorter than the length of the first gap 100 is the top surface of the first gap 100.
  • a plurality of them are provided on the 30 side. Therefore, there are a plurality of gaps 15 having a length shorter than that of the first gap 100.
  • the gap having the shortest gap length in which the first bus bar electrode 16 and the second electrode finger 19 face each other is defined as the second gap 101.
  • the first bus bar electrodes 16 facing each other via the second gap in the form in which the gap length is gradually shortened from the piezoelectric substrate 10 toward the first virtual line 200 as in the present embodiment, the first bus bar electrodes 16 facing each other via the second gap.
  • the first portion 43 included in the side surface and the second portion 44 included in the side surface of the second electrode finger 19 are designated as the second facing portion 48. If FIG. 7B is referred to, in the first side surface 33 and the second side surface 34, the central side surface of the piezoelectric substrate 10 in the thickness direction of the three-divided side surfaces is the second facing portion 48 (43, It corresponds to 44). Further, there is a first region 301 of a region sandwiched between the first side surface 33 and the second side surface 34.
  • a cavity is provided in the second region 302 sandwiched between the piezoelectric substrate 10 and the first bus bar electrode 16 or the second electrode finger 19. ..
  • the second gap 101 having a shorter gap length than the first gap 100 in which the bottom surface 31 portions of the first bus bar electrode 16 and the second electrode finger 19 face each other is smaller than the first gap 100. Is also provided on the top 30 side. Therefore, by making the penetration depth of the electric field generated between the gaps shallow as described above, the electric field that can reach the piezoelectric substrate can be reduced.
  • the air having a relatively low dielectric constant arranged in the second region 302 It is possible to obtain the same effect as that of the first embodiment, that is, the effect of reducing the strength of the electric field can be obtained by passing through the cavity containing the above.
  • an intermediate layer 50 and a semiconductor layer 60 corresponding to a support substrate are laminated on a main surface facing the main surface 10a on which the IDT electrode 11 is installed.
  • the semiconductor layer is made of, for example, silicon.
  • an intermediate layer 50 may be provided between the piezoelectric substrate 10 and the semiconductor layer 60.
  • the electromechanical coupling coefficient can be increased, and the effect of suppressing deterioration of the characteristics can be obtained.
  • the height from the interface between the intermediate layer 50 and the support substrate composed of the semiconductor layer 60 and the like to the surface of the convex portion 70 on the piezoelectric substrate 10 side. Is the second height 21.
  • the second height 21 from the interface between the intermediate layer 50 and the semiconductor layer 60 to the convex portion derived from the first bus bar electrode 16 and the convex portion derived from the second electrode finger 19 is different, the length is different. The shorter one is preferably the second height. In that case, when the value of the second height 21 is larger than the value of the length of the second gap 101, the effect of reducing the distorted wave derived from the semiconductor layer is further increased. This effect is derived from the fact that the penetration depth of the electric field between the gaps is approximately equal to the length of the gap, and the electric field that can reach the semiconductor layer is reduced.
  • FIG. 6 (f) the resist pattern 93 is applied to the second electrode film 94 and the sacrificial layer 92 again in the same manner as in FIG. 5 (d) so as to straddle the second electrode film 94.
  • a third electrode film is formed on the surface.
  • the first electrode film 91 and the second electrode film 94 have a third surface.
  • the electrode film is laminated as shown in FIG. 7.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of the elastic wave device 1 according to the third embodiment.
  • the first virtual wire 200, the piezoelectric substrate 10, the first bus bar electrode 16, and the second electrode finger is included in the region 300 sandwiched between the 19 and 19.
  • the additional film is arranged on the main surface 10a of the piezoelectric substrate 10.
  • the additional film 80 is composed of a pair of comb-shaped electrodes and a metal layer that is not electrically connected. In this case, since a part of the electric field generated between the gaps passes through the metal layer, the electric field that can reach the piezoelectric substrate 10 is reduced as compared with the form before the addition film is applied. Distorted waves can be suppressed.
  • the additional film 80 may be a dielectric material having a dielectric constant lower than that of the piezoelectric substrate 10 containing, for example, at least one of tantalum oxide, hafnium oxide, and zirconia.
  • the electric field generated between the gaps tends to be concentrated on the additional film, and the electric field generated between the gaps is less likely to reach the piezoelectric substrate 10 as compared with the form in which the additional film is not mounted.
  • the electric field generated between the gaps can be reduced and the distorted wave can be suppressed.
  • the parasitic capacitance between the gaps is smaller than that when the additional film is a metal layer, the parasitic effect of the additional film on the elastic wave device is small.
  • Patent Document 1 discloses a form in which the additional film 80 is arranged between the IDT electrode 11 and the piezoelectric substrate 10, but in the third embodiment, the IDT electrode 11 and the piezoelectric substrate 10 are used.
  • the additional film 80 is not arranged between the two.
  • the IDT electrode 11 is directly installed on the piezoelectric substrate 10.
  • the region between the IDT electrode 11 and the piezoelectric substrate 10 affects the electrical characteristics.
  • an additional film is installed in the dominant region, but in this embodiment, an additional film is not installed. Therefore, the electromechanical coupling coefficient can be increased as compared with Patent Document 1. , It has the effect of suppressing the deterioration of electrical characteristics.
  • the additional film 80 is provided in the gap 15 of the first electrode film 91 generated up to FIG. 5 (b).
  • the material of the additional film 80 for example, tantalum oxide, hafnium oxide, and zirconia are used.
  • FIG. 5 (c) a sacrificial layer 92 is provided between the gaps 15 of the first electrode film 91 so as to cover the additional film 80, and FIGS. 5 (d) and 6 (e) to By proceeding in order to FIG. 6 (g), the form as shown in FIG. 8 having the additional film 80 in the region 300 is obtained.
  • the elastic wave device according to the present invention may have, for example, a configuration in which a plurality of elastic wave devices are arranged on one piezoelectric substrate.
  • an elastic wave device having an elastic surface wave device is exemplified, but the elastic wave in the above-described embodiment and modification refers to the surface of the composite substrate or a plurality of materials. It refers to various types of elastic waves that include elastic waves propagating at the interface and are excited by IDT electrodes. Elastic waves also include, for example, love waves, leaky waves, Rayleigh waves, pseudo SAWs, and plate waves.
  • 1 elastic wave device 2 electrode finger, 3 bus bar electrode, 5 electric field, 10 piezoelectric substrate, 10a main surface of piezoelectric substrate, 11 IDT electrode, 12 1st comb tooth electrode, 13 2nd comb tooth electrode, 14a reflector a, 14b reflector b, 15 gap, 16 1st bus bar electrode, 17 1st electrode finger, 18 2nd bus bar electrode, 19 2nd electrode finger, 20 1st height, 21 2nd height, 30 top surface, 31 bottom surface, 33 first side surface, 34 second side surface, 41 first point, 42 second point, 43 first part, 44 second part, 45 third part, 46 fourth part, 47 first facing part, 48 2nd facing part, 50 intermediate layer, 60 semiconductor layer, 70 convex part, 80 additional film, 91 1st electrode film, 92 sacrificial layer, 93 resist pattern, 94 2nd electrode film, 100 1st gap, 101st 2 gaps, 200 1st virtual line, 301 1st area, 302 2nd area.

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Abstract

圧電基板（１０）に、互いに対向し合う第１バスバ電極（１６）及び、第２バスバ電極（１８）と、第１バスバ電極（１６）から延びた第１電極指（１７）と、第２バスバ電極（１８）から延びた第２電極指（１９）とを有するＩＤＴ電極（１１）が配置されている。第１バスバ電極（１６）と第２電極指（１９）の先端とはギャップ（１５）を介して対向しており、第１バスバ電極（１６）と第２電極指（１９）の底面（３１）間は、第１ギャップ（１００）を介して対向している。第１バスバ電極（１６）と、第２電極指（１９）とが第１ギャップ（１００）の長さより短い長さの第２ギャップ（１０１）を介して対向する部分を天面（３０）側に有し、第１側面（３３）と第２側面（３４）とで挟まれる第１領域（３０１）のうち、圧電基板（１０）と、第１バスバ（１６）或いは、第２電極指（１９）とに挟まれる第２領域（３０２）に空洞を設ける。

Description

弾性波装置
　本開示は、弾性波装置に関する。
　特開２０１４－１４３６５７号公報（特許文献１）に記載のような、圧電基板と、圧電基板に配置された少なくとも１つのＩＤＴ電極と、を有する弾性表面波素子が知られている。ＩＤＴ電極は、一対の第１櫛歯状電極と第２櫛歯状電極とから構成される。各櫛歯状電極は、バスバ電極と、該バスバ電極から延びて、他方の櫛歯状電極に対してギャップを有する位置に先端が位置している複数の電極指とを有している。
　従来、弾性表面波素子において、ギャップに電場が発生すると圧電基板が有する非線形性によって歪電流が発生し、歪電流に基づく歪波によって電気特性が低下することがあった。
　そこで、例えば、特許文献１には、バスバ電極と圧電基板との間に該圧電基板よりも誘電率が小さい絶縁膜を配置する技術が記載されている。これによって絶縁膜に電場が集中し、ギャップに発生する電場が弱められ、歪波が抑制されることが開示されている。
特開２０１４－１４３６５７号公報
　特許文献１に記載の弾性波装置において、ギャップに生じている電界（電場）を十分に低減しようとした場合、絶縁膜の厚みを大きくして、多くの電界を集中させる必要がある。しかしながら、その場合、電気機械結合係数が減少し、弾性波装置の特性が劣化してしまうという課題がある。
　上記課題に鑑み、本発明は、ギャップに発生する電界の低減による歪波の抑制と、特性の劣化の抑制との両立を目的とする。
　本開示に係る弾性波装置は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極とを備え、前記ＩＤＴ電極は、相互に対向している一対のバスバ電極と、複数の電極指とを有し、前記複数の電極指は、一方の端部が前記一対のバスバ電極のどちらか一方に接続され、他方の端部が前記一対のバスバ電極の他方とギャップを挟んで対向し、前記ギャップを挟んで互いに対向する前記バスバ電極の対向面および前記電極指の対向面の少なくとも一方には、前記圧電基板に接する部分よりも前記圧電基板から離れた部分のほうが前記ギャップの間隔が狭くなるように、前記圧電基板から離れた部分から前記ギャップ側に突出する凸部が設けられ、前記凸部と前記圧電基板との間には空洞が存在する、ことを特徴としている。
　本開示によれば、特性の劣化を抑制しつつ、圧電基板においてギャップに生じる電界の強さを低減して、歪波を抑制できる。
本発明の実施形態に係る弾性波装置を示す平面図である。 図２は、第１の実施形態に係る弾性波装置の略図的断面図である。 図３は、図１の弾性波装置の作用を説明するための図である。 図４は、第１の弾性波装置の変形例を示す略図的断面図である。 図５は、第１の弾性波装置の製造方法を説明するための図である。 図６は、第１の弾性波装置の製造方法を説明するための図である。 図７は、第２の実施形態に係る弾性波装置の略図的断面図である。 図８は、第３の実施形態に係る弾性波装置の略図的断面図である。
　以下、本発明を実施した形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示であり、本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
　また、実施形態等で参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。加えて、図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
　なお、本明細書および特許請求の範囲の記載において、弾性波装置は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいが、以下では便宜的に、直交座標系ｘｙｚを定義すると共に、ｚ方向の正側（図２の紙面上側）を上方、ｚ方向の負側（図２の紙面下側）を下方として、上方、下方、及び、上、下、等の用語を用いるものとする。
　ここで、「天面」および「底面」とは、ＩＤＴ電極１１の任意の面を指すものとして参照される。具体的には、ＩＤＴ電極１１の圧電基板１０側の面を底面とし、ＩＤＴ電極１１の底面と対向する面を天面として、底面、天面等の用語を用いるものとする。段落００１２の上方、下方の定義を用いるならば、天面は底面よりも上方、底面は天面よりも下方にあると換言できる。加えて、「側面」とはＩＤＴ電極１１の面のうち、天面と底面に挟まれた面を指し、他の表現をするならば、ＩＤＴ電極１１が有する面のうち、天面と、底面とに該当しない面を側面と定める。
（第１の実施形態）
　図１は、本発明の実施形態に係る弾性波装置１の平面図である。なお、本発明の実施形態に係る弾性波装置１は、例えば、弾性表面波装置である。図１に示すように、弾性波装置１は、圧電基板１０を有する。圧電基板１０は、タンタル酸リチウムからなる。なお、圧電基板１０は、ニオブ酸リチウムなどのタンタル酸リチウム以外の圧電単結晶や、適宜の圧電セラミックスからなっていてもよい。
　図１に示すように、圧電基板１０は、一方の主面１０ａを有し、１０ａ上には、ＩＤＴ電極１１が設けられている。ＩＤＴ電極１１に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。ＩＤＴ電極１１の弾性波伝搬方向（ｘ方向）の両側には、反射器１４ａ、及び、反射器１４ｂを含む反射器１４が配置されている。反射器１４ａ及び、反射器１４ｂは、弾性波伝播方向（ｘ方向）に直交する方向（ｙ方向）に延び、互いに平行な複数の反射電極指を含んでいる。
　ＩＤＴ電極１１は、互いに対向し合う第１バスバ電極１６、及び、第２バスバ電極１８を有する。加えて、ＩＤＴ電極１１は、第１バスバ電極１６に一端が接続され、第２バスバ電極１８に向かって延びる複数の第１電極指１７と、第２バスバ電極１８に一端が接続され、第１バスバ電極１６に向かって延びる複数の第２電極指１９を有する。第１バスバ電極１６と第１電極指１７により第１櫛歯状電極１２が構成され、第２バスバ電極１８と第２電極指１９により第２櫛歯状電極１３が構成されている。なお、以下では、第１櫛歯状電極１２および第２櫛歯状電極１３を単に櫛歯状電極と呼ぶ場合もあり、これらを区別しないことがある。
　複数の第１電極指１７と複数の第２電極指１９とは、互いに間挿し合っている。即ち、一対の櫛歯状電極において、複数の第１電極指１７と複数の第２電極指１９が互いに間挿し合うように配置されている。但し、複数の第１電極指１７と複数の第２電極指１９との全てが間挿し合う必要はなく、その一部が間挿し合う形態であればよい。
　そして、第１バスバ電極１６と複数の第２電極指１９の先端部、或いは、第２バスバ電極１８と複数の第１電極指１７の先端部とは、弾性波伝播方向（図１中ｘ方向）に直交する方向（図１中ｙ方向）において、ギャップ１５を介して対向している。
　ここで、第１バスバ電極１６、及び、第２バスバ電極１８は、対向するバスバ電極に向かって延びるダミー電極指を有してもよい。その場合、以下では、ダミー電極指はバスバ電極に含まれるものとして説明している。仮に、ダミー電極指とバスバ電極を異なるものとして取り扱ったとしても、本発明によって奏される効果は同等であるため、ダミー電極指についての個別の説明や換言は省略する。
　ＩＤＴ電極１１は、複数の金属層が積層された積層金属膜からなる。この金属としては、例えば、Ａｌ，Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、或いは、それらを主成分とする合金が挙げられる。なお、ＩＤＴ電極は、単一の金属層から構成されてもよい。
　ｘ方向に隣り合う第１電極指１７同士の中心間距離を、ＩＤＴ電極ピッチｐとする。ここで、圧電基板１０の厚みは、２ｐ以下となることが好ましい。この場合、圧電基板１０は支持基板に積層されていてもよい。このように、圧電基板１０の厚みが２ｐ以下であるとき、弾性表面波装置のＱ値や結合係数を高め得るという効果を奏する。
　なお、弾性波装置１は、上記の他に、ＩＤＴ電極１１及び反射器１４と、圧電基板１０との間に介在する接着層、または圧電基板１０の上面１０ａにおいて、ＩＤＴ電極１１及び反射器１４を覆う保護層等を有していてもよい。図１ではＩＤＴ電極１１に信号の入出力を行うための配線、及び、パッドは図示を省略している。
　図２は、第１の実施形態に係る弾性波装置の略図的断面図である。具体的には、図１に示すＩＤＴ電極１１をＡ－Ａ線に沿って切断したときの略的断面図である。ここで、図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は同じ構造の弾性波装置を指しているが、各図に分けて、後述する第１の実施形態に係る弾性波装置の構造及び、領域を説明する。
　以下、第１バスバ電極１６、及び、第２電極指１９に関する詳細な説明を行うが、当該説明はこの組み合わせに限定されず、第２バスバ電極１７、及び、第１電極指１８の組み合わせに適用されてもよい。本発明によって奏される効果は何れの組み合わせであっても同等であるため、本明細書および特許請求の範囲の記載においては、第１バスバ電極１６、及び、第２電極指１９の組み合わせでの説明を行う。
　図２（ａ）に示されるように、圧電基板１０上に第１櫛歯状電極１２が有する第１バスバ電極１６と第２櫛歯状電極１３が有する複数の第２電極指１９とが、ギャップ１５を介して対向している。なお、本明細書におけるギャップ１５とは、第１バスバ電極１６と第２電極指１９との間において、ＩＤＴ電極１１の材料が存在しない隙間を指す。なお、第１バスバ電極１６、及び、第２電極指１９において、圧電基板１０側の面を底面３１とし、底面３１に対向する面を天面３０と定める。加えて、天面３０と底面３１に挟まれた面を側面とし、他の表現をするならば、ＩＤＴ電極１１が有する面のうち、天面と、底面と、に該当しない面を側面と定める。
　ここで、第１バスバ電極１６における第２電極指１９側の側面を第１側面３３とし、第２電極指１９における第１バスバ電極１６側の側面を第２側面３４とする。その場合、第１側面３３と第２側面３４はギャップ１５を介して対向している。
　次に、図２（ｂ）に示されるように、第１側面３３と圧電基板１０とが接する部分を第１点４１とし、第２側面３４と圧電基板１０とが接する部分を第２点４２とする。第１点４１から第２点４２までの間を第１ギャップ１００とした場合、第１ギャップ１００より短い長さの第２ギャップ１０１で、第１部分４３と第２部分４４とが対向している。また、第１ギャップ１００で第３部分４５と第４部分４６とが対向している。ここで、第１点４１及び第２点４２は「第１対向部４７」の一例であり、第１部分４３及び第２部分４４は「第２対向部４８」の一例である。なお、本発明におけるギャップの長さとは、弾性波伝播方向（ｘ方向）に直交する方向（ｙ方向）に沿った長さのことを指す。
　そして、第１部分４３は、第１点４１よりも天面３０側に、第２部分４４は第２点４２よりも天面３０側に位置している。ここで、第１部分４３、第３部分４５とは、第１側面３３の一部であり、第２部分４４、第４部分４６とは第２側面３４の一部であって、略的断面図において、該当する部分が点であっても線であってもよい。この図２では、第１部分４３、第２部分４４、第３部分４５、及び、第４部分４６に該当する部分が線で示されている。
　また、第１側面３３と第２側面３４とで挟まれる領域を第１領域３０１と称する。第１領域３０１について、より正確には、第１バスバ電極１６の天面３０から、第２電極指１９の天面３０までを結ぶ第１仮想線２００を仮定したとき、第１仮想線２００と、圧電基板１０と、第１バスバ電極１６と、第２電極指１９とに挟まれた領域を第１領域３０１とする。
　ここで、第１仮想線２００について正確に表現するならば、第１バスバ電極１６の天面において、対向する第２電極指１９に最も近い部分から、第２電極指１９の天面において、対向する第１バスバ電極１６に最も近い部分までを結んだと仮定した直線を第１仮想線２００と称している。ＩＤＴ電極１１の天面３０は主として平坦であるため、本願の第１仮想線２００は圧電基板１０と概ね並行になる。
　なお、本発明における空洞とは、絶縁体などを含む固体、及び、液体材料で満たされていない部分を指す。より詳しくは、例えば、主として空気などの気体が配置されている状態等である。
　続いて、図２（ｃ）に示されるように、上述の第１領域３０１において、圧電基板１０と、第１バスバ電極１６或いは、第２電極指１９とに挟まれる第２領域３０２に空洞が設けられている。具体的には、第２領域３０２は、第２対向部４８である第１部分４３と圧電基板１０とに挟まれた領域、及び、第２対向部４８である第２部分４４と圧電基板１０とに挟まれた領域である。
　なお、ある領域に「空洞が設けられている」といった場合、その領域の全てに空洞が設けられる必要はない。その領域の一部のみに空洞が設けられる場合も「空洞が設けられる」場合に含まれてもよいことを指摘しておく。
　次に、第１バスバ電極１６における第１点４１、及び、第２電極指１９において第２点４２よりも第１ギャップ１００側に飛び出している部分を凸部７０と称する。つまり、第２対向部４８である第１部分４３及び第２部分４４は、第１対向部である第１点４１及び第２点４２に対して凸部となっている。より正確には、第１点４１を通る圧電基板１０に対しての垂線Ｂを引く。同様にして、第２点４２を通る、圧電基板１０に対しての垂線Ｃを引く。第１バスバ電極、及び、第２電極指において、この二つの垂線Ｂ、及び、垂線Ｃによって挟まれた領域に存在する部分を凸部７０と称する。
　つまり、第１バスバ電極１６の凸部７０と圧電基板１０とで挟まれる領域及び、第２電極指１９の凸部７０と圧電基板１０とで挟まれる領域の少なくとも一方に空洞が設けられている。
　すなわち、ギャップ１５を挟んで互いに対向する第１バスバ電極１６の第１側面３３および第２電極指１９の第２側面３４には、圧電基板１０に接する第１点４１よりも圧電基板１０から離れた部分のほうがギャップ１５の間隔が狭くなるように、圧電基板１０から離れた部分からギャップ１５側に突出する凸部７０が設けられる。さらに、凸部７０と圧電基板１０との間には空洞が存在する。
　ここで、圧電基板１０の主面１０ａから、凸部７０の圧電基板側の面までの高さを第１高さ２０とする。通常、圧電基板１０の主面１０ａから、第１バスバ電極の凸部７０、及び、第２電極指由来の凸部７０の圧電基板側の面までの第１高さは、製造方法の観点から、概ね同等の高さで構成される。しかし、第１高さ２０が異なる場合には、長さが短いほうを第１高さとして採用する。
　以下、図１と図３を用いて、弾性表面波素子の非線形性によって発生する電気的な歪波が起因されるメカニズムと、本発明によって歪波を抑制する原理とを示す。
　図１において、第１櫛歯状電極１２が第２櫛歯状電極１３よりも電位が高い状態にあるとする。このとき圧電基板１０の第１櫛歯状電極１２と第２櫛歯状電極１３との間の領域には、電界Ｅが発生している。すなわち、弾性波伝搬方向（ｘ方向）に沿った電界Ｅｘと、ギャップ領域では弾性波伝搬方向に直交する方向（ｙ方向）に沿った電界Ｅｙと、が発生する。そして、このような電界Ｅが発生すると圧電体からなる圧電基板１０が有する非線形性によって歪電流が発生する。
　具体的には、圧電基板に電界が印加されると、圧電基板１０の誘電率の２次の非線形性により、その電界に応じた歪電流が流れる、というものである。このメカニズムに則して、実際の弾性表面波素子では、圧電結晶表面に形成されたＩＤＴ電極によって圧電結晶の内部に電界が励起され、電界は圧電基板１０の主面１０ａと平行な方向の成分と垂直な方向（深さ方向）成分を持つ。この電界に対し、非等方性の誘電率の非線形性が対応して、それぞれに起因する歪電流が発生する。
　ここで、電界Ｅｘに起因するｘ方向に沿った歪電流Ｉｘに着目すると、第１の電極指１７間を流れる歪電流Ｉｘは、第１電極指１７に流れ込む歪電流Ｉｘｉｎと第１電極指１７から流れ出る歪電流Ｉｘｏｕｔとが、ｙ方向において逆方向であるため、打ち消しあう。このため、歪電流Ｉｘに基づく歪波が弾性波装置１の外部に出力されることは、基本的にはない。同様に、第２電極指１９においても、歪電流Ｉｘは打ち消し合うこととなる。従って、ＩＤＴ電極１１のｘ方向における歪電流Ｉｘは打ち消しあって、弾性波装置１の外部に歪波として出力されることはない。
　一方、ｙ方向に沿った電界Ｅｙに着目すると、ギャップ１５における電界Ｅｙに起因する歪電流Ｉｙは同方向であるため、これらの歪電流Ｉｙは打ち消し合わない。
　このように、打ち消し合わずに残った歪電流Ｉｙが、ギャップ１５における歪波の発生要因の１つになっていると考えられる。
　一方、図３を用いて、本発明によって歪波を抑制することができる原理を示す。図３は図１に示すＩＤＴ電極１１をＡ－Ａ線に沿って切断したときの断面図であり、（ａ）は、従来の弾性波装置の断面図、（ｂ）は本発明に係る弾性波装置の断面図である。
　図３（ａ）のように一般的な弾性波装置は、ギャップの長さが底面から天面に向かって概ね、一様の長さを保っている。そのため、侵入深さ（ｚ方向の長さ）が等しい電界Ｅｙがギャップ１５の間において発生する。なお、侵入深さとは、任意の電界Ｅｙにおいて、ｚ軸成分の最小値から最大値までの長さを指す。この電界Ｅｙは、圧電基板１０内において、電極指２に近い圧電基板１０の上面側ほど多くの電界が通り得るため、圧電基板１０の上面側ほど大きい。
　一方、図３（ｂ）に示すように、櫛歯状電極の底面３１間のギャップの長さ、すなわち第１ギャップ１００の長さ、これより短い長さである第２ギャップ１０１が、第１ギャップ１００より櫛歯状電極の天面３０側に存在している形態における電界を考える。一般的に、ギャップ間の電界の侵入深さは、おおよそギャップの長さに等しいため、ギャップ間の長さが短い箇所は、ギャップ間の長さが長い箇所に比べて、電界の侵入深さは浅くなる。そして、この構造をもって、第２ギャップ１０１のギャップ間に生じる電界５の侵入深さを図３（ａ）より浅くすることが可能で、第２ギャップ１０１間に生じる電界５を圧電基板１０に到達しにくくすることができる。
　結果として、第１ギャップ１００間で発生する電界による歪波の影響はあるものの、第２ギャップ１０１間で発生する電界による歪波の影響を受けにくくすることが可能であり、圧電基板に到達し得る電界の総量が低減する分、歪波の影響の低減が達成される。
　これらの特徴により、図３（ａ）の弾性波装置と比較して、本発明の実施形態の一形態である図３（ｂ）の弾性波装置では、圧電基板１０に発生する電界Ｅｙを低減する効果が発揮される。
　加えて、仮に、第２ギャップ１０１を介して対向する第１バスバ電極１６の側面と第２電極指１９の側面とで発生した電界が圧電基板１０に到達し得たとしても、第２領域に配置された比較的誘電率の低い空気が入った空洞を通すことで、電界の強さの低減効果を得ることもできる。上述の通り、ギャップに発生する電界Ｅｙが歪波の発生要因の１つであると考えられるため、この電界Ｅｙの強さを弱めることによっても歪波が抑制されることとなる。
　ここで、ギャップに発生する電界とは、詳細には、圧電基板におけるギャップの直下の領域に電界が発生するという意味である。
　さらに、第２ギャップ１０１で定義される長さと第１高さ２０で定められる長さとの関係によって、圧電基板にかかる電界の更なる低減を図ることができる。具体的には、第２ギャップ１０１の長さの値よりも、第１高さ２０の距離の大きさの値を大きくすることで圧電基板にかかる電界の更なる低減を図ることができる。前述の通り、ギャップ間の電界の侵入深さは、おおよそギャップの長さに等しいため、第２ギャップ１０１の長さの値よりも第１高さ２０の距離の大きさの値を大きくすることで、凸部７０に発生する電界は、圧電基板に到達しにくくなるという効果を奏する。
（第１の実施形態の変形例）
　以下、実施形態１の変形例について説明する。
　本変形例に係る弾性波装置について、実施の形態１に係る弾性波装置１と同じ構成については、説明を省略し、異なる部分を中心に説明する。
　実施形態１の変形例１を、図４（ａ）に示す。図示する様に、第２ギャップを介して対向している第１バスバ電極１６の側面と第２電極指１９の側面とが必ずしも平行ではなく、傾斜している形状でもよい。この場合であっても、実施形態１と同様の効果を得ることができる。
　この変形例１においては、圧電基板１０からＩＤＴ電極の天面３０（第１仮想線２００）に向かってギャップの長さが連続的に短くなっておらず、段階的に短くなる形状である。なお、ギャップの長さが、段階的に短くなるとは、第１バスバ電極１６及び、第２電極指１９のギャップ部に突出する部分が階段のような形状を有し、滑らかに長さが変化しない状態を指す。
　なお、第１ギャップ１００よりも短いギャップが複数存在した場合、最も長さの短い長さのギャップを第２ギャップ１０１と定める。加えて、第１側面及び、第２側面において、第２ギャップ１０１を介して対向している第１部分４３と第２部分４４が第２対向部４８に相当する。
　続いて、実施形態１の変形例２を示した図４（ｂ）の様に、第１バスバ電極１６と、第２電極指１９とを含むＩＤＴ電極１１の天面３０の全てが圧電基板１０と平行である必要はなく、一部が傾斜している形態であってもよい。他の見方をするならば、ＩＤＴ電極１１において、圧電基板１０の主面１０ａからＩＤＴ電極１１の天面までの距離が一定である形状に限定されない。ここでも、ギャップが段階的に短くなる形状であり、第２対向部４８は、第１側面及び、第２側面が二分されているうちの天面側の側面である第１部分４３と第２部分４４に等しい。この場合であっても、実施形態１と同様の効果を得ることができる。
　また、変形例２においては、第１側面３３における第２対向部４８の圧電基板１０に最も近い部分４５と、第２側面３４における第２対向部４８の圧電基板１０に最も近い部分４６との双方が、空洞に露出している。ギャップ間に発生する電界の強度はギャップ間の長さに反比例して強くなるため、第２対向部４８由来の電界の強度は、ギャップ間に発生する電界強度の中で高くなる。その上、圧電基板１０に近い部分間に発生する電界は、圧電基板１０に遠い部分間に発生する電界よりも圧電基板１０に到達し易い。そこで、上述の第２対向部４８における圧電基板１０に最も近い部分を比較的に誘電率の低い空気を有した空洞に露出することで、電界の強さの低減効果をより高めているという効果を奏する。但し、第１側面３３及び、第２側面３４の第２対向部４８における圧電基板１０に最も近い部分の双方が空洞に必ずしも露出している必要はなく、少なくとも一方が露出していれば良い。
　なお、上述の第１側面３３及び、第２側面３４の第２対向部４８における圧電基板１０に最も近い部分の双方が露出する空洞について、該空洞が第２領域３０２に配置された空洞と一致する変形例２のような場合であってもよいし、該空洞が第２領域３０２に配置された空洞とは異なる場合であってもよい。
　実施形態１の変形例３を、図４（ｃ）に示す。図示する様に、ギャップの長さが、圧電基板１０から天面３０（第１仮想線２００）に向かって、段階的でなく連続的に短くなる形状でもよい。より具体的には、ギャップを介して対向している第１バスバ電極１６の側面と第２電極指１９の側面とが傾斜している形状でもあってもよい。なお、変形例３においては、第１点４１を除いた第１側面３３が第１部分４３に、第２点４２を除いた第２側面が第２部分４４となる。このような構造であっても第１の実施形態と同様に、ギャップ間の電界の侵入深さが浅くなることで、ギャップ間の電界が圧電基板に到達し辛くなるという効果を奏する。
　ここで、変形例３において、第１側面３３と第１バスバ電極１６の天面３０とが接する部分と、第２側面３４と第２電極指１９の天面とが接する部分との双方が、空洞に露出している。上述したように、圧電基板１０に到達し易く、かつ電界強度の強い電界を誘電率の低い空気に通すことで、電界の強さの低減効果をより高めているという効果を奏する。但し、第１側面３３と第１バスバ電極１６の天面３０とが接する部分と、第２側面３４と第２電極指１９の天面とが接する部分の双方が空洞に露出している必要はなく、少なくとも一方が露出していれば良く、また、該空洞は第２領域４２に配置された空洞と必ずしも一致する必要もない。
　実施形態１の変形例４として、ギャップの長さが、圧電基板１１から天面３０に向かう全ての箇所で連続的に短くなる形状ではなく、図４（ｄ）に示すように圧電基板１１から天面３０に向かう一部の箇所が連続的に短くなる形状でもよい。具体的に、ここでは圧電基板１１から天面３０に向かう途中の点まで一定のギャップの長さを保ちつつ、その点から天面３０に向ってギャップ間の距離が第１ギャップよりも連続的に短くなるように円弧状の形状を有している。ただし、ここではギャップの長さが連続的に短くなる形状の一例を示しており、必ずしも図示するような円弧状の形状に限定されるものではない。
　ここで、変形例４における第１部分４３は第１側面３３のうち曲線で図示されている部分であり、第２部分４４においても、第２側面３４のうち曲線で図示されている部分であって、第１ギャップよりも短い長さのギャップで対向している。
　この図４（ｄ）のように、圧電基板１１から天面に向かう箇所の一部で連続的に短くなる形状であっても、ギャップ間の電界が圧電基板１１に到達し辛くなるという実施形態１の効果を同様に奏することができる。
　上記までに記載の実施例では、圧電基板１０上に配置された第１バスバ電極１６、及び、第２電極指１９において、その双方が特徴的な形状を有していたが、これに限定されるものではない。
　例えば、実施形態１の変形例５を図４（ｅ）に示す。図４（ｅ）に示される弾性波装置のように対向する櫛歯電極のうち、一方の第１バスバ電極１６だけが凸部７０を有し、他方の第２電極指１９が凸部７０を有さない形状であってもよい。この場合であっても、第１ギャップ１００より短い第２ギャップ１０１を天面３０側に有するため、ギャップ間の電界が圧電基板１１に到達し辛くなるという効果を得ることができる。ここで、第１バスバ電極１６のみに凸部７０を設けた形態を図示したが、第２電極指１９のみが凸部７０を有している場合であってもよい。
　変形例５は、圧電基板１０からＩＤＴ電極の天面３０に向かってギャップの長さが段階的に短くなる形状である。ここで、変形例５における第２対向部４８について説明する。まず、第１バスバ電極１６の第１側面３３においては、２分された側面のうち天面側の側面である第１部分４３が第２対向部４８となる。他方、第２電極指１９の第２側面においては、第１バスバ電極１６の第２対向部４８と第２ギャップ１０１を介して対向する第２部分４４が第２対向部４８となる。
　換言するならば、本発明においては、ギャップを介して対向する電極、例えば第１バスバ電極１６と第２電極指１９とは、第１ギャップ１００の中点を通る垂線に対して線対称である必要はなく、線対称でない形状であっても、第１ギャップ１００より短い第２ギャップ１０１をバスバ電極１６または第２電極指１９の天面側に有する形状であれば、所望の効果を得ることができる。
　（製造方法）
　次に図５、及び、図６を用いて、弾性波装置の製造方法の一例について説明する。図５（ａ）～図５（ｄ）、及び、図６（ｅ）～図６（ｇ）は、弾性表面波素子の製造プロセス順に並べた断面図であり、図１のＡ－Ａ線における断面に相当する。製造工程は、図５（ａ）から図５（ｄ）、及び、図６（ｅ）～図６（ｇ）まで順に進んでいく。なお、各種の層は、プロセスの進行に伴って形状等が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いることがあるものとする。
　図５（ａ）に示すように、圧電基板１０を用意する。
　次に、図５（ｂ）のように、圧電基板１０の主面１０ａ上に、フォトリソグラフィー技術やエッチング技術を用いて、ＩＤＴ電極１１、反射器１４などを含む電極パターンの一部となる第１の電極膜９１を形成する。
　なお、ＩＤＴ電極１１や反射器１４含の形成方法は、フォトリソグラフィープロセスに限らず、順に、成膜、レジストパターニング、エッチング、レジスト剥離というエッチングプロセスを用いてもよい。この際、ＩＤＴ電極１１の腐食の抑制のため、薄いパッシベーション膜（ＳｉＯ2，ＳｉＮ等）を設けてもよい。
　続いて、図５（ｃ）に示すように、図５（ｂ）までで生成した第１の電極膜９１のギャップ１５に、犠牲層９２を設ける。なお、犠牲層９２の素材は例えば、ＰＩやＺｎＯを用いる。ただし、この材料に限定されるものではない。
　そして、図５（ｄ）に示すように、犠牲層９２よりも弾性波伝播方向に直交する方向（ｙ方向）の長さが短くなるように、レジストパターン９３を形成する。
　その後、図６（ｅ）のように、前述の蒸着やスパッタリングなどの手法を用いてレジストパターン９３上、及び、第１の電極膜９１に、電極材料（Ａｌ）よりなる第２の電極膜９４を形成する。
　次に、図６（ｆ）に示すように、レジストパターン９３を溶剤で溶かし、その上に付着した不要な電極膜を除去する。
　同様にして、犠牲層９２をも除去することで、第１の電極膜９１に電極材料（Ａｌ）を含んだ第２の電極膜９４が積層された図６（ｇ）のような形態となる。
（第２の実施形態）
　　図７は第２の実施形態に係る弾性波装置１の略図的断面図である。
　以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。
　　図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は同じ第２の実施形態を指しており、各図に分けて第２の実施形態に係る弾性波装置の構造を説明することで、発明を明らかにする。
　まず、図７（ａ）では、圧電基板１０上に第１櫛歯状電極１２が有する第１バスバ電極１６と第２櫛歯状電極１３が有する複数の第２電極指１９とが、少なくとも一部においてギャップ１５を介して対向している。そして、第１バスバ電極１６、及び、第２電極指１９において、圧電基板１０側の面を底面３１とし、底面３１に対向する面を天面３０と定める。また、天面と前記底面とを結ぶ面を側面とした場合、第１バスバ電極１６における第２電極指側１９の側面を第１側面３３と、第２電極指１９における第１バスバ電極１６側の側面を第２側面３４とする。そのとき、第１側面３３と第２側面３４はギャップを介して対向している。
　第１点４１と第２点４２とのギャップである第１ギャップ１００の長さより短い長さの第２ギャップ１０１を介して、第１バスバ電極１６と第２電極指１９とが対向している部分（第２対向部４８）が、第１ギャップ１００より天面３０側に設けられている。
　図７（ｂ）では、第１ギャップ１００の長さより短い長さのギャップを介して、第１バスバ電極１６と第２電極指１９とが対向している部分が、第１ギャップ１００より天面３０側に、複数設けられている。故に、第１ギャップ１００よりも短い長さのギャップ１５が複数存在する。その場合、第１バスバ電極１６と第２電極指１９とが対向しているギャップの長さが最も短い長さのギャップを第２ギャップ１０１と定義する。また、本形態の様にギャップの長さが、圧電基板１０から第１仮想線２００に向かって段階的に短くなる形態においては、第２ギャップを介して対向している第１バスバ電極１６の側面に含まれる第１部分４３と第２電極指１９の側面に含まれる第２部分４４とを第２対向部４８とする。図７（ｂ）を参照するならば、第１側面３３及び、第２側面３４において、３分された側面のうち圧電基板１０の厚さ方向における中央の側面が第２対向部４８（４３，４４）に相当する。また、第１側面３３と第２側面３４とで挟まれる領域の第１領域３０１がある。
　次に、図７（ｃ）では、上述した第１領域３０１において、圧電基板１０と、第１バスバ電極１６或いは、第２電極指１９とに挟まれる第２領域３０２に空洞が設けられている。
　実施形態２においても、第１バスバ電極１６と第２電極指１９との底面３１部分が対向している第１ギャップ１００よりも、ギャップの長さが短い第２ギャップ１０１を第１ギャップ１００よりも天面３０側に備えている。このため、上述のようにギャップ間に生じる電界の侵入深さを浅くすることで、圧電基板に到達し得る電界を低減できる。また、第１バスバ電極１６の側面と第２電極指１９バスバの側面とで発生した電界が圧電基板１０に到達し得たとしても、第２領域３０２に配置された比較的誘電率の低い空気が入った空洞を通すことで、電界の強さの低減効果を得ることもできるという実施形態１と同様の効果を得ることができる。
　図７に示されるように、圧電基板１０には、ＩＤＴ電極１１が設置されている主面１０ａと対向する主面に中間層５０と、支持基板に該当する半導体層６０とを積層している。なお、半導体層は例えばシリコンからなる。
　加えて、圧電基板１０と半導体層６０との間に、中間層５０を設ける形態であってもよい。中間層５０を設けることにより、電気機械結合係数を上げることができ、特性の劣化を抑制できるという効果を得ることもできる。
　上述の第１の実施形態と同様にして定義される凸部７０において、中間層５０と半導体層６０等からなる支持基板との界面から、凸部７０の圧電基板１０側の面までの高さを第２高さ２１とする。ただし、中間層５０と半導体層６０との界面から、第１バスバ電極１６由来の凸部、及び、第２電極指１９由来の凸部までの第２高さ２１が異なる場合には長さが短いほうを第２高さとすることが好ましい。その場合、第２ギャップ１０１の長さの値よりも第２高さ２１の値が大きいとき、半導体層由来の歪波の低減効果がさらに大きくなるという効果を奏する。この効果は、ギャップ間の電界の侵入深さは、おおよそギャップの長さに等しいという性質を利用し、半導体層へ到達しうる電界を低減していることに由来するものである。
　ここで、実施形態２に係る弾性波装置の製造方法の一例について説明する。基本的な製造プロセスは上述の実施形態１に係る弾性波装置の製法に準ずる。まず、製造工程は図５（ａ）～図５（ｄ）及び、図６（ｅ）～図６（ｆ）まで順に進んでいく。
　続いて、図６（ｆ）が完了すると再度、図５（ｄ）と同じ要領で、第２の電極膜９４にまたがるように、レジストパターン９３を第２の電極膜９４及び、犠牲層９２上に第３の電極膜を形成する。
　次に、図６（ｆ）、図６（ｇ）での工程と同様にレジストパターン９３、犠牲層９２を順に除去することで、第１電極膜９１及び、第２の電極膜９４に第３の電極膜が積層された図７のような形態となる。
　（第３の実施形態）
　図８は第３の実施形態に係る弾性波装置１の略図的断面図である。
　例えば、図８に示される弾性波装置のように、第１の実施形態と同様の構成に加えて、第１仮想線２００と、圧電基板１０と、第１バスバ電極１６と、第２電極指１９とで挟まれた領域３００の中に、付加膜８０を有する。例えば、付加膜は、圧電基板１０の主面１０ａ上に配置される形態である。
　付加膜８０は、一対の櫛歯状電極と電気的に接続されていない金属層からなる。この場合、ギャップ間に発生する電界の一部が、金属層を介して電界が通るため、付加膜を付与する前の形態と比較して、圧電基板１０に到達し得る電界を低減して、歪波を抑制できる。
　また、付加膜８０は、例えば、酸化タンタル、酸化ハフニウム、ジルコニアのうち少なくとも１種を含む、圧電基板１０よりも誘電率が低い誘電体である場合でもよい。その場合、ギャップ間に生じる電界は付加膜に集中しやすくなり、付加膜を搭載していない形態に比べて、ギャップ間に発生する電界が圧電基板１０に到達し辛くなる。結果として、ギャップ間に生じる電界を低減して、歪波を抑制できる。加えて、付加膜が金属層の場合と比べて、ギャップ間の寄生容量が少なくなるため、付加膜が弾性波装置に及ぼす寄生的効果が少ない。
　さらに、特許文献１では、ＩＤＴ電極１１と圧電基板１０との間に付加膜８０が配置されている形態が開示されているが、第３の実施形態においては、ＩＤＴ電極１１と圧電基板１０との間に付加膜８０が配置されていない。言い換えるなら、本形態では、圧電基板１０に直にＩＤＴ電極１１が設置されている。通常、ＩＤＴ電極１１と圧電基板１０との間の領域は、電気特性に影響を及ぼす。その支配的な領域に特許文献１では、付加膜を設置している一方、本形態においては付加膜を設置していないため、特許文献１と比較して、電気機械結合係数を上げることができ、電気特性の劣化を抑制できるという効果を奏する。
　ここで、実施形態３に係る弾性波装置の製造方法の一例について説明する。基本的な製造プロセスは上述の実施形態１に係る弾性波装置の製法に準ずる。まず、製造工程は図５（ａ）、図５（ｂ）と進んでいく。
　次に、図５（ｂ）までで生成した第１の電極膜９１のギャップ１５に、付加膜８０を設ける。なお、付加膜８０の素材は例えば、酸化タンタル、酸化ハフニウム、ジルコニアを用いる。
　続いて、図５（ｃ）に示すように、第１の電極膜９１のギャップ１５間に、犠牲層９２が付加膜８０を覆うように設け、図５（ｄ）、図６（ｅ）～図６（ｇ）まで順に進んでいくことで、領域３００の中に、付加膜８０を有する図８のような形態となる。
　（その他の変形例など）
　本発明に係る弾性波装置は、例えば、一枚の圧電基板上に、複数の弾性波装置が配置された構成であってもよい。
　また、上記実施の形態及び変形例では、弾性表面波装置を有する弾性波装置を例示したが、上記実施の形態及び変形例における弾性波とは、当該複合基板の表面、もしくは、複数の材料の界面に伝搬する弾性波を含み、ＩＤＴ電極によって励振される様々な種類の弾性波を指す。弾性波には、例えば、ラブ波、リーキー波、レイリー波、疑似ＳＡＷ、板波も含まれる。
　今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本開示の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　１　弾性波装置、２　電極指、３　バスバ電極、５　電界、１０　圧電基板、１０ａ　圧電基板の主面、１１　ＩＤＴ電極、１２　第１櫛歯状電極、１３　第２櫛歯状電極、１４ａ　反射器ａ、１４ｂ　反射器ｂ、１５　ギャップ、１６　第１バスバ電極、１７　第１電極指、１８　第２バスバ電極、１９　第２電極指、２０　第１高さ、２１　第２高さ、３０　天面、３１　底面、３３　第１側面、３４　第２側面、４１　第１点、４２　第２点、４３　第１部分、４４　第２部分、４５　第３部分、４６　第４部分、４７　第１対向部、４８　第２対向部、５０　中間層、６０　半導体層、７０　凸部、８０　付加膜、９１　第１の電極膜、９２　犠牲層、９３　レジストパターン、９４　第２の電極膜、１００　第１ギャップ、１０１　第２ギャップ、２００　第１仮想線、３０１　第１領域、３０２　第２領域。

Claims (15)

  1. 　圧電基板と、
    　前記圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極とを備え、
    　前記ＩＤＴ電極は、
    　　相互に対向している一対のバスバ電極と、
    　　複数の電極指とを有し、
    　前記複数の電極指は、一方の端部が前記一対のバスバ電極のどちらか一方に接続され、他方の端部が前記一対のバスバ電極の他方とギャップを挟んで対向し、
    　前記ギャップを挟んで互いに対向する前記バスバ電極の対向面および前記電極指の対向面の少なくとも一方には、前記圧電基板に接する部分よりも前記圧電基板から離れた部分のほうが前記ギャップの間隔が狭くなるように、前記圧電基板から離れた部分から前記ギャップ側に突出する凸部が設けられ、
    　前記凸部と前記圧電基板との間には空洞が存在する、弾性波装置。
  2. 　圧電基板と、
    　前記圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、を備え、
    　前記ＩＤＴ電極が、
    　相互に対向している第１バスバ電極、及び、第２バスバ電極と、
    　前記第１バスバ電極から前記第２バスバ電極に延ばされた第１電極指と、
    　前記第２バスバ電極から前記第１バスバ電極に延ばされた第２電極指と、を有し、
    　前記第１バスバ電極、及び、前記第２電極指において、前記圧電基板側の面を底面とし　、前記底面と対向する面を天面とし、前記天面と前記底面とを結ぶ面を側面とした場合、
    　前記第１バスバ電極における前記第２電極指側の前記側面である第１側面と、前記第２電極指における前記第１バスバ電極側の前記側面である第２側面と、はギャップを介して対向しており、
    　前記第１側面と前記圧電基板とが接する第１点から、前記第２側面と前記圧電基板とが接する第２点までの前記ギャップを、第１ギャップとした場合、
    　前記第１側面における前記第１点より前記天面側の第１部分から、前記第２側面における前記第２点より前記天面側の第２部分までの前記ギャップが、前記第１ギャップの長さより短い長さの第２ギャップであり、
    　前記第１側面と前記第２側面とで挟まれる第１領域のうち、前記圧電基板と、前記第１バスバ電極或いは、前記第２電極指とに挟まれる第２領域に空洞が設けられている、
    　弾性波装置。
  3. 　前記第１バスバ電極の前記天面から、前記第２電極指の前記天面までを結ぶ第１仮想線を仮定したとき、
    　前記ギャップの長さが、前記圧電基板から前記第１仮想線に向かって段階的に短くなり、
    　前記第１側面、及び、前記第２側面において、前記第１ギャップを介して対向している面を第１対向部とし、前記第２ギャップを介して対向している面を第２対向部とした場合、
    　前記第１側面における、前記第２対向部の前記圧電基板に最も近い部分と、前記第２側面における、前記第２対向部の前記圧電基板に最も近い部分との少なくとも一方は、空洞に露出している、請求項２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記第１バスバ電極の前記天面から、前記第２電極指の前記天面までを結ぶ第１仮想線を仮定したとき、前記ギャップの長さが、前記圧電基板から前記第１仮想線に向かって連続的に短くなる、請求項２に記載の弾性波装置。
  5. 　前記第１側面と前記天面とが接する部分と、前記第２側面と前記天面とが接する部分との少なくとも一方は、空洞に露出している、請求項４に記載の弾性波装置。
  6. 　前記第２対向部は、前記第１対向部に対して凸部となっており、
    　前記圧電基板の前記ＩＤＴ電極側の主面から、前記凸部の前記圧電基板側の面までの高さを第１高さとしたとき、
    　前記第１高さの値が、前記第２ギャップの長さの値より大きい、請求項３に記載の弾性波装置。
  7. 　前記第２対向部は、前記第１対向部に対して凸部となっており、
    　前記圧電基板における、前記ＩＤＴ電極が設置されている面と対向する面に、半導体からなる支持基板が積層されており、
    　前記支持基板の圧電基板側の主面から、前記凸部の前記圧電基板側の面までの高さを第２高さとしたとき、
    　前記第２高さの値が、前記第２ギャップの長さの値より大きい、請求項３または６に記載の弾性波装置。
  8. 　前記圧電基板における、前記ＩＤＴ電極が設置されている面と対向する面に、半導体からなる支持基板が積層されている、請求項２～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 　前記半導体が、シリコンを主体とする材料からなる請求項８に記載の弾性波装置。
  10. 　前記圧電基板上の前記第１領域に付加膜を設けた、請求項２～９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  11. 　前記付加膜が誘電体からなる、請求項１０に記載の弾性波装置。
  12. 　前記付加膜の材料は酸化タンタル、酸化ハフニウム、及び、ジルコニアのうち少なくとも１種を含む、請求項１１に記載の弾性波装置。
  13. 　前記付加膜は、前記ＩＤＴ電極と電気的に接続されていない金属層からなる、請求項１２に記載の弾性波装置。
  14. 　前記第１バスバ電極は、前記第２バスバ電極に向かって延びるダミー電極指を有し、
    　前記ダミー電極指のうちの任意のダミー電極指は、前記ギャップを介して前記第２電極指と対向している、請求項２～１３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  15. 　複数本の前記第１電極指のうち、隣り合う前記第１電極指において、
    　弾性波伝搬方向の中心間距離を、ＩＤＴ電極ピッチｐとしたとき、
    　前記圧電基板が２ｐ以下の厚みを有する、請求項２～１４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
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