KR960016119A - 탄성 표면파 필터 장치, 씨디엠에이 통신 시스템용 탄성 표면파 필터 장치 및 탄성 표면파 필터 장치용 트랜스듀서 - Google Patents

탄성 표면파 필터 장치, 씨디엠에이 통신 시스템용 탄성 표면파 필터 장치 및 탄성 표면파 필터 장치용 트랜스듀서 Download PDF

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마사히코 스기야마
켄지 스즈키
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시바타 마사하루
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Abstract

CDMA 통신 시스템에 적합한 탄성 표면과 필터 장치는 압전 기판과, 이 기판상에 형성된 양방향성 입력측 트랜스듀서 및 단반향성 출력측 트랜스듀서를 포함한다. 이 필터 장치는 삽입 손실, 주파수 특성, T.T.E. 감쇠 레벨 및 그룹 지연 시간 등의 면에서 만족스러운 필터링 특성을 갖는다.

Description

탄성 표면파 필터 장치, 씨디엠에이 통신 시스템용 탄성 표면파 필터 장치 및 탄성 표면파 필터 장치용 트랜스듀서
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 탄성 표면파 필터 장치를 도시하는 개략적인 평면도,
제2도는 본 발명의 제2실시예에 따른 탄성 표면파 필터 장치를 도시하는 개략적인 평면도,
제3도는 본 발명의 제3실시예에 따른 탄성 표면파 필터 장치를 도시하는 개략적인 평면도.

Claims (47)

  1. A) 압전 기판과; B) 상기 기판상에 형성되어 탄성 표면파를 발생하는 입력측 트랜스듀서와; C) 상기 기판상에 형성되어 상기 입력측 트랜듀서에 의해 발생된 탄성 표면파를 수신하여 변환하는 출력측 트랜스듀서를 포함하되, D)상기 트랜스듀서중 하나는 단방향성 트랜스듀서로 이루어지고 상기 트랜스듀서중 다른 하나는 양방향성 트랜스듀서로 이루어지는 탄성 표면파 필터 장치.
  2. 제1항에 있어서, A) 상기 단방향성 트랜스듀서는 ⅰ) 기본적인 탄성 표면파의 전파 파장의 λ의 피치로 주기적으로 배열된 다수의 전극 핑거를 포함하는 정극성 전극과, ⅱ) 상기 피치 λ로 주기적으로 배열되고 중심 간격 λ/2로 상기 정극성 전극의 인접하는 상기 전극 핑거 쌍에 대해 제각기 위치된 다수의 전극 핑거를 포함하는 부극성 전극과, ⅲ) 상기 정극성 전극의 상기 전극 핑거중 인접하는 하나의 핑거와 상기 부극성 전극의 상기 전극 핑거중 인접하는 하나의 핑거 사이에 제각기 위치하되, 상기 정극성 및 부극성 전극의 상기 인접하는 전극 핑거 사이에서, 상기 입력측 트랜스듀서의 경우에 상기 탄성 표면파의 전파 방향에 반대되는 방향으로 및 상기 출력측 트랜스듀서의 경우에 상기 탄성 표면파의 전파 방형으로, 중간 위치로부터 오프셋된 다수의 전극 핑거를 포함하는 플로팅 전극을 포함하되, ⅳ) 상기 단방향성 트랜스듀서의 상기 전극성 및 부극성 전극과 상기 플로팅 전극의 상기 전극 핑거의 각각은 상기 탄성 표면파의 상기 전파 방향에서 측정되는 λ/12 폭을 가지며, ⅴ) 상기 단방향성 트랜스듀서의 상기 플로팅 전극의 각 전극 핑거는 상기 중간 위치로부터 간격 λ/12만큼 오프셋되며, B) 상기 양방향성 트랜스듀서는 ⅵ)중심 간격 λ/4로 서로 이격되는 다수의 두개 전극 핑거 세트를 포함하는 정극성 전극으로서, 상기 정극성 전극의 상기 셋트의 각 전극 핑거는 상기 탄성 표면파의 상기 전파 방향에서 측정되는 λ/8 폭을 가지며, 상기 정극성 전극의 상기 전극 핑거 세트는 λ의 피치로 주기적으로 배열되는 상기 정극성 전극과, ⅶ) 중심 간격 λ/4로 서로 이격되는 다수의 두개 전극 핑거 세트를 포함하는 부극성 전극으로서, 상기 부극성 전극의 상기 세트의 각 전극 핑거는 상기 탄성 표면파의 상기 전파 방향에서 측정되는 λ/8폭을 가지며, 상기 부극성 전극의 각 전극 핑거 세트는 상기 정극성 전극의 인접하는 전극 핑거 세트 사이에 배열되는 상기 부극성 전극을 포함하는 탄성 표면파 필터 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 압전 기판으로 이루어지고 상기 플로핑 전극은 단락회로형 전극으로 이루어지는 탄성 표면파 필터 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 압전 기판은 LiTaO3으로 이루어지는 탄성 표면파 필터 장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 단방향성 트랜스듀서는 일반 전극 형으로 이루어지고 상기 양방향성 트랜스듀서는 웨이팅된 전극 형으로 이루어지는 탄성 표면파 필터 장치.
  6. 제5항에 있어서, 웨이팅된 전극 형으로 된 상기 양방향성 트랜스듀서는, 상기 탄성 표면파의 전파 방향에 수직 방향으로 측정된 길이를 갖는 상기 전극성 및 부극성 전극의 상기 전극 핑거를 포함하고, 상기 전극 핑거의 상기 길이는 아포다이징법에 따라 상기 탄성 표면파의 전파 방향으로 점차적으로 변화하는 탄성 표면파 필터 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 단방향성 트랜스듀서는 다수의 제1 및 제2전극 핑거세트를 구비하는 적으로 하나의 전극을 포함하되, 상기 전극 핑거 세트는 상기 탄성 표면파의 전파 파장인 λ인 피치의 주기적으로 배열되며, 상기 제1전극 핑거는 λ/8의 폭을 갖고, 상기 제1 및 제2전극 핑거는 3λ/8의 간격만큼 이격되는 탄성 표면체 필터 장치.
  8. 제2항에 있어서, 상기 단방향성 트랜스듀서는 A) 사전결정된 피치로 주기적으로 배열된 다수의 제1 및 제2전극 핑거 세트를 포함하는데 제1전극으로서, 각 세트의 상기 제1 및 제2전극 핑거는, λ가 탄성 표면파의 전파 파장일 때, 상기 탄성 표면파의 전파 방향에서 측정되는 λ/4폭을 갖고 중심 간격 λ만큼 서로 이격되는 상기 제1전극과, B) 상기 제1전극의 각 세트의 제1 및 제2전극 핑거 사이에 제각기 배열되고 λ/4폭을 갖는 다수의 전극 핑거를 포함하는 제2전극과, C) 상기 제1전극의 인접하는 제1 및 제2전극 핑거 사이에 배열되고 λ/4폭을 갖는 적어도 하나의 플로팅 전극을 포함하는 탄성 표면파 필터 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 단방향성 트랜스듀서는 A) 사전결정된 피치로 배열된 다수의 전극 핑거 세트를 포함하는 제1전극으로서, 상기 제1전극의 상기 세트의 각각은 제각기, λ가 상기 탄성 표면파의 전파 파장일 때, 상기 탄성 표면파의 전파 방향에서 측정되는 λ/8폭을 갖는 제1, 제2, 제3 및 제4전극 핑거를 포함하며, 상기 각 세트의 제1 및 제2전극 핑거는 중심 간격 λ/4만큼 서로 이격되며, 상기 각 세트의 제2 및 제3전극 핑거는 중심 간격 3λ/4만큼 서로 이격되며, 상기 각 세트의 제3 및 제4전극 핑거는 중심 간격 λ/4만큼 서로 이격되는 상기 제1전극과, B) 사전결정된 피치로 배열된 다수의 전극 핑거 세트를 포함하는 제2전극으로서, 상기 제2전극의 상기 세트의 각각은, 제각기 상기 탄성 표면파의 전파 방향에서 측정되는 λ/8폭을 갖는 제5 및 제6전극 핑거를 포함하며, 상기 각 세트의 제6 및 제6전극 핑거는 중심 간격 λ/4만큼 서로 이격되어 상기 제1전극의 인접하는 세트의 제1 및 제2전극 핑거 사이에 배열되는 상기 제2전극과, C) 상기 탄성 표면파의 전파 방향에서 측정되는 λ/4폭을 갖고 상기 제1전극의 이웃하는 전극 핑거 세트 사이에 배열된 적어도 하나의 플로팅 전극을 포함하는 탄성 표면파 필터 장치.
  10. A) 압전 기판과; B) 상기 기판상에 형성되고 양방향성 전극 구조를 갖는 제1트랜스듀서와, C) 상기 제1트랜스듀서의 양측상에서 상기 탄성 표면파의 전파 방향으로 상기 기판상에 형성되며, 제각기 단방향성 전극 구조를 갖는 제2 및 제3트랜스듀서를 포함하되, D) 상기 제2 및 제3트랜스듀서가 입력측 트랜스듀서를 형성할 때는 상기 제1트랜스듀서가 입력측 트랜스튜서를 형성하고, 상기 제2및 제 3트랜스듀서가 입력측 트랜스듀서를 형성할때는 상기 제1트랜스듀서가 출력측 트랜스듀서를 형성하는 탄성 표면파 필터 장치.
  11. 제10항에 있어서, A) 상기 단방향성 트랜스듀서는 ⅰ) 기본적인 탄성 표면파의 전파 파장인 λ의 피치로 주기적으로 배열된 다수의 전극 핑거를 포함하는 정극성 전극과, ⅱ) 상기 피치 λ로 주기적으로 배열되고 상기정극성 전극의 인접하는 상기 전극 핑거 쌍에 대하여 중심 간격 λ/2로 제각기 위치된 다수의 전극 핑거를 포함부극성 전극과, ⅲ) 상기 정극성 전극의 상기 전극 핑거중 인접하는 하나의 핑거와 상기 부극성 전극의 상기 전극 핑거중 인접하는 하나의 핑거 사이에 제각기 위치되며, 상기 정극성 및 부극성 전극의 상기 인접하는 전극 핑거 사이의 중간 위치로부터, 입력측 트랜스듀서의 경우에 상기 탄성 표면파의 전파 방향에 반대 방향으로 및 출력측 트랜스듀서의 경우에 상기 탄성 표면파의 전파 방향으로 오프셋된 다수의 전극 핑거를 포함하는 플로팅 전극을 포함하되, ⅳ) 상기 단방향성 트랜스듀서의 상기 전극성 및 부극성 전극과 상기 플로팅 전극의 상기 전극 핑거의 각각은 상기 탄성 표면파의 상기 전파 방향에서 측정되는 λ/12폭을 가지며, ⅴ) 상기 단방향성 트랜스듀서의 상기 플로팅 전극의 각 전극 핑거는 중간 위치로부터 간격 λ/12만큼 오프셋되며, B) 상기 양방향성 트랜스듀서는 ⅵ) 중심 간격 λ/4로 서로 이격되는 다수의 두개 전극 핑거 세트를포함하는 정극성 전극으로서, 상기 정극성 전극의 상기 세트의 각 전극 핑거는 상기 탄성 표면파의 상기 전파 방향에서 측정되는 λ/8폭을 가지며, 상기 정극성 전극의 전극 핑거 세트는 λ의 피치로 주기적으로 배열되는 상기 정극성 전극과, ⅶ) 중심 간격λ/4로 서로 이격되는 다수의 두개 전극 핑거 세트를 포함하는 부극성 전극으로서, 상기 부극성 전극의 상기 세트의 각 전극 핑거는 상기 탄성 표면파의 상기 전파 방향에서 측정되는 λ/8폭을 가지며, 상기 부극성 전극의 각 전극 핑거 세트는 상기 정극성 전극의 인접하는 전극 핑거 세트 사이에 배열되는 상기 부극성 전극을 포함하는 탄성 표면파 필터 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 압전 기판은 석영 기판으로 이루어지고 상기 플로팅 전극은 단락회로형 전극으로 이루어지는 탄성 표면파 필터 장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 압전 기판은 LiTaO3으로 이루어지는 탄성 표면파 필터 장치.
  14. 제11항에 있어서, 상기 단방향성 트랜스듀서는 일반 전극 형으로 이루어지고 상기 양방향성 트랜스듀서는 웨이팅된 전극 형으로 이루어지는 탄성 표면파 필터 장치.
  15. 제14항에 있어서, 웨이팅 전극 형으로 된 상기 양방향성 트랜스듀서는, 상기 탄성 표면파의 전파 방향에 수직 방향으로 측정된 길이를 갖는 상기 전극성 및 부극성 전극의 상기 전극 핑거를 포함하고, 상기 전극 핑거의 상기 길이는 아포다이징법에 따라 상기 탄성 표면파의 전파 방향으로 점차적으로 변화하는 탄성 표면파 필터 장치.
  16. 제10항에 있어서, 상기 단방향성 트랜스듀서는 다수의 제1 및 제2전극 핑거세트를 구비하는 적어도 하나의 전극을 포함하되, 상기 전극 핑거 세트는 상기 탄성 표면파의 전파 파장인 λ인 피치의 주기적으로 배열되며, 상기 제1전극 핑거는 λ/8의 폭을 갖고, 상기 제1 및 제2전극 핑거는 3λ/8의 간격만큼 이격되는 탄성 표면체 필터 장치.
  17. 제10항에 있어서, 상기 단방향성 트랜스듀서는 A) 사전결정된 피치로 주기적으로 배열된 다수의 제1 및 제2전극 핑거 세트를 포함하는데 제1전극으로서, 각 세트의 상기 제1 및 제2전극 핑거는, λ가 탄성 표면파의 전파 파장일 때, 상기 탄성 표면파의 전파 방향에서 측정되는 λ/4폭을 갖고 중심 간격 λ만큼 서로 이격되는 상기 제1전극과, B) 상기 제1전극의 각 세트의 제1 및 제2전극 핑거 사이에 제각기 배열되고 λ/4폭을 갖는 다수의 전극 핑거를 포함하는 제2전극과, C) 상기 제1전극의 인접하는 제1 및 제2전극 핑거 사이에 배열되고 λ/4폭을 갖는 적어도 하나의 플로팅 전극을 포함하는 탄성 표면파 필터 장치.
  18. 제10항에 있어서, 상기 단방향성 트랜스듀서는 A) 사전결정된 피치로 배열된 다수의 전극 핑거 세트를 포함하는 제1전극으로서, 상기 제1전극의 상기 세트의 각각은 제각기, λ가 상기 탄성 표면파의 전파 파장일 때, 상기 탄성 표면파의 전파 방향에서 측정되는 λ/8폭을 갖는 제1, 제2, 제3 및 제4전극 핑거를 포함하며, 상기 각 세트의 제1 및 제2전극 핑거는 중심 간격 λ/4만큼 서로 이격되며, 상기 각 세트의 제2 및 제3전극 핑거는 중심 간격 3λ/4만큼 서로 이격되며, 상기 각 세트의 제3 및 제4전극 핑거는 중심 간격 λ/4만큼 서로 이격되는 상기 제1전극과, B) 사전결정된 피치로 배열된 다수의 전극 핑거 세트를 포함하는 제2전극으로서, 상기 제2전극의 상기 세트의 각각은, 제각기 상기 탄성 표면파의 전파 방향에서 측정되는 λ/8폭을 갖는 제5 및 제6전극 핑거를 포함하며, 상기 각 세트의 제5 및 제6전극 핑거는 중심 간격 λ/4만큼 서로 이격되어 상기 제1전극의 인접하는 세트의 제1 및 제2전극 핑거 사이에 배열되는 상기 제2전극과, C) 상기 탄성 표면파의 전파 방향에서 측정되는 λ/4폭을 갖고 상기 제1전극의 이웃하는 전극 핑거 세트 사이에 배열된 적어도 하나의 플로팅 전극을 포함하는 탄성 표면파 필터 장치.
  19. A) 압전 기판과; B) 상기 기판상에 형성되어 탄성 표면파를 발생하는 입력측 트랜스듀서와; C) 상기 기판상에 형성되어 상기 입력측 트랜듀서에 의해 발생된 탄성 표면파를 수신하여 변환하는 출력측 트랜스듀서를 포함하되, D)상기 트랜스듀서중 하나는 단방향성 트랜스듀서로 이루어지고 상기 트랜스듀서중 다른 하나는 양방향성 트랜스듀서로 이루어지며 E) 30dB 이상의 T.T.E. 감쇠 레벨을 갖는 CDMA 통신 시스템용 탄성 표면파 필터 장치.
  20. 제19항에 있어서, A) 상기 단방향성 트랜스듀서는 ⅰ) 기본적인 탄성 표면파의 전파 파장인 λ의 피치로 주기적으로 배열된 다수의 전극 핑거를 포함하는 정극성 전극과, ⅱ) 상기 피치 λ로 주기적으로 배열되고 중심 간격 λ/2로 상기 정극성 전극의 인접하는 상기 전극 핑거 쌍에 대해 제각기 위치된 다수의 전극 핑거를 포함하는 부극성 전극과, ⅲ) 상기 정극성 전극의 상기 전극 핑거중 인접하는 하나의 핑거와 상기 부극성 전극의 상기 전극 핑거중 인접하는 하나의 핑거 사이에 제각기 위치되며, 상기 정극성 및 부극성 전극의 상기 인접하는 전극 핑거 사이에서, 상기 입력측 트랜스듀서의 경우에 상기 상기 탄성 표면파의 전파 방향에 반대 방향으로 및 출력측 트랜스듀서의 경우에 상기 탄성 표면파의 전파 방향으로 중간위치로부터 오프셋된 다수의 전극 핑거를 포함하는 플로팅 전극을 포함하되, ⅳ) 상기 단방향성 트랜스듀서의 상기 전극성 및 부극성 전극과 상기 플로팅 전극의 상기 전극 핑거의 각각은 상기 탄성 표면파의 상기 전파 방향에서 측정되는 λ/12폭을 가지며, ⅴ) 상기 단방향성 트랜스듀서의 상기 플로팅 전극의 각 전극 핑거는 중간 위치로부터 간격 λ/12만큼 오프셋되며, B) 상기 양방향성 트랜스듀서는 ⅵ) 중심 간격 λ/4로 서로 이격되는 다수의 두개 전극 핑거 세트를 포함하는 정극성 전극으로서, 상기 정극성 전극의 상기 세트의 각 전극 핑거는 상기 탄성 표면파의 상기 전파 방향에서 측정되는 λ/8폭을 가지며, 상기 정극성 전극의 전극 핑거 세트는 λ의 피치로 주기적으로 배열되는 상기 정극성 전극과, ⅶ) 중심 간격λ/4로 서로 이격되는 다수의 두개 전극 핑거 세트를 포함하는 부극성 전극으로서, 상기 부극성 전극의 상기 세트의 각 전극 핑거는 상기 탄성 표면파의 상기 전파 방향에서 측정되는 λ/8폭을 가지며, 상기 부극성 전극의 각 전극 핑거 세트는 상기 정극성 전극의 인접하는 전극 핑거 세트 사이에 배열되는 상기 부극성 전극을 포함하는 CDMA통신 시스템용 탄성 표면파 필터 장치.
  21. 제20항에 있어서, 상기 압전 기판은 석영 기판으로 이루어지고 상기 플로팅 전극은 단락회로형 전극으로 이루어지는 CDMA통신 시스템용 탄성 표면파 필터 장치.
  22. 제20항에 있어서, 상기 압전 기판은 LiTaO3으로 이루어지는 CDMA통신 시스템용 탄성 표면파 필터 장치.
  23. 제20항에 있어서, 상기 단방향성 트랜스듀서는 일반 전극 형으로 이루어지고 상기 양방향성 트랜스듀서는 웨이팅된 전극 형으로 이루어지는 CDMA통신 시스템용 탄성 표면파 필터 장치.
  24. 제23항에 있어서, 웨이팅된 전극 형으로 된 상기 양방향성 트랜스듀서는, 상기 탄성 표면파의 전파 방향에 수직 방향으로 측정된 길이를 갖는 상기 전극성 및 부극성 전극의 상기 전극 핑거를 포함하고, 상기 전극 핑거의 상기 길이는 아포다이징법에 따라 상기 탄성 표면파의 전파 방향으로 점차적으로 변화하는 CDMA통신 시스템용 탄성 표면파 필터 장치.
  25. A) 압전 기판과; B) 상기 기판상에 형성되어 탄성 표면파를 발생하는 입력측 트랜스듀서와; C) 상기 기판상에 형성되어 상기 입력측 트랜듀서에 의해 발생된 탄성 표면파를 수신하여 변환하는 출력측 트랜스듀서를 포함하되, D)상기 트랜스듀서중 하나는 단방향성 트랜스듀서로 이루어지고, 상기 트랜스듀서중 다른 하나는 양방향성 트랜스듀서로 이루어지며, E) 30dB 이상의 T.T.E. 감쇠 레벨, 0.5㎲ 미만의 그룹 지연 시간 및 10dB 미만의 삽입 손실을 갖는 CDMA용 탄성 표면파 필터 장치.
  26. 제25항에 있어서, A) 상기 단방향성 트랜스듀서는 ⅰ) 기본적인 탄성 표면파의 전파 파장인 λ의 피치로 주기적으로 배열된 다수의 전극 핑거를 포함하는 정극성 전극과, ⅱ) 상기 피치 λ로 주기적으로 배열되고 중심 간격 λ/2로 상기 정극성 전극의 인접하는 상기 전극 핑거 쌍에 대해 제각기 위치된 다수의 전극 핑거를 포함하는 부극성 전극과, ⅲ) 상기 정극성 전극의 상기 전극 핑거중 인접하는 하나의 핑거와 상기 부극성 전극의 상기 전극 핑거중 인접하는 하나의 핑거 사이에 제각기 위치되며, 상기 정극성 및 부극성 전극의 상기 인접하는 전극 핑거 사이에서, 상기 입력측 트랜스듀서의 경우에 상기 상기 탄성 표면파의 전파 방향에 반대 방향으로 및 상기 출력측 트랜스듀서의 경우에 상기 탄성 표면파의 전파 방향으로 중간위치로부터 오프셋된 다수의 전극 핑거를 포함하는 플로팅 전극을 포함하되, ⅳ) 상기 단방향성 트랜스듀서의 상기 전극성 및 부극성 전극과 상기 플로팅 전극의 상기 전극 핑거의 각각은 상기 탄성 표면파의 상기 전파 방향에서 측정되는 λ/12폭을 가지며, ⅴ) 상기 단방향성 트랜스듀서의 상기 플로팅 전극의 각 전극 핑거는 중간 위치로부터 간격 λ/12만큼 오프셋되며, B) 상기 양방향성 트랜스듀서는 ⅵ) 중심 간격 λ/4로 서로 이격되는 다수의 두개 전극 핑거 세트를 포함하는 정극성 전극으로서, 상기 정극성 전극의 상기 세트의 각 전극 핑거는 상기 탄성 표면파의 상기 전파 방향에서 측정되는 λ/8폭을 가지며, 상기 정극성 전극의 상기 전극 핑거 세트는 λ의 피치로 주기적으로 배열되는 상기 정극성 전극과, ⅶ) 중심 간격λ/4로 서로 이격되는 다수의 두개 전극 핑거 세트를 포함하는 부극성 전극으로서, 상기 부극성 전극의 상기 세트의 각 전극 핑거는 상기 탄성 표면파의 상기 전파 방향에서 측정되는 λ/8폭을 가지며, 상기 부극성 전극의 각 전극 핑거 세트는 상기 정극성 전극의 인접하는 전극 핑거 세트 사이에 배열되는 상기 부극성 전극을 포함하는 CDMA통신 시스템용 탄성 표면파 필터 장치.
  27. 제26항에 있어서, 상기 압전 기판은 석영 기판으로 이루어지고 상기 플로팅 전극은 단락회로형 전극으로 이루어지는 CDMA통신 시스템용 탄성 표면파 필터 장치.
  28. 제26항에 있어서, 상기 압전 기판은 LiTaO3으로 이루어지는 CDMA통신 시스템용 탄성 표면파 필터 장치.
  29. 제25항에 있어서, 상기 단방향성 트랜스듀서는 일반 전극 형으로 이루어지고 상기 양방향성 트랜스듀서는 웨이팅된 전극 형으로 이루어지는 CDMA통신 시스템용 탄성 표면파 필터 장치.
  30. 제29항에 있어서, 웨이팅 전극 형으로 된 상기 양방향성 트랜스듀서는, 상기 탄성 표면파의 전파 방향에 수직 방향으로 측정된 길이를 갖는 상기 전극성 및 부극성 전극의 상기 전극 핑거를 포함하고, 상기 전극 핑거의 상기 길이는 아포다이징법에 따라 상기 탄성 표면파의 전파 방향으로 점차적으로 변화하는 CDMA통신 시스템용 탄성 표면파 필터 장치.
  31. A) 압전 기판과; B) 상기 기판상에 형성되고 양방향성 전극 구조를 갖는 제1트랜스듀서와; C) 상기 제1트랜스듀서의 양측상에서 상기 기판상에 형성되고 제각기 단방향성 전극 구조를 갖는 제2 및 제3트랜스듀서르 포함하되, D) 상기 제1트랜스듀서가 탄성 표면파를 발생하는 입력측 트랜스듀서를 형성할 때 상기 제2 및 제3트랜스듀서는 상기 발생된 탄성 표면파를 수신하여 변환하는 출력측 트랜스듀서를 형성하고, 상기 제1트랜스듀서가 출력측 트랜스듀서를 형설할 때는 상기 제2 및 제3트랜스듀서는 입력측 트랜스듀서를 형성하며, E) 30dB 이상의 T.T.E. 감쇄 레벨을 갖는 CDMA 통신 시스템용 탄성 표면파 필터 장치.
  32. 제31항에 있어서, A) 상기 단방향성 트랜스듀서는 ⅰ) 기본적인 탄성 표면파의 전파 파장인 λ의 피치로 주기적으로 배열된 다수의 전극 핑거를 포함하는 정극성 전극과, ⅱ) 상기 λ의 피치로 주기적으로 배열되고 중심 간격 λ/2로 상기 정극성 전극의 인접하는 상기 전극 핑거 쌍에 대해 제각기 위치된 다수의 전극 핑거를 포함하는 부극성 전극과, ⅲ) 상기 정극성 전극의 상기 전극 핑거중 인접하는 하나의 핑거와 상기 부극성 전극의 상기 전극 핑거중 인접하는 하나의 핑거 사이에 제각기 위치되며, 상기 정극성 및 부극성 전극의 상기 인접하는 전극 핑거 사이에서, 상기 입력측 트랜스듀서의 경우에 상기 상기 탄성 표면파의 전파 방향에 반대 방향으로 및 출력측 트랜스듀서의 경우에 상기 탄성 표면파의 전파 방향으로 중간위치로부터 오프셋된 다수의 전극 핑거를 포함하는 플로팅 전극을 포함하되, ⅳ) 상기 단방향성 트랜스듀서의 상기 전극성 및 부극성 전극과 상기 플로팅 전극의 상기 전극 핑거의 각각은 상기 탄성 표면파의 상기 전파 방향에서 측정되는 λ/12폭을 가지며, ⅴ) 상기 단방향성 트랜스듀서의 상기 플로팅 전극의 각 전극 핑거는 중간 위치로부터 간격 λ/12만큼 오프셋되며, B) 상기 양방향성 트랜스듀서는 ⅵ) 중심 간격 λ/4로 서로 이격되는 다수의 두개 전극 핑거 세트를 포함하는 정극성 전극으로서, 상기 정극성 전극의 상기 세트의 각 전극 핑거는 상기 탄성 표면파의 상기 전파 방향에서 측정되는 λ/8폭을 가지며, 상기 정극성 전극의 전극 핑거 세트는 λ의 피치로 주기적으로 배열되는 상기 정극성 전극과, ⅶ) 중심 간격λ/4로 서로 이격되는 다수의 두개 전극 핑거 세트를 포함하는 부극성 전극으로서, 상기 부극성 전극의 상기 세트의 각 전극 핑거는 상기 탄성 표면파의 상기 전파 방향에서 측정되는 λ/8폭을 가지며, 상기 부극성 전극의 각 전극 핑거 세트는 상기 정극성 전극의 인접하는 전극 핑거 세트 사이에 배열되는 상기 부극성 전극을 포함하는 CDMA통신 시스템용 탄성 표면파 필터 장치.
  33. 제32항에 있어서, 상기 압전 기판은 석영 기판으로 이루어지고 상기 플로팅 전극은 단락회로형 전극으로 이루어지는 CDMA통신 시스템용 탄성 표면파 필터 장치.
  34. 제31항에 있어서, 상기 압전 기판은 LiTaO3으로 이루어지는 CDMA통신 시스템용 탄성 표면파 필터 장치.
  35. 제31항에 있어서, 상기 단방향성 트랜스듀서는 일반 전극 형으로 이루어지고 상기 양방향성 트랜스듀서는 웨이팅된 전극 형으로 이루어지는 CDMA통신 시스템용 탄성 표면파 필터 장치.
  36. 제31항에 있어서, 웨이팅 전극 형으로 된 상기 양방향성 트랜스듀서는, 상기 탄성 표면파의 전파 방향에 수직 방향으로 측정된 길이를 갖는 상기 전극성 및 부극성 전극의 상기 전극 핑거를 포함하고, 상기 전극 핑거의 상기 길이는 아포다이징법에 따라 상기 탄성 표면파의 전파 방향으로 점차적으로 변화하는 CDMA통신 시스템용 탄성 표면파 필터 장치.
  37. A) 압전 기판과; B) 상기 기판상에 형성되고 양방향성 전극 구조를 갖는 제1트랜스듀서와; C) 상기 제1트랜스듀서의 양측상에서 상기 기판상에 형성되고 제각기 단방향성 전극 구조를 갖는 제2 및 제3트랜스듀서를 포함하되, D) 상기 제1트랜스듀서가 탄성 표면파를 발생하는 입력측 트랜스듀서를 형성할 때 상기 제2 및 제3트랜스듀서는 상기 발생된 탄성 표면파를 수신하여 변환하는 출력측 트랜스듀서를 형성하고, 상기 제1트랜스듀서가 트랜스듀서를 형설할 때는 상기 제2 및 제3트랜스듀서는 입력측 트랜스듀서를 형성하며, E) 30dB 이상의 T.T.E. 감쇠 레벨, 0.5㎲ 미만의 그룹 지연 시간 및 10dB 미만의 삽입 손실을 갖는 CDMA통신 시스템용 탄성 표면파 필터 장치.
  38. 제37항에 있어서, A) 상기 단방향성 트랜스듀서는 ⅰ) 기본적인 탄성 표면파의 전파 파장인 λ의 피치로 주기적으로 배열된 다수의 전극 핑거를 포함하는 정극성 전극과, ⅱ) 상기 피치 λ로 주기적으로 배열되고 중심 간격 λ/2로 상기 정극성 전극의 인접하는 상기
    전극 핑거 쌍에 대해 제각기 위치된 다수의 전극 핑거를 포함하는 부극성 전극과, ⅲ) 상기 정극성 전극의 상기 전극 핑거중 인접하는 하나의 핑거와 상기 부극성 전극의 상기 전극 핑거중 인접하는 하나의 핑거 사이에 제각기 위치되며, 상기 정극성 및 부극성 전극의 상기 인접하는 전극 핑거 사이에서, 상기 입력측 트랜스듀서의 경우에 상기 탄성 표면파의 전파 방향에 반대 방향으로 및 상기 출력측 트랜스듀서의 경우에 상기 탄성 표면파의 전파 방향으로, 중간위치로부터 오프셋된 다수의 전극 핑거를 포함하는 플로팅 전극을 포함하되, ⅳ) 상기 단방향성 트랜스듀서의 상기 정극성 및 부극성 전극과 상기 플로팅 전극의 상기 전극 핑거의 각각은 상기 탄성 표면파의 상기 전파 방향에서 측정되는 λ/12폭을 가지며, ⅴ) 상기 단방향성 트랜스듀서의 상기 플로팅 전극의 각 전극 핑거는 중간 위치로부터 간격 λ/12만큼 오프셋되며, B) 상기 양방향성 트랜스듀서는 ⅵ) 중심 간격 λ/4로 서로 이격되는 다수의 두개 전극 핑거 세트를 포함하는 정극성 전극으로서, 상기 정극성 전극의 상기 세트의 각 전극 핑거는 상기 탄성 표면파의 상기 전파 방향에서 측정되는 λ/8폭을 가지며, 상기 정극성 전극의 상기 전극 핑거 세트는 λ의 피치로 주기적으로 배열되는 상기 정극성 전극과, ⅶ) 중심 간격λ/4로 서로 이격되는 다수의 두개 전극 핑거 세트를 포함하는 부극성 전극으로서, 상기 부극성 전극의 상기 세트의 각 전극 핑거는 상기 탄성 표면파의 상기 전파 방향에서 측정되는 λ/8폭을 가지며, 상기 부극성 전극의 각 전극 핑거 세트는 상기 정극성 전극의 인접하는 전극 핑거 세트 사이에 배열되는 상기 부극성 전극을 포함하는 CDMA통신 시스템용 탄성 표면파 필터 장치.
  39. 제38항에 있어서, 상기 압전 기판은 석영 기판으로 이루어지고 상기 플로팅 전극은 단락회로형 전극으로 이루어지는 CDMA통신 시스템용 탄성 표면파 필터 장치.
  40. 제37항에 있어서, 상기 압전 기판은 LiTaO3으로 이루어지는 CDMA통신 시스템용 탄성 표면파 필터 장치.
  41. 제37항에 있어서, 상기 단방향성 트랜스듀서는 일반 전극 형으로 이루어지고 상기 양방향성 트랜스듀서는 웨이팅된 전극 형으로 이루어지는 CDMA통신 시스템용 탄성 표면파 필터 장치.
  42. 제37항에 있어서, 웨이팅 전극 형으로 된 상기 양방향성 트랜스듀서는, 상기 탄성 표면파의 전파 방향에 수직 방향으로 측정된 길이를 갖는 상기 전극성 및 부극성 전극의 상기 전극 핑거를 포함하고, 상기 전극 핑거의 상기 길이는 아포다이징법에 따라 상기 탄성 표면파의 전파 방향으로 점차적으로 변화하는 CDMA통신 시스템용 탄성 표면파 필터 장치.
  43. A) 압전 기판과; B) 상기 기판상에 형성된 양방향성 트랜스듀서부로서, 상기 양방향성 트랜스듀서에 관하여 양 전파 방향으로 탄성 표면파를 발생하거나 수신하는 양방향성 전극 구조를 갖는 상기 양방향성 트랜스듀서와; C) 상기 기판상에 형성된 단방향성 트랜스듀서부로서, 상기 단방향성 트랜스듀서부에 관하여 한쪽 전파 방향으로 탄성 표면파를 발생하거나 수신하는 단방향성 전극 구조를 갖는 상기 단방향성 트랜스듀서부를 포함하되, D) 상기 양방향성 트랜스듀서부와 상기 단방향성 트랜스듀서부는 서로에게 일체로 결합되어 상기 트랜스듀서부의 전파 축이 서로 일치하게 되는 탄성 표면파 필터 장치용 트랜스듀서.
  44. 제43항에 있어서, A) 상기 단방향성 트랜스듀서는 ⅰ) 기본적인 탄성 표면파의 전파 파장인 λ의 피치로 주기적으로 배열된 다수의 전극 핑거를 포함하는 정극성 전극과, ⅱ) 상기 피치 λ로 주기적으로 배열되고 중심 간격 λ/2로 상기 정극성 전극의 인접하는 상기 전극 핑거 쌍에 대해 제각기 위치된 다수의 전극 핑거를 포함하는 부극성 전극과, ⅲ) 상기 정극성 전극의 상기 전극 핑거중 인접하는 하나의 핑거와 상기 부극성 전극의 상기 전극 핑거중 인접하는 하나의 핑거 사이에 제각기 위치되며, 상기 정극성 및 부극성 전극의 상기 인접하는 전극 핑거 사이에서, 상기 입력측 트랜스듀서의 경우에 상기 상기 탄성 표면파의 전파 방향에 반대되는 방향으로 및 상기 출력측 트랜스듀서의 경우에 상기 탄성 표면파의 전파 방향으로, 중간 위치로부터 오프셋된 다수의 전극 핑거를 포함하는 플로팅 전극을 포함하되, ⅳ) 상기 단방향성 트랜스듀서의 상기 정극성 및 부극성 전극과 상기 플로팅 전극의 상기 전극 핑거의 각각은 상기 탄성 표면파의 상기 전파 방향에서 측정되는 λ/12폭을 가지며, ⅴ) 상기단방향성 트랜스듀서의 상기 플로팅 전극의 각 전극 핑거는 중간 위치로부터 간격 λ/12만큼 오프셋되며, B) 상기 양방향성 트랜스듀서는 ⅵ) 중심 간격 λ/4로 서로 이격되는 다수의 두개 전극 핑거 세트를 포함하는정극성 전극으로서, 상기 정극성 전극의 상기 세트의 각 전극 핑거는 상기 탄성 표면파의 상기 전파 방향에서 측정되는 λ/8폭을 가지며, 상기 정극성 전극의 전극 핑거 세트는 λ의 피치로 주기적으로 배열되는 상기정극성 전극과, ⅶ) 중심 간격λ/4로 서로 이격되는 다수의 두개 전극 핑거 세트를 포함하는 부극성 전극으로서, 상기 부극성 전극의 상기 세트의 각 전극 핑거는 상기 탄성 표면파의 상기 전파 방향에서 측정되는 λ/8폭을 가지며, 상기 부극성 전극의 각 전극 핑거 세트는 상기 정극성 전극의 인접하는 전극 핑거 세트 사이에 배열되는 상기 부극성 전극을 포함하는 탄성 표면파 필터 장치용 트랜스듀서.
  45. 제43항에 있어서, 상기 단방향성 트랜스듀서는 일반 전극 형으로 이루어지고 상기 양방향성 트랜스듀서는 웨이팅된 전극 형으로 이루어지되, 상기 웨이팅된 전극형으로 된 상기 양방향성 트랜스듀서는 상기 탄성 표면파의 전파 방향에 수직 방향으로 측정된 길이를 갖는 상기 정극성 및 부극성 전극의 상기 전극 핑거를 포함하고, 상기 전극 핑거의 길이는 아포다이징법에 따라 상기 탄성 표면파의 전파 방향으로 점차적으로 변화하는 탄성 표면파 필터 장치용 트랜스듀서.
  46. 제45항에 있어서, 상기 단방향성 트랜스듀서부는 상기 탄성 표면파의 전파 방향에 수직인 방향으로 측정되는 길이를 갖는 상기 정극성 및 부극성 전극의 상기 전극 핑거를 포함하며, 상기 단방향성 트랜스듀서부의 상기 전극 핑거의 길이는 상기 양방향성 트랜스듀서부의 상기 전극 핑거의 최대 길이보다 더 큰 탄성 표면파 필터 장치용 트랜스듀서.
  47. A)압전 기판과; B) 상기 기판상에 형성되어 탄성 표면파를 발생하는 입력측 트랜스듀서와; C) 상기 기판상에 형성되어 상기 입력측 트랜스듀서에 의해 발생된 탄성 표면파를 수신하여 변환하는 출력측 트랜스듀서를 포함하되, D) 상기 트랜스듀서중 하나는 단방향성 트랜스듀서로 이루어지고 상기 트랜스듀서중 다른 하나는 양방향성 트랜스듀서로 이루어지며, E) 상기 양방향성 트랜스듀서는 ⅰ) 상기 기판상에 형성된 양방향성 트랜스듀서부로서, 상기 양방향성 트랜스듀서부에 관하여 양 전파 방향으로 탄성 표면파를 발생하거나 수신하는 양방향성 전극 구조를 갖는 상기 양방향성 트랜스듀서와; ⅱ) 상기 기판상에 형성된 단방향성 트랜스듀서부로서, 상기 단방향성 트랜스듀서부에 관하여 한 쪽 전파 방향으로 탄성 표면파를 발생하거나 수신하는 단방향성 전극 구조를 갖는 상기 단방향성 트랜스듀서부를 포함하되, ⅲ) 상기 양방향성 트랜스듀서부와 상기 단방향성 트랜스듀서부는 서로에게 일체로 결합되어 상기 트랜스듀서부의 전파 축이 서로 일치하게 되는 탄성 표면파 필터 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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