JPH09107259A - 弾性表面波素子製造用フォトマスク及び電極パターン - Google Patents
弾性表面波素子製造用フォトマスク及び電極パターンInfo
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- JPH09107259A JPH09107259A JP29030695A JP29030695A JPH09107259A JP H09107259 A JPH09107259 A JP H09107259A JP 29030695 A JP29030695 A JP 29030695A JP 29030695 A JP29030695 A JP 29030695A JP H09107259 A JPH09107259 A JP H09107259A
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- acoustic wave
- surface acoustic
- photomask
- wave element
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は弾性表面波素子の製造にフォトリソグ
ラフィーにて使用するフォトマスクが有する欠点を除去
する為になされたものであって、弾性表面波素子のＩＤ
Ｔ電極指部の共通バスバー部との連結部分近傍の幅が、
細くなる、或いは分離することのない弾性表面波素子製
造用フォトマスク、及びそのＩＤＴ電極パターンを提供
することを目的とする。 【解決手段】弾性表面波素子の電極パターンをフォトリ
ソグラフィー技術にて形成するためのフォトマスクにお
いて、該フォトマスクのインタディジタルトランスジュ
ーサ部分の電極指の少なくともバスバーへの連結部近傍
部分の幅を、該電極指の他の部分の幅より太くすること
によって、そのフォトマスクにより製造した弾性表面波
素子の挿入損失の増大や、伝送の阻止が発生することな
い弾性表面波素子製造用フォトマスク及び電極パターン
である。
ラフィーにて使用するフォトマスクが有する欠点を除去
する為になされたものであって、弾性表面波素子のＩＤ
Ｔ電極指部の共通バスバー部との連結部分近傍の幅が、
細くなる、或いは分離することのない弾性表面波素子製
造用フォトマスク、及びそのＩＤＴ電極パターンを提供
することを目的とする。 【解決手段】弾性表面波素子の電極パターンをフォトリ
ソグラフィー技術にて形成するためのフォトマスクにお
いて、該フォトマスクのインタディジタルトランスジュ
ーサ部分の電極指の少なくともバスバーへの連結部近傍
部分の幅を、該電極指の他の部分の幅より太くすること
によって、そのフォトマスクにより製造した弾性表面波
素子の挿入損失の増大や、伝送の阻止が発生することな
い弾性表面波素子製造用フォトマスク及び電極パターン
である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波素子、特
に、弾性表面波素子製造用フォトマスク及び電極パター
ンに関する。
に、弾性表面波素子製造用フォトマスク及び電極パター
ンに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＶＨＦ〜ＵＨＦ帯の高周波領域に
於いて弾性表面波（ＳＡＷ）素子が、フィルタまたは共
振子等の素子として多用されている。弾性表面波素子の
一般的な構成は、図６に示す如く、水晶、タンタル酸リ
チウム、ニオブ酸リチウム、四ほう酸リチウム等の圧電
基板１上にインタディジタルトランスジューサ（ＩＤ
Ｔ）２を所望個数設け、必要に応じその両脇に反射器
３，４を設けたものである。
於いて弾性表面波（ＳＡＷ）素子が、フィルタまたは共
振子等の素子として多用されている。弾性表面波素子の
一般的な構成は、図６に示す如く、水晶、タンタル酸リ
チウム、ニオブ酸リチウム、四ほう酸リチウム等の圧電
基板１上にインタディジタルトランスジューサ（ＩＤ
Ｔ）２を所望個数設け、必要に応じその両脇に反射器
３，４を設けたものである。
【０００３】図７は弾性表面波素子のＩＤＴの基本構造
であり、共通バスバー５、６の夫々に所望の本数の電極
指７、７、……、８、８、……を連結してくし歯状の電
極とし、そのくし歯状の電極を対向するよう構成したも
のである。なお、一方をホット電極、他方をアース電極
とし、各電極指の先端部は、対向する電極の共通バスバ
ーに電気的に連結することのないように、１乃至数μｍ
の間隙を設けてある。
であり、共通バスバー５、６の夫々に所望の本数の電極
指７、７、……、８、８、……を連結してくし歯状の電
極とし、そのくし歯状の電極を対向するよう構成したも
のである。なお、一方をホット電極、他方をアース電極
とし、各電極指の先端部は、対向する電極の共通バスバ
ーに電気的に連結することのないように、１乃至数μｍ
の間隙を設けてある。
【０００４】図８は弾性表面波素子をフォトリソグラフ
ィー技術により製造する一般的なフローチャートを示し
た図である。圧電基板にアルミニウム、金、銀、ニッケ
ル、クロム、銅などからなる金属薄膜を真空蒸着、スパ
ッタ蒸着などの薄膜形成技術により付着し（ステップ
１）、その後フォトレジストを塗布し（ステップ２）、
フォトマスクを介して所望のＩＤＴ及び反射器のパター
ンを露光及び現像し（ステップ３、４）、前記フォトレ
ジストパターンに基づいて酸等によって前記金属薄膜を
エッチングし（ステップ５）、その後にフォトレジスト
を剥離（ステップ６）する方法が一般的である。このと
き、ポジ型フォトレジストを使用するのが一般的であ
る。尚、前記フォトレジストにはポジ型とネガ型があ
り、ポジ型とは露光することによって前記フォトレジス
トが感光し、現像することによって感光したフォトレジ
ストが無くなり、光に感光していない部分が残留して、
金属薄膜のエッチング工程においてマスクとして機能す
るものである。ネガ型とはその逆であり、露光する事に
よって光に感光したフォトレジストが残るようにしたも
のである。
ィー技術により製造する一般的なフローチャートを示し
た図である。圧電基板にアルミニウム、金、銀、ニッケ
ル、クロム、銅などからなる金属薄膜を真空蒸着、スパ
ッタ蒸着などの薄膜形成技術により付着し（ステップ
１）、その後フォトレジストを塗布し（ステップ２）、
フォトマスクを介して所望のＩＤＴ及び反射器のパター
ンを露光及び現像し（ステップ３、４）、前記フォトレ
ジストパターンに基づいて酸等によって前記金属薄膜を
エッチングし（ステップ５）、その後にフォトレジスト
を剥離（ステップ６）する方法が一般的である。このと
き、ポジ型フォトレジストを使用するのが一般的であ
る。尚、前記フォトレジストにはポジ型とネガ型があ
り、ポジ型とは露光することによって前記フォトレジス
トが感光し、現像することによって感光したフォトレジ
ストが無くなり、光に感光していない部分が残留して、
金属薄膜のエッチング工程においてマスクとして機能す
るものである。ネガ型とはその逆であり、露光する事に
よって光に感光したフォトレジストが残るようにしたも
のである。
【０００５】或いは、図９に示すような、金属薄膜を除
去する部分にフォトレジストのパターンを形成し、該フ
ォトレジストを剥離することによって金属薄膜を剥離
し、所望のパターンを得るリフトオフと呼ばれる方法に
よって製造することもあり、圧電基板にフォトレジスト
を塗布し（ステップ１１）、フォトマスクを介して所望
のパターンを露光及び現像し（ステップ１２、１３）、
金属を薄膜形成技術により付着し（ステップ１４）、前
記フォトレジストを剥離（ステップ１５）することによ
り、該フォトマスクと共に金属薄膜を剥離することによ
って弾性表面波素子のパターンを形成する方法である。
リフトオフ方法においてもフォトレジストにおいてはポ
ジ型とネガ型が存在し、前記方法とはフォトマスクのパ
ターンが反転することに注意する必要がある。
去する部分にフォトレジストのパターンを形成し、該フ
ォトレジストを剥離することによって金属薄膜を剥離
し、所望のパターンを得るリフトオフと呼ばれる方法に
よって製造することもあり、圧電基板にフォトレジスト
を塗布し（ステップ１１）、フォトマスクを介して所望
のパターンを露光及び現像し（ステップ１２、１３）、
金属を薄膜形成技術により付着し（ステップ１４）、前
記フォトレジストを剥離（ステップ１５）することによ
り、該フォトマスクと共に金属薄膜を剥離することによ
って弾性表面波素子のパターンを形成する方法である。
リフトオフ方法においてもフォトレジストにおいてはポ
ジ型とネガ型が存在し、前記方法とはフォトマスクのパ
ターンが反転することに注意する必要がある。
【０００６】図８に示す製造フローチャートにてポジ型
のフォトレジストにより弾性表面波素子を製造する場合
のフォトマスクのＩＤＴ部分のマスクパターンを図１０
に示す。なお、同図においてハッチングした部分は露光
工程にて光を遮蔽するように機能する部分を示したもの
である。
のフォトレジストにより弾性表面波素子を製造する場合
のフォトマスクのＩＤＴ部分のマスクパターンを図１０
に示す。なお、同図においてハッチングした部分は露光
工程にて光を遮蔽するように機能する部分を示したもの
である。
【０００７】尚、弾性表面波素子のＩＤＴの電極指部
は、共通バスバーとの連結部分から該電極指先端まで一
定の幅として構成するのが一般的であり、弾性表面波素
子のフォトリソグラフィー工程に使用するフォトマスク
のＩＤＴのマスクパターンも、図１０に示すように、電
極指の幅を共通バスバー部との連結部分から該電極指先
端部まで一定（同図ではｈ）として構成していた。
は、共通バスバーとの連結部分から該電極指先端まで一
定の幅として構成するのが一般的であり、弾性表面波素
子のフォトリソグラフィー工程に使用するフォトマスク
のＩＤＴのマスクパターンも、図１０に示すように、電
極指の幅を共通バスバー部との連結部分から該電極指先
端部まで一定（同図ではｈ）として構成していた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１０
に示すようなフォトマスクのパターンを詳細に観察する
と、間隙部Ａ部が、間隙部Ｂ部に比べて面積が狭い構成
となっている。したがって、間隙部Ａ部を通過する光の
透過光量と、間隙部Ｂ部を通過する光の透過光量が異な
るという理由から、間隙部Ｂ部が見かけ上露光過多とな
るため該間隙部Ｂ部があたかも広がったかのように露光
されることとなる。従って図１０に示すようなフォトマ
スクにより露光現像したポジ型フォトレジストパターン
を観察すると図１１ａ、ｂに示すような電極指部の共通
バスバー部との連結部分の幅が該電極指部より大幅に狭
くなるか、或いは、該電極指部が共通バスバーから分離
するフォトレジストパターンとなることがあった。
に示すようなフォトマスクのパターンを詳細に観察する
と、間隙部Ａ部が、間隙部Ｂ部に比べて面積が狭い構成
となっている。したがって、間隙部Ａ部を通過する光の
透過光量と、間隙部Ｂ部を通過する光の透過光量が異な
るという理由から、間隙部Ｂ部が見かけ上露光過多とな
るため該間隙部Ｂ部があたかも広がったかのように露光
されることとなる。従って図１０に示すようなフォトマ
スクにより露光現像したポジ型フォトレジストパターン
を観察すると図１１ａ、ｂに示すような電極指部の共通
バスバー部との連結部分の幅が該電極指部より大幅に狭
くなるか、或いは、該電極指部が共通バスバーから分離
するフォトレジストパターンとなることがあった。
【０００９】尚、前記フォトレジストパターンに基づい
て金属薄膜の露出部をエッチングすることによって得た
金属薄膜パターン、或いは、リフトオフ法により得た金
属薄膜パターンは、ともに前記フォトレジストパターン
に対してほぼ忠実にＩＤＴ或いは反射器のパターンをエ
ッチング形成することが実験で確認されている。すなわ
ち、フォトレジストパターンの露光現像状態が、弾性表
面波素子のＩＤＴの電極指パターンの形状に大きく影響
する。
て金属薄膜の露出部をエッチングすることによって得た
金属薄膜パターン、或いは、リフトオフ法により得た金
属薄膜パターンは、ともに前記フォトレジストパターン
に対してほぼ忠実にＩＤＴ或いは反射器のパターンをエ
ッチング形成することが実験で確認されている。すなわ
ち、フォトレジストパターンの露光現像状態が、弾性表
面波素子のＩＤＴの電極指パターンの形状に大きく影響
する。
【００１０】したがって、図１１（ａ）及び（ｂ）に示
したフォトレジストパターンから得られる弾性表面波素
子のＩＤＴの電極パターンは、フォトレジストパターン
とほぼ同じ形状となり、完成した弾性表面波素子のＩＤ
Ｔの電極指幅の共通バスバーとの連結部分近傍が細くな
ることによって、電極指抵抗の増加による弾性表面波素
子の挿入損失が増大する、或いは電極指と共通バスバー
との連結部分近傍の該電極指が分離断線することによっ
て伝送の阻止などの不具合が多発した。その結果、弾性
表面波素子の製造において不良率が増大し、歩留まりの
向上を図る上で極めて重大な阻害要因となっていた。
したフォトレジストパターンから得られる弾性表面波素
子のＩＤＴの電極パターンは、フォトレジストパターン
とほぼ同じ形状となり、完成した弾性表面波素子のＩＤ
Ｔの電極指幅の共通バスバーとの連結部分近傍が細くな
ることによって、電極指抵抗の増加による弾性表面波素
子の挿入損失が増大する、或いは電極指と共通バスバー
との連結部分近傍の該電極指が分離断線することによっ
て伝送の阻止などの不具合が多発した。その結果、弾性
表面波素子の製造において不良率が増大し、歩留まりの
向上を図る上で極めて重大な阻害要因となっていた。
【００１１】本発明は上述した如き弾性表面波素子の製
造にフォトリソグラフィーにて使用するフォトマスクが
有する欠点を除去する為になされたものであって、弾性
表面波素子のＩＤＴ電極指部の共通バスバー部との連結
部分近傍の幅が、細くなる、或いは分離することのない
弾性表面波素子製造用フォトマスク、及びそのＩＤＴ電
極パターンを提供することを目的とする。
造にフォトリソグラフィーにて使用するフォトマスクが
有する欠点を除去する為になされたものであって、弾性
表面波素子のＩＤＴ電極指部の共通バスバー部との連結
部分近傍の幅が、細くなる、或いは分離することのない
弾性表面波素子製造用フォトマスク、及びそのＩＤＴ電
極パターンを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め本発明は、弾性表面波素子の電極パターンをフォトリ
ソグラフィー技術にて形成するためのフォトマスクにお
いて、該フォトマスクのインタディジタルトランスジュ
ーサ部分の電極指の少なくともバスバーへの連結部近傍
部分の幅を、該電極指の他の部分の幅より太くすること
によって、そのフォトマスクにより製造した弾性表面波
素子の挿入損失の増大や、伝送の阻止が発生することな
い弾性表面波素子製造用フォトマスク及び電極パターン
である。
め本発明は、弾性表面波素子の電極パターンをフォトリ
ソグラフィー技術にて形成するためのフォトマスクにお
いて、該フォトマスクのインタディジタルトランスジュ
ーサ部分の電極指の少なくともバスバーへの連結部近傍
部分の幅を、該電極指の他の部分の幅より太くすること
によって、そのフォトマスクにより製造した弾性表面波
素子の挿入損失の増大や、伝送の阻止が発生することな
い弾性表面波素子製造用フォトマスク及び電極パターン
である。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示した実施
例に基づいて詳細に説明する。
例に基づいて詳細に説明する。
【００１４】図１は本発明の第１の実施例を示し、一般
的なポジ型フォトレジストを用いて弾性表面波素子を製
造するフォトマスクのＩＤＴ部分のマスクパターンを示
すものである。同図において符号１１，１２はＩＤＴの
電極パターンの共通バスバー部を示し、符号１３、１
３、……、１４、１４、……はＩＤＴの電極指部を示
す。弾性表面波素子製造用フォトマスクのＩＤＴを構成
するマスクパターンの電極指のバスバー部との連結部分
近傍の幅を、該電極指の他の部分の幅より太くなるよう
に、矩形状の突起を設けたことを特徴としている。
的なポジ型フォトレジストを用いて弾性表面波素子を製
造するフォトマスクのＩＤＴ部分のマスクパターンを示
すものである。同図において符号１１，１２はＩＤＴの
電極パターンの共通バスバー部を示し、符号１３、１
３、……、１４、１４、……はＩＤＴの電極指部を示
す。弾性表面波素子製造用フォトマスクのＩＤＴを構成
するマスクパターンの電極指のバスバー部との連結部分
近傍の幅を、該電極指の他の部分の幅より太くなるよう
に、矩形状の突起を設けたことを特徴としている。
【００１５】前述の如く弾性表面波素子製造用フォトマ
スクを構成することによって、透過光量が多くて露光過
多となることを解消することができ、前記フォトマスク
により形成するフォトレジストパターンの電極指の共通
バスバーへの連結部分近傍の該電極指の幅が細くなる或
いは断線することが無くなるため、その後に弾性表面波
素子の製造工程において金属薄膜をエッチングしても、
ＩＤＴの電極指の幅が細くなる、或いは分離することが
なくなる。
スクを構成することによって、透過光量が多くて露光過
多となることを解消することができ、前記フォトマスク
により形成するフォトレジストパターンの電極指の共通
バスバーへの連結部分近傍の該電極指の幅が細くなる或
いは断線することが無くなるため、その後に弾性表面波
素子の製造工程において金属薄膜をエッチングしても、
ＩＤＴの電極指の幅が細くなる、或いは分離することが
なくなる。
【００１６】図２は本発明の第２の実施例を示す弾性表
面波素子製造用フォトマスクのＩＤＴを構成するマスク
パターンである。図面から明らかなように、電極指の共
通バスバー部との連結部分を、電極指の所望の位置から
バスバーに向けて該電極指の幅が広がるように、フォト
マスクのババスバーとの連結部分近傍の電極指部分をテ
ーパー状に構成したものである。図１に示した実施例と
同様の効果が得られる。
面波素子製造用フォトマスクのＩＤＴを構成するマスク
パターンである。図面から明らかなように、電極指の共
通バスバー部との連結部分を、電極指の所望の位置から
バスバーに向けて該電極指の幅が広がるように、フォト
マスクのババスバーとの連結部分近傍の電極指部分をテ
ーパー状に構成したものである。図１に示した実施例と
同様の効果が得られる。
【００１７】図３（ａ）、（ｂ）は本発明の第３、第４
の実施例を示す弾性表面波素子製造用フォトマスクのＩ
ＤＴを構成するマスクパターンである。図面から明らか
なように、電極指の共通バスバー部との連結部分を、電
極指の所望の位置からバスバーに向けて該電極指の幅が
広がるように、フォトマスクのババスバーとの連結部分
近傍の電極指部分をテーパー状に構成した部分を曲線的
に構成したものである。図１に示した実施例と同様の効
果が得られる。
の実施例を示す弾性表面波素子製造用フォトマスクのＩ
ＤＴを構成するマスクパターンである。図面から明らか
なように、電極指の共通バスバー部との連結部分を、電
極指の所望の位置からバスバーに向けて該電極指の幅が
広がるように、フォトマスクのババスバーとの連結部分
近傍の電極指部分をテーパー状に構成した部分を曲線的
に構成したものである。図１に示した実施例と同様の効
果が得られる。
【００１８】図４（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、本発
明の第５及び第６の実施例を示す弾性表面波素子製造用
フォトマスクを示したものである。前述の各実施例で示
したフォトマスクの電極指とバスバーとの連結部分の実
施例を組み合わせて構成してもよい。前記夫々の実施例
と同様の効果が得られる。
明の第５及び第６の実施例を示す弾性表面波素子製造用
フォトマスクを示したものである。前述の各実施例で示
したフォトマスクの電極指とバスバーとの連結部分の実
施例を組み合わせて構成してもよい。前記夫々の実施例
と同様の効果が得られる。
【００１９】なお、前述のフォトマスクにより弾性表面
波素子を製造した場合、該電極指の幅が一定になって構
成するのが理想的であるが、エッチングの条件によって
エッチング残が発生し、図５に示すようにＩＤＴの電極
指１５、１５、……、１６、１６、……の共通バスバー
１７、１８への連結部分近傍の幅が該電極指１５、１
５、……、１６、１６、……の所定の幅より太くなるこ
とがあるが、弾性表面波素子の電気的特性上ほとんど影
響はない。
波素子を製造した場合、該電極指の幅が一定になって構
成するのが理想的であるが、エッチングの条件によって
エッチング残が発生し、図５に示すようにＩＤＴの電極
指１５、１５、……、１６、１６、……の共通バスバー
１７、１８への連結部分近傍の幅が該電極指１５、１
５、……、１６、１６、……の所定の幅より太くなるこ
とがあるが、弾性表面波素子の電気的特性上ほとんど影
響はない。
【００２０】尚、リフトオフ方法による場合は、フォト
レジストを露光現像を実施した後に該フォトレジストが
存在している部分を剥離することによって、フォトレジ
ストの上に付着した金属薄膜を剥離するものであるか
ら、当該リフトオフ法ではネガ型フォトレジストを使用
する場合に有効である。
レジストを露光現像を実施した後に該フォトレジストが
存在している部分を剥離することによって、フォトレジ
ストの上に付着した金属薄膜を剥離するものであるか
ら、当該リフトオフ法ではネガ型フォトレジストを使用
する場合に有効である。
【００２１】要するに、使用するフォトレジストに応
じ、フォトマスクの電極指部幅を共通バスバー部との連
結部分のみにおいて異ならせればよく、これにより得ら
れる弾性表面波素子の電極指幅を一定とし、歩留まりを
大幅に向上した弾性表面波素子を得ることができる。
じ、フォトマスクの電極指部幅を共通バスバー部との連
結部分のみにおいて異ならせればよく、これにより得ら
れる弾性表面波素子の電極指幅を一定とし、歩留まりを
大幅に向上した弾性表面波素子を得ることができる。
【００２２】尚、以上本発明を弾性表面波素子のフォト
リソグラフィーに使用するフォトマスクに適用したもの
を例として説明したが、本発明はこれのみに限定される
ものではなく、微細薄膜電極構造をフォトリソグラフィ
ーにより形成する場合に用いるすべてのフォトマスクに
適用してもよい。
リソグラフィーに使用するフォトマスクに適用したもの
を例として説明したが、本発明はこれのみに限定される
ものではなく、微細薄膜電極構造をフォトリソグラフィ
ーにより形成する場合に用いるすべてのフォトマスクに
適用してもよい。
【００２３】
【発明の効果】本発明は以上説明した如く構成するもの
であるから、弾性表面波素子をフォトリソグラフィー技
術にて形成するために使用するフォトマスクが有する欠
点を除去し、弾性表面波素子のＩＤＴの電極指部分の幅
が細くなる、或いは分離することのない弾性表面波素子
を実現する上で著しい効果を発揮する。
であるから、弾性表面波素子をフォトリソグラフィー技
術にて形成するために使用するフォトマスクが有する欠
点を除去し、弾性表面波素子のＩＤＴの電極指部分の幅
が細くなる、或いは分離することのない弾性表面波素子
を実現する上で著しい効果を発揮する。
【図１】本発明に係わる第１の実施例を示す弾性表面波
素子製造用フォトマスクのマスクパターン図
素子製造用フォトマスクのマスクパターン図
【図２】本発明に係わる第２の実施例を示す弾性表面波
素子製造用フォトマスクのマスクパターン図
素子製造用フォトマスクのマスクパターン図
【図３】（ａ）及び（ｂ）は本発明に係わる第３、第４
の実施例を示す弾性表面波素子製造用フォトマスクのマ
スクパターン図
の実施例を示す弾性表面波素子製造用フォトマスクのマ
スクパターン図
【図４】（ａ）及び（ｂ）は本発明に係わる第５、第６
の実施例を示す弾性表面波素子製造用フォトマスクのマ
スクパターン図
の実施例を示す弾性表面波素子製造用フォトマスクのマ
スクパターン図
【図５】本発明に係わる弾性表面波素子のＩＤＴ電極パ
ターン図
ターン図
【図６】弾性表面波素子の一般的な構成を示す図
【図７】弾性表面波素子のＩＤＴの電極パターン図
【図８】弾性表面波素子の製造工程を示すフローチャー
ト
ト
【図９】リフトオフ法による弾性表面波素子の製造工程
を示すフローチャート
を示すフローチャート
【図１０】弾性表面波素子製造用フォトマスクの露光を
示す図
示す図
【図１１】（ａ）及び（ｂ）は従来のフォトマスクで露
光したポジレジストパターン図
光したポジレジストパターン図
１１，１２……フォトマスクの共通バスバー部 １３，１４……フォトマスクの電極指部 １５，１６……ＩＤＴの電極指部 １７，１８……ＩＤＴの共通バスバー部
Claims (2)
- 【請求項１】弾性表面波素子の電極パターンをフォトリ
ソグラフィー技術にて形成するためのフォトマスクにお
いて、該フォトマスクのインタディジタルトランスジュ
ーサ部分の電極指の少なくともバスバーへの連結部近傍
部分の幅を、該電極指の他の部分の幅より太くしたこと
を特徴とする弾性表面波素子製造用フォトマスク。 - 【請求項２】弾性表面波素子の電極パターンの、インタ
ディジタルトランスジューサ部分の電極指のバスバーへ
の連結部近傍部分の幅を、該電極指の他の部分の幅より
太くしたことを特徴とする弾性表面波素子の電極パター
ン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29030695A JPH09107259A (ja) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | 弾性表面波素子製造用フォトマスク及び電極パターン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29030695A JPH09107259A (ja) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | 弾性表面波素子製造用フォトマスク及び電極パターン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09107259A true JPH09107259A (ja) | 1997-04-22 |
Family
ID=17754409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29030695A Pending JPH09107259A (ja) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | 弾性表面波素子製造用フォトマスク及び電極パターン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09107259A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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- 1995-10-12 JP JP29030695A patent/JPH09107259A/ja active Pending
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