JP2003283282A

JP2003283282A - 電極を有する電子部品、及びその製造方法、通信装置

Info

Publication number: JP2003283282A
Application number: JP2002327448A
Authority: JP
Inventors: Osamu Shibata; 治柴田; Hiroki Watanabe; 寛樹渡辺; Masaru Yada; 優矢田; Kenji Sakaguchi; 坂口　　健二
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-01-15
Filing date: 2002-11-11
Publication date: 2003-10-03

Abstract

(57)【要約】【課題】挿入損失を低減できると共に、各平衡信号端
子間の平衡度を改善した弾性表面波装置及びその製造方
法を提供する。【解決手段】加熱を用いて封止されるパッケージ内
に、すだれ電極部３１、３２、３３を圧電基板１１上に
有する弾性表面波フィルタ１２が封止する。上記すだれ
電極部３１、３２、３３は、圧電基板１１上に成膜され
た第一金属層１と、第一金属層１上に成膜された、アル
ミニウムを主とする第二金属層２とを備える。第一金属
層１は、チタン、クロム、銅、ニッケル及びマグネシウ
ムよりなる群から選択された少なくとも一種を主とする
ものである。第一金属層１の圧電基板１１側には酸素拡
散層が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、遅延線、フィルタ
等に用いられる弾性表面波装置等の電極を有する電子部
品及びその製造方法、並びに上記電子部品を有する通信
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、近年の携帯電話機等の通信装置の
小型化、軽量化に対する技術的進歩は目覚しいものがあ
る。これを実現するための手段として、各構成部品の削
減、小型化はもとより、複数の機能を複合した電子部品
の開発も進んできた。

【０００３】このような状況を背景に、携帯電話機のＲ
Ｆ段に、通過帯域が高くなるほど小型化が可能な、電子
部品としての弾性表面波フィルタ（以下、ＳＡＷフィル
タという）が使用されるようになっている。ＳＡＷフィ
ルタは、圧電基板上に、アルミニウム等の導電体からな
る、複数のすだれ電極部（Inter-Digital Transducer、
以下、ＩＤＴという）と反射器（リフレクタ）といった
各電極を形成したものである。

【０００４】また、ＳＡＷフィルタに不平衡型−平衡型
変換機能、いわゆるバラン（balun)機能を付加したもの
も近年盛んに研究され、ＧＳＭ方式（Global System fo
r Mobile communications)などを中心に使用されるよう
になってきた。バランとは、平行二線式フィーダのよう
な平衡線路と同軸ケーブルのような不平衡線路とを直接
接続すると、不平衡電流が流れ給電線（フィーダ）自体
がアンテナとして動作してしまい望ましくないので、不
平衡電流を阻止し、平衡線路と不平衡線路とを整合する
回路をいう。

【０００５】また、不平衡型−平衡型変換機能を有する
ＳＡＷフィルタの場合、通過帯域内における平衡側の振
幅平衡度が０、位相平衡度が１８０°（合わせて以下バ
ランス性）となることが理想である。

【０００６】このような不平衡型−平衡型変換機能を有
するＳＡＷフィルタを備えた弾性表面波装置（以下、Ｓ
ＡＷデバイスという）は、近年、チップ型のＳＡＷフィ
ルタをセラミック製のパッケージ内に収納して封止する
形態が一般的になってきている。セラミック製のパッケ
ージの封止方法には、はんだ封止やシーム溶接が用いら
れている。

【０００７】

【特許文献１】特開平９−１３５１４３号公報（公開日
１９９７年５月２０日）

【０００８】

【特許文献２】特開平７−７４５７２号公報（公開日１
９９５年３月１７日）

【０００９】

【特許文献３】特開平５−２０６７７６号公報（公開日
１９９３年８月１３日）

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の封止方法では、封止したＳＡＷデバイスにおいて、い
くつかの要因のためにバランス性は理想通りにならず、
劣化することが多いという問題を有している。

【００１１】つまり、上記封止時には、ＳＡＷフィルタ
は加熱される。一方、ＳＡＷフィルタのＩＤＴや反射器
の材質は純アルミあるいはアルミを主とした合金であ
る。よって、ＩＤＴや反射器を有するＳＡＷフィルタ
は、封止時の加熱により電気特性が劣化することがあ
る。特にはんだ封止の場合、収納されているＳＡＷフィ
ルタ自身の温度上昇が３００℃以上と大きく、特性劣化
も大きいため改善方法が検討されている。

【００１２】また、不平衡型−平衡型変換機能を有する
ＳＡＷデバイスの場合、封止時の特性劣化によりバラン
ス性も変化する。この不平衡型−平衡型変換機能を有す
るＳＡＷデバイスの場合、バランス性の劣化は致命的と
なるため、特に特性改善が望まれている。

【００１３】本発明の目的は、高温の処理によっても特
性劣化が抑制され、耐電力性を備えた、ＳＡＷデバイス
といった電極を有する電子部品、その製造方法、及び上
記電子部品を有する通信装置を提供することである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の電極を有する電
子部品は、上記課題を解決するために、酸化物基板上
に、電極を有する電子部品において、上記電極は、酸化
物基板上に形成された第一金属層と、該第一金属層上に
形成された、アルミニウムを主とする第二金属層とを備
え、第一金属層は、チタン、銅、クロム、ニッケル及び
マグネシウムよりなる金属群から選択された少なくとも
一種を主とするものであると共に、酸化物基板と接する
部分に酸素拡散層を有していることを特徴としている。

【００１５】本発明の電極を有する他の電子部品は、上
記課題を解決するために、酸化物基板上、電極を有する
電子部品において、上記電極は、酸化物基板上に形成さ
れ、、酸素が拡散している酸素拡散層を有する第一金属
層と、該第一金属層上に形成された、アルミニウムを主
とする第二金属層とを備え、第一金属層は、チタン、
銅、クロム、ニッケル及びマグネシウムよりなる金属群
から選択された少なくとも一種を主とするものであるこ
とを特徴としている。

【００１６】上記電子部品では、酸素拡散層は、酸化物
基板からの酸素が拡散したことによるものであることが
好ましい。

【００１７】上記構成によれば、アルミニウムを主とす
る第二金属層と酸化物基板との間に、酸素拡散層を挟ん
で形成することで、高温処理によっても特性劣化を抑制
できると共に、耐電力性も向上できる。

【００１８】上記電子部品においては、第一金属層の膜
厚が、電極の全体の膜厚の１％以上、８％以下であるこ
とが望ましい。上記構成によれば、酸素拡散層を有する
第一金属層を第二金属層と酸化物基板との間に挟むこと
により、挿入損失を回避しながら、高温処理による特性
劣化を抑制できると共に、耐電力性も向上できる。

【００１９】上記電子部品では、酸化物基板は、弾性表
面波装置用の圧電基板であり、電極は、弾性表面波装置
用のすだれ電極部であってもよい。

【００２０】上記電子部品においては、すだれ電極部
が、不平衡型−平衡型変換機能を有するように設けられ
ていてもよい。上記構成によれば、特性劣化を抑制でき
るから、バランス性を改善できる。

【００２１】上記電子部品においては、電極を有する酸
化物基板を収納するパッケージが、上記酸化物基板を加
熱を用いて封止するように設けられていてもよい。

【００２２】上記電子部品では、パッケージを封止する
ための封止部がはんだ封止部であってもよい。

【００２３】上記電子部品では、パッケージを封止する
ための封止部が溶接封止部であってもよい。

【００２４】上記構成によれば、パッケージを封止する
ときの加熱により、高温状態（３００℃程度までの）と
なっても、特性劣化を抑制できると共に、耐電力性も向
上できる。

【００２５】本発明の通信装置は、前記の課題を解決す
るために、上記電子部品の何れかを有することを特徴と
している。上記構成によれば、特性劣化が抑制されると
共に、耐電力性も向上した電子部品を有することで、伝
送特性や耐久性の改善が可能となる。

【００２６】本発明の電子部品の製造方法は、前記の課
題を解決するために、酸化物基板上に、チタン、銅、ク
ロム、ニッケル及びマグネシウムよりなる金属群から選
択された少なくとも一種を主とする第一金属層を形成
し、上記第一金属層上に、アルミニウムを主とする第二
金属層を形成し、上記酸化物基板、第一金属層及び第二
金属層を加熱し、酸化物基板側の第一金属層の少なくと
も一部に、酸素が拡散した酸素拡散層を形成して、第一
金属層及び第二金属層を有する電極を形成することを特
徴としている。

【００２７】上記電子部品の製造方法では、第一及び第
二金属層を有する電極を形成した酸化物基板をパッケー
ジ内に収納し、上記パッケージを封止するときに、上記
酸化物基板及び電極を加熱して、電極を形成してもよ
い。

【００２８】上記方法によれば、酸化物基板と第二金属
層との間に第一金属層を挟むことで、例えば電子部品を
パッケージに対しはんだやシーム溶接により封止すると
きの熱によって、酸素拡散層を形成することができる。
したがって、上記方法では、酸素拡散層を簡便に形成で
きることにより、高温処理によっても特性劣化を抑制で
きると共に、耐電力性も向上できる電子部品を簡便に製
造できる。

【００２９】上記電子部品の製造方法においては、酸化
物基板は、弾性表面波装置用の圧電基板であり、第一及
び第二金属層により、弾性表面波装置用の複数のすだれ
状電極形状部と、各すだれ状電極形状部間を電気的に接
続する接続部とを上記圧電基板上に形成し、圧電基板、
第一金属層及び第二金属層をアニールして、すだれ状電
極形状部からすだれ状電極を形成し、接続された各すだ
れ状電極間を電気的に絶縁状態とするように、上記接続
部の少なくとも一部を除去してもよい。

【００３０】上記方法によれば、アニールにより、アル
ミニウムを主とする第二金属層の配向性を向上でき、ま
た比抵抗を低下させることができて、特性バラツキを抑
えることができる。また、上記方法では、アニールする
とき、各すだれ状電極形状部間は接続部により電気的に
接続されているので、アニールによる焦電破壊を回避で
きて、優れた特性を有する電子部品を安定に製造でき
る。

【００３１】上記電子部品の製造方法では、上記アニー
ルを、圧電基板がウェハ状態において行ってもよい。

【００３２】上記電子部品の製造方法においては、上記
アニールを３００℃以下の大気中で行ってもよい。

【００３３】上記電子部品の製造方法では、上記アニー
ルを３５０℃以下の窒素雰囲気中で行ってもよい。

【００３４】上記電子部品の製造方法においては、上記
アニールを真空中で行ってもよい。

【００３５】上記電子部品の製造方法では、上記複数の
すだれ状電極形状部を、不平衡型−平衡型変換機能を形
成するように設けてもよい。

【００３６】上記電子部品の製造方法においては、第一
金属層は、チタンを主とするものであってもよい。

【００３７】上記電子部品の製造方法では、酸素拡散層
に拡散する酸素は、酸化物基板由来のものであることが
好ましい。

【００３８】上記電子部品の製造方法においては、第一
金属層及び第二金属層を酸化物基板上にリフトオフ法に
より形成することが望ましい。

【００３９】上記方法によれば、リフトオフ法により形
成すると、第一金属層が形成されないスペース部の結晶
性を乱さないという利点を発揮できる。つまり、エッチ
ング法では、まず酸化物基板上の全面に第一金属層を形
成し、続いてフォトリソグラフィー法によって、第一金
属層の必要な部分上にフォトレジスト層を残した後、フ
ォトレジスト層の無い、第一金属層の不要部分をエッチ
ング法により除去していた。このため、エッチング法に
おいては、エッチング時の熱により、第一金属層が全面
にて当接している酸化物基板の全面に対してダメージが
残ることがあった。

【００４０】しかしながら、上記の本発明の方法では、
必要な部分にのみ第一金属層が酸化物基板に当接し、不
要な部分ではフォトレジスト層が介在しているため、エ
ッチング法と比べて、スペース部のダメージを軽減でき
る。

【００４１】

【発明の実施の形態】発明の実施の各形態について図１
ないし図２８に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る。本実施の形態では、電極を有する電子部品であるＳ
ＡＷデバイスとしてＰＣＳ(Personal Communication Sy
stem) 受信用フィルタを例にとって説明する。ＰＣＳ受
信用フィルタにおける通過帯域の周波数範囲は１９３０
ＭＨｚ〜１９９０ＭＨｚである。

【００４２】本発明に係る実施の形態のＳＡＷデバイス
では、図２に示すように、ＬｉＴａＯ₃やＬｉＮｂＯ₃か
らなる圧電基板（酸化物基板）１１上に形成された、縦
結合共振子型のＳＡＷフィルタ１２を封止して収納する
パッケージ１３が設けられている。

【００４３】パッケージ１３は、箱状のアルミナ等の絶
縁体セラミックスからなっており、長方形状の底板部で
ある実装基板１３ａと、実装基板１３ａの四周辺部から
それぞれ立設された各側壁部１３ｂと、各側壁部１３ｂ
により形成される開口を覆って塞ぐキャップ部１３ｃと
を有している。

【００４４】パッケージ１３では、キャップ部１３ｃの
形成前に、実装基板１３ａの内表面（ＳＡＷフィルタ１
２の搭載面）上にＳＡＷフィルタ１２を、例えばバンプ
１４を用いたバンプボンディングによりＳＡＷフィルタ
１２が電気的に、かつ機械的に結合されている。

【００４５】このため、実装基板１３ａの内表面上に
は、バンプボンディング用の配線パターン部１３ｄが設
けられており、実装基板１３ａの外表面（内表面の反対
面）上には、図示しないが、配線パターン部１３ｄにス
ルーホール等を介して接続される外部端子が形成されて
いる。

【００４６】このようにＳＡＷフィルタ１２を搭載し
た、キャップ部１３ｃの形成前のパッケージ１３に対
し、キャップ部１３ｃを各側壁部１３ｂ上に、例えばは
んだ封止によりはんだ封止部１３ｅを形成して、パッケ
ージ１３における封止が完了する。上記では、はんだ封
止によるはんだ封止部１３ｅを形成した例を挙げたが、
上記に限定されることはなく、はんだ封止部１３ｅに代
えて、例えばシーム溶接によるシーム封止部を形成して
パッケージ１３を封止してもよい。

【００４７】次に、ＳＡＷフィルタ１２について説明す
る。ＳＡＷフィルタ１２には、図１（ａ）及び図３に示
すように、圧電基板１１上に、中央のＩＤＴ（電極）３
２を弾性表面波の伝搬方向に沿って両側から挟み込むよ
うに各ＩＤＴ（電極）３１、３３がそれぞれ形成され、
さらに、それらの両側に各反射器（電極）４、４がそれ
ぞれ形成されている。

【００４８】圧電基板１１の素材としては、例えば４０
±５°ＹｃｕｔＸ伝搬ＬｉＴａＯ₃が用いられている
が、これに限定されるものではなく、酸素を含むアルミ
ナのような酸化物であればよい。

【００４９】ＩＤＴは、帯状の基端部（バスバー）と、
その基端部の一方の側部から直交する方向に延びる複数
の、互いに平行な帯状の電極指とを備えた電極指部を２
つ備えており、上記各電極指部の電極指の側部を互いに
対面するように互いの電極指間に入り組んだ状態にて上
記各電極指部を有するものである。

【００５０】よって、ＩＤＴでは、２つの電極指部に対
し各基端部（バスバー）を介して入力電気信号に基づく
電位差が生じると、その部分の圧電基板１１の表面上に
弾性表面波が発生し、その弾性表面波は各電極指の幅方
向（各電極指の長手方向に対し直交する方向）の双方向
に圧電基板１１の表面上を伝搬する。一方、電気信号が
入力されていないＩＤＴでは、伝搬してきた弾性表面波
により圧電基板１１の表面上に発生した電位差を各電極
指によって検出し、出力電気信号に変換して出力でき
る。

【００５１】このようなＩＤＴでは、各電極指の長さや
幅、隣り合う各電極指の間隔、互いの電極指間での入り
組んだ状態の対面長さを示す交叉幅を、それぞれ設定す
ることにより信号変換特性や、通過帯域の設定が可能と
なっている。上記各反射器は、伝搬してきた弾性表面波
を反射するためのものであり、帯状の一対の基端部（バ
スバー）と、それら基端部の一方の側部から直交する方
向にそれぞれ延びて、上記各基端部を電気的に接続す
る、複数の、互いに平行な帯状の電極指とを備えたもの
である。

【００５２】また、図３に示すように、ＳＡＷフィルタ
１２は、ＩＤＴ３２の各電極指３２ａ、３２ｂにそれぞ
れ接続された各平衡端子５、６と、各ＩＤＴ３１、３３
の一方の各電極指３１ａ、３３ａに接続された不平衡端
子７とを備えている。各ＩＤＴ３１〜３３は、図１に示
すように、各電極指３１ａ、３１ｂ、３２ａ、３２ｂ、
３３ａ、３３ｂにそれぞれ接続された各電極パッド部３
１ｃ、３１ｄ、３２ｃ、３２ｄ、３３ｃ、３３ｄを圧電
基板１１上に有している。

【００５３】そして、本実施の形態では、各ＩＤＴ３１
〜３３や、各反射器４、４は、電極として、図１（ｂ）
及び図４に示すように、リフトオフ法等によって形成さ
れた、互いに異なる素材が互いに積層された多層構造の
各金属層（箔）により形成されている。

【００５４】すなわち、各ＩＤＴ３１〜３３や、各反射
器４、４においては、圧電基板１１上の第一金属層１
は、膜厚が例えば１０ｎｍのチタン（Ｔｉ）を主とする
金属からなり、第一金属層１上に積層された第二金属層
２は、膜厚が例えば１３３ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）
を主とする金属、例えば１重量％の銅（Ｃｕ）を含有し
たＡｌ合金からなっている。また、反射器４についても
同様の多層構造にて形成されている。

【００５５】さらに、第一金属層１は、アニール等の加
熱によって、図示しないが、圧電基板１１に当接してい
る側に、酸素拡散チタン層（酸素拡散層）と、上記酸素
拡散チタン層以外の部分にチタン層（酸素非拡散層）と
を互いに積層させて有している。

【００５６】図３は本実施の形態に用いた、不平衡−平
衡型変換機能を有するＳＡＷフィルタの一例を表わして
いる。設計内容については以下の通り。設計内容反射器本数：１００ＩＤＴ本数：中央２５／両側１６交叉幅：１２５μｍ電極指線幅：０．６μｍ電極指間隔：０．４μｍ中心周波数：１９６０ＭＨｚ以下に、本発明の作用・効果について説明する。ＳＡＷ
デバイスの電極材料としてはＡｌを主とした金属を用い
ることが一般的である。しかし、Ａｌを主とする合金か
らなる電極材だけで構成された従来のＳＡＷデバイスで
は、加熱を要する加工プロセス時（例えば、封止プロセ
ス時）に、ＳＡＷフィルタにおいて特性劣化が生じると
いう問題があった。

【００５７】これに対し本実施の形態のようにＡｌを主
とする第二金属層２と圧電基板１１との間に、Ｔｉを主
とし、圧電基板１１と当接している側に酸素拡散層とそ
の上にチタン層とを違いに積層させて有する第一金属層
１を挿入することによりこの特性劣化を緩和することが
できる。図５は本実施の形態において全金属層の厚さ
（第一金属層１厚＋第二金属層２厚）に対する、第一金
属層１の厚さの比率を変化させたときの挿入損失の変化
に関する結果を表わしている。

【００５８】通常、電極指の金属層がＡｌだけの状態か
ら、Ｔｉを主とする第一金属層１の厚さを増やしていく
と、Ｔｉの方がＡｌよりも電気抵抗（比抵抗率）が大き
いため挿入損失は劣化する。

【００５９】しかし、第一金属層１を、１％以上、８％
以下とする範囲では、電気抵抗の増加による劣化よりも
材料定数の変化による影響が大きいため挿入損失は改善
されることが判った。また、第一金属層１を、０、１
％、３％、５％と変えて、１．９ＧＨｚ帯の共振子フィ
ルタをそれぞれ作製し、耐電力性試験を加速試験（通常
使用時のパワーより強いパワーを印加する）にて行っ
た。その結果を図３０に示した。図３０に記載の、ＭＴ
ＴＦは平均故障時間（ｈ）である。電極を有する電子部
品に対する耐電力性の市場からのニーズ（規格）は、１
５ｄＢｍのパワーで１×１０³時間（ｈ）以上である。
図３０から明らかなように、第一金属層１が、１％以上
で、平均故障時間が大きくなって顕著に耐電力性が向上
していることが分かる。

【００６０】これらの結果により、第一金属層１の厚さ
の好ましい範囲としては、下限値が、１％、より好まし
くは１．５％、さらに好ましくは３．０％、上限値が、
８％、より好ましくは７．６％、さらに好ましくは７．
０％である。本実施の形態では、Ｔｉを主とする第一金
属層１の厚さを１０ｎｍとし、１重量％のＣｕを含有し
たＡｌ合金の第二金属層２の厚さを１３３ｎｍとして、
Ｔｉ金属層厚／全金属層厚［％］を７％としている。

【００６１】また、図６及び図７は、本実施の形態にお
ける、はんだ封止前後の伝送特性及びバランス性（振幅
平衡度）をそれぞれ表しており、破線が封止前、実線が
封止後を表している。なお、はんだ封止は、３５０℃で
１０分間の加熱処理を伴う。図６及び図７によれば、は
んだ封止前後における特性変化がほとんど無いことが判
る。

【００６２】一方、図８及び図９はＡｌを主とする合金
のみによって電極指を作製した従来例での封止前後の伝
送特性及びバランス性（振幅平衡度）をそれぞれ表して
おり、破線が封止前、実線が封止後を表している。従来
例では封止後の特性が０．３ｄＢ低下していることが判
る。

【００６３】不平衡型−平衡型変換機能を有するＳＡＷ
デバイスにおいては、通過帯域における振幅平衡度は０
ｄＢに近いことが望まれている。本実施の形態でも従来
例でも振幅平衡度の特性は封止後悪化している。しか
し、従来例では０．２ｄＢの劣化であるのに対し、本実
施の形態の変化量は０．０５ｄＢと従来例より改善され
ている。よって、本発明が封止時の加熱（３００℃程度
までの加熱）による振幅平衡度の劣化の緩和に効果があ
ることが判る。

【００６４】これは、図１０ないし図１３に示すよう
に、本発明では、アニール等の加熱によって、圧電基板
１１に当接している側に、酸素拡散チタン層が形成さ
れ、該酸素拡散層とそれ以外の部分にチタン層とを互い
に積層させて有している。このような酸素拡散チタン層
はトラップとしての役割を果たしているので、Ａｌを主
とする第二金属層２の酸化が抑制されていることが理由
である。図１０及び図１１では、Ａｌ合金を、酸化Ａ
ｌを、酸素を、タンタルをにてそれぞれ示し、図
１２及び図１３においては、Ｔｉを、タンタルを、
Ａｌを、酸素をにて示した。

【００６５】多層構造の各深さでの組成比については、
各金属層の膜厚が単一の組成の材料であれば、スパッタ
時間に比例することを利用して測定した。例えば図１２
及び図１３では、Ａｌ層が３００ｎｍ、Ｔｉ層が１００
ｎｍであることが、蛍光Ｘ線法により測定されて分かっ
ており、そのことと図１２及び図１３の結果とからスパ
ッタレートを計算すると、Ａｌ：１．９ｎｍ／分、Ｔ
ｉ：１．３ｎｍ／分となる。これにより、スパッタによ
って、多層構造の各深さでの組成比を測定できる。図１
０及び図１１についても同様にして、多層構造の各深さ
での組成比を測定した。

【００６６】つまり、第一金属層１を形成せずに、Ａｌ
を主とする第二金属層２のみを形成した場合、上述した
封止等の加熱処理前では、図１０に示すように、表面側
のＡｌを主とする第二金属層２は、スパッタタイム（sp
utter time）１０分から２０分までのように、酸素が殆
ど検出されず殆ど酸化されていない部分を有するが、加
熱処理後においては、図１１に示すように、第二金属層
２の全ての領域において、酸素が検出つまり酸化され
ていて、それにより特性が劣化していることが判る。

【００６７】図１１から、Ａｌを主とする第二金属層２
の酸化の原因は、圧電基板（酸化物基板）１１の酸素
が、封止時の加熱により、Ａｌを主とする第二金属層２
に浸透したことによると考えられる。

【００６８】図１２は、圧電基板１１上に、Ｔｉを主と
する第一金属層１を形成し、更にその上にＡｌを主とす
る第二金属層２を形成した電極構造の場合の厚さ方向の
酸素分布を示す。この電極に２７５℃で１時間の熱処理
（アニール）を行ない、その電極の厚さ方向の酸素分布
を、図１３に示す。図１３から明らかなように、Ｔｉを
主とする第一金属層１の圧電基板１１と当接している部
分において、厚さ１０ｎｍ以上（第一金属層１の全体に
対して膜厚１０％以上）が酸素拡散チタン層になってい
る。この酸素拡散チタン層の酸素は、圧電基板１１に含
有されていたものである。

【００６９】このような電極を有するＳＡＷフィルタ１
２を、３５０℃で１０分間の加熱処理を伴う、はんだ封
止でパッケージに搭載したものの電極を分析したとこ
ろ、Ａｌが酸化されておらず、特性が劣化しないことが
分かった。これは、熱処理（アニール）によって形成さ
れた酸素拡散チタン層が、圧電基板（酸化物基板）１１
の酸素がＡｌを主とする第二金属層２を浸透することを
トラップとして防止したことによるものと考えられる。
なお、酸素拡散チタン層としては、Ｔｉ中に圧電基板１
１から酸素が浸透してきて保持されたものでもよいし、
Ｔｉ酸化物を構成するものでもよい。

【００７０】ところで、従来の、酸化物基板上にＴｉを
下地として、その上にＡ１を形成した電極を有するＳＡ
Ｗフィルタにおいても同様に、３５０℃で１０分間の加
熱処理を伴う、はんだ封止でパッケージに搭載したもの
の電極を分析したところ、Ａｌの酸化は起こらなかっ
た。

【００７１】しかしながら、従来の酸化物基板上にＴｉ
を下地として、その上にＡｌを形成した電極を有するＳ
ＡＷフィルタを動作させたところ、図１４の走査型電子
顕微鏡結果に示すように、圧電基板１１上に形成され
た、交叉している各電極としての各電極指５２ａ、５２
ｂから多くのヒロックが発生していることが確認され
た。図１４から、このような電極指のショートを誘発す
るようなヒロックは、電極指５２ａ、５２ｂの側面のボ
トム（圧電基板１１との界面）から成長していることが
分かる。このような多くのヒロックの発生は、３５０℃
で１０分間の加熱処理を伴う，はんだ封止でパッケージ
に搭載したものに限らず、約３００度で数秒間の加熱処
理を伴うシーム溶接でパッケージに搭載したもの、約１
５０度の加熱処理を伴うダイボンドでパッケージに搭載
したものにおいても、同様に確認された。

【００７２】一方、本発明の熱処理（アニール）によっ
て形成された酸素拡散チタン層を有するＳＡＷフィルタ
１２を動作させたところ、図１５の走査型電子顕微鏡結
果に示すように、圧電基板１１上に形成された、交叉し
ている各電極としての各電極指５２ａ、５２ｂにおける
ヒロックの発生はほとんど確認されなかった。

【００７３】このような本発明の効果は、動作時の電極
指において電界の集中する領域は、電極指のボトムとト
ップであることに起因すると考えられた。まず、動作時
の電極指において電界の集中する領域が、電極指のボト
ムとトップであることを示すために、圧電基板１１上に
形成された、互いに隣り合う２本の電極指３２ａ、３２
ｂにプラスとマイナスの静電圧をそれぞれ印加したとき
の各電極指３２ａ、３２ｂ周辺の電界分布を調べた（Ｆ
ＥＭ）。その結果（図１６）から明らかなように、各電
極指３２ａ、３２ｂ周辺の電界が集中する領域は、白く
示したトップとボトム、特にボトムであることが分か
る。また、金属表面の電荷分布は一様である。このた
め、電界分布は、そのまま静電応力分布を表している。

【００７４】各電極指３２ａ、３２ｂに対する静電応力
が最も大きい場所は、各電極指３２ａ、３２ｂのボトム
であることは明らかである。この原因は、形状因子（尖
った部分に電界が集中し易い）と、圧電基板１１の誘電
率が空気の約５０倍と大きいことである。

【００７５】よって、本発明のように、電極指において
最も応力の集中する領域から、Ａｌを主成分とする第二
金属層２をできるだけ離すと共に、Ｔｉより硬い、Ｔｉ
酸化物といった酸素拡散Ｔｉ層にて最も応力がかかる領
域をカバーすることにより、ボトムからのヒロック形成
を効果的に抑制できることが分かる。

【００７６】その上、本発明の電極構造において、上層
にもＴｉ層を形成することで、Ａｌより硬い、Ｔｉ層や
酸素拡散Ｔｉ層にて、静電応力の集中している領域であ
る各電極指側面のボトム部分とトップ部分とを補強する
ことにより、さらに耐電力性や耐久性を改善できる。な
お、このような効果は、Ｔｉ以外に、Ｃｕ（銅）、Ｃｒ
（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）及びＭｇ（マグネシウ
ム）においても、それぞれ確認されている。

【００７７】また、第一金属層１及び第二金属層２の形
成方法については、リフトオフ法が好ましい。これは、
図１７に示すように、ドライエッチング法よりリフトオ
フ法の方が圧電基板１１に対するダメージが前述したよ
うに少なく、両者のロス（ピークロス規格）を比較した
場合に、リフトオフ法の方がドライエッチング法より良
好となるからである。

【００７８】なお、本実施の形態では、ＳＡＷフィルタ
１２をパッケージ１３に対しバンプボンディングした例
を挙げたが、上記に限定されることはなく、例えば、ワ
イヤボンディングを用いることもできる。

【００７９】また、電極パッド部３２ｄ等の形成は、図
１８（ａ）に示すように、電極パッド部３２ｄの領域ま
で、電極指の第一金属層１及び第二金属層２の多層構造
を延ばし、その領域の多層構造上に、Ａｌなどからなる
電極パッド部３２ｄを形成するのが一般的である。しか
しながら、電極パッド部の電極構造をＩＤＴと別にする
必要がある場合は、図１８（ｂ）に示すように、オーミ
ックコンタクトを図れるように端部にて当接させて別体
にて設けてもよい。

【００８０】次に、アニールによる加熱処理を利用す
る、弾性表面波装置の製造方法について図１９ないし図
２９に基づいて説明する。

【００８１】まず、ＳＡＷデバイスでは、前述したよう
にチップ型に成型したものをセラミック製のパッケージ
１３に収納した形態が一般的となっている。このため、
パッケージ１３の封止やＳＡＷデバイスを製品基板へ取
り付ける際にＳＡＷデバイスは３００℃程度に加熱され
る。

【００８２】また、ＳＡＷデバイスを製品基板へ取り付
ける際には、はんだなどを使用するため、リフロー時に
も加熱される。ＳＡＷデバイスはこれらの加熱により、
通過帯域の周波数変化などの特性変化を起こす。通常こ
の変動分を考慮して製品化するため、設計上の制約とな
っていた。

【００８３】これに対し、前述の検討の結果、圧電基板
１１上に、酸素拡散チタン層とチタン層とからなる第一
金属層１及び第二金属層２の多層構造を有するＩＤＴを
用いることで、加熱プロセスによる特性変化が緩和でき
ることがわかってきた。

【００８４】しかしながら、酸素拡散チタン層とチタン
層からなる第一金属層１及びＡｌを主成分とする第二金
属層２の電極構造では、封止時の加熱処理時の特性劣化
防止やＳＡＷフィルタの動作時におけるヒロックの発生
防止に効果があるものの、ＳＡＷデバイスの製品基板に
取り付ける際の、はんだリフロー時の加熱による通過帯
域の周波数変化に関する製品ごとのバラツキによる歩留
まりの悪化という問題は依然としてあった。

【００８５】従来、Ａｌ電極を使用したＳＡＷフィルタ
において、アニールを行うことで、特性ばらつきが低減
できることが、特開平７−７４５７２号公報、特開平５
−２０６７７６号公報などで知られている。

【００８６】しかしながら、上述のように、ＬｉＴａＯ
₃やＬｉＮｂＯ₃などの圧電基板（酸化物基板）上にＡｌ
電極を形成した場合は、加熱によって特性劣化がしやす
いという問題があった。また、ＳＡＷフィルタに用いら
れる、ＬｉＴａＯ₃やＬｉＮｂＯ₃などの圧電基板には焦
電性があること、近年の通過帯域の高周波化により電極
指間隔が狭くなっていることにより、昇温時、降温時に
電極指の放電破壊が発生することがあるので、容易に導
入することができなかった。また、加熱により、電極指
自体の酸化や変形もあるため、アニールの雰囲気につい
ても検討する必要があった。

【００８７】そこで、チタン層からなる第一金属層１及
びＡｌを主成分とする第二金属層２の電極を形成した上
で、第一金属層１の圧電基板１１と当接する部分に、酸
素拡散チタン層を形成するための加熱処理（アニール）
の条件を検討し、酸素拡散チタン層を形成すると同時に
製品バラツキの改善も行える方法を見出した。

【００８８】まず、用いたＳＡＷフィルタのＩＤＴ構造
は、図１９に示すように、不平衡型−平衡型変換機能を
有するものである。端子４１を不平衡端子として、端子
４２、端子４３を平衡端子として使用する構造をしてい
る。設計内容についてはおよそ表１の通り。表１では、
Ｔｉは第一金属層１の厚さを示し、ＡｌＣｕは、１重量
％のＣｕを含有するＡｌ合金からなる第二金属層２の厚
さを示す。

【００８９】

【表１】

【００９０】上記ＳＡＷフィルタの製造方法は図２０に
示すように、まず、ウェハ状態の圧電基板１１上にＩＤ
Ｔ電極やリフレクタ電極をそれぞれ形成する（ステップ
１、以下、ステップをＳと略記する）。上記方法におい
ては、ＩＤＴ電極は、Ｔｉを主とする第一金属層１、そ
の上にＡｌを主とする第二金属層２を成膜してなってい
る。また、放電による破壊の可能性のある電極指部同
士、例えばＩＤＴ４５の各電極指部４５ａ、４５ｂは、
図２１（ａ）に示すように、共通配線４５ｃによって、
電気的に共通（同電位）に設定されている。

【００９１】続いて、ＩＤＴ電極の形成後、圧電基板１
１をウェハ状態で、アニールする（Ｓ２）。アニール条
件は表２のＡ〜Ｃの各条件とした。アニール後、図２１
（ｂ）に示すように、共通配線４５ｃの切り離しを行う
（Ｓ３）。その後の工程については、従来の工程にて作
製した。

【００９２】

【表２】

【００９３】以下に、アニールの効果について説明す
る。熱プロセス（加熱処理）による特性変化の緩和に有
効なＴｉを主成分とする第一金属層１とその上のＡｌを
主成分とする第二金属層２からなる積層構造によってＩ
ＤＴ電極を形成した。電極同士は電気的に共通となって
いるため、アニール時の温度勾配による焦電破壊や静電
破壊は完全に防止されている。

【００９４】アニールは高温とするほど効果的と考えら
れるが、大気アニールでは電極指表面の酸化や電極指表
面が変形して突起物が発生するため，３００℃近い高温
では安定したアニールはできなかった。表３は、各アニ
ール条件における電極指表面の突起物の発生状況を簡易
的に表わしたものである。ＩＤＴ上での突起物の発生は
耐サージ性が低下するため、ＳＡＷデバイスでは致命的
な欠陥と言える。

【００９５】結果からＮ₂雰囲気や真空アニールを採用
することで、より高温でのアニールが可能となることが
判った。

【００９６】

【表３】

【００９７】図１９、図２１による構造に対して、表２
のＡ〜Ｃの条件でアニールした製品の封止前後の変動量
を図２２〜図２４に示し、アニール無の製品における封
止前後の変動量を図２５に示す。また、リフロー前後の
特性変動量を図２６〜図２８に示し、アニール無の製品
におけるリフロー前後の変動量を図２９に示す。

【００９８】封止条件は３５０℃で１０分間の加熱処理
を伴う、はんだ封止で封止した。リフロー条件は２４０
℃ピークでリフロー炉を通過させた。また、図２２〜図
２９における、（ａ）はそれぞれ中心周波数の変動量、
（ｂ）はそれぞれ位相バランスの変動量を表している。
各アニール条件の封止、リフローによる特性変動量のバ
ラツキを標準偏差として表すと表４のようになる。

【００９９】

【表４】

【０１００】この結果、本発明のアニールが特性変動量
のバラツキ低減に効果があることがわかる。特にリフロ
ー前後の比較では中心周波数、位相バランスともＢ、Ｃ
の真空アニールのバラツキが小さく、次いで、ＡのＮ₂
雰囲気のバラツキが小さくなる結果を得ている。ＢとＣ
とは、ほぼ同程度の効果を発揮できるといえるが、温度
を上げることで短時間でも同程度の効果が得られること
がわかる。

【０１０１】これに対して、封止前後の比較は、中心周
波数については効果あると判断できるが、位相バランス
については条件Ｂ、Ｃでは位相バランスの封止前後での
特性変動量のバラツキが「アニールなし」より大きな値
となっている。これは封止時には圧電基板にかかる応力
など熱以外の影響が大きいため、リフロー時ほどアニー
ルの効果が明確にならないためである。

【０１０２】しかしながら、封止時でのバラツキ低減効
果が小さくても、リフロー前後でのバラツキ低減と中心
周波数のバラツキ低減を考慮すると、総合的には有効と
判断できる。この結果、特性バラツキの低減により歩留
まりを改善することができる。また、効果的なアニール
条件としては大気では２７５℃以下、Ｎ₂雰囲気で３０
０℃以下、真空アニールの場合、特に温度に関する制限
はないが、封止温度が３５０℃程度であることからアニ
ール温度は４００℃程度までで十分である。

【０１０３】本発明では、耐熱性や耐電力性に有効な、
Ｔｉを下地とし、その上にＡｌを形成した電極構造にお
いて、焦電気、静電気による放電破壊の可能性のある電
極指部を共通配線４５ｃによって共通にした状態でアニ
ールするため、放電による電極指部破壊を防止し、且つ
ＳＡＷフィルタの封止やリフローといった加熱プロセス
時の特性変動とそのバラツキを低減することができると
共に、圧電基板１１と当接する部分に、酸素拡散層を形
成することができる。

【０１０４】また、本発明においては、窒素雰囲気や真
空状態でアニールすることで電極指の酸化や変形につい
ても低減できるため、耐熱プロセスによる特性劣化に効
果的なＳＡＷフィルタとすることができる。

【０１０５】本発明のアニールが効果的な製品としては
不平衡型−平衡型変換機能を有するＳＡＷフィルタが挙
げられる。この製品の特徴である平衡度（バランス度）
は加熱による変化量が大きいため歩留まりを悪くする要
因となっている。本発明の採用により平衡度の変動量の
バラツキを低減することができる。

【０１０６】封止やリフローなど加熱工程を伴うＳＡＷ
フィルタやＳＡＷデバイスにおいて、特に焦電気、静電
気の放電による電極指破壊の可能性のある電極指を有す
るＳＡＷフィルタ、特にＩＤＴがＴｉ／Ａｌ構造からな
るＳＡＷフィルタを、ウェハ状態で、特に窒素雰囲気あ
るいは真空状態にて、各電極指を電気的に接続してアニ
ールすることにより、特性劣化の少ないＳＡＷフィルタ
や、それをパッケージングしたＳＡＷデバイスを簡便に
製造できる。

【０１０７】なお、上記の実施の形態に係るＳＡＷデバ
イスでは、図２に示すようなパッケージ１３にＳＡＷフ
ィルタ１２を封止した収納した例を挙げたが、本発明は
上記に限定されず、図３１や図３２に示すように、外部
端子１３ｆを有する実装基板１３ａに対し、バンプ１４
を用いたフリップチップボンディングで空間１８を有し
て実装したＳＡＷフィルタ１２を、樹脂１６または樹脂
フィルム１７で封止したチップサイズパッケージのＳＡ
Ｗデバイスにも好適に用いることができる。

【０１０８】ところで、このようなチップサイズパッケ
ージにおいては、ＳＡＷデバイスのプリント基板へのは
んだ等による実装時に、リフロー処理によって樹脂の特
性が劣化することを防ぐため、ＳＡＷデバイスに対して
２００度以上の高温でアニール処理が施される。

【０１０９】したがって、本発明では、酸素拡散Ｔｉ層
と、Ｔｉの第一金属層１と、その上に形成されたＡｌ合
金の第二金属層２とからなる電極構造を形成するため、
上記のようなアニール処理を行っても、Ａｌ合金の第二
金属層２の酸化による特性劣化を防ぐことができる。ま
た、ＳＡＷデバイスのプリント基板へのはんだ等による
実装時におけるリフロー処理においても、特性劣化を回
避することが可能となる。

【０１１０】次に、上記実施の形態に記載のＳＡＷデバ
イスを用いた通信装置について図３３に基づき説明す
る。上記通信装置６００は、受信を行うレシーバ側（Ｒ
ｘ側）として、アンテナ６０１、アンテナ共用部／ＲＦ
Ｔｏｐフィルタ６０２、アンプ６０３、Ｒｘ段間フィル
タ６０４、ミキサ６０５、１ｓｔＩＦフィルタ６０６、
ミキサ６０７、２ｎｄＩＦフィルタ６０８、１ｓｔ＋２
ｎｄローカルシンセサイザ６１１、ＴＣＸＯ（temperat
ure compensated crystal oscillator（温度補償型水晶
発振器））６１２、デバイダ６１３、ローカルフィルタ
６１４を備えて構成されている。

【０１１１】Ｒｘ段間フィルタ６０４からミキサ６０５
へは、図３３に二本線で示したように、バランス性を確
保するために各平衡信号にて送信することが好ましい。

【０１１２】また、上記通信装置６００は、送信を行う
トランシーバ側（Ｔｘ側）として、上記アンテナ６０１
及び上記アンテナ共用部／ＲＦＴｏｐフィルタ６０２を
共用するとともに、ＴｘＩＦフィルタ６２１、ミキサ６
２２、Ｔｘ段間フィルタ６２３、アンプ６２４、カプラ
６２５、アイソレータ６２６、ＡＰＣ（automatic powe
r control （自動出力制御））６２７を備えて構成され
ている。

【０１１３】そして、上記のＲｘ段間フィルタ６０４、
１ｓｔＩＦフィルタ６０６、ＴｘＩＦフィルタ６２１、
Ｔｘ段間フィルタ６２３には、上述した本実施の形態に
記載のＳＡＷデバイスが好適に利用できる。

【０１１４】本発明に係るＳＡＷデバイスは、フィルタ
機能と共に不平衡型−平衡型変換機能を備えることがで
き、その上、各平衡信号間の振幅特性が理想により近い
という優れた特性を有するものである。よって、上記Ｓ
ＡＷデバイスを有する本発明の通信装置は、伝送特性を
向上できるものとなっている。

【０１１５】

【発明の効果】本発明の電子部品は、以上のように、電
極は、酸化物基板上に形成された第一金属層と、該第一
金属層上に形成された、アルミニウムを主とする第二金
属層とを備え、第一金属層は、チタン、銅、クロム、ニ
ッケル及びマグネシウムよりなる金属群から選択された
少なくとも一種を主とすると共に、酸化物基板と接する
部分に酸素拡散層を有している構成である。

【０１１６】それゆえ、上記構成は、電極を多層とし、
アルミニウムを主とするアルミニウム含有金属層と酸化
物基板との間に、酸素拡散層、特に酸素が拡散した酸素
拡散層を挟むことで、例えば封止時の高温処理によって
も特性劣化を抑制できると共に、耐電力性も向上できる
という効果を奏する。

【０１１７】本発明の電子部品の製造方法は、以上のよ
うに、酸化物基板上に、チタン、銅、クロム、ニッケル
及びマグネシウムよりなる金属群から選択された少なく
とも一種を主とする第一金属層を形成し、上記第一金属
層上に、アルミニウムを主とする第二金属層を形成し、
上記酸化物基板、第一金属層及び第二金属層を加熱し、
酸化物基板側の第一金属層の少なくとも一部に、酸素が
拡散した酸素拡散層を形成して、第一金属層及び第二金
属層を有する電極を形成する方法である。

【０１１８】それゆえ、上記方法は、酸化物基板と第二
金属層との間に第一金属層を挟むことで、例えば電子部
品をパッケージに対しはんだやシーム溶接により封止す
るときの熱によって、酸素拡散層を形成することができ
る。したがって、上記方法では、酸素拡散層を簡便に形
成できることにより、高温処理によっても特性劣化を抑
制できると共に、耐電力性も向上できる電子部品を簡便
に製造できるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る実施の形態のＳＡＷフィルタの説
明図であって、（ａ）は要部平面図、（ｂ）は、上記
（ａ）におけるＯ−Ｘ矢視の要部断面図である。

【図２】上記ＳＡＷフィルタを収納した本発明に係るＳ
ＡＷデバイスの概略構成図である。

【図３】上記ＳＡＷフィルタの概略構成図である。

【図４】上記ＳＡＷフィルタの要部斜視図である。

【図５】上記ＳＡＷフィルタにおける、チタン（Ｔｉ）
である第一金属層における、全金属層の層厚に対する層
厚の割合と挿入損失との関係を示すグラフである。

【図６】上記実施の形態のＳＡＷフィルタに関する封止
前後の各伝送特性をそれぞれ示すグラフである。

【図７】上記実施の形態のＳＡＷフィルタに関する封止
前後の各振幅平衡度をそれぞれ示すグラフである。

【図８】従来例のＳＡＷフィルタに関する封止前後の各
伝送特性をそれぞれ示すグラフである。

【図９】従来例のＳＡＷフィルタに関する封止前後の各
振幅平衡度をそれぞれ示すグラフである。

【図１０】加熱処理前の、Ａｌのみ単層のＩＤＴを形成
したときの厚さ方向での酸素分布を示すグラフである。

【図１１】加熱処理後の、Ａｌのみ単層のＩＤＴを形成
したときの厚さ方向での酸素分布を示すグラフである。

【図１２】アニール処理前の、本発明の電極構造のＩＤ
Ｔを形成したときの、電極の厚さ方向での酸素分布を示
すグラフである。

【図１３】アニール処理（２７５℃、１時間）後の、本
発明の電極構造のＩＤＴを形成したときの、電極の厚さ
方向での酸素分布を示すグラフである。

【図１４】比較電極の動作時のヒロック発生の様子を示
す斜視図である。

【図１５】本発明の電極の動作時のヒロック発生の少な
い様子を示す斜視図である。

【図１６】上記電極の動作時の電界分布を示すグラフで
ある。

【図１７】本発明において、リフトオフ法がエッチング
法より優れていることを示すグラフである。

【図１８】上記実施の形態のＳＡＷフィルタにおける電
極パッド部の構造の説明図であって、（ａ）は第一金属
層及び第二金属層の多層構造上に、電極パッド部を形成
した例を示し、（ｂ）は多層構造と、電極パッド部とを
別体に形成した例を示す。

【図１９】上記ＳＡＷフィルタの一変形例を示す概略構
成図である。

【図２０】本発明の電子部品としてのＳＡＷフィルタの
製造方法の要部を示すフローチャートである。

【図２１】上記製造方法における、共通配線を示す概略
構成図であり、（ａ）は共通配線を設けた状態を示し、
（ｂ）は共通配線を除去した状態を示す。

【図２２】上記製造方法における、Ｎ2 アニール、２７
５℃、６０分の条件下の、封止前後での特性のバラツキ
を示すグラフであり、（ａ）は特性が中心周波数、
（ｂ）は特性が位相バランスである。

【図２３】上記製造方法における、真空アニール、３５
０℃、６０分の条件下の、封止前後での特性のバラツキ
を示すグラフであり、（ａ）は特性が中心周波数、
（ｂ）は特性が位相バランスである。

【図２４】上記製造方法における、真空アニール、４０
０℃、１０分の条件下の、封止前後での特性のバラツキ
を示すグラフであり、（ａ）は特性が中心周波数、
（ｂ）は特性が位相バランスである。

【図２５】アニール無しの条件下の、封止前後での特性
のバラツキを示すグラフであり、（ａ）は特性が中心周
波数、（ｂ）は特性が位相バランスである。

【図２６】上記製造方法における、Ｎ2 アニール、２７
５℃、６０分の条件下の、リフロー前後での特性のバラ
ツキを示すグラフであり、（ａ）は特性が中心周波数、
（ｂ）は特性が位相バランスである。

【図２７】上記製造方法における、真空アニール、３５
０℃、６０分の条件下の、リフロー前後での特性のバラ
ツキを示すグラフであり、（ａ）は特性が中心周波数、
（ｂ）は特性が位相バランスである。

【図２８】上記製造方法における、真空アニール、４０
０℃、１０分の条件下の、リフロー前後での特性のバラ
ツキを示すグラフであり、（ａ）は特性が中心周波数、
（ｂ）は特性が位相バランスである。

【図２９】アニール無しの条件下の、リフロー前後での
特性のバラツキを示すグラフであり、（ａ）は特性が中
心周波数、（ｂ）は特性が位相バランスである。

【図３０】本発明に係る実施の形態のＳＡＷフィルタお
よび比較ＳＡＷフィルタの寿命を測定するための加速試
験結果を示すグラフである。

【図３１】上記ＳＡＷフィルタを封止により収納した本
発明に係る他のＳＡＷデバイスの概略構成図である。

【図３２】上記ＳＡＷフィルタを封止により収納した本
発明に係るさらに他のＳＡＷデバイスの概略構成図であ
る。

【図３３】上記実施の形態のＳＡＷデバイスを用いた通
信装置の要部ブロック図である。

【符号の説明】

１第一金属層２第二金属層１１圧電基板１３パッケージ１３ｅはんだ封止部３１、３２、３３ＩＤＴ（すだれ電極部）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者矢田優京都府長岡京市天神二丁目26番10号株式会社村田製作所内 (72)発明者坂口健二京都府長岡京市天神二丁目26番10号株式会社村田製作所内Ｆターム(参考） 5J097 AA01 AA24 BB03 BB14 FF04 GG03 GG04 HA02 HA03 HA04 JJ02 JJ09 KK03 KK05 KK09 KK10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】酸化物基板上に、電極を有する電子部品に
おいて、上記電極は、酸化物基板上に形成された第一金属層と、
該第一金属層上に形成された、アルミニウムを主とする
第二金属層とを備え、第一金属層は、チタン、銅、クロム、ニッケル及びマグ
ネシウムよりなる金属群から選択された少なくとも一種
を主とするものであると共に、酸化物基板と接する部分
に酸素拡散層を有していることを特徴とする、電子部
品。
【請求項２】酸化物基板上に、電極を有する電子部品に
おいて、上記電極は、酸化物基板上に形成された、酸素が拡散し
ている酸素拡散層を有する第一金属層と、該第一金属層
上に形成された、アルミニウムを主とする第二金属層と
を備え、第一金属層は、チタン、銅、クロム、ニッケル及びマグ
ネシウムよりなる金属群から選択された少なくとも一種
を主とするものであることを特徴とする、電子部品。
【請求項３】酸素拡散層は、酸化物基板からの酸素が拡
散したことによるものであることを特徴とする、請求項
１または２記載の電子部品。
【請求項４】第一金属層の膜厚が、電極の全体の膜厚
の、１％以上、８％以下であることを特徴とする、請求
項１ないし３の何れか１項に記載の電子部品。
【請求項５】酸化物基板は、弾性表面波装置用の圧電基
板であり、電極は、弾性表面波装置用のすだれ電極部であることを
特徴とする、請求項１ないし４の何れか１項に記載の電
子部品。
【請求項６】すだれ電極部が、不平衡型−平衡型変換機
能を有するように設けられていることを特徴とする、請
求項５記載の電子部品。
【請求項７】電極を有する酸化物基板を収納するパッケ
ージが、上記酸化物基板を加熱を用いて封止するように
設けられていることを特徴とする、請求項１ないし６の
何れか１項に記載の電子部品。
【請求項８】パッケージを封止するための封止部がはん
だ封止部であることを特徴とする、請求項７記載の電子
部品。
【請求項９】パッケージを封止するための封止部が溶接
封止部であることを特徴とする、請求項７記載の電子部
品。
【請求項１０】請求項１ないし９の何れか１項に記載の
電子部品を有することを特徴とする、通信装置。
【請求項１１】酸化物基板上に、チタン、銅、クロム、
ニッケル及びマグネシウムよりなる金属群から選択され
た少なくとも一種を主とする第一金属層を形成し、上記第一金属層上に、アルミニウムを主とする第二金属
層を形成し、上記酸化物基板、第一金属層及び第二金属層を加熱し、
酸化物基板側の第一金属層の少なくとも一部に、酸素が
拡散した酸素拡散層を形成して、第一金属層及び第二金
属層を有する電極を形成することを特徴とする、電子部
品の製造方法。
【請求項１２】第一金属層及び第二金属層を有する電極
が形成された酸化物基板をパッケージ内に収納し、上記パッケージを封止するときに、上記酸化物基板、及
び電極を加熱して、酸素拡散層を形成することを特徴と
する、請求項１１記載の電子部品の製造方法。
【請求項１３】酸化物基板は、弾性表面波装置用の圧電
基板であり、第一金属層及び第二金属層により、弾性表面波装置用の
複数のすだれ状電極形状部と、各すだれ状電極形状部間
を電気的に接続する接続部とを上記圧電基板上に形成
し、圧電基板、第一金属層及び第二金属層をアニールして、
すだれ状電極形状部からすだれ状電極を形成し、接続された各すだれ状電極間を電気的に絶縁状態とする
ように、上記接続部の少なくとも一部を除去することを
特徴とする、請求項１１または１２に記載の電子部品の
製造方法。
【請求項１４】上記アニールを、圧電基板がウェハ状態
において行うことを特徴とする、請求項１３記載の電子
部品の製造方法。
【請求項１５】上記アニールを、３００℃以下の大気中
で行うことを特徴とする、請求項１３または１４記載の
電子部品の製造方法。
【請求項１６】上記アニールを、３５０℃以下の窒素雰
囲気中で行うことを特徴とする、請求項１３または１４
記載の電子部品の製造方法。
【請求項１７】上記アニールを、真空中で行うことを特
徴とする、請求項１３または１４記載の電子部品の製造
方法。
【請求項１８】上記複数のすだれ状電極形状部を、不平
衡型−平衡型変換機能を形成するように設けることを特
徴とする、請求項１３ないし１７の何れか１項に記載の
電子部品の製造方法。
【請求項１９】第一金属層は、チタンを主とするもので
あることを特徴とする、請求項１１ないし１８の何れか
１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項２０】酸素拡散層の酸素は、酸化物基板由来の
ものであることを特徴とする、請求項１１ないし１９の
何れか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項２１】第一金属層及び第二金属層を、酸化物基
板上にリフトオフ法により形成することを特徴とする、
請求項１１ないし２０の何れか１項に記載の電子部品の
製造方法。