JP5622173B2 - 振動片、振動子、発振器、および電子機器 - Google Patents

振動片、振動子、発振器、および電子機器 Download PDF

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Description

本発明は振動片、振動子、発振器、および電子機器に係り、特に屈曲振動を励振する振動片、およびこの振動片を搭載した振動子、発振器、電子機器に関する。
屈曲振動を励起する振動片では、振動腕の圧縮応力が作用する圧縮部と引張応力が作用する伸張部との間で温度差が生じ、この温度差を緩和しようとして作用する熱伝導によっても振動エネルギーの損失が発生する。この熱伝導によって発生するQ値の低下は熱弾性損失効果(以下、熱弾性損失)と呼ばれている。そこで、熱弾性損失を考慮した設計が必要となってくる。例えば特許文献1に開示されている技術によれば、水晶振動子の腕部分に溝を設けることで、共振の安定度を示すQ値を向上させることができることが解る。
しかし、電子デバイスの小型化や薄型化に伴い、振動片の小型化や薄型化が進むと、振動部に精度良く溝を形成することは非常に困難となる。
このような問題点を回避する手段として、振動部を薄型化し、この振動部に圧電体層を形成することが考案されている(特許文献2−4)。このような構成の振動片では、圧電体層の表裏に、電位の異なる電界を印加することで、圧電体層の形成面と交差する方向(法線方向)の振動を励起させることができる。
また、特許文献5には、動的外力が与えられない初期静止状態で、振動腕を電極側で凹をなす湾曲面形状にすることで、圧電体層の配向性を改善し、高い圧電効率が得られることが開示されている。
実開平2−32229号公報 特開2009−5022号公報 特開2009−5023号公報 特開2009−5024号公報 特開2005−331485号公報
小型化や薄型化が促進されてきている昨今では、振動片を実装するパッケージにおけるキャビティも狭小化されてきている。このため、法線方向に屈曲する振動部を有する特許文献2−5に開示されているような振動片では、発振時や落下などの衝撃を受けた際に、振動部の先端がパッケージの蓋体に接触してしまう可能性がある。特に特許文献5に開示されているような構成の振動片では、接触の可能性が高くなり、振動子としての低背化を妨げることとなってしまう。
そこで本発明では、発振時や落下時などの衝撃を受けた場合であっても、蓋体等の内壁に振動部が接触する虞が無く、高精度で高い信頼性を得ることのできる振動片、およびその製造方法を提供することを目的とする。また、本発明では、この振動片を実装した振動子、発振器、およびこれらの振動子や発振器を備えた電子機器を提供することも目的とする。
本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
第1の形態の振動片は、基部と、前記基部から延設され、第1面と該第1面に対向する第2面とを有し、前記第1面および前記第2面の法線方向に屈曲振動をする振動腕と、前記振動腕の前記第1面および前記第2面の少なくとも一方に設けられ、第1金属層、第2金属層、および前記第1金属層と前記第2金属層との間に配置された圧電体層を少なくとも有する積層構造体と、を備え、前記基部は、前記第2面側にあり、かつ前記第2面よりも前記振動腕の厚み方向に突出していて、前記基部の前記第1面側にある主面に対向する突出面を備えている突出部を有し、前記振動腕は、前記突出部の突出する方向に反っており、かつ前記振動腕の先端が、前記突出面と前記主面との間の範囲内に位置していることを特徴とする振動片。
このような構成とすることにより、振動部である振動腕が突出部側に予め反った状態でパッケージに実装されるので、突出部の厚みにより振動腕とパッケージの内面との間の空隙部分を制御することができる。よって、振動片を実装するパッケージ等が薄型であったとしても、振動片が屈曲振動する際に振動腕がパッケージの内底や蓋体に接触する虞が無い。よって、本発明の振動片を用いて振動デバイスを構成した場合には、高精度で高い信頼性を得ることが可能となる。
第2の形態の振動片は、第1の形態に記載の振動片であって、前記振動腕の長さをL、前記振動腕の厚さをt、前記振動腕のヤング率をEs、前記振動腕のポアソン比をνs、前記圧電体層の厚さをd、前記圧電体層の残留応力をσとしたときに、前記振動腕の反り量δは、

Figure 0005622173

により得られることを特徴とする振動片。
このような構成とすることにより、振動片の反り量を最適に設定することができ、振動片が屈曲振動する際に振動腕がパッケージの蓋体に接触するのを確実に防止することができる。
第3の形態の振動片は、第1または第2の形態に記載の振動片であって、前記振動腕は、前記突出面と前記主面との間の範囲内で前記屈曲振動を成すことを特徴とする振動片。
このような構成とすることにより、励振時においても振動腕の先端がパッケージの内壁面や蓋体に接触する虞が無い。
第4の形態の振動片は、第1乃至第3のいずれか1形態に記載の振動片であって、前記圧電体層は、前記第1面および前記第2面の両方に設けられたことを特徴とする振動片。
このような構成とすることにより、例えば、第1面に圧縮応力が残留するように圧電体層を形成し、第2面に引張応力が残留するように圧電体層を形成すれば、振動腕をより大きく反らすことができる。
第5の形態の振動片の製造方法は、基部と、前記基部に形成される突出部と、前記基部から延設されていて、第1面と該第1面に対向する第2面を有する振動腕と、前記振動腕に設けられ、第1金属層、第2金属層、および前記第1金属層と前記第2金属層との間に配置された圧電体層を少なくとも有する積層構造体と、を備える振動片の製造方法であって、前記突出部は、前記第2面の側にあり、かつ、前記第2面よりも前記振動腕の厚み方向に突出していて、前記基部の前記第1面側にある主面に対する突出面を備えて形成され、前記振動腕は、前記突出部の突出する方向に反っており、かつ前記振動腕の先端が、前記突出面と前記主面との間の範囲内に位置していて、前記積層構造体は、前記第1面側に形成され、前記第1金属層、前記第2金属層、および前記圧電体層の少なくとも1つは、圧縮応力が残留するように成膜されることを特徴とする振動片の製造方法。
このような方法により振動片を製造することによれば、振動腕には、突出部側に反りが生ずることとなる。また、突出部の厚みにより振動腕とパッケージの内面との間の空隙部分を制御することができるため、振動片を実装するパッケージ等が薄型であったとしても、振動部である振動腕がパッケージの内底部や蓋体に接触する虞が無い。よって、本発明の振動片を用いて振動デバイスを構成した場合には、高精度で高い信頼性を得ることが可能となる。
第6の形態の振動片の製造方法は、基部と、前記基部に形成される突出部と、前記基部から延設されていて、第1面と該第1面に対向する第2面を有する振動腕と、前記振動腕に設けられ、第1金属層、第2金属層、および前記第1金属層と前記第2金属層との間に配置された圧電体層を少なくとも有する積層構造体と、を備える振動片の製造方法であって、前記突出部は、前記第2面の側にあり、かつ、前記第2面よりも前記振動腕の厚み方向に突出していて、前記基部の前記第1面側にある主面に対する突出面を備えて形成され、前記振動腕は、前記突出部の突出する方向に反っており、かつ前記振動腕の先端が、前記突出面と前記主面との間の範囲内に位置していて、前記積層構造体は、前記第2面側に形成され、前記第1金属層、前記第2金属層、および前記圧電体層の少なくとも1つは引張応力が残留するように成膜されることを特徴とする振動片の製造方法。
このような方法により振動片を製造することによっても、振動腕には、突出部側に反りが生ずることとなる。また、突出部の厚みにより振動腕とパッケージの内面との間の空隙部分を制御することができるため、振動片を実装するパッケージ等が薄型であったとしても、振動部である振動腕がパッケージの内底部や蓋体に接触する虞が無い。よって、本発明の振動片を用いて振動デバイスを構成した場合には、高精度で高い信頼性を得ることが可能となる。
第7の形態の振動子は、第1乃至第4のいずれか1形態に記載の振動片と、前記振動片を内部に実装したパッケージを有したことを特徴とする振動子。
このような構成とすることにより、小型化した場合であっても、高精度で、信頼性の高い振動子とすることができる。
第8の形態の発振器は、第1乃至第4のいずれか1形態に記載の振動片と、前記振動片を駆動する電子部品と、を有することを特徴とする発振器。
このような構成とすることにより、小型化した場合であっても、高精度で信頼性の高い発振器とすることができる。
第9の形態の電子機器は、第1乃至第4のいずれか1形態に記載の振動片を搭載したことを特徴とする電子機器。
このような構成とすることにより、電子機器の小型化にも対応することができる。
[適用例1]実装面を有した基部と、前記基部から延設され、第1面と該第1面に対向し前記実装面側に位置する第2面とを有し、前記第1面および前記第2面の法線方向に屈曲振動を成す振動腕と、前記振動腕の前記第1面および前記第2面の少なくとも一方に設けられ、第1金属層、第2金属層、および前記第1金属層と前記第2金属層との間に配置された圧電体層を少なくとも有する積層構造体と、を備え、前記振動腕は、前記実装面側に反っていることを特徴とする。
このような構成とすることにより、振動片を実装するパッケージ等が薄型であったとしても、振動部である振動腕が実装面側に予め反った状態でパッケージに実装されるので、振動片が屈曲振動する際に振動腕がパッケージの蓋体に接触する虞が無い。よって、本発明の振動片を用いて振動デバイスを構成した場合には、高精度で高い信頼性を得ることが可能となる。
[適用例2]適用例1に記載の振動片であって、前記振動腕の長さをL、前記振動腕の厚さをt、前記振動腕のヤング率をEs、前記振動腕のポアソン比をνs、前記圧電体層の厚さをd、前記圧電体層の残留応力をσとしたときに、前記振動腕の反り量δは、
Figure 0005622173

により得られることを特徴とする。
このような構成とすることにより、振動片の反り量を最適に設定することができ、振動片が屈曲振動する際に振動腕がパッケージの蓋体に接触するのを確実に防止することができる。
[適用例3]適用例1または適用例2に記載の振動片であって、前記基部の厚みは、前記振動腕の厚みよりも厚いことを特徴とする。
このような構成とした場合には、振動片をパッケージに実装した際に、基部の厚みにより振動腕の下面(第2面)とパッケージの内底面との間の空隙部分の高さを制御することができるので、振動片が屈曲振動する際に振動腕がパッケージの内底面に接触する虞が無い。よって、本発明の振動片を用いて振動デバイスを構成した場合には、より高い信頼性を得ることが可能となる。
[適用例4]適用例3に記載の振動片であって、前記基部は、前記実装面に対向する主面を有し、前記振動腕は、前記実装面と前記主面との間の範囲内で前記屈曲振動を成すことを特徴とする。
このような構成とすることにより、励振時においても振動腕の先端がパッケージの内壁面や蓋体に接触する虞が無い。
[適用例5]適用例1乃至適用例4のいずれか1例に記載の振動片であって、前記圧電体層は、前記第1面および前記第2面の両方に設けられたことを特徴とする。
このような構成とすることにより、例えば、第1面に圧縮応力が残留するように圧電体層を形成し、第2面に引張応力が残留するように圧電体層を形成すれば、振動腕をより大きく反らすことができる。
[適用例6]実装面を有した基部と、前記基部から延設された振動腕と、前記振動腕に設けられ、第1金属層、第2金属層、および前記第1金属層と前記第2金属層との間に配置された圧電体層を少なくとも有する積層構造体と、を備える振動片の製造方法であって、前記振動腕は、第1面と該第1面に対向し前記実装面側に位置する第2面とを有し、前記積層構造体は、前記第1面側に形成され、前記第1金属層、前記第2金属層、および前記圧電体層の少なくとも1つは、圧縮応力が残留するように成膜されることを特徴とする。
このような方法により振動片を製造することによれば、振動腕には、実装面側反りが生ずることとなる。このため、振動片を実装するパッケージ等が薄型であったとしても、振動部である振動腕がパッケージの内底部や蓋体に接触する虞が無い。よって、本発明の振動片を用いて振動デバイスを構成した場合には、高精度で高い信頼性を得ることが可能となる。
[適用例7]実装面を有した基部と、前記基部から延設された振動腕と、前記振動腕に設けられ、第1金属層、第2金属層、および前記第1金属層と前記第2金属層との間に配置された圧電体層を少なくとも有する積層構造体と、を備える振動片の製造方法であって、前記振動腕は、第1面と該第1面に対向し前記実装面側に位置する第2面とを有し、前記積層構造体は、前記第2面側に形成され、前記第1金属層、前記第2金属層、および前記圧電体層の少なくとも1つは引張応力が残留するように成膜されることを特徴とする。
このような方法により振動片を製造することによっても、振動腕には、その先端を基部における実装面側へ向けるように反りを生じさせることができる。このため、振動片を実装するパッケージ等が薄型であったとしても、振動部である振動腕がパッケージの内底部や蓋体に接触する虞が無い。よって、本発明の振動片を用いて振動デバイスを構成した場合には、高精度で高い信頼性を得ることが可能となる。
[適用例8]適用例1乃至適用例5のいずれかに記載の振動片と、前記振動片を内部に実装したパッケージを有したことを特徴とする振動子。
このような構成とすることにより、小型化した場合であっても、高精度で、信頼性の高い振動子とすることができる。
[適用例9]適用例1乃至適用例5のいずれかに記載の振動片と、前記振動片を駆動する電子部品と、を有することを特徴とする。
このような構成とすることにより、小型化した場合であっても、高精度で信頼性の高い発振器とすることができる。
[適用例10]適用例1乃至適用例5のいずれかに記載の振動片を搭載したことを特徴とする電子機器。
このような構成とすることにより、電子機器の小型化にも対応することができる。
実施形態に係る振動片の構成を示す3面図である。 実施形態に係る振動片の構成を示す分解斜視図である。 実施形態に係る振動片の製造工程を説明するための図である。 製膜時におけるスパッタリングガス圧と成膜後における膜内の残留応力との関係を示す図である。 実施形態に係る振動片の側面図であって、積層構造体を基板の第2面側に形成した場合の例を示す図である。 実施形態に係る振動片の側面図であって、基板の第1面側に積層構造体、第2面側に応力調整膜を形成した場合の例を示す図である。 実施形態に係る振動片を実装した振動子の構成を示す図(A)と、平板状に形成した振動片を実装した振動子の構成を示す図(B)である。 実施形態に係る振動片と、この振動片を発振させる回路を備えた電子部品を実装した発振器の構成を示す図である。 実施形態に係る振動子、または発振器のうちの少なくとも一方を搭載する電子機器の一例としての携帯電話を示す図である。 実施形態に係る振動子、または発振器のうちの少なくとも一方を搭載する電子機器の一例としてのパーソナルコンピュータを示す図である。
以下、本発明の振動片、振動子、発振器、および電子機器に係る実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
まず、図1、図2を参照して、第1の実施形態に係る振動片について説明する。なお、図1において、図1(A)は振動片の平面図であり、図1(B)は同図(A)におけるA−A矢視を示す図であり、図1(C)は振動片の裏面図である。また、図2は、振動片の分解斜視図である。本実施形態に係る振動片10は、基板12と、圧電体層28、および第1電極(第1金属層)20ならびに第2電極(第2金属層)38とを有する。
基板12は、例えば水晶により構成され、基部14と、この基部14を基端として延設された複数(図1、2に示す形態においては3つ)の振動腕16(16a〜16c)とから成る。実施形態に係る例の場合、基部14は、振動腕16に比べて肉厚に形成され、実装時の機械的強度を保つことが可能な形態とされ、且つ、振動片10をパッケージに実装した際に、基部14の厚みにより振動腕16の下面とパッケージの内底面との間の空隙部の高さを制御することができる。一方振動腕16は、基部14に比べて肉薄に形成され、振動時における熱弾性損失の抑制が図られており、第1面17aと第1面17aに対向する第2面17bとを有する。また、基部14は、振動片10を固定するための実装面14aと、実装面14aに対向する主面15を構成する。なお、基板12を水晶により構成する場合、基板12を形成する際の素板12a(図4参照)のカット角はZカットとすることが望ましいが、XカットやATカットによるものであっても良い。実施形態に係る基板12は、直接的に電圧が印加される対象とはならないため、基本的にはカット角が振動特性に影響を及ぼすことは無い。しかし、Zカットで切り出された素板12aを用いた場合には、加工が容易になるといった特性を得ることができる。
第1電極20、圧電体層28、および第2電極38を基本として構成される積層構造体は、振動腕16の第1面17aに形成される。なお、ここで、第1電極20とは圧電体層28を形成する前に形成される電極であり、第2電極38とは圧電体層28を形成した後に形成される電極とする。よって、第1電極20と第2電極38といった表現と、各電極における電位とは関係が無い。また、各電極の電位については、図2の分解斜視図に示す第1電極20、第2電極38におけるハッチングの向きに依存するものとする(詳細は後述する)。第1電極20、第2電極38の形成材料としては、基板12である水晶との密着性が良く、圧電体層38の配向性を促しやすいものとすると良い。電極部材として汎用性のある材料としては、Au、Pt、Al、Ag、Cu、Mo、Cr、Nb、W、Ni、Fe、Ti、Co、Zn、Zrなどを挙げることができる。本実施形態では、第1電極20、第2電極38共に、下層にTi、上層にAuとした2層構造の金属層により形成することとする。また、圧電体層28としては、ZnOやAlN、PZT、LiNbO、KNbOなどを挙げることができ、本実施形態では主にAlNを採用することとする。Tiは基板12である水晶に対する密着性が良好であり、Auは膜表面に(111)面を構成することができる。AlNは、Auの(111)面に形成することで、(111)面に沿った柱状結晶を形成し、配向性の高い圧電膜(圧電体層)とすることができる。
図2に示すように、第1電極20は例えば、第1層励振電極22a,22b,22cと、第1層引出電極24,26とより構成される。ここで、第1層励振電極22aと第1層励振電極22cとは同電位であり、第1層引出電極24により接続されている。一方、第1層励振電極22bは、詳細を後述する第2電極38との接続のための引出電極26と接続されている。
圧電体層28は、上述した第1電極20上に形成される。具体的には、振動腕16a,16b,16cに形成される励振電極被覆部30a,30b,30cと、基部14に形成される引出電極被覆部32とより成る。引出電極被覆部32には、上述した第1電極20と、詳細を後述する第2電極38とを電気的に接続するための開口部34,36が設けられている。なお、圧電体層28は、その表裏面に対して電位の異なる電圧を印加されることで、圧電体層28が厚み方向に圧縮または伸長して面外方向(圧電体層28形成面と交差する方向)へと屈曲する特性を持つ。
ここで、本実施形態に係る圧電体層28は、圧縮応力が残留するように第1面17aに形成される。このような特性を持つことで、圧電体層28には、振動片10が初期停止状態にある際、圧縮応力を開放する状態へ移行しようとする力が働く。このため、振動腕16と圧電体層28との接触部分には、引張応力が付与されることとなり、振動腕16は、基部14における実装面14a側へ反りを生じさせることとなる。このような構成とすることで、振動片10をパッケージ等へ実装した際、振動腕16が屈曲振動した場合において振動腕16の先端がパッケージにおける蓋体に接触するといった事態を避けることができる。よって、振動デバイスの薄型化に寄与することができる。
第2電極38は例えば、第2層励振電極40a,40b,40cと、第2層引出電極46,48、および入出力電極42,44とより構成される。ここで、第2層励振電極40bと、入出力電極42とは同電位であり、第2層引出電極46により接続されている。また、第2層引出電極46は、上述した圧電体層28に形成した開口部34を介して、第1層引出電極24と電気的に接続されることとなる。よって、第1層励振電極22a,22cと第2層励振電極40bとは、同電位の電圧が印加されることとなる。一方、第2層励振電極40a,40cと入出力電極44とは同電位であるが、第2層引出電極48は、第2層引出電極46を介して寸断されており、直接的には接続されていない。しかし、第2層引出電極48は、上述した圧電体層28に形成した開口部36を介して第1層引出電極26と電気的に接続されており、第1層引出電極26と第2層引出電極48を介して第2層励振電極40a,40c、および第1層励振電極22bと、入出力電極44とが電気的に接続されることとなる。なお、図1、図2においては、電位の異なることとなる第1層引出電極24,26の一部と第2層引出電極46,48の一部とが重複する形態として示されているが、実際には電位の異なる引出電極は、圧電体層28の表裏面において重複しないように設計する。振動腕16以外の箇所での励振を抑制するためである。
このような構成の振動片10によれば、薄型のパッケージに実装して、振動腕16が屈曲振動しても、振動腕16がパッケージの内底や蓋体に接触する虞が無くなる。よって、小型で高性能、かつ信頼性の高い振動デバイスの製造に寄与することが可能となる。また、上記構成の振動片10では、振動腕16が、基部14の主面15から水平に延びた仮想水平面300と実装面14aから水平に延びた仮想水平面310との間で屈曲振動が成されるように振動腕16の反り量を設計すると良い。このような構成とすることで、励振時において振動腕16の先端がパッケージの内底面や蓋体に接触する虞が確実に無くなる。
次に、図3を参照して、本実施形態に係る振動片10の製造工程について説明する。まず、振動片10の基礎となる素板12aを用意する。本実施形態では、素板12aとして水晶を採用する。素板12aを水晶とした場合における厚みは、50〜100μm程度とすることが望ましい(図3(A)参照)。
次に、素板12aの一部を肉薄化する。肉薄化は、バッファードフッ酸(BHF)等を用いたエッチングにより行なうようにすれば良い。この時、素板12aを水晶とした場合には、肉薄部12bの厚みは、2〜10μm程度とすれば良い(図3(B)参照)。
肉薄化をした後、基板12の外形形成を行う。基板12の外形形成は、第1面側からエッチングを行なうようにすることが望ましい。なお、エッチングには、BHFを用いれば良い(図3(C)参照)。
基板12の外形形成を終了した後、第1面に第1電極20を形成する。第1電極20の形成はまず、第1面の全面に金属層を形成する。金属層の形成は、マグネトロンスパッタリング等の手法を用いれば良い。金属層を形成した後、レジストを全面に塗布する。その後、フォトリソグラフィー法により、レジスト膜によりマスクを形成し、金属層をエッチングして第1電極20の形状に沿った金属パターンを得る(図3(D)参照)。
第1電極20を形成した後、所望箇所に対する圧電体層28の形成を行う。まず、第1電極20を含む基板の第1面の全面に、圧電体層を形成する。圧電体層の形成は、反応性RFマグネトロンスパッタリング法を用いて行なうようにする。圧電体層をAlNとする場合、圧電体層の膜厚は、2000Å〜10000Å程度の範囲とすると良い。圧電体層のスパッタリング時には、特にスパッタリングガスのガス圧の調整により、形成される圧電体層に残留する応力の調整を行なうようにする。スパッタリングガスとしては、例えばArとN2の混合ガスを用いることができる。ArとNとの混合比としては、例えばAr:N=1:1前後で良い。本実施形態の場合上述したように、圧電体層に圧縮応力を残留させるため、ArとNの混合ガス圧の設定を、基準圧力よりも低く設定する。ここで、基準圧力とは、形成後の圧電体層に圧縮や引張といった残留応力を生じさせない圧力であり、スパッタリング装置の使用や、基板RF電力やターゲット電力等の設定によっても異なり、予め実験等を行なうことで認知する必要がある。本実施形態では、例えば基準圧力が0.5Paであった場合、設定するガス圧は、基準圧力よりも低い圧力、例えば0.1Pa前後とする。なお、成膜時におけるスパッタリングガスの混合ガス圧(成膜圧力)と、生成される膜に生ずる残留応力の関係を図4に示す。
次に、フォトリソグラフィー法によるレジストのパターニングとウエットエッチングにより、圧電体層を所望のパターンに形成する。圧電体層をAlNとする場合には、ウエットエッチングのエッチング液には、強アルカリ水溶液を用いるようにする。強アルカリ水溶液の例としては、水酸化テトラメチルアンモニウムを挙げることができる。酸系のエッチング液としては、リン酸を加熱したものなどを利用することができる。
ここで、振動腕16先端の反り量δは、数式1により概算することができる。
Figure 0005622173
数式1において、Lは振動腕16の長さ、tは振動腕16の厚さ、Eは振動腕16のヤング率、νは振動腕16のポアソン比、dは圧電体層28の厚さ、σは圧電体層28の残留応力である。振動腕16の長さLや厚さt、ヤング率E、ポアソン比ν、および圧電体層28の厚さdは、材質や形状により予め定められることとなる。このため、反り量δの調整は、圧電体層28における残留応力σを調整することで成される。
例えば、水晶により構成される基板12における振動腕16の長さLを500μm、厚さtを10μm、AlNにより構成される圧電体層28の膜厚を4000Åとした場合、反り量δとして25μmを得るためには、圧電体層28に生じさせる残留応力として、約0.8GPaの圧縮応力が必要となる(図3(E)参照)。上記振動腕16の反り量を25μmとし、水晶の素板12aの厚みを50μmとすれば、振動腕16の先端位置を厚みのほぼ中央にすることができる。このような構成によれば、振動片10の励振電力レベルとして0.1μW〜1.0mWまで印加しても、実装パッケージ72の蓋体76等の内壁に接触することがない(図7〜8参照)。更に、外部からの衝撃(1,000G〜10,000G)を受けても特性に影響を受けることがない。
圧電体層28の形状形成が終了した後、第2電極38の形成を行う。第2電極38の形成は、第1電極20の形成と同様に、第1面の全面に金属層を形成し、フォトリソグラフィー法によるレジストのパターニング、およびウエットエッチングによる形状形成を行えば良い(図3(F)参照)。
上記実施形態では、基板12を水晶により構成する旨記載した。しかしながら本実施形態に係る振動片10は、圧電体層28により面外方向の振動を励起することとしている。このため、基板12の材料としては水晶以外の部材であっても良い。具体的には、水晶以外の圧電体であっても良いし、半導体等であっても良い。なお、基板材料をシリコンとした場合、振動腕16の長さLを500μm、厚さtを10μm、AlNで構成される圧電体層28の膜厚を4000Åとすると、反り量δとして25μmを得るためには、圧電体層28に生じさせる残留応力として、約1.5GPaの圧縮応力が必要となる。
また、上記実施形態においては、圧電体層28の上面に直接第2電極38を形成していた。しかしながら、本実施形態に係る振動片10は、圧電体層28と第2電極38との間に絶縁体層(絶縁膜)を形成するようにしても良い(不図示)。このような構成とすることにより、圧電体層28に貫通孔が形成されていた場合であっても、第1電極20と第2電極38との間における短絡を防止することが可能となる。なお、絶縁体層の膜厚としては、短絡防止の観点からは50nm以上とすることが望ましい。一方、圧電体層28の特性低下を抑制する観点からは、500nm以下とすることが望ましい。ここで、絶縁体層は、SiOやSiNにより構成すれば良い。
また、上記実施形態に係る振動片10における振動腕16の第2面に対し、無機体層(無機膜)を形成するようにしても良い(不図示)。SiOやSiNにより構成される絶縁体層を設けることにより、周波数温度特性を補正することができる。特に熱酸化による二酸化シリコンは負の温度特性を持つことが知られており、周波数温度特性を調整するには好適である。
また、上記実施形態においては、圧電体層28に残留応力を生じさせることで、積層構造体に圧縮応力を生じさせる旨記載した。しかしながら本実施形態に係る振動片10では、第1電極20や第2電極38、あるいは積層構造体を構成する全ての層に残留応力を生じさせる構成としても良い。このような構成とした場合であっても、振動腕16の先端を基部14における実装面14a側へ向けるように、振動腕16に反りを生じさせることができ、同様な効果を得ることができるからである。なお、第1電極20や第2電極38に残留応力を生じさせる場合も、上記実施形態と同様に、スパッタリングガスの混合ガス圧(成膜圧力)を制御することで、残留応力の調整が可能となる。
また、上記実施形態においては、積層構造体は、基板12における第1面に形成する旨記載した。第1面に対する積層構造体の形成は、振動腕16と基部14との間の段差が無い分容易に行うことができるが、本実施形態に係る振動片は図5に示すように、第2面側に積層構造体を形成するようにしても良い。このような構成とする場合、積層構造体には引張の残留応力を生じさせるようにする。具体的には、圧電体層28aや第1電極20a、および第2電極38a等の層を形成する際のスパッタリング工程において、スパッタリングガスのガス圧を基準圧力よりも高めるようにすれば良い。例えば圧電体層28aに引張応力を生じさせるようにするには、スパッタリングガスの混合ガス圧(成膜圧力)を2.0GPa前後に設定すれば良い。このような構成の振動片10aであっても、上記実施形態に係る振動片10と同様な効果を奏することができるからである。
さらに、本実施形態に係る振動片は、図6に示すように、基板12における第1面側に積層構造体を形成し、第2面側に応力調整膜49を形成するようにしても良い。ここで、応力調整膜49とは、第1電極20や第2電極38と同じ構成を持つ金属膜であっても良いし、圧電体層28と同様な構成を持つ膜であっても良い。このような構成とする場合、第1面に形成する積層構造体は残留応力として圧縮応力を持つように構成し、応力調整膜49は残留応力として引張応力を持つように構成すると良い。このような構成の振動片10bであっても、上記実施形態に係る振動片10,10aと同様な効果を奏することができるからである。
なお、上記実施形態では振動腕について、複数設ける旨記載した。しかしながら本発明では振動腕の数は特に限定する必要性は無く、1つであっても良い。
次に、本発明の振動子に係る実施の形態について、図7(A)を参照して説明する。本実施形態に係る振動子50は、振動片10と、この振動片10を内部に実装するパッケージ52とより構成される。
振動片10は、上記実施形態に係る振動片10を採用する。パッケージ52は、パッケージベース54と蓋体56とを基本として構成される。パッケージベース54は、箱型形状を成し、内部に振動片実装端子60を備えるようにする。一方、パッケージベース54の外部底面には、振動片実装端子60と電気的に接続された外部実装端子62を備えるようにする。
このような構成のパッケージベース54は、絶縁部材により構成すれば良く、例えば、平板、および枠状のセラミックグリーンシートを積層し、これを焼成することで、形成することができる。なお、振動片実装端子60、および外部実装端子62は、セラミックグリーンシート上へのスクリーン印刷により形成することができる。
蓋体56は、金属またはガラス等により構成される平板であれば良い。蓋体56の構成材料としては、パッケージベース54の構成材料と、線膨張率が近似するものが望ましい。温度変化によるクラックや剥離の発生を抑制するためである。パッケージベース54をセラミックにより構成した場合には、コバール(合金)や、ソーダガラスなどとすると良い。
パッケージベース54と蓋体56との接合には、ロウ材58を用いた溶接を行なう。蓋体56を金属とした場合には、ロウ材58を低融点金属、蓋体56をガラスとした場合には、ロウ材58を低融点ガラスとすれば良い。
このような構成部材から成る本実施形態に係る振動子50の製造は、まず、パッケージベース54の内部に振動片10を搭載する。振動片10の搭載は、接着剤64によれば良い。振動片10をパッケージベース54に搭載した後、金線66などを用いてワイヤボンディングを行い、振動片実装端子60と振動片10における入出力端子42,44(図1参照)とを電気的に接続する。このようにして振動片10の実装を終了した後、パッケージベース54に蓋体56を接合し、開口部を封止する。
また、以上では基部を振動腕より肉厚にした振動片の形状についてのみ説明したが、それ以外の振動片の形状についても適用可能である。例えば、図7(B)に示すように、基部が肉厚になっていない平板状の振動片10cを用いても良い。図7(B)の例では、パッケージ52の内底面に段差部55を設け、段差部55上に形成した振動片実装端子60と、振動片10cにおける入出力端子42,44(図1に示す平面形態を援用)とをワイヤボンディングで導通をとり、段差部55により振動片10cとパッケージベース54との間に空隙を形成している。
また、パッケージベース54と振動片10cとの導通は、ワイヤボンディング以外にAuバンプや導電性接着剤を用いても良い。
このような構成の振動子50によれば、パッケージ52を薄型とした場合であっても、振動片10における振動腕16(図1参照)が屈曲振動する際にパッケージ52の蓋体56に接触する虞が無くなる。よって、小型で高性能、かつ信頼性の高い振動子50の製造に寄与することが可能となる。なお、本実施形態に係る振動子50では、パッケージベース54を箱型、蓋体56を平板状としていたが、パッケージベースを平板状とし、蓋体をキャップ形状としても良い。
次に、本発明の発振器に係る実施の形態について、図8を参照して説明する。本実施形態に係る発振器70は、振動片10と、この振動片10を発振させるための電子部品82、および振動片10と電子部品82を内部に実装するパッケージ72とを基本として構成される。
振動片10は、上記実施形態に係る振動片10を採用する。パッケージ72は、パッケージベース74と蓋体76とを基本として構成される。本実施形態に係るパッケージベース74は、実装用のセンター基板74aを基点として、その上下にキャビティを備え、上部キャビティを振動片実装領域75a、下部キャビティを電子部品実装領域75bとしている。
センター基板74における振動片実装領域75a側には、振動片実装端子60が設けられ、電子部品実装領域75b側には、電子部品実装端子80が設けられている。また、パッケージベース74の底面に当たる部位には、電子部品実装端子80と電気的に接続された外部実装端子86が設けられている。なお、構成部材、および製造方法については、上述した振動子50におけるパッケージベース54と同様である。また、蓋体76についても、本実施形態では、金属またはガラスにより構成される平板であれば良く、ロウ材78を用いてパッケージベース74における振動片実装領域75aを封止する構成とする。
電子部品82としては、例えば発振回路を備えたICなどであれば良く、電子部品実装端子80に対しては、バンプ84を用いたフリップチップボンディングなどで実装すると良い。
このような構成の発振器70も、振動子50と同様に、薄型のパッケージ72に実装しても、振動腕16(図1参照)が屈曲振動する際にパッケージ72の蓋体76に接触する虞が無くなる。よって、小型で高性能、かつ信頼性の高い発振器70の製造に寄与することが可能となる。
また、図8では一つのパッケージに振動片と電子部品を搭載した構造となっているが、振動片と電子部品を個別にパッケージングしても良いし、パッケージに実装せずにプリント基板に振動片と電子部品を直接実装しても良い。
本発明に係る電子機器の一例として、図9に示す携帯電話100や、図10に示すパーソナルコンピュータ200等を挙げることができる。いずれも上記実施形態に示した振動片10、振動子50、または発振器70を、クロック源や信号の変調や復調に用いる局部発振器として搭載していることを特徴とする。このような特徴を有することにより、電子機器の小型化、薄型化に対応することができる。また、小型化を行なった場合であっても、電子機器の機能に合わせた通信等の高精度化を図ることができる。
10………振動片、12………基板、14………基部、14a………実装面、15………主面、16(16a〜16c)………振動腕、17a………第1面、17b………第2面、20………第1電極、22(22a〜22c)………第1層励振電極、24………第1層引出電極、26………第1層引出電極、28………圧電体層、30(30a〜30c)………励振電極被覆部、32………引出電極被覆部、34………開口部、36………開口部、38………第2電極、40(40a〜40b)………第2層励振電極、42………入出力電極、44………入出力電極、46………第2層引出電極、48………第2層引出電極、50………振動子、70………発振器。

Claims (9)

  1. 基部と、
    前記基部から延設され、第1面と該第1面に対向する第2面とを有し、前記第1面および前記第2面の法線方向に屈曲振動をする振動腕と、
    前記振動腕の前記第1面および前記第2面の少なくとも一方に設けられ、第1金属層、第2金属層、および前記第1金属層と前記第2金属層との間に配置された圧電体層を少なくとも有する積層構造体と、を備え、
    前記基部は、前記第2面側にあり、かつ前記第2面よりも前記振動腕の厚み方向に突出していて、前記基部の前記第1面側にある主面に対向する突出面を備えている突出部を有し、
    前記振動腕は、前記突出部の突出する方向に反っており、かつ前記振動腕の先端が、前記突出面と前記主面との間の範囲内に位置していることを特徴とする振動片。
  2. 請求項1に記載の振動片であって、
    前記振動腕の長さをL、前記振動腕の厚さをt、前記振動腕のヤング率をEs、前記振動腕のポアソン比をνs、前記圧電体層の厚さをd、前記圧電体層の残留応力をσとしたときに、前記振動腕の反り量δは、

    Figure 0005622173

    により得られることを特徴とする振動片。
  3. 請求項1または請求項2に記載の振動片であって、
    前記振動腕は、前記突出面と前記主面との間の範囲内で前記屈曲振動を成すことを特徴とする振動片。
  4. 請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の振動片であって、
    前記圧電体層は、前記第1面および前記第2面の両方に設けられたことを特徴とする振動片。
  5. 基部と、前記基部に形成される突出部と、前記基部から延設されていて、第1面と該第1面に対向する第2面を有する振動腕と、前記振動腕に設けられ、第1金属層、第2金属層、および前記第1金属層と前記第2金属層との間に配置された圧電体層を少なくとも有する積層構造体と、を備える振動片の製造方法であって、
    前記突出部は、前記第2面の側にあり、かつ、前記第2面よりも前記振動腕の厚み方向に突出していて、前記基部の前記第1面側にある主面に対する突出面を備えて形成され、
    前記振動腕は、前記突出部の突出する方向に反っており、かつ前記振動腕の先端が、前記突出面と前記主面との間の範囲内に位置していて、
    前記積層構造体は、前記第1面側に形成され、
    前記第1金属層、前記第2金属層、および前記圧電体層の少なくとも1つは、圧縮応力が残留するように成膜されることを特徴とする振動片の製造方法。
  6. 基部と、前記基部に形成される突出部と、前記基部から延設されていて、第1面と該第1面に対向する第2面を有する振動腕と、前記振動腕に設けられ、第1金属層、第2金属層、および前記第1金属層と前記第2金属層との間に配置された圧電体層を少なくとも有する積層構造体と、を備える振動片の製造方法であって、
    前記突出部は、前記第2面の側にあり、かつ、前記第2面よりも前記振動腕の厚み方向に突出していて、前記基部の前記第1面側にある主面に対する突出面を備えて形成され、
    前記振動腕は、前記突出部の突出する方向に反っており、かつ前記振動腕の先端が、前記突出面と前記主面との間の範囲内に位置していて、
    前記積層構造体は、前記第2面側に形成され、
    前記第1金属層、前記第2金属層、および前記圧電体層の少なくとも1つは引張応力が残留するように成膜されることを特徴とする振動片の製造方法。
  7. 請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の振動片と、
    前記振動片を内部に実装したパッケージを有したことを特徴とする振動子。
  8. 請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の振動片と、
    前記振動片を駆動する電子部品と、
    を有することを特徴とする発振器。
  9. 請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の振動片を搭載したことを特徴とする電子機器。
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