JP5115649B2

JP5115649B2 - 弾性波素子および弾性波フィルタ

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Publication number: JP5115649B2
Application number: JP2011501492A
Authority: JP
Inventors: 洋輝上口; 秀和中西; 陽介濱岡; 庄司岡本; 弘幸中村
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2009-02-25
Filing date: 2010-02-23
Publication date: 2013-01-09
Anticipated expiration: 2030-02-23
Also published as: CN102204092B; WO2010098065A1; CN102204092A; JPWO2010098065A1; US8669832B2; US20110193655A1

Description

本発明は、互いに対向する複数の電極を有する弾性波素子および弾性波フィルタに関する。

弾性波素子は、携帯電話等の通信機器の高周波フィルタ等の弾性波フィルタに用いられる。図８Ａは特許文献１に記載されている従来の弾性波素子７０Ａの平面図である。弾性波素子７０Ａは弾性波共振器である。弾性波素子７０Ａは、圧電基板上に形成されたインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極７１と、圧電基板上に形成された反射器電極７２、７３とを備える。ＩＤＴ電極７１は、互いに対向する櫛歯電極７１Ａ、７１Ｂを有する。櫛歯電極７１Ａの交差電極指７１Ｄと櫛歯電極７１Ｂの交差電極指７１Ｈは交差する。反射器電極７２、７３は、ＩＤＴ電極７１によって励振される弾性波の伝搬方向の両側に形成されている。

櫛歯電極７１Ａは、バスバー７１Ｃと、バスバー７１Ｃに電気的に接続された複数の交差電極指７１Ｄと、櫛歯電極７１Ｂの交差電極指７１Ｈと対向するとともにバスバー７１Ｃに電気的に接続されたダミー電極指７１Ｆから成る。また、櫛歯電極７１Ｂは、バスバー７１Ｇと、バスバー７１Ｇに電気的に接続された複数の交差電極指７１Ｈと、櫛歯電極７１Ａの交差電極指７１Ｄと対向するとともにバスバー７１Ｇに電気的に接続されたダミー電極指７１Ｊから成る。

非交差領域７５Ａ、７５Ｃに設けたダミー電極指７１Ｆ、７１Ｊにより不要な共振成分である横モードスプリアスをこれらの領域に閉じ込めることができる。

図８Ｂは特許文献１に記載されている他の従来の弾性波素子７０Ｂの平面図である。弾性波素子７０Ｂは弾性波共振器である。図８Ｂにおいて、図８Ａに示す弾性波素子７０Ａと同じ部分には同じ参照番号を付す。櫛歯電極７１Ａは、非交差領域７５Ａにおいて交差電極指７１Ｄとダミー電極指７１Ｆの間隙部に設けられた重み付け部７１Ｋを有する。また、櫛歯電極７１Ｂは、非交差領域７５Ｃにおいて交差電極指７１Ｈとダミー電極指７１Ｊの間隙部に設けられた重み付け部７１Ｍを有する。

重み付け部７１Ｋ、７１Ｍの大きさをバスバー７１Ｃ、７１Ｇに沿って徐々に変化させる事により、ダミー電極指７１Ｆ、７１Ｊにより閉じ込めた横モードスプリアスを効果的に抑圧することができる。

弾性波素子７０Ａにおいて、ＩＤＴ電極７１と反射器電極７２間、又はＩＤＴ電極７１と反射器電極７３間が短絡する可能性があり、特性が劣化する。また、弾性波素子７０Ｂにおいては、ＩＤＴ電極７１と反射器電極７２間、又はＩＤＴ電極７１と反射器電極７３間がより頻繁に短絡する可能性がある。

以下、短絡がより顕著に生じる弾性波素子７０Ｂについて説明する。

図９Ａ〜図９Ｈは弾性波素子７０Ｂの製造方法を示す断面図である。まず、図９Ａに示すように、ＬｉＴａＯ３等の圧電材料よりなる基板８１の上面に、電極膜８２を蒸着又はスパッタ等の方法で成膜する。次に、図９Ｂに示すように、電極膜８２の上面にレジスト膜８３を形成する。次に、図９Ｃに示すように、フォトリソグラフィ技術を用いてレジスト膜８３を所望の形状に加工する。次に、図９Ｄに示すように、ドライエッチング技術等を用いて電極膜８２をＩＤＴ電極７１や反射器電極７２、７３等の所望の形状に加工した後、レジスト膜８３を除去する。次に、図９Ｅに示すように、電極膜８２を覆うようにＳｉＯ_２等の誘電体の薄膜よりなる保護膜８４を蒸着又はスパッタ等の成膜方法により形成する。次に、図９Ｆに示すように、保護膜８４の表面にレジスト膜８５を形成する。次に、図９Ｇに示すように、露光及び現像技術等を用いてレジスト膜８５を所望の形状に加工する。次に、図９Ｈに示すように、ドライエッチング技術等を用いて、電気信号の入出力を行うためのパッド８６等、保護膜８４が不要な部分を取り除き、その後レジスト膜８５を除去する。最後に、ダイシングにより個々のチップに分割した後、チップをパッケージにダイボンド等によりマウントし、ワイヤーボンディングした後、溶接等により蓋を固定して気密封止することにより、弾性波素子７０Ｂを製造することができる。

図１０Ａ〜図１０Ｃは、図９Ｂ〜図９Ｄに示す弾性波素子７０Ｂのレジスト膜８３の露光からレジスト膜８３の除去までの工程を詳細に示す断面図である。特に図１０Ｃは、図８Ｂに示す弾性波素子７０Ｂの線１０Ｃ−１０Ｃにおける断面図である。

図１０Ａに示すように、マスク９１を通して光源からの露光光をレジスト膜８３に対して照射し、その後に現像処理を行うことにより、露光していない部分のみにレジスト膜８３が残存する。マスク９１に含まれるマスク部分９１ＢはＩＤＴ電極７１を形成するためのマスク部分であり、マスク部分９１Ａ、９１Ｃはそれぞれ反射器電極７２、７３を形成するためのマスク部分である。

図１０Ｂに示すように、図１０Ａに示すレジスト膜８３は露光及び現像処理後にレジスト膜８３Ａとなる。反射器電極７２、７３を形成するレジスト膜９２Ａ、９２ＣのそれぞれとＩＤＴ電極７１を形成するレジスト膜９２Ｂとの間に不要なレジスト膜９３が残る場合がある。不要なレジスト膜９３の残った図１０Ｂに示すレジスト膜８３Ａを通して電極膜８２をドライエッチングすると、図１０Ｃに示すように、電極膜８２を十分には除去できず、不要な電極膜９４が残存し、ＩＤＴ電極７１と反射器電極７２、或いはＩＤＴ電極７１と反射器電極７３とが短絡する場合が生じ、弾性波素子７０Ｂの特性劣化が発生する。

特開２００６−３５２７６４号公報

弾性波素子は、インターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極と、ＩＤＴ電極に対向する第１の別電極とを備える。ＩＤＴ電極は、互いに対向する第１と第２の櫛歯電極を有する。第１の櫛歯電極は、第１のバスバーと複数の第１の交差電極指と複数の第１のダミー電極指とを含む。第２の櫛歯電極は、第２のバスバーと、複数の第１の交差電極指と交差領域において交差する複数の第２の交差電極指と、複数の第１の交差電極指とそれぞれ対向する複数の第２のダミー電極指と、複数の重み付け部と、非重み付け部とを含む。複数の重み付け部は、複数の第２の交差電極指と複数の第２のダミー電極指との間の間隙部に設けられた電極よりなる。非重み付け部では、非交差領域において、間隙部のうちで別電極に最も近い間隙部で電極が設けられていない。

この弾性波素子は、ＩＤＴ電極と別電極との短絡を防ぎ、かつ、優れた不要波抑圧特性を有する。

図１Ａは本発明の実施の形態１における弾性波素子の平面図である。図１Ｂは実施の形態１における弾性波素子の製造工程を示す断面図である。図１Ｃは実施の形態１における弾性波素子の製造工程を示す断面図である。図１Ｄは実施の形態１における弾性波素子の製造工程を示す断面図である。図１Ｅは実施の形態１における弾性波素子の製造工程を示す断面図である。図２Ａは実施の形態１における弾性波素子の製造工程を示す断面図である。図２Ｂは実施の形態１における弾性波素子の製造工程を示す断面図である。図２Ｃは実施の形態１における弾性波素子の製造工程を示す断面図である。図２Ｄは実施の形態１における他の弾性波素子の断面図である。図２Ｅは実施の形態１における弾性波フィルタの回路図である。図３は本発明の実施の形態２における弾性波フィルタの平面図である。図４は実施の形態２における他の弾性波フィルタの平面図である。図５Ａは本発明の実施の形態３における弾性波フィルタの平面図である。図５Ｂは実施の形態３における他の弾性波フィルタの平面図である。図５Ｃは実施の形態３におけるさらに他の弾性波フィルタの平面図である。図６Ａは実施の形態３におけるさらに他の弾性波フィルタの平面図である。図６Ｂは実施の形態３におけるさらに他の弾性波フィルタの平面図である。図６Ｃは実施の形態３におけるさらに他の弾性波フィルタの平面図である。図７Ａは本発明の実施の形態４における弾性波フィルタの平面図である。図７Ｂは実施の形態４における他の弾性波フィルタの平面図である。図８Ａは従来の弾性波素子の平面図である。図８Ｂは他の従来の弾性波素子の平面図である。図９Ａは図８Ｂに示す従来の弾性波素子の製造工程を示す断面図である。図９Ｂは図８Ｂに示す従来の弾性波素子の製造工程を示す断面図である。図９Ｃは図８Ｂに示す従来の弾性波素子の製造工程を示す断面図である。図９Ｄは図８Ｂに示す従来の弾性波素子の製造工程を示す断面図である。図９Ｅは図８Ｂに示す従来の弾性波素子の製造工程を示す断面図である。図９Ｆは図８Ｂに示す従来の弾性波素子の製造工程を示す断面図である。図９Ｇは図８Ｂに示す従来の弾性波素子の製造工程を示す断面図である。図９Ｈは図８Ｂに示す従来の弾性波素子の製造工程を示す断面図である。図１０Ａは図８Ｂに示す従来の弾性波素子の製造工程を示す断面図である。図１０Ｂは図８Ｂに示す従来の弾性波素子の製造工程を示す断面図である。図１０Ｃは図８Ｂに示す従来の弾性波素子の製造工程を示す断面図である。

（実施の形態１）
図１Ａは本発明の実施の形態１における弾性波素子１０の平面図である。弾性波素子１０は、圧電基板２１と、圧電基板２１の表面２１Ａ上に形成されたインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極１１と、圧電基板２１の表面２１Ａ上に設けられた反射器電極１２、１３とを備える。ＩＤＴ電極１１と反射器電極１２、１３は、アルミや銀、金、白金、チタン、銅またはこれらの合金等の導電材料よりなる。反射器電極１２、１３はＩＤＴ電極１１と異なる別電極である。ＩＤＴ電極１１は、互いに対向する櫛歯電極１１Ａ、１１Ｂを有する。ＩＤＴ電極１１により励起された弾性波は表面２１Ａに沿って方向１０Ａに伝播する。反射器電極１２、１３はＩＤＴ電極１１の方向１０Ａの両側に設けられている。すなわち、ＩＤＴ電極１１が反射器電極１２、１３間に位置するように、ＩＤＴ電極１１と反射器電極１２、１３は方向１０Ａに配列されている。

上述の導電材料よりなる櫛歯電極１１Ａは、方向１０Ａに延びるバスバー１１Ｃと、バスバー１１Ｃから櫛歯電極１１Ｂに向かって方向１０Ａと異なる方向である実質的に直角の方向１０Ｂに延びる複数の交差電極指１１Ｄと、バスバー１１Ｃから櫛歯電極１１Ｂに向かって方向１０Ｂに延びる複数のダミー電極指１１Ｆとを含む。上述の導電材料よりなる櫛歯電極１１Ｂは、方向１０Ａに延びるバスバー１１Ｇと、バスバー１１Ｇから櫛歯電極１１Ａに向かって方向１０Ｂと反対の方向１０Ｄに延びる複数の交差電極指１１Ｈと、バスバー１１Ｇから櫛歯電極１１Ａに向かって方向１０Ｄに延びる複数のダミー電極指１１Ｊとを含む。複数の交差電極指１１Ｈは、櫛歯電極１１Ａの複数の交差電極指１１Ｄと交差領域１５Ａにおいて交差する、すなわち方向１０Ａで複数の交差電極指１１Ｈに重なっている。また、複数の交差電極指１１Ｈは櫛歯電極１１Ａの複数のダミー電極指１１Ｆとそれぞれ方向１０Ｄで対向している。櫛歯電極１１Ｂの複数のダミー電極指１１Ｊは、櫛歯電極１１Ａの複数の交差電極指１１Ｄとそれぞれ方向１０Ｄで対向している。バスバー１１Ｇの櫛歯電極１１Ａに最も近い端９１１Ｂは方向１０Ａに直線状に延びる。バスバー１１Ｃの櫛歯電極１１Ｂに最も近い端９１１Ａは方向１０Ａに直線状に延びる。

櫛歯電極１１Ａは電極よりなる複数の重み付け部１１Ｋをさらに含む。複数の重み付け部１１Ｋは、複数の交差電極指１１Ｄと複数のダミー電極指１１Ｆとの間の間隙部に設けられ、かつ表面２１Ａの交差領域１５Ａ以外の非交差領域１５Ｂに設けられている。

また、櫛歯電極１１Ａは非交差領域１５Ｂに設けられた非重み付け部１１Ｌをさらに含む。複数の交差電極指１１Ｄと複数のダミー電極指１１Ｆのうちで最外側電極指１１Ｒが反射器電極１２に最も近い。非重み付け部１１Ｌは、最外側電極指１１Ｒと隣り合う電極指１１Ｖと最外側電極指１１Ｒとの間の間隙部に設けられている。非重み付け部１１Ｌでは電極が設けられていない。

また、櫛歯電極１１Ａは非交差領域１５Ｂに設けられた非重み付け部１１Ｐをさらに含む。複数の交差電極指１１Ｄと複数のダミー電極指１１Ｆのうちで最外側電極指１１Ｓが反射器電極１３に最も近い。非重み付け部１１Ｐは、最外側電極指１１Ｓと隣り合う電極指１１Ｗと最外側電極指１１Ｓとの間の間隙部に設けられている。非重み付け部１１Ｐでは電極が設けられていない。

櫛歯電極１１Ｂは上述の導電材料よりなる複数の重み付け部１１Ｍをさらに含む。複数の重み付け部１１Ｍは、複数の交差電極指１１Ｈと複数のダミー電極指１１Ｊとの間の間隙部に設けられ、かつ表面２１Ａの非交差領域１５Ｂに設けられている。

また、櫛歯電極１１Ｂは非交差領域１５Ｂに設けられた非重み付け部１１Ｎをさらに含む。複数の交差電極指１１Ｈと複数のダミー電極指１１Ｊのうちで最外側電極指１１Ｔが反射器電極１２に最も近い。非重み付け部１１Ｎは、最外側電極指１１Ｔと隣り合う電極指１１Ｘと最外側電極指１１Ｔとの間の間隙部に設けられている。非重み付け部１１Ｎでは電極が設けられていない。

また、櫛歯電極１１Ｂは非交差領域１５Ｂに設けられた非重み付け部１１Ｑをさらに含む。複数の交差電極指１１Ｈと複数のダミー電極指１１Ｊのうちで最外側電極指１１Ｕが反射器電極１３に最も近い。非重み付け部１１Ｑは、最外側電極指１１Ｕと隣り合う電極指１１Ｙと最外側電極指１１Ｕとの間の間隙部に設けられている。非重み付け部１１Ｑでは電極が設けられていない。

非重み付け部１１Ｌ、１１Ｎ、１１Ｐ、１１Ｑにより、反射器電極１２、１３のそれぞれとＩＤＴ電極１１との短絡を防ぐことができる。

なお、非重み付け部１１Ｌ、１１Ｐでは、最外側電極指１１Ｒ、１１Ｓとそれらに隣り合う電極指１１Ｖ、１１Ｗとがそれぞれ短絡する可能性がある。しかし、最外側電極指１１Ｒと電極指１１Ｖとが同電位であり、最外側電極指１１Ｓと電極指１１Ｗとが同電位なので短絡が起こっても特性には影響しない。また、非重み付け部１１Ｎ、１１Ｑでは最外側電極指１１Ｔ、１１Ｕとそれらに隣り合う電極指１１Ｘ、１１Ｙがそれぞれ短絡する可能性がある。しかし、最外側電極指１１Ｔと電極指１１Ｘとは同電位であり、最外側電極指１１Ｕと電極指１１Ｙは同電位なので、短絡が起こっても特性には影響しない。

弾性波素子１０の製造方法を説明する。図１Ｂから図１Ｅは弾性波素子１０の製造方法を示す断面図である。まず、図１Ｂに示すように、圧電基板２１の表面２１Ａに上述の導電材料により電極膜２２を蒸着又はスパッタ等の方法で成膜する。次に、図１Ｃに示すように、電極膜２２の上面にレジスト膜２３を形成する。次に、図１Ｄに示すように、フォトリソグラフィ技術を用いてレジスト膜２３を所望の形状に加工する。次に、図１Ｅに示すように、ドライエッチング技術等を用いて電極膜２２をＩＤＴ電極１１や反射器電極１２、１３等の所望の形状に加工した後、レジスト膜２３を除去する。

図２Ａから図２Ｃは弾性波素子１０の製造方法の詳細を示す断面図であり、図１Ｃに示すレジスト膜２３の露光から図１Ｅに示すレジスト膜２３の除去までの工程の詳細を示す。特に、図２Ｃは図１Ａに示す弾性波素子１０の線２Ｃ−２Ｃにおける断面図である。

図２Ａに示すように、光を透過させる開口部と、光を透過させない遮光部とを有するマスク２４を準備する。マスク２４を通して光源からのレーザー光をレジスト膜２３に対して照射する。マスク２４は、ＩＤＴ電極１１を形成するマスク部分２４Ｂと、反射器電極１２、１３を形成するマスク部分２４Ａ、２４Ｃとを有する。マスク部分２４Ｂは、両端の遮光部分２２４Ｂの内側に位置する開口部分２５を有する。開口部分２５は、図１Ａに示す非重み付け部１１Ｌ、１１Ｎを形成する。

遮光部と開口部とを有するマスクのうちのある部分の全面積に対する開口部の面積の比率をその部分の開口率と定義する。図８Ｂに示す従来の弾性波素子７０Ｂを形成するための図１０Ａに示すマスク９１のマスク部分９１Ｂでは、図２Ａに示す開口部分２５が形成されていない。この結果、マスク部分２４Ｂ、２４Ａ間の位置の近傍の開口率と、マスク部分２４Ｂ、２４Ｃ間の位置の近傍の開口率は、図１０Ａに示すマスク部分９１Ｂ、９１Ａ間の位置の近傍の開口率やマスク部分９１Ｂ、９１Ｃ間の位置の近傍の開口率よりも大きい。

この結果、十分な露光量を確保することができ、図２Ｂに示すように、レジスト膜２３Ａに不要なレジスト膜が残存せず、結果として、図２Ｃに示すように、電極膜２２Ａに不要な電極膜が残存しない。したがって、ＩＤＴ電極１１と反射器電極１２との短絡やＩＤＴ電極１１と反射器電極１３との短絡を防ぐことができる。

図８Ｂに示す従来の弾性波素子７０Ｂでは、図１０Ａに示すレジスト膜８３は露光及び現像処理後に図１０Ｂに示すようにレジスト膜８３Ａとなる。反射器電極７２、７３を形成するレジスト膜９２Ａ、９２ＣのそれぞれとＩＤＴ電極７１を形成するレジスト膜９２Ｂとの間に不要なレジスト膜９３が残る場合がある。重み付け部７１Ｋを形成するために、マスク部分９１Ｂの両端の部分での開口率が小さくなる、すなわちマスク部分９１Ｂ、９１Ａ間の部分での開口率とマスク部分９１Ｂ、９１Ｃ間の部分の開口率が他の領域に比べて小さくなる。したがって、十分な量の露光光をレジスト膜８３のそれらの部分に照射することができず、不要なレジスト膜９３が残存する。特に、弾性波素子７０Ｂの動作周波数が高くなるほど、離間部７４の間隔が狭くなるので、不要なレジスト膜９３が残りやすい。

図１Ａに示す実施の形態１における弾性波素子１０では、非重み付け部１１Ｌ、１１Ｎ、１１Ｐ、１１Ｑにより、ＩＤＴ電極１１と反射器電極１２の間の離間部１４の開口率やＩＤＴ電極１１と反射器電極１３との間の離間部の開口率を大きくすることができ、ＩＤＴ電極１１と反射器電極１２との短絡やＩＤＴ電極１１と反射器電極１３との短絡を防ぐことができる。

実施の形態１における弾性波素子１０の櫛歯電極１１Ａ、１１Ｂでは、非重み付け部１１Ｌ、１１Ｎ、１１Ｐ、１１Ｑは、最外側電極指１１Ｒと電極指１１Ｖとの間と、最外側電極指１１Ｔと電極指１１Ｘとの間と、最外側電極指１１Ｓと電極指１１Ｗとの間と、最外側電極指１１Ｕと電極指１１Ｙとの間にそれぞれ設けられている。実施の形態１では、櫛歯電極１１Ａ、１１Ｂの電極が設けられていない非重み付け部が、電極指１１Ｖと電極指１１Ｖのさらに内側で隣り合う電極指との間の間隙部と、電極指１１Ｗと電極指１１Ｗのさらに内側で隣り合う電極指との間の間隙部と、電極指１１Ｘと電極指１１Ｘのさらに内側で隣り合う電極指との間の間隙部と、電極指１１Ｙと電極指１１Ｙのさらに内側で隣り合う電極指との間の間隙部とにそれぞれ設けられていてもよい。これにより開口率がさらに大きくなり、ＩＤＴ電極１１と反射器電極１２、１３の短絡による歩留まり劣化をさらに抑制することができる。

図１Ａに示すように、重み付け部１１Ｋの方向１０Ｂでの幅は、バスバー１１Ｃの中央部から反射器電極１２、１３に向かって徐々に大きくし、かつ重み付け部１１Ｍの方向１０Ｂでの幅は、バスバー１１Ｇの中央部から反射器電極１２、１３に向かって徐々に大きくしてもよく、これによって不要波を抑圧することができる。しかし、反射器電極１２、１３に近いＩＤＴ電極１１の部分で重み付け部１１Ｋ、１１Ｍの幅を大きくすることにより、従来の弾性波素子７０ＢではＩＤＴ電極７１と反射器電極７２、７３が短絡する可能性がある。実施の形態１における弾性波素子１０では、非重み付け部１１Ｌ、１１ＮによりＩＤＴ電極１１と反射器電極１２、１３が短絡せずに製造歩留まりを改善し、かつ不要波を効果的に抑圧することができる。

非重み付け部１１Ｌ、１１Ｎにより、不要波を閉じ込める重み付け部１１Ｋ、１１Ｍの幅が最外側で不連続となることにより、不要波の散乱を高めることができる。したがって、実施の形態１における弾性波素子１０は図８Ｂに示す従来の弾性波素子７０Ｂよりも、不要波をさらに大きく抑圧することができる。

反射器電極それぞれとＩＤＴ電極との距離が、互いに隣り合う交差電極指とダミー電極指との間の間隔以下である場合は、図８Ｂに示す従来の弾性波素子７０ＢではＩＤＴ電極７１と反射器電極７２、７３が短絡する可能性がさらに高くなる。実施の形態１における弾性波素子１０では、互いに隣り合う交差電極指とダミー電極指との間の間隔以下である場合でも、ＩＤＴ電極１１と反射器電極１２、１３が短絡することを防止することができる。

圧電基板２１をニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）で形成することにより、電気機械結合係数を大きくすることができ、低損失な弾性波素子１０が得られる。しかし、この場合は、不要波である横モード成分の電気機械結合係数も大きくなるため、重み付け部１１Ｋ、１１Ｍをより幅広くして抑圧する必要が生じる。その結果、圧電基板がＬｉＮｂＯ_３より形成されている場合は、図８Ｂに示す従来の弾性波素子７０ＢではＩＤＴ電極７１と反射器電極７２、７３が短絡する可能性がさらに高くなる。実施の形態１における弾性波素子１０では、この場合でも、ＩＤＴ電極１１と反射器電極１２、１３が短絡することを防止することができ、かつ、良好な不要波抑制特性が得られる。

図２Ｄは実施の形態１における他の弾性波素子１００１の断面図である。図２Ｄにおいて、図１Ａと図２Ｃに示す弾性波素子１０と同じ部分には同じ参照番号を付す。図２Ａから図２Ｃ示す製造工程で弾性波素子１０を製造した後、図９Ｅから図９Ｈに示す従来の弾性波素子７０Ｂの製造方法と同様に、圧電基板２１の表面２１ＡにＩＤＴ電極１１、反射器電極１２、１３を覆うＳｉＯ_２等の誘電体の薄膜よりなる保護膜１８４を形成することにより、弾性波素子１００１を製造することができる。弾性波素子１００１において圧電基板２１を−１５度から＋１５度のＹカットＬｉＮｂＯ_３基板で形成する。弾性波素子１００１やそれを用いた弾性波フィルタは広帯域で良好な温度特性を有するが、横モードによるスプリアスが現れやすい。また、ＳｉＯ_２などの誘電体の薄膜である保護膜１８４により弾性波の音速が下がるので、ＩＤＴ電極１１のピッチや、反射器電極１２、１３のそれぞれとＩＤＴ電極１１との間の間隔が狭くなる。弾性波素子１００１では重み付け部１１Ｋ、１１Ｍでスプリアスを抑圧する効果を高めることができ、非重み付け部１１Ｌ、１１Ｎ、１１Ｐ、１１Ｑにより、反射器電極１２、１３とＩＤＴ電極１１との短絡を防止することができる。

図２Ｅは実施の形態１による弾性波フィルタ１００２の回路図である。弾性波フィルタ１００２は直列腕弾性波素子１００２Ａと並列腕弾性波素子１００２Ｂとが接続されて構成されたラダー型弾性波フィルタである。弾性波素子１００２Ａ、１００２Ｂは弾性波素子１０（１００１）である。弾性波フィルタ１００２は電極の短絡を防止できるので、短絡による特性劣化を防止できる。

（実施の形態２）
図３は本発明の実施の形態２における弾性波フィルタ３０の平面図である。弾性波フィルタ３０は、弾性波が伝播する表面２００１Ａを有する圧電基板２００１と、ＩＤＴ電極３１Ａ、３１Ｂ、３１Ｃと、反射器電極３２、３３を有し、これらの電極は圧電基板２００１の表面２００１Ａ上に設けられており、弾性波が伝播する方向３０Ａに配列されている。弾性波フィルタ３０においては、ＩＤＴ電極３１Ｂに信号が入力され、ＩＤＴ電極３１Ａ、３１Ｃから信号が出力される。ＩＤＴ電極３１Ａは、方向３０Ａと異なる方向である実質的に直角の方向３０Ｂで互いに対向する櫛歯電極１３１Ａ、２３１Ａを有する。ＩＤＴ電極３１Ｂは、方向３０Ｂで互いに対向する櫛歯電極１３１Ｂ、２３１Ｂを有する。ＩＤＴ電極３１Ｃは、方向３０Ｂで互いに対向する櫛歯電極１３１Ｃ、２３１Ｃを有する。信号が入力される入力端子３０ＥはＩＤＴ電極３１Ｂの櫛歯電極１３１Ｂに接続されている。信号が出力される出力端子３０ＦはＩＤＴ電極３１Ａ、３１Ｃの櫛歯電極２３１Ａ、２３１Ｃに接続されている。ＩＤＴ電極３１Ａ〜３１Ｃの櫛歯電極１３１Ａ、２３１Ｂ、１３１Ｃはグランドに接続されて接地されている。

ＩＤＴ電極３１Ａの櫛歯電極１３１Ａ、２３１Ａは方向３０Ａで反射器電極３２と対向している。ＩＤＴ電極３１Ａの櫛歯電極１３１Ａ、２３１Ａは方向３０ＡでＩＤＴ電極３１Ｂの櫛歯電極１３１Ｂ、２３１Ｂとそれぞれ対向している。ＩＤＴ電極３１Ｂの櫛歯電極１３１Ｂ、２３１Ｂは方向３０ＡでＩＤＴ電極３１Ｃの櫛歯電極１３１Ｃ、２３１Ｃとそれぞれ対向している。ＩＤＴ電極３１Ｃの櫛歯電極１３１Ｃ、２３１Ｃは方向３０Ａで反射器電極３３と対向している。

ＩＤＴ電極３１Ａ、３１Ｃは、図１Ａに示す実施の形態１におけるＩＤＴ電極１１と同じ構造を有する。ＩＤＴ電極３１Ｂは図８Ｂに示す従来の弾性波素子７０Ｂと同様の構造を有するが、図１Ａに示す実施の形態１におけるＩＤＴ電極１１と同じ構造を有していてもよい。

弾性波フィルタ３０のＩＤＴ電極３１Ａと反射器電極３２とＩＤＴ電極３１Ｂの位置は、図１Ａに示す実施の形態１における弾性波素子１０のＩＤＴ電極１１と別電極である反射器電極１２と別電極である反射器電極１３の位置とそれぞれ同じである。ＩＤＴ電極３１Ａにおいては実施の形態１におけるＩＤＴ電極１１と同様に、櫛歯電極１３１Ａは図１Ａに示す櫛歯電極１１Ａの非重み付け部１１Ｌ、１１Ｐと同様の構造を有する非重み付け部３１Ｌ、３１Ｐを有する。これにより、櫛歯電極１３１Ａと隣り合う別電極であるＩＤＴ電極３１Ｂの櫛歯電極１３１Ｂや反射器電極３２との短絡を防ぐことができる。また、櫛歯電極２３１Ａは図１Ａに示す櫛歯電極１１Ｂの非重み付け部１１Ｎ、１１Ｑと同様の構造を有する非重み付け部３１Ｎ、３１Ｑを有する。これにより、櫛歯電極２３１Ａと隣り合う別電極であるＩＤＴ電極３１Ｂの櫛歯電極２３１Ｂや反射器電極３２との短絡を防ぐことができる。

弾性波フィルタ３０のＩＤＴ電極３１ＣとＩＤＴ電極３１Ｂと反射器電極３３の位置は、図１Ａに示す実施の形態１における弾性波素子１０のＩＤＴ電極１１と別電極である反射器電極１２と別電極である反射器電極１３の位置とそれぞれ同じである。ＩＤＴ電極３１Ｃにおいては実施の形態１におけるＩＤＴ電極１１と同様に、櫛歯電極１３１Ｃは図１Ａに示す櫛歯電極１１Ａの非重み付け部１１Ｌ、１１Ｐと同様の構造を有する非重み付け部１３１Ｌ、１３１Ｐを有する。これにより、櫛歯電極１３１Ｃと隣り合う別電極であるＩＤＴ電極３１Ｂの櫛歯電極１３１Ｂや反射器電極３２との短絡を防ぐことができる。また、櫛歯電極２３１Ｃは図１Ａに示す櫛歯電極１１Ｂの非重み付け部１１Ｎ、１１Ｑと同様の構造を有する非重み付け部１３１Ｎ、１３１Ｑを有する。これにより、櫛歯電極２３１Ｃと隣り合う別電極であるＩＤＴ電極３１Ｂの櫛歯電極２３１Ｂや反射器電極３３との短絡を防ぐことができる。

ＩＤＴ電極３１Ｂの両側に配置されているＩＤＴ電極３１Ａ、３１Ｃが非重み付け部を有しているので、ＩＤＴ電極３１Ａ、３１Ｂ間の部分と、ＩＤＴ電極３１Ｃ、３１Ｂ間の部分で開口率を大きくすることができる。したがって、ＩＤＴ電極３１Ｂの櫛歯電極１３１Ｂ、２３１Ｂは必ずしも非重み付け部を有していなくてもよい。

図４は実施の形態２における他の弾性波フィルタ４０の平面図である。弾性波フィルタ４０は、弾性波が伝播する表面３００１Ａを有する圧電基板３００１と、ＩＤＴ電極４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃと、反射器電極４２、４３を有し、これらの電極は圧電基板３００１の表面３００１Ａ上に設けられており、弾性波が伝播する方向４０Ａに配列されている。弾性波フィルタ４０においては、ＩＤＴ電極４１Ｂに信号が入力され、ＩＤＴ電極４１Ａ、４１Ｃから信号が出力される。ＩＤＴ電極４１Ａは、方向４０Ａと異なる方向である実質的に直角の方向４０Ｂで互いに対向する櫛歯電極１４１Ａ、２４１Ａを有する。ＩＤＴ電極４１Ｂは、方向４０Ｂで互いに対向する櫛歯電極１４１Ｂ、２４１Ｂを有する。ＩＤＴ電極４１Ｃは、方向４０Ｂで互いに対向する櫛歯電極１４１Ｃ、２４１Ｃを有する。信号が入力される入力端子４０ＥはＩＤＴ電極４１Ｂの櫛歯電極２４１Ｂに接続されている。信号が出力される出力端子４０ＦはＩＤＴ電極４１Ａ、４１Ｃの櫛歯電極２４１Ａ、２４１Ｃに接続されている。ＩＤＴ電極４１Ａ〜４１Ｃの櫛歯電極１４１Ａ、１４１Ｂ、１４１Ｃはグランドに接続されて接地されている。

ＩＤＴ電極４１Ａの櫛歯電極１４１Ａ、２４１Ａは方向４０Ａで反射器電極４２と対向している。ＩＤＴ電極４１Ａの櫛歯電極１４１Ａ、２４１Ａは方向４０ＡでＩＤＴ電極４１Ｂの櫛歯電極１４１Ｂ、２４１Ｂとそれぞれ対向している。ＩＤＴ電極４１Ｂの櫛歯電極１４１Ｂ、２４１Ｂは方向４０ＡでＩＤＴ電極４１Ｃの櫛歯電極１４１Ｃ、２４１Ｃとそれぞれ対向している。ＩＤＴ電極４１Ｃの櫛歯電極１４１Ｃ、２４１Ｃは方向４０Ａで反射器電極４３と対向している。

ＩＤＴ電極４１Ａ、４１Ｃの櫛歯電極１４１Ａ、１４１Ｃは、図８Ｂに示す従来の弾性波素子７０ＢのＩＤＴ電極７１の櫛歯電極７１Ａと同じ構造を有する。ＩＤＴ電極４１Ａ、４１Ｃの櫛歯電極２４１Ａ、２４１Ｃは、図１Ａに示す実施の形態１における弾性波素子１０のＩＤＴ電極１１の櫛歯電極１１Ｂと同じ構造を有する。ＩＤＴ電極４１Ｂは図８Ｂに示す従来の弾性波素子７０Ｂと同様の構造を有する。

弾性波フィルタ４０のＩＤＴ電極４１Ａと反射器電極４２とＩＤＴ電極４１Ｂの位置は、図１Ａに示す実施の形態１における弾性波素子１０のＩＤＴ電極１１と別電極である反射器電極１２と別電極である反射器電極１３の位置とそれぞれ同じである。ＩＤＴ電極４１Ａにおいては実施の形態１におけるＩＤＴ電極１１と同様に、櫛歯電極２４１Ａは図１Ａに示す櫛歯電極１１Ｂの非重み付け部１１Ｎ、１１Ｑと同様の構造を有する非重み付け部４１Ｎ、４１Ｑを有する。これにより、櫛歯電極２４１Ａと隣り合う別電極であるＩＤＴ電極４１Ｂの櫛歯電極２４１Ｂや反射器電極４２との短絡を防ぐことができる。

弾性波フィルタ４０のＩＤＴ電極４１ＣとＩＤＴ電極４１Ｂと反射器電極４３の位置は、図１Ａに示す実施の形態１における弾性波素子１０のＩＤＴ電極１１と別電極である反射器電極１２と別電極である反射器電極１３の位置とそれぞれ同じである。ＩＤＴ電極４１Ｃにおいては実施の形態１におけるＩＤＴ電極１１と同様に、櫛歯電極２４１Ｃは図１Ａに示す櫛歯電極１１Ｂの非重み付け部１１Ｎ、１１Ｑと同様の構造を有する非重み付け部１４１Ｎ、１４１Ｑを有する。これにより、櫛歯電極２４１Ｃと隣り合う別電極であるＩＤＴ電極４１Ｂの櫛歯電極２４１Ｂや反射器電極４２との短絡を防ぐことができる。

なお、図４に示す弾性波フィルタ４０では、ＩＤＴ電極４１Ａ〜４１Ｃの櫛歯電極１４１Ａ〜１４１Ｃは、図８Ｂに示す従来の弾性波素子７０ＢのＩＤＴ電極７１の櫛歯電極７１Ａと同じ構造を有しており、非重み付け部を有していない。櫛歯電極１４１Ａ〜１４１Ｃは接地されており同電位を有しているので、非重み付け部を有していないことに起因して互いに短絡しても特性には影響しない。

（実施の形態３）
図５Ａは本発明の実施の形態３における弾性波素子５０の平面図である。図５Ａにおいて、図１Ａに示す実施の形態１における弾性波素子１０と同じ部分には同じ参照番号を付す。弾性波素子５０は、図１Ａに示す実施の形態１における弾性波素子１０のＩＤＴ電極１１の代わりにＩＤＴ電極５１を備える。ＩＤＴ電極５１は、図１Ａに示す実施の形態１におけるＩＤＴ電極１１の櫛歯電極１１Ｂの代わりに、櫛歯電極１１Ｂと同じ位置に設けられた櫛歯電極５１Ｂを有する。櫛歯電極５１Ｂは図１Ａに示す櫛歯電極１１Ｂの最外側ダミー電極指１１Ｔ、１１Ｕの代わりに最外側ダミー電極指５１Ｔ、５１Ｕを有する。最外側ダミー電極指５１Ｔ，５１Ｕの方向１０Ａでの幅は、他のダミー電極指１１Ｊの方向１０Ａの幅より小さい。これにより、実施の形態１における弾性波素子１０と比べて、離間部１４の開口率をさらに大きくすることができるので、ＩＤＴ電極５１と別電極である反射器電極１２との短絡や、ＩＤＴ電極５１と別電極である反射器電極１３との短絡を防止することができる。

図５Ｂは実施の形態３における他の弾性波素子１５０の平面図である。図５Ｂにおいて、図１Ａに示す実施の形態１における弾性波素子１０と同じ部分には同じ参照番号を付す。弾性波素子１５０は、図１Ａに示す実施の形態１における弾性波素子１０のＩＤＴ電極１１の代わりにＩＤＴ電極１５１を備える。ＩＤＴ電極１５１は、図１Ａに示す実施の形態１におけるＩＤＴ電極１１の櫛歯電極１１Ａの代わりに、櫛歯電極１１Ａと同じ位置に設けられた櫛歯電極１５１Ａを有する。櫛歯電極１５１Ａは図１Ａに示す櫛歯電極１１Ａの最外側交差電極指１１Ｒ、１１Ｓの代わりに最外側交差電極指５１Ｒ、５１Ｓを有する。最外側交差電極指５１Ｒ，５１Ｓの方向１０Ａでの幅は、他の交差電極指１１Ｄの方向１０Ａの幅より小さい。これにより、実施の形態１における弾性波素子１０と比べて、離間部１４の開口率をさらに大きくすることができるので、ＩＤＴ電極１５１と別電極である反射器電極１２との短絡や、ＩＤＴ電極１５１と別電極である反射器電極１３との短絡を防止することができる。

図５Ｃは実施の形態３におけるさらに他の弾性波素子２５０の平面図である。図５Ｃにおいて、図１Ａに示す実施の形態１における弾性波素子１０と同じ部分には同じ参照番号を付す。弾性波素子２５０は、図１Ａに示す実施の形態１における弾性波素子１０のＩＤＴ電極１１の代わりにＩＤＴ電極２５１を備える。ＩＤＴ電極２５１は、図１Ａに示す実施の形態１におけるＩＤＴ電極１１の櫛歯電極１１Ｂの代わりに、櫛歯電極１１Ｂと同じ位置に設けられた櫛歯電極２５１Ｂを有する。櫛歯電極２５１Ｂは図１Ａに示す櫛歯電極１１Ｂの最外側ダミー電極指１１Ｔ、１１Ｕを有していない。すなわち、別電極である反射器電極１２は最外側交差電極指１１Ｒと最外側交差電極指１１Ｘとに対向する。バスバー１１Ｇは最外側交差電極指１１Ｘを超えて反射器電極１２に向かって延びている。最外側交差電極指１１Ｒは方向１０Ｂでバスバー１１Ｇと対向する。別電極である反射器電極１３は最外側交差電極指１１Ｓと最外側交差電極指１１Ｙとに対向する。バスバー１１Ｇは最外側交差電極指１１Ｙを超えて反射器電極１３に向かって延びている。最外側交差電極指１１Ｓは方向１０Ｂでバスバー１１Ｇと対向する。これにより、実施の形態１における弾性波素子１０と比べて、離間部１４の開口率をさらに大きくすることができるので、ＩＤＴ電極２５１と別電極である反射器電極１２との短絡や、ＩＤＴ電極２５１と別電極である反射器電極１３との短絡を防止することができる。

図６Ａは実施の形態３におけるさらに他の弾性波素子４５０の平面図である。図６Ａにおいて、図８Ａに示す従来の弾性波素子７０Ａと同じ部分には同じ参照番号を付す。弾性波は方向１０Ａに伝播する。弾性波素子４５０は、図８Ａに示す従来の弾性波素子７０ＡのＩＤＴ電極７１の代わりにＩＤＴ電極４７１を備える。ＩＤＴ電極４７１は、図８Ａに示す従来のＩＤＴ電極７１の櫛歯電極７１Ｂの代わりに、櫛歯電極７１Ｂと同じ位置に設けられた櫛歯電極４７１Ｂを有する。櫛歯電極７１Ａ、４７１Ｂは、図１Ａに示す実施の形態１における弾性波素子１０のＩＤＴ電極１１Ａ、１１Ｂの重み付け部１１Ｋ、１１Ｍを有していない。この場合であっても、従来の弾性波素子７０ＢのＩＤＴ電極７１と反射器電極７２、７３との間隔が狭い場合にはＩＤＴ電極と反射器電極が短絡する可能性がある。図６Ａに示す櫛歯電極４７１Ｂの最外端のダミー電極指４７１Ｊの方向１０Ａでの幅は交差電極指７１Ｈや他のダミー電極指７１Ｊより小さい。これにより、ＩＤＴ電極４７１と別電極である反射器電極７２との短絡や、ＩＤＴ電極４７１と別電極である反射器電極７３との短絡を防止することができる。

図６Ｂは実施の形態３におけるさらに他の弾性波素子５５０の平面図である。図６Ｂにおいて、図８Ａに示す従来の弾性波素子７０Ａと同じ部分には同じ参照番号を付す。弾性波は方向１０Ａに伝播する。弾性波素子５５０は、図８Ａに示す従来の弾性波素子７０ＡのＩＤＴ電極７１の代わりにＩＤＴ電極５７１を備える。ＩＤＴ電極５７１は、図８Ａに示す従来のＩＤＴ電極７１の櫛歯電極７１Ａの代わりに、櫛歯電極７１Ａと同じ位置に設けられた櫛歯電極５７１Ａを有する。櫛歯電極７１Ａ、７１Ｂは、図１Ａに示す実施の形態１における弾性波素子１０のＩＤＴ電極１１Ａ、１１Ｂの重み付け部１１Ｋ、１１Ｍを有していない。この場合であっても、従来の弾性波素子７０ＡのＩＤＴ電極７１と反射器電極７２、７３との間隔が狭い場合にはＩＤＴ電極と反射器電極が短絡する可能性がある。図６Ｂに示す櫛歯電極５７１Ａの最外端の交差電極指５７１Ｒの方向１０Ａでの幅は他の電極指より小さい。これにより、ＩＤＴ電極５７１と別電極である反射器電極７２との短絡や、ＩＤＴ電極５７１と別電極である反射器電極７３との短絡を防止することができる。

図６Ｃは実施の形態３におけるさらに他の弾性波素子６５０の平面図である。図６Ｃにおいて、図８Ａに示す従来の弾性波素子７０Ａと同じ部分には同じ参照番号を付す。弾性波は方向１０Ａに伝播する。弾性波素子６５０は、図８Ａに示す従来の弾性波素子７０ＡのＩＤＴ電極７１の代わりにＩＤＴ電極６７１を備える。ＩＤＴ電極６７１は、図８Ａに示す従来のＩＤＴ電極７１の櫛歯電極７１Ｂの代わりに、櫛歯電極７１Ｂと同じ位置に設けられた櫛歯電極６７１Ｂを有する。櫛歯電極７１Ａ、７１Ｂは、図１Ａに示す実施の形態１における弾性波素子１０のＩＤＴ電極１１Ａ、１１Ｂの重み付け部１１Ｋ、１１Ｍを有していない。櫛歯電極６７１Ｂは図８Ａに示す櫛歯電極７１Ｂの最外側ダミー電極指を有していない。すなわち、別電極である反射器電極７２は櫛歯電極７１Ａの最外側交差電極指と櫛歯電極６７１Ｂの最外側交差電極指とに対向する。バスバー７１Ｇは最外側交差電極指を超えて反射器電極７２、７３に向かって延びている。最外側交差電極指は方向１０Ｂでバスバー７１Ｇと対向する。これにより、ＩＤＴ電極６７１と別電極である反射器電極７２との短絡や、ＩＤＴ電極６７１と別電極である反射器電極７３との短絡を防止することができる。

（実施の形態４）
図７Ａは本発明の実施の形態４における弾性波素子６０Ａの平面図である。図７Ａにおいて、図１Ａに示す実施の形態１における弾性波素子１０と同じ部分には同じ参照番号を付す。弾性波素子６０Ａは、図１Ａに示す実施の形態１における弾性波素子１０のＩＤＴ電極１１と反射器電極１２、１３の代わりにＩＤＴ電極６１と反射器電極６２Ａ、６３Ａを備える。ＩＤＴ電極６１は、弾性波が伝播する方向１０Ａと異なる方向である実質的に直角の方向１０Ｂで互いに対向する櫛歯電極６１Ａ、６１Ｂを有する。櫛歯電極６１Ａ、６１Ｂは、交差電極指とダミー電極指との間隙部に電極よりなる重み付け部６１Ｋ、６１Ｍを有している。櫛歯電極６１Ａ、６１Ｂは、図１Ａに示す櫛歯電極１１Ａ、１１Ｂの非重み付け部１１Ｌ、１１Ｎ、１１Ｐ、１１Ｑを有していてもよい。ＩＤＴ電極６１では、櫛歯電極６１Ａ、６１Ｂは交差幅Ｗで交差している、すなわち、交差幅Ｗに亘って方向１０Ｂで互いに重なっている。

反射器電極６２Ａは、方向１０Ｂに延びる複数の反射電極指１６２Ａ、１６２Ｂ、１６２Ｃ、１６２Ｄ、１６２Ｅと、反射電極指１６２Ａ、１６２Ｂ、１６２Ｃ、１６２Ｄ、１６２Ｅのそれぞれの両端を接続するバスバー１６２Ｆ、１６２Ｇを有する。複数の反射電極指１６２Ａ、１６２Ｂ、１６２Ｃ、１６２Ｄ、１６２ＥのうちＩＤＴ電極６１に最も近い反射電極指１６２Ｅの方向１０Ｂでの幅は、他の反射電極指１６２Ａ、１６２Ｂ、１６２Ｃ、１６２Ｄの方向１０Ｂでの幅より小さい。すなわち、ＩＤＴ電極６１に最も近い反射電極指１６２Ｅの方向１０Ｂでの幅は、ＩＤＴ電極６１から最も遠い反射電極指１６２Ａの方向１０Ｂでの幅より小さい。この構成により、重み付け部６１Ｋ、６１Ｍを有している場合であっても、離間部１４において電極を形成するマスクの開口率を大きくすることができ、ＩＤＴ電極６１と反射器電極６２Ａとが短絡する可能性を低減することができる。

反射器電極６３Ａは、方向１０Ｂに延びる複数の反射電極指１６３Ａ、１６３Ｂ、１６３Ｃ、１６３Ｄ、１６３Ｅと、反射電極指１６３Ａ、１６３Ｂ、１６３Ｃ、１６３Ｄ、１６３Ｅのそれぞれの両端を接続するバスバー１６３Ｆ、１６３Ｇを有する。複数の反射電極指１６３Ａ、１６３Ｂ、１６３Ｃ、１６３Ｄ、１６３ＥのうちＩＤＴ電極６１に最も近い反射電極指１６３Ｅの方向１０Ｂでの幅は、他の反射電極指１６３Ａ、１６３Ｂ、１６３Ｃ、１６３Ｄの方向１０Ｂでの幅より小さい。すなわち、ＩＤＴ電極６１に最も近い反射電極指１６３Ｅの方向１０Ｂでの幅は、ＩＤＴ電極６１から最も遠い反射電極指１６３Ａの方向１０Ｂでの幅より小さい。この構成により、重み付け部６１Ｋ、６１Ｍを有している場合であっても、離間部１４において電極を形成するマスクの開口率を大きくすることができ、ＩＤＴ電極６１と反射器電極６３Ａとが短絡する可能性を低減することができる。

ＩＤＴ電極６１に最も近い反射電極指１６２Ｅ、１６３Ｅの方向１０Ｂでの幅は、ＩＤＴ電極６１の交差幅Ｗ以上とすることが望ましい。これにより、ＩＤＴ電極６１によって励振される弾性波の反射効率を下げることなく、ＩＤＴ電極６１と反射器電極６２Ａ、６３Ａとの短絡を防止することができる。

図７Ｂは実施の形態４における他の弾性波素子６０Ｂの平面図である。図７Ｂにおいて、図７Ａに示す弾性波素子６０Ａと同じ部分には同じ参照番号を付す。弾性波素子６０Ｂは、図７Ａに示す弾性波素子７０Ａの反射器電極６２Ａ、６３Ａの代わりに反射器電極６２Ｂ、６３Ｂを備える。

反射器電極６２Ｂは、方向１０Ｂに延びる複数の反射電極指２６２Ａ、２６２Ｂ、２６２Ｃ、２６２Ｄ、２６２Ｅと、反射電極指２６２Ａ、２６２Ｂ、２６２Ｃ、２６２Ｄ、２６２Ｅのそれぞれの両端を接続するバスバー２６２Ｆ、２６２Ｇを有する。複数の反射電極指２６２Ａ、２６２Ｂ、２６２Ｃ、２６２Ｄ、２６２ＥのうちＩＤＴ電極６１に最も近い反射電極指２６２Ｅと２番目に近い反射電極指２６２Ｄの方向１０Ｂでの幅は、他の反射電極指２６２Ａ、２６２Ｂ、２６２Ｃの方向１０Ｂでの幅より小さい。すなわち、ＩＤＴ電極６１に最も近い反射電極指２６２Ｅの方向１０Ｂでの幅は、ＩＤＴ電極６１から最も遠い反射電極指２６２Ａの方向１０Ｂでの幅より小さい。反射電極指２６２Ｅの方向１０Ｂでの幅は反射電極指２６２Ｄの方向１０Ｂでの幅より小さい。この構成により、重み付け部６１Ｋ、６１Ｍを有している場合であっても、離間部１４において電極を形成するマスクの開口率を大きくすることができ、ＩＤＴ電極６１と反射器電極６２Ｂとが短絡する可能性を低減することができる。

反射器電極６３Ｂは、方向１０Ｂに延びる複数の反射電極指２６３Ａ、２６３Ｂ、２６３Ｃ、２６３Ｄ、２６３Ｅと、反射電極指２６３Ａ、２６３Ｂ、２６３Ｃ、２６３Ｄ、２６３Ｅのそれぞれの両端を接続するバスバー２６３Ｆ、２６３Ｇを有する。複数の反射電極指２６３Ａ、２６３Ｂ、２６３Ｃ、２６３Ｄ、２６３ＥのうちＩＤＴ電極６１に最も近い反射電極指２６３Ｅと２番目に近い反射電極指２６３Ｄの方向１０Ｂでの幅は、他の反射電極指２６３Ａ、２６３Ｂ、２６３Ｃの方向１０Ｂでの幅より小さい。すなわち、ＩＤＴ電極６１に最も近い反射電極指２６３Ｅの方向１０Ｂでの幅は、ＩＤＴ電極６１から最も遠い反射電極指２６３Ａの方向１０Ｂでの幅より小さい。反射電極指２６３Ｅの方向１０Ｂでの幅は反射電極指２６３Ｄの方向１０Ｂでの幅より小さい。この構成により、重み付け部６１Ｋ、６１Ｍを有している場合であっても、離間部１４において電極を形成するマスクの開口率を大きくすることができ、ＩＤＴ電極６１と反射器電極６３Ｂとが短絡する可能性を低減することができる。

ＩＤＴ電極６１に最も近い反射電極指２６２Ｅ、２６３Ｅの方向１０Ｂでの幅は、ＩＤＴ電極６１の交差幅Ｗ以上とすることが望ましい。これにより、ＩＤＴ電極６１によって励振される弾性波の反射効率を下げることなく、ＩＤＴ電極６１と反射器電極６２Ｂ、６３Ｂとの短絡を防止することができる。

本発明による弾性波素子は、ＩＤＴ電極と別電極との短絡を防ぎ、かつ、優れた不要波抑圧特性を有するので、携帯電話等の小型の通信機器に特に有用である。

１１インターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極
１１Ａ櫛歯電極（第１の櫛歯電極）
１１Ｂ櫛歯電極（第２の櫛歯電極）
１１Ｃバスバー（第１のバスバー）
１１Ｄ交差電極指（第１の交差電極指）
１１Ｆダミー電極指（第１のダミー電極指）
１１Ｇバスバー（第２のバスバー）
１１Ｈ交差電極指（第２の交差電極指）
１１Ｊダミー電極指（第２のダミー電極指）
１１Ｋ重み付け部
１１Ｌ非重み付け部
１１Ｎ非重み付け部
１２別電極（第１の別電極）、反射器電極
１３別電極（第２の別電極）、反射器電極
１５Ａ交差領域
１５Ｂ非交差領域
２１圧電基板

Claims

表面を有する圧電基板と、
前記圧電基板の前記表面上に設けられた第１の櫛歯電極と、前記圧電基板の前記表面上に設けられてかつ前記第１の櫛歯電極に対向する第２の櫛歯電極とを有する第１のインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極と、
前記圧電基板の前記表面上に設けられた第１の別電極と、
を備え、
前記第１のＩＤＴ電極と前記第１の別電極とは第１の方向に配列されており、
前記第１の櫛歯電極は、
前記第１の方向に延びる第１のバスバーと、
前記第１のバスバーから前記第２の櫛歯電極に向かって前記第１の方向と異なる第２の方向に延びる複数の第１の交差電極指と、
前記第１のバスバーから前記第２の櫛歯電極に向かって前記第２の方向に延びる複数の第１のダミー電極指と、
を含み、
前記第２の櫛歯電極は、
前記第１の方向に延びる第２のバスバーと、
前記第２のバスバーから前記第１の櫛歯電極に向かって前記第２の方向と反対の第３の方向に延び、かつ前記複数の第１の交差電極指と交差領域において交差し、かつ前記複数の第１のダミー電極指とそれぞれ前記第３の方向で対向する複数の第２の交差電極指と、
前記第２のバスバーから前記第１の櫛歯電極に向かって前記第３の方向に延び、前記複数の第１の交差電極指とそれぞれ前記第３の方向で対向する複数の第２のダミー電極指と、
前記複数の第２の交差電極指と前記複数の第２のダミー電極指との間の間隙部に電極が設けられ、かつ前記交差領域以外の非交差領域に設けられた複数の重み付け部と、
前記非交差領域において、前記間隙部のうちで前記別電極に最も近い間隙部で電極が設けられていない非重み付け部と、
を含む、弾性波素子。
前記第１の別電極は反射器電極である、請求項１に記載の弾性波素子。
前記圧電基板の前記表面上に設けられた第２の別電極をさらに備え、
前記第１のＩＤＴ電極が前記第１の別電極と前記第２の別電極との間に位置するように、前記第１のＩＤＴ電極と前記第１の別電極と前記第２の別電極とは前記第１の方向に配列されている、請求項１に記載の弾性波素子。
前記第１の別電極と前記第２の別電極は反射器電極である、請求項３に記載の弾性波素子。
前記第１の別電極は、互いに対向する第３と第４の櫛歯電極を有する第２のＩＤＴ電極である、請求項１に記載の弾性波素子。
前記複数の重み付け部の前記第２の方向での幅は、前記第１のバスバーの中央部から両端に向かって徐々に広くなる、請求項１に記載の弾性波素子。
前記第１のＩＤＴ電極と前記第１の別電極との間の間隔は、前記第３の方向で互いに対向する前記複数の第１の交差電極指と前記複数の第２のダミー電極指の間隔以下である、請求項１に記載の弾性波素子。
前記圧電基板はＬｉＮｂＯ₃よりなる、請求項１に記載の弾性波素子。
前記圧電基板の前記表面上に設けられて前記ＩＤＴ電極を覆う誘電体薄膜をさらに備えた、請求項１に記載の弾性波素子。
前記複数の第１のダミー電極指のうちの前記第１の別電極に最も近い最外側ダミー電極指の前記第１の方向での幅は、前記複数の第２のダミー電極指のうちの前記最外側ダミー電極指の他のダミー電極指の前記第１の方向での幅より小さい、請求項１に記載の弾性波素子。
表面を有する圧電基板と、
前記圧電基板の前記表面上に設けられた第１の櫛歯電極と、前記圧電基板の前記表面上に設けられてかつ前記第１の櫛歯電極に対向する第２の櫛歯電極とを有するインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極と、
前記圧電基板の前記表面上に設けられて、前記ＩＤＴ電極に対向する別電極と、
を備え、
前記ＩＤＴ電極と前記別電極とは第１の方向に配列されており、
前記第１の櫛歯電極は、
前記第１の方向に延びる第１のバスバーと、
前記第１のバスバーから前記第２の櫛歯電極に向かって前記第１の方向と異なる第２の方向に延びる複数の第１の交差電極指と、
前記第１のバスバーから前記第２の櫛歯電極に向かって前記第２の方向に延びる複数の第１のダミー電極指と、
を含み、
前記第２の櫛歯電極は、
前記第１の方向に延びる第２のバスバーと、
前記第２のバスバーから前記第１の櫛歯電極に向かって前記第２の方向と反対の第３の方向に延び、かつ前記複数の第１の交差電極指と交差領域において交差し、かつ前記複数の第１のダミー電極指とそれぞれ前記第３の方向で対向する複数の第２の交差電極指と、
前記第２のバスバーから前記第１の櫛歯電極に向かって前記第３の方向に延び、前記複数の第１の交差電極指とそれぞれ前記第３の方向で対向する複数の第２のダミー電極指と、
前記複数の第２の交差電極指と前記複数の第２のダミー電極指との間の間隙部に電極が設けられ、かつ前記交差領域以外の非交差領域に設けられた複数の重み付け部と、
を含み、
前記第２のバスバーは、前記複数の第２の交差電極指のうちの前記別電極に最も近い第２の最外側交差電極を超えて前記別の電極に向かって延びており、
前記複数の第１の交差電極指のうちの前記別電極に最も近い第１の最外側交差電極指は前記第２の方向で前記第２のバスバーと対向する、弾性波素子。
前記第２のバスバーの前記第１の櫛歯電極に最も近い端は前記第１の方向に直線状に延びる、請求項１１に記載の弾性波素子。
表面を有する圧電基板と、
前記圧電基板の前記表面上に設けられた第１の櫛歯電極と、前記圧電基板の前記表面上に設けられてかつ前記第１の櫛歯電極に対向する第２の櫛歯電極とを有する第１のインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極と、
前記圧電基板の前記表面上に設けられた反射器電極と、
を備え、
前記第１のＩＤＴ電極と前記反射器電極とは、第１の方向に配列されており、
前記第１の櫛歯電極は、
前記第１の方向に延びる第１のバスバーと、
前記第１のバスバーから前記第２の櫛歯電極に向かって前記第１の方向と異なる第２の方向に延びる複数の第１の交差電極指と、
前記第１のバスバーから前記第２の櫛歯電極に向かって前記第２の方向に延びる複数の第１のダミー電極指と、
を含み、
前記第２の櫛歯電極は、
前記第１の方向に延びる第２のバスバーと、
前記第２のバスバーから前記第１の櫛歯電極に向かって前記第２の方向と反対の第３の方向に延び、かつ前記複数の第１の交差電極指と交差領域において交差し、かつ前記複数の第１のダミー電極指とそれぞれ前記第３の方向で対向する複数の第２の交差電極指と、
前記第２のバスバーから前記第１の櫛歯電極に向かって前記第３の方向に延び、前記複数の第１の交差電極指とそれぞれ前記第３の方向で対向する複数の第２のダミー電極指と、
前記複数の第２の交差電極指と前記複数の第２のダミー電極指との間の間隙部に電極が設けられて、かつ前記交差領域以外の非交差領域に設けられた複数の重み付け部と、
を含み、
前記反射器電極は、前記第２の方向に延びる複数の反射電極指を含み、
前記複数の反射電極指のうちの前記ＩＤＴ電極に最も近い第１の反射電極指は、前記複数の反射電極指のうちの前記ＩＤＴ電極から最も遠い第２の反射電極指よりも短い、弾性波素子。
前記第１の反射電極指の前記第２の方向での幅は、前記複数の第１の交差電極指と前記複数の第２の交差電極指とが交差する幅よりも大きい、請求項１３に記載の弾性波素子。
前記第２のバスバーの前記第１の櫛歯電極に最も近い端は前記第１の方向に直線状に延びる、請求項１４に記載の弾性波素子。
第１の弾性波素子と、
前記第１の弾性波素子に接続された第２の弾性波素子と、
を備え、
前記第１の弾性波素子と前記第２の弾性波素子のうちの少なくとも１つは請求項１から１５のうちのいずれか一項に記載の弾性波素子である、弾性波フィルタ。