JP2001217674A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 外形の占有面積の大きさが内蔵する弾性表面
波素子とほぼ等しいまでに小型化が可能で、かつ、信頼
性の高い表面実装可能な弾性表面波装置を提供するこ
と、及びインピーダンス調整機能やより多機能な電気回
路を複合することができる弾性表面波装置を提供するこ
と。 【解決手段】 圧電基板１上に弾性表面波を発生させる
励振電極２及びこれに接続される配線電極３を形成し、
励振電極２及び配線電極３を表面に外部電極７が形成さ
れた絶縁性保護体６で被覆するとともに、絶縁性保護体
６内に、配線電極３及び外部電極７に接続され外部回路
との調整を行う電気回路を設けた弾性表面波装置Ｓ１と
する。
波素子とほぼ等しいまでに小型化が可能で、かつ、信頼
性の高い表面実装可能な弾性表面波装置を提供するこ
と、及びインピーダンス調整機能やより多機能な電気回
路を複合することができる弾性表面波装置を提供するこ
と。 【解決手段】 圧電基板１上に弾性表面波を発生させる
励振電極２及びこれに接続される配線電極３を形成し、
励振電極２及び配線電極３を表面に外部電極７が形成さ
れた絶縁性保護体６で被覆するとともに、絶縁性保護体
６内に、配線電極３及び外部電極７に接続され外部回路
との調整を行う電気回路を設けた弾性表面波装置Ｓ１と
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車電話及び携
帯電話等の移動体無線機器に内蔵される共振器及び周波
数帯域フィルタ用の弾性表面波装置に関する。
帯電話等の移動体無線機器に内蔵される共振器及び周波
数帯域フィルタ用の弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来技術とその課題】従来から、電波を利用する電子
機器のフィルタ，遅延線，発振器等の素子として種々の
弾性表面波装置が用いられている。
機器のフィルタ，遅延線，発振器等の素子として種々の
弾性表面波装置が用いられている。
【０００３】近年、特に小型・軽量でかつフィルタとし
ての急峻遮断性能が高い弾性表面波フィルタが、移動体
通信分野における携帯端末装置のＲＦ段及びＩＦ段のフ
ィルタとして多用されている。
ての急峻遮断性能が高い弾性表面波フィルタが、移動体
通信分野における携帯端末装置のＲＦ段及びＩＦ段のフ
ィルタとして多用されている。
【０００４】そして、この携帯端末装置の小型・軽量化
が進むとともに、部品点数の削減を図るため、回路基板
に実装されてきたインダクタ成分や容量成分、または、
平衡不平衡変換機能を弾性表面波装置に内蔵すること
と、表面実装可能な小型化が強く要望されている。
が進むとともに、部品点数の削減を図るため、回路基板
に実装されてきたインダクタ成分や容量成分、または、
平衡不平衡変換機能を弾性表面波装置に内蔵すること
と、表面実装可能な小型化が強く要望されている。
【０００５】現在、弾性表面波装置はキャンパッケージ
型やセラミックパッケージ型が実用化されおり、セラミ
ックパッケージ型はキャンパッケージ型に比べ表面実装
可能で小型化が実現可能なものとして広く用いられてい
る。
型やセラミックパッケージ型が実用化されおり、セラミ
ックパッケージ型はキャンパッケージ型に比べ表面実装
可能で小型化が実現可能なものとして広く用いられてい
る。
【０００６】第１世代のセラミックパッケージ型の弾性
表面波装置は、パッケージ内に接着固定した弾性表面波
素子とパッケージの内部電極とを、ワイヤーボンディン
グにより電気接続していたが、ワイヤーボンディングを
用いることによりパッケージ外形が大きくなり、弾性表
面波装置は内蔵する弾性表面波素子の５倍〜６倍の占有
面積となっていた。
表面波装置は、パッケージ内に接着固定した弾性表面波
素子とパッケージの内部電極とを、ワイヤーボンディン
グにより電気接続していたが、ワイヤーボンディングを
用いることによりパッケージ外形が大きくなり、弾性表
面波装置は内蔵する弾性表面波素子の５倍〜６倍の占有
面積となっていた。
【０００７】これを解決し小型化を図るために、第２世
代のセラミックパッケージ型の弾性表面波装置は、例え
ば図６に示すように、圧電基板２１上に励振電極である
櫛歯状電極２２及び配線電極２３が形成された弾性表面
波素子を、パッケージ基体２５に配線された導電体２７
（２７ａ，２７ｂ，２７ｃで構成）における弾性表面波
素子載置面に形成した内部電極２７ａと配線電極２３と
を電気的に接続するため、金属バンプ２４を用いてフェ
ースダウンボンディングした弾性表面波装置Ｊが実用化
されている。
代のセラミックパッケージ型の弾性表面波装置は、例え
ば図６に示すように、圧電基板２１上に励振電極である
櫛歯状電極２２及び配線電極２３が形成された弾性表面
波素子を、パッケージ基体２５に配線された導電体２７
（２７ａ，２７ｂ，２７ｃで構成）における弾性表面波
素子載置面に形成した内部電極２７ａと配線電極２３と
を電気的に接続するため、金属バンプ２４を用いてフェ
ースダウンボンディングした弾性表面波装置Ｊが実用化
されている。
【０００８】このように、配線電極２３に接続された金
属バンプ２４とパッケージ基体２５に形成された内部電
極２７ａとを接続することにより電気的接続を行うた
め、ワイヤーボンディングを使用する必要がなく、その
ため、第１世代のセラミックパッケージ型弾性表面波装
置に比べ、約２分の１の小型化が図られている。なお、
図中、２８はパッケージ蓋体、２６はパッケージ枠状
体、２７ｂは側面電極、２７ｃは下面電極、２９は櫛歯
状電極２２の振動空間である。
属バンプ２４とパッケージ基体２５に形成された内部電
極２７ａとを接続することにより電気的接続を行うた
め、ワイヤーボンディングを使用する必要がなく、その
ため、第１世代のセラミックパッケージ型弾性表面波装
置に比べ、約２分の１の小型化が図られている。なお、
図中、２８はパッケージ蓋体、２６はパッケージ枠状
体、２７ｂは側面電極、２７ｃは下面電極、２９は櫛歯
状電極２２の振動空間である。
【０００９】しかしながら、上記第２世代のフェースダ
ウン実装方式のセラミックパッケージ型弾性表面波装置
においても、パッケージ外形の大きさは、内蔵する弾性
表面波素子の約３倍もあり、十分に小型化されていない
ものであった。
ウン実装方式のセラミックパッケージ型弾性表面波装置
においても、パッケージ外形の大きさは、内蔵する弾性
表面波素子の約３倍もあり、十分に小型化されていない
ものであった。
【００１０】さらに、弾性表面波素子のパッケージへの
実装方法は、デバイスチップをウエハから切断した後
に、個別のパッケージを用い組み立てを行うために、量
産性に欠けるという問題があった。
実装方法は、デバイスチップをウエハから切断した後
に、個別のパッケージを用い組み立てを行うために、量
産性に欠けるという問題があった。
【００１１】また、第２世代のセラミックパッケージ型
の弾性表面波装置では、弾性表面波素子とセラミックパ
ッケージ上の配線電極のみの構成となり、回路基板に実
装されてきたインピーダンス調整用としてのインダクタ
成分や容量成分、または、平衡不平衡変換機能といっ
た、外部回路調整用の電気回路を内臓することができな
い。
の弾性表面波装置では、弾性表面波素子とセラミックパ
ッケージ上の配線電極のみの構成となり、回路基板に実
装されてきたインピーダンス調整用としてのインダクタ
成分や容量成分、または、平衡不平衡変換機能といっ
た、外部回路調整用の電気回路を内臓することができな
い。
【００１２】そこで、本発明はこのような問題に対処す
るためになされたものであり、外形の占有面積が内蔵す
る弾性表面波素子とほぼ等しいまでに小型化が可能で、
かつ、信頼性の高い表面実装可能な弾性表面波装置を提
供すること、及び多機能な電気回路を複合することが可
能な弾性表面波装置を提供することを目的とする。
るためになされたものであり、外形の占有面積が内蔵す
る弾性表面波素子とほぼ等しいまでに小型化が可能で、
かつ、信頼性の高い表面実装可能な弾性表面波装置を提
供すること、及び多機能な電気回路を複合することが可
能な弾性表面波装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の弾性表面波装置は、圧電基板上に弾性表面
波を発生させる励振電極及び該励振電極に接続される配
線電極を形成するとともに、励振電極及び配線電極を、
表面に外部電極を形成した絶縁性保護体で被覆し、かつ
絶縁性保護体内に配線電極と外部電極とを接続させる外
部回路調整用電気回路を設けたことを特徴とする。
に、本発明の弾性表面波装置は、圧電基板上に弾性表面
波を発生させる励振電極及び該励振電極に接続される配
線電極を形成するとともに、励振電極及び配線電極を、
表面に外部電極を形成した絶縁性保護体で被覆し、かつ
絶縁性保護体内に配線電極と外部電極とを接続させる外
部回路調整用電気回路を設けたことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係わる弾性表面波
装置の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。な
お、同様な部材には同一符号を付すものとする。
装置の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。な
お、同様な部材には同一符号を付すものとする。
【００１５】図１及び図２に本発明に係る弾性表面波装
置Ｓ１，Ｓ２の要部断面図を模式的に示す。弾性表面波
装置Ｓ１，Ｓ２は、例えばタンタル酸リチウム単結晶、
ニオブ酸リチウム単結晶、四ホウ酸リチウム単結晶、又
はランガサイト型結晶構造を有する単結晶、またはＰＺ
ＴやＺｎＯ等の圧電セラミックスその他の材料から成る
圧電基板１上に、少なくとも１対の櫛歯状電極から成り
弾性表面波を発生させる励振電極２と、これに接続され
る配線電極３とが配設され、励振電極２及び配線電極３
を絶縁性保護体６で被覆したものである。
置Ｓ１，Ｓ２の要部断面図を模式的に示す。弾性表面波
装置Ｓ１，Ｓ２は、例えばタンタル酸リチウム単結晶、
ニオブ酸リチウム単結晶、四ホウ酸リチウム単結晶、又
はランガサイト型結晶構造を有する単結晶、またはＰＺ
ＴやＺｎＯ等の圧電セラミックスその他の材料から成る
圧電基板１上に、少なくとも１対の櫛歯状電極から成り
弾性表面波を発生させる励振電極２と、これに接続され
る配線電極３とが配設され、励振電極２及び配線電極３
を絶縁性保護体６で被覆したものである。
【００１６】ここで、励振電極２はアルミニウムやその
合金等の金属から成り、その両端に反射器電極が配設さ
れたり、これらの複数が直列及び／又は並列に接続され
ていてもよい。また、配線電極３は励振電極２に接続さ
れ、励振電極２と同様な金属材料から構成される。ま
た、絶縁性保護体６は熱硬化性樹脂（エポキシ系、シリ
コーン系、フェノール系、ポリイミド系、又はポリウレ
タン系等の樹脂）、熱可塑性樹脂（ポリフェニレンサル
ファイド等の樹脂）、紫外線硬化樹脂、又は低融点ガラ
ス等から成るものとする。
合金等の金属から成り、その両端に反射器電極が配設さ
れたり、これらの複数が直列及び／又は並列に接続され
ていてもよい。また、配線電極３は励振電極２に接続さ
れ、励振電極２と同様な金属材料から構成される。ま
た、絶縁性保護体６は熱硬化性樹脂（エポキシ系、シリ
コーン系、フェノール系、ポリイミド系、又はポリウレ
タン系等の樹脂）、熱可塑性樹脂（ポリフェニレンサル
ファイド等の樹脂）、紫外線硬化樹脂、又は低融点ガラ
ス等から成るものとする。
【００１７】絶縁性保護体６内には、絶縁性保護体６の
部材を積層し、金属（銅，金，ニッケル等の単体や合
金）や導電性樹脂等から成る柱状導電体５（外部回路調
整用電気回路：弾性表面波装置Ｓ１においては、第１柱
状部５ａ、第２柱状部５ｂ、平板状部５ｃ、第３柱状部
５ｄ、平板状部で構成５ｅ、誘電体１２で構成。弾性表
面波装置Ｓ２においては、第１柱状部５ａ、第２柱状部
５ｂ、平板状部５ｃ、第３柱状部５ｄ、および平板状部
５ｅで構成。）を配設している。この柱状導電体５は、
励振電極２と同様な材質から成る配線電極３と、絶縁性
保護体６の表面に形成された半田バンプ等の金属材料か
ら成る外部電極７との双方に接続されている。
部材を積層し、金属（銅，金，ニッケル等の単体や合
金）や導電性樹脂等から成る柱状導電体５（外部回路調
整用電気回路：弾性表面波装置Ｓ１においては、第１柱
状部５ａ、第２柱状部５ｂ、平板状部５ｃ、第３柱状部
５ｄ、平板状部で構成５ｅ、誘電体１２で構成。弾性表
面波装置Ｓ２においては、第１柱状部５ａ、第２柱状部
５ｂ、平板状部５ｃ、第３柱状部５ｄ、および平板状部
５ｅで構成。）を配設している。この柱状導電体５は、
励振電極２と同様な材質から成る配線電極３と、絶縁性
保護体６の表面に形成された半田バンプ等の金属材料か
ら成る外部電極７との双方に接続されている。
【００１８】前記絶縁性保護体６の積層構造において、
柱状導電体５に複数の分断部Ａや屈曲部Ｂを設けること
により、インピーダンス調整のためのインダクタ成分及
び／又は容量成分を形成できる。さらに、相互インダク
タを利用した平衡不平衡変換機能部（バラン）も形成可
能である。
柱状導電体５に複数の分断部Ａや屈曲部Ｂを設けること
により、インピーダンス調整のためのインダクタ成分及
び／又は容量成分を形成できる。さらに、相互インダク
タを利用した平衡不平衡変換機能部（バラン）も形成可
能である。
【００１９】すなわち、例えば、図１に示す弾性表面波
装置Ｓ１のように、柱状導電体５をその一部Ａで分断
し、柱状導電体５と平板間の誘電体１２によって並行平
板型の容量成分が発生する回路を形成可能である。
装置Ｓ１のように、柱状導電体５をその一部Ａで分断
し、柱状導電体５と平板間の誘電体１２によって並行平
板型の容量成分が発生する回路を形成可能である。
【００２０】図３に図１に示した構成の概略等価電気回
路図を示す。回路図中では、信号線１３に並列に容量１
５を図示したが、これを信号線１３に直列に接続されて
も構わない。なお、図中１７は弾性表面波素子であり、
１４は接地線である。
路図を示す。回路図中では、信号線１３に並列に容量１
５を図示したが、これを信号線１３に直列に接続されて
も構わない。なお、図中１７は弾性表面波素子であり、
１４は接地線である。
【００２１】また、図２に示すように、柱状導電体５を
屈曲させ、絶縁性保護体６中を蛇行状（ミアンダ状）の
パターンや渦巻状の導電パターンとして、インダクタ成
分が発生する回路を形成可能である。
屈曲させ、絶縁性保護体６中を蛇行状（ミアンダ状）の
パターンや渦巻状の導電パターンとして、インダクタ成
分が発生する回路を形成可能である。
【００２２】図４に図２に示した構成の概略等価電気回
路図を示す。回路図中では、信号線１３に直列にインダ
クタ１６を図示したが、信号線１３に並列に接続されて
も構わない。また、接地線１４にインダクタ１６と容量
１５とを並列に接続させた例を示したが、絶縁性保護体
６中を柱状導電体の分断部Ａや屈曲部Ｂによって作製可
能な電気回路であれば構わない。
路図を示す。回路図中では、信号線１３に直列にインダ
クタ１６を図示したが、信号線１３に並列に接続されて
も構わない。また、接地線１４にインダクタ１６と容量
１５とを並列に接続させた例を示したが、絶縁性保護体
６中を柱状導電体の分断部Ａや屈曲部Ｂによって作製可
能な電気回路であれば構わない。
【００２３】図５に、他の実施形態の概略等価電気回路
図を示す。回路図中では、平衡不平衡変換回路１８とし
て相互インダクタを用いて変換を行っているが、前述し
たように絶縁性保護体６中を柱状導電体の分断部Ａや屈
曲部Ｂによって作製可能な電気回路であれば構わない。
図を示す。回路図中では、平衡不平衡変換回路１８とし
て相互インダクタを用いて変換を行っているが、前述し
たように絶縁性保護体６中を柱状導電体の分断部Ａや屈
曲部Ｂによって作製可能な電気回路であれば構わない。
【００２４】そして、励振電極２の振動空間１１を確保
するために、金属，樹脂，またはガラス等から成るカバ
ー体４を、絶縁性保護体６と励振電極２との間に配設し
ている。
するために、金属，樹脂，またはガラス等から成るカバ
ー体４を、絶縁性保護体６と励振電極２との間に配設し
ている。
【００２５】また、分断部や屈曲部を多数設けることに
より、外部電極７に働く応力が柱状導電体に緩和されて
伝達されるため、圧電基板１への影響を極力抑えること
ができる。これにより、弾性表面波装置を回路基板に半
田等で実装して使用する際に、実装時の熱歪みや温度変
化による応力が柱状の電極５を介して圧電基板１に伝わ
り、特性が著しく劣化したり、場合によっては圧電基板
にクラックが発生するという問題を極力防止でき、高信
頼性を有する弾性表面波装置を得ることができる。
より、外部電極７に働く応力が柱状導電体に緩和されて
伝達されるため、圧電基板１への影響を極力抑えること
ができる。これにより、弾性表面波装置を回路基板に半
田等で実装して使用する際に、実装時の熱歪みや温度変
化による応力が柱状の電極５を介して圧電基板１に伝わ
り、特性が著しく劣化したり、場合によっては圧電基板
にクラックが発生するという問題を極力防止でき、高信
頼性を有する弾性表面波装置を得ることができる。
【００２６】いずれにせよ、屈曲部を複数設けることに
より、プリント基板等に半田等で接続された外部電極７
に加わる外部応力が柱状導電体を通じて圧電基板１に働
くことによる緩和効果で破損を極力防止することができ
る。
より、プリント基板等に半田等で接続された外部電極７
に加わる外部応力が柱状導電体を通じて圧電基板１に働
くことによる緩和効果で破損を極力防止することができ
る。
【００２７】また、励振電極２の対数は５０〜２００程
度、電極指の幅は０．１〜１０．０μｍ程度、電極指の
間隔は０．１〜１０．０μｍ程度、電極指の交差幅は１
０〜８０μｍ程度、ＩＤＴ電極２の厚みは０．２〜０．
４μｍ程度とすることが、共振器あるいはフィルタとし
ての所期の特性を得るうえで好適である。また、励振電
極２上にＺｎＯ、Ａｌ2Ｏ3等の圧電材料を成膜すれば、
ＳＡＷの共振効率が向上し好適である。
度、電極指の幅は０．１〜１０．０μｍ程度、電極指の
間隔は０．１〜１０．０μｍ程度、電極指の交差幅は１
０〜８０μｍ程度、ＩＤＴ電極２の厚みは０．２〜０．
４μｍ程度とすることが、共振器あるいはフィルタとし
ての所期の特性を得るうえで好適である。また、励振電
極２上にＺｎＯ、Ａｌ2Ｏ3等の圧電材料を成膜すれば、
ＳＡＷの共振効率が向上し好適である。
【００２８】圧電基板１としては、４２°または３６°
Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3結晶、６４°Ｙカット
−Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ3結晶、４５°Ｘカット−Ｚ伝搬
のＬｉＢ4Ｏ7結晶は電気機械結合係数が大きく且つ群遅
延時間温度係数が小さいため好ましい。圧電基板１の厚
みは０．１〜０．５mm程度がよく、０．１ｍｍ未満では
圧電基板が脆くなり、０．５ｍｍ超では材料コストが大
きくなる。
Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3結晶、６４°Ｙカット
−Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ3結晶、４５°Ｘカット−Ｚ伝搬
のＬｉＢ4Ｏ7結晶は電気機械結合係数が大きく且つ群遅
延時間温度係数が小さいため好ましい。圧電基板１の厚
みは０．１〜０．５mm程度がよく、０．１ｍｍ未満では
圧電基板が脆くなり、０．５ｍｍ超では材料コストが大
きくなる。
【００２９】なお、本発明は上記の実施形態に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種
々の変更は何等差し支えない。
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種
々の変更は何等差し支えない。
【００３０】
【実施例】次に、本発明のより具体的な実施例について
説明する。
説明する。
【００３１】実施例として図１に示した構成を例にと
り、説明する。
り、説明する。
【００３２】作製の概略の流れは、カバー体をウエハ上
に多数形成し、その後、別に用意した圧電性のウエハ上
に弾性表面波素子領域を多数形成し、二つのウエハを重
ねて接合し、ウエハを研磨等により除去した後に、絶縁
性保護体で封止し、さらに、外部電極を絶縁性保護体上
に形成して、最後に個々のチップに分離して弾性表面波
装置を完成させる。
に多数形成し、その後、別に用意した圧電性のウエハ上
に弾性表面波素子領域を多数形成し、二つのウエハを重
ねて接合し、ウエハを研磨等により除去した後に、絶縁
性保護体で封止し、さらに、外部電極を絶縁性保護体上
に形成して、最後に個々のチップに分離して弾性表面波
装置を完成させる。
【００３３】まず、図１に示すように、圧電基板１上に
励振電極２と配線電極３を形成した。圧電基板１として
厚さ３５０μｍの４２°Ｙカットタンタル酸リチウム基
板を用い、励振電極２及び配線電極３の第１層目の配線
電極３にはアルミニウム合金（銅含有率１％）を用い
た。電極厚さは２０００〜４０００Åとした。第２層目
の配線電極３にはニッケル，銅の２層電極を用い、それ
ぞれの厚さは１０００Å，２０００Åとし、フォトリソ
グラフィーを用いて選択的に形成した。
励振電極２と配線電極３を形成した。圧電基板１として
厚さ３５０μｍの４２°Ｙカットタンタル酸リチウム基
板を用い、励振電極２及び配線電極３の第１層目の配線
電極３にはアルミニウム合金（銅含有率１％）を用い
た。電極厚さは２０００〜４０００Åとした。第２層目
の配線電極３にはニッケル，銅の２層電極を用い、それ
ぞれの厚さは１０００Å，２０００Åとし、フォトリソ
グラフィーを用いて選択的に形成した。
【００３４】ここで、カバー体４を別途作製する。
【００３５】弾性表面波素子を形成する圧電基板のウエ
ハと同サイズのシリコンウエハの主面にメッキ用のカバ
ー体４を形成する。このウエハには圧電基板，シリコン
基板，またはガラス基板を用いることができ、後工程で
簡便に除去できる材質のものを使用する。カバー体４は
例えば銅等の金属材料を用いスパッタ成膜により厚さ
０．２μｍ〜１μｍ程度に形成する。
ハと同サイズのシリコンウエハの主面にメッキ用のカバ
ー体４を形成する。このウエハには圧電基板，シリコン
基板，またはガラス基板を用いることができ、後工程で
簡便に除去できる材質のものを使用する。カバー体４は
例えば銅等の金属材料を用いスパッタ成膜により厚さ
０．２μｍ〜１μｍ程度に形成する。
【００３６】次に、カバー体４の振動空間部に相当する
箇所のメッキ用ガイドをフォトリソグラフィーにより形
成する。フォトレジストの厚さは５０μｍ〜１００μｍ
とする。
箇所のメッキ用ガイドをフォトリソグラフィーにより形
成する。フォトレジストの厚さは５０μｍ〜１００μｍ
とする。
【００３７】次に、銅の電解メッキによりカバー体の上
部に相当する部分を形成する。この電解液には、硫酸銅
０．５〜１．０×１０3ｍｏｌ／ｍ3と硫酸１．５〜２×
１０ 3ｍｏｌ／ｍ3を用い、参照電極には塩化カリウム・
塩化銀の標準電極を用いる。
部に相当する部分を形成する。この電解液には、硫酸銅
０．５〜１．０×１０3ｍｏｌ／ｍ3と硫酸１．５〜２×
１０ 3ｍｏｌ／ｍ3を用い、参照電極には塩化カリウム・
塩化銀の標準電極を用いる。
【００３８】次に、カバー体の壁部に相当する部分のメ
ッキ用ガイドをフォトリソグラフィーにより形成する。
フォトレジストの厚みは５０μｍ〜１００μｍ、また壁
の厚さに相当する溝の幅は５０μｍ〜１００μｍ程度と
する。
ッキ用ガイドをフォトリソグラフィーにより形成する。
フォトレジストの厚みは５０μｍ〜１００μｍ、また壁
の厚さに相当する溝の幅は５０μｍ〜１００μｍ程度と
する。
【００３９】次に、銅の電解メッキによりカバー体の壁
部に相当する部分を形成し、その後、カバー体の上にス
クリーン印刷により低融点ガラス８を厚さ５〜１０μｍ
で形成する。最後に、フォトレジストを除去しカバー体
が配列された基板が完成する。
部に相当する部分を形成し、その後、カバー体の上にス
クリーン印刷により低融点ガラス８を厚さ５〜１０μｍ
で形成する。最後に、フォトレジストを除去しカバー体
が配列された基板が完成する。
【００４０】ここで、別途シリコン基板上に形成された
カバー体４を低融点ガラス８で、前記弾性表面波素子を
作製した圧電基板ウエハに接着し、その後、研磨機を用
いシリコン基板及びカバー体４の一部を除去した。この
ときの研磨液は水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水
溶液にコロイダルシリカを混入させたものを使用して行
った。
カバー体４を低融点ガラス８で、前記弾性表面波素子を
作製した圧電基板ウエハに接着し、その後、研磨機を用
いシリコン基板及びカバー体４の一部を除去した。この
ときの研磨液は水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水
溶液にコロイダルシリカを混入させたものを使用して行
った。
【００４１】次に、第１の柱状部５ａをメッキにて形成
するためのガイドをフォトレジストで形成し、銅の電解
メッキにて第１の柱状部５ａを形成した。このときの第
１柱状部５ａの直径は１００μｍ、高さは２００μｍと
した。
するためのガイドをフォトレジストで形成し、銅の電解
メッキにて第１の柱状部５ａを形成した。このときの第
１柱状部５ａの直径は１００μｍ、高さは２００μｍと
した。
【００４２】次に、メッキガイド用のフォトレジストを
除去した後、熱硬化性のモールド用樹脂を用い、トラン
スファーモールドによって絶縁性保護体６の一部を形成
した。また、前記樹脂を上部から押えるダイに１００μ
ｍ厚の耐熱樹脂フィルムを装着することにより、第１柱
状部５ａの上部が前記第１樹脂層から露出させるように
した。第１樹脂層の厚みは約２００μｍとした。
除去した後、熱硬化性のモールド用樹脂を用い、トラン
スファーモールドによって絶縁性保護体６の一部を形成
した。また、前記樹脂を上部から押えるダイに１００μ
ｍ厚の耐熱樹脂フィルムを装着することにより、第１柱
状部５ａの上部が前記第１樹脂層から露出させるように
した。第１樹脂層の厚みは約２００μｍとした。
【００４３】同様にして、平板状部５ｃ，平板間の誘電
体１２，平板状部５ｅ，柱状部５ｂを順次形成した。
体１２，平板状部５ｅ，柱状部５ｂを順次形成した。
【００４４】平板状部には銅の単層電極及びニッケル，
銅の２層電極を用い、それぞれの厚さは１μｍ，１００
０Å，２０００Åとした。柱状部には銅メッキを用い、
厚さは１００μｍとした。
銅の２層電極を用い、それぞれの厚さは１μｍ，１００
０Å，２０００Åとした。柱状部には銅メッキを用い、
厚さは１００μｍとした。
【００４５】次に、クリーム半田を１０μｍの厚さで、
柱状導電体５の上部にスクリーン印刷した後、リフロー
を２７０℃で行い、外部電極７となる半田バンプを形成
した。
柱状導電体５の上部にスクリーン印刷した後、リフロー
を２７０℃で行い、外部電極７となる半田バンプを形成
した。
【００４６】最後に、基板をダイシングにより弾性表面
波装置（チップ）を1 個ずつに分離し、弾性表面波装置
を完成した。得られた弾性表面波装置は、櫛歯状電極が
カバー体および絶縁性保護体である封止樹脂により保護
されているとともに、柱状導電体に応力緩和用の分断部
や屈曲部が設けられていることにより、−４０℃〜８５
℃の温度サイクル試験においても、圧電基板の損傷は無
く、しかも特性劣化は全く観測されなかった。また、弾
性表面波フィルタ素子（１ｍｍ×１．５ｍｍ）とほぼ同
じ占有面積の小型化及び、高さ０．８ｍｍの低背化が実
現できた。
波装置（チップ）を1 個ずつに分離し、弾性表面波装置
を完成した。得られた弾性表面波装置は、櫛歯状電極が
カバー体および絶縁性保護体である封止樹脂により保護
されているとともに、柱状導電体に応力緩和用の分断部
や屈曲部が設けられていることにより、−４０℃〜８５
℃の温度サイクル試験においても、圧電基板の損傷は無
く、しかも特性劣化は全く観測されなかった。また、弾
性表面波フィルタ素子（１ｍｍ×１．５ｍｍ）とほぼ同
じ占有面積の小型化及び、高さ０．８ｍｍの低背化が実
現できた。
【００４７】
【発明の効果】以上、詳細に述べたように、本発明の弾
性表面波装置によれば、弾性表面波素子の配線電極と外
部電極を接続する導電体に複数の分断部や屈曲部を設け
ることにより、インダクタンス成分や容量成分を持つ外
部回路調整用電気回路を任意に構成させることが可能な
ため、従来、インピーダンス調整のために回路基板に実
装されてきたインダクタや容量、またはバラン等の多機
能な電子回路を内蔵可能な弾性表面波装置を提供でき
る。
性表面波装置によれば、弾性表面波素子の配線電極と外
部電極を接続する導電体に複数の分断部や屈曲部を設け
ることにより、インダクタンス成分や容量成分を持つ外
部回路調整用電気回路を任意に構成させることが可能な
ため、従来、インピーダンス調整のために回路基板に実
装されてきたインダクタや容量、またはバラン等の多機
能な電子回路を内蔵可能な弾性表面波装置を提供でき
る。
【００４８】また、前記導電体に複数の分断部や屈曲部
を設けることにより、外部電極に加わる応力を十分に緩
和できるため、温度変化等により劣化の生じない高信頼
性の弾性表面波装置を提供できる。
を設けることにより、外部電極に加わる応力を十分に緩
和できるため、温度変化等により劣化の生じない高信頼
性の弾性表面波装置を提供できる。
【００４９】また、圧電基板を下部筐体とし、樹脂モー
ルドにより封止を行いそれを上部筐体とすることがで
き、従来のセラミックパッケージ等が不要となり、大幅
な小型・軽量化が図れ、外形の占有面積の大きさが、内
蔵する弾性表面波素子とほぼ等しい、究極的に小型化さ
れた表面実装可能な弾性表面波装置を提供できる。
ルドにより封止を行いそれを上部筐体とすることがで
き、従来のセラミックパッケージ等が不要となり、大幅
な小型・軽量化が図れ、外形の占有面積の大きさが、内
蔵する弾性表面波素子とほぼ等しい、究極的に小型化さ
れた表面実装可能な弾性表面波装置を提供できる。
【００５０】さらに、全ての製造工程をウエハプロセス
で行うことができ、ウエハ単位の加工で弾性表面波装置
を多数個同時に形成できる、すなわち、樹脂封止まで完
了したウエハをダイシング工程で個別の弾性表面波装置
にカッティングすることにより完成品を得ることができ
るため、従来のダイシング工程以降、個別に弾性表面波
素子を組み立てる必要が無く、しかも処理能力の小さい
ダイボンダー，ワイヤーボンダー，シーム溶接機等の組
立装置が不要となり、大幅に工程を簡略化するととも
に、量産性の高い弾性表面波装置を提供できる。
で行うことができ、ウエハ単位の加工で弾性表面波装置
を多数個同時に形成できる、すなわち、樹脂封止まで完
了したウエハをダイシング工程で個別の弾性表面波装置
にカッティングすることにより完成品を得ることができ
るため、従来のダイシング工程以降、個別に弾性表面波
素子を組み立てる必要が無く、しかも処理能力の小さい
ダイボンダー，ワイヤーボンダー，シーム溶接機等の組
立装置が不要となり、大幅に工程を簡略化するととも
に、量産性の高い弾性表面波装置を提供できる。
【図１】本発明に係わる弾性表面波装置の実施形態を説
明する端面模式図である。
明する端面模式図である。
【図２】本発明に係わる他の弾性表面波装置の実施形態
を説明する端面模式図である。
を説明する端面模式図である。
【図３】本発明に係わる弾性表面波装置の概略等価回路
図である。
図である。
【図４】本発明に係わる他の弾性表面波装置の概略等価
回路図である。
回路図である。
【図５】本発明に係わる他の弾性表面波装置の概略等価
回路図である。
回路図である。
【図６】従来の弾性表面波装置を説明する端面模式図で
ある。
ある。
１ ：圧電基板 ２ ：励振電極（１対の櫛歯状電極） ３ ：配線電極 ４ ：カバー体 ５ ：柱状導電体（外部回路調整用電気回路） ５ａ：第１柱状部 ５ｂ：第２柱状部 ５ｃ：平板状部 ５ｄ：第３柱状部 ５ｅ：平板状部 ６ ：樹脂層（絶縁性保護体） ７ ：外部電極 ８ ：低融点ガラス ９ ：振動空間 １０：樹脂層 １１：第２配線電極 １２：平板間の誘電体 １３：信号線 １４：接地線 １５：容量 １６：インダクタ １７：弾性表面波素子 １８：平衡不平衡変換回路 Ｓ１，Ｓ２：本発明に係る弾性表面波装置 Ｊ：従来の弾性表面波装置
Claims (1)
- 【請求項１】 圧電基板上に弾性表面波を発生させる励
振電極及び該励振電極に接続される配線電極を形成する
とともに、前記励振電極及び前記配線電極を、表面に外
部電極を形成した絶縁性保護体で被覆し、かつ前記絶縁
性保護体内に前記配線電極と前記外部電極とを接続させ
る外部回路調整用電気回路を設けたことを特徴とする弾
性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000027406A JP4382945B2 (ja) | 2000-01-31 | 2000-01-31 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000027406A JP4382945B2 (ja) | 2000-01-31 | 2000-01-31 | 弾性表面波装置 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009174501A Division JP4762333B2 (ja) | 2009-07-27 | 2009-07-27 | 弾性表面波装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001217674A true JP2001217674A (ja) | 2001-08-10 |
| JP4382945B2 JP4382945B2 (ja) | 2009-12-16 |
Family
ID=18552981
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000027406A Expired - Fee Related JP4382945B2 (ja) | 2000-01-31 | 2000-01-31 | 弾性表面波装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPWO2006134928A1 (ja) * | 2005-06-16 | 2009-01-08 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス及びその製造方法 |
| JP2010056833A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電部品及びその製造方法 |
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| WO2012081240A1 (ja) * | 2010-12-16 | 2012-06-21 | パナソニック株式会社 | 弾性波装置 |
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| JP2014014131A (ja) * | 2013-08-30 | 2014-01-23 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイス内蔵モジュール及び通信装置 |
| JP2016510959A (ja) * | 2013-03-06 | 2016-04-11 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | 小型化された多コンポーネント部品および製造方法 |
| JP2016178621A (ja) * | 2015-03-18 | 2016-10-06 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
| JP2017022744A (ja) * | 2016-09-07 | 2017-01-26 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波フィルタ及びモジュール |
| JP2017199969A (ja) * | 2016-04-25 | 2017-11-02 | 株式会社村田製作所 | 回路モジュール |
| CN113541628A (zh) * | 2021-06-28 | 2021-10-22 | 杭州左蓝微电子技术有限公司 | 一种声表面波器件及其制造方法 |
-
2000
- 2000-01-31 JP JP2000027406A patent/JP4382945B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2012070098A (ja) * | 2010-09-21 | 2012-04-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電子部品およびその製造方法、並びに電子部品を備えた電子デバイス |
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| CN104767499B (zh) * | 2010-12-16 | 2017-09-22 | 天工滤波方案日本有限公司 | 弹性波装置 |
| CN102763328A (zh) * | 2010-12-16 | 2012-10-31 | 松下电器产业株式会社 | 弹性波装置 |
| WO2012081240A1 (ja) * | 2010-12-16 | 2012-06-21 | パナソニック株式会社 | 弾性波装置 |
| JP2014140249A (ja) * | 2010-12-16 | 2014-07-31 | Panasonic Corp | 弾性波装置 |
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