JP2005223809A - 電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 小型化出来ると共に電気特性の劣化を回避できる電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に、電子機能部と一層目配線とを第一の一層目配線により第二の一層目配線が分断されているように形成する。第一の一層目配線における、第二の一層目配線を分断している部分上に、層間樹脂層を形成する。分断されている第二の一層目配線を互いに電気的に接続する二層目配線を、上記第一の一層目配線における第一金属からなる表層に当接する面が該第一金属より還元力を備えた第二金属からなるように形成する。二層目配線を形成した後、上記層間絶縁膜の変成温度未満にて加熱処理する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、配線パターンの交差により小型化できると共に、電気特性に優れた弾性表面波素子等の電子部品の製造方法に関するものである。

従来、携帯電話などの小型の通信機では、数十ＭＨｚ〜数ＧＨｚの範囲内を通過帯域周波数とするバンドパスフィルタが多く用いられている。上記バンドパスフィルタの一例としては、小型化が可能な弾性表面波素子が挙げられる。

図６に示すように、弾性表面波素子５００は、圧電基板１００の表面波伝播方向に沿って、反射器（リフレクタ）５１０、くし歯状電極部５０１、くし歯状電極部５０２、くし歯状電極部５０３、反射器５１１を並べることでフィルタ素子５０４を形成している。ここで各くし歯状電極部５０１〜５０３は、相互に間挿して交叉する各くし状電極をそれぞれ有する電気信号−表面波結合変換器（Inter Digital Transducer、以下、ＩＤＴと記す）である。

また、圧電基板１００の上には、入力パッド５２０、出力パッド５２１、各接地パッド５２２、５２３、５２４がそれぞれ形成されており、また、各ＩＤＴ５０１〜５０３と各パッド５２０〜５２４とを電気的にそれぞれ導通させるための各配線パターン５２５〜５３０がそれぞれ形成されている。

ここで、各ＩＤＴ５０１〜５０３、各反射器５１０、５１１、各パッド５２０〜５２４、各配線パターン５２５〜５３０はすべて、圧電基板１００の上に形成された導体薄膜のパターンである。

弾性表面波素子５００の入力パッド５２０に電気信号が印加されると、ＩＤＴ５０１とＩＤＴ５０３とによって表面波が励起され、反射器５１０と反射器５１１に挟まれたＩＤＴ５０１、ＩＤＴ５０２、ＩＤＴ５０３を含む領域に表面波の定在波が発生し、この定在波のエネルギーをＩＤＴ５０２が電気信号に変換することで、出力パッド５２１に出力電位が発生する。各ＩＤＴ５０１〜５０３が電気信号と表面波とを変換するときの変換特性が周波数特性を有するため、弾性表面波素子５００はバンドパス特性を示す。

図６に示した弾性表面波素子５００は、各反射器５１０、５１１に挟まれた音響トラックの中に、入力用の各ＩＤＴ５０１、５０３と出力用のＩＤＴ５０２とを音響的に縦続配列する縦結合共振子型弾性表面波フィルタである。しかしながら、弾性表面波素子としては、縦結合共振子型以外にも、横結合共振子型、トランスバーサル型、ラダー型、ラティス型等の種類が挙げられる。

何れの種類の弾性表面波素子も、ＩＤＴと配線パターンとを、圧電基板の上に導体薄膜パターンとして形成することで構成されており、ＩＤＴの電気信号−表面波変換が周波数特性を有することを利用してバンドパス特性を得ている。

弾性表面波素子においては、チップ状の弾性表面波素子上における引き回しの配線パターンがチップ小型化の妨げになっているので、異なる電位の配線パターンを立体交差させて配線パターン面積を減らすことが考えられた。各特許文献１乃至５では、各配線パターンの少なくとも一部を互いに立体交差させることが開示されている。このような立体交差部においては、ＳｉＯ₂等の絶縁体を間に挟んで、立体交差する各配線パターン間の絶縁性を確保している。

このような各配線の素材としては、アルミニウム（以下、Ａｌと記す）が、比較的低抵抗で、製造し易いことから、よく使用されている。しかしながら、Ａｌ層は、圧電基板との接着性に劣るため、下地の接着層として、Ｎｉ−Ｃｒ合金層とその上に形成されたＡｌ層との積層構造が上記各配線の素材として使用されている。
特開平５−１６７３８７号公報（公開日：１９９３年７月２日） 特開平５−２３５６８４号公報（公開日：１９９３年９月１０日） 特開平７−３０３６２号公報（公開日：１９９５年１月３１日） 特開２０００−４９５６７号公報（公開日：２０００年２月１８日） 特開２０００−１３８５５３号公報（公開日：２０００年５月１６日）

ところが、上記従来例では、上記の他方の一層目配線と二層目配線の接続部分において、コンタクト抵抗が高くなって、挿入損失等の電気特性が劣化するという問題が発生した。コンタクト抵抗が高くなる原因は、推測では、基板上に、一層目の配線をＡｌ電極にて形成後、すぐに、Ａｌ表面に自然酸化膜が形成され、その後の絶縁膜形成工程で、この形成工程の熱によってＡｌ酸化膜がさらに厚く形成され、その上に、二層目の配線Ａｌ／Ｎｉ−Ｃｒを重ねて形成して、導通させるので、二層目のＮｉ−Ｃｒと一層目のＡｌとの間に高抵抗のＡｌ酸化膜が介在することになり、コンタクト（導通）抵抗が大きくなってしまったものと考えられる。

本発明は、この二層目配線と他方の一層目配線とを互いに導通させる部分におけるコンタクト抵抗を低減できる電子部品の製造方法を提供することを目的としている。

本発明の電子部品の製造方法は、以上の課題を解決するために、基板上に、電子機能部を形成する共に、電子機能部に接続された互いに異なる電位となる第一及び第二の一層目配線を、第一金属を主成分とする導電層が表層となると共に、第二の一層目配線が第一の一層目配線により分断されように形成し、前記第一の一層目配線における、第二の一層目配線を分断している部分上に、樹脂からなる層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜を挟んで前記第一の一層目配線に対し交差すると共に該第一の一層目配線により分断されている前記第二の一層目配線を互いに電気的に接続する二層目配線を、前記表層に当接する面が前記第一金属より還元力を備えた第二金属からなるように形成し、前記二層目配線を形成した後、上記層間絶縁膜の変成温度未満にて加熱処理することを特徴としている。

上記方法において、第二の一層目配線の表層には、その形成時や層間絶縁膜の形成時の熱により第一金属の酸化膜が形成されている。

上記方法によれば、二層目配線を形成した後、上記層間絶縁膜の変成温度未満にて加熱処理することで、第二の一層目配線と、それに電気的に接続された二層目配線との界面において、第一金属の酸化膜が第二金属の還元力により還元されるから、上記酸化膜に起因する電気抵抗を低減できる。

これにより、上記方法は、配線の交差により小型化を図りながら、交差部でのコンタクト抵抗を低減できて電気特性の劣化を抑制できる。

上記製造方法では、前記基板上に電子機能部を形成した後、前記層間絶縁膜を形成する前に、電子機能部上に保護膜を形成してもよい。

上記方法によれば、層間絶縁膜を形成する前に、電子機能部上に保護膜を形成することによって、上記形成後の、層間絶縁膜や二層目配線の形成時の膜形成や熱による電子機能部の特性への悪影響を軽減できる。

上記製造方法においては、前記層間絶縁膜を形成する時に基板上及び一層目配線上に前記樹脂からなる枠を形成してもよい。

上記方法によれば、枠の形成と層間絶縁膜の形成とを兼用できるから、工程数を低減できて低コスト化できる。

上記製造方法では、前記電子機能部は、くし型電極部であってもよい。上記製造方法においては、前記一層目配線の第一金属は、Ａｌを主成分とするものであり、前記二層目配線の第二金属はＴｉであることが好ましい。上記主成分とは、Ａｌ単体を含む、Ａｌが５０％モルを超えて含まれていること示す。

上記方法によれば、Ａｌの酸化膜をＴｉにより還元すると共に、上記酸化膜にＡｌＴｉＯの合金を形成できて、上記酸化膜に起因する電気抵抗を低減することが可能となる。

上記製造方法では、前記樹脂は、感光性樹脂であることが望ましい。上記製造方法においては、前記樹脂は、ポリイミドであってもよい。上記製造方法では、前記加熱処理の温度を、２５０℃乃至３７０℃の範囲内に設定してもよい。

本発明の電子部品の製造方法は、以上のように、層間絶縁膜を挟んで第一の一層目配線に対し交差すると共に該第一の一層目配線により分断されている第二の一層目配線を互いに電気的に接続する二層目配線を、上記第一の一層目配線における第一金属からなる表層に当接する面が該第一金属より還元力を備えた第二金属からなるように形成し、二層目配線を形成した後、上記層間絶縁膜の変成温度未満にて加熱処理する方法である。

それゆえ、上記方法は、二層目配線を形成した後、上記層間絶縁膜の変成温度未満にて加熱処理することで、第二の一層目配線とそれに電気的に接続された二層目配線との界面において、第一金属の酸化膜が第二金属の還元力により還元されるから、上記酸化膜に起因する電気抵抗を低減できる。

この結果、上記方法は、配線の交差により小型化を図りながら、交差部でのコンタクト抵抗を低減できて電気特性の劣化を抑制できるという効果を奏する。

本発明の実施の各形態について図１乃至図５に基づいて説明すれば、以下の通りである。

本発明の電子部品としての弾性表面波素子においては、図２に示すように、圧電基板１０の表面上に弾性表面波を振動させる各ＩＤＴ（電子機能部）１ａ〜１ｅが、一組としてそれらの弾性表面波の伝搬方向に沿って形成されている。さらに、各ＩＤＴ１ａ〜１ｅを弾性表面波の伝搬方向の両側からそれぞれ挟む各反射器６が形成されていることが好ましい。

本実施の形態では、説明や図面作成上の都合により、圧電基板１０上に一組の各ＩＤＴ１ａ〜１ｅを形成した例を挙げたが、通常、複数の各組が必要に応じて形成されている。また、各ＩＤＴの形成密度としては、１ｍｍ²内に４個〜８個が挙げられる。

圧電基板１０としては、ＬｉＴａＯ₃、ＬｉＮｂＯ₃、又は水晶などの圧電基板で、波長３００ｎｍ以上での光透過率が７０％−８０％以上、かつ裏面のラップ粗さＲａが０．１０μｍ以上の基板を用いることが望ましい。なお、本実施の形態においては、透過率７５％、裏面ラップ粗さが０．１５μｍのＬｉＴａＯ₃基板を用いた。上記裏面とは、圧電基板１０における、各ＩＤＴ１ａ〜１ｅの形成面の反対面である。上記圧電基板１０を、上記光透過率や裏面のラップ粗さに設定することで、後述するフォトリソグラフィー法による露光パターンの形成精度を向上できる。

また、圧電基板１０上には、外部である配線基板（図示せず）との電気的導通を確保するための各接続パッド２ａ、２ｂと、各ＩＤＴ１ａ〜１ｅと各接続パッド２ａ、２ｂとをそれぞれ接続する引き回しの各配線パターン３ａ〜３ｅとが形成されている。

各ＩＤＴ１ａ〜１ｅ、各反射器６、各接続パッド２ａ、２ｂ及び各配線パターン３ａ〜３ｅは、アルミニウム（Ａｌ）とチタン（Ｔｉ）とを主とする多層構造配線により、真空蒸着法、スパッタリング法あるいはメッキ法によって形成されている。

本実施の形態では、上記多層構造配線として、その合計厚さが０．１μｍ〜０．２μｍに設定され、圧電基板１０側に下地層としてのＴｉ層（厚さは、上記合計厚さの１割程度）を配し、そのＴｉ層上にＡｌ層を配したものが用いられている。このような多層構造配線により、配線抵抗を低減できる。上記合計厚さの設定は、各ＩＤＴ１ａ〜１ｅの特性仕様により規定されるものである。

さらに、各ＩＤＴ１ａ〜１ｅと、各反射器６とをそれぞれ覆うようにスパッタリング法により、シリコン酸化膜もしくは窒化膜の保護膜（図示せず）が形成されている。本実施の形態では、保護膜としてはＳｉ₃Ｎ₄が用いられている。また、配線内の一層内の電極内訳や、Ｔｉ層とＡｌ層の間の合金層（Ａｌ_xＴｉ_yＯ）は、断面図には特に示されていない。なお、Ｓｉ₃Ｎ₄の保護膜はＩＤＴ上に形成されるので、この断面図には現れない。

後述する層間樹脂層５を形成する前に保護膜を形成することによって、各ＩＤＴ１ａ〜１ｅのくし歯状電極上が全て保護膜で覆われるため、層間樹脂層５を形成する時の加熱処理によりＡｌが酸素に触れなくなるため、Ａｌが酸化して発生するヒロックの発生を防止できる。

それにより、（１）フィルタのサージ耐圧の劣化を防ぐことができ、（２）ＩＤＴのＤＵＴＹ（電極幅／電極ピッチ）を大きくでき、低損失なフィルタを作ることができ、（３）絶縁膜の加熱処理に窒素オーブンではなく大気オーブンを使用することができ、製造コストを下げることができる、等の効果が得られる。

その上、各配線パターン３ａ〜３ｅには、小型化を図るために、各交差部４ａ〜４ｄが設けられている。これらのような各交差部４ａ〜４ｄの一つである交差部４ｄ（代表として示したが他の交差部も同様）では、図２乃至図４に示すように、配線パターン３ｄを覆うように層間樹脂層（層間絶縁膜）５が、例えば厚さ３μｍのポリイミドにより形成されている。

さらに、アース電位と相違するシグナル電位である接続パッド２ａからの配線パターン（第二の一層目配線）３ｅ及び配線パターン（第二の一層目配線）３ｃを電気的に互いに接続する配線パターン（二層目配線）３ｆが、上記層間樹脂層５を上方から跨ぐように、かつ層間樹脂層５を挟んで配線パターン（第一の一層目配線）３ｄと交差するように前述の多層構造配線により設けられている。配線パターン３ｆの合計厚みは、各ＩＤＴ１ａ〜１ｅの特性仕様により規定されないので、配線パターン３ｃ等の一層目配線より厚く、例えば１μｍ程度に設定されている。これにより、配線パターン３ｆの電気抵抗が低減されている。

このような層間樹脂層５により、アース電位である配線パターン３ｄと、アース電位と相違するシグナル電位である配線パターン３ｅ及び配線パターン３ｃとが電気的に互いに絶縁されている。また、配線パターン３ｆの引き回し距離も短くでき、かつ交差により配線パターンの占有面積（投影面積）を小さくできて、得られた弾性表面波素子を小型化できる。

さらに、配線パターン３ｅ及び配線パターン３ｃと、配線パターン３ｆとの界面には、後述する加熱（アニール）処理によってＡｌとＴｉとを含む合金層（図示せず）が、配線パターン３ｅ及び配線パターン３ｃの表層におけるＡｌの酸化層の少なくとも一部に代えてそれぞれ形成されている。このような合金層により、上記界面でのコンタクト抵抗が低減されている。

このような弾性表面波素子では、層間樹脂層５は、従来のＳｉＯ₂といった層間絶縁膜と比べて、比誘電率を低く（４未満）でき、かつ、厚さも３μｍと厚くできるから、交差部での各配線パターン３ｄ、３ｆ間の寄生容量も低減できて、得られた弾性表面波素子における、フィルタ特性、つまり通過帯域や、遮断帯域での周波数特性も改善できる。

その上、上記弾性表面波素子においては、配線パターン３ｅ及び配線パターン３ｃと、配線パターン３ｆとの界面といった各交差部４ａ〜４ｄでの各界面でのコンタクト抵抗が上記合金層の形成により低減されているため、挿入損失といった伝送特性（電気特性）を向上できて、各交差部４ａ〜４ｄの形成による小型化を図りながら、伝送特性（電気特性）を改善できる。

次に、上記弾性表面波素子の製造方法について説明する。まず、図３及び図４に示すように、圧電基板１０上に、各ＩＤＴ１ａ〜１ｅ、各反射器６、各接続パッド２ａ、２ｂ及び各配線パターン３ａ〜３ｅを、前記多層構造配線により、真空蒸着法、スパッタリング法あるいはメッキ法、及びフォトリソグラフィー法を用いて同時に形成する。このとき、各配線パターン３ａ〜３ｅの表面上には、電気絶縁体であるＡｌ酸化層が発生している。

また、各配線パターン３ａ〜３ｅには、例えば、配線パターン（第一の一層目配線）３ｄにより分断されている各配線パターン（第二の一層目配線）３ｃ、３ｅが形成されている。このような配線パターン３ｄと、各配線パターン３ｃ、３ｅとは、弾性表面波素子の動作時において、互いに電位が相違するものである。

続いて、配線パターン３ｄにおける、各配線パターン３ｃ、３ｅを分断している部分上に、感光性樹脂からなる後述する加熱処理により硬化して層間樹脂層（層間絶縁膜）５となる感光性樹脂層を形成する。感光性樹脂層の素材としては、加工が容易なこと、耐熱性に優れていること、硬化する温度が低く（２５０℃〜３５０℃）、ＩＤＴといった素子特性に悪影響を及ぼさないことから、感光性ポリイミドが好ましい。

その後、配線パターン３ｄに対し感光性樹脂層を間に挟んで交差すると共に該配線パターン３ｄにより分断されている各配線パターン３ｃ、３ｅを互いに電気的に接続するように配線パターン（二層目配線）３ｆを、Ａｌ（第一金属）より還元力を備えたＴｉ（第二金属）からなる接着層と該接着層上の導電層であるＡｌ層との多層構造にて形成する。

このような配線パターン３ｆを形成した後、上記感光性樹脂層の変成温度未満で、かつ硬化温度以上にて、例えば２７０℃乃至３７０℃の範囲内での所定温度にて加熱処理する。この加熱処理により、上記感光性樹脂層は、その中に含まれる溶媒成分を除去したり、イミド化させたりしてポリイミドからなる層間樹脂層５となる。

これと共に、各配線パターン３ｃ、３ｅの表層の電気絶縁体であるＡｌ酸化層がＴｉにより還元され、かつＴｉが上記Ａｌ酸化層に浸透してＡｌ_xＴｉ_yＯ層がＡｌ酸化層に代わって形成されている。Ａｌ_xＴｉ_yＯ層はＡｌ酸化層より電気抵抗を小さくできるため、コンタクト抵抗を低減できる。

加熱処理は、リフロー時や、パッケージへの収納時のろう材の溶融温度や封止樹脂の硬化温度の印加時といった加熱処理にて兼用させてもよい。このようにして弾性表面波素子が得られる。

このように弾性表面波素子の製造方法は、二層目配線である配線パターン３ｆの配線金属の構成を、従来のＡｌ／Ｎｉ−Ｃｒから、本発明ではＡｌ／Ｔｉに変更し、かつ上記配線パターン３ｆを形成後、２５０℃乃至３７０℃の温度範囲にて加熱（アニール）処理を行うことを特徴としている。

上記製造方法において、成膜直後は配線パターン３ｆのＴｉと一層目配線である各配線パターン３ｃ、３ｅのＡｌとの間にＡｌ酸化膜が存在するため高抵抗であるが、加熱処理により、Ａｌ表面の高抵抗なＡｌ酸化膜がＴｉにより還元され、ＡｌとＴｉを含む合金に変化することにより、接合部分でのコンタクト（導通）抵抗を小さくできる。

上記加熱処理の効果の結果を示した図１から明らかなように、従来は、加熱処理を行っても抵抗が高いままである一方、本発明では、大幅に低下していることがわかる。図１の結果において、用いたコンタクト部分の面積は、それぞれ１００μｍ²とした。

次に、前記Ａｌ_xＴｉ_yＯ層における、ｘ、ｙの好ましい範囲についてそれぞれ説明する。ここで、この合金層のＯ（酸素）に対するＡｌの比率ｘ、及びＴｉの比率ｙの範囲は０＜ｘ＜２／３、１／２≦ｙ（以下、式(1) という）の範囲内が好ましい。

この範囲内に設定する手段としては、前述したように、加熱処理を、２５０℃〜３７０℃、より好ましくは３００℃〜３３０℃の温度で３０分〜５時間の加熱処理を行い、一層目配線である配線パターン３ｆのＡｌ酸化層を構成するＡｌ及びＯと、これと接触する二層目配線である各配線パターン３ｃ、３ｅのＴｉとの間で、相互拡散させることにより、Ａｌ酸化層をＡｌとＴｉを含む合金層に変化させることが挙げられる。

この合金層のＯに対するＡｌの比率及びＴｉの比率は、加熱時間が長いほど、また、加熱温度が高いほど、Ａｌの比率ｘは２／３から小さくなる一方、Ｔｉの比率ｙは大きくなり、Ｏに対してＴｉの比率が十分大きくなるように設定することにより、導電率を大きくできる。

しかし、加熱処理の温度が２５０℃未満、或いは加熱処理の時間が３０分未満では、拡散が不十分であり、Ｔｉの比率ｙが、ｙ＜１／２となり、十分な導電率は得られない。

続いて、一層目配線のＡｌと二層目配線のＴｉとの間に形成されるＡｌとＴｉを含む合金層のＡｌの比率ｘ、Ｔｉの比率ｙの上限下限を上記式(1) のように設定した理由を以下に説明する。Ａｌ、Ｔｉは、様々な環境において各々０〜３、０〜４までの任意の酸化数をとり得るので、Ｏに対するＡｌの比率ｘ、Ｔｉの比率ｙは一義的には定まらないものである。

しかしながら、上記式(1) は、一層目配線のＡｌ表面に形成されたＡｌ酸化層において、前記加熱処理の熱によって、前記二層目配線のＴｉ層との間で相互に拡散され、Ａｌが完全に酸化された状態から、Ｔｉの割合が増加して、Ｏに対するＴｉの比率が増加した状態に達することを表している。

ここにおいて、二層目配線のＴｉの膜厚を厚くして、Ｔｉの供給量を増加できるが、特に効果のある領域としては、一層目配線のＡｌ酸化層の膜厚の数倍以上に設定し、その後の加熱処理の条件を適切に設定すればよい。数値例としては、二層目配線のＴｉの膜厚としては、１０ｎｍ程度でも効果はある。

この合金層におけるＯに対するＴｉの比率ｙの上限については、Ｔｉの拡散を促進するためには加熱処理の温度を高くする必要があるが、この加熱工程の熱による層間樹脂層５としてのポリイミドの変質や、圧電基板１０の変質の恐れがあるため、この加熱温度の上限が上記恐れにより規定される。この結果、この合金層におけるＴｉの比率ｙの上限が規定される。

また、本実施の形態において、図１に示すように、加熱処理によりコンタクト部分の抵抗を低下（０．１Ω／μｍ²→０．００２Ω／μｍ²）させているが、この状態でＡｌの比率ｘは１／３未満、Ｔｉの比率ｙは１以上と推測される。

この推測は、コンタクト部分の抵抗を低下させた試料の断面の元素分析を行った結果、一層目配線のＡｌと二層目配線のＴｉ界面で酸素を検出できなかったことに基づいている。このように酸素が検出されなかった原因としては、二層目配線のＴｉがＡｌ酸化膜の酸素を奪い取って、その中に拡散させてしまった結果、前記界面において、酸素濃度が薄まり検出限界未満となり、元素分析では検出できなくなったことが想定される。

このように上記製造方法では、一層目配線（下層配線）と二層目配線（上層配線）のコンタクト部分の材質をそれぞれＡｌとＴｉとに設定し、加熱処理を行うことで、Ａｌ表面の高抵抗酸化層（Ａｌ酸化層）がＴｉにより合金化（Ａｌ_xＴｉ_yＯ）し、コンタクト部分の抵抗を低下（０．１Ω／μｍ²→０．００２Ω／μｍ²）させることができ、フィルタの挿入損失の悪化を防止できる。

上記製造方法においては、熱処理の温度は３００℃以上で歩留まりが９０％〜９９％以上（０．００５Ω／μｍ²以下）となり、３３０℃以下で大気オーブン使用時と比較して、ヒロック発生率を５％〜１％以下にできる。また、上層配線がＮｉＣｒの場合、熱処理後においてもコンタクト抵抗は低下しないことから、ＡｌとＴｉの組み合わせが好適と考えられる。

（実施の第二形態）
次に、本発明の電子部品としての弾性表面波素子に係る実施の第二形態について図５に基づき説明する。なお、上記実施の第一形態と同様な機能を有する部材に関しては、同一の部材番号を付与してそれらの説明を省いた。

本実施の形態の弾性表面波素子では、図５に示すように、圧電基板１０の表面の電子機能部分を囲んで内枠８及び外枠９が上記表面から立設するようにそれぞれ設けられている。上記内枠８及び外枠９は、チップ状の弾性表面波素子を配線基板（図示せず）に対してフェイスダウンボンディングして、樹脂封止する際の樹脂流入防止堰（ダム）として機能するものである。この図５において、外枠９は、感光性ポリイミドで形成した内枠８と同時に感光性ポリイミドにて形成した外下枠９ａ上にさらに感光性ポリイミドの外上枠９ｂを形成して高さを確保したものである。

この感光性樹脂の硬化温度を加熱処理温度と同じに設定する。加熱処理温度は、交差部４ｄの配線接続部である各配線パターン３ｅ、３ｃと配線パターン３ｆとの接合部分において、Ａｌ酸化層とこれに接して形成されているＴｉ層との間で熱拡散させ、このＡｌ酸化層を前記合金層に変えるためのものである。

よって、上記実施の第二形態の製造方法は、前記実施の第一形態で得られる効果に加え、枠９の２層目を形成する時の加熱処理条件を、各配線パターン３ｅ、３ｃと配線パターン３ｆとの接合部分のコンタクト（接触）抵抗を下げるために行う加熱処理の温度条件と同じとすることで、樹脂流入防止堰（ダム）と層間樹脂層５との双方を形成した製品としての弾性表面波装置においては、上記双方を同時に形成できて、上記ダムを形成するための別の新たな工程を省くことができて、工程削減の効果があり、安価に製造することができる。

上記実施の各形態では、層間樹脂層５の素材に感光性ポリイミドを用いたが、他の感光性樹脂でも可能であり、ポリイミド以外に、感光性の、エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、アクリル樹脂、環状オレフィン樹脂を用いることができる。感光性樹脂としては、ネガ型で現像液に有機溶剤を用いるタイプが好ましい。ポジ型の感光性樹脂は現像液にアルカリを用いるのでアルミ電極が溶けることから好ましくない。さらに、層間樹脂層５に感光性樹脂以外の樹脂を用いた場合でも可能である。

また、上記実施の各形態においては、電子部品として弾性表面波素子を用いた例を挙げたが、ＬＳＩや、チップ状のコンデンサ、チップ状のコイル等の電子部品素子を有し、かつ配線パターンを交差させて備えた配線基板や多層基板に本発明を適用できる。

本発明の電子部品の製造方法は、各配線パターンを互いに交差させて小型化できると共に、交差部において互いに接続される各配線パターン間のコンタクト抵抗を低減できて伝送特性等の電気特性を向上できる電子部品を製造できるから、携帯電話等の通信分野や、パーソナルコンピュータ等の電子情報分野に好適に利用できる。

本発明の電子部品としての弾性表面波素子の製造方法における実施の第一形態での加熱（アニール）処理の効果を示すグラフである。 上記弾性表面波素子の概略構成図である。 上記弾性表面波素子の概略要部平面図である。 上記弾性表面波素子の要部断面図である。 上記弾性表面波素子に係る実施の第二形態の要部断面図である。 従来の弾性表面波素子の概略構成図である。

符号の説明

１ａ〜１ｅ：ＩＤＴ（電子機能部）
２ａ、２ｂ：接続パッド
３ａ〜３ｅ：配線パターン（第一及び第二の一層目配線）
３ｆ：配線パターン（二層目配線）
４ａ〜４ｄ：交差部
５：層間樹脂層（層間絶縁膜）
１０：圧電基板（基板）

Claims (8)

1. 基板上に、電子機能部を形成すると共に、電子機能部に接続された互いに異なる電位となる第一及び第二の一層目配線を、第一金属を主成分とする導電層が表層となると共に、第二の一層目配線が第一の一層目配線により分断されように形成し、
   前記第一の一層目配線における、第二の一層目配線を分断している部分上に、樹脂からなる層間絶縁膜を形成し、
   前記層間絶縁膜を挟んで前記第一の一層目配線に対し交差すると共に該第一の一層目配線により分断されている前記第二の一層目配線を互いに電気的に接続する二層目配線を、前記表層に当接する面が前記第一金属より還元力を備えた第二金属からなるように形成し、
   前記二層目配線を形成した後、上記層間絶縁膜の変成温度未満にて加熱処理することを特徴とする電子部品の製造方法。
2. 前記基板上に電子機能部を形成した後、前記層間絶縁膜を形成する前に、電子機能部上に保護膜を形成することを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法。
3. 前記層間絶縁膜を形成する時に基板上及び一層目配線上に前記樹脂からなる枠を形成することを特徴とする請求項１又は２記載の電子部品の製造方法。
4. 前記電子機能部は、くし型電極部であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の電子部品の製造方法。
5. 前記一層目配線の第一金属は、Ａｌを主成分とするものであり、前記二層目配線の第二金属はＴｉであることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の電子部品の製造方法。
6. 前記樹脂は、感光性樹脂であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の電子部品の製造方法。
7. 前記樹脂は、ポリイミドであることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の電子部品の製造方法。
8. 前記加熱処理の温度を、２５０℃乃至３７０℃の範囲内に設定することを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の電子部品の製造方法。

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