JP2016178621A - 弾性波デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】小型化が可能な弾性波デバイスを提供すること。【解決手段】本発明は、基板１０と、前記基板１０上に形成された弾性波共振器２２と、前記基板１０上に形成され前記弾性波共振器２２に電気的に接続された第１配線２４と、前記第１配線２４と電気的に接続され、少なくとも一部が前記弾性波共振器２２の直上に空隙３２を介し形成された第２配線２６と、を具備する弾性波デバイスである。【選択図】図２

Description

本発明は、弾性波デバイスに関し、例えば弾性波共振器と配線を備える弾性波デバイスに関する。

弾性波デバイスは、移動体通信用のフィルタ等に用いられている。基板上に形成された弾性波共振器間または弾性波共振器と外部端子とを接続する配線同士を空隙を介し交差するように形成することが知られている（特許文献１）。インダクタを基板上に空隙を介し形成することが知られている（特許文献２、３）。弾性波共振器を用いたフィルタにインダクタを接続することが知られている（特許文献４、５）。

特開２０１２−９９８９号公報 特開平７−３２１４２５号公報 特開２０１２−８００１６号公報 特開２００１−２８５０２５号公報 特開２００４−１１２２７７号公報

弾性波デバイスを小型化しようとすると、弾性波共振器を接続する配線の間隔を小さくすることになる。しかしながら、弾性波共振器を接続する配線の間隔を小さくしようとすると、配線間の容量が大きくなる。このため、弾性波デバイスの小型化は容易ではない。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、小型化が可能な弾性波デバイスを提供することを目的とする。

本発明は、基板と、前記基板上に形成された弾性波共振器と、前記基板上に形成され前記弾性波共振器に電気的に接続された第１配線と、前記第１配線と電気的に接続され、少なくとも一部が前記弾性波共振器の直上に空隙を介し形成された第２配線と、を具備することを特徴とする弾性波デバイスである。

上記構成において、前記基板上に形成され、前記第２配線の両端で前記第２配線を支持する第１支柱と、前記第２配線の両端以外で前記第２配線を支持する第２支柱と、を具備する構成とすることができる。

上記構成において、前記第２配線は、コイル状またはミアンダ状である構成とすることができる。

上記構成において、前記弾性波共振器は、前記基板上の一方向に配列した複数の弾性波共振器であり、前記第１配線は、前記複数の弾性波共振器の間に形成され、前記複数の弾性波共振器のうち隣接する弾性波共振器を電気的に接続し、前記第２配線は、前記複数の弾性波共振器のうち少なくとも１つの弾性波共振器の直上に空隙を介し形成されている構成とすることができる。

上記構成において、前記第２配線の一端は、前記一方向に交差する方向の前記第１配線の中間に接続されている構成とすることができる。

上記構成において、前記第２配線の他端は前記複数の弾性波共振器の前記一方向に交差する方向の外側に形成された弾性波共振器に接続されている構成とすることができる。

上記構成において、入力電極と出力電極との間に並列に接続され、前記基板上の前記複数の弾性波共振器の前記一方向に交差する方向に形成された１または複数の並列弾性波共振器を具備し、前記複数の弾性波共振器は、前記入力電極と前記出力電極との間に直列に接続された複数の直列弾性波共振器であり、前記第２配線は、前記第１配線と前記１または複数の並列弾性波共振器の少なくとも１つとを接続する、または、前記１または複数の並列弾性波共振器の少なくとも１つとグランド電極とを接続する構成とすることができる。

本発明は、基板と、前記基板上の一方向に配列して形成された複数の弾性波共振器と、前記基板上の前記複数の弾性波共振器の間に形成され、前記複数の弾性波共振器のうち隣接する弾性波共振器を接続する第１配線と、前記複数の弾性波共振器の前記一方向に交差する方向の両外側間を接続するように、前記複数の弾性波共振器の少なくとも１つと前記第１配線との少なくとも一方の直上に空隙を介し形成された第２配線と、を具備することを特徴とする弾性波デバイスである。

本発明によれば、小型化が可能な弾性波デバイスを提供することができる。

図１（ａ）は、比較例に係る弾性波デバイスの回路図である。図１（ｂ）は、比較例に係る弾性波デバイスの平面図である。 図２（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの回路図である。図２（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの平面図、図２（ｃ）は、図２（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。図２（ｄ）は、弾性波共振器の平面図である。 図３は、実施例１の変形例に係る弾性波デバイスの平面図である。 図４は、実施例２に係る弾性波デバイスの回路図である。 図５（ａ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 図６は、実施例３に係る弾性波デバイスの回路図である。 図７（ａ）は、実施例３に係る弾性波デバイスの平面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例４に係る弾性波デバイスの回路図である。 図９（ａ）から図９（ｄ）は、実施例５に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。 図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、実施例５に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。

まず、比較例について説明する。図１（ａ）は比較例に係る弾性波デバイスの回路図である。図１（ａ）に示すように、弾性波デバイス１１０において、入力端子ＴＩＮと出力端子ＴＯＵＴとの間に直列に直列弾性波共振器Ｓ１からＳ３が接続されている。入力端子ＴＩＮと出力端子ＴＯＵＴとの間に並列に並列弾性波共振器Ｐ１からＰ４が接続されている。図１（ｂ）は、比較例に係る弾性波デバイスの平面図である。図１（ｂ）に示すように、弾性波デバイス１１０において、基板１０上に弾性波共振器１２が形成されている。弾性波共振器１２は、ラダー型フィルタの直列弾性波共振器Ｓ１からＳ３および並列弾性波共振器Ｐ１からＰ４である。基板１０上に第１配線１４およびパッド電極１８が形成されている。パッド電極１８は、入力電極ＩＮ、出力電極ＯＵＴ、グランド電極ＧＮＤを形成する。第１配線１４は、弾性波共振器１２間を電気的に接続する。また、第１配線１４は弾性波共振器１２とパッド電極１８との間を電気的に接続する。入力電極ＩＮと出力電極ＯＵＴとの間に第１配線１４を介し直列に直列弾性波共振器Ｓ１からＳ３が接続されている。直列弾性波共振器Ｓ１からＳ３は基板１０上面のＸ方向に配列されている。入力電極ＩＮと出力電極ＯＵＴとの間に第１配線１４を介し並列に並列弾性波共振器Ｐ１からＰ４が接続されている。並列弾性波共振器Ｐ１からＰ４は、直列弾性波共振器Ｓ１からＳ３の±Ｙ方向（すなわち図１（ｂ）の左右方向）のそれぞれ外側に形成されている。

比較例では、第１配線１４と隣接する導体（例えば弾性波共振器Ｓ１からＳ３およびＰ１からＰ４並びにパッド電極１８）との間隔を狭くすると、弾性波デバイスを小型化できる。しかしながら、その一方で寄生容量が大きくなる。特に、第１配線１４と隣接する導体との電位が異なると寄生容量が大きくなり、弾性波デバイスの特性が劣化する。このため、弾性波デバイスを小型化することが難しい。

図２（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの回路図である。図２（ａ）に示すように、実施例１に係る弾性波デバイス１００の回路は比較例と同じである。図２（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの平面図、図２（ｃ）は、図２（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。図２（ｂ）および図２（ｃ）に示すように、弾性波デバイス１００において、基板１０上に弾性波素子として弾性波共振器２２が形成されている。基板１０は、例えばタンタル酸リチウム基板（例えば３６°から４８°回転ＹカットＸ伝搬基板）またはニオブ酸リチウム基板等の圧電基板である。弾性波共振器２２は、例えば弾性表面波素子である。基板１０上に第１配線２４およびパッド電極２８が形成されている。第１配線２４およびパッド電極２８は、例えばアルミニウム層等の金属層により形成される。第２配線２６ａおよび２６ｂは、弾性波共振器２２および第１配線２４上に空隙３２を介し設けられている。第２配線２６ａは、直列弾性波共振器Ｓ２とＳ３との間の第１配線２４ｂと、並列弾性波共振器Ｐ３に接続される第１配線２４ｃと、を接続する。また、別の第２配線２６ｂは、直列弾性波共振器Ｓ１とＳ２との間の第１配線２４ａと、並列弾性波共振器Ｐ２に接続される第１配線２４ｄと、を接続する。第２配線２６ａおよび２６ｂは、両端において支柱２０により第１配線２４と接続されている。第２配線２６および支柱２０は、例えば銅層等の金属層により形成される。その他の構成は、比較例と同じであり説明を省略する。

図２（ｄ）は、弾性波共振器の平面図である。弾性波共振器２２は、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）６０と反射器６６を有する。ＩＤＴ６０の弾性波伝搬方向の両側に反射器６６が形成されている。ＩＤＴ６０は、対向する一対の櫛形電極６４を有する。櫛形電極６４は、複数の電極指６１とバスバー６２を有している。複数の電極指６１はバスバー６２に接続されている。第１配線２４はバスバー６２に接続される。

実施例１によれば、第２配線２６ａおよび２６ｂの少なくとも一部が弾性波共振器２２の直上に空隙３２を介し形成されている。第２配線２６ａおよび２６ｂと弾性波共振器２２および第１配線２４との間に空隙３２が設けられているため、第２配線２６ａおよび２６ｂと弾性波共振器２２との間並びに第２配線２６ａおよび２６ｂと第１配線２４ａおよび２４ｂとの間の寄生容量が小さくできる。かつ、第２配線２６ａおよび２６ｂは直列弾性波共振器Ｓ１からＳ３の上方に形成されている。このため、比較例に比べＹ方向における配線の領域を小さくでき、弾性波デバイスを小型化できる。

また、第１配線２４ａおよび２４ｂが複数の直列弾性波共振器Ｓ１からＳ３の間に形成されている。第１配線２４ａは、隣接する直列弾性波共振器Ｓ１とＳ２とを電気的に接続する。第１配線２４ｂは、直列弾性波共振器Ｓ２とＳ３とを電気的に接続する。第２配線２６ａおよび２６ｂは、第１配線２４ａおよび２４ｂのうち少なくとも１つの第１配線２４に接続されている。そして、第２配線２６ａおよび２６ｂは、複数の直列弾性波共振器Ｓ１からＳ３のうち少なくとも１つの直列弾性波共振器の直上に空隙３２を介し形成される。例えば第２配線２６ａは、第１配線２４ｂに接続し、直列弾性波共振器Ｓ１およびＳ２の直上に空隙３２を介し形成されている。このように配置すると、比較例において基板１０上に領域を占めていた第１配線１４（図１（ｂ）参照）が直列弾性波共振器Ｓ１およびＳ２の上方に形成される。このため、複数の直列弾性波共振器Ｓ１からＳ３が直列に接続された弾性波デバイスを小型化できる。なお、複数の弾性波共振器として直列弾性波共振器Ｓ１からＳ３を例に説明したが、第２配線２６ａおよび２６ｂは、直列弾性波共振器Ｓ１からＳ３の直上でなく、並列弾性波共振器Ｐ１からＰ４、他の第１配線２４、および／またはパッド電極２８の直上に空隙３２を介し形成されていてもよい。

１または複数の並列弾性波共振器Ｐ１からＰ４は、直列弾性波共振器Ｓ１からＳ３のＹ方向（Ｘ方向に交差する方向）に形成されている。第２配線２６ａおよび２６ｂは、第１配線２４ａまたは２４ｂと並列弾性波共振器Ｐ１からＰ４の少なくとも１つとを接続する。例えば第２配線２６ａは第１配線２４ｂと並列弾性波共振器Ｐ３に接続される第１配線２４ｃとを接続する。このように配置すると、第２配線２６ａおよび２６ｂは直列弾性波共振器Ｓ１からＳ３の直上に形成される。このため、配線領域を小さくすることが可能となり、ラダー型フィルタを含む弾性波デバイスを小型化できる。

図３は、実施例１の変形例に係る弾性波デバイスの平面図である。図３に示すように、弾性波デバイス１０２において、第２配線２６ａおよび２６ｂは、Ｘ方向およびＹ方向に対し傾斜して形成されている。第２配線２６ａおよび２６ｂの一端は、それぞれ第１配線２４ｂおよび２４ａのＹ方向の中間に接続する。第２配線２６ａ他端は、複数の直列弾性波共振器Ｓ１からＳ３の＋Ｙ方向外側に位置する並列弾性波共振器Ｐ３につながる配線２４ｃに接続する。第２配線２６ｂの他端は、並列弾性波共振器Ｐ２につながる配線２４ｄに接続する。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。

実施例１の変形例によれば、第１配線２４ａおよび２４ｂがＹ方向に長い場合においても、直列弾性波共振器Ｓ１とＳ２との間の信号を並列弾性波共振器Ｐ２に伝送する配線、および／または直列弾性波共振器Ｓ２とＳ３との間の信号を並列弾性波共振器Ｐ３に伝送する配線における、これらの信号の実質的な伝送距離を短くできる。これにより、これらの信号に対する実質的な抵抗成分を低くすることができる。なお、ここで、中間とは、狭義の真ん中を意味するものでなく、広義の端部の間を意味する。

図４は、実施例２に係る弾性波デバイスの回路図である。図４に示すように、弾性波デバイス１０４において、入力端子ＴＩＮと出力端子ＴＯＵＴとの間に直列に直列弾性波共振器Ｓ１からＳ３が接続されている。入力端子ＴＩＮと出力端子ＴＯＵＴとの間に並列に並列弾性波共振器Ｐ１からＰ４が接続されている。並列弾性波共振器Ｐ２およびＰ３と、グランドとの間に、それぞれインダクタＬ１およびＬ２が接続されている。インダクタＬ１およびＬ２は、ラダー型フィルタを広帯域および低損失とする。

図５（ａ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、インダクタＬ１およびＬ２は第２配線２６ａおよび２６ｂにより形成されている。第２配線２６ａは、並列弾性波共振器Ｐ３のグランド側に接続された第１配線２４ｃとグランド電極ＧＮＤ１とを接続する。第２配線２６ｂは、並列弾性波共振器Ｐ２のグランド側に接続された第１配線２４ｄとグランド電極ＧＮＤ２とを接続する。第２配線２６ａおよび２６ｂは、第１配線２４ａおよび２４ｂの直上を空隙３２を介し設けられている。第２配線２６ａおよび２６ｂの両端以外の中間に第２配線２６ａおよび２６ｂを支持する支柱２０が設けられている。支柱２０は、第１配線２４ａおよび２４ｂの開口２５に形成されている。これにより、支柱２０と第１配線２４ａおよび２４ｂとは電気的に分離される。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。

実施例２によれば、第２配線２６ａおよび２６ｂをインダクタＬ１およびＬ２として用いることができる。第２配線２６ａおよび２６ｂが長い場合、第２配線２６ａおよび２６ｂを支持する支柱２０を第２配線２６ａおよび２６ｂの両端以外の中間に設ける。すなわち、第２配線２６ａおよび２６ｂの両端で第２配線２６ａおよび２６ｂを支持する支柱２０（第１支柱）と、第２配線２６ａおよび２６ｂの両端以外で第２配線２６ａおよび２６ｂを支持する支柱２０（第２支柱）と、が設けられている。これにより、第２配線２６ａおよび２６ｂの機械的強度を高めることができる。第２配線２６ａおよび２６ｂの両端に設けられた支柱２０は、第１配線２４および／またはパッド電極２８との電気的接続を目的としている。第２配線２６ａおよび２６ｂの両端以外の中間に設けられた支柱２０は、電気的に接続することを目的としていない。このため、中間に設けられた支柱２０は、第１配線２４およびパッド電極２８と接続せず、基板１０または基板１０上に形成された絶縁膜上に接続されている。

第２配線２６ａは、図５（ａ）において直列弾性波共振器Ｓ１からＳ３が形成された領域に対して＋Ｙ方向に位置する並列弾性波共振器Ｐ３のグランド側の第１配線２４ｃと、この領域に対して−Ｙ方向に位置するグランド電極ＧＮＤ１と、を接続するように形成する。また、第２配線２６ｂは、図５（ａ）において直列弾性波共振器Ｓ１からＳ３が配置された領域に対して＋Ｙ方向に位置するグランド電極ＧＮＤ２と、この領域に対して−Ｙ方向に位置する並列弾性波共振器Ｐ２のグランド側の第１配線２４ｄと、を接続するように形成する。このように、直列弾性波共振器Ｓ１からＳ３が形成された領域に対して±Ｙ方向の両外側の間を接続するように、第２配線２６ａおよび２６ｂは、第１配線２４ａおよび２４ｂの直上に空隙３２を介し形成される。これにより、インダクタＬ１およびＬ２のような長い第２配線２６ａおよび２６ｂを基板１０に接する領域をほとんど用いることなく配置することができる。よって、弾性波デバイスを小型化することができる。なお、第２配線２６ａおよび２６ｂは、直列弾性波共振器Ｓ１からＳ３の直上に空隙３２を介し形成されていてもよい。

図６は、実施例３に係る弾性波デバイスの回路図である。図６に示すように、弾性波デバイス１０６において、入力端子ＴＩＮと出力端子ＴＯＵＴとの間に直列に直列弾性波共振器Ｓ１からＳ３が接続されている。入力端子ＴＩＮと出力端子ＴＯＵＴとの間に並列に並列弾性波共振器Ｐ１およびＰ２が接続されている。並列弾性波共振器Ｐ１およびＰ２と、グランドとの間に、それぞれインダクタＬ１およびＬ２が接続されている。直列弾性波共振器Ｓ１とＳ２との間のノードとグランドとの間にインダクタＬ３が接続されている。

図７（ａ）は、実施例３に係る弾性波デバイスの平面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、インダクタＬ１からＬ３は第２配線２６ａから２６ｃにより形成されている。第２配線２６ａは、並列弾性波共振器Ｐ１のグランド側に接続された第１配線２４ｃとグランド電極ＧＮＤ１とを接続する。第２配線２６ａは、第１配線２４ａの直上に空隙３２を介し設けられている。第２配線２６ｂは、並列弾性波共振器Ｐ２のグランド側に接続された第１配線２４ｄとグランド電極ＧＮＤ１とを接続する。第２配線２６ｂは、ミアンダ状である。第２配線２６ｃは、第１配線２４ａとグランド電極ＧＮＤ２とを接続する。第２配線２６ｃは、コイル状（スパイラル状）であり、一部が直列弾性波共振器Ｓ２およびＳ３および第１配線２４ｂの直上に空隙３２を介し設けられている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。

実施例３によれば、第２配線２６ｂおよび２６ｃをミアンダ状またはコイル状とすることができる。これにより、大きいインダクタンスを有するインダクタを形成できる。

図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例４に係る弾性波デバイスの回路図である。図８（ａ）に示すように、弾性波デバイス１０８はラダー型フィルタである。入力端子ＴＩＮと出力端子ＴＯＵＴとの間に直列に直列弾性波共振器Ｓ１からＳ４が接続されている。入力端子ＴＩＮと出力端子ＴＯＵＴとの間に並列に並列弾性波共振器Ｐ１からＰ４が接続されている。並列弾性波共振器Ｐ１およびＰ４とグランドとの間に、それぞれインダクタＬ１およびＬ３が接続されている。直列弾性波共振器Ｓ１とＳ２との間のノードとグランドとの間にインダクタＬ２が接続されている。直列弾性波共振器Ｓ１とＳ２との間のノードと並列弾性波共振器Ｐ２との間の配線、直列弾性波共振器Ｓ２とＳ３との間のノードと並列弾性波共振器Ｐ３との間の配線、およびインダクタＬ１からＬ３は、第２配線２６により形成されている。

図８（ｂ）に示すように、弾性波デバイス１０９は、ラダー型フィルタとＤＭＳ（ダブルモード弾性表面波）フィルタとを有するフィルタである。入力端子ＴＩＮと出力端子ＴＯＵＴとの間に直列に直列弾性波共振器Ｓ１およびＳ２が接続されている。入力端子ＴＩＮと出力端子ＴＯＵＴとの間に並列に並列弾性波共振器Ｐ１およびＰ２が接続されている。直列弾性波共振器Ｓ１とＳ２との間にＤＭＳフィルタ４０が接続されている。並列弾性波共振器Ｐ１とグランドとの間に、インダクタＬ１が接続されている。直列弾性波共振器Ｓ１とＤＭＳフィルタ４０との間のノードと並列弾性波共振器Ｐ２との間の配線、およびインダクタＬ１は、第２配線２６により形成されている。

実施例４のように、インダクタＬ１からＬ３の少なくとも一部を第２配線２６を用い形成することができる。また、弾性波共振器間を接続する配線を第２配線２６を用い形成することができる。また、ＤＭＳフィルタ４０を有するフィルタに第２配線２６を適用することができる。実施例４では、ラダー型フィルタの並列碗の経路の一部を第２配線２６を用い形成している。第２配線２６は、ラダー型フィルタの直列碗の経路を形成してもよい。例えば直列弾性波共振器同士を接続する配線を第２配線２６としてもよい。また、直列弾性波共振器に並列に接続されるインダクタを第２配線２６としてもよい。また、直列弾性波共振器および／または並列弾性波共振器を跨ぐように共振器の直上に第２配線２６を形成してもよい。

実施例５は、実施例１から実施例４およびその変形例の製造方法の例である。図９（ａ）から図１０（ｂ）は、実施例５に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。実施例５によって製造される回路図と平面図は図示しないが、実施例５は、両端と両端以外の支柱２０を使って、第２配線２６が２つの弾性波共振器２２を跨ぐように形成された弾性波デバイスである。実施例１から実施例４およびその変形例も同様の方法によって製造することができる。図９（ａ）に示すように、基板１０上に金属膜４２を形成する。基板１０は、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板等の圧電基板である。金属膜４２は、例えばアルミニウム膜である。金属膜４２は、例えばスパッタリング法およびエッチング法を用い形成する。金属膜４２により、弾性波共振器２２および第１配線２４が形成される。金属膜４２の膜厚は例えば１５０ｎｍから４００ｎｍである。金属膜４２は、銅膜等でもよい。弾性波共振器２２上に保護膜３４を形成する。保護膜３４は例えば膜厚が２０ｎｍの酸化シリコン膜である。保護膜３４は、例えばスパッタリング法およびエッチング法を用い形成する。

図９（ｂ）に示すように、支柱２０を形成する領域に開口５２が形成されるように、基板１０上にマスク層５０を形成する。開口５２は、基板１０上の一部および第１配線２４の一部に形成されている。マスク層５０は、後のベークに耐えることができる程度の耐熱性を有し、例えば膜厚が２μｍ以上のフォトレジスト膜である。マスク層５０は、例えばフォトリソグラフィ法を用い形成する。

図９（ｃ）に示すように、マスク層５０を覆うように、基板１０上にシード層３６を全面に形成する。シード層３６は、例えば基板１０側から膜厚が０．２μｍのチタン膜および膜厚が０．１５μｍの金膜である。シード層３６は、例えば蒸着法を用い形成する。シード層３６は、基板１０側から膜厚が０．１μｍのチタン膜および膜厚が０．３μｍの銅膜でもよい。シード層３６は、スパッタリング法を用い形成してもよいが、リフトオフ法を用いるため蒸着法を用い形成することが好ましい。シード層３６の基板１０側の膜は、金属膜４２との密着性を向上させる密着膜である。金属膜４２がアルミニウム膜のとき、密着膜は例えばチタン膜である。シード層３６の上側の膜はめっきのシードとして機能し、めっき層と同じ材料であることが好ましい。

図９（ｄ）に示すように、第２配線２６を形成する領域に開口５６が形成されるように、シード層３６上にマスク層５４を形成する。マスク層５４は、例えば膜厚が７μｍのフォトレジスト膜である。マスク層５４は、例えばフォトリソグラフィ法を用い形成する。

図１０（ａ）に示すように、開口５６にめっき層３０を形成する。めっき層３０は、基板１０側から下層３８、バリア層（不図示）および上層３９を含む。下層３８は例えば膜厚が３μｍの銅層である。バリア層は、例えば膜厚が０．３μｍのパラジウム層である。上層３９は、例えば膜厚が１μｍの金層である。めっき層３０は、シード層３６から電流を供給し、電解めっき法を用い形成する。下層３８は、厚膜化が可能であり、電気抵抗率が低くかつ非磁性である材料が好ましい。このため、下層３８は、銅層または金層が好ましい。下層３８の膜厚は第２配線２６の低抵抗化のため例えば１μｍ以上が好ましい。めっき層３０上にスタッドバンプを形成する場合、上層３９は金層であることが好ましい。バリア層は、下層３８と上層３９との加熱または経時変化にともなう相互拡散を抑制する。下層３８が銅層、上層３９が金層の場合、バリア層は、膜厚が０．２μｍ程度のパラジウム層またはニッケル層が好ましい。上層３９は、無電解めっき法を用い形成することもできる。この場合、上層３９の膜厚は例えば０．４μｍである。また、バリア層および上層３９を蒸着法を用い形成することもできる。この場合、バリア層は例えば膜厚が０．２μｍのチタン層、上層２９は、膜厚が０．４μｍの金層である。

図１０（ｂ）に示すように、マスク層５０および５４を例えば有機溶剤を用い除去する。このとき、マスク層５０および５４の間に形成されたシード層３６がリフトオフされる。シード層３６のリフトオフため、有機溶剤を高圧で噴射してもよい。また、有機溶剤中で超音波洗浄してもよい。シード層３６およびめっき層により第２配線２６および支柱２０が形成される。

実施例５によれば、図９（ａ）のように、基板１０上に、弾性波共振器２２および第１配線２４となる領域に金属膜４２を形成する。図９（ｂ）のように、支柱２０となる領域上に開口５２を有するマスク層５０を形成する。図９（ｃ）のように、開口５２内の金属膜４２に接触し、マスク層５０を覆うようにシード層３６を形成する。図９（ｄ）のように、シード層３６上に、第２配線２６となる領域に開口５６を有するマスク層５４を形成する。図１０（ａ）のように、シード層３６から給電することにより、開口５６内のシード層３６上にめっき層３０を形成する。図１０（ｂ）のように、マスク層５０およびマスク層５４を除去することにより、開口５２以外のシード層３６をリフトオフする。これにより、弾性波共振器２２および第１配線２４の上方に空隙３２を介し第２配線２６が形成される。

第１配線２４は、金属膜４２を含み、シード層３６およびめっき層３０を含まない。第２配線２６は、金属層を含まず、シード層３６およびめっき層３０を含む。なお、第２配線２６と交差する領域以外の第１配線２４は、シード層３６およびめっき層３０を含んでもよい。第２配線２６は、めっき層３０を含むことにより、厚膜化できる。例えば第２配線２６の膜厚を３μｍ以上とすることができる。これにより、第２配線２６の抵抗を低くできる。よって、弾性波デバイスの損失を抑制できる。

実施例１から実施例５およびその変形例において、弾性波共振器２２として、弾性表面波デバイスを例に説明したが、弾性波共振器２２は、弾性境界波共振器、ラブ波共振器、または圧電薄膜共振器でもよい。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ 基板
１２、２２ 弾性波共振器
１４、１６、２４、２６ 配線
２０ 支柱

Claims (8)

1. 基板と、
   前記基板上に形成された弾性波共振器と、
   前記基板上に形成され前記弾性波共振器に電気的に接続された第１配線と、
   前記第１配線と電気的に接続され、少なくとも一部が前記弾性波共振器の直上に空隙を介し形成された第２配線と、
   を具備することを特徴とする弾性波デバイス。
2. 前記基板上に形成され、前記第２配線の両端で前記第２配線を支持する第１支柱と、前記第２配線の両端以外で前記第２配線を支持する第２支柱と、を具備することを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。
3. 前記第２配線は、コイル状またはミアンダ状であることを特徴とする請求項１または２記載の弾性波デバイス。
4. 前記弾性波共振器は、前記基板上の一方向に配列した複数の弾性波共振器であり、
   前記第１配線は、前記複数の弾性波共振器の間に形成され、前記複数の弾性波共振器のうち隣接する弾性波共振器を電気的に接続し、
   前記第２配線は、前記複数の弾性波共振器のうち少なくとも１つの弾性波共振器の直上に空隙を介し形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
5. 前記第２配線の一端は、前記一方向に交差する方向の前記第１配線の中間に接続されていることを特徴とする請求項４記載の弾性波デバイス。
6. 前記第２配線の他端は前記複数の弾性波共振器の前記一方向に交差する方向の外側に形成された弾性波共振器に接続されていることを特徴とする請求項４または５記載の弾性波デバイス。
7. 入力電極と出力電極との間に並列に接続され、前記基板上の前記複数の弾性波共振器の前記一方向に交差する方向に形成された１または複数の並列弾性波共振器を具備し、
   前記複数の弾性波共振器は、前記入力電極と前記出力電極との間に直列に接続された複数の直列弾性波共振器であり、
   前記第２配線は、前記第１配線と前記１または複数の並列弾性波共振器の少なくとも１つとを接続する、または、前記１または複数の並列弾性波共振器の少なくとも１つとグランド電極とを接続することを特徴とする請求項４から６のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
8. 基板と、
   前記基板上の一方向に配列して形成された複数の弾性波共振器と、
   前記基板上の前記複数の弾性波共振器の間に形成され、前記複数の弾性波共振器のうち隣接する弾性波共振器を接続する第１配線と、
   前記複数の弾性波共振器の前記一方向に交差する方向の両外側間を接続するように、前記複数の弾性波共振器の少なくとも１つと前記第１配線との少なくとも一方の直上に空隙を介し形成された第２配線と、
   を具備することを特徴とする弾性波デバイス。

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