KR101652297B1 - Saw 필터 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시 예에 따른 SAW 필터는 기판과 기판상에 배치되는 상부 버스바, 상부 버스바와 대향하여 기판상에 배치되는 하부 버스바, 일단이 상부 버스바와 연결되어 배치되는 제1 핑거 IDT, 일단이 하부 버스바와 연결되어 배치되는 제2 핑거 IDT를 포함하는 IDT 전극부와 IDT 전극부상에 형성되는 페시베이션부, 상부 버스바 영역을 모두 포함하고 제1 핑거 IDT의 일부 영역을 포함하며 페시베이션부상에 형성되는 제1 메탈부, 하부 버스바 영역을 모두 포함하고 제2 핑거 IDT의 일부 영역을 포함하여 상기 페시베이션부상에 형성되는 제2 메탈부를 포함한다.
이러한 본 발명의 일 실시 예에 따른 SAW 필터는, SAW 필터에 발생하는 기생 효과를 억제하며 공정을 단순화시키는 효과를 가진다.

Description

SAW 필터{SAW filter}
본 발명은 SAW 필터에 관한 것으로, SAW 필터의 IDT 전극 상부에 메탈부를 배치하여 SAW 필터 특성을 개선하는 SAW 필터에 관한 것이다.
표면 탄성파(Surface Acoustic Wave)는 탄성체 기판의 표면을 따라 전파되는 음향파로서, 압전 효과의 결과로서 전기 신호로부터 음향파가 생성되는데 음향파의 전계가 기판 표면 부근에 집중되어 그 표면 바로 위에 놓인 다른 반도체의 전도 전자와 상호 작용할 수 있다. 음향파가 전파하는 매질은 전자 기계적 결합 계수가 높고 음향파 에너지 손실이 낮은 암전 물질이며, 반도체는 전도 전자의 이동도가 높고 저항률이 최적으로 직류 전원 요소가 낮아서 최적의 효율을 확보할 수 있는데, 이러한 표면 탄성파와 반도체 전도 전자의 상호 작용을 이용하여 전자 회로를 전자 기계적 소자로 대치한 것이 표면 탄성파 소자 (SAW device)이다.
이러한 표면 탄성파 소자는 압전 매질의 표면에 금속 박막으로 발 모양의 입력 전극과 출력 전극을 양단에 설치하여 고주파로 입력하고, 표면 탄성파로 변환하며 전파 특성을 출력 전극으로 검출하여 전기신호로 복귀시키는 구성으로 되어있다. 이를 응용한 예로 지연선 소자, 증폭기, 파형 변환기, 광 빔 편향 소자, 광 스위치 등이 있다.
표면 탄성파 소자의 특성을 해결하기 위해 일정한 간격을 가지고 핑거를 배치시키는 발명이 종래기술에 기재되어 있다. 하지만, 이러한 표면 탄성파 소자는 리플(Ripple)이 발생하여 공진 특성이 저하되며 삽입 손실이 발생하는 문제점이 있다.
한국공개특허공보 10-1996-0016119
본 발명은 SAW 필터의 트랜스버스 모드(Transverse mode) 억제를 통한 공진 특성을 개선하기 위한 목적이 있다.
본 발명은 SAW 필터의 트랜스버스 모드(Transverse mode) 억제를 통한 공진 특성의 리플(Ripple)을 개선하기 위한 목적이 있다.
본 발명은 SAW 필터의 삽입 손실(Insertion loss)를 줄이기 위한 목적이 있다.
본 발명은 SAW 필터 특성을 개선하면서도 공정 단계를 줄이기 위한 목적이 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 SAW 필터는, 기판과 상기 기판상에 배치되는 상부 버스바와 상기 상부 버스바와 대향하여 상기 기판상에 배치되는 하부 버스바와 일단이 상기 상부 버스바와 연결되어 배치되는 제1 핑거 IDT 및 일단이 상기 하부 버스바와 연결되어 배치되는 제2 핑거 IDT를 포함하는 IDT 전극부와 상기 IDT 전극부상에 형성되는 페시베이션부와 상기 상부 버스바 영역을 모두 포함하고, 상기 제1 핑거 IDT의 일부 영역을 포함하며 상기 페시베이션부상에 형성되는 제1 메탈부 및 상기 하부 버스바 영역을 모두 포함하고, 상기 제2 핑거 IDT의 일부 영역을 포함하여 상기 페시베이션부상에 형성되는 제2 메탈부를 포함할 수 있다.
상기 제1 메탈부 및 상기 제2 메탈부는, 구리(Cu)로 형성될 수 있다.
상기 제1 메탈부는, 상기 상부 버스바 영역을 모두 포함하되, 상기 상부 버스바 영역보다 넓게 형성되고, 상기 제2 메탈부는, 상기 하부 버스바 영역을 모두 포함하되, 상기 하부 버스바 영역보다 넓게 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 SAW 필터는, 기판과 상기 기판상에 배치되는 상부 버스바와 상기 상부 버스바와 대향하여 상기 기판상에 배치되는 하부 버스바와 일단이 상기 상부 버스바와 연결되어 배치되는 제1 핑거 IDT 및 일단이 상기 하부 버스바와 연결되어 배치되는 제2 핑거 IDT를 포함하는 IDT 전극부와 상기 IDT 전극부상에 형성되는 페시베이션부와 상기 상부 버스바 영역 일부를 포함하여 상기 페시베이션부상에 형성되는 제1 메탈부와 상기 제1 핑거 IDT의 상기 상부 버스바 영역과 연결되는 일단부터 상기 제1 핑거 IDT 일부 영역을 포함하고, 상기 제2 핑거 IDT 일부 영역을 포함하며 상기 페시베이션부상에 형성되는 제2 메탈부와 상기 하부 버스바 영역 일부를 포함하여 상기 페시베이션부상에 형성되는 제3 메탈부 및 상기 제2 핑거 IDT의 상기 하부 버스바 영역과 연결되는 일단부터 상기 제2 핑거 IDT 일부 영역을 포함하고, 상기 제1 핑거 IDT 일부 영역을 포함하며 상기 페시베이션부상에 형성되는 제4 메탈부를 포함할 수 있다.
상기 제1 메탈부는, 상기 상부 버스바 일부 영역을 포함하되, 상기 제1 핑거 IDT와 연결되지 않은 상기 상부 버스바 방향으로 상기 상부 버스바 영역 이상을 포함하여 형성될 수 있다.
상기 제3 메탈부는, 상기 하부 버스바 일부 영역을 포함하되, 상기 제2 핑거 IDT와 연결되지 않은 상기 하부 버스바 방향으로 상기 하부 버스바 영역 이상을 포함하여 형성될 수 있다.
상기 제1 메탈부, 상기 제2 메탈부, 상기 제3 메탈부 및 상기 제4 메탈부는 구리(Cu)로 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 SAW 필터는, 기판과 상기 기판상에 배치되는 상부 버스바와 상기 상부 버스바와 대향하여 상기 기판상에 배치되는 하부 버스바와 일단이 상기 상부 버스바와 연결되어 배치되는 제1 핑거 IDT 및 일단이 상기 하부 버스바와 연결되어 배치되는 제2 핑거 IDT를 포함하는 IDT 전극부와 상기 IDT 전극부상에 형성되는 페시베이션부와 상기 상부 버스바 영역 일부를 포함하여 상기 페시베이션부상에 형성되는 제1 메탈부와 상기 상부 버스바 방향으로의 상기 제2 핑거 IDT의 타단부터 상기 제2 핑거 IDT 일부 영역을 포함하고, 상기 제1 핑거 IDT 일부 영역을 포함하며 상기 페시베이션부상에 형성되는 제2 메탈부와 상기 하부 버스바 영역 일부를 포함하여 상기 페시베이션부상에 형성되는 제3 메탈부 및 상기 하부 버스바 방향으로의 상기 제1 핑거 IDT의 타단부터 상기 제1 핑거 IDT 일부 영역을 포함하고, 상기 제2 핑거 IDT 일부 영역을 포함하며 상기 페시베이션부상에 형성되는 제4 메탈부를 포함할 수 있다.
상기 제1 메탈부는, 상기 상부 버스바 일부 영역을 포함하되, 상기 제1 핑거 IDT와 연결되지 않은 상기 상부 버스바 방향으로 상기 상부 버스바 영역 이상을 포함하여 형성될 수 있다.
상기 제3 메탈부는, 상기 하부 버스바 일부 영역을 포함하되, 상기 제2 핑거 IDT와 연결되지 않은 상기 하부 버스바 방향으로 상기 하부 버스바 영역 이상을 포함하여 형성될 수 있다.
상기 제1 메탈부, 상기 제2 메탈부, 상기 제3 메탈부 및 상기 제4 메탈부는 구리(Cu)로 형성될 수 있다.
본 발명은 SAW 필터의 트랜스버스 모드(Transverse mode) 억제를 통한 공진 특성을 개선할 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 SAW 필터의 트랜스버스 모드(Transverse mode) 억제를 통한 공진 특성의 리플(Ripple)을 개선할 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 SAW 필터의 삽입 손실(Insertion loss)를 줄일 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 SAW 필터 특성을 개선하면서도 공정 단계를 줄일 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 SAW 필터의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 SAW 필터의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 SAW 필터의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 SAW 필터의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 SAW 필터의 평면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 SAW 필터의 단면도이다.
설명하는 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 통상의 기술자가 용이하게 이해할 수 있도록 제공되는 것으로 이에 의해 본 발명이 한정되지 않는다. 또한, 첨부된 도면에 표현된 사항들은 본 발명의 실시 예들을 쉽게 설명하기 위해 도식화된 도면으로 실제로 구현되는 형태와 상이할 수 있다.
실시예들의 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 또한, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때 이는 '직접적으로 연결'되어 있는 경우 뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 '간접적으로 연결'되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다. 도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다
한편, 어떤 구성 요소들을 '포함'한다는 표현은, '개방형'의 표현으로서 해당 구성요소들이 존재하는 것을 단순히 지칭할 뿐이며, 추가적인 구성요소들을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 SAW 필터의 평면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 SAW 필터의 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면 본 발명의 일 실시 예에 따른 SAW 필터는, 기판(110), 기판(110)상에 배치되는 상부 버스바(121), 상부 버스바(121)와 대향하여 기판(110)상에 배치되는 하부 버스바(122), 일단이 상부 버스바(121)와 연결되어 배치되는 제1 핑거 IDT(131) 및 일단이 하부 버스바(122)와 연결되어 배치되는 제2 핑거 IDT(132)를 포함하는 IDT 전극부를 포함한다. 또한, IDT 전극부상에 형성되는 페시베이션부(140), 상부 버스바(121) 영역을 모두 포함하고, 제1 핑거 IDT(131)의 일부 영역을 포함하며 페시베이션부(140)상에 형성되는 제1 메탈부(151), 하부 버스바(122) 영역을 모두 포함하고 제2 핑거 IDT(132)의 일부 영역을 포함하여 페시베이션부(140)상에 형성되는 제2 메탈부(152)를 포함한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 SAW 필터는, 상부 버스바(121), 하부 버스바(122), 제1 핑거 IDT(131), 제2 핑거 IDT(132)를 포함하는 일반적인 IDT 전극 상부에 메탈부(151, 152)를 형성하여 SAW 필터의 기생 효과를 억제하기 위한 것이다. 일반적인 IDT 전극부와 마찬가지로 본 발명의 일 실시 예에 따른 SAW 필터는 상부 버스바(121), 하부 버스바(122), 제1 핑거 IDT(131), 제2 핑거 IDT(132)를 포함한다. 제1 핑거 IDT(131)는 일단이 상부 버스바(121)와 연결되고, 타단은 하부 버스바(122)와 일 간격을 두고 배치된다. 제2 핑거 IDT(132)는 일단이 하부 버스바(122)와 연결되고 타단은 상부 버스바(121)와 일 간격을 두고 배치된다. 제1 핑거 IDT(131)는 복수 개로 배치될 수 있으며, 제2 핑거 IDT(132)도 복수 개로 배치될 수 있다. 복수 개로 배치되는 경우에는 제2 핑거 IDT(132)는 각각의 제1 핑거 IDT(131) 사이에 배치된다.
기판(110)상에 IDT 전극부가 배치되면 IDT 전극부 상부에는 페시베이션부(140)가 형성된다. 페시베이션부(140)는 IDT 전극부를 보호하기 위해 형성된다. 페시베이션부(140) 상부에는 제1 메탈부(151) 및 제2 메탈부(152)가 형성된다. 도 1을 참조하면, 제1 메탈부(151)는 상부 버스바(121) 영역을 모두 포함하고 제1 핑거 IDT(131) 일부 영역과 제2 핑거 IDT(132) 일부 영역을 포함하여 형성된다. 제1 메탈부(151)는 상부 버스바(121)와 연결된 제1 핑거 IDT(131)의 일단부터 제1 핑거 IDT(131)의 일부 영역을 포함하여 형성된다. 이와 함께 제1 메탈부(151)는 상부 버스바(121)와 연결되지 않은 제2 핑거 IDT(132)의 타단부터 제2 핑거 IDT(132)의 일부 영역을 포함하여 형성된다.
또한, 제1 메탈부(151)는 상부 버스바(121) 영역을 모두 포함하되, 상부 버스바(121) 영역보다 넓게 형성되고, 제2 메탈부(152)는 하부 버스바(122) 영역을 모두 포함하되, 하부 버스바(122) 영역보다 넓게 형성된다. 제1 메탈부(151)가 상부 버스바(121) 영역보다 넓게 형성되고, 제2 메탈부!(52)가 하부 버스바(122) 영역보다 넓게 형성되면 복잡하지 않은 공정 단계를 거치면서도 공진 특성을 개선할 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 SAW 필터의 평면도이고, 도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 SAW 필터의 단면도이다. 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 SAW 필터는, 기판(210), 기판(21)상에 배치되는 상부 버스바(221), 상부 버스바(221)와 대향하여 기판(210)상에 배치되는 하부 버스바(222), 일단이 상부 버스바(221)와 연결되어 배치되는 제1 핑거 IDT(231), 일단이 하부 버스바(222)와 연결되어 배치되는 제2 핑거 IDT(232)를 포함하는 IDT 전극부를 포함한다. 또한, IDT 전극부상에 형성되는 페시베이션부(240), 상부 버스바(221) 영역 일부를 포함하여 페시베이션부상(240)에 형성되는 제1 메탈부(251), 제1 핑거 IDT(231)의 상부 버스바(221) 영역과 연결되는 일단부터 제1 핑거 IDT(231) 일부 영역을 포함한다. 또한, 제2 핑거 IDT(232) 일부 영역을 포함하며 페시베이션부(240)상에 형성되는 제2 메탈부(252), 하부 버스바(222) 영역 일부를 포함하여 페시베이션부(240)상에 형성되는 제3 메탈부(253), 제2 핑거 IDT(232)의 하부 버스바(222) 영역과 연결되는 일단부터 제2 핑거 IDT(232) 일부 영역을 포함하고, 제1 핑거 IDT(231) 일부 영역을 포함하며 페시베이션부(240)상에 형성되는 제4 메탈부(254)를 포함한다.
본 발명의 다른 실시 예에 따른 SAW 필터는 페시베이션부(242)상에 4개의 메탈부(251, 252, 253, 254)가 형성된다. 제1 메탈부(251)는 상부 버스바(221)의 일부 영역을 포함하여 형성된다. 제1 메탈부(251)는 제1 핑거 IDT(231)나 제2 핑거 IDT(232)를 포함하지 않으며, 상부 버스바(221)의 일부 영역을 포함하되, 제1 핑거 IDT(231)와 연결되지 않은 상부 버스바(221) 방향으로 상부 버스바(221) 외 영역의 일부를 포함하여 형성된다. 제1 메탈부(251)는 IDT 전극부 외의 영역을 일부 포함하여 일정한 면적을 가지며 형성된다.
제2 메탈부(252)는 상부 버스바(221) 영역을 포함하지 않고, 제1 핑거 IDT(231)의 일부 영역 및 제2 핑거 IDT(232)의 일부 영역을 포함하여 형성된다. 제2 메탈부(252)는 제1 핑거 IDT(231)의 상부 버스바(221) 영역과 연결되는 일단부터 제1 핑거 IDT(231) 일부 영역을 포함하여 형성된다. 이러한 제2 메탈부(252)는 제2 핑거 IDT(232)의 일부 영역도 포함하는데 제2 핑거 IDT(232)의 상부 버스바(221) 영역과 연결되지 않은 타단부터 제2 핑거 IDT(232) 일부 영역을 포함하여 형성된다. 이러한 제2 메탈부(242)는 제1 핑거 IDT(231) 일부 영역 및 제2 핑거 IDT(232) 일부 영역뿐만 아니라 IDT 전극부 외 영역의 일부를 포함하여 일정한 면적을 가지며 형성된다.
제3 메탈부(253)는 제1 핑거 IDT(231)나 제2 핑거 IDT(232)를 포함하지 않으며, 하부 버스바(222)의 일부 영역을 포함하되, 제2 핑거 IDT(232)와 연결되지 않은 하부 버스바(222) 방향으로 하부 버스바(222) 외 영역의 일부를 포함하여 형성된다. 제2 메탈부(252)는 하부 버스바(222)의 일부 영역과 IDT 전극부 외의 영역을 일부 포함하여 일정한 면적을 가지며 형성된다.
제4 메탈부(254)는 하부 버스바(222) 영역을 포함하지 않고, 제1 핑거 IDT(231)의 일부 영역 및 제2 핑거 IDT(232)의 일부 영역을 포함하여 형성된다. 제4 메탈부(254)는 제2 핑거 IDT(232)의 하부 버스바(222) 영역과 연결되는 일단부터 제2 핑거 IDT(232) 일부 영역을 포함하여 형성된다. 이러한 제4 메탈부(254)는 제1 핑거 IDT(231)의 일부 영역도 포함하는데 제1 핑거 IDT(231)의 하부 버스바(222) 영역과 연결되지 않은 타단부터 제1 핑거 IDT(231) 일부 영역을 포함하여 형성된다. 이러한 제4 메탈부(244)는 제1 핑거 IDT(231) 일부 영역 및 제2 핑거 IDT(232)일부 영역뿐만 아니라 IDT 전극부 외 영역의 일부를 포함하여 일정한 면적을 가지며 형성된다.
이때 제1 메탈부(251), 제2 메탈부(252), 제3 메탈부(253) 및 제4 메탈부(254)는 구리(Cu)로 형성된다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 SAW 필터의 평면도, 도 6은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 SAW 필터의 단면도이다. 도 5 및 도 6를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 SAW 필터는, 기판(310), 기판(310)상에 배치되는 상부 버스바(321), 상부 버스바(321)와 대향하여 기판(310)상에 배치되는 하부 버스바(322), 일단이 상부 버스바(321)와 연결되어 배치되는 제1 핑거 IDT(331), 일단이 하부 버스바(322)와 연결되어 배치되는 제2 핑거 IDT(332)를 포함하는 IDT 전극부를 포함한다. 또한, IDT 전극부상에 형성되는 페시베이션부(340), 상부 버스바(321) 영역 일부를 포함하여 페시베이션부(340)상에 형성되는 제1 메탈부(351)를 포함한다. 또한, 상부 버스바(321) 방향으로의 제2 핑거 IDT(332)의 타단부터 제2 핑거 IDT(332) 일부 영역을 포함하고 제1 핑거 IDT(331) 일부 영역을 포함하며 페시베이션부(340)상에 형성되는 제2 메탈부(352)를 포함한다. 또한, 하부 버스바(322) 영역 일부를 포함하여 페시베이션부(340)상에 형성되는 제3 메탈부(353)를 포함한다. 또한, 하부 버스바(322) 방향으로의 제1 핑거 IDT(331)의 타단부터 제1 핑거 IDT(331) 일부 영역을 포함하고 제2 핑거 IDT(332) 일부 영역을 포함하며 페시베이션부(340)상에 형성되는 제4 메탈부(354)를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 SAW 필터는 페시베이션부(340)상에 4개의 메탈부(351, 352, 353, 354)가 형성된다. 제1 메탈부(351)는 상부 버스바(321)의 일부 영역을 포함하여 형성된다. 제1 메탈부(351)는 제1 핑거 IDT(331) 및 제2 핑거 IDT(332)를 포함하지 않으며, 상부 버스바(321)의 일부 영역을 포함하되, 제1 핑거 IDT(331)와 연결되지 않은 상부 버스바(321) 방향으로 상부 버스바(321) 외 영역의 일부를 포함하여 형성된다. 제1 메탈부(351)는 IDT 전극부 외의 영역을 일부 포함하여 일정한 면적을 가지며 형성된다.
제2 메탈부(352)는 상부 버스바(321) 영역을 포함하지 않고, 제1 핑거 IDT(331)의 일부 영역 및 제2 핑거 IDT(332)의 일부 영역을 포함하여 형성된다. 제2 메탈부(352)는 제2 핑거 IDT(332)의 하부 버스바(322) 영역과 연결되는 타단부터 제2 핑거 IDT(332) 일부 영역을 포함하여 형성된다. 제2 메탈부(351)는 제2 핑거 IDT(332) 일부 영역뿐만 아니라 제1 핑거 IDT(331) 일부 영역 및 IDT 전극부 외 영역의 일부를 포함하여 일정한 면적을 가지며 형성된다.
제3 메탈부(353)는 제1 핑거 IDT(331) 및 제2 핑거 IDT(332)를 포함하지 않으며, 하부 버스바(322)의 일부 영역을 포함하되, 제2 핑거 IDT(332)와 연결되지 않은 하부 버스바(322) 방향으로 하부 버스바(322) 외 영역의 일부를 포함하여 형성된다. 제3 메탈부(353)는 하부 버스바(322)의 일부 영역과 IDT 전극부 외의 영역을 일부 포함하여 일정한 면적을 가지며 형성된다.
제4 메탈부(354)는 하부 버스바(322) 영역을 포함하지 않고, 제2 핑거 IDT(332)의 일부 영역 및 제1 핑거 IDT(331)의 일부 영역을 포함하여 형성된다. 제4 메탈부(354)는 제1 핑거 IDT(331)의 상부 버스바(321) 영역과 연결되지 않는 타단부터 제1 핑거 IDT(331) 일부 영역을 포함하여 형성된다. 제4 메탈부(354)는 제1 핑거 IDT(331) 일부 영역뿐만 아니라 제2 핑거 IDT(332) 일부 영역 및 IDT 전극부 외 영역의 일부를 포함하여 일정한 면적을 가지며 형성된다.
이때 제1 메탈부(251), 제2 메탈부(252), 제3 메탈부(253) 및 제4 메탈부(254)는 구리(Cu)로 형성된다.
이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
110, 210, 310: 기판
121, 221, 321: 상부 버스바
122, 222, 322: 하부 버스바
131, 231, 331: 제1 핑거 IDT
132, 232, 332: 제2 핑거 IDT
140, 240, 340: 페시베이션부
151, 251, 351: 제1 메탈부
152, 252, 352: 제2 메탈부
253, 353: 제3 메탈부
254, 354: 제4 메탈부

Claims (11)

  1. 기판;
    상기 기판상에 배치되는 상부 버스바;
    상기 상부 버스바와 대향하여 상기 기판상에 배치되는 하부 버스바;
    일단이 상기 상부 버스바와 연결되어 배치되는 제1 핑거 IDT;
    일단이 상기 하부 버스바와 연결되어 배치되는 제2 핑거 IDT;
    상기 제1 핑거 IDT 및 제2 핑거 IDT상에 형성되는 페시베이션부;
    상기 상부 버스바 영역을 모두 포함하고, 상기 제1 핑거 IDT의 일부 영역을 포함하고, 상기 제2 핑거 IDT의 타단부터 상기 제2 핑거 IDT 일부 영역을 포함하며 상기 페시베이션부상에 형성되는 제1 메탈부;
    상기 하부 버스바 영역을 모두 포함하고, 상기 제2 핑거 IDT의 일부 영역을 포함하고, 상기 제1 핑거 IDT의 타단부터 상기 제1 핑거 IDT 일부 영역을 포함하여 상기 페시베이션부상에 형성되는 제2 메탈부;
    를 포함하는 SAW 필터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 메탈부 및 상기 제2 메탈부는, 구리(Cu)로 형성되는 SAW 필터.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 메탈부는, 상기 상부 버스바 영역을 모두 포함하되, 상기 상부 버스바 영역보다 넓게 형성되고,
    상기 제2 메탈부는, 상기 하부 버스바 영역을 모두 포함하되, 상기 하부 버스바 영역보다 넓게 형성되는 SAW 필터.
  4. 기판;
    상기 기판상에 배치되는 상부 버스바;
    상기 상부 버스바와 대향하여 상기 기판상에 배치되는 하부 버스바;
    일단이 상기 상부 버스바와 연결되어 배치되는 제1 핑거 IDT;
    일단이 상기 하부 버스바와 연결되어 배치되는 제2 핑거 IDT;
    상기 제1 핑거 IDT 및 제2 핑거 IDT상에 형성되는 페시베이션부;
    상기 상부 버스바 영역 일부를 포함하여 상기 페시베이션부상에 형성되는 제1 메탈부;
    상기 제1 핑거 IDT의 상기 상부 버스바 영역과 연결되는 일단부터 상기 제1 핑거 IDT 일부 영역을 포함하고, 상기 제2 핑거 IDT 일부 영역을 포함하며 상기 페시베이션부상에 형성되는 제2 메탈부;
    상기 하부 버스바 영역 일부를 포함하여 상기 페시베이션부상에 형성되는 제3 메탈부;
    상기 제2 핑거 IDT의 상기 하부 버스바 영역과 연결되는 일단부터 상기 제2 핑거 IDT 일부 영역을 포함하고, 상기 제1 핑거 IDT 일부 영역을 포함하며 상기 페시베이션부상에 형성되는 제4 메탈부;
    를 포함하는 SAW 필터.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 메탈부는,
    상기 상부 버스바 일부 영역을 포함하되, 상기 제1 핑거 IDT와 연결되지 않은 상기 상부 버스바 방향으로 상기 상부 버스바 외 영역의 일부를 포함하여 형성되는 SAW 필터.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제3 메탈부는,
    상기 하부 버스바 일부 영역을 포함하되, 상기 제2 핑거 IDT와 연결되지 않은 상기 하부 버스바 방향으로 상기 하부 버스바 외 영역의 일부를 포함하여 형성되는 SAW 필터.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제1 메탈부, 상기 제2 메탈부, 상기 제3 메탈부 및 상기 제4 메탈부는 구리(Cu)로 형성되는 SAW 필터.
  8. 기판;
    상기 기판상에 배치되는 상부 버스바;
    상기 상부 버스바와 대향하여 상기 기판상에 배치되는 하부 버스바;
    일단이 상기 상부 버스바와 연결되어 배치되는 제1 핑거 IDT;
    일단이 상기 하부 버스바와 연결되어 배치되는 제2 핑거 IDT;
    상기 제1 핑거 IDT 및 제2 핑거 IDT상에 형성되는 페시베이션부;
    상기 상부 버스바 영역 일부를 포함하여 상기 페시베이션부상에 형성되는 제1 메탈부;
    상기 제2 핑거 IDT의 타단부터 상기 제2 핑거 IDT 일부 영역을 포함하고, 상기 제1 핑거 IDT 일부 영역을 포함하며 상기 페시베이션부상에 형성되는 제2 메탈부;
    상기 하부 버스바 영역 일부를 포함하여 상기 페시베이션부상에 형성되는 제3 메탈부;
    상기 제1 핑거 IDT의 타단부터 상기 제1 핑거 IDT 일부 영역을 포함하고, 상기 제2 핑거 IDT 일부 영역을 포함하며 상기 페시베이션부상에 형성되는 제4 메탈부;
    를 포함하는 SAW 필터.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 메탈부는,
    상기 상부 버스바 일부 영역을 포함하되, 상기 제1 핑거 IDT와 연결되지 않은 상기 상부 버스바 방향으로 상기 상부 버스바 영역 이상을 포함하여 형성되는 SAW 필터.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제3 메탈부는,
    상기 하부 버스바 일부 영역을 포함하되, 상기 제2 핑거 IDT와 연결되지 않은 상기 하부 버스바 방향으로 상기 하부 버스바 영역 이상을 포함하여 형성되는 SAW 필터.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 제1 메탈부, 상기 제2 메탈부, 상기 제3 메탈부 및 상기 제4 메탈부는 구리(Cu)로 형성되는 SAW 필터.
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