CN109478881B - 弹性波器件以及通信装置 - Google Patents

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Abstract

分波器包括：位于基板上的多个IDT电极；位于基板上以便在多个IDT电极上构成空间的绝缘性的盖体；位于基板上且贯通盖体的天线端子、发送端子以及接收端子；以及位于盖体上且由金属构成的增强层。通过多个IDT电极，构成位于将天线端子和发送端子相连的信号路径的发送滤波器和位于将天线端子和接收端子相连的信号路径的接收滤波器。增强层具有：与发送滤波器对置的第1区域部；以及与接收滤波器对置且与第1区域部分离的第2区域部。

Description

弹性波器件以及通信装置
技术领域
本公开涉及利用弹性波对信号进行滤波的弹性波器件以及通信装置。弹性波例如是声表面波(SAW：surface acoustic wave)。
背景技术
弹性波器件例如具有：压电基板；设置在压电基板的一个面上且对弹性波进行激励的电极；以及从该电极之上覆盖压电基板的所述面的盖体。盖体为了容易使压电基板振动(弹性波的传播)，形成为在电极上构成了空间。为了抑制该盖体向空间侧挠曲变形，已知在盖体的上表面或者内部形成由金属构成的增强层的技术(例如专利文献1)。
在专利文献1中，增强层形成为在俯视透视压电基板的面时比空间小。此外，在专利文献1中，在压电基板和盖体之间形成两个空间，在其每个空间形成增强层。在专利文献1中，优选增强层被构成盖体的树脂包围而与电极分离。在专利文献1中，提到了增强层会产生杂散电容。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2008-227748号公报
发明内容
本公开的一方式涉及的弹性波器件具备：压电基板；多个电极；盖体；公共端子、第1端子以及第2端子；以及增强层。所述压电基板具有第1面。所述多个电极位于所述第1面上，激励弹性波。所述盖体位于所述第1面上，使得在所述多个电极上构成空间。所述盖体是绝缘性的。所述公共端子、所述第1端子以及所述第2端子位于所述第1面上，并贯通所述盖体。所述增强层位于所述盖体上，由金属构成，并被连接到基准电位。并且，由所述多个电极构成位于将所述公共端子和所述第1端子相连的第1信号路径上的第1滤波器、和位于将所述公共端子和所述第2端子相连的第2信号路径上的第2滤波器。所述增强层具有：与所述第1滤波器以及所述第2滤波器对置的第1区域部；以及与所述第2滤波器对置且与所述第1区域部分离的第2区域部。
本公开的一方式涉及的通信装置具有：天线；将所述公共端子与所述天线连接的上述的弹性波器件；以及与所述第1端子以及所述第2端子连接的集成电路元件。
附图说明
图1(a)是表示第1实施方式涉及的分波器的外观立体图，图1(b)是断开图1(a)的分波器的一部分而示出的立体图。
图2是表示SAW谐振器的结构的俯视图。
图3(a)是表示图1的分波器的主体结构的俯视图，图3(b)是用于说明图1的分波器的增强层的平面形状的俯视透视图。
图4(a)是表示第2实施方式涉及的分波器的结构的俯视透视图，图4(b)是表示第1比较例涉及的分波器的结构的俯视透视图。
图5(a)、图5(b)、图5(c)、图5(d)以及图5(e)是表示针对第1实施例、第2实施例以及第1比较例的仿真计算结果的图。
图6(a)是表示第2比较例涉及的分波器的结构的俯视透视图，图6(b)是表示第3比较例涉及的分波器的结构的俯视透视图。
图7(a)、图7(b)、图7(c)、图7(d)以及图7(e)是表示针对第1实施例、第2比较例以及第3比较例的仿真计算结果的图。
图8(a)是表示第4比较例涉及的分波器的结构的俯视透视图，图8(b)是表示第5比较例涉及的分波器的结构的俯视透视图。
图9(a)、图9(b)、图9(c)、图9(d)以及图9(e)是表示针对第1实施例、第4比较例以及第5比较例的仿真计算结果的图。
图10(a)是表示第6比较例涉及的分波器的结构的俯视透视图，图10(b)是表示第7比较例涉及的分波器的结构的俯视透视图。
图11(a)、图11(b)、图11(c)、图11(d)以及图11(e)是表示针对第1实施例、第6比较例以及第7比较例的仿真计算结果的图。
图12是表示第8比较例涉及的分波器的结构的俯视透视图。
图13(a)、图13(b)、图13(c)、图13(d)以及图13(e)是表示针对第1实施例以及第8比较例的仿真计算结果的图。
图14(a)是表示第9比较例涉及的分波器的结构的俯视透视图，图14(b)是表示第10比较例涉及的分波器的结构的俯视透视图。
图15(a)、图15(b)、图15(c)、图15(d)以及图15(e)是表示针对第1实施例、第9比较例以及第10比较例的仿真计算结果的图。
图16是表示作为分波器的利用例的通信装置的示意图。
具体实施方式
以下，参照附图来说明本公开涉及的实施方式。另外，在以下的说明中使用的图是示意性的，图面上的尺寸比率等与实际未必一致。
针对相同或者类似的结构，有时会如“第1串联谐振器47A”、“第2串联谐振器47B”这样，对同一名称附加彼此不同的编号以及字母来称呼，此外，在该情况下，有时仅称为“串联谐振器47”，不对它们进行区分。
在第2实施方式以后，针对与已经说明的实施方式的结构共同或者类似的结构，使用对已经说明的实施方式的结构附加的符号，而且有时会省略图示或说明。另外，针对与已经说明的实施方式的结构对应(类似)的结构，即使在附加了与已经说明的实施方式的结构不同的符号的情况下，在没有特别事先说明的情况下与已经说明的实施方式的结构相同。
本公开涉及的SAW器件可以将任一个方向设为上方或者下方，但是以下，为了便于说明，定义由D1轴、D2轴以及D3轴构成的直角坐标系，并且将D3轴的正侧设为上方，有时使用上面、下面等用语。此外，在说明俯视或者俯视透视的情况下，只要没有特别事先说明，就是指在D3轴方向上观察的情况。另外，D1轴被定义为与沿后述的压电基板的上表面传播的SAW的传播方向平行，D2轴被定义为与压电基板的上表面平行且与D1轴正交，D3轴被定义为与压电基板的上表面正交。
<实施方式>
(分波器的整体结构)
图1(a)是表示实施方式涉及的作为SAW器件的一例的分波器1的外观立体图。图1(b)是断开分波器1的一部分而表示的立体图。
分波器1包括所谓的晶片级封装(WLP)形的SAW器件。分波器1例如是轮廓薄的长方体状的部件。其尺寸可以被适当地设定，例如，俯视下的一边的长度(D1轴方向或者D2轴方向)为0.5mm以上且2mm以下，厚度(D3轴方向)为0.2mm以上且0.6mm以下。
在分波器1的上表面露出了多个(图示的例子中是8个)端子(9A、9T、9R以及9G1～9G5。以下，有时称为“端子9”)。天线端子9A是与未图示的天线连接的端子。发送端子9T是用于将应从天线端子9A向天线输出的发送信号输入到分波器1的端子。接收端子9R是用于从分波器1输出从天线输入到天线端子9A的接收信号的端子。第1GND端子9G1～第5GND端子9G5(以下，有时仅称为“GND端子9G”)是被赋予了基准电位的端子。另外，基准电位是成为基准的电位，不限于0V。
分波器1例如被配置成其上表面与未图示的电路基板对置，利用焊料等凸块将电路基板的衬垫和端子9接合，从而被安装到电路基板。之后，通过传递模塑等将未图示的模塑树脂配置在分波器1的周围，分波器1被树脂密封。模塑树脂也被填充到以凸块的厚度构成在电路基板和分波器1之间的间隙中。
分波器1例如具有：基板3；设置在基板3的上表面3a的分波器主体5(图1(b))；覆盖分波器主体5的盖体7；从盖体7的上表面7a露出的上述多个端子9；与盖体7的上表面7a重叠的增强层11。
基板3例如由具有压电性的单晶构成。单晶例如是铌酸锂(LiNbO3)单晶或者钽酸锂(LiTaO3)单晶。切角可以与所利用的SAW的种类等相应地适当设定。例如，基板3是旋转Y切X传播。即，X轴与基板3的上表面(D1轴)平行，Y轴相对于基板3的上表面的法线以给定的角度倾斜。基板3的平面形状例如是矩形。基板3的大小可以适当设定，例如俯视下的一边的长度(D1轴方向或者D2轴方向)是0.3mm以上且2mm以下，厚度(D3轴方向)是0.2mm以上且0.5mm以下。基板3形成得比较薄，可以在背面(D3轴负侧的面)粘贴由无机材料或者有机材料构成的支承基板。
分波器主体5构成为在基板3的上表面3a设置导电层等。分波器主体5是承担对与天线相连的多个信号路径进行分离的功能的关键部分的部分。
盖体7例如外侧的形状形成为大致长方体状。盖体7的上表面7a例如相对于基板3的上表面3a大致平行，而且具有与基板3的上表面3a大致相同的广度。盖体7具有俯视下为框状的框部13和将框部13的开口堵塞的盖部15。由此，在基板3的上表面3a上，构成容易使上表面3a振动的空间17(图1(b))。
框部13例如构成为在大致一定厚度的层形成一个以上的成为空间17的开口。框部13的厚度(空间17的高度)例如是数μm～30μm。盖部15例如由层叠在框部13上的大致恒定厚度的层构成。盖部15的厚度例如是数μm～30μm。
框部13以及盖部15可以由同一材料形成，也可以由互不相同的材料形成。在图1(a)以及图1(b)中，为了便于说明，明示了框部13和盖部15的边界线，但在实际的产品中，框部13和盖部15可以由同一材料一体地形成。
盖体7(框部13以及盖部15)基本上由绝缘材料构成。绝缘材料例如是感光性的树脂。感光性的树脂例如是通过丙烯基、甲基丙稀基等自由基聚合而固化的、氨基甲酸酯丙烯酸酯系、聚酯丙烯酸酯系、环氧丙烯酸酯系的树脂。另外，也可以在盖体7的一部分配置导体。
关于端子9，如在图1(b)中示出截面的第1GND端子9G1中所表示的那样，形成为在基板3的上表面3a立起的柱状，朝面向上表面3a的方向贯通框部13以及盖部15贯通，在盖体7的上表面露出。端子9可以具有从柱状部分的上端侧的侧面突出并重叠于盖体7的上表面的凸缘状部分(图示的例子)，也可以不具有这样的部分。
多个端子9的数目以及配置可以适当设定。在图示的例子中，在俯视下沿着矩形的盖体7(基板3)的外周缘配置了多个端子9。更具体来说，例如，天线端子9A与矩形的第1边相邻且位于该第1边的中央侧。发送端子9T例如与和所述第1边对置的第2边相邻且位于该第2边的一端侧。接收端子9R位于所述第2边的另一端侧。另外，与第1边(或者第2边)相邻是指，例如，端子9的中心位置位于将与第1边正交的边三等分时的第1边侧的范围。此外，位于第1边的中央侧(或者端部侧)是指，例如，端子9的中心位置位于将第1边三等分时的中央(或者端)的范围。
增强层11用于增强盖体7(特别是盖部15)的强度。增强层11的材料是杨氏模量比盖体7的材料大的材料，例如是金属。金属例如是Cu，此外可以与端子9(其大部分)是同一材料。增强层11在俯视透视下至少一部分与空间17重叠。增强层11在俯视透视下可以将其整体收于空间17内，也可以至少一部分位于空间17的外侧。
(SAW谐振器的基本结构)
图2是表示作为分波器主体5的基本结构要素的SAW谐振器19的结构的俯视图。
SAW谐振器19构成所谓的一端口SAW谐振器。SAW谐振器19例如在从示意性示出的第1衬垫21A以及第2衬垫21B中的一方输入给定频率的电信号时，产生谐振，将产生了该谐振的信号从第1衬垫21A以及第2衬垫21B中的另一方输出。
SAW谐振器19例如包括：上述的基板3；设置在基板3的上表面3a上的IDT(interdigital transducer)电极23；以及位于IDT电极23的两侧的一对反射器25。
IDT电极23以及反射器25由设置在基板3上的层状导体构成。IDT电极23以及反射器25例如由彼此相同的材料以及厚度构成。构成它们的层状导体例如是金属。金属例如是Al或者以Al为主成分的合金(Al合金)。Al合金例如是Al-Cu合金。层状导体可以由多个金属层构成。层状导体的厚度根据SAW谐振器19所要求的电特性等来适当设定。作为一例，层状导体的厚度是50nm～400nm。
IDT电极23包括一对梳齿电极27。各梳齿电极27包括：汇流条29；从汇流条29彼此并行地延伸的多个电极指31；以及在多个电极指31间从汇流条29突出的虚设电极33。一对梳齿电极27配置成多个电极指31彼此啮合(交叉)。
汇流条29例如以大致固定的宽度在SAW的传播方向(D1轴方向)上形成为沿直线状延伸的长条状。并且，一对汇流条29在与SAW的传播方向正交的方向(D2轴方向)上互相对置。另外，汇流条29可以是宽度有变化，或者相对于SAW的传播方向倾斜。
各电极指31例如以大致固定的宽度在与SAW的传播方向正交的方向(D2轴方向)上形成为以直线状延伸的长条状。在各梳齿电极27中，多个电极指31排列在SAW的传播方向上。此外，一个梳齿电极27的多个电极指31和另一个梳齿电极27的多个电极指31基本上被交替地排列。
多个电极指31的间距p(例如彼此相邻的两根电极指31的中心间距离)在IDT电极23内基本上是固定的。另外，可以在IDT电极23的一部分，设置间距p比其他大部分窄的窄间距部，或者间距p比其他大部分宽的宽间距部。
电极指31的根数可以按照SAW谐振器19所要求的电特性等来适当设定。另外，由于图2是示意图，因此电极指31的根数示出得较少。实际上，可以排列比图示更多的电极指31。针对后述的反射器25的带状电极37也是同样。
多个电极指31的长度例如彼此相同。另外，IDT电极23可以实施所谓的切趾，即，多个电极指31的长度(按照另一观点是交叉宽度)根据传播方向的位置而变化。电极指31的长度以及宽度可以根据所要求的电特性等而适当设定。
虚设电极33例如以大致固定的宽度在与SAW的传播方向正交的方向上突出。其宽度例如与电极指31的宽度相同。此外，多个虚设电极33以与多个电极指31相同的间距排列，一个梳齿电极27的虚设电极33的前端隔着间隔与另一个梳齿电极27的电极指31的前端对置。另外，IDT电极23可以不包括虚设电极33。
一对反射器25在SAW的传播方向上位于多个IDT电极23的两侧。各反射器25例如可以被设为电浮置状态，也可以被赋予基准电位。各反射器25例如形成为格子状。即，反射器25包括彼此对置的一对汇流条35和在一对汇流条35间延伸的多个带状电极37。
汇流条35以及带状电极37的形状除了带状电极37的两端与一对汇流条35连接以外，可以设为与IDT电极23的汇流条29以及电极指31相同。例如，汇流条35以大致固定的宽度在SAW的传播方向(D1轴方向)上形成为以直线状延伸的长条状。各带状电极37以大致固定的宽度在与SAW的传播方向正交的方向(D2轴方向)上形成为以直线状延伸的长条状。多个带状电极37例如在SAW的传播方向上排列。多个带状电极37的间距以及彼此相邻的电极指31与带状电极37的间距基本上与多个电极指31的间距相同。
另外，基板3的上表面3a可以从IDT电极23以及反射器25之上起被由SiO2等构成的保护膜覆盖着，这一点并未特别图示。保护膜可以仅仅用于抑制IDT电极23等的腐蚀，也可以对温度补偿有贡献。此外，在设置保护膜的情况下等，在IDT电极23以及反射器25的上表面或者下表面为了提高SAW的反射系数可以设置由绝缘体或者金属构成的附加膜。
在设置保护膜的情况下，保护膜可以介于基板3和框部13之间，也可以不介于。即，盖体7可以直接搭载在基板3的上表面3a上，也可以间接搭载置。
通过IDT电极23对基板3的上表面3a施加电压，从而激励在上表面3a沿着D1轴方向传播的SAW。在SAW谐振器19中，谐振频率与将电极指31的间距p设为半波长的SAW的频率大致相同。反谐振频率由谐振频率和电容比决定。电容比主要由基板3来规定，并通过电极指31的根数、交叉宽度或者膜厚等来调整。也可以设置与一对梳齿电极27并联连接的电容元件。
(分波器主体)
图3(a)是表示分波器主体5的结构的俯视图。在该图中，分别以矩形示出了IDT电极23的配置范围以及反射器25的配置范围(参照附加了符号47A的矩形)。另外，IDT电极23(以及反射器25)可以在D2轴方向上被分割(可以由多个IDT电极构成)，但在此即使是这样的方式也利用一个矩形示出。此外，在该图中，空间17(框部13的内缘)的平面形状也利用两点划线来表示。
分波器主体5具有：与多个端子9连接的多个衬垫(39A、39T、39R、39G1～39G5，以下，有时称为“衬垫39”。)；经由衬垫39与端子9连接的发送滤波器41以及接收滤波器43；以及用于它们的连接中的布线45。布线45用于衬垫39与滤波器(41或者43)的连接或者滤波器(41或者43)内的连接。
衬垫39、发送滤波器41、接收滤波器43以及布线45通过在上表面3a上设置导体层来构成。该导体可以由与构成IDT电极23以及反射器25的导体层相同的材料以及厚度的导体层构成。另外，衬垫39也可以在与其他部分共同的导体层上包括由其他材料构成的导体层。此外，虽然在图示的例子中是不需要，但是也可以通过分波器主体5的结构，在由与构成IDT电极23的导体层相同的导体层构成的布线45之上，设置绝缘层以及立体交叉布线。
在多个衬垫39上设置多个端子9。具体来说，天线端子9A位于天线衬垫39A上。发送端子9T位于发送衬垫39T上。接收端子9R位于接收衬垫39R上。第1GND端子9G1～第5GND端子9G5位于第1GND衬垫39G1～第5GND衬垫39G5(以下，有时仅称为“GND衬垫39G”)上。与多个端子9在俯视下的配置相关的已讲述的说明适合于多个衬垫39在俯视下的配置。
(发送滤波器以及接收滤波器)
发送滤波器41位于将天线衬垫39A和发送衬垫39T相连的信号路径上，将输入到发送衬垫39T的信号滤波后输出到天线衬垫39A。接收滤波器43位于将天线衬垫39A和接收衬垫39R相连的信号路径上，将输入到天线衬垫39A的信号滤波后输出到接收衬垫39R。
发送滤波器41以及接收滤波器43在图示的例子中分别由梯型滤波器构成。具体来说如下。
发送滤波器41例如包括：在发送衬垫39T与天线衬垫39A之间串联连接的多个(图示的例子中是四个)第1串联谐振器47A～第4串联谐振器47D；以及将串联的行和GND衬垫39G连接的多个(图示的例子中是三个)第1并联谐振器49A～第3并联谐振器49C。
接收滤波器43例如包括：在天线衬垫39A与接收衬垫39R之间串联连接的多个(图示的例中是四个)第1串联谐振器51A～第4串联谐振器51D；以及将串联的行和GND衬垫39G连接的多个(图示的例子中是三个)第1并联谐振器53A～第3并联谐振器53C。
发送滤波器41的串联谐振器47及并联谐振器49、以及接收滤波器43的串联谐振器51及并联谐振器53分别由参照图2说明的SAW谐振器19构成。其中，电极指31的间距、根数、宽度和/或交叉宽度等可在每个谐振器中适当设定。
由于发送滤波器41以及接收滤波器43都是梯型滤波器，因此以下有时使用发送滤波器41的符号来进行梯型滤波器的说明，并将与该符号对应的接收滤波器43的符号附加在括弧内。
在各串联谐振器47(51)中，一对梳齿电极27当中的一个梳齿电极27直接地或者经由其他串联谐振器47(51)间接地与天线衬垫39A连接，另一个梳齿电极27直接地或者经由其他串联谐振器47(51)间接地与发送衬垫39T(39R)连接。在各并联谐振器49(53)中，一对梳齿电极27当中的一个梳齿电极27连接在将天线衬垫39A和发送衬垫39T(39R)连结的串联的行(串联臂)上，另一个梳齿电极27与GND衬垫39G连接。
多个串联谐振器47(51)的频率特性(例如谐振频率以及反谐振频率)基本上彼此相同。多个并联谐振器49(53)的频率特性(例如谐振频率以及反谐振频率)基本上彼此相同。此外，串联谐振器47(51)以及并联谐振器49(53)其特性基本上被设定成并联谐振器49(53)的反谐振频率与串联谐振器47(51)的谐振频率大致一致。并且，在将各谐振器中的谐振频率和反谐振频率的频率差设为Δf时，将串联谐振器47(51)的Δf和并联谐振器49(53)的Δf相加后得到的范围(更详细来说是比这稍窄的范围)大致成为通过频带(通频带)。
串联谐振器47(51)以及并联谐振器49(53)的数目可以适当设定。原理上，它们可以是各一个。此外，对多个串联谐振器47(51)可以进行微调整，使得谐振频率以及反谐振频率等彼此稍稍不同。同样，对多个并联谐振器49(53)也可以进行微调整，使得谐振频率以及反谐振频率等彼此稍稍不同。发送滤波器41(43)可以在适当的位置包括电感器、电容元件等谐振器以外的结构。
发送滤波器41以及接收滤波器43的通频带彼此不同。例如，接收滤波器43的通频带比发送滤波器41的通频带高。
发送滤波器41以及接收滤波器43在基板3的上表面3a上构成在彼此不同的区域。该彼此不同的区域例如大致是D1轴方向的正侧一半和D1轴方向的负侧一半。此外，例如，发送滤波器41以及接收滤波器43构成为，在以与上表面3a的四边当中彼此对置的两边平行的分割线分割了上表面3a时，分别收于该分割后的区域中。该分割线例如位于该分割线所正交的边的中央侧(例如如已经讲述的那样三等分的中央的范围内)。
另外，在发送滤波器41(43)中，将谐振器彼此连接的布线45包括在发送滤波器41(43)中。设置成与天线衬垫39A、发送衬垫39T(39R)或者GND衬垫39G连接的(连续的)布线45不包括在滤波器中。
第1GND衬垫39G1～第3GND衬垫39G3例如与发送滤波器41(反射器25或者并联谐振器49的梳齿电极27)连接。第3GND衬垫39G3例如与至少一个并联谐振器49连接。
第4GND衬垫39G4以及第5GND衬垫39G5例如与接收滤波器43(并联谐振器53的梳齿电极27)连接。关于相对于多个串联谐振器51所形成的串联的行的连接位置，第4GND衬垫39G4相比第5GND衬垫39G5，至少夹着一个串联谐振器51而更靠天线衬垫39A侧。
在基板3和盖体7之间，例如构成位于发送滤波器41上的空间17和位于接收滤波器43上的空间17共计两个空间17。另外，可以构成涉及发送滤波器41以及接收滤波器43双方的一个空间17，也可以相对于各滤波器(41或者43)构成两个以上的空间17。
(增强层的平面形状)
图3(b)是用于说明增强层11的平面形状的俯视透视图。该图概要地在图3(a)上追加了增强层11的配置区域，附加阴影的区域是增强层11的配置区域。在俯视透视下，端子9的平面形状和衬垫39的平面形状可以大致一致。在图3(b)中附加了端子9的符号的区域(圆)可以理解为是衬垫39的区域。
增强层11例如被分离成多个(图示的例子中是两个)，主要包括与发送滤波器41对置的第1区域部57A和与接收滤波器43对置的第2区域部57B。另外，在两个区域部57被分离的情况下，即使假设将端子9(其上端部分)视为增强层11的一部分，也指代两者被分离的状态。
第1区域部57A例如与发送滤波器41的所有谐振器(47以及49)对置。此外，第1区域部57A例如也与接收滤波器43的一部分对置。具体来说，例如，第1区域部57A与接收滤波器43的多个谐振器当中天线衬垫39A侧的一部分(图示的例子中是51A、51B、53A以及53B)对置。
第2区域部57B例如与接收滤波器43的剩余的谐振器(51C、51D以及53C)对置。即，第2区域部57B与接收滤波器43的多个谐振器当中接收衬垫39R侧的一部分对置。
作为增强层11整体，例如，与发送滤波器41以及接收滤波器43的所有谐振器(47、49、51以及53)对置。其中，也可以存在不与增强层11对置的谐振器。各区域部57例如与各谐振器的IDT电极23以及一对反射器25的整体对置。其中，也可以仅与IDT电极23对置等仅与谐振器的一部分对置。
在接收滤波器43中，可以适当设定与第1区域部57A对置的谐振器和与第2区域部57B对置的谐振器之间的边界。例如，第1区域部57A至少与第1串联谐振器51A(最靠天线端子9A侧的串联谐振器51)对置，第2区域部57B至少与第4串联谐振器51D(最靠接收端子9R侧的串联谐振器51)对置。
第1区域部57A具有在俯视透视下位于发送滤波器41与接收滤波器43中与第1区域部57A对置的部分之间的切入部59。切入部59在图示的例子中将第3GND端子9G3和发送滤波器41(更具体来说是第3并联谐振器49C)之间作为入口，向天线端子9A侧延伸。
切入部59例如包括宽度相对于长度窄的狭缝部59a。狭缝部59a例如以大致固定的宽度以直线状延伸。狭缝部59a的宽度例如比框部13中的两个空间17之间的隔壁的宽度窄。狭缝部59a可以在俯视透视下收于所述的隔壁中。另外，在图示的例子中，狭缝部59a占据切入部59的大部分，但是切入部59可以将使其宽度(例如，D1轴方向或者两个滤波器并列的方向的大小)发生变化的部分包括在其一部分或者全部中。
第1区域部57A例如与GND端子9G(其凸缘状部分)连接。更具体来说，例如，第1区域部57A被连接到与发送滤波器41相连的GND端子9G(9G1～9G3)和与接收滤波器43相连的GND端子9G(9G4)。进一步详细来说，第1区域部57A被连接到与发送滤波器41相连的GND端子9G的全部。此外，第1区域部57A被连接到与接收滤波器43相连的GND端子9G当中相对于多个串联谐振器51所形成的串联的行与天线端子9A侧相连的第4GND端子9G4。
第2区域部57B例如与GND端子9G(其凸缘状部分)连接。更具体来说，例如，第2区域部57B被连接到与接收滤波器43相连的GND端子9G(9G5)。进一步详细来说，第2区域部57B被连接到与接收滤波器43相连的GND端子9G当中相对于多个串联谐振器51所形成的串联的行与接收端子9R侧相连的第5GND端子9G5。
另外，如上述所理解的那样，第1区域部57A以及第2区域部57B不直接连接。所谓直接连接是指不经由电子元件而电连接。电子元件例如是电阻、电容器、电感器、谐振器或者滤波器。其中，在布线上不可避免地产生的电阻等并不包括在这里所说的电子元件中。
如以上这样，在本实施方式中，分波器1包括：基板3；位于基板3的上表面3a上的多个IDT电极23；位于上表面3a上且在多个IDT电极23上构成空间17的绝缘性的盖体7；位于上表面3a上并贯通盖体7的天线端子9A、发送端子9T以及接收端子9R；以及位于盖体7上且由金属构成的增强层11。通过多个IDT电极23，构成位于将天线端子9A和发送端子9T相连的信号路径上的发送滤波器41、和位于将天线端子9A和接收端子9R相连的信号路径上的接收滤波器43。增强层11具有：与发送滤波器41对置的第1区域部57A；以及与接收滤波器43对置且与第1区域部57A分离的第2区域部57B。
因此，例如，发送滤波器41和接收滤波器43隔着增强层11而耦合的可能性降低，隔离性得到提高。
此外，在本实施方式中，分波器1位于基板3的上表面3a上且具有贯通盖体7的GND端子9G。第1区域部57A与第1GND端子9G1～第4GND端子9G4连接，第2区域部57B与第5GND端子9G5连接。
因此，例如，能够使被分离的两个区域部57双方的电位稳定，从而降低出现计划外的特性的可能性。此外，例如，与完全将两个区域部57从端子9分离的方式(该方式也包括在本公开涉及的技术中)比较，区域部57被柱状的端子9支承，可提高增强的效果。
此外，在本实施方式中，接收滤波器43具有多个谐振器(51以及53)。第1区域部57A除了发送滤波器41以外还与多个谐振器(51以及53)的一部分对置。第2区域部57B与多个谐振器(51以及53)的其他一部分对置。
因此，例如，能够得到由分离增强层11所带来的隔离性提高的效果，同时比较广地形成第1区域部57A。通过使第1区域部57A变广，例如能够提高增强的效果，或者增加连接于第1区域部57A的GND端子9G来使电位稳定。此外，在后述的仿真计算中，例如，上述这样的结构相比第1区域部57A仅与发送滤波器41对置的方式，隔离性得到了提高。
此外，在本实施方式中，与第2区域部57B对置的接收滤波器43向接收端子9R输出输入到天线端子9A的信号。第2串联谐振器51B(或者第1串联谐振器51A)以及第3串联谐振器51C(或者第4串联谐振器51D)在天线端子9A和接收端子9R之间彼此被串联连接，使得第3串联谐振器51C比第2串联谐振器51B更靠接收端子9R侧。第1区域部57A仅与接收滤波器43当中在信号路径上比第3串联谐振器51C更靠天线端子9A侧的部分(51A、51B、53A和/或53B)对置。第2区域部57B仅与接收滤波器43当中比第2串联谐振器51B更靠接收端子9R侧的部分(51C、51D和/或53C)对置。
因此，例如，即使第1区域部57A影响了来自天线端子9A的接收信号，在之后接收信号也会被接收滤波器43当中未与第1区域部57A对置的部分进行滤波。其结果是，可提高上述的效果，即，使第1区域部57A变广，同时通过增强层11的分离使隔离性得到提高。此外，在后述的仿真计算中，例如，上述这样的结构与将增强层11当中与发送滤波器41的一部分对置的区域排除后得到的方式(针对发送滤波器41的一部分降低了耦合的方式)相比较，隔离性得到提高。
此外，在本实施方式中，接收滤波器43的通频带比发送滤波器41的通频带高。即，增强层11中，与两个滤波器(41、43)当中通频带高的一个滤波器(43)的一部分对置的区域(57B)从其他区域(57A)分离。
因此，例如，关于需要与频率高这一情况相对应地减小电极指31的间距的接收滤波器43的一部分，隔离性得到提高。其结果，例如，可减少电极指31的精度引起的偏差和因隔着增强层11耦合引起的隔离性降低的叠加，提高滤波器特性。此外，在后述的仿真计算中，例如，上述这样的结构与将增强层11当中与频率低的滤波器(41)的一部分对置的区域排除后得到的方式(针对发送滤波器41的一部分降低了耦合的方式)相比较，隔离性得到提高。
此外，在本实施方式中，与发送滤波器41和接收滤波器43的一部分(第2串联谐振器51B和/或第1串联谐振器51A)对置的第1区域部57A具有在俯视透视下位于发送滤波器41和接收滤波器43的所述一部分之间的切入部59。
因此，能够遍及两个滤波器(41以及43)形成增强层11(第1区域部57A)，同时降低两个滤波器通过增强层11而发生耦合的可能性。
此外，在本实施方式中，增强层11当中与第3GND端子9G3相连的部分延伸成将配置了发送滤波器41和接收滤波器43的区域进行划分，并且，延伸成与发送滤波器41的基准电位连接的布线重叠。因此，能够稳定地实现基准电位。
进而，在本实施方式中，切入部59(59a)形成在将连接到发送滤波器41的基准电位的布线和发送滤波器41的谐振器分离的部位。因此，能够进一步提高隔离性。
进而，在本实施方式中，切入部59可以位于接收滤波器43侧，这一点并未图示。由此，能够将接收滤波器43与发送滤波器41(第1滤波器)的基准电位之间相隔开，能够进一步提高隔离性。
此外，在本实施方式中，发送滤波器41(第1滤波器)和接收滤波器43(第2滤波器)的排列方向(D1轴方向)与SAW的传播方向大致一致。换言之，在发送滤波器41的谐振器的SAW的传播方向的延长线上方向上具有接收滤波器43的谐振器。
在上述这样的结构中，隔离性比普通情况更严格。由于这样配置的原因，上述那样的增强层11的结构的必要性变高。例如，与本实施方式不同，在两个滤波器的排列方向是D1轴方向且SAW的传播方向是D2轴方向的情况下，发送滤波器当中靠近发送端子的一侧的谐振器远离了接收滤波器，两个滤波器很难发生耦合。
另外，在上述的例子中，发送滤波器41(第1滤波器)以及接收滤波器43(第2滤波器)都使用由梯型滤波器构成的例子进行了说明，但是并不限于该例。例如，作为接收滤波器43，可以将DMS滤波器设为两级，使得天线侧的DMS滤波器和第1区域重叠，并且使得接收端子侧的DMS滤波器和第2区域重叠。同样地，作为接收滤波器43，可以使用将梯型滤波器和DMS滤波器连接而成的滤波器，使得两个滤波器当中位于天线端子侧的部分与第1区域重叠，位于接收端子侧的部分与第2区域重叠。
此外，梯型滤波器的配置以及相对于多个GND端子9G的连接也不限于图示的例子。例如，在图示的例子中，发送滤波器41的所有并联谐振器49与同一GND端子(第3GND端子9G3)连接，但是也可以是一部分并联谐振器49与其他GND端子9G连接。
<第2实施方式>
图4(a)是表示第2实施方式涉及的分波器201的结构的与图3(b)对应的图。
分波器201只有增强层的形状与第1实施方式的分波器1不同。具体来说，在本实施方式的增强层211中，第2区域部57B不与GND端子9G连接。其他(第1区域部57A的形状以及第2区域部57B的基本形状)与第1实施方式相同。
这样，在本实施方式中，第1区域部57A与GND端子9G连接，第2区域部57B被设为电浮置状态。因此，例如，不必将第2区域部57B与GND端子9G连接，增强层211的设计自由度高。此外，在后述的仿真计算中，第2实施方式涉及的实施例相比第1实施方式涉及的实施例，隔离性得到提高。
<实施例>
针对增强层，设想比较例或者实施例涉及的各种平面形状，进行对分波器的特性进行调查的仿真计算。
以下所述的多个实施例以及多个比较例涉及的分波器的结构除增强层的平面形状以外都相同。分波器与High Band对应。另外，在该例中，接收频段的频率比发送频段的频率高。
图4(b)是表示第1比较例的分波器301的结构的与图3(b)对应的图。该分波器301的增强层303只有未设置第2区域部57B这一点与第1实施方式以及第2实施方式的增强层不同。
图5(a)～图5(e)示出针对第1实施方式涉及的实施例(第1实施例)、第2实施方式涉及的实施例(第2实施例)以及第1比较例的仿真计算结果。
图5(a)示出分波器的透过特性。图5(b)以比图5(a)更宽的频率范围和更宽的通过特性范围来示出分波器的透过特性。图5(c)以比图5(b)还宽的频率范围来示出分波器的透过特性。图5(d)示出分波器的隔离性特性。图5(e)是图5(d)的一部分(发送频段)的放大图。
在图5(a)～图5(e)中，横轴表示频率(MHz)，纵轴表示特性(dB)。分配给线种的记号是，E1：第1实施例(图3(b))，E2：第2实施例(图4(a))，CE1：第1比较例(图4(b))。
根据这些图(特别是图5(e))，可知第1实施例、第2实施例以及第1比较例可得到大致彼此同等的特性。即，在第1及第2实施例中，通过设置第2区域部57B，可得到相比第1比较例更加增加盖体7的效果，同时在另一方面可得到与省略第2区域部57B的情况同等的隔离性提高的效果。此外，若对第1实施例以及第2实施例进行比较，则作为整体，第2实施例可得到良好一些的隔离性特性。此外，若关注于从2500MHz到2570MHz的特性的最大值，则能够确认到第1实施例、第2实施例相比第1比较例得到了改善。
图6(a)是表示第2比较例的分波器311的结构的与图3(b)对应的图。该分波器311的增强层313只有在第2区域部57B的D2轴方向正侧将第2区域部57B和第1区域部57A连接(在多个串联谐振器51的排列方向上连接)这一点与第2实施方式的增强层211不同。
如上述这样连接的结果是，第2实施方式中的第1区域部57A与第2区域部57B的间隙的一部分(第2区域部57B的D1轴方向正侧)在第2比较例中成为增强层313的切入部315。切入部315位于接收滤波器43和发送滤波器41之间。切入部315例如包括宽度相对于长度较窄的狭缝部315a。狭缝部315a例如以大致固定的宽度直线状延伸。其宽度比较窄，例如，比框部13当中的两个空间17之间的隔壁的宽度窄。
图6(b)是表示第3比较例的分波器321的结构的与图3(b)对应的图。该分波器321的增强层323只有在以下点与第2比较例的增强层313不同，即，在第2比较例(图6(a))中，在成为狭缝部315a的区域中，连接第2区域部57B和第1区域部57A。
图7(a)～图7(e)是表示针对第1实施例、第2比较例以及第3比较例的仿真计算结果的与图5(a)～图5(e)对应的图。分配给线种的记号是，E1：第1实施例(图3(b))，CE2：第2比较例(图6(a))，CE3：第3比较例(图6(b))。
第1实施例相比第2比较例以及第3比较例，隔离性特性更好。即，确认到，通过将第2区域部57B从第1区域部57A分离，可提高隔离性特性。
若对第2比较例和第3比较例进行比较，则第2比较例相比第3比较例，隔离性特性更好。因此，确认到，位于发送滤波器41与接收滤波器43之间的狭缝部315a(在第1实施例中是第1区域部57A与第2区域部57B的间隙)在隔离性提高方面是有用的。
图8(a)是表示第4比较例的分波器331的结构的与图3(b)对应的图。该分波器331的增强层333只有在以下点与第2实施方式的增强层211不同，即，在第2区域部57B的D1轴方向正侧连接第2区域部57B和第1区域部57A(在发送滤波器41以及接收滤波器43的排列方向上连接)。
如上述这样连接的结果是，第2实施方式中的第1区域部57A与第2区域部57B的间隙的一部分(第2区域部57B的D2轴方向正侧)在第2比较例中成为增强层333的切入部335。切入部335位于接收滤波器43的前段部分与后段部分之间。
图8(b)是表示第5比较例的分波器341的结构的与图3(b)对应的图。该分波器341的增强层343只有在以下点与第5比较例的增强层333不同，即，在第4比较例(图8(a))中，也在切入部335的里侧的一部分，连接第2区域部57B和第1区域部57A。
图9(a)～图9(e)是表示针对第1实施例、第4比较例以及第5比较例的仿真计算结果的与图5(a)～图5(e)对应的图。分配给线种的记号是，E1：第1实施例(图3(b))，CE4：第4比较例(图8(a))，CE5：第5比较例(图8(b))。
第1实施例与第4比较例以及第5比较例相比，隔离性特性更好。即，确认到，通过使第2区域部57B从第1区域部57A分离，从而隔离性特性得到提高。此外，若对第4比较例和第5比较例进行比较，则第4比较例相比第5比较例，隔离性特性更好。因此，确认到，第1区域部57A与第2区域部57B之间的狭缝部在隔离性提高方面是有用的。
图10(a)是表示第6比较例的分波器351的结构的与图3(b)对应的图。该分波器351的增强层353只有在以下点与第2实施方式的增强层211不同，即，在第2区域部57B的D1轴方向正侧连接第2区域部57B和第1区域部57A(在发送滤波器41以及接收滤波器43的排列方向上连接)。
该连接位置与第4比较例(图8(a))相比位于D2轴方向负侧，其中，第4比较例与本比较例同样地在第2区域部57B的D1轴方向正侧进行了连接。更具体来说，在第4比较例中，第2区域部57B在第3串联谐振器51C的位置处与第1区域部57A连接，相对于此，在本比较例中，第2区域部57B在第4串联谐振器51D的位置处与第1区域部57A连接。此外，切入部355延伸成间隔开接收滤波器43的前段部分和后段部分，然后延伸成间隔开接收滤波器43和发送滤波器41。
图10(b)是表示第7比较例的分波器361的结构的与图3(b)对应的图。该分波器361的增强层363只有在以下点与第2实施方式的增强层211不同，即，在第2区域部57B的D2轴方向正侧连接第2区域部57B和第1区域部57A(在多个串联谐振器51的排列方向上连接)。
该连接位置与第2比较例(图6(a))相比限定在D1轴方向负侧的一部分，其中，第2比较例与本比较例同样地在第2区域部57B的D2轴方向正侧进行连接。切入部365与第2比较例的切入部315相比，里侧较广或者较长，而且位于接收滤波器43的前段部分与后段部分之间。
图11(a)～图11(e)是表示针对第1实施例、第6比较例以及第7比较例的仿真计算结果的与图5(a)～图5(e)对应的图。分配给线种的记号是，E1：第1实施例(图3(b))，CE6：第6比较例(图10(a))，CE7：第7比较例(图10(b))。
第1实施例与第6比较例以及第7比较例相比，隔离性特性更好。即，确认到，通过将第2区域部57B从第1区域部57A分离，可提高隔离性特性。
图12是表示第8比较例的分波器371的结构的与图3(b)对应的图。该分波器371的增强层373只有在省略了与发送滤波器41对置的区域的一部分这一点上与第2比较例(图6(a))不同。在另一观点下，在第1比较例(图4(b))中，省略了增强层当中与接收滤波器43的一部分对置的区域，相对于此，在本比较例中，省略了增强层当中与发送滤波器41的一部分对置的区域。具体来说，增强层373仅与发送滤波器41当中在信号路径上的天线端子9A侧的一部分(47A、47B以及49A)对置。
另外，如在第1实施例、第2实施例以及第1比较例的仿真计算结果(图5(a)～图5(e))中所示出的那样，在将增强层的一部分分离的情况下，可得到与省略该一部分的情况同等的隔离性提高的效果。因此，可以说第8比较例关于隔离性特性示出了将增强层的一部分分离后的结果。
图13(a)～图13(e)是表示针对第1实施例以及第8比较例的仿真计算结果的与图5(a)～图5(e)对应的图。分配给线种的记号是，E1：第1实施例(图3(b))，CE8：第8比较例(图12)。
第1实施例相比第8比较例，隔离性特性更好。即，在本次的仿真结果中，将增强层当中与接收滤波器43的接收端子9R侧的一部分对置的区域从其他区域分离相比省略(分离)增强层当中与发送滤波器41的发送端子9T侧的一部分对置的区域，隔离性特性得到了提高。
若在第2比较例(图6(a))和第8比较例中对仿真结果进行比较，则第2比较例的隔离性特性更好。在这些比较例中，接收滤波器43和发送滤波器41的隔着增强层的耦合被切入部59以及315充分抑制，可认为并没有出现将增强层当中与发送滤波器41的一部分对置的区域省略后得到的效果。
另一方面，若在第3比较例(图6(b))和第8比较例中对仿真结果进行比较，则第8比较例的隔离性特性更好。因此，可以说，在如第3比较例那样未设置切入部315的情况下，通过省略(或者分离)与发送滤波器41的一部分对置的区域，可提高隔离性。
图14( a)是表示第9比较例的分波器381的结构的与图3(b)对应的图。该分波器381的增强层383具有：第1区域部385A，仅与发送滤波器41对置；和第2区域部385B，仅与接收滤波器43对置。第1区域部385A例如与发送滤波器41的整体(所有谐振器)对置。第2区域部385B例如与接收滤波器43的整体(所有谐振器)对置。增强层383的具体的形状在第2比较例(图6(a))中成为将狭缝部59a向D2轴正侧延长的形状。
图14(b)是表示第10比较例的分波器391的结构的与图3(b)对应的图。该分波器391的增强层393将第9比较例的增强层383连接在第5GND端子9G5而成。
图15(a)～图15(e)是表示针对第1实施例、第9比较例以及第10比较例的仿真计算结果的与图5(a)～图5(e)对应的图。分配给线种的记号是，E1：第1实施例(图3(b))，CE9：第9比较例(图14(a))，CE10：第10比较例(图14(b))。
在第9比较例以及第10比较例中，与第1实施例相比，隔离性劣化。这被认为是，例如，通过在发送滤波器41和接收滤波器43之间分割增强层，从而基准电位部的电感变大，认为是极(pole)运动引起的。其中，在第9比较例以及第10比较例中，由于发送滤波器41和接收滤波器43隔着增强层发生耦合的可能性降低，因此例如相比设置与发送滤波器41及接收滤波器43的整体对置且完全没有形成切入部(59、315等)的增强层的方式，可期待隔离性提高的效果。
<通信装置>
图16是表示作为分波器1的利用例的通信装置101的主要部分的框图。通信装置101利用电波进行无线通信，包括分波器1。
在通信装置101中，包括应发送的信息的发送信息信号TIS被RF-IC(RadioFrequency Integrated Circuit)103调制以及频率上调(载波频率向高频信号的变换)后，成为发送信号TS。发送信号TS通过带通滤波器105去除发送用的通带以外的不需要成分，被放大器107放大后被输入到分波器1(发送端子9T)。并且，分波器1从所输入的发送信号TS中去除发送用的通带以外的不需要成分，将该去除后的发送信号TS从天线端子9A输出到天线109。天线109将所输入的电信号(发送信号TS)变换成无线信号(电波)来进行发送。
此外，在通信装置101中，天线109接收的无线信号(电波)被天线109变换成电信号(接收信号RS)，输入到分波器1(天线端子9A)。分波器1从所输入的接收信号RS中去除接收用的通带以外的不需要成分并从接收端子9R输出到放大器111。所输出的接收信号RS被放大器111放大，通过带通滤波器113去除接收用的通带以外的不需要成分。并且，接收信号RS通过RF-IC103被进行频率下调以及解调，成为接收信息信号RIS。
另外，发送信息信号TIS以及接收信息信号RIS可以是包括适当的信息的低频信号(基带信号)，例如，是模拟的声音信号或者数字化的声音信号。无线信号的通带可以遵循UMTS等各种规格。调制方式可以是相位调制、振幅调制、频率调制或者这些当中任意两个以上的组合中的任一个。电路方式在图16中例示了直接变换方式，但也可以是这以外的适当的方式，例如，可以是双变频超外差方式。此外，图16仅示意性示出了主要部分，可以在适当的位置追加低通滤波器、隔离器等，此外，也可以变更放大器等的位置。
另外，在以上的实施方式中，基板3是压电基板的一例，基板3的上表面是第1面的一例，IDT电极23是电极的一例，天线端子9A是公共端子的一例，发送端子9T是第1端子的一例，接收端子9R是第2端子的一例，发送滤波器41是第1滤波器(或者第2滤波器)的一例，接收滤波器43是第2滤波器(或者第1滤波器)的一例，第1GND端子9G1～第4GND端子9G4分别是第1基准电位端子的一例，第5GND端子9G5是第2基准电位端子的一例，第2串联谐振器51B(或者第1串联谐振器51A)是第1谐振器(或者第2谐振器)的一例，第3串联谐振器51C(或者第4串联谐振器51D)是第2谐振器(或者第1谐振器)的一例，RF-IC103是集成电路元件的一例。
本发明并不限于以上的实施方式，可以以各种形态来实施。
弹性波器件并不限于SAW器件。例如，可以利用体波，也可以包括压电薄膜谐振器。弹性波器件并不限于具有发送滤波器和接收滤波器的分波器(狭义的双工器)，例如，可以是对多个接收信号进行分波的分波器。此外，弹性波器件可以对三个以上的信号进行分波，也可以具有三个以上的滤波器。
增强层并不限于整面状的层。例如，增强层可以是梳状，或格子状，或网状。另外，根据在第1区域部57A设置切入部59这一点也可以理解，即使能够在增强层内定义多个部分(例如梳的多个齿)，只要这些多个部分彼此相连，这些多个部分在本公开中就构成增强层内的一个区域部。
分波器1(弹性波器件)也可以具有使端子9露出的同时覆盖增强层11的与盖部15的厚度相比充分薄的绝缘层。此外，分波器1也可以具有从增强层11之上重叠于盖部15的厚度与盖部15相同的第2盖部。在该方式下，端子9可以除了盖体7以外还贯通第2盖部。在这些方式中，可以说，若包括绝缘层或者第2盖部在内来定义盖体，则增强层11就会被设置在盖体的内部。其中，在本公开中，将比增强层11更靠下方侧的部分称为盖体。
弹性波器件可以具有在实施方式中例示的结构以外的适当的结构。例如，可以具有重叠于压电基板的下表面且用于对该下表面放出被充电的电荷的电极、和覆盖该电极的绝缘性的保护层。在端子的上表面也可以形成凸块。
弹性波器件的滤波器并不限于梯型滤波器，可以是其他形式的滤波器。例如，滤波器可以是将IDT电极在SAW的传播方向上排列多个而成的纵耦合双重模式型滤波器。
另外，公共端子、第1端子、第2端子、GND端子等可以不贯通盖体。例如，可以沿盖体的外侧面从压电基板的第1面导出到盖体的上表面。
此外，可以通过另一路径将增强层和谐振器连接到基准电位。
另外，从本公开中能够提取出不以增强层的分离作为要件的如下的技术思想。
一种弹性波器件，具有：
压电基板，具有第1面；
多个电极，位于所述第1面上且激励弹性波；
盖体，位于所述第1面上，以便在所述多个电极上构成空间，该盖体具有绝缘性；
公共端子、第1端子以及第2端子，位于所述第1面上且贯通所述盖体；以及
增强层，位于所述盖体上且由金属构成，
通过所述多个电极，构成位于将所述公共端子和所述第1端子相连的第1信号路径上的第1滤波器和位于将所述公共端子和所述第2端子相连的第2信号路径上的第2滤波器，
所述增强层具有：切入部，在所述第1面的俯视透视下位于所述第1滤波器与所述第1谐振器之间。
符号说明
1...分波器(弹性波器件)，3...基板(压电基板)，3a...上表面(第1面)，7...盖体，11...增强层，23...IDT电极(电极)，9A...天线端子(公共端子)，9T...发送端子(第1端子(或第2端子))，9R...接收端子(第2端子(或第1端子))，41...发送滤波器(第1滤波器(或第2滤波器))，43...接收滤波器(第2滤波器(或第1滤波器))，57A...第1区域部，57B...第2区域部。

Claims (7)

1.一种弹性波器件，具有：
压电基板，具有第1面；
多个电极，位于所述第1面上且激励弹性波；
盖体，位于所述第1面上，以便在所述多个电极上构成空间，该盖体具有绝缘性；
公共端子、第1端子以及第2端子，位于所述第1面上且贯通所述盖体；
增强层，位于所述盖体上且由金属构成；以及
第1基准电位端子，位于所述第1面上，且贯通所述盖体，并且被连接到基准电位，
通过所述多个电极，构成位于将所述公共端子和所述第1端子相连的第1信号路径上的第1滤波器和位于将所述公共端子和所述第2端子相连的第2信号路径上的第2滤波器，
所述增强层具有：
第1区域部，与所述第1滤波器以及所述第2滤波器对置；以及
第2区域部，与所述第2滤波器对置且与所述第1区域部分离，
所述第1区域部与所述第1基准电位端子连接，
所述第2区域部被设为电浮置状态。
2.根据权利要求1所述的弹性波器件，其中，
该弹性波器件还具有：第1基准电位端子以及第2基准电位端子，位于所述第1面上，且贯通所述盖体，
所述第1区域部与所述第1基准电位端子连接，
所述第2区域部与所述第2基准电位端子连接。
3.根据权利要求1或者2所述的弹性波器件，其中，
所述第2滤波器具有第1谐振器以及第2谐振器，
所述第1区域部除了所述第1滤波器外还与所述第1谐振器对置，
所述第2区域部与所述第2谐振器对置。
4.根据权利要求3所述的弹性波器件，其中，
所述第1滤波器是将输入到所述第1端子的信号输出到所述公共端子的发送滤波器，
所述第2滤波器是将输入到所述公共端子的信号输出到所述第2端子的接收滤波器，
所述第1谐振器以及所述第2谐振器在所述公共端子与所述第2端子之间被互相串联连接成所述第2谐振器比所述第1谐振器更靠所述第2端子侧，
所述第1区域部仅与所述第2滤波器当中在信号路径上比所述第2谐振器更靠所述公共端子侧的部分对置，
所述第2区域部仅与所述第2滤波器当中在信号路径上比所述第1谐振器更靠所述第2端子侧的部分对置。
5.根据权利要求3所述的弹性波器件，其中，
所述第2滤波器的通频带高于所述第1滤波器的通频带。
6.根据权利要求3所述的弹性波器件，其中，
所述第1区域部具有：切入部，在所述第1面的俯视透视下位于所述第1滤波器与所述第1谐振器之间。
7.一种通信装置，具有：
天线；
将所述公共端子与所述天线连接的权利要求1～6中任一项所述的弹性波器件；以及
与所述第1端子以及所述第2端子连接的集成电路元件。
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