JP2018110291A - 弾性波デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】誘電体膜の外表面の凹凸が低減され、電気的特性のばらつきが抑制された弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】弾性波デバイス100は、圧電基板1の主面上において、櫛型電極2および反射器3、4を含む機能電極F1と、櫛型電極7および反射器8、9を含む機能電極F2とが形成されている領域を第1の領域R1とし、第1の領域R1以外の領域を第2の領域R2としたときに、第2の領域R2に機能電極F1と隣接して形成された金属部材5、6と、機能電極F2と隣接して形成された金属部材10、11とをさらに備えている。金属部材5、6、10、11は、機能電極F1、F2のいずれとも電気的に接続されていない。誘電体膜12は、機能電極F1、F2と金属部材5、6、10、11とを共に被覆するように圧電基板1の主面上に形成されている。
【選択図】図1
【解決手段】弾性波デバイス100は、圧電基板1の主面上において、櫛型電極2および反射器3、4を含む機能電極F1と、櫛型電極7および反射器8、9を含む機能電極F2とが形成されている領域を第1の領域R1とし、第1の領域R1以外の領域を第2の領域R2としたときに、第2の領域R2に機能電極F1と隣接して形成された金属部材5、6と、機能電極F2と隣接して形成された金属部材10、11とをさらに備えている。金属部材5、6、10、11は、機能電極F1、F2のいずれとも電気的に接続されていない。誘電体膜12は、機能電極F1、F2と金属部材5、6、10、11とを共に被覆するように圧電基板1の主面上に形成されている。
【選択図】図1
Description
この発明は、圧電基板と、圧電基板の主面上に形成され、櫛型電極および反射器を含む機能電極と、圧電基板の主面上において機能電極が被覆されるように形成された誘電体膜とを備えた弾性波デバイスに関する。
この発明において興味ある構造を有する弾性波デバイスの一例として、特開2011−41134号公報(特許文献1)に記載された弾性波デバイスが挙げられる。図6は、特許文献1に記載の弾性波デバイス300の模式図である。図6(A)は、弾性波デバイス300の平面図(上面図)である。図6(B)は、弾性波デバイス300の、図6(A)におけるC−C線を含む切断面における矢視断面図である。
特許文献1に記載の弾性波デバイス300は、圧電基板301と、機能電極Faと、誘電体膜312と、ストッパ層313とを備えている。機能電極Faは、櫛型電極302および反射器303、304を含み、圧電基板301の主面上に形成されている。誘電体膜312は、圧電基板301の主面上において機能電極Faが被覆されるように形成されている。ストッパ層313は、少なくとも下部に金属層を含み、最上面は誘電体膜312より研磨速度の遅い材料を用いて形成されている。
弾性波デバイス300の製造は、以下の方法により行なわれる。まず、圧電基板301の主面上に機能電極Fbおよびストッパ層313が形成される。次いで、機能電極Faおよびストッパ層313が被覆されるように誘電体膜312が形成される。その後、ストッパ層313に到達するまで、例えばCMP(Chemical Mechanical Polish)法により誘電体膜312が研磨される。特許文献1に記載の弾性波デバイス300は、上記の特徴を有し、また上記の方法により製造されるため、誘電体膜312の外表面の凹凸が抑制されるとされている。
特許文献1に記載の弾性波デバイス300では、ストッパ層313の存在により、圧電基板301の周縁部における誘電体膜312の段差の抑制が期待される。一方、ストッパ層313の最上面に到達するまでCMP法を実施すると、誘電体膜312がストッパ層313の最上面の位置に相当する深さよりさらに進んで研磨されている現象、いわゆるディッシングが発生してしまう。すなわち、誘電体膜312の外表面は、実際には図6(B)に図示されているように平坦ではなく、わずかに窪んだ皿状となっている。
CMP法による研磨は、ウエハに荷重が印加された状態で行なわれる。その際のウエハへの荷重のかかり方により、ウエハを個片化して得られる多量の弾性波デバイス300において、誘電体膜212のディッシング、すなわち誘電体膜212の外表面の凹凸にばらつきが生じている虞がある。その結果、弾性波デバイス300には、電気的特性のばらつきが依然として残っている虞がある。
そこで、この発明の目的は、誘電体膜の外表面の凹凸が低減され、電気的特性のばらつきが抑制された弾性波デバイスを提供することである。
この発明では、圧電基板上に形成されている構成部材についての改良が図られる。
この発明に係る弾性波デバイスは、圧電基板と、櫛型電極を含み圧電基板の主面上に形成された機能電極と、誘電体膜とを備えている。ここで、圧電基板の主面上において、機能電極が形成されている領域を第1の領域とし、第1の領域以外の領域を第2の領域とする。この発明に係る弾性波デバイスは、第2の領域に機能電極と隣接して形成され、かつ機能電極と電気的に接続されていない金属部材をさらに備えている。そして、誘電体膜は、機能電極と金属部材とを共に被覆するように圧電基板の主面上に形成されている。なお、機能電極は、反射器をさらに含むようにしてもよい。
上記の弾性波デバイスでは、機能電極が形成されていない領域に金属部材が配置されている。そのため、機能電極が形成されている領域とされていない領域との間に生じる誘電体膜の段差が低減されている。また、前述の特許文献1に記載された弾性波デバイスと異なり、CMP法による研磨は誘電体膜だけについて行なわれる。そのため、誘電体膜にディッシングが発生しない。したがって、ウエハを個片化して得られる多量の弾性波デバイスにおける、誘電体膜の外表面の凹凸のばらつきも低減されている。その結果、弾性波デバイスの電気的特性のばらつきが抑制されている。
この発明に係る弾性波デバイスは、以下の特徴を備えることが好ましい。すなわち、金属部材は、機能電極と同一の金属材料を用いて形成されている。
上記の弾性波デバイスでは、金属部材と機能電極とを同じ工程で形成することができる。その結果、弾性波デバイスの製造工程を簡略化することができる。
この発明に係る弾性波デバイスおよびその好ましい実施形態は、以下の特徴を備えることが好ましい。すなわち、金属部材は、櫛型形状である。
上記の弾性波デバイスでは、金属部材と機能電極との形状が似通っている。そのため、例えばバイアススパッタリングによる誘電体膜の形成時において、上記の第1の領域上と第2の領域上とで、誘電体材料の堆積の仕方も似通ったものとなる。すなわち、誘電体膜が上記の第1の領域上と第2の領域上とで同じように成長する。したがって、ウエハを個片化して得られる多量の弾性波デバイスにおける、誘電体膜の外表面の凹凸のばらつきがさらに低減されている。その結果、弾性波デバイスの電気的特性のばらつきがさらに抑制されている。
この発明に係る弾性波デバイスおよびその好ましい実施形態は、以下の特徴を備えることが好ましい。すなわち、圧電基板の主面の法線方向において、金属部材の厚みと機能電極の厚みとは、同一である。
ここで、金属部材の厚みは、SEMによる断面観察写真において、圧電基板の主面の法線方向における圧電基板と金属部材の外表面との間の距離を複数箇所で測定し、その平均値として定義することができる。機能電極の厚みも、同様に定義される。また、金属部材と機能電極とが同一の金属材料を用いて形成されている場合には、例えばリガクジャーナル vol.40,no.2(2009),p.1−9などに記載されているX線反射率法による測定値として厚みを定義してもよい。
また、金属部材の厚みと機能電極の厚みとが同一であるとは、製造工程上で発生する金属部材の厚みおよび機能電極の厚みのばらつきを含む概念である。
上記の弾性波デバイスでは、金属部材の厚みと機能電極の厚みとが同一である。そのため、誘電体膜が上記の第1の領域上と第2の領域上とで同じように成長する。したがって、ウエハを個片化して得られる多量の弾性波デバイスにおける、誘電体膜の外表面の凹凸のばらつきがさらに低減されている。その結果、弾性波デバイスの電気的特性のばらつきがさらに抑制されている。
この発明に係る弾性波デバイスでは、誘電体膜の外表面の凹凸が低減され、電気的特性のばらつきが抑制されている。
以下にこの発明の実施形態を示して、この発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。この発明が適用される弾性波デバイスとしては、例えばSAWフィルタなどが挙げられるが、これに限られるものではない。
−弾性波デバイスの実施形態−
<弾性波デバイスの構造>
この発明に係る弾性波デバイスの実施形態である弾性波デバイス100およびその変形例の構造について、図1ないし図3を用いて説明する。なお、図面は、要部のみを示すものであり、要部以外については簡略化のため言及および図示を省略している。また、以後の図面についても、同様に要部のみを示す。
<弾性波デバイスの構造>
この発明に係る弾性波デバイスの実施形態である弾性波デバイス100およびその変形例の構造について、図1ないし図3を用いて説明する。なお、図面は、要部のみを示すものであり、要部以外については簡略化のため言及および図示を省略している。また、以後の図面についても、同様に要部のみを示す。
なお、各図面は模式図であり、実際の製品の寸法は必ずしも反映されていない。また、製造工程上で発生する各構成要素の形状のばらつきなども、各図面に必ずしも反映されていない。すなわち、以後、この明細書中で説明のために用いられる図面は、たとえ実際の製品と異なる部分があったとしても、本質的な面で実際の製品を表すものと言うことができる。
図1は、弾性波デバイス100の模式図である。図1(A)は、弾性波デバイス100の、後述する誘電体膜12の一部を切り欠いて示した平面図(上面図)である。図1(B)は、図1(A)におけるA−A線を含む切断面における矢視断面図である。図1では、弾性波デバイス100の要部のみが図示されており、その他の構成要素の図示は省略されている。
弾性波デバイス100は、圧電基板1と、櫛型電極2および反射器3、4を含む機能電極F1と、櫛型電極7および反射器8、9を含む機能電極F2と、誘電体膜12とを備えている。圧電基板1は、例えばLiTaO3およびLiNbO3などから選ばれるの圧電材料を用いることができる。櫛型電極2は、IDT(Inter Digital Transducer)電極である。機能電極F1と機能電極F2とは、後述の材料を用いて圧電基板1の主面上に形成されている。なお、機能電極の数はこれに限られるものではない。また、機能電極は、反射器を含まないようにしてもよい。
圧電基板1の主面上において、機能電極F1と機能電極F2とが形成されている領域を第1の領域R1とし、第1の領域R1以外の領域を第2の領域R2とする。弾性波デバイス100は、第2の領域R2に機能電極F1と隣接して形成された金属部材5、6と、機能電極F2と隣接して形成された金属部材10、11とをさらに備えている。弾性波デバイス100では、金属部材5、6は、弾性波の伝搬方向において機能電極F1を挟むように配置されている。同様に、金属部材10、11は、弾性波の伝搬方向において機能電極F2を挟むように配置されている。
弾性波デバイス100では、金属部材5、6、10、11は櫛型形状となっている。また、機能電極F1、F2における櫛型電極2、7と反射器3、4、8、9とは、圧電基板1の主面の法線方向において、同一の厚みを有している。上記の各要素の厚み、およびそれらの厚みが同一であることの定義は、前述の通りである。この場合、弾性波デバイス100の製造過程において、誘電体膜12が上記の第1の領域R1上と第2の領域R2上とで同じように成長する。そのため、後述する誘電体膜の外表面の凹凸のばらつきの低減に対して効果的である。
金属部材とは、第2の領域R2に配置されることにより、第1の領域R1と第2の領域R2との間における誘電体膜の形成のされ方の差を減少させるものである。この発明においては、上記の効果を奏するものを金属部材と呼称する。
弾性波デバイス100では、機能電極F1、F2と金属部材5、6、10、11とは、例えばCuまたはAlのような、同一の金属材料を用いて形成されている。この場合、後述するように、金属部材と機能電極とを同じ工程で形成することができる。ただし、機能電極F1、F2と金属部材5、6、10、11とは、異なる金属材料を用いて、異なる工程により形成されてもよい。
金属部材5、6、10、11は、機能電極F1、F2のいずれとも電気的に接続されていない。したがって、金属部材と機能電極との間、および金属部材と不図示の配線パターンとの間に電磁界結合が生じて、弾性波デバイス100の電気的特性に悪影響を及ぼすことがない。そして、誘電体膜12は、機能電極F1、F2と金属部材5、6、10、11とを共に被覆するように圧電基板1の主面上に形成されている。
弾性波デバイス100では、金属部材5、6、10、11が第2の領域に配置されているため、第1の領域R1と第2の領域R2との間における誘電体膜12の形成のされ方の差が減少している。すなわち、誘電体膜12の外表面の凹凸が低減されている。また、弾性波デバイス100の製造工程におけるCMP法による研磨時に、誘電体膜12に前述のディッシングが発生しない。したがって、集合体100Mを個片化して得られる多量の弾性波デバイス100における、誘電体膜12の外表面の凹凸のばらつきも低減されている。その結果、弾性波デバイス100の電気的特性のばらつきが抑制されている。
なお、図2に示される弾性波デバイス100A(この発明に係る弾性波デバイスの実施形態の第1の変形例)のように、第2の領域R2に、複数の小板状の金属部材5、6を配置するようにしてもよい。また、図3に示される弾性波デバイス100B(この発明に係る弾性波デバイスの実施形態の第2の変形例)のように、第2の領域R2に、複数の帯状の金属部材5、6、10、11を配置するようにしてもよい。
<弾性波デバイスの製造方法>
この発明に係る弾性波デバイスの実施形態である弾性波デバイス100の製造方法の一例を、図4および図5を用いて説明する。図4は、弾性波デバイス100の集合体100Mの、集合状態の誘電体膜12Mの一部を切り欠いて示した平面図(上面図)である。弾性波デバイス100は、集合体100Mを個片化することにより製造される。集合体100Mは、圧電基板1のウエハ1Mを基材として、その主面に複数組の機能電極と金属部材とが形成された後、それらが被覆されるように集合状態の誘電体膜12Mが形成されたものである。
この発明に係る弾性波デバイスの実施形態である弾性波デバイス100の製造方法の一例を、図4および図5を用いて説明する。図4は、弾性波デバイス100の集合体100Mの、集合状態の誘電体膜12Mの一部を切り欠いて示した平面図(上面図)である。弾性波デバイス100は、集合体100Mを個片化することにより製造される。集合体100Mは、圧電基板1のウエハ1Mを基材として、その主面に複数組の機能電極と金属部材とが形成された後、それらが被覆されるように集合状態の誘電体膜12Mが形成されたものである。
図5は、弾性波デバイス100の製造方法の一例において順次行われる各工程の要部をそれぞれ模式的に表す断面図である。なお、図5の各図面は、図4におけるB−B線を含む切断面における矢視断面図に相当する。そのため、図5の各図面においては、機能電極F2および金属部材10、11は図示されていない。
図5(A)は、圧電基板1のウエハ1Mを基材として、その主面上に複数組の櫛型電極2および反射器3、4を含む機能電極F1と金属部材5、6とが形成される工程を示す模式図である。前述したように、圧電基板1の主面上において、機能電極F1が形成されている領域を第1の領域R1とし、第1の領域R1以外の領域を第2の領域R2とする。すなわち、金属部材5、6は、圧電基板1の主面上の第2の領域R2に、弾性波の伝搬方向において機能電極F1を挟むようにして形成されている。
弾性波デバイス100では、前述したように、機能電極F1および金属部材5、6には、同一の金属材料が用いられている。ウエハ1Mの主面上への機能電極F1および金属部材5、6の形成は、フォトリソグラフィおよびリフトオフなどの既知の手法が適用される。
図5(B)は、機能電極F1と金属部材5、6とが形成されたウエハ1Mの主面上に、集合状態の誘電体膜12Mが形成される工程を示す模式図である。集合状態の誘電体膜12Mの形成は、例えばバイアススパッタリングにより行なわれる。バイアススパッタリングにより集合状態の誘電体膜12Mが形成された場合、集合状態の誘電体膜12Mの外表面には、図5(B)に示されるような角状の突起が残っている。この工程により、機能電極F1と金属部材5、6とは、集合状態の誘電体膜12Mにより被覆される。
図5(C)は、集合状態の誘電体膜12Mを研磨する工程である。前述のように、バイアススパッタリングにより形成された集合状態の誘電体膜12Mの外表面には突起が残っているため、この突起を除去し、かつ誘電体膜12の膜厚調整を行なう必要がある。集合状態の誘電体膜12Mの研磨は、CMP法により行なわれる。この工程までが行なわれることにより、弾性波デバイス100が個片化される前の集合体100Mが得られる。
図5(D)は、集合体100Mを個片化し、弾性波デバイス100を得る工程である。集合体100Mの個片化(切断)は、例えばダイシングソーなどの既知の手法が適用される。この工程までが行なわれることにより、弾性波デバイス100が得られる。なお、この発明に係る弾性波デバイスの実施形態の第1の変形例である弾性波デバイス100A、および第2の変形例である弾性波デバイス100Bも、同様の方法により製造することができる。
なお、この発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、この発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることができる。また、この明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
100、100A、100B SAWフィルタ(弾性波デバイス)
1 圧電基板
2、7 櫛型電極
3、4、8、9 反射器
5、6、10、11 金属部材
12 誘電体膜
F1、F2 機能電極
R1 第1の領域
R2 第2の領域
1 圧電基板
2、7 櫛型電極
3、4、8、9 反射器
5、6、10、11 金属部材
12 誘電体膜
F1、F2 機能電極
R1 第1の領域
R2 第2の領域
Claims (5)
- 圧電基板と、櫛型電極を含み前記圧電基板の主面上に形成された機能電極と、誘電体膜とを備えた弾性波デバイスであって、
前記圧電基板の主面上において、前記機能電極が形成されている領域を第1の領域とし、前記第1の領域以外の領域を第2の領域としたときに、前記第2の領域に前記機能電極と隣接して形成され、かつ前記機能電極と電気的に接続されていない金属部材をさらに備えており、
前記誘電体膜は、前記機能電極と前記金属部材とを共に被覆するように前記圧電基板の主面上に形成されていることを特徴とする、弾性波デバイス。 - 前記機能電極は、反射器をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の弾性波デバイス。
- 前記金属部材は、前記機能電極と同一の金属材料を用いて形成されていることを特徴とする、請求項1または2に記載の弾性波デバイス
- 前記金属部材は、櫛型形状であることを特徴とする、請求項1ないし3のいずれか1項に記載の弾性波デバイス。
- 前記圧電基板の主面の法線方向において、前記金属部材の厚みと前記機能電極の厚みとは、同一であることを特徴とする、請求項1ないし4のいずれか1項に記載の弾性波デバイス。
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