KR102278128B1 - 엑스트랙터 - Google Patents

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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

엑스트랙터(1)는 대역통과 필터(20)와 대역저지 필터(10)를 포함하고, 대역통과 필터(20)에서, 공통 단자에 가장 가까운 직렬암 및 병렬암에 각각 배치된 제1 직렬암 공진자(21) 및 제1 병렬암 공진자(22) 중 적어도 어느 하나의 IDT 전극은 복수개의 제1 전극지 및 복수개의 제2 전극지 중 어느 것도 결락되어 있지 않은 제1 IDT 전극이며, 제1 IDT 전극을 가지지 않는 제1 직렬암 공진자(21) 또는 제1 병렬암 공진자(22), 그리고 제2 직렬암 공진자(23, 25, 27) 및 제2 병렬암 공진자(24, 26, 28) 중 적어도 하나의 IDT 전극은 복수개의 제1 전극지 및 복수개의 제2 전극지 중 적어도 하나가 결락되어 있는 제2 IDT 전극이다.

Description

엑스트랙터
본 발명은 대역통과 필터와 대역저지 필터를 가지는 엑스트랙터에 관한 것이다.
최근, 휴대전화 등의 무선단말기기는 하나의 안테나로 Cellular 방식에 의한 통신과 Wi-Fi(등록상표) 및 GPS에 의한 통신 등, 다른 무선 주파수 대역 및 다른 무선방식에 의한 통신에 대응하는 것이 요구되고 있다. 이에 대응하기 위해, 무선단말기기 안테나의 바로 아래에는 하나의 무선 반송 주파수를 가지는 고주파 신호를 통과시키는 대역통과 필터와, 상기 무선 반송 주파수를 가지는 고주파 신호를 통과시키지 않고 다른 무선 반송 주파수를 가지는 고주파 신호를 통과시키는 대역저지 필터를 조합한 엑스트랙터가 배치되어 있다.
일반적으로, 탄성표면파 공진자를 이용한 대역통과 필터에서는 필터의 통과대역 폭 및 통과대역 단부(端部)의 급준성(急峻性; sharpness)을 향상시키기 위해, 탄성표면파 공진자를 구성하는 IDT(InterDigital Transducer) 전극의 전극지(電極指)의 일부를 솎아내는, 즉, 결락시키는 방법이 이용되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1참조).
특허문헌 1에 기재된 탄성표면파 필터는 탄성표면파 공진자로 구성되는 직렬암(series arm) 공진자와 병렬암(parallel arm) 공진자가 사다리 형상으로 접속된 래더형 탄성표면파 필터이다. 특허문헌 1에 기재된 탄성표면파 필터에서는 탄성표면파 공진자를 구성하는 IDT 전극의 전극지를 주기적으로 솎아냄으로써, 직렬암 공진자의 공진 주파수 frs와 반공진 주파수 fas의 주파수차 Δfs와 병렬암 공진자의 공진 주파수 frp와 반공진 주파수 fap의 주파수차 Δfp를 조정하여 통과대역 단부의 급준성을 향상시키고 있다.
일본 공개특허공보 특개평11-163664호
그러나 엑스트랙터에서, 대역통과 필터의 통과대역 단부의 급준성을 향상시키기 위해, 대역통과 필터를 구성하는 탄성표면파 공진자의 IDT 전극의 전극지의 일부를 솎아내면, 대역통과 필터의 통과대역의 저주파 측에 불필요한 리플이 발생한다. 이 불필요한 리플은 대역저지 필터의 통과대역 중 대역통과 필터의 통과대역보다도 저주파 측에 특히 영향을 주어, 대역저지 필터의 삽입 손실이 열화(劣化)된다는 과제가 생긴다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 대역통과 필터의 통과대역 단부의 급준성을 향상시키면서, 대역저지 필터의 삽입 손실의 열화를 억제한 엑스트랙터를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 한 양태에 따른 엑스트랙터는 사다리 형상으로 접속된 복수개의 탄성표면파 공진자를 가지며, 제1 통과대역의 고주파 신호를 통과시키는 대역통과 필터와, 상기 제1 통과대역의 고주파 신호를 통과시키지 않으면서, 상기 제1 통과대역 이외의 제2 통과대역의 고주파 신호를 통과시키는 대역저지 필터와, 상기 대역통과 필터와 상기 대역저지 필터가 접속된 공통 단자를 포함하고, 상기 대역통과 필터에서, 상기 복수개의 탄성표면파 공진자 각각은 제1 버스바(busbar) 전극과, 상기 제1 버스바 전극에 대향하는 제2 버스바 전극과, 등간격으로 서로 평행하게 상기 제1 버스바 전극에 접속된 복수개의 제1 전극지와, 상기 제1 전극지와 교대로 배치되도록 등간격으로 서로 평행하게 상기 제2 버스바 전극에 접속된 복수개의 제2 전극지를 가지는 IDT 전극을 가지며, 상기 복수개의 탄성표면파 공진자는 상기 공통 단자와 입출력 단자를 잇는 직렬암에 배치된 적어도 하나의 직렬암 공진자와, 상기 직렬암과 그라운드를 잇는 병렬암에 배치된 적어도 하나의 병렬암 공진자를 구성하고, 상기 직렬암에서, 상기 적어도 하나의 직렬암 공진자 중 상기 공통 단자에 가장 가까운 위치에 배치된 제1 직렬암 공진자 및 상기 적어도 하나의 병렬암 공진자 중 상기 공통 단자에 가장 가까운 병렬암에 배치된 제1 병렬암 공진자 중 적어도 어느 하나의 상기 IDT 전극은, 상기 복수개의 제1 전극지 및 상기 복수개의 제2 전극지 중 어느 것도 결락되어 있지 않은 제1 IDT 전극이며, 상기 IDT 전극이 상기 제1 IDT 전극이 아닌 상기 제1 직렬암 공진자 또는 상기 제1 병렬암 공진자, 그리고 상기 적어도 하나의 직렬암 공진자 중 상기 제1 직렬암 공진자 이외의 제2 직렬암 공진자 및 상기 적어도 하나의 병렬암 공진자 중 상기 제1 병렬암 공진자 이외의 제2 병렬암 공진자 중 적어도 하나의 상기 IDT 전극은, 상기 복수개의 제1 전극지 및 상기 복수개의 제2 전극지 중 적어도 하나가 결락되어 있는 제2 IDT 전극이다.
상기 구성에 의하면, 래더형 대역통과 필터에서, 대역저지 필터에 가까운 위치에 접속된 제1 직렬암 공진자 및 제1 병렬암 공진자의 특성은 대역저지 필터의 삽입 손실에 주는 영향이 크다. 따라서, 제1 직렬암 공진자 및 제1 병렬암 공진자 중 적어도 어느 하나의 IDT 전극을 제1 IDT 전극으로 함으로써, 제1 IDT 전극을 이용하지 않은 제1 직렬암 공진자 또는 제1 병렬암 공진자, 그리고 제2 직렬암 공진자 및 제2 병렬암 공진자 중 적어도 하나에서 제2 IDT 전극을 이용한 경우에 대역저지 필터의 통과대역에 리플이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
또한, IDT 전극으로서 제1 IDT 전극을 이용하지 않은 제1 직렬암 공진자 또는 제1 병렬암 공진자, 그리고 제2 직렬암 공진자 및 제2 병렬암 공진자 중 적어도 하나의 IDT 전극을 제2 IDT 전극으로 함으로써, 대역통과 필터의 통과대역 단부의 급준성을 향상시킬 수 있다.
따라서, 대역통과 필터와 대역저지 필터를 조합한 엑스트랙터에서, 대역통과 필터의 통과대역 단부의 급준성을 향상시키면서, 대역저지 필터의 삽입 손실의 열화를 억제할 수 있다.
또한, 상기 제1 직렬암 공진자와 상기 입출력 단자를 잇는 직렬암과 그라운드 사이에 상기 제1 병렬암 공진자가 접속되어 있고, 상기 제1 직렬암 공진자의 상기 IDT 전극은 상기 제1 IDT 전극이어도 된다.
이로써, 공통 단자에 가장 가까운 직렬암에 배치된 제1 직렬암 공진자를 가지는 래더형 대역통과 필터에서, 대역저지 필터에 가장 가까운 직렬암에 배치된 제1 직렬암 공진자의 특성은 대역저지 필터의 삽입 손실에 주는 영향이 크다. 따라서, 적어도 제1 직렬암 공진자의 IDT 전극을 제1 IDT 전극으로 하고, 제1 직렬암 공진자 이외의 직렬암 공진자 및 병렬암 공진자 중 적어도 하나의 IDT 전극을 제2 IDT 전극으로 함으로써, 효율적으로 대역저지 필터의 삽입 손실의 열화를 억제함과 함께, 대역통과 필터의 통과대역 단부의 급준성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 제1 병렬암 공진자의 상기 IDT 전극은 상기 제1 IDT 전극이어도 된다.
이로써, 공통 단자에 가장 가까운 직렬암에 배치된 제1 직렬암 공진자를 가지는 래더형 대역통과 필터에서, 대역저지 필터에 가장 가까운 직렬암 및 병렬암에 각각 배치된 제1 직렬암 공진자 및 제1 병렬암 공진자의 IDT 전극을 제1 IDT 전극으로 하고, 제2 직렬암 공진자 및 제2 병렬암 공진자 중 적어도 하나의 IDT 전극을 제2 IDT 전극으로 함으로써, 대역저지 필터의 삽입 손실의 열화를 더 억제함과 함께, 대역통과 필터의 통과대역 단부의 급준성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 공통 단자와 상기 제1 직렬암 공진자를 잇는 직렬암과 그라운드 사이에 상기 제1 병렬암 공진자가 접속되어 있고, 상기 제1 병렬암 공진자의 상기 IDT 전극은 상기 제1 IDT 전극이어도 된다.
이로써, 공통 단자에 가장 가까운 직렬암과 그라운드 사이에 접속된 제1 병렬암 공진자를 가지는 래더형 대역통과 필터에서, 대역저지 필터에 가장 가까운 병렬암에 배치된 제1 병렬암 공진자의 특성은 대역저지 필터의 삽입 손실에 주는 영향이 크다. 따라서, 적어도 제1 병렬암 공진자의 IDT 전극을 제1 IDT 전극으로 하고, 제1 병렬암 공진자 이외의 병렬암 공진자 및 직렬암 공진자의 IDT 전극을 제2 IDT 전극으로 함으로써, 효율적으로 대역저지 필터의 삽입 손실의 열화를 억제함과 함께, 대역통과 필터의 통과대역 단부의 급준성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 제1 직렬암 공진자의 상기 IDT 전극은 상기 제1 IDT 전극이어도 된다.
이로써, 공통 단자에 가장 가까운 직렬암과 그라운드 사이에 접속된 제1 병렬암 공진자를 가지는 래더형 대역통과 필터에서, 대역저지 필터에 가장 가까운 직렬암 및 병렬암에 각각 배치된 제1 직렬암 공진자 및 제1 병렬암 공진자의 특성은 대역저지 필터의 삽입 손실에 주는 영향이 크다. 따라서, 제1 직렬암 공진자 및 제1 병렬암 공진자의 IDT 전극을 제1 IDT 전극으로 하고, 제2 직렬암 공진자 및 제2 병렬암 공진자 중 적어도 하나의 IDT 전극을 제2 IDT 전극으로 함으로써, 대역저지 필터의 삽입 손실의 열화를 더 억제함과 함께, 대역통과 필터의 통과대역 단부의 급준성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 제2 IDT 전극에서, 상기 제1 전극지 및 상기 제2 전극지 중 적어도 어느 하나는 주기적으로 결락되어 있어도 된다.
이로써, 대역통과 필터의 통과대역 단부의 급준성을 향상시키면서, 대역저지 필터의 삽입 손실의 열화를 억제할 수 있는 엑스트랙터를 용이하게 제공할 수 있다.
또한, 상기 제2 IDT 전극은 상기 제1 버스바 전극 대신에 상기 제2 버스바 전극에 접속된 상기 제1 전극지, 및 상기 제2 버스바 전극 대신에 상기 제1 버스바 전극에 접속된 상기 제2 전극지 중 적어도 하나를 가지고 있어도 된다.
이로써, 제1 버스바 전극에 접속되는 제1 전극지 및 제2 버스바 전극에 접속되는 제2 전극지 중 적어도 하나를, 대향하는 제2 버스바 전극 및 제1 버스바 전극에 접속하면 되므로, 전극지의 피치를 크게 변경할 일이 없다. 따라서, 대역통과 필터의 통과대역을 크게 변경하지 않고, 제2 IDT 전극을 용이하게 형성할 수 있다. 따라서, 대역통과 필터의 통과대역 단부의 급준성을 향상시키면서, 대역저지 필터의 삽입 손실의 열화를 억제할 수 있는 엑스트랙터를 용이하게 제공할 수 있다.
또한, 상기 제2 IDT 전극은 상기 제1 버스바 전극 및 상기 제2 버스바 전극 중 어느 것에도 접속되어 있지 않은 제3 전극지를 가지고 있어도 된다.
이로써, 제1 버스바 전극에 접속되는 제1 전극지 및 제2 버스바 전극에 접속되는 제2 전극지 중 적어도 하나를 제1 버스바 전극 및 제2 버스바 전극에 접속하지 않는 구성으로 하면 되므로, 제1 전극지 및 제2 전극지의 피치를 크게 변경할 일은 없다. 따라서, 대역통과 필터의 통과대역을 크게 변경하지 않고, 제2 IDT 전극을 용이하게 형성할 수 있다. 따라서, 대역통과 필터의 통과대역 단부의 급준성을 향상시키면서, 대역저지 필터의 삽입 손실의 열화를 억제할 수 있는 엑스트랙터를 용이하게 제공할 수 있다.
또한, 상기 제2 IDT 전극은 서로 이웃하는 복수개의 상기 제1 전극지 및 서로 이웃하는 복수개의 상기 제2 전극지 중 적어도 어느 하나가 일체로 형성된 제4 전극지를 가지고 있어도 된다.
이로써, 서로 이웃하는 제1 전극지 및 제2 전극지를 일체로 형성함으로써, 제2 IDT 전극을 형성하기 위해, 설계를 크게 변경하지 않고 제2 IDT 전극을 용이하게 형성할 수 있다. 따라서, 대역통과 필터의 통과대역 단부의 급준성을 향상시키면서, 대역저지 필터의 삽입 손실의 열화를 억제할 수 있는 엑스트랙터를 용이하게 제공할 수 있다.
또한, 상기 대역저지 필터는 적어도 하나의 인덕턴스 소자와 적어도 하나의 커패시턴스 소자를 가지고 있어도 된다.
이로써, 소정의 저지대역 및 통과대역을 가지는 대역저지 필터를 용이하게 구성할 수 있다. 따라서, 대역통과 필터의 통과대역 단부의 급준성을 향상시키면서, 대역저지 필터의 삽입 손실의 열화를 억제할 수 있는 엑스트랙터를 용이하게 제공할 수 있다.
또한, 상기 커패시턴스 소자는 탄성표면파 공진자이어도 된다.
이로써, 커패시턴스 소자로서 탄성표면파 공진자를 이용하기 때문에, 다른 구성의 커패시턴스 소자를 형성할 필요가 없으므로 엑스트랙터의 제조를 용이하게 할 수 있다. 따라서, 대역통과 필터의 통과대역 단부의 급준성을 향상시키면서, 대역저지 필터의 삽입 손실의 열화를 억제할 수 있는 엑스트랙터를 용이하게 제공할 수 있다.
또한, 상기 대역통과 필터를 구성하는 상기 탄성표면파 공진자와 상기 커패시턴스 소자는 동일한 압전기판에 형성되어 있어도 된다.
이로써, 대역저지 필터의 커패시턴스 소자로서 탄성표면파 공진자를 이용하기 때문에, 대역저지 필터와 대역통과 필터를 동일기판에 형성할 수 있으므로, 엑스트랙터의 제조 공정을 간략화할 수 있다. 따라서, 대역통과 필터의 통과대역 단부의 급준성을 향상시키면서, 대역저지 필터의 삽입 손실의 열화를 억제할 수 있는 엑스트랙터를 용이하게 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 엑스트랙터에 의하면, 대역통과 필터의 통과대역 단부의 급준성을 향상시키면서, 대역저지 필터의 삽입 손실의 열화를 억제할 수 있다.
도 1은 실시형태 1에 따른 통신 장치의 개략 구성도이다.
도 2는 실시형태 1에 따른 엑스트랙터의 회로 구성도이다.
도 3은 탄성표면파 공진자를 모식적으로 나타내는 개략도이며, (a)는 평면도, (b) 및 (c)는 (a)에 나타낸 일점쇄선에서의 단면도이다.
도 4는 실시형태 1에 따른 엑스트랙터의 대역통과 필터의 회로 구성도이다.
도 5는 실시형태 1에 따른 엑스트랙터의 대역통과 필터에서의 탄성표면파 공진자의 전극구성의 일례를 나타내는 개략 평면도이다.
도 6a는 실시형태 1 및 비교예에 따른 엑스트랙터의 대역통과 필터의 통과 특성을 비교한 그래프이다.
도 6b는 실시형태 1 및 비교예에 따른 엑스트랙터의 대역저지 필터의 통과 특성을 비교한 그래프이다.
도 7a는 실시형태 1의 변형예 1에 따른 엑스트랙터의 대역통과 필터에서의 제2 IDT 전극 구성의 일례를 나타내는 개략 평면도이다.
도 7b는 실시형태 1의 변형예 2에 따른 엑스트랙터의 대역통과 필터에서의 제2 IDT 전극 구성의 다른 예를 나타내는 개략 평면도이다.
도 7c는 실시형태 1의 변형예 3에 따른 엑스트랙터의 대역통과 필터에서의 제2 IDT 전극 구성의 다른 예를 나타내는 개략 평면도이다.
도 8은 실시형태 2에 따른 엑스트랙터의 대역통과 필터의 회로 구성도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해, 실시형태 및 도면을 이용하여 상세하게 설명한다. 한편, 이하에서 설명하는 실시형태는 모두 포괄적 또는 구체적인 예를 나타내는 것이다. 이하의 실시형태에서 나타내지는 수치, 형상, 재료, 구성 요소, 구성 요소의 배치 및 접속 형태 등은 일례이며, 본 발명을 한정하는 주지가 아니다. 이하의 실시형태에서의 구성 요소 중 독립 청구항에 기재되어 있지 않은 구성 요소에 대해서는 임의의 구성 요소로서 설명된다. 또한, 도면에 나타내지는 구성 요소의 크기 또는 크기의 비는 반드시 엄밀하지는 않다.
(실시형태 1)
[1. 엑스트랙터의 기본 구성]
본 실시형태에서는 하나의 안테나로 Cellular 방식에 의한 통신과 Wi-Fi(등록상표) 및 GPS에 의한 통신에 대응할 수 있는 통신 장치에 대해 예시한다.
도 1은 본 실시형태에 따른 엑스트랙터(1)의 개략 구성도이다. 도 2는 본 실시형태에 따른 엑스트랙터(1)의 회로 구성도이다.
도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 엑스트랙터(1)는 대역저지 필터(10)와 대역통과 필터(20)와 입출력 단자(30 및 40)와 공통 단자(50)를 포함하고 있다. 대역저지 필터(10)와 대역통과 필터(20)는 공통 단자(50)에 접속되어 있다. 대역저지 필터(10)의 공통 단자(50)와 반대 측의 단자는 입출력 단자(30)에 접속되어 있다. 대역통과 필터의 공통 단자(50)와 반대 측의 단자는 입출력 단자(40)에 접속되어 있다. 또한, 공통 단자(50)에는 안테나(2)가 접속되어 있다.
대역통과 필터(20)는 제1 주파수 대역의 고주파 신호를 통과시키는 필터이다. 제1 주파수 대역은 예를 들면, Wi-Fi(등록상표) 및 GPS에 의한 통신에 이용되는 주파수 대역이다.
대역저지 필터(10)는 대역통과 필터(20)를 통과하는 제1 주파수 대역의 고주파 신호를 통과시키지 않고, 대역통과 필터(20)를 통과하지 않는 제2 주파수 대역의 고주파 신호를 통과시키는 필터이다. 제2 주파수 대역은 제1 주파수 대역 이외의 모든 주파수 대역을 포함한다. 제2 주파수 대역은 예를 들면 Cellular 방식에 의한 통신에 이용되는 주파수 대역이다.
대역저지 필터(10)는 도 2에 나타내는 바와 같이, 인덕턴스 소자(14 및 15)와 직렬암 공진자(11)와 병렬암 공진자(12 및 13)를 포함하고 있다. 대역통과 필터(20)는 직렬암 공진자(21, 23, 25 및 27)와 병렬암 공진자(22, 24, 26 및 28)를 포함하고 있다. 대역통과 필터(20)는 직렬암 공진자(21, 23, 25 및 27)와 병렬암 공진자(22, 24, 26 및 28)가 사다리 형상으로 접속된 래더(ladder)형 필터이다.
대역저지 필터(10)에서, 직렬암 공진자(11) 및 병렬암 공진자(12 및 13)는 예를 들면, 탄성표면파 공진자로 구성되어 있다. 또한, 대역통과 필터(20)에서, 직렬암 공진자(21, 23, 25 및 27) 및 병렬암 공진자(22, 24, 26 및 28)는 탄성표면파 공진자로 구성되어 있다. 대역저지 필터(10) 및 대역통과 필터(20)의 상세한 회로 구성에 대해서는 뒤에 상세히 서술한다.
[2. 탄성표면파 공진자의 구조]
여기서, 탄성표면파 공진자의 일반적인 구조에 대해 설명한다.
도 3은 탄성표면파 공진자를 구성하는 IDT 전극(100)을 모식적으로 나타내는 개략도이며, (a)는 평면도, (b) 및 (c)는 (a)에 나타낸 일점쇄선에서의 단면도이다. 도 3에는 탄성표면파 공진자의 구조를 나타내는 평면 모식도 및 단면 모식도가 예시되어 있다. 한편, 도 3에 나타내진 IDT 전극(100)은 전형적인 IDT 전극의 구조를 설명하기 위한 것으로서, IDT 전극을 구성하는 전극지의 개수나 길이 등은 이에 한정되지 않는다.
도 3의 (a)~(c)에 나타내는 바와 같이, IDT 전극(100)은 압전기판(5)과, 빗살 모양의 형상을 가지는 빗살 모양 전극(101a 및 101b)으로 구성되어 있다.
도 3의 (a)에 나타내는 바와 같이, 압전기판(5) 상에는 서로 대향하는 한 쌍의 빗살 모양 전극(101a 및 101b)이 형성되어 있다. 빗살 모양 전극(101a)은 서로 평행한 복수개의 전극지(110a)와, 복수개의 전극지(110a)를 접속하는 버스바 전극(111a)으로 구성되어 있다. 또한, 빗살 모양 전극(101b)은 서로 평행한 복수개의 전극지(110b)와, 복수개의 전극지(110b)를 접속하는 버스바 전극(111b)으로 구성되어 있다. 복수개의 전극지(110a 및 110b)는 X축 방향과 직교하는 방향을 따라 형성되어 있다.
또한, 복수개의 전극지(110a 및 110b) 및 버스바 전극(111a 및 111b)으로 구성되는 빗살 모양 전극(54)은 도 3의 (b)에 나타내는 바와 같이 밀착층(541)과 메인 전극층(542)의 적층 구조로 되어 있다.
밀착층(541)은 압전기판(5)과 메인 전극층(542)의 밀착성을 향상시키기 위한 층이며, 재료로서 예를 들면 Ti가 사용된다. 밀착층(541)의 막 두께는 예를 들면 12㎚이다.
메인 전극층(542)은 재료로서 예를 들면 Cu를 1% 함유한 Al이 사용된다. 메인 전극층(542)의 막 두께는 예를 들면 162㎚이다.
보호층(55)은 빗살 모양 전극(101a 및 101b)을 덮도록 형성되어 있다. 보호층(55)은 메인 전극층(542)을 외부환경으로부터 보호하고, 주파수 온도특성을 조정하며, 내습성을 높이는 것 등을 목적으로 하는 층이며, 예를 들면, 이산화규소를 주성분으로 하는 막이다. 보호층(55)의 두께는 예를 들면 25㎚이다.
한편, 밀착층(541), 메인 전극층(542) 및 보호층(55)을 구성하는 재료는 상술한 재료에 한정되지 않는다. 더욱이, 빗살 모양 전극(54)은 상기 적층 구조가 아니어도 된다. 빗살 모양 전극(54)은 예를 들면, Ti, Al, Cu, Pt, Au, Ag, Pd 등의 금속 또는 합금으로 구성되어도 되고, 또한 상기의 금속 또는 합금으로 구성되는 복수개의 적층체로 구성되어도 된다. 또한, 보호층(55)은 형성되어 있지 않아도 된다.
또한, 압전기판(5)은 예를 들면 LiTaO3 압전단결정 등을 단층으로 사용한 구조이어도 되고, 복수개의 압전기판 또는 압전막을 적층한 구조이어도 된다.
이하, 적층 구조의 압전기판을 예로 들어 압전기판(5)의 구성에 대해 설명한다.
도 3의 (c)에 나타내는 바와 같이, 압전기판(5)은 고음속 지지기판(51)과 저음속막(52)과 압전막(53)을 포함하고, 고음속 지지기판(51), 저음속막(52) 및 압전막(53)이 이 순서로 적층된 구조를 가지고 있다.
압전막(53)은 50° Y컷 X전파 LiTaO3 압전단결정 또는 압전세라믹스(X축을 중심축으로 하여 Y축으로부터 50° 회전한 축을 법선으로 하는 면으로 절단한 탄탈산리튬 단결정, 또는 세라믹스로서, X축방향으로 탄성표면파가 전파하는 단결정 또는 세라믹스)로 이루어진다. 압전막(53)은 예를 들면 두께가 600㎚이다.
고음속 지지기판(51)은 저음속막(52), 압전막(53) 및 빗살 모양 전극(54)을 지지하는 기판이다. 고음속 지지기판(51)은, 더욱이 압전막(53)을 전파하는 표면파나 경계파의 탄성파보다도 고음속 지지기판(51) 중의 벌크파의 음속이 고속인 기판이며, 탄성표면파를 압전막(53) 및 저음속막(52)이 적층되어 있는 부분에 가두어, 고음속 지지기판(51)보다 아래쪽으로 새지 않도록 기능한다. 고음속 지지기판(51)은 예를 들면 실리콘 기판이며, 두께는 예를 들면 200㎛이다.
저음속막(52)은 압전막(53)을 전파하는 벌크파보다도 저음속막(52) 중의 벌크파의 음속이 저속인 막이며, 압전막(53)과 고음속 지지기판(51) 사이에 배치된다. 이 구조와, 탄성파가 본질적으로 저음속인 매질에 에너지가 집중된다는 성질에 의해, 탄성표면파 에너지의 빗살 모양 전극(54) 밖으로의 누설이 억제된다. 저음속막(52)은 예를 들면, 이산화규소를 주성분으로 하는 막이며, 두께는 예를 들면 670㎚이다.
압전기판(5)의 상기 적층 구조에 의하면, 압전기판을 단층으로 사용하고 있는 종래의 구조와 비교하여, 공진 주파수 및 반공진 주파수에서의 Q값을 대폭으로 높이는 것이 가능해진다. 즉, Q값이 높은 탄성표면파 공진자를 구성할 수 있으므로, 상기 탄성표면파 공진자를 이용하여 삽입 손실이 작은 필터를 구성하는 것이 가능해진다.
또한, 공통 단자(50)와 안테나(2) 사이의 경로에는, 복수개의 탄성표면파 필터 사이에서의 임피던스 정합을 취하기 위해, 인덕턴스 소자나 커패시턴스 소자 등의 회로 소자가 부가되어도 된다.
한편, 고음속 지지기판(51)은 지지기판과, 압전막(53)을 전파하는 표면파나 경계파의 탄성파보다도 전파하는 벌크파의 음속이 고속인 고음속막이 적층된 구조를 가지고 있어도 된다. 이 경우, 지지기판은 리튬탄탈레이트, 리튬니오베이트, 수정 등의 압전체, 사파이어, 알루미나, 마그네시아, 질화규소, 질화알루미늄, 탄화규소, 지르코니아, 코디에라이트, 멀라이트, 스테아타이트, 포스테라이트 등의 각종 세라믹, 유리 등의 유전체 또는 실리콘, 질화갈륨 등의 반도체 및 수지기판 등을 사용할 수 있다. 또한, 고음속막은 질화알루미늄, 산화알루미늄, 탄화규소, 질화규소, 산질화규소, DLC막 또는 다이아몬드, 상기 재료를 주성분으로 하는 매질, 상기 재료의 혼합물을 주성분으로 하는 매질 등, 다양한 고음속 재료를 사용할 수 있다.
또한, 도 3의 (a) 및 (b)에서, λ는 빗살 모양 전극(101a 및 101b)을 구성하는 복수개의 전극지(110a 및 110b)의 반복 피치, L은 빗살 모양 전극(101a 및 101b)의 교차 폭, W는 전극지(110a 및 110b)의 폭, S는 전극지(110a)와 전극지(110b) 사이의 폭, h는 빗살 모양 전극(101a 및 101b)의 높이를 나타내고 있다. 전극지(110a)와 전극지(110b) 사이의 폭(S)에 대한 전극지(110a 및 110b)의 폭(W)의 비를 DUTY라고 한다.
IDT 전극(100)은 상술한 바와 같이, 복수개의 전극지(110a 및 110b)가 교대로 평행하게 배치된 구성이기 때문에, 복수개의 전극지(110a 및 110b)의 각 전극지 사이에는 전하가 유지된다. 따라서, IDT 전극(100)은 커패시턴스 소자로도 이용할 수 있다.
[3. 대역저지 필터의 회로 구성]
다음으로, 대역저지 필터(10)의 회로 구성에 대해 설명한다.
대역저지 필터(10)는 도 2에 나타낸 바와 같이, 인덕턴스 소자(14 및 15)와 직렬암 공진자(11)와 병렬암 공진자(12 및 13)를 포함하고 있다.
구체적으로는, 대역저지 필터(10)에서, 공통 단자(50)와 입출력 단자(30)를 잇는 직렬암에는 공통 단자(50)에 가까운 측으로부터 인덕턴스 소자(14), 직렬암 공진자(11), 인덕턴스 소자(15)가 이 순서로 배치되어 있다. 또한, 직렬암 공진자(11)와 인덕턴스 소자(15)를 잇는 직렬암과 그라운드 사이에는 병렬암 공진자(12)가 접속되어 있다. 인덕턴스 소자(15)와 입출력 단자(30)를 잇는 직렬암과 그라운드 사이에는 병렬암 공진자(13)가 접속되어 있다.
여기서, 직렬암 공진자(11), 병렬암 공진자(12) 및 병렬암 공진자(13)는 예를 들면 상술한 IDT 전극(100)으로 구성되어 있다. 대역저지 필터(10)에서, 직렬암 공진자(11), 병렬암 공진자(12) 및 병렬암 공진자(13)는 커패시턴스 소자로 이용되고 있다. 즉, 대역저지 필터(10)는 적어도 하나의 인덕턴스 소자와 적어도 하나의 커패시턴스 소자로 구성되는 LC 공진 회로를 가지고 있다.
직렬암 공진자(11), 병렬암 공진자(12) 및 병렬암 공진자(13)의 전극지의 쌍수는 예를 들면, 각각 230개, 65개, 40개이다. 직렬암 공진자(11), 병렬암 공진자(12) 및 병렬암 공진자(13)의 교차 폭은 예를 들면, 각각 40㎛, 20㎛, 20㎛이다. 직렬암 공진자(11), 병렬암 공진자(12) 및 병렬암 공진자(13)의 DUTY는 예를 들면, 모두 0.6이다. 직렬암 공진자(11), 병렬암 공진자(12) 및 병렬암 공진자(13)의 반복 피치 λ는 예를 들면, 각각 1.611㎛, 1.606㎛, 1.562㎛이다. 한편, 직렬암 공진자(11), 병렬암 공진자(12), 병렬암 공진자(13)의 구성은 상술한 구성에 한정되지 않고, 적절히 변경해도 된다.
또한, 인덕턴스 소자(14)의 인덕턴스 값은 예를 들면 3.6nH, 인덕턴스 소자(15)의 인덕턴스 값은 예를 들면 3.2nH이다. 인덕턴스 소자(14) 및 인덕턴스 소자(15)의 인덕턴스 값은 통과저지대역에 따라 변경해도 된다.
이 구성에 의해, 대역저지 필터(10)는 제1 주파수 대역의 고주파 신호를 통과시키지 않고, 제2 주파수 대역의 고주파 신호를 통과시킬 수 있다.
한편, 대역저지 필터(10)는 상술한 구성에 한정되지 않고, 적어도 하나의 인덕턴스 소자와 적어도 하나의 커패시턴스 소자를 가지고 있으면 된다. 예를 들면, 인덕턴스 소자 및 커패시턴스 소자는 공통 단자(50)와 입출력 단자(30)를 잇는 직렬암에 적어도 하나 배치되고, 공통 단자(50)와 입출력 단자(30)를 잇는 직렬암과 그라운드 사이에 적어도 하나 접속되어 있으면, 어떤 구성이어도 된다.
또한, 커패시턴스 소자에는 상술한 바와 같이 탄성표면파를 이용한 탄성표면파 공진자를 이용해도 되고, 탄성경계파나 BAW(Bulk Acoustic Wave)를 이용한 탄성파 공진자를 이용해도 된다. 또한, 커패시턴스 소자로서, 칩 콘덴서, 고주파 기판의 도체 패턴에 의해 형성된 커패시턴스 소자를 이용해도 된다. 커패시턴스 소자가 탄성파 소자인 경우에는 상기 탄성파 소자는 대역통과 필터(20)를 구성하는 직렬암 공진자(21, 23, 25 및 27) 및 병렬암 공진자(22, 24, 26 및 28)와 동일한 압전기판에 형성되어도 된다.
또한, 인덕턴스 소자는 칩 인덕터, 고주파 기판의 도체 패턴에 의해 형성된 인덕턴스 소자이어도 된다.
[4. 대역통과 필터의 회로 구성]
다음으로, 대역통과 필터(20)의 회로 구성에 대해 설명한다. 도 4는 본 실시형태에 따른 엑스트랙터(1)의 대역통과 필터(20)의 회로 구성도이다.
대역통과 필터(20)는 도 2 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 대역통과 필터(20)는 직렬암 공진자(21, 23, 25 및 27)와 병렬암 공진자(22, 24, 26 및 28)가 사다리 형상으로 접속된 래더형 필터이다.
구체적으로는, 대역통과 필터(20)에서, 공통 단자(50)와 입출력 단자(40)를 잇는 직렬암에는 공통 단자(50)에 가까운 측으로부터 직렬암 공진자(21, 23, 25 및 27)가 이 순서로 배치되어 있다. 또한, 직렬암 공진자(21)와 직렬암 공진자(23)를 잇는 직렬암과 그라운드 사이에는 병렬암 공진자(22)가 접속되어 있다. 직렬암 공진자(23)와 직렬암 공진자(25)를 잇는 직렬암과 그라운드 사이에는 병렬암 공진자(24)가 접속되어 있다. 직렬암 공진자(25)와 직렬암 공진자(27)를 잇는 직렬암과 그라운드를 잇는 병렬암에는 병렬암 공진자(26)가 접속되어 있다. 직렬암 공진자(27)와 입출력 단자(40)를 잇는 직렬암과 그라운드 사이에는 병렬암 공진자(28)가 접속되어 있다. 직렬암 공진자(21, 23, 25 및 27) 및 병렬암 공진자(22, 24, 26 및 28)는 탄성표면파 공진자이다.
한편, 대역통과 필터(20)에서, 공통 단자(50)에 가장 가까운 직렬암에 배치된 직렬암 공진자(21)는 제1 직렬암 공진자이다. 공통 단자(50)에 가장 가까운 병렬암에 배치된 병렬암 공진자(22)는 제1 병렬암 공진자이다. 또한, 직렬암 공진자(21) 이외의 직렬암 공진자(23, 25 및 27)는 제2 직렬암 공진자이다. 병렬암 공진자(22) 이외의 병렬암 공진자(24, 26 및 28)는 제2 병렬암 공진자이다. 한편, 대역통과 필터(20)는 직렬암 공진자를 하나밖에 포함하지 않는 경우에는 상기 직렬암 공진자를 제1 직렬암 공진자로 하고, 제2 직렬암 공진자를 포함하지 않는 구성으로 해도 된다. 또한, 대역통과 필터(20)는 병렬암 공진자를 하나밖에 포함하지 않는 경우에는 상기 병렬암 공진자를 제1 병렬암 공진자로 하고, 제2 병렬암 공진자를 포함하지 않는 구성으로 해도 된다.
여기서, 래더형 탄성표면파 필터의 동작 원리에 대해 설명한다.
도 4에 나타낸 병렬암 공진자(22, 24, 26 및 28)는 예를 들면, 각각 공진특성에서 공진 주파수 frp 및 반공진 주파수 fap(＞frp)를 가지고 있다. 또한, 직렬암 공진자(21, 23, 25 및 27)는 각각 공진특성에서 공진 주파수 frs 및 반공진 주파수 fas(＞frs＞frp)를 가지고 있다. 한편, 직렬암 공진자(21, 23, 25 및 27)의 공진 주파수 frs는 대략 일치하도록 설계되지만, 반드시 일치하지 않는다. 또한, 직렬암 공진자(21, 23, 25 및 27)의 반공진 주파수 fas, 병렬암 공진자(22, 24, 26 및 28)의 공진 주파수 frp, 및 병렬암 공진자(22, 24, 26 및 28)의 반공진 주파수 fap에 대해서도 마찬가지이며, 반드시 일치하지 않는다.
래더형 탄성표면파 필터에 의해 대역통과 필터(20)를 구성함에 있어서, 병렬암 공진자(22, 24, 26 및 28)의 반공진 주파수 fap와 직렬암 공진자(21, 23, 25 및 27)의 공진 주파수 frs를 근접시킨다. 이로써, 병렬암 공진자(22, 24, 26 및 28)의 임피던스가 0에 가까워지는 공진 주파수 frp 근방의 주파수는 저역(低域) 측 저지역(沮止域)이 된다. 또한, 이보다 주파수가 증가하면, 반공진 주파수 fap 근방에서 병렬암 공진자(22, 24, 26 및 28)의 임피던스가 높아지면서, 공진 주파수 frs 근방에서 직렬암 공진자(21, 23, 25 및 27)의 임피던스가 0에 가까워진다. 이로써, 반공진 주파수 fap~공진 주파수 frs 근방의 주파수는 공통 단자(50)로부터 입출력 단자(40)로의 신호 경로에서 신호 통과역이 된다. 더욱이, 주파수가 높아지고, 반공진 주파수 fas 근방이 되면, 직렬암 공진자(21, 23, 25 및 27)의 임피던스가 높아진다. 이로써, 반공진 주파수 fas 근방의 주파수는 고주파 측 저지역이 된다. 즉, 직렬암 공진자(21, 23, 25 및 27)의 반공진 주파수 fas를 신호 통과역 밖의 어디에 설정할지에 따라, 고주파 측 저지역에서의 감쇠 특성의 급준성이 크게 영향을 준다.
대역통과 필터(20)에서, 예를 들면, 공통 단자(50)로부터 고주파 신호가 입력되면, 공통 단자(50)와 기준 단자 사이에서 전위차가 생긴다. 이로써, 압전기판(5)이 일그러지고, X방향으로 전파하는 탄성표면파가 발생한다. 여기서, 빗살 모양 전극(101a 및 101b)의 전극지의 반복 피치 λ와, 통과대역의 파장을 대략 일치시켜 둠으로써, 통과시키고자 하는 주파수 성분을 가지는 고주파 신호만이 대역통과 필터(20)를 통과한다. 이때, 직렬암 공진자(21, 23, 25 및 27) 및 병렬암 공진자(22, 24, 26 및 28) 중 적어도 어느 하나의 IDT 전극을 전극지의 대락 하나가 결락된 구성으로 함으로써, 감쇠 특성의 급준성을 향상시킬 수 있다.
한편, IDT 전극(100)을 구성하는 복수개의 전극지(110a 및 110b) 중 어느 것도 결락되어 있지 않은 IDT 전극(100)을 제1 IDT 전극, 복수개의 전극지(110a 및 110b) 중 적어도 하나가 결락되어 있는 IDT 전극(100)을 제2 IDT 전극이라고 한다.
여기서, 전극지의 결락이란, IDT 전극(100)을 구성하는 복수개의 전극지(110a 및 110b) 중 적어도 하나를 포함하고 있지 않은 것을 말한다. 또한, 전극지의 결락에는 복수개의 전극지(110a 및 110b) 중 적어도 하나를 포함하고 있지 않은 것에 한정되지 않고, 주기적으로 배치된 복수개의 전극지(110a 및 110b)와 다른, 다른 구성의 전극지를 포함하고 있는 것도 포함한다. 예를 들면, 뒤에 상세하게 서술하는 바와 같이, 버스바 전극(111a)에 접속된 복수개의 전극지(110a) 중 적어도 하나를, 대향 배치된 버스바 전극(111a 및 111b) 중 어느 것에도 접속되어 있지 않은 전극지로 해도 되고, 버스바 전극(111b)에 접속된 전극지로 해도 된다. 또한, 서로 이웃하는 복수개의 전극지(110a)의 사이를 메우도록, 서로 이웃하는 복수개의 전극지(110a)와 일체로 형성된 전극지로 해도 된다.
본 실시형태에서의 대역통과 필터(20)에서는, 도 4에 파선으로 나타내는 영역 내에 배치된 직렬암 공진자(23, 25 및 27) 및 병렬암 공진자(24, 26 및 28)는 이하에 나타내는 바와 같이, IDT 전극(100)을 구성하는 전극지(110a 및 110b) 중 적어도 하나가 결락되어 있다.
도 5는 엑스트랙터(1)의 대역통과 필터(20)에서의 탄성표면파 공진자의 전극 구성의 일례를 나타내는 개략 평면도이다. 도 5에서는 대역통과 필터(20)의 직렬암 공진자(23)의 구성을 예로 들고 있다.
직렬암 공진자(23)는 도 5에 나타내는 바와 같이, IDT 전극(210)과 반사기(220 및 221)를 포함하고 있다. IDT 전극(210)에는 서로 대향하는 한 쌍의 빗살 모양 전극(210a 및 210b)이 형성되어 있다. 빗살 모양 전극(210a)은 서로 평행한 복수개의 전극지(212a)와 복수개의 전극지(212a)를 접속하는 버스바 전극(211a)으로 구성되어 있다. 또한, 빗살 모양 전극(210b)은 서로 평행한 복수개의 전극지(212b)와 복수개의 전극지(212b)를 접속하는 버스바 전극(211b)으로 구성되어 있다.
또한, 반사기(220 및 221)는 IDT 전극(210)을 끼도록 IDT 전극(210)의 고주파 전파 방향의 양측에 배치되어 있다.
여기서, IDT 전극(210)에서, 버스바 전극(211a)에 접속된 복수개의 전극지(212a)의 일부 대신에 버스바 전극(211a)과 대향하는 버스바 전극(211b)에 접속된 전극지(213a, 213b 및 213c)가 배치되어 있다. 즉, 직렬암 공진자(23)에서, 전극지(212a)가 2개 간격으로 버스바 전극(211a)으로부터 결락되어 있고, 그 대신에 버스바 전극(211b)에 접속된 전극지(213a, 213b 및 213c)가 마련되어 있다. 전극지(213a)와 전극지(213b) 사이 및 전극지(213b)와 전극지(213c) 사이에는 전극지(212a)가 2개씩, 전극지(212b)가 3개씩 배치되어 있다.
이와 같이, 직렬암 공진자(23)의 IDT 전극(210)은 복수개의 전극지(212a)가 버스바 전극(211a)으로부터 주기적으로 결락되고, 그 대신에 전극지(213a, 213b 및 213c)가 주기적으로 마련된 제2 IDT 전극이다.
또한, 직렬암 공진자(25 및 27) 및 병렬암 공진자(24, 26 및 28)의 IDT 전극은 직렬암 공진자(23)에 나타낸 IDT 전극(210)과 마찬가지로, 전극지(212a 및 212b)의 일부가 결락된 제2 IDT 전극이다. 한편, 직렬암 공진자(23, 25 및 27) 및 병렬암 공진자(24, 26 및 28)에서, 전극지(212a 및 212b)의 결락은 상술한 바와 같이 2개 간격의 주기가 아니어도 되고, 다른 주기이어도 된다. 또한, 직렬암 공진자(25 및 27) 및 병렬암 공진자(24, 26 및 28)에 대해, 전극지의 결락 주기를 다르게 해도 되고 동일하게 해도 된다. 또한, 전극지의 결락은 주기적이어도 되고 주기적이지 않아도 된다.
또한, 대역통과 필터(20)에서, 도 4에 파선으로 나타내는 영역 밖에 배치된 직렬암 공진자(21) 및 병렬암 공진자(22)의 IDT 전극은 IDT 전극을 구성하는 전극지 중 어느 것도 결락되어 있지 않은 제1 IDT 전극이다.
여기서, 직렬암 공진자(21, 23, 25 및 27)의 전극지의 쌍수는 예를 들면 각각 42개, 69개, 230개, 98개이다. 직렬암 공진자(21, 23, 25 및 27)의 교차 폭은 예를 들면 모두 20㎛이다. 직렬암 공진자(21, 23, 25 및 27)의 DUTY는 예를 들면 모두 0.6이다. 직렬암 공진자(21, 23, 25 및 27)의 반복 피치 λ는 예를 들면 각각 1.575㎛, 1.580㎛, 1.591㎛, 1.573㎛이다.
또한, 병렬암 공진자(22, 24, 26 및 28)의 전극지의 쌍수는 예를 들면 각각 203개, 105개, 166개, 80개이다. 병렬암 공진자(22, 24, 26 및 28)의 교차 폭은 예를 들면 모두 20㎛이다. 병렬암 공진자(22, 24, 26 및 28)의 DUTY는 예를 들면 모두 0.6이다. 병렬암 공진자(22, 24, 26 및 28)의 반복 피치 λ는 예를 들면 각각 1.635㎛, 1.633㎛, 1.638㎛, 1.634㎛이다.
한편, 상술한 직렬암 공진자(23, 25 및 27) 및 병렬암 공진자(24, 26 및 28)의 전극지의 쌍수의 일례는 전극지가 결락되어 있지 않다고 한 경우에 배치되는 전극지의 쌍수로 나타내고 있다. 직렬암 공진자(21, 23, 25 및 27) 및 병렬암 공진자(22, 24, 26 및 28)의 구성은 적절히 변경해도 된다. 또한, 직렬암 공진자(23, 25 및 27) 및 병렬암 공진자(24, 26 및 28) 각각에서의 전극지의 결락 주기에 대해서도 적절히 변경해도 된다.
또한, 대역통과 필터(20)에서, 직렬암 공진자(21) 및 병렬암 공진자(22) 양쪽의 IDT 전극을 제1 IDT 전극으로 하는 것에 한정되지 않고, 직렬암 공진자(21) 및 병렬암 공진자(22) 중 적어도 어느 하나의 IDT 전극을 제1 IDT 전극으로 하고 있으면 된다. 예를 들면, 직렬암 공진자(21)의 IDT 전극을 제1 IDT 전극, 병렬암 공진자(22)의 IDT 전극을 제2 IDT 전극으로 해도 된다. 또한, 직렬암 공진자(21)의 IDT 전극은 제2 IDT 전극, 병렬암 공진자(22)의 IDT 전극은 제1 IDT 전극으로 해도 된다.
[5. 엑스트랙터의 고주파 전송 특성]
이하, 본 실시형태에 따른 엑스트랙터(1)의 고주파 전송 특성을 비교예에 따른 엑스트랙터의 고주파 전송 특성과 비교하면서 설명한다.
비교예에 따른 엑스트랙터의 구성은 도 2에 나타낸 본 실시형태에 따른 엑스트랙터(1)와 비교하여 직렬암 공진자(21, 23, 25 및 27) 및 병렬암 공진자(22, 24, 26 및 28)의 모든 IDT 전극이 제2 IDT 전극인 구성으로 하고 있다.
도 6a는 본 실시형태 및 비교예에 따른 대역통과 필터(20)의 통과 특성을 비교한 그래프이다. 도 6b는 본 실시형태 및 비교예에 따른 대역저지 필터(10)의 통과 특성을 비교한 그래프이다.
도 6a에 나타내는 바와 같이, 대역통과 필터(20)에서는 비교예에 따른 엑스트랙터의 대역통과 필터와 비교하여 통과대역 이외의 대역에서의 삽입 손실이 비교예에 따른 엑스트랙터의 대역통과 필터의 삽입 손실보다도 향상되어 있음을 알 수 있다. 비교예에 따른 엑스트랙터의 대역통과 필터에서는 대역통과 필터(20)의 통과대역 이외의 대역에서 복수개의 리플이 발생하고 있는데, 이것은 대역통과 필터(20)를 구성하는 직렬암 공진자(21, 23, 25 및 27) 및 병렬암 공진자(22, 24, 26 및 28)의 IDT 전극을 제2 IDT 전극으로 하고 있기 때문이다. 이에 반하여, 실시형태에 따른 대역통과 필터(20)에서는 직렬암 공진자(21) 및 병렬암 공진자(22)의 IDT 전극을 제1 IDT 전극, 직렬암 공진자(23, 25 및 27) 및 병렬암 공진자(24, 26 및 28)의 IDT 전극을 제2 IDT 전극으로 하고 있기 때문에, 대역통과 필터(20)의 삽입 손실은 전체적으로 향상되어 있다고 할 수 있다.
또한, 대역저지 필터(10)에서는 비교예에 따른 엑스트랙터의 대역저지 필터와 비교하여, 도 6b에 파선의 두꺼운 선으로 둘러싸인 영역에 나타내는 바와 같이, 리플의 발생이 억제되어 있다. 특히, 대역저지 필터(10)의 저지대역보다도 저주파 측의 통과대역에서, 리플의 발생이 억제되어 있음을 알 수 있다. 이것은 대역통과 필터(20)의 공통 단자(50)에 가까운 측, 즉, 대역저지 필터(10)에 가까운 측에 마련된 직렬암 공진자(21) 및 병렬암 공진자(22)의 IDT 전극의 전극지를 제1 IDT 전극으로 했기 때문이라고 할 수 있다. 대역통과 필터(20)에서 대역저지 필터(10)에 가까운 측에 마련된 직렬암 공진자(21) 및 병렬암 공진자(22)는 대역저지 필터(10)에 주는 영향이 크기 때문에, 직렬암 공진자(21) 및 병렬암 공진자(22)의 IDT 전극을 제1 IDT 전극으로 하고, 직렬암 공진자(23, 25 및 27) 및 병렬암 공진자(24, 26 및 28)의 IDT 전극을 제2 IDT 전극으로 함으로써, 대역통과 필터(20)에서 발생한 리플이 대역저지 필터(10)에 영향을 끼치는 것을 억제할 수 있다.
[6. 정리]
이상, 본 실시형태에 따른 엑스트랙터(1)는 대역통과 필터(20)와 대역저지 필터(10)를 포함하고, 대역통과 필터(20)에서, 공통 단자(50)에 가장 가까운 측에 배치된 직렬암 공진자(21) 및 병렬암 공진자(22)의 IDT 전극을 복수개의 전극지 중 어느 것도 결락되어 있지 않은 제1 IDT 전극으로 하고, 직렬암 공진자(23, 25 및 27) 및 병렬암 공진자(24, 26 및 28)의 IDT 전극을 복수개의 전극지의 일부가 결락된 제2 IDT 전극으로 하고 있다.
공통 단자(50)에 가장 가까운 측, 즉, 대역저지 필터(10)에 가장 가까운 위치에 배치된 직렬암 공진자(21) 및 병렬암 공진자(22)의 IDT 전극을 제1 IDT 전극으로 함으로써, 제2 IDT 전극을 이용한 직렬암 공진자(23, 25 및 27) 및 병렬암 공진자(24, 26 및 28)에 의해 대역통과 필터(20)의 저주파 측의 저지대역에 생기는 리플이 대역저지 필터(10)에 영향을 끼치는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 대역저지 필터(10)의 통과역에는 리플이 발생하지 않기 때문에, 대역저지 필터(10)의 삽입 손실의 열화를 억제할 수 있다. 이로써, 엑스트랙터(1)에서, 대역통과 필터(20)의 급준성을 향상시키면서, 대역저지 필터(10)의 삽입 손실의 열화를 억제할 수 있다.
한편, 상술한 실시형태에서는 직렬암 공진자(21) 및 병렬암 공진자(22) 양쪽을 복수개의 전극지 중 어느 것도 결락되어 있지 않은 제1 IDT 전극으로 했는데, 이에 한정되지 않고, 직렬암 공진자(21) 및 병렬암 공진자(22) 중 적어도 어느 하나가 제1 IDT 전극이면 된다.
또한, 상술한 실시형태에서는 직렬암 공진자(23, 25 및 27) 및 병렬암 공진자(24, 26 및 28) 각각의 IDT 전극을 복수개의 전극지 중 적어도 하나가 결락된 제2 IDT 전극으로 했는데, 이에 한정되지 않고, 직렬암 공진자(23, 25 및 27) 및 병렬암 공진자(24, 26 및 28) 중 적어도 하나에서 IDT 전극의 전극지가 결락된 구성이면 된다.
또한, 전극지의 결락이란, 상술한 바와 같이 종래의 버스바 전극과는 반대 측의 버스바 전극에 접속된 전극을 포함하는 것이어도 되고, 주기적으로 배치된 다른 복수개의 전극지와 다른 구성의 전극을 마련하는 것으로 해도 된다. 또한, IDT 전극의 구성은 이하의 변형예 1~3에 나타내는 바와 같은 구성, 또는 이들 이외의 구성으로 해도 된다. 또한, 제2 IDT 전극은 직렬암 공진자(23, 25 및 27) 및 병렬암 공진자(24, 26 및 28) 전체에 대해 동일한 구성으로 해도 되고, 다른 구성으로 해도 된다.
(실시형태 1의 변형예 1)
도 7a는 실시형태 1의 변형예 1에 따른 엑스트랙터(1)의 대역통과 필터(20)에서의 제2 IDT 전극 구성의 일례를 나타내는 개략 평면도이다.
도 7a에 나타내는 바와 같이, IDT 전극(223)은 실시형태 1에 나타낸 직렬암 공진자(23)의 IDT 전극(210)과 마찬가지로, 버스바 전극(211a)과 전극지(212a)로 구성되는 빗살 모양 전극(210a)과, 버스바 전극(211b)과 전극지(212b)로 구성되는 빗살 모양 전극(210b)을 가지고 있다.
IDT 전극(223)은 버스바 전극(211a)에 접속된 복수개의 전극지(212a)의 일부 대신에 전극지(223a, 223b 및 223c)를 가지고 있다. 전극지(223a, 223b 및 223c)는 버스바 전극(211a 및 211b) 중 어느 것에도 접속되어 있지 않은 제3 전극지이다. 보다 구체적으로는, 전극지(223a, 223b 및 223c)는 버스바 전극(211a)에 접속될 전극지(212a)가, 2개 간격으로 버스바 전극(211a 및 211b) 중 어느 것에도 접속되지 않도록 형성된 것이다.
엑스트랙터(1)의 대역통과 필터(20)에서, 직렬암 공진자(23, 25 및 27) 및 병렬암 공진자(24, 26 및 28)의 IDT 전극을 상술한 IDT 전극(223)과 같은 구성으로 해도 대역통과 필터(20)의 급준성을 향상시키면서, 대역저지 필터(10)의 삽입 손실의 열화를 억제할 수 있다.
(실시형태 1의 변형예 2)
도 7b는 실시형태 1의 변형예 2에 따른 엑스트랙터(1)의 대역통과 필터(20)에서의 제2 IDT 전극 구성의 다른 예를 나타내는 개략 평면도이다.
도 7b에 나타내는 바와 같이, IDT 전극(233)은 실시형태 1에 나타낸 직렬암 공진자(23)의 IDT 전극(210)과 마찬가지로, 버스바 전극(211a)과 전극지(212a)로 구성되는 빗살 모양 전극(210a)과, 버스바 전극(211b)과 전극지(212b)로 구성되는 빗살 모양 전극(210b)을 가지고 있다.
여기서, IDT 전극(233)은 버스바 전극(211a)에 접속된 복수개의 전극지(212a)의 일부를 포함하고 있지 않다. 구체적으로는, 버스바 전극(211a)에서 전극지(212a)는 2개 간격으로 존재하지 않고, 공극이 존재하고 있다. 즉, IDT 전극(233)에서는 버스바 전극(211a)에 접속된 복수개의 전극지(212a)가 결락되어 있고, 주기적으로 공극이 마련되어 있다.
엑스트랙터(1)의 대역통과 필터(20)에서, 직렬암 공진자(23, 25 및 27) 및 병렬암 공진자(24, 26 및 28)의 IDT 전극을 상술한 IDT 전극(233)의 구성으로 해도 대역통과 필터(20)의 급준성을 향상시키면서, 대역저지 필터(10)의 삽입 손실의 열화를 억제할 수 있다.
(실시형태 1의 변형예 3)
도 7c는 실시형태 1의 변형예 3에 따른 엑스트랙터(1)의 대역통과 필터(20)에서의 제2 IDT 전극 구성의 다른 예를 나타내는 개략 평면도이다.
도 7c에 나타내는 바와 같이, IDT 전극(243)은 실시형태 1의 변형예 2에 나타낸 IDT 전극(233)에서, 버스바 전극(211b)에 접속된 서로 이웃하는 전극지(212b)가 일체 형성되어 있다.
구체적으로는, IDT 전극(243)에서, 버스바 전극(211a)에는 전극지(212a)가 2개 간격으로 존재하지 않고, 버스바 전극(211b)에 제4 전극지(243a, 243b 및 243c)가 접속되어 있다. 제4 전극지(243a, 243b 및 243c)는 각각 서로 이웃하는 전극지(212b)가 일체로 형성된 전극지이다. 즉, IDT 전극(243)에서는 버스바 전극(211a)에 접속된 복수개의 전극지(212a)가 결락되어 있고, 버스바 전극(211b)에는 서로 이웃하는 전극지(212b)가 일체 형성된 제4 전극지(243a, 243b 및 243c)가 주기적으로 접속되어 있다.
엑스트랙터(1)의 대역통과 필터(20)에서, 직렬암 공진자(23, 25 및 27) 및 병렬암 공진자(24, 26 및 28)의 IDT 전극을 상술한 IDT 전극(243)의 구성으로 해도 대역통과 필터(20)의 급준성을 향상시키면서, 대역저지 필터(10)의 삽입 손실의 열화를 억제할 수 있다.
(실시형태 2)
다음으로, 실시형태 2에 따른 엑스트랙터에 대해 설명한다. 본 실시형태에 따른 엑스트랙터는 실시형태 1에 따른 엑스트랙터(1)와 비교하여, 대역통과 필터(320)의 회로 구성이 다르다.
도 8은 본 실시형태에 따른 엑스트랙터(1)의 대역통과 필터(320)의 회로 구성도이다.
도 8에 나타내는 바와 같이, 대역통과 필터(320)는 직렬암 공진자(321, 323, 325 및 327)와 병렬암 공진자(322, 324, 326 및 328)가 사다리 형상으로 접속된 래더형 필터이다.
구체적으로는, 대역통과 필터(320)에서, 공통 단자(50)와 입출력 단자(40)를 잇는 직렬암에는 공통 단자(50)에 가까운 측으로부터 직렬암 공진자(321, 323, 325 및 327)가 이 순서대로 배치되어 있다. 또한, 공통 단자(50)와 직렬암 공진자(321)를 잇는 직렬암과 그라운드 사이에는 병렬암 공진자(322)가 접속되어 있다. 직렬암 공진자(321)와 직렬암 공진자(323)를 잇는 직렬암과 그라운드 사이에는 병렬암 공진자(324)가 접속되어 있다. 직렬암 공진자(323)와 직렬암 공진자(325)를 잇는 직렬암과 그라운드 사이에는 병렬암 공진자(326)가 접속되어 있다. 직렬암 공진자(325)와 직렬암 공진자(327)를 잇는 직렬암과 그라운드 사이에는 병렬암 공진자(328)가 접속되어 있다. 직렬암 공진자(321, 323, 325 및 327) 및 병렬암 공진자(322, 324, 326 및 328)는 탄성표면파 공진자이다.
한편, 대역통과 필터(320)에서, 공통 단자(50)에 가장 가까운 직렬암에 배치된 직렬암 공진자(321)는 제1 직렬암 공진자이고, 공통 단자(50)에 가장 가까운 병렬암에 배치된 병렬암 공진자(322)는 제1 병렬암 공진자이다. 또한, 직렬암 공진자(321) 이외의 직렬암 공진자(323, 325 및 327)는 제2 직렬암 공진자이다. 병렬암 공진자(322) 이외의 병렬암 공진자(324, 326 및 328)는 제2 병렬암 공진자이다.
여기서, 직렬암 공진자(321) 및 병렬암 공진자(322)의 IDT 전극은 복수개의 전극지 중 어느 것도 결락되어 있지 않은 제1 IDT 전극이다. 또한, 도 8에 파선으로 나타내는 영역 내에 배치된 직렬암 공진자(323, 325 및 327) 및 병렬암 공진자(324, 326 및 328)의 IDT 전극은 복수개의 전극지 중 적어도 하나가 결락된 제2 IDT 전극지이다.
이 구성에 의해, 엑스트랙터(1)에서 대역통과 필터(320)의 급준성을 향상시키면서, 대역저지 필터(10)의 삽입 손실의 열화를 억제할 수 있다.
한편, 대역통과 필터(320)는 직렬암 공진자(321) 및 병렬암 공진자(322) 양쪽의 IDT 전극이 제1 IDT 전극인 것에 한정되지 않고, 직렬암 공진자(321) 및 병렬암 공진자(322) 중 적어도 어느 하나의 IDT 전극이 제1 IDT 전극이면 된다. 또한, 직렬암 공진자(323, 325 및 327) 및 병렬암 공진자(324, 326 및 328)의 모든 IDT 전극이 제2 IDT 전극인 것에 한정되지 않고, IDT 전극이 제1 IDT 전극이 아닌 직렬암 공진자(321) 또는 병렬암 공진자(322), 그리고 직렬암 공진자(323, 325, 327) 및 병렬암 공진자(324, 326, 328) 중 적어도 어느 하나의 IDT 전극이 제2 IDT 전극이면 된다.
예를 들면, 공통 단자(50)와 입출력 단자(40) 사이의 경로에서, 공통 단자(50)에 가장 가까운 직렬암과 그라운드 사이에 접속된 병렬암 공진자(322)의 IDT 전극을 제1 IDT 전극, 직렬암 공진자(321)의 IDT 전극을 제2 IDT 전극, 직렬암 공진자(323, 325 및 327) 및 병렬암 공진자(324, 326, 328)의 IDT 전극을 제1 IDT 전극으로 해도 된다. 또한, 직렬암 공진자(321, 323, 325 및 327)의 IDT 전극을 제1 IDT 전극, 병렬암 공진자(322)의 IDT 전극을 제2 IDT 전극, 병렬암 공진자(324, 326 및 328)의 IDT 전극을 제1 IDT 전극으로 해도 된다.
(그 밖의 변형예 등)
이상, 본 발명의 실시형태 및 실시형태의 변형예에 따른 엑스트랙터에 대해 설명했는데, 본 발명은 상기 실시형태에는 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 실시형태에 다음과 같은 변형을 실시한 양태도 본 발명에 포함될 수 있다.
예를 들면, 상술한 실시형태에서는 공통 단자에 가장 가까운 직렬암에 배치된 직렬암 공진자 및 공통 단자에 가장 가까운 병렬암에 배치된 병렬암 공진자 양쪽의 IDT 전극을 복수개의 전극지 중 어느 것도 결락되어 있지 않은 제1 IDT 전극으로 했는데, 이에 한정되지 않고, 공통 단자에 가장 가까운 직렬암에 배치된 직렬암 공진자 및 공통 단자에 가장 가까운 병렬암에 배치된 병렬암 공진자 중 적어도 어느 하나가 제1 IDT 전극이면 된다.
또한, 상술한 실시형태에서는 공통 단자에 가장 가까운 직렬암에 배치된 직렬암 공진자 및 공통 단자에 가장 가까운 병렬암에 배치된 병렬암 공진자 이외의 직렬암 공진자 및 병렬암 공진자 전체에 대해, IDT 전극의 전극지가 결락된 구성으로 했는데, 이에 한정되지 않고, 공통 단자에 가장 가까운 직렬암에 배치되고 제1 IDT 전극지를 가지는 직렬암 공진자 및 공통 단자에 가장 가까운 병렬암에 배치되고 제1 IDT 전극지를 가지는 병렬암 공진자 중 적어도 어느 하나 이외의 직렬암 공진자 및 병렬암 공진자 중 적어도 하나가, 복수개의 전극지 중 적어도 하나가 결락된 제2 IDT 전극이면 된다.
또한, IDT 전극의 전극지의 결락은 2개 간격의 주기가 아니어도 되고, 다른 주기이어도 된다. 또한, IDT 전극의 전극지가 결락된 복수개의 직렬암 공진자 및 복수개의 병렬암 공진자에 대해, 전극지의 결락 주기를 다르게 해도 되고 동일하게 해도 된다. 또한, 전극지의 결락은 주기적이어도 되고 주기적이지 않아도 된다.
또한, 복수개의 직렬암 공진자 및 병렬암 공진자에 대해, IDT 전극의 쌍수, 교차 폭(L), DUTY, 반복 피치 λ는 적절히 변경해도 된다.
또한, 대역통과 필터를 구성하는 래더형 필터는 공통 단자와 공통 단자에 가장 가까운 직렬암 공진자를 잇는 직렬암과 그라운드 사이에 병렬암 공진자가 접속된 구성이어도 되고, 접속되어 있지 않은 구성이어도 된다.
또한, 대역저지 필터는 커패시턴스 소자로서, 탄성표면파를 이용한 탄성표면파 공진자를 이용해도 되고, 탄성경계파나 BAW(Bulk Acoustic Wave)를 이용한 탄성파 공진자를 이용해도 된다. 또한, 커패시턴스 소자로서, 칩 콘덴서, 고주파 기판의 도체 패턴에 의해 형성된 커패시턴스 소자를 이용해도 된다. 커패시턴스 소자가 탄성파 소자인 경우에는 상기 탄성파 소자는 대역통과 필터를 구성하는 직렬암 공진자 및 병렬암 공진자와 동일한 압전기판에 형성되어도 된다. 또한, 인덕턴스 소자는 칩 인덕터, 고주파 기판의 도체 패턴에 의해 형성된 인덕턴스 소자이어도 된다.
또한, 상술한 엑스트랙터는 공통 단자와 반대 측의 입출력 단자에 다른 대역통과 필터를 가지는 구성이어도 된다. 또한, 상술한 엑스트랙터는 공통 단자와 반대 측의 입출력 단자에 PA(파워앰프), LNA(노이즈 제거 앰프) 등을 가지는 구성이어도 된다.
본 발명은 다른 무선 주파수 대역 및 다른 무선 방식에 의한 통신에 대응할 수 있는 엑스트랙터를 포함하는 프론트 엔드 회로, 송신 장치 및 수신 장치 등을 이용한 휴대전화 등의 통신기기에 널리 이용할 수 있다.
1: 엑스트랙터
2: 안테나
5: 압전기판
10: 대역저지 필터
11: 직렬암 공진자(커패시턴스 소자)
12, 13: 병렬암 공진자(커패시턴스 소자)
14, 15: 인덕턴스 소자
20, 320: 대역통과 필터
21, 321: 직렬암 공진자(제1 직렬암 공진자)
22, 322: 병렬암 공진자(제1 병렬암 공진자)
23, 25, 27, 323, 325, 327: 직렬암 공진자(제2 직렬암 공진자)
24, 26, 28, 324, 326, 328: 병렬암 공진자(제2 병렬암 공진자)
30, 40: 입출력 단자
50: 공통 단자
51: 고음속 지지기판
52: 저음속막
53: 압전막
54, 101a, 101b: 빗살 모양 전극
55: 보호층
100, 210, 223, 233, 243: IDT 전극
110a, 212a: 전극지(제1 전극지)
110b, 212b: 전극지(제2 전극지)
111a, 211a: 버스바 전극(제1 버스바 전극)
111b, 211b: 버스바 전극(제2 버스바 전극)
213a, 213b, 213c: 전극지
220, 221: 반사기
223a, 223b, 223c: 제3 전극지
243a, 243b, 243c: 제4 전극지

Claims (12)

  1. 사다리 형상으로 접속된 복수개의 탄성표면파 공진자를 가지며, 제1 통과대역의 고주파 신호를 통과시키는 대역통과 필터와,
    상기 제1 통과대역의 고주파 신호를 통과시키지 않으면서, 상기 제1 통과대역 이외의 제2 통과대역의 고주파 신호를 통과시키는 대역저지 필터와,
    상기 대역통과 필터와 상기 대역저지 필터가 접속된 공통 단자를 포함하고,
    상기 대역통과 필터에서,
    상기 복수개의 탄성표면파 공진자 각각은 제1 버스바 전극과, 상기 제1 버스바 전극에 대향하는 제2 버스바 전극과, 등간격으로 서로 평행하게 상기 제1 버스바 전극에 접속된 복수개의 제1 전극지와, 상기 제1 전극지와 교대로 배치되도록 등간격으로 서로 평행하게 상기 제2 버스바 전극에 접속된 복수개의 제2 전극지를 가지는 IDT(InterDigital Transducer) 전극을 가지며,
    상기 복수개의 탄성표면파 공진자는 상기 공통 단자와 입출력 단자를 잇는 직렬암(series arm)에 배치된 적어도 하나의 직렬암 공진자와, 상기 직렬암과 그라운드를 잇는 병렬암(parallel arm)에 배치된 적어도 하나의 병렬암 공진자를 구성하고,
    상기 직렬암에서, 상기 적어도 하나의 직렬암 공진자 중 상기 공통 단자에 가장 가까운 위치에 배치된 제1 직렬암 공진자 및 상기 적어도 하나의 병렬암 공진자 중 상기 공통 단자에 가장 가까운 병렬암에 배치된 제1 병렬암 공진자 중 적어도 어느 하나의 상기 IDT 전극은 상기 복수개의 제1 전극지 및 상기 복수개의 제2 전극지 중 어느 것도 결락되어 있지 않은 제1 IDT 전극이며,
    상기 IDT 전극이 상기 제1 IDT 전극이 아닌 상기 제1 직렬암 공진자 또는 상기 제1 병렬암 공진자, 그리고 상기 적어도 하나의 직렬암 공진자 중 상기 제1 직렬암 공진자 이외의 제2 직렬암 공진자 및 상기 적어도 하나의 병렬암 공진자 중 상기 제1 병렬암 공진자 이외의 제2 병렬암 공진자 중 적어도 하나의 상기 IDT 전극은, 상기 복수개의 제1 전극지 및 상기 복수개의 제2 전극지 중 적어도 하나가 결락되어 있는 제2 IDT 전극인, 엑스트랙터(extractor).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 직렬암 공진자와 상기 입출력 단자를 잇는 직렬암과 그라운드 사이에 상기 제1 병렬암 공진자가 접속되어 있고,
    상기 제1 직렬암 공진자의 상기 IDT 전극은 상기 제1 IDT 전극인, 엑스트랙터.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 병렬암 공진자의 상기 IDT 전극은 상기 제1 IDT 전극인, 엑스트랙터.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 공통 단자와 상기 제1 직렬암 공진자를 잇는 직렬암과 그라운드 사이에 상기 제1 병렬암 공진자가 접속되어 있고, 상기 제1 병렬암 공진자의 상기 IDT 전극은 상기 제1 IDT 전극인, 엑스트랙터.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 직렬암 공진자의 상기 IDT 전극은 상기 제1 IDT 전극인, 엑스트랙터.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 IDT 전극에서, 상기 제1 전극지 및 상기 제2 전극지 중 적어도 어느 하나는 주기적으로 결락되어 있는, 엑스트랙터.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 IDT 전극은 상기 제1 버스바 전극 대신에 상기 제2 버스바 전극에 접속된 상기 제1 전극지, 및 상기 제2 버스바 전극 대신에 상기 제1 버스바 전극에 접속된 상기 제2 전극지 중 적어도 하나를 가지는, 엑스트랙터.
  8. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 IDT 전극은 상기 제1 버스바 전극 및 상기 제2 버스바 전극 중 어느 것에도 접속되어 있지 않은 제3 전극지를 가지는, 엑스트랙터.
  9. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 IDT 전극은 서로 이웃하는 복수개의 상기 제1 전극지, 및 서로 이웃하는 복수개의 상기 제2 전극지 중 적어도 어느 하나가 일체로 형성된 제4 전극지를 가지는, 엑스트랙터.
  10. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대역저지 필터는 적어도 하나의 인덕턴스 소자와 적어도 하나의 커패시턴스 소자를 가지는, 엑스트랙터.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 커패시턴스 소자는 탄성표면파 공진자인, 엑스트랙터.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 대역통과 필터를 구성하는 상기 탄성표면파 공진자와 상기 커패시턴스 소자는 동일한 압전기판에 형성되어 있는, 엑스트랙터.
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