JP7418291B2

JP7418291B2 - 弾性表面波デバイス

Info

Publication number: JP7418291B2
Application number: JP2020106367A
Authority: JP
Inventors: 隼人近江
Original assignee: NDK Saw Devices Inc
Current assignee: NDK Saw Devices Inc
Priority date: 2020-06-19
Filing date: 2020-06-19
Publication date: 2024-01-19
Anticipated expiration: 2040-06-19
Also published as: JP2022002362A

Description

本発明は、弾性表面波デバイスに関する。

近年、例えば移動体通信などの無線通信分野では、通信速度の高速化及び通信データの大容量化の要求を満たすために、高周波数帯の活用が進められている。つまり、当該分野において利用される周波数は上昇傾向にあり、現在は数百ＭＨｚ～３ＧＨｚ程度の周波数が利用されている。この周波数の上昇傾向が今後さらに続いていくと考えられる。

ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave:弾性表面波）デバイスは、例えば上記の無線通信を行うシステムに用いられる電子部品として知られており、圧電基板上に形成されたＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極を備える。このＳＡＷデバイスについては、例えば２つの共振モードを利用するＤＭＳ（Double Mode Saw）フィルタのように、複数のＩＤＴ電極を備えるものが知られており、圧電基板には各ＩＤＴ電極を互いに接続する配線が形成される。発明の実施の形態で詳しく述べるのでここでは簡単に述べるが、その配線としては各ＩＤＴ電極から伸び出す下側の導電パターンと、当該導電パターンに積層される上側の導電パターンとにより形成され、導電パターン間で絶縁が必要な箇所には絶縁層が介挿されるように構成される場合が有る。つまり、絶縁層を利用した立体的な配線が形成される場合が有り、特許文献１にはそのような配線を備えるＳＡＷデバイスの例が示されている。

特開２００７－２５９４３０

上記したＳＡＷデバイスを構成するＩＤＴ電極及び反射器を含む共振子としては、使用する周波数が高くなるほど（つまり使用する波長が短くなるほど）、そのサイズが小さくなる。しかし、既述の立体的な配線が形成されたＳＡＷデバイスについては、十分に小型なものとして製造することが困難であった。この事情について以下に述べる。数百ＭＨｚの周波数に対応するＳＡＷデバイスについては、既述の立体的な配線をなす下側の導電パターンと上側の導電パターンとを接続する領域の面積（以下、接続面積と記載する）を例えば１つのＩＤＴ電極のサイズ程度に確保して設計することで、デバイスの製造工程における不具合の発生が防止されていた。一方で、例えば２ＧＨｚを越える周波数に対応するＳＡＷデバイスについては、上記したように共振子は小型なものとなるが、既述の接続面積についてはデバイスの性能を担保するために十分な大きさとするため、例えば当該接続面積が、１つのＩＤＴ電極のサイズよりも大きく確保される場合が有る。

以上のように、共振子が小型化されたとしても圧電基板における共振子の外側領域にはパターンの接続面積を十分に確保する必要がある。それ故に、ＳＡＷデバイスを小型化するためには、当該外側領域において配線を密に形成し、当該外側領域を縮小化することが考えられる。しかし、上記の下側の導電パターン、絶縁層、上側の導電パターンについて順に形成するにあたり、後に発明の実施の形態にて比較例として詳しく述べるように、絶縁層の形成に必要なスペースが比較的大きく確保されていた。それ故に下側の導電パターンの間隔についても比較的大きくする必要が有ったため、既述したようにＳＡＷデバイスの十分な小型化が困難であった。

なお、多様な要求に対応するためＳＡＷデバイスの一つであるＳＡＷフィルタとしては、多重モード（上記のdouble modeを含む）を利用するにあたり、ＩＤＴ電極を３つ備える３トラック型の他、それ以上の数のトラック、例えば５、７または９つのトラック（ＩＤＴ電極におけるＳＡＷの伝搬領域）を備えるフィルタとして設計される場合が有る。トラック数、即ちＩＤＴ電極の数が多くなるほど、ＩＤＴ電極に接続される下側の導電パターンの数も増える。既述したように下側の導電パターン同士の間隔は比較的大きいものとなることにより、トラック数が多くなるほど圧電基板における横方向の大きさが、配線を形成するスペースで圧迫されることになるおそれが有る。

本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、小型の弾性表面波デバイスを提供することである。

本発明の弾性表面波デバイスは、圧電基板と、
前記圧電基板の横方向に並んで設けられる複数のＩＤＴ電極と、
前記ＩＤＴ電極のバスバーから各々伸び出して形成される複数の導電パターンと、
前記複数の導電パターンをなすと共に順に並ぶ、第１の導電パターン、第２の導電パターン、第３の導電パターンのうち、前記第１の導電パターン上から前記第２の導電パターン上に亘って形成される絶縁層と、
前記第１の導電パターンにおける前記絶縁層に被覆されていない非被覆領域から前記絶縁層上を介して前記第３の導電パターン上に亘って形成され、当該第１の導電パターンと当該第３の導電パターンとを接続する接続用導電パターンと、
を備え、
前記絶縁層は、前記第２の導電パターンを跨いで当該第１の導電パターン上から当該第３の導電パターン上に亘って形成され、
前記接続用導電パターンは、前記第１の導電パターンにおける非被覆領域から前記第３の導電パターンにおいて前記絶縁層に被覆されていない非被覆領域に亘って形成され、
前記絶縁層は、前記複数のＩＤＴ電極の配列方向に沿って伸びて形成され、
前記第１の導電パターン上及び前記第３の導電パターン上において、前記接続用導電パターンは前記絶縁層の伸長方向と交差する方向に当該絶縁層を跨いで形成される。

本発明の弾性表面波デバイスによれば、第１の導電パターンと第３の導電パターンとの接続を確保しつつ、第１の導電パターンと第２の導電パターンとの間隔を縮小化することができる。従って、デバイスの小型化を図ることができる。

本発明の一実施形態に係るＳＡＷフィルタの平面図である。前記ＳＡＷフィルタを構成する導電パターン及び絶縁層からなる配線を示す縦断正面図である。前記配線を示す概略斜視図である。比較例のＳＡＷフィルタに設けられる配線の縦断正面図である。比較例における前記配線の概略斜視図である。実施例の変形例を示す縦断正面図である。

本発明の弾性表面波デバイスの一実施形態に係るＳＡＷフィルタ１について、平面図である図１を参照しながら説明する。このＳＡＷフィルタ１は多重モードを利用する縦結合型のフィルタであり、５トラック、即ち５つのＩＤＴ電極を備えている。１０は圧電基板であり、例えばタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムあるいは水晶などの圧電材料により構成されている。

圧電基板１０にて、ＳＡＷの伝搬方向に沿って上記の５つのＩＤＴ電極が形成されており、当該５つのＩＤＴ電極について圧電基板１０の一方側から他方側に向けて順に１１、１２、１３、１４、１５として示す。また、圧電基板１０には２つの反射器１６が形成されており、ＩＤＴ電極１１～１５を挟むように設けられている。圧電基板１０の表面において、ＩＤＴ電極１１～１５及び反射器１６の配列方向（横方向）を左右方向とし、この左右方向に直交する方向（縦方向）を前後方向と記載する場合が有る。左右方向についてはＩＤＴ電極１１側、ＩＤＴ電極１５側を夫々左側、右側とする。なお、ＳＡＷフィルタ１の構成の説明の便宜上、このように前後左右の方向を定義するが、ＳＡＷフィルタ１はどのような向きで使用してもよい。

ＩＤＴ電極１１～１５の各々を構成するバスバーについて、当該バスバーを含むＩＤＴ電極を表す符号の後にＡまたはＢを付して示す。Ａは前方側のバスバーに、Ｂは後方側のバスバーに夫々付す。つまり、ＩＤＴ電極１１を例に挙げて述べると、当該ＩＤＴ電極１１を構成する前方側のバスバーを１１Ａ、後方側のバスバーを１１Ｂとする。そのように各バスバーに符号を付すため、バスバー１１Ａ～１５Ａが左右に並んで設けられ、バスバー１１Ｂ～１５Ｂが左右に並んで設けられている。またＩＤＴ電極１１～１５を構成し、バスバー１１Ａ～１５Ａ、１１Ｂ～１５Ｂから後方、前方に夫々伸び出す電極指を１７として示している。

圧電基板１０において、バスバー１１Ａ～１５Ａから各々圧電基板１０の前方へ向けて引き出されるように導電パターン２１Ａ～２５Ａが形成されている。導電パターン２１Ａ、２３Ａ、２５Ａについては、導電パターン２２Ａ、２４Ａよりも前方側へと引き出されている。そして、導電パターン２２Ａ、２４Ａよりも前方側の位置にて、導電パターン２１Ａ、２５Ａは夫々左側、右側に向けて広がり、導電パターン２３Ａと接続されている。つまり導電パターン２１Ａ、２３Ａ、２５Ａは、互いに接続されている。

また圧電基板１０において、バスバー１１Ｂ～１５Ｂから各々圧電基板１０の後方へ向けて引き出されるように、例えば金属膜である導電パターン２１Ｂ～２５Ｂが形成されている。導電パターン２２Ｂ、２４Ｂについては導電パターン２３Ｂよりも後方側へと引き出され、当該後方側の位置で圧電基板１０の左右の中央部へ向かい、互いに接続されている。導電パターン２１Ｂ、２５Ｂについては夫々左方、右方へ向かった後に前方側へ向かい、その端部がバスバー１１Ａ～１５Ａよりも前方側に位置するように形成されている。

導電パターン２１Ａ、２３Ａ及び２５Ａは、信号入力ポート３１に接続され、導電パターン２２Ｂ、２４Ｂは信号出力ポート３２に接続される。また、導電パターン２１Ｂ、２５Ｂは接地される。

圧電基板１０のバスバー１１Ａ～１５Ａよりも前方側の位置において、絶縁層４１Ａが形成されている。この絶縁層４１Ａは平面視左右に長尺な帯状である。従って、絶縁層４１Ａは、ＩＤＴ電極１１～１５の配列方向に沿って伸びている。そして絶縁層４１Ａは、導電パターン２１Ｂ上から導電パターン２５Ｂ上に亘って形成されている。そのように形成されることで、当該絶縁層４１Ａは導電パターン２１Ａ～２５Ａ上に積層されると共に、当該導電パターン２１Ａ～２５Ａを左右に跨いで設けられている。

上記の絶縁層４１Ａ上に積層されて、左右に長尺な接続用導電パターンとして配線層４２Ａが形成されている。金属膜である当該配線層４２Ａについては、導電パターン２１Ｂ、２２Ａ、２４Ａ、２５Ｂ上に位置する部位が、前方側及び後方側へと各々伸び出して接続部４３Ａとして形成されている。当該接続部４３Ａは、これらの導電パターン２１Ｂ、２２Ａ、２４Ａ、２５Ｂにおける絶縁層４１Ａに被覆されていない領域（非被覆領域）に重なることで、電気的に接続されている。従って配線層４２Ａは、導電パターン２１Ｂ、２２Ａ、２４Ａ、２５Ｂ上において絶縁層４１Ａを前後に跨いで形成されており、当該導電パターン２１Ｂ、２２Ａ、２４Ａ、２５Ｂが互いに接続されて接地される。そして、絶縁層４１Ａの介在によって当該配線層４２Ａは、導電パターン２１Ａ、２３Ａ、２５Ａには接続されず、配線層４２Ａと当該導電パターン２１Ａ、２３Ａ、２５Ａとの間で電位差が確保される。

また、圧電基板１０のバスバー１１Ａ～１５Ａよりも後方側の位置において、絶縁層４１Ｂが形成されている。絶縁層４１Ｂは平面視左右に長尺な帯状である。従って、絶縁層４１Ｂは、ＩＤＴ電極１１～１５の配列方向に沿って伸びている。そして絶縁層４１Ｂは、導電パターン２１Ｂ上から導電パターン２５Ｂ上に亘って形成されている。そのように形成されることで、当該絶縁層４１Ｂは導電パターン２１Ｂ～２５Ｂ上に積層されると共に、導電パターン２２Ｂ～２４Ｂを左右に跨いで設けられている。

上記の絶縁層４１Ｂ上に積層されて、左右に長尺な接続用導電パターンとして配線層４２Ｂが形成されている。金属膜である当該配線層４２Ｂについては、導電パターン２１Ｂ、２３Ｂ、２５Ｂ上に位置する部位が前方側及び後方側へと各々伸び出して接続部４３Ｂとして形成されている。当該接続部４３Ｂはこれらの導電パターン２１Ｂ、２３Ｂ、２５Ｂにおいて絶縁層４１Ｂに被覆されていない領域（非被覆領域）に重なることで、電気的に接続されている。従って、配線層４２Ｂは導電パターン２１Ｂ、２３Ｂ、２５Ｂ上においては絶縁層４１Ｂを前後に跨いで形成されており、当該導電パターン２１Ｂ、２３Ｂ、２５Ｂが互いに接続されて接地される。そして絶縁層４１Ｂの介在によって当該配線層４２Ｂは、導電パターン２２Ｂ、２４Ｂには接続されず、配線層４２Ｂと当該導電パターン２２Ｂ、２４Ｂとの間で電位差が確保される。

このように、絶縁層４１Ａは導電パターン２１Ａ～２５Ａ、２１Ｂ、２５Ｂのうち、配線層４２Ａとの絶縁が必要ではない導電パターン２１Ｂ、２２Ａ、２４Ａ、２５Ｂ上においても形成されている。そして、これらの導電パターン２１Ｂ、２２Ａ、２４Ａ、２５Ｂで配線層４２Ａが前後方向、即ち絶縁層４１Ａの伸長方向と交差する方向に広がることで、導電パターン２１Ｂ、２２Ａ、２４Ａ、２５Ｂ間の接続がなされるように、立体的な配線が形成されている。

同様に、絶縁層４１Ｂは導電パターン２１Ｂ～２５Ｂのうち、配線層４２Ｂとの絶縁が必要ではない導電パターン２１Ｂ、２３Ｂ、２５Ｂ上にも形成されている。そして、これらの導電パターン２１Ｂ、２３Ｂ、２５Ｂ上で配線層４２Ｂが前後方向、即ち絶縁層４１Ｂの伸長方向と交差する方向に広がることで、導電パターン２１Ｂ、２３Ｂ、２５Ｂ間の接続がなされるように、立体的な配線が形成されている。

ところで絶縁層４１Ａ及び配線層４２Ａによる立体的な配線と、絶縁層４１Ｂ及び配線層４２Ｂによる立体的な配線とについては、いずれの導電パターンが配線を形成しているかということを除いて同様の構成であるため、以降は代表して、絶縁層４１Ｂ及び配線層４２Ｂによる立体的な配線について、図２の縦断正面図及び図３の概略斜視図も参照して説明する。なお、図１、図３では各部材間の識別を容易にするために一部の部材にドットを付しているが、図３では図１にてドットを付していない配線層４２Ｂにもドットを付して示している。また、図３では導電パターン同士の間隔を、図２に比べて若干大きく空けて示している。

以上に述べた発明の実施例であるＳＡＷフィルタ１において、配線層４２Ｂとの絶縁が必要では無い導電パターン２１Ｂ、２３Ｂ、２５Ｂ上にも絶縁層４１Ｂが形成されている理由を示すために、比較例のＳＡＷフィルタについて説明する。この比較例のＳＡＷフィルタにおいてもＳＡＷフィルタ１と同様に、絶縁層４１Ｂ及び配線層４２Ｂにより、導電パターン２１Ｂ、２３Ｂ、２５Ｂが互いに接続されつつ、配線層４２Ｂに対して導電パターン２２Ｂ、２４Ｂが絶縁されるものとする。ただし、比較例のＳＡＷフィルタについては、絶縁層４１Ｂが形成される領域がＳＡＷフィルタ１とは異なる。

図４、図５は、比較例のＳＡＷフィルタにおける絶縁層４１Ｂ及び配線層４２Ｂからなる配線についての縦断正面図、概略斜視図を夫々示す。図４、図５に示すように、比較例の絶縁層４１Ｂは、導電パターン２１Ｂ～２５Ｂのうち、２２Ｂ、２４Ｂのみを被覆するように形成されている。そして、配線層４２Ｂについては、実施例と同様、導電パターン２１Ｂ、２３Ｂ、２５Ｂ上で前後に広がり、接続部４３Ｂを形成する。ただし、導電パターン２１Ｂ、２３Ｂ、２５Ｂ上に絶縁層４１Ｂが形成されていないので、比較例の配線層４２Ｂについては、導電パターン２１Ｂ、２３Ｂ、２５Ｂの各々に重なる領域全体によって、当該導電パターン２１Ｂ、２３Ｂ、２５Ｂに対する電気的接続がなされる。

デバイスの製造工程において、導電パターン２１Ｂ～２５Ｂ、絶縁層４１Ｂ、配線層４２Ｂの順に圧電基板１０上に形成され、絶縁層４１Ｂについては、フォトリソグラフィにより形成される。つまり、導電パターン２１Ｂ～２５Ｂが形成済みの圧電基板１０上への成膜、当該膜の露光、現像による当該膜の不要部分の除去が順に行われることで、絶縁層４１Ｂが形成される。この現像直後には、絶縁層４１Ｂの側壁は圧電基板１０に対して垂直ないしは概ね垂直であるが、現像後に硬度を上昇させるために、当該絶縁層４１Ｂは加熱される。その際に絶縁層４１Ｂについては収縮すると共にその側壁の傾きが変化し、上方側（圧電基板１０から離れる側）に比べて、下方側（圧電基板１０の表面に近い側）が太る形状、即ちテーパー状となる。

このように絶縁層４１Ｂがテーパー形状となることで、比較例のＳＡＷフィルタを製造するにあたり、それを考慮した設計とすることが求められる。より具体的に述べると、仮に導電パターン２１Ｂ～２５Ｂが近接した場合、絶縁層４１Ｂの下側が上記のように太ることで、配線層４２Ｂの形成時に絶縁層４１Ｂが導電パターン２１Ｂ、２３Ｂ、２５Ｂ上に位置することになってしまう。そして、配線層４２Ｂが絶縁層４１Ｂに重なってしまうことによって、導電パターン２１Ｂ、２３Ｂ、２５Ｂと配線層４２Ｂとが接する領域の面積（即ち、発明が解決しようとする課題の項目で述べた接続面積）が、十分に確保されなくなってしまうおそれがある。従って、導電パターン２１Ｂ～２５Ｂは、絶縁層４１Ｂがテーパー形状となることを考慮し、発明が解決しようとする課題の項目で述べたように互いに比較的大きく離れるように設計されることになる。それ故に、圧電基板１０の左右の長さが比較的大きくなり、比較例のＳＡＷフィルタは大型化してしまうおそれがある。

それに対して、実施例であるＳＡＷフィルタ１については既述したように導電パターン２１Ｂから２５Ｂに亘って絶縁層４１Ｂを形成している。そして、そのように絶縁層４１Ｂを形成した上で、配線層４２Ｂについては絶縁層４１Ｂを前後に跨ぐ、即ち導電パターン２１Ｂ、２３Ｂ、２５Ｂの前後の幅を利用するように形成し、配線層４２Ｂと導電パターン２１Ｂ、２３Ｂ、２５Ｂの各々との間における接続面積が十分に確保されるようにしている。導電パターン２１Ｂ～２５Ｂ間では切れ目が無いように絶縁層４１Ｂが形成されているため、当該導電パターン２１Ｂ～２５Ｂ間において絶縁層４１Ｂがテーパー形状となることを考慮した導電パターン２１Ｂ～２５Ｂ同士の間隔の設定を行う必要が無い。つまり、当該導電パターン２１Ｂ～２５Ｂについての間隔を狭くすることができる。

圧電基板１０の後方側の配線について述べてきたが、上記したように前方側の配線も後方側の配線と同様の構成である。従って、導電パターン２１Ａ～２５Ａ、２１Ｂ、２５Ｂ同士の間隔の増大が抑制されつつ、配線層４２Ｂと、導電パターン２１Ｂ、２５Ｂ、２２Ａ、２４Ａの各々との間で十分な接続面積が確保されている。従って、ＳＡＷフィルタ１によれば、接続面積が確保されることでデバイスの性能が担保されつつ、圧電基板１０の左右方向の長さの縮小化ひいてはデバイスの小型化を図ることができる。

なお、このように圧電基板１０上における絶縁層４１Ａ、４１Ｂが形成された領域において、互いに隣接する導電パターン同士の間隔Ｌ１（図２参照）は、例えば５μｍ～１０μｍである。

ところで絶縁層４１Ａ、４１Ｂについては、左右に並ぶ導電パターン２１Ａ～２５Ａ、２１Ｂ～２５Ｂの全てを被覆するように形成することには限られない。図６は絶縁層４１Ｂについて、導電パターン２１Ｂ上から導電パターン２２Ｂ上に亘って形成し、且つ導電パターン２５Ｂ上から導電パターン２４Ｂ上に亘って形成した例を示している。従ってこの例において絶縁層４１Ｂは、導電パターン２３Ｂ上で途切れるように形成されている。

この図６で示す例のように絶縁層４１Ｂを構成する場合も、導電パターン２１Ｂと導電パターン２２Ｂとの間、導電パターン２５Ｂと導電パターン２４Ｂとの間については、絶縁層４１Ｂのテーパーを考慮する必要が無いので、導電パターン同士の間隔を小さくすることができる。従って、比較例に比べればＳＡＷフィルタの小型化を図ることができる。ただし、図１～図３に示したように導電パターン２１Ｂから導電パターン２５Ｂに亘って絶縁層４１Ｂを形成することで、導電パターン２２Ｂ、２３Ｂ間及び２３Ｂ、２４Ｂ間の間隔も狭くすることができるため、より好ましい。なお、導電パターン２１Ｂ、２５Ｂが第１の導電パターン、導電パターン２２Ｂ、２４Ｂが第２の導電パターン、導電パターン２３Ｂが第３の導電パターンに相当する。

上記の実施例においてトラック数、ＩＤＴ電極の形状、導電パターンの形状などは適宜変更可能である。また導電パターン２１Ｂ～２５Ｂについて、圧電基板１０上を比較的長く、屈曲されるように引き回されて前後方向に並ぶ構成とされた場合は、絶縁層４１Ｂについては前後方向に沿って形成してもよい。つまり絶縁層４１Ｂとしては左右、即ちＩＤＴ電極の配列方向に沿って形成することには限られない。また、本構成は、ＳＡＷ共振子に適用してもよく、本構成が適用される弾性表面波デバイスとしてはＳＡＷフィルタに限られない。また配線層４２Ａ、４２Ｂは前後の各々に接続部４３Ａ、４３Ｂを備えているが、十分な接続面積を確保できるのであれば、前後のうちの一方のみに接続部４３Ａ、４３Ｂを備えていても良い。

今回開示された実施形態については、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更または組み合わせが行われてもよい。

１ＳＡＷフィルタ
１０圧電基板
１１～１５ＩＤＴ
１１Ａ～１５Ａ、１１Ｂ～１５Ｂバスバー
２１Ａ～２５Ａ、２１Ｂ～２５Ｂ導電パターン
４１Ａ、４１Ｂ絶縁層
４２Ａ、４２Ｂ配線層

Claims

圧電基板と、
前記圧電基板の横方向に並んで設けられる複数のＩＤＴ電極と、
前記ＩＤＴ電極のバスバーから各々伸び出して形成される複数の導電パターンと、
前記複数の導電パターンをなすと共に順に並ぶ、第１の導電パターン、第２の導電パターン、第３の導電パターンのうち、前記第１の導電パターン上から前記第２の導電パターン上に亘って形成される絶縁層と、
前記第１の導電パターンにおける前記絶縁層に被覆されていない非被覆領域から前記絶縁層上を介して前記第３の導電パターン上に亘って形成され、当該第１の導電パターンと当該第３の導電パターンとを接続する接続用導電パターンと、
を備え、
前記絶縁層は、前記第２の導電パターンを跨いで当該第１の導電パターン上から当該第３の導電パターン上に亘って形成され、
前記接続用導電パターンは、前記第１の導電パターンにおける非被覆領域から前記第３の導電パターンにおいて前記絶縁層に被覆されていない非被覆領域に亘って形成され、
前記絶縁層は、前記複数のＩＤＴ電極の配列方向に沿って伸びて形成され、
前記第１の導電パターン上及び前記第３の導電パターン上において、前記接続用導電パターンは前記絶縁層の伸長方向と交差する方向に当該絶縁層を跨いで形成される弾性表面波デバイス。
前記第１の導電パターン及び前記第３の導電パターンは接地される導電パターンである請求項１記載の弾性表面波デバイス。