JP2011040999A - 弾性表面波素子の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】電極パターンを形成するときに発生する圧電基板の反りを防ぐことができる弾性表面波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子10の製造方法は、(i)圧電基板12の一方主面12tに、圧電基板12よりも線膨張係数が小さい支持部材14を接合して複合基板11を形成する第1の工程と、(ii)複合基板11の支持部材14に、支持部材14と圧電基板12との接合界面12tとは反対側の表面14sから複数の溝14tを形成する第2の工程と、(iii)複合基板11の圧電基板12の他方主面12sに、IDT電極を含む電極パターン16を形成する第3の工程と、(iv)電極パターン16を形成した複合基板11を分割して個片化する第4の工程とを備える。
【選択図】図2

Description

本発明は、弾性表面波素子の製造方法に関し、詳しくは、圧電基板表面の弾性表面波を利用するフィルタや共振子などの弾性表面波素子の製造方法に関する。
従来、例えば送信帯域と受信帯域の周波数差が小さい移動体通信システムにおいて、受信帯域での減衰量を確保するため、タンタル酸リチウム(LiTaO;LT)やニオブ酸リチウム(LiNbO;LN)などの電気機械結合係数の大きな圧電基板を使用した弾性表面波フィルタが用いられている。しかし、LT基板やLN基板の周波数温度係数(TCF)が大きいため、製造ばらつきを考慮すると、送受信帯域間隔は実質的に非常に小さくなる。そのため、温度特性の改善が望まれている。
温度特性を改善する方策として、圧電基板に、圧電基板よりも高い強度及び弾性を持つ支持部材を貼り合わせた構成とすることが提案されている。
このような構成の弾性表面波素子を製造する方法として、例えば図5の断面図に示すように、比較的厚い圧電基板111Aとシリコン基板112Aとを貼り合わせた後、それぞれの基板111A,112Aを切削・研磨し(図5(b)及び(c)における切削・削除部分111C,112C参照)、所望の程度に薄化された圧電基板111Bとシリコン基板112Bとが接合された構成にすることが提案されている(例えば特許文献1参照)。
また、図6の断面図に示す弾性表面波素子用基板の製造方法が提案されている。すなわち、図6(a)に示すように、線膨張係数が異なる第1の基板201と第2の基板202とを洗浄した後、図6(b)に示すように、第1の基板201と第2の基板202とを接合して接合基板206を形成する。そして、図6(c)に示すように、接合基板106の第1の基板201側に切り込み207を形成した後、接合強度アップのために接合基板206の熱処理を行い、このときの加熱に伴う熱応力によって、図6(d)に示すように、切り込み207に沿って第1の基板201を分割する(例えば特許文献2参照)。
特開2004−297693号公報 特開2002−217666号公報
図5のような製造方法では、薄くされた圧電基板の表面にIDT電極(IDT:interdigital transducers)などの電極パターンを形成する必要がある。圧電基板と支持基板とは線膨張係数が異なり、圧電基板は薄くされているため、電極パターンを形成する工程において、圧電基板は温度変化に伴い反りやすい。圧電基板が反ると、電極パターン形成の精度が悪くなったり、圧電基板自体が破損するなどの不具合が発生しやすくなる。
図6のような製造方法では、切り込みの深さ、幅や角度を正確にコントロールすることが困難であるために、熱を加えた際に基板にひびや割れなどの破損が生じやすい。また、第1の基板を完全に切断できても、第1の基板の表面に切り込みがあるため、第1の基板の表面に電極パターンを形成する工程時に正確なパターン合わせが難しい。
本発明は、かかる実情に鑑み、電極パターンを形成するときに発生する圧電基板の反りを防ぐことができる弾性表面波素子の製造方法を提供しようとするものである。
本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した弾性表面波素子の製造方法を提供する。
弾性表面波素子の製造方法は、(i)圧電基板の一方主面に、該圧電基板の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する支持部材を接合して複合基板を形成する第1の工程と、(ii)前記複合基板の前記支持部材に、前記支持部材と前記圧電基板との接合界面とは反対側の表面から複数の溝を形成する第2の工程と、(iii)前記複合基板の前記圧電基板の他方主面に、IDT電極を含む電極パターンを形成する第3の工程と、(iv)前記電極パターンを形成した前記複合基板を分割して個片化する第4の工程とを備える。
上記方法によれば、第3の工程において電極パターンを形成するときに、圧電基板と支持部材との接合界面への応力集中を、溝によって分散させることができるので、圧電基板の反りや割れなどの不具合の発生を防止することができる。
また、溝は支持部材側に形成し、圧電基板の他方主面には溝による凹凸がないため、圧電基板の他方主面に電極パターンを正確に形成することができる。
好ましくは、前記第2の工程の後、かつ前記第3の工程の前に、前記溝に充填材料を充填する。前記第3の工程の後、かつ前記第4の工程の前に、前記充填材料を除去する。
この場合、溝に充填材料を充填することにより、支持部材と圧電基板との接合界面とは反対側の支持部材の表面側を平らにし、第3の工程において電極パターンを形成するときに支持部材の表面側を吸着して、圧電基板の反りを防ぐことができる。
好ましくは、前記第3の工程の後、かつ前記第4の工程の前に、前記溝に、前記圧電基板の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する低膨張係数材料を充填し、前記第4の工程において分割され、個片化された前記複合基板が、前記低膨張係数材料を備えているようにする。
この場合、個片化された複合基板が低膨張係数材料を備えることによって、周波数温度係数(TCF)を改善することができる。
本発明によれば、電極パターンを形成するときに発生する圧電基板の反りを防ぐことができる。
弾性表面波素子の製造工程を示す断面図である。(実施例1) 弾性表面波素子の製造工程を示す断面図である。(実施例1) 弾性表面波素子の製造工程を示す断面図である。(実施例2) 弾性表面波素子の製造工程を示す断面図である。(実施例2) 弾性表面波素子の製造工程を示す断面図である。(従来例1) 弾性表面波素子の製造工程を示す断面図である。(従来例2)
以下、本発明の実施の形態について、図1〜図4を参照しながら説明する。
<実施例1> 実施例1の弾性表面波素子10の製造方法について、図1及び図2を参照しながら説明する。図1及び図2は、弾性表面波素子の製造工程を模式的に示す断面図である。
弾性表面波素子10は、図2(g)に示すように、圧電基板12の一方主面である裏面12tに支持部材14が接合されており、圧電基板12の他方主面である表面12sに、IDT電極を含む電極パターン16が形成されている。
弾性表面波素子10は、次の(a)〜(g)の工程により作製することができる。以下、各工程について、図1及び図2を参照しながら説明する。
(a)基板接合工程
まず、図1(a)に示すように、圧電基板12の裏面12tに支持部材14を接合して複合基板11を形成する。支持部材14には、圧電基板12の線膨張係数より小さい線膨張係数を有する材料を用いる。例えば、圧電基板12にタンタル酸リチウム、支持部材14には、Al,Si,SiOなどを用いる。接合の手法は問わない。例えば、接着剤を介した接合、溶射又は接合表面の親水化処理による直接接合などの手法を適用できる。
(b)基板薄化工程
次いで、図1(b)に示すように、圧電基板12の表面12sと、支持部材14の表面14t(すなわち、圧電基板12と支持部材14との接合界面12tとは反対側の表面14s)とを切削、研磨し、圧電基板12と支持部材14とを所望の厚みにする。
(c)溝形成工程
次いで、図1(c)に示すように、支持部材14の表面14sに複数の溝14tを形成する。溝14tの形成方法は問わない。例えば、ダイシングブレードによる切削、ドライエッチング、ウェットエッチングなどの手法を適用できる。
(d)充填工程
次いで、図1(d)に示すように、樹脂などの柔らかい充填材料20を溝14tに埋め込んだ後、支持部材14の表面14s側を平らにする。例えば、ディスペンサを用いて充填材料20を溝14tに充填する。あるいは、支持部材14の表面14s側から、マスクを介して、スパッタリングによって溝14t内に柔らかい金属材料を堆積させる。支持部材14の表面14s側を平らにしておくのは、後の電極パターン形成工程において、支持部材14を安定して吸着できるようにするためである。充填材料20として柔らかい材料を使用しているため、支持部材14に溝14tを形成しても、応力集中を分散させる効果は維持される。
(e)電極パターン形成工程
次いで、図2(e)に示すように、圧電基板12の表面12sに、IDT電極を含む電極パターン16を、フォトリソグラフィー技術やエッチング技術を用いて形成する。
(f)充填除去工程
次いで、図2(f)に示すように、支持部材14側から、溝14t内の充填材料20を、溶剤を用いるなどして、除去する。
(g)基板分割工程
次いで、図2(g)に示すように、圧電基板12に、ダイシング加工などにより溝12xを形成し、弾性表面波素子10の個片に分割する。
以上の製造方法では、圧電基板12の表面12sに、IDT電極を含む電極パターン16を形成するときに、圧電基板12の裏面12tに接合された支持部材14には溝14tが形成されており、圧電基板12と支持部材14との接合界面12tへの応力集中が溝14tによって分散されるので、電極パターン16を形成するときの熱応力による圧電基板12の反り、割れなどの不具合発生を防ぐことができる。
また、溝14tが支持部材14側に形成され、圧電基板12の表面12sには、溝14tの切り込みによる凹凸が形成されないため、圧電基板12の表面12sに電極パターン16を正確にパターンニングすることが可能である。
さらに、ダイシングブレードなどにより支持部材14に溝14tを形成することにより、支持部材14を直接分割しているため、支持部材14を分割するときに圧電基板12が損傷しないようにすることができる。
図1及び図2に示すように、弾性表面波素子10の個片の大きさと一致する位置(すなわち、弾性表面波素子10の個片の境界線と一致する位置)に、支持部材14を貫通して圧電基板12との接合界面12tに達し、支持部材14を完全に分離するように溝14tを形成すると、複合基板11を分割し、個片化するときに支持部材14の加工が不要となり、工程が簡単になるので、好ましい。
もっとも、溝は、支持部材の表面側から任意の位置に形成することができる。また、溝は、支持部材の厚み方向の途中まで形成し、支持部材を貫通しないように、すなわち圧電基板に達しないように、形成してもよい。いずれの場合も、溝により応力集中を緩和し、圧電基板の反り等を防ぐことができる。
<実施例2> 実施例2の弾性表面波素子10aの製造方法について、図3及び図4を参照しながら説明する。図3及び図4は、弾性表面波素子10aの製造工程を模式的に示す断面図である。
実施例2の弾性表面波素子10aは、図4(h)に示すように、実施例1の弾性表面波素子10と同様に、圧電基板12の表面12sに、IDT電極を含む電極パターン16が形成されており、圧電基板12の裏面12tには支持部材14が接合されている。
ただし、実施例1の弾性表面波素子10と異なり、圧電基板12の裏面12tには、支持部材14に加え、低線膨張係数材料30が接合されている。低線膨張係数材料30は、支持部材14にも接合されている。
実施例2の弾性表面波素子10aは、圧電基板12より線膨張係数の小さい低線膨張係数材料30が圧電基板12の裏面12tに接合され、温度変化に伴う圧電基板12の収縮が低線膨張係数材料30によって拘束されるため、実施例1の弾性表面波素子10と比べ、温度特性がさらに改善されるようにすることができる。
実施例2の弾性表面波素子10aは、次の(a)〜(h)の工程により作製することができる。(a)〜(f)の工程は、実施例1と同じである。以下、各工程について、図3及び図4を参照しながら説明する。
(a)基板接合工程
まず、図3(a)に示すように、圧電基板12の裏面12tに支持部材14を接合して複合基板11を形成する。支持部材14には、圧電基板12の線膨張係数より小さい線膨張係数を有する材料を用いる。例えば、圧電基板12にタンタル酸リチウム、支持部材14には、Al,Si,SiOなどを用いる。接合の手法は問わない。例えば、接着剤を介した接合、溶射又は接合表面の親水化処理による直接接合などの手法を適用できる。
(b)基板薄化工程
次いで、図3(b)に示すように、圧電基板12の表面12sと、支持部材14の表面14s(すなわち、圧電基板12と支持部材14との接合界面12tとは反対側の表面14s)とを切削、研磨し、圧電基板12と支持部材14とを所望の厚みにする。
(c)溝形成工程
次いで、図3(c)に示すように、支持部材14の表面14sに複数の溝14tを形成する。溝14tの形成方法は問わない。例えば、ダイシングブレードによる切削、ドライエッチング、ウェットエッチングなどの手法を適用できる。
(d)充填工程
次いで、図3(d)に示すように、樹脂などの柔らかい充填材料20を溝14tに埋め込んだ後、支持部材14の表面14s側を平らにする。例えば、ディスペンサを用いて充填材料20を溝14tに充填する。あるいは、支持部材14の表面14s側から、マスクを介して、スパッタリングによって溝14t内に柔らかい金属材料を堆積させる。支持部材14の表面14s側を平らにしておくのは、後の電極パターン形成工程において、支持部材14を安定して吸着できるようにするためである。充填材料20として柔らかい材料を使用しているため、支持部材14に溝14tを形成しても、応力集中を分散させる効果は維持される。
(e)電極パターン形成工程
次いで、図4(e)に示すように、圧電基板12の表面12sに、IDT電極を含む電極パターン16を、フォトリソグラフィー技術やエッチング技術を用いて形成する。
(f)充填除去工程
次いで、図4(f)に示すように、支持部材14側から、溝14t内の充填材料20を、溶剤を用いるなどして、除去する。
(g)再充填工程
次いで、図4(g)に示すように、支持部材14の表面14s側から溝14t内に、圧電基板12の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する低線膨張係数材料30を、ディスペンサなどで充填する。
(h)基板分割工程
次いで、図4(h)に示すように、ダイシング加工などにより、圧電基板12に溝12xを形成し、かつ、低線膨張係数材料30に溝30xを形成して、弾性表面波素子10aの個片に分割する。
以上の製造方法では、圧電基板12の表面12sに、IDT電極を含む電極パターン16を形成するときに、圧電基板12の裏面12tに接合された支持部材14には溝14tが形成されており、圧電基板12と支持部材14との接合界面12tへの応力集中が溝14tによって分散されるので、電極パターン16を形成するときの熱応力による圧電基板12の反り、割れなどの不具合発生を防ぐことができる。
また、溝14tが支持部材14側に形成され、圧電基板12の表面12sには、溝14tの切り込みによる凹凸が形成されないため、圧電基板12の表面12sに電極パターン16を正確にパターンニングすることが可能である。
さらに、ダイシングブレードなどにより支持部材14に溝14tを形成することにより、支持部材14を直接分割しているため、支持部材14を分割するときに圧電基板12が損傷しないようにすることができる。
図3及び図4に示すように、弾性表面波素子10の個片の大きさと一致する位置(すなわち、弾性表面波素子10の個片の境界線と一致する位置)に、支持部材14を貫通して圧電基板12との接合界面12tに達し、支持部材14を完全に分離するように溝14tを形成すると、複合基板11を分割し、個片化した後に、圧電基板12の裏面12tには、周縁に沿って低線膨張係数材料30が接合される。低線膨張係数材料30には、たとえば、Al,SiO,Siなどを用いることができる。この場合、複合基板11を分割し、個片化するときに支持部材14の加工が不要となり、工程が簡単になる上、温度変化に伴う圧電基板12の収縮が、圧電基板12の裏面12sの周縁に沿って接合された低線膨張係数材料30によって効果的に拘束され、温度特性の改善効果が高まるので、好ましい。
もっとも、溝は、支持部材の表面側から任意の位置に形成することができる。また、溝は、支持部材の厚み方向の途中まで形成し、支持部材を貫通しないように、すなわち圧電基板に達しないように、形成してもよい。いずれの場合も、溝により応力集中を緩和し、圧電基板の反りを防ぐことができる上、低線膨張係数材料によって温度特性を改善することができる。
<まとめ> 以上に説明したように、圧電基板の表面に弾性表面波素子の電極パターン形成する前に、圧電基板の裏面に接合した支持部材に複数の溝を形成しておくことにより、圧電基板の表面に弾性表面波素子の電極パターン形成する際の温度変化に伴って生じる圧電基板と支持部材との接合界面への応力集中を分散させることができるので、電極パターン形成工程における圧電基板の反りや割れなどの不具合発生を防止することができる。
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。
10,10a 弾性表面波素子
11 複合基板
12 圧電基板
12s 表面(他方主面)
12t 裏面(一方主面)
14 支持部材
14s 表面
14t 溝
16 電極パターン
20 充填材料
30 低線膨張係数材料

Claims (3)

  1. 圧電基板の一方主面に、該圧電基板の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する支持部材を接合して複合基板を形成する第1の工程と、
    前記複合基板の前記支持部材に、前記支持部材と前記圧電基板との接合界面とは反対側の表面から複数の溝を形成する第2の工程と、
    前記複合基板の前記圧電基板の他方主面に、IDT電極を含む電極パターンを形成する第3の工程と、
    前記電極パターンを形成した前記複合基板を分割して個片化する第4の工程と、
    を備えたことを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
  2. 前記第2の工程の後、かつ前記第3の工程の前に、前記溝に充填材料を充填し、
    前記第3の工程の後、かつ前記第4の工程の前に、前記充填材料を除去することを特徴とする、請求項1に記載の弾性表面波素子の製造方法。
  3. 前記第3の工程の後、かつ前記第4の工程の前に、前記溝に前記圧電基板の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する低膨張係数材料を充填し、
    前記第4の工程において分割され、個片化された前記複合基板が、前記低膨張係数材料を備えているようにすることを特徴とする、請求項1又は2に記載の弾性表面波素子の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150325775A1 (en) * 2014-05-12 2015-11-12 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device and method for manufacturing the same

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013057617A1 (en) * 2011-10-21 2013-04-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Low warpage wafer bonding through use of slotted substrates
JP5942590B2 (ja) * 2012-05-23 2016-06-29 セイコーエプソン株式会社 力検出素子、力検出モジュール、力検出ユニットおよびロボット
CN108461623B (zh) * 2018-01-23 2024-05-14 曼图电子(上海)有限公司 一种用于阵列探头的背衬材料及其制造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003124767A (ja) * 2001-10-16 2003-04-25 Hitachi Ltd 弾性表面波素子とその製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06224678A (ja) * 1993-01-21 1994-08-12 Daishinku Co 多段接続型弾性表面波フィルタの周波数調整方法
JP3924810B2 (ja) 1995-07-19 2007-06-06 松下電器産業株式会社 圧電素子とその製造方法
JP3880150B2 (ja) 1997-06-02 2007-02-14 松下電器産業株式会社 弾性表面波素子
JP3712035B2 (ja) * 1999-04-28 2005-11-02 株式会社村田製作所 表面波装置の製造方法
JP2002217666A (ja) 2001-01-24 2002-08-02 Hitachi Ltd 弾性表面波素子およびその製造方法
JP3892370B2 (ja) * 2002-09-04 2007-03-14 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波素子、フィルタ装置及びその製造方法
JP2004297693A (ja) 2003-03-28 2004-10-21 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイスの製造方法及び弾性表面波デバイス
US7389570B2 (en) * 2004-06-28 2008-06-24 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device manufacturing method, surface acoustic wave device, and communications equipment

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003124767A (ja) * 2001-10-16 2003-04-25 Hitachi Ltd 弾性表面波素子とその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150325775A1 (en) * 2014-05-12 2015-11-12 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device and method for manufacturing the same
US10109785B2 (en) * 2014-05-12 2018-10-23 Taiyo Yuden Co., Ltd. Method for manufacturing acoustic wave device

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