CN108461623B - 一种用于阵列探头的背衬材料及其制造方法 - Google Patents

一种用于阵列探头的背衬材料及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种用于阵列探头的背衬材料及其制造方法,包括背衬体、第一导电层、第二导电层和连接体;第一导电层包裹背衬体的外侧表面,若干个背衬体以矩阵的方式排列,相邻的两个背衬体之间具有间隙,连接体填充在间隙内将若干个背衬体连接为一体,并形成背衬集合体;第二导电层覆盖在背衬集合体的外侧;背衬集合体的顶底端两端分别具有纵向凹槽和横向凹槽,纵向凹槽和横向凹槽的槽底分别与连接体连通,纵向凹槽和横向凹槽交错布置并分隔出若干个阵元单元。本发明的优点和有益效果在于:克服了现有的电极引线困难,且无需焊接,可操作性强,提高了阵列探头的一致性和成品率;同时可制成不同频率和不同阵元间距的阵列探头,扩大了适用范围。

Description

一种用于阵列探头的背衬材料及其制造方法
技术领域
本发明涉及超声波设备领域,特别涉及一种用于阵列探头的背衬材料及其制造方法。
背景技术
现有的阵列探头多采用焊接或粘接的方法与电极引线连接;而焊接的方法不适用于频率较高的阵列探头,比如15MHz阵列探头,其压电晶片厚度只有0.1mm,在焊接过程中,压电晶片很容易去极化,产生失效;同时,焊接的方法不适于阵元间距小于0.3mm的阵列探头,比如长宽各为0.3mm的阵元,但较小的焊点直径都接近0.3mm,如果有如些大的焊点在压电晶片表面,其性能将急剧下降;
采用粘接FPC的方式虽然解决了焊接的问题,但对于高频探头来说,前端FPC的厚度要小于四分之一波长,比如15MHz阵列探头,超声波通过FPC,其四分之一波长约为0.05mm,而现有最薄的FPC厚度约为0.1mm,FPC的厚度也将影响阵列探头的性能。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提供一种用于阵列探头的背衬材料及其制造方法,本技术方案通过将用于阵列探头的背衬材料的底端与电极引线连接,将若干个压电晶片分别安装在背衬集合体顶端的各个阵元单元上,并在背衬集合体顶端以面阵方式排列,并用于安装在阵列探头上;电极引线将通过第一导电层和第二导电层向各压电晶片输出电压;同时,背衬集合体顶端的若干个阵元单元通过纵向凹槽和横向凹槽相互隔离,背衬集合体底端的若干个阵元单元通过纵向凹槽和横向凹槽相互隔离;
因此,本技术方案克服了现有的电极引线困难,且无需焊接,可操作性强,适合批量化生产,还可提高阵列探头的一致性和成品率;同时,通过改变阵元单元的尺寸,以及纵向凹槽和横向凹槽的尺寸,可制成不同频率和不同阵元间距的阵列探头,极大的扩大了适用范围。
本发明中的一种用于阵列探头的背衬材料,包括背衬体、第一导电层、第二导电层和连接体;所述第一导电层包裹所述背衬体的外侧表面,若干个所述背衬体以矩阵的方式排列,相邻的两个所述背衬体之间具有间隙,所述连接体填充在所述间隙内将若干个所述背衬体连接为一体,并形成背衬集合体;所述第二导电层覆盖在所述背衬集合体的外侧;
所述背衬集合体的顶底端两端分别具有纵向凹槽和横向凹槽,所述纵向凹槽和横向凹槽的槽底分别与所述连接体连通,所述纵向凹槽和横向凹槽交错布置在所述背衬集合体的顶底两端,并在所述背衬集合体的顶底两端分别分隔出若干个阵元单元。
上述方案中,所述背衬集合体顶端的若干个阵元单元的尺寸与压电晶片的尺寸相互匹配。
上述方案中,所述背衬体为背衬块,所述第一导电层包裹所述背衬块的外侧表面,所述第二导电层包裹背衬集合体的外侧表面,所述第一导电层连接所述背衬集合体顶底两端上的第二导电层。
上述方案中,背衬体为背衬棒,所述第一导电层包裹在所述背衬棒的外侧表面,所述背衬块包裹所述背衬棒的外侧表面,若干个所述背衬块以矩阵的方式排列,并通过连接体连接为一体形成背衬集合体;所述第二导电层分别覆盖在所述背衬集合体顶底两端的外侧表面。
上述方案中,所述第一导电层连接所述背衬集合体顶底两端上的第二导电层。
上述方案中,所述第一导电层为银、金、铜或镍金属层,所述第一导电层的厚度为0.5-3um;所述第二导电层为银、金、铜或镍金属层,所述第二导电层的厚度为0.5-3um。
上述方案中,所述背衬体和连接体分别由胶与粉末所组成的混合物经烘烤固化后形成。
一种用于阵列探头的背衬材料的制造方法,用于制造上述的一种用于阵列探头的背衬材料,包括以下步骤:
M1.制造背衬体;
M2.在所述背衬体的外侧表面镀第一导电层;
M3.制造背衬集合体;
M4.在所述背衬集合体的外侧镀第二导电层;
M5.在背衬集合体的顶底两端蚀刻或切割纵向凹槽和横向凹槽。
上述方案中,当所述背衬体为背衬块时:
所述M1包括以下步骤:
MA11.准备背衬块模具,在所述背衬块模具内的立方体空间内挤压填充混合物,再将所述背衬块模具放入电热恒温干燥箱内烘烤固化后,获得背衬材料块;其中,所述混合物由胶和粉末组成,背衬材料块为立方体形状;
MA12.沿垂直于水平面的方向对所述背衬材料块分别进行若干次纵向切割和横向切割,获得若干个以矩阵方式排列的背衬块;
所述M2包括以下步骤:
MA21.对若干个所述背衬块的外侧表面分别化学镀或磁控溅射镀第一导电层;
所述M3包括以下步骤:
MA31.将若干个背衬块再次以矩阵方式进行布置在连接块模具内,且相邻的两个背衬块之间具有间隙;
MA32.准备连接块模具并在所述连接块模具内的立方体空间内挤压填充混合物,再将连接块模具放入电热恒温干燥箱内烘烤固化后,获得背衬集合胚体;其中,所述混合物由胶和粉末组成,并经烘烤固化后形成连接体,背衬材料胚体为立方体形状;
MA33.研磨所述背衬材料胚体的顶底两端,直至所述背衬材料胚体内背衬块两端的第一导电层露出在所述背衬材料胚体顶底两端的端面上,制成背衬集合体;
所述M4包括以下步骤:
MA41.在所述背衬集合体的外侧表面化学镀或磁控溅射镀第二导电层;
所述M5包括以下步骤:
MA51.根据压电晶片的尺寸,对镀有第二导电层的背衬集合体的顶底端两端,分别蚀刻或切割具有纵向凹槽和横向凹槽,制成用于阵列探头的背衬材料;其中,所述纵向凹槽和横向凹槽的槽底分别与所述连接体连通,所述纵向凹槽和横向凹槽交错布置,使得所述背衬集合体顶端的若干个阵元单元通过所述纵向凹槽和横向凹槽相互隔离,并使所述背衬集合体底端的若干个阵元单元通过所述纵向凹槽和横向凹槽相互隔离。
上述方案中,当所述背衬体为背衬棒时:
所述M1包括以下步骤:
MB11.准备背衬棒模具,所述背衬棒模具具有连通所述背衬棒模具顶底两端的背衬通孔,若干个所述背衬通孔在所述背衬棒模具上以矩阵的方式布置;向所述背衬通孔内挤压填充混合物,再将所述背衬棒模具放入电热恒温干燥箱内烘烤固化后,获得背衬棒;其中,所述混合物由胶和粉末组成,背衬材料块为立方体形状;
所述M2包括以下步骤:
MB21.对若干个所述背衬棒的外侧表面分别化学镀或磁控溅射镀第一导电层;
所述M3包括以下步骤:
MB31.将若干个背衬棒再次以矩阵方式进行布置在连接棒模具内,且相邻的两个所述背衬棒之间具有间隙;
MB32.准备连接棒模具并在所述连接棒模具内的立方体空间内挤压填充混合物,再将连接棒模具放入电热恒温干燥箱内烘烤固化后,获得背衬集合胚体;其中,所述混合物由胶和粉末组成,并经烘烤固化后形成连接体,背衬材料胚体为立方体形状;
MB33.研磨所述背衬材料胚体的顶底两端,直至所述背衬材料胚体内背衬棒两端的第一导电层露出在所述背衬材料胚体顶底两端的端面上,制成背衬集合体;
所述M4包括以下步骤:
MB41.在所述背衬集合体的外侧表面化学镀或磁控溅射镀第二导电层;
所述M5包括以下步骤:
MB51.根据压电晶片的尺寸,对镀有第二导电层的背衬集合体的顶底端两端,分别蚀刻或切割具有纵向凹槽和横向凹槽,制成用于阵列探头的背衬材料;其中,所述纵向凹槽和横向凹槽的槽底分别与所述连接体连通,所述纵向凹槽和横向凹槽交错布置,使得所述背衬集合体顶端的若干个阵元单元通过所述纵向凹槽和横向凹槽相互隔离,并使所述背衬集合体底端的若干个阵元单元通过所述纵向凹槽和横向凹槽相互隔离。
本发明的优点和有益效果在于:本发明提供一种用于阵列探头的背衬材料及其制造方法,克服了现有的电极引线困难,且无需焊接,可操作性强,适合批量化生产,还可提高阵列探头的一致性和成品率;同时,通过改变阵元单元的尺寸,以及纵向凹槽和横向凹槽的尺寸,可制成不同频率和不同阵元间距的阵列探头,极大的扩大了适用范围。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例1中一种用于阵列探头的背衬材料的结构示意图;
图2为本发明实施例1中一种用于阵列探头的背衬材料的结构透视图。
图3为本发明实施例1中一种用于阵列探头的背衬材料的剖视结构示意图;
图4为本发明实施例1中一种用于阵列探头的背衬材料的制造方法中,在背衬块模具内挤压填充混合物,并获得背衬材料块的结构示意图;
图5为本发明实施例1中一种用于阵列探头的背衬材料的制造方法中,切割背衬材料块并获得背衬块的结构示意图
图6为本发明实施例1中一种用于阵列探头的背衬材料的制造方法中,将镀有第一导电层的背衬块放置在连接块模具内时,连接块模具的结构示意图;
图7为本发明实施例2中一种用于阵列探头的背衬材料的结构透视图;
图8为本发明实施例2中一种用于阵列探头的背衬材料的剖视结构示意图;
图9为本发明实施例2中一种用于阵列探头的背衬材料的制造方法中背衬棒模具的结构示意图;
图10为本发明实施例2中一种用于阵列探头的背衬材料的制造方法中镀有第一导电层的背衬棒布置在连接棒模具内时,连接棒模具的结构示意图;
图中:1、背衬体 2、第一导电层 3、第二导电层 4、连接体
5、纵向凹槽 6、横向凹槽 7、阵元单元 8、背衬块
9、背衬棒 10、背衬块模具 11、连接块模具
12、背衬棒模具 13、背衬通孔 14、连接棒模具
15、背衬集合体16、背衬材料块
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。
本发明是一种用于阵列探头的背衬材料,通过将用于阵列探头的背衬材料的底端与电极引线连接,将若干个压电晶片分别安装在背衬集合体15顶端的各个阵元单元7上,并在背衬集合体15顶端以面阵方式排列,并用于安装在阵列探头上,电极引线将通过第一导电层2和第二导电层3向各压电晶片输出电压;同时,背衬集合体15顶端的若干个阵元单元7通过纵向凹槽5和横向凹槽6相互隔离,背衬集合体15底端的若干个阵元单元7通过纵向凹槽5和横向凹槽6相互隔离;
因此,本技术方案克服了现有的电极引线困难,且无需焊接,可操作性强,适合批量化生产,还可提高阵列探头的一致性和成品率;同时,通过改变阵元单元7的尺寸,以及纵向凹槽5和横向凹槽6的尺寸,可制成不同频率和不同阵元间距的阵列探头,极大的扩大了适用范围。
本技术方案提供了以下实施例:
实施例1:
如图1-图6所示,一种用于阵列探头的背衬材料,包括背衬体1、第一导电层2、第二导电层3和连接体4;第一导电层2包裹背衬体1的外侧表面,若干个背衬体1以矩阵的方式排列,相邻的两个背衬体1之间具有间隙,连接体4填充在间隙内将若干个背衬体1连接为一体,并形成背衬集合体15;第二导电层3覆盖在背衬集合体15的外侧;
背衬集合体15的顶底端两端分别具有纵向凹槽5和横向凹槽6,纵向凹槽5和横向凹槽6的槽底分别与连接体4连通,纵向凹槽5和横向凹槽6交错布置在背衬集合体15的顶底两端,并在背衬集合体15的顶底两端分别分隔出若干个阵元单元7。
优选的,背衬集合体15顶端的若干个阵元单元7的尺寸与压电晶片的尺寸相互匹配。
具体的,背衬体1为背衬块8,第一导电层2包裹背衬块8的外侧表面,第二导电层3包裹背衬集合体15的外侧表面,第一导电层2连接背衬集合体15顶底两端上的第二导电层3。
优选的,第一导电层2为银、金、铜或镍金属层,第一导电层2的厚度为0.5-3um;第二导电层3为银、金、铜或镍金属层,第二导电层3的厚度为0.5-3um。
优选的,背衬体1和连接体4分别由胶与粉末所组成的混合物经烘烤固化后形成。
一种用于阵列探头的背衬材料的制造方法,用于制造上述的用于阵列探头的背衬材料,包括以下步骤:
M1.制造背衬体1;
M2.在背衬体1的外侧表面镀第一导电层2;
M3.制造背衬集合体15;
M4.在背衬集合体15的外侧镀第二导电层3;
M5.在背衬集合体15的顶底两端蚀刻或切割纵向凹槽5和横向凹槽6。
具体的,当背衬体1为背衬块8时:
M1包括以下步骤:
MA11.准备背衬块模具10,在背衬块模具10内的立方体空间内挤压填充混合物,再将背衬块模具10放入电热恒温干燥箱内烘烤固化后,获得背衬材料块16;其中,混合物由胶和粉末组成,背衬材料块16为立方体形状;
MA12.沿垂直于水平面的方向对背衬材料块分别进行若干次纵向切割和横向切割,获得若干个以矩阵方式排列的背衬块8;
M2包括以下步骤:
MA21.对若干个背衬块8的外侧表面分别化学镀或磁控溅射镀第一导电层2;
M3包括以下步骤:
MA31.将若干个背衬块8再次以矩阵方式进行布置在连接块模具11内,且相邻的两个背衬块8之间具有间隙;
MA32.准备连接块模具11并在连接块模具11内的立方体空间内挤压填充混合物,再将连接块模具11放入电热恒温干燥箱内烘烤固化后,获得背衬集合胚体;其中,混合物由胶和粉末组成,并经烘烤固化后形成连接体4,背衬材料胚体为立方体形状;
MA33.研磨背衬材料胚体的顶底两端,直至背衬材料胚体内背衬块8两端的第一导电层2露出在背衬材料胚体顶底两端的端面上,制成背衬集合体15;
M4包括以下步骤:
MA41.在背衬集合体的外侧表面化学镀或磁控溅射镀第二导电层3;
M5包括以下步骤:
MA51.根据压电晶片的尺寸,对镀有第二导电层3的背衬集合体15的顶底端两端,分别蚀刻或切割具有纵向凹槽5和横向凹槽6,制成用于阵列探头的背衬材料;其中,纵向凹槽5和横向凹槽6的槽底分别与连接体4连通,纵向凹槽5和横向凹槽6交错布置,使得背衬集合体15顶端的若干个阵元单元7通过纵向凹槽5和横向凹槽6相互隔离,并使背衬集合体15底端的若干个阵元单元7通过纵向凹槽5和横向凹槽6相互隔离。
实施例2:
如图7-图10所示,一种用于阵列探头的背衬材料,包括背衬体1、第一导电层2、第二导电层3和连接体4;第一导电层2包裹背衬体1的外侧表面,若干个背衬体1以矩阵的方式排列,相邻的两个背衬体1之间具有间隙,连接体4填充在间隙内将若干个背衬体1连接为一体,并形成背衬集合体15;第二导电层3覆盖在背衬集合体15的外侧;
背衬集合体15的顶底端两端分别具有纵向凹槽5和横向凹槽6,纵向凹槽5和横向凹槽6的槽底分别与连接体4连通,纵向凹槽5和横向凹槽6交错布置在背衬集合体15的顶底两端,并在背衬集合体15的顶底两端分别分隔出若干个阵元单元7。
优选的,背衬集合体15顶端的若干个阵元单元7的尺寸与压电晶片的尺寸相互匹配。
具体的,背衬体1为背衬棒9,第一导电层2包裹在背衬棒9的外侧表面,背衬块8包裹背衬棒9的外侧表面,若干个背衬块8以矩阵的方式排列,并通过连接体4连接为一体形成背衬集合体15;第二导电层3分别覆盖在背衬集合体15顶底两端的外侧表面。
进一步的,第一导电层2连接背衬集合体顶底两端上的第二导电层3。
优选的,第一导电层2为银、金、铜或镍金属层,第一导电层2的厚度为0.5-3um;第二导电层3为银、金、铜或镍金属层,第二导电层3的厚度为0.5-3um。
优选的,背衬体1和连接体4分别由胶与粉末所组成的混合物经烘烤固化后形成。
一种用于阵列探头的背衬材料的制造方法,用于制造上述用于阵列探头的背衬材料,包括以下步骤:
M1.制造背衬体1;
M2.在背衬体1的外侧表面镀第一导电层2;
M3.制造背衬集合体15;
M4.在背衬集合体15的外侧镀第二导电层3;
M5.在背衬集合体15的顶底两端蚀刻或切割纵向凹槽5和横向凹槽6。
具体的,当背衬体1为背衬棒9时:
M1包括以下步骤:
MB11.准备背衬棒模具12,背衬棒模具12具有连通背衬棒模具12顶底两端的背衬通孔13,若干个背衬通孔13在背衬棒模具12上以矩阵的方式布置;向背衬通孔13内挤压填充混合物,再将背衬棒模具12放入电热恒温干燥箱内烘烤固化后,获得背衬棒9;其中,混合物由胶和粉末组成,背衬材料块为立方体形状;
M2包括以下步骤:
MB21.对若干个背衬棒9的外侧表面分别化学镀或磁控溅射镀第一导电层2;
M3包括以下步骤:
MB31.将若干个背衬棒9再次以矩阵方式进行布置在连接棒模具14内,且相邻的两个背衬棒9之间具有间隙;
MB32.准备连接棒模具14并在连接棒模具14内的立方体空间内挤压填充混合物,再将连接棒模具14放入电热恒温干燥箱内烘烤固化后,获得背衬集合胚体;其中,混合物由胶和粉末组成,并经烘烤固化后形成连接体4,背衬材料胚体为立方体形状;
MB33.研磨背衬材料胚体的顶底两端,直至背衬材料胚体内背衬棒9两端的第一导电层2露出在背衬材料胚体顶底两端的端面上,制成背衬集合体15;
M4包括以下步骤:
MB41.在背衬集合体的外侧表面化学镀或磁控溅射镀第二导电层3;
M5包括以下步骤:
MB51.根据压电晶片的尺寸,对镀有第二导电层3的背衬集合体15的顶底端两端,分别蚀刻或切割具有纵向凹槽5和横向凹槽6,制成用于阵列探头的背衬材料;其中,纵向凹槽5和横向凹槽6的槽底分别与连接体4连通,纵向凹槽5和横向凹槽6交错布置,使得背衬集合体15顶端的若干个阵元单元7通过纵向凹槽5和横向凹槽6相互隔离,并使背衬集合体15底端的若干个阵元单元7通过纵向凹槽5和横向凹槽6相互隔离。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种用于阵列探头的背衬材料,其特征在于,包括背衬体、第一导电层、第二导电层和连接体;所述第一导电层包裹所述背衬体的外侧表面,若干个所述背衬体以矩阵的方式排列,相邻的两个所述背衬体之间具有间隙,所述连接体填充在所述间隙内将若干个所述背衬体连接为一体,并形成背衬集合体;所述第二导电层覆盖在所述背衬集合体的外侧;
所述背衬集合体的顶底端两端分别具有纵向凹槽和横向凹槽,所述纵向凹槽和横向凹槽的槽底分别与所述连接体连通,所述纵向凹槽和横向凹槽交错布置在所述背衬集合体的顶底两端,并在所述背衬集合体的顶底两端分别分隔出若干个阵元单元,所述背衬集合体顶端的若干个阵元单元的尺寸与压电晶片的尺寸相互匹配,所述背衬体为背衬块,所述第一导电层包裹所述背衬块的外侧表面,所述第二导电层包裹背衬集合体的外侧表面,所述第一导电层连接所述背衬集合体顶底两端上的第二导电层。
2.根据权利要求1所述的一种用于阵列探头的背衬材料,其特征在于,所述第一导电层为银、金、铜或镍金属层,所述第一导电层的厚度为0.5-3um;所述第二导电层为银、金、铜或镍金属层,所述第二导电层的厚度为0.5-3um。
3.根据权利要求1所述的一种用于阵列探头的背衬材料,其特征在于,所述背衬体和连接体分别由胶与粉末所组成的混合物经烘烤固化后形成。
4.一种用于阵列探头的背衬材料的制造方法,用于制造权利要求1-3中任一所述的一种用于阵列探头的背衬材料,其特征在于,包括以下步骤:
M1.制造背衬体;
M2.在所述背衬体的外侧表面镀第一导电层;
M3.制造背衬集合体;
M4. 在所述背衬集合体的外侧镀第二导电层;
M5.在背衬集合体的顶底两端蚀刻或切割纵向凹槽和横向凹槽;
当所述背衬体为背衬块时:
所述M1包括以下步骤:
MA11.准备背衬块模具,在所述背衬块模具内的立方体空间内挤压填充混合物,再将所述背衬块模具放入电热恒温干燥箱内烘烤固化后,获得背衬材料块;其中,所述混合物由胶和粉末组成,背衬材料块为立方体形状;
MA12.沿垂直于水平面的方向对所述背衬材料块分别进行若干次纵向切割和横向切割,获得若干个以矩阵方式排列的背衬块;
所述M2包括以下步骤:
MA21.对若干个所述背衬块的外侧表面分别化学镀或磁控溅射镀第一导电层;
所述M3包括以下步骤:
MA31.将若干个背衬块再次以矩阵方式进行布置在连接块模具内,且相邻的两个背衬块之间具有间隙;
MA32.准备连接块模具并在所述连接块模具内的立方体空间内挤压填充混合物,再将连接块模具放入电热恒温干燥箱内烘烤固化后,获得背衬集合胚体;其中,所述混合物由胶和粉末组成,并经烘烤固化后形成连接体,背衬材料胚体为立方体形状;
MA33.研磨所述背衬材料胚体的顶底两端,直至所述背衬材料胚体内背衬块两端的第一导电层露出在所述背衬材料胚体顶底两端的端面上,制成背衬集合体;
所述M4包括以下步骤:
MA41.在所述背衬集合体的外侧表面化学镀或磁控溅射镀第二导电层;
所述M5包括以下步骤:
MA51.根据压电晶片的尺寸,对镀有第二导电层的背衬集合体的顶底端两端,分别蚀刻或切割具有纵向凹槽和横向凹槽,制成用于阵列探头的背衬材料;其中,所述纵向凹槽和横向凹槽的槽底分别与所述连接体连通,所述纵向凹槽和横向凹槽交错布置,使得所述背衬集合体顶端的若干个阵元单元通过所述纵向凹槽和横向凹槽相互隔离,并使所述背衬集合体底端的若干个阵元单元通过所述纵向凹槽和横向凹槽相互隔离。
5.一种用于阵列探头的背衬材料,其特征在于,包括背衬体、第一导电层、第二导电层和连接体;所述第一导电层包裹所述背衬体的外侧表面,若干个所述背衬体以矩阵的方式排列,相邻的两个所述背衬体之间具有间隙,所述连接体填充在所述间隙内将若干个所述背衬体连接为一体,并形成背衬集合体;所述第二导电层覆盖在所述背衬集合体的外侧;
所述背衬集合体的顶底端两端分别具有纵向凹槽和横向凹槽,所述纵向凹槽和横向凹槽的槽底分别与所述连接体连通,所述纵向凹槽和横向凹槽交错布置在所述背衬集合体的顶底两端,并在所述背衬集合体的顶底两端分别分隔出若干个阵元单元,所述背衬集合体顶端的若干个阵元单元的尺寸与压电晶片的尺寸相互匹配,背衬体为背衬棒,所述第一导电层包裹在所述背衬棒的外侧表面,背衬块包裹所述背衬棒的外侧表面,若干个所述背衬块以矩阵的方式排列,并通过连接体连接为一体形成背衬集合体;所述第二导电层分别覆盖在所述背衬集合体顶底两端的外侧表面。
6.根据权利要求5所述的一种用于阵列探头的背衬材料,其特征在于,所述第一导电层为银、金、铜或镍金属层,所述第一导电层的厚度为0.5-3um;所述第二导电层为银、金、铜或镍金属层,所述第二导电层的厚度为0.5-3um。
7.根据权利要求5所述的一种用于阵列探头的背衬材料,其特征在于,所述背衬体和连接体分别由胶与粉末所组成的混合物经烘烤固化后形成。
8.一种用于阵列探头的背衬材料的制造方法,用于制造权利要求5-7中任一所述的一种用于阵列探头的背衬材料,其特征在于,包括以下步骤:
M1.制造背衬体;
M2.在所述背衬体的外侧表面镀第一导电层;
M3.制造背衬集合体;
M4. 在所述背衬集合体的外侧镀第二导电层;
M5.在背衬集合体的顶底两端蚀刻或切割纵向凹槽和横向凹槽;
当所述背衬体为背衬棒时:
所述M1包括以下步骤:
MB11.准备背衬棒模具,所述背衬棒模具具有连通所述背衬棒模具顶底两端的背衬通孔,若干个所述背衬通孔在所述背衬棒模具上以矩阵的方式布置;向所述背衬通孔内挤压填充混合物,再将所述背衬棒模具放入电热恒温干燥箱内烘烤固化后,获得背衬棒;其中,所述混合物由胶和粉末组成,背衬材料块为立方体形状;
所述M2包括以下步骤:
MB21.对若干个所述背衬棒的外侧表面分别化学镀或磁控溅射镀第一导电层;
所述M3包括以下步骤:
MB31.将若干个背衬棒再次以矩阵方式进行布置在连接棒模具内,且相邻的两个所述背衬棒之间具有间隙;
MB32.准备连接棒模具并在所述连接棒模具内的立方体空间内挤压填充混合物,再将连接棒模具放入电热恒温干燥箱内烘烤固化后,获得背衬集合胚体;其中,所述混合物由胶和粉末组成,并经烘烤固化后形成连接体,背衬材料胚体为立方体形状;
MB33.研磨所述背衬材料胚体的顶底两端,直至所述背衬材料胚体内背衬棒两端的第一导电层露出在所述背衬材料胚体顶底两端的端面上,制成背衬集合体;
所述M4包括以下步骤:
MB41.在所述背衬集合体的外侧表面化学镀或磁控溅射镀第二导电层;
所述M5包括以下步骤:
MB51.根据压电晶片的尺寸,对镀有第二导电层的背衬集合体的顶底端两端,分别蚀刻或切割具有纵向凹槽和横向凹槽,制成用于阵列探头的背衬材料;其中,所述纵向凹槽和横向凹槽的槽底分别与所述连接体连通,所述纵向凹槽和横向凹槽交错布置,使得所述背衬集合体顶端的若干个阵元单元通过所述纵向凹槽和横向凹槽相互隔离,并使所述背衬集合体底端的若干个阵元单元通过所述纵向凹槽和横向凹槽相互隔离。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112638271A (zh) * 2018-09-30 2021-04-09 深圳迈瑞生物医疗电子股份有限公司 超声波探头的背衬块、背衬块制造方法以及超声波探头
CN111174899B (zh) * 2019-11-27 2022-06-07 中国船舶重工集团有限公司第七一0研究所 水雷自导头声学接收系统在空气中的测试装置及测试方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0637470A2 (en) * 1993-08-05 1995-02-08 Hewlett-Packard Company Backing layer for acoustic transducer array
JP2004033829A (ja) * 2002-06-28 2004-02-05 Aloka Co Ltd バッキング製造方法及び超音波振動子
CN101103927A (zh) * 2006-07-12 2008-01-16 株式会社东芝 两维阵列型超声波探头
CN202084580U (zh) * 2011-06-01 2011-12-21 浙江嘉康电子股份有限公司 片式频率器件陶瓷基板
CN105411623A (zh) * 2015-12-25 2016-03-23 中国科学院深圳先进技术研究院 一种二维面阵列超声换能器及其制备方法
CN207896122U (zh) * 2018-01-23 2018-09-21 长沙芬贝电子科技有限公司 一种用于阵列探头的背衬材料

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4863097B2 (ja) * 2009-08-11 2012-01-25 株式会社村田製作所 弾性表面波素子の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0637470A2 (en) * 1993-08-05 1995-02-08 Hewlett-Packard Company Backing layer for acoustic transducer array
JP2004033829A (ja) * 2002-06-28 2004-02-05 Aloka Co Ltd バッキング製造方法及び超音波振動子
CN101103927A (zh) * 2006-07-12 2008-01-16 株式会社东芝 两维阵列型超声波探头
CN202084580U (zh) * 2011-06-01 2011-12-21 浙江嘉康电子股份有限公司 片式频率器件陶瓷基板
CN105411623A (zh) * 2015-12-25 2016-03-23 中国科学院深圳先进技术研究院 一种二维面阵列超声换能器及其制备方法
CN207896122U (zh) * 2018-01-23 2018-09-21 长沙芬贝电子科技有限公司 一种用于阵列探头的背衬材料

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