CN110419162A - 提取器 - Google Patents

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Abstract

提取器(1)具备带通滤波器(20)和带阻滤波器(10)，在带通滤波器(20)中，分别配置在最接近公共端子的串联臂以及并联臂的第一串联臂谐振器(21)以及第一并联臂谐振器(22)的至少任一者的IDT电极是多个第一电极指以及多个第二电极指均未欠缺的第一IDT电极，不具有第一IDT电极的第一串联臂谐振器(21)或第一并联臂谐振器(22)、和第二串联臂谐振器(23、25、27)及第二并联臂谐振器(24、26、28)的至少一个的IDT电极是多个第一电极指以及多个第二电极指之中的至少一个欠缺的第二IDT电极。

Description

提取器
技术领域
本发明涉及具有带通滤波器和带阻滤波器的提取器(Extractor)。
背景技术
近年来，便携式电话等无线终端设备被要求由一个天线来应对基于蜂窝(Celluler)方式的通信和基于Wi-Fi(注册商标)以及GPS的通信等、基于不同的无线频带以及不同的无线方式的通信。为了应对于此，在无线终端设备的天线的正下方，配置有对使具有一个无线载波频率的高频信号通过的带通滤波器、和不使具有该无线载波频率的高频信号通过而使具有其他无线载波频率的高频信号通过的带阻滤波器进行了组合的提取器。
一般地，在使用了声表面波谐振器的带通滤波器中，为了提高滤波器的通带宽度以及通带端部的陡峭性，采用对构成声表面波谐振器的IDT(InterDigital Transducer，叉指换能器)电极的电极指的一部分进行间隔剔除、也就是使其欠缺的方法(例如，参照专利文献1)。
专利文献1记载的声表面波滤波器是由声表面波谐振器构成的串联臂谐振器和并联臂谐振器连接成梯子状的梯型的声表面波滤波器。在专利文献1记载的声表面波滤波器中，通过对构成声表面波谐振器的IDT电极的电极指周期性地进行间隔剔除，从而对串联臂谐振器的谐振频率frs和反谐振频率fas的频率差Δfs以及并联臂谐振器的谐振频率frp和反谐振频率fap的频率差Δfp进行调整，提高了通带端部的陡峭性。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平11-163664号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，在提取器中，若为了提高带通滤波器的通带端部的陡峭性而对构成带通滤波器的声表面波谐振器的IDT电极的电极指的一部分进行间隔剔除，则在带通滤波器的通带的低频侧产生不必要的纹波。该不必要的纹波尤其影响带阻滤波器的通带中的比带通滤波器的通带更靠低频侧，产生带阻滤波器的插入损耗劣化这样的课题。
为了解决上述课题，本发明的目的在于，提供一种提高了带通滤波器的通带端部的陡峭性并且抑制了带阻滤波器的插入损耗的劣化的提取器。
用于解决课题的手段
为了达成上述目的，本发明的一个方式涉及的提取器具备：带通滤波器，具有连接成梯子状的多个声表面波谐振器，使第一通带的高频信号通过；带阻滤波器，不使所述第一通带的高频信号通过，并且，使所述第一通带以外的第二通带的高频信号通过；和公共端子，连接了所述带通滤波器和所述带阻滤波器，在所述带通滤波器中，所述多个声表面波谐振器各自具有IDT电极，该IDT电极具有：第一汇流条电极；第二汇流条电极，与所述第一汇流条电极对置；多个第一电极指，以等间隔相互平行地与所述第一汇流条电极连接；和多个第二电极指，以等间隔相互平行地与所述第二汇流条电极连接，以使得与所述第一电极指交替地配置，所述多个声表面波谐振器构成至少一个串联臂谐振器和至少一个并联臂谐振器，该至少一个串联臂谐振器配置在将所述公共端子和输入输出端子连结的串联臂，该至少一个并联臂谐振器配置在将所述串联臂和接地连结的并联臂，所述串联臂中所述至少一个串联臂谐振器之中配置在最接近所述公共端子的位置的第一串联臂谐振器以及所述至少一个并联臂谐振器之中配置在最接近所述公共端子的并联臂的第一并联臂谐振器的至少任一者的所述IDT电极是所述多个第一电极指以及所述多个第二电极指均未欠缺的第一IDT电极，所述IDT电极不是所述第一IDT电极的所述第一串联臂谐振器或所述第一并联臂谐振器、和所述至少一个串联臂谐振器之中的所述第一串联臂谐振器以外的第二串联臂谐振器以及所述至少一个并联臂谐振器之中的所述第一并联臂谐振器以外的第二并联臂谐振器的至少一个的所述IDT电极是所述多个第一电极指以及所述多个第二电极指之中的至少一个欠缺的第二IDT电极。
根据上述结构，在梯型的带通滤波器中，连接在接近带阻滤波器的位置的第一串联臂谐振器以及第一并联臂谐振器的特性对带阻滤波器的插入损耗造成的影响大。因此，通过将第一串联臂谐振器以及第一并联臂谐振器的至少任一者的IDT电极设为第一IDT电极，从而在未使用第一IDT电极的第一串联臂谐振器或第一并联臂谐振器、和第二串联臂谐振器以及第二并联臂谐振器的至少一个中使用了第二IDT电极的情况下，能够抑制在带阻滤波器的通带产生纹波。
此外，通过将作为IDT电极未使用第一IDT电极的第一串联臂谐振器或第一并联臂谐振器、和第二串联臂谐振器以及第二并联臂谐振器的至少一个的IDT电极设为第二IDT电极，从而能够提高带通滤波器的通带端部的陡峭性。
因此，在对带通滤波器和带阻滤波器进行了组合的提取器中，能够提高带通滤波器的通带端部的陡峭性，并且，能够抑制带阻滤波器的插入损耗的劣化。
此外，也可以是，在将所述第一串联臂谐振器和所述输入输出端子连结的串联臂与接地之间连接有所述第一并联臂谐振器，所述第一串联臂谐振器的所述IDT电极是所述第一IDT电极。
由此，在具有配置在最接近公共端子的串联臂的第一串联臂谐振器的梯型的带通滤波器中，配置在最接近带阻滤波器的串联臂的第一串联臂谐振器的特性对带阻滤波器的插入损耗造成的影响大。因此，通过至少将第一串联臂谐振器的IDT电极设为第一IDT电极，并将第一串联臂谐振器以外的串联臂谐振器以及并联臂谐振器的至少一个的IDT电极设为第二IDT电极，从而能够效率良好地抑制带阻滤波器的插入损耗的劣化，并且提高带通滤波器的通带端部的陡峭性。
此外，也可以是，所述第一并联臂谐振器的所述IDT电极是所述第一IDT电极。
由此，在具有配置在最接近公共端子的串联臂的第一串联臂谐振器的梯型的带通滤波器中，通过将分别配置在最接近带阻滤波器的串联臂以及并联臂的第一串联臂谐振器以及第一并联臂谐振器的IDT电极设为第一IDT电极，并将第二串联臂谐振器以及第二并联臂谐振器的至少一个的IDT电极设为第二IDT电极，从而能够进一步抑制带阻滤波器的插入损耗的劣化，并且提高带通滤波器的通带端部的陡峭性。
此外，也可以是，在将所述公共端子和所述第一串联臂谐振器连结的串联臂与接地之间连接有所述第一并联臂谐振器，所述第一并联臂谐振器的所述IDT电极是所述第一IDT电极。
由此，在具有连接在最接近公共端子的串联臂与接地之间的第一并联臂谐振器的梯型的带通滤波器中，配置在最接近带阻滤波器的并联臂的第一并联臂谐振器的特性对带阻滤波器的插入损耗造成的影响大。因此，通过至少将第一并联臂谐振器的IDT电极设为第一IDT电极，并将第一并联臂谐振器以外的并联臂谐振器以及串联臂谐振器的IDT电极设为第二IDT电极，从而能够效率良好地抑制带阻滤波器的插入损耗的劣化，并且提高带通滤波器的通带端部的陡峭性。
此外，也可以是，所述第一串联臂谐振器的所述IDT电极是所述第一IDT电极。
由此，在具有连接在最接近公共端子的串联臂与接地之间的第一并联臂谐振器的梯型的带通滤波器中，分别配置在最接近带阻滤波器的串联臂以及并联臂的第一串联臂谐振器以及第一并联臂谐振器的特性对带阻滤波器的插入损耗造成的影响大。因此，通过将第一串联臂谐振器以及第一并联臂谐振器的IDT电极设为第一IDT电极，并将第二串联臂谐振器以及第二并联臂谐振器的至少一个的IDT电极设为第二IDT电极，从而能够进一步抑制带阻滤波器的插入损耗的劣化，并且提高带通滤波器的通带端部的陡峭性。
此外，也可以是，在所述第二IDT电极中，所述第一电极指以及所述第二电极指的至少任一者周期性地欠缺。
由此，能够容易地提供一种能提高带通滤波器的通带端部的陡峭性并且抑制带阻滤波器的插入损耗的劣化的提取器。
此外，也可以是，所述第二IDT电极具有取代所述第一汇流条电极而与所述第二汇流条电极连接的所述第一电极指、以及取代所述第二汇流条电极而与所述第一汇流条电极连接的所述第二电极指的至少一个。
由此，只要将与第一汇流条电极连接的第一电极指以及与第二汇流条电极连接的第二电极指的至少一个连接于对置的第二汇流条电极以及第一汇流条电极即可，因此不会大幅变更电极指的间距。因此，能够在不大幅变更带通滤波器的通带的情况下容易地形成第二IDT电极。因此，能够容易地提供一种能提高带通滤波器的通带端部的陡峭性并且抑制带阻滤波器的插入损耗的劣化的提取器。
此外，也可以是，所述第二IDT电极具有与所述第一汇流条电极以及所述第二汇流条电极均未连接的第三电极指。
由此，只要将与第一汇流条电极连接的第一电极指以及与第二汇流条电极连接的第二电极指的至少一个设为不与第一汇流条电极以及第二汇流条电极连接的结构即可，因此不会大幅变更第一电极指以及第二电极指的间距。因此，能够在不大幅变更带通滤波器的通带的情况下容易地形成第二IDT电极。因此，能够容易地提供一种能提高带通滤波器的通带端部的陡峭性并且抑制带阻滤波器的插入损耗的劣化的提取器。
此外，也可以是，所述第二IDT电极具有相邻的多个所述第一电极指以及相邻的多个所述第二电极指的至少任一者形成为一体的第四电极指。
由此，通过将相邻的第一电极指以及第二电极指形成为一体，来形成第二IDT电极，因此能够在不大幅变更设计的情况下容易地形成第二IDT电极。因此，能够容易地提供一种能提高带通滤波器的通带端部的陡峭性并且抑制带阻滤波器的插入损耗的劣化的提取器。
此外，也可以是，所述带阻滤波器具有至少一个电感元件和至少一个电容元件。
由此，能够容易地构成具有给定的阻带以及通带的带阻滤波器。因此，能够容易地提供一种能提高带通滤波器的通带端部的陡峭性并且抑制带阻滤波器的插入损耗的劣化的提取器。
此外，也可以是，所述电容元件为声表面波谐振器。
由此，由于作为电容元件使用声表面波谐振器，因此无需形成其他结构的电容元件，因而能够使提取器的制造变得容易。因此，能够容易地提供一种能提高带通滤波器的通带端部的陡峭性并且抑制带阻滤波器的插入损耗的劣化的提取器。
此外，也可以是，构成所述带通滤波器的所述声表面波谐振器和所述电容元件形成在同一压电基板。
由此，由于作为带阻滤波器的电容元件使用声表面波谐振器，因此能够将带阻滤波器和带通滤波器形成于同一基板，因而能够简化提取器的制造工序。因此，能够容易地提供一种能提高带通滤波器的通带端部的陡峭性并且抑制带阻滤波器的插入损耗的劣化的提取器。
发明效果
根据本发明涉及的提取器，能够提高带通滤波器的通带端部的陡峭性并且抑制带阻滤波器的插入损耗的劣化。
附图说明
图1是实施方式1涉及的通信装置的概要结构图。
图2是实施方式1涉及的提取器的电路结构图。
图3是示意性地表示声表面波谐振器的概要图，(a)是俯视图，(b)以及(c)是(a)所示的单点划线处的剖视图。
图4是实施方式1涉及的提取器的带通滤波器的电路结构图。
图5是表示实施方式1涉及的提取器的带通滤波器中的声表面波谐振器的电极结构的一例的概要俯视图。
图6A是对实施方式1以及比较例涉及的提取器的带通滤波器的通过特性进行了比较的曲线图。
图6B是对实施方式1以及比较例涉及的提取器的带阻滤波器的通过特性进行了比较的曲线图。
图7A是表示实施方式1的变形例1涉及的提取器的带通滤波器中的第二IDT电极的结构的一例的概要俯视图。
图7B是表示实施方式1的变形例2涉及的提取器的带通滤波器中的第二IDT电极的结构的其他例的概要俯视图。
图7C是表示实施方式1的变形例3涉及的提取器的带通滤波器中的第二IDT电极的结构的其他例的概要俯视图。
图8是实施方式2涉及的提取器的带通滤波器的电路结构图。
具体实施方式
以下，关于本发明的实施方式，利用实施方式以及附图详细地进行说明。另外，以下说明的实施方式均表示总括性或具体的例子。以下的实施方式所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等是一例，并非是对本发明进行限定的主旨。关于以下的实施方式中的构成要素之中未记载于独立权利要求的构成要素，作为任意的构成要素进行说明。此外，附图所示的构成要素的大小或大小之比未必严密。
(实施方式1)
[1.提取器的基本结构]
在本实施方式中，对能够由一个天线来应对基于蜂窝(Celluler)方式的通信和基于Wi-Fi(注册商标)以及GPS的通信的通信装置进行例示。
图1是本实施方式涉及的提取器1的概要结构图。图2是本实施方式涉及的提取器1的电路结构图。
如图1以及图2所示，提取器1具备带阻滤波器10、带通滤波器20、输入输出端子30以及40、和公共端子50。带阻滤波器10和带通滤波器20连接于公共端子50。带阻滤波器10的与公共端子50相反侧的端子连接于输入输出端子30。带通滤波器的与公共端子50相反侧的端子连接于输入输出端子40。此外，在公共端子50连接有天线2。
带通滤波器20是使第一频带的高频信号通过的滤波器。第一频带例如是用于基于Wi-Fi(注册商标)以及GPS的通信的频带。
带阻滤波器10是不使通过带通滤波器20的第一频带的高频信号通过，而使不通过带通滤波器20的第二频带的高频信号通过的滤波器。第二频带包含第一频带以外的所有的频带。第二频带例如是用于基于蜂窝(Celluler)方式的通信的频带。
如图2所示，带阻滤波器10具备电感元件14以及15、串联臂谐振器11、和并联臂谐振器12以及13。带通滤波器20具备串联臂谐振器21、23、25以及27、和并联臂谐振器22、24、26以及28。带通滤波器20是串联臂谐振器21、23、25以及27、和并联臂谐振器22、24、26以及28连接成梯子状的梯型的滤波器。
在带阻滤波器10中，串联臂谐振器11和并联臂谐振器12以及13例如由声表面波谐振器构成。此外，在带通滤波器20中，串联臂谐振器21、23、25以及27和并联臂谐振器22、24、26以及28由声表面波谐振器构成。关于带阻滤波器10以及带通滤波器20的详细的电路结构，在后面详述。
[2.声表面波谐振器的构造]
在此，对声表面波谐振器的一般的构造进行说明。
图3是示意性地表示构成声表面波谐振器的IDT电极100的概要图，(a)是俯视图，(b)以及(c)是(a)所示的单点划线处的剖视图。在图3中，例示了表示声表面波谐振器的构造的平面示意图以及剖面示意图。另外，图3所示的IDT电极100用于对典型的IDT电极的构造进行说明，构成IDT电极的电极指的根数、长度等不限定于此。
如图3的(a)～(c)所示，IDT电极100由压电基板5、和具有梳齿状的形状的梳齿状电极101a以及101b构成。
如图3的(a)所示，在压电基板5上，形成有相互对置的一对梳齿状电极101a以及101b。梳齿状电极101a由相互平行的多个电极指110a和将多个电极指110a连接的汇流条电极111a构成。此外，梳齿状电极101b由相互平行的多个电极指110b和将多个电极指110b连接的汇流条电极111b构成。多个电极指110a以及110b沿着与X轴方向正交的方向而形成。
此外，由多个电极指110a以及110b和汇流条电极111a以及111b构成的梳齿状电极54，如图3的(b)所示，成为密接层541和主电极层542的层叠构造。
密接层541是用于使压电基板5和主电极层542的密接性提高的层，作为材料，例如可使用Ti。密接层541的膜厚例如为12nm。
主电极层542，作为材料，例如可使用含有1％的Cu的Al。主电极层542的膜厚例如为162nm。
保护层55形成为覆盖梳齿状电极101a以及101b。保护层55是以保护主电极层542免受外部环境影响、调整频率温度特性、以及提高耐湿性等为目的的层，例如是以二氧化硅为主要成分的膜。保护层55的厚度例如为25nm。
另外，构成密接层541、主电极层542以及保护层55的材料不限定于上述的材料。进而，梳齿状电极54也可以不是上述层叠构造。梳齿状电极54例如可以由Ti、Al、Cu、Pt、Au、Ag、Pd等金属或合金构成，此外，也可以由上述的金属或合金所构成的多个层叠体构成。此外，也可以不形成保护层55。
此外，压电基板5可以是例如以单层使用了LiTaO3压电单晶等的构造，也可以是对多个压电基板或压电膜进行了层叠的构造。
以下，以层叠构造的压电基板为例，对压电基板5的结构进行说明。
如图3的(c)所示，压电基板5具备高声速支承基板51、低声速膜52、和压电膜53，且具有高声速支承基板51、低声速膜52以及压电膜53依次被层叠的构造。
压电膜53由50°Y切割X传播LiTaO3压电单晶或压电陶瓷(是在以将X轴作为中心轴从Y轴旋转了50°的轴为法线的面进行了切断的钽酸锂单晶或陶瓷，是在X轴方向上传播声表面波的单晶或陶瓷)构成。压电膜53例如厚度为600nm。
高声速支承基板51是对低声速膜52、压电膜53以及梳齿状电极54进行支承的基板。高声速支承基板51进一步是高声速支承基板51中的体波(Body wave)的声速与在压电膜53中传播的表面波、边界波的弹性波相比成为高速的基板，且发挥功能以使得将声表面波陷获在层叠有压电膜53以及低声速膜52的部分，不向比高声速支承基板51更靠下方泄漏。高声速支承基板51例如是硅基板，厚度例如为200μm。
低声速膜52是低声速膜52中的体波的声速与在压电膜53中传播的体波相比成为低速的膜，配置在压电膜53与高声速支承基板51之间。由于该构造和弹性波的能量本质上集中于低声速的媒质这一性质，可抑制声表面波能量向梳齿状电极54之外的泄漏。低声速膜52例如是以二氧化硅为主要成分的膜，厚度例如为670nm。
根据压电基板5的上述层叠构造，与以单层使用了压电基板的以往的构造相比较，能够大幅提高谐振频率以及反谐振频率下的Q值。即，能够构成Q值高的声表面波谐振器，因此使用该声表面波谐振器，能够构成插入损耗小的滤波器。
此外，在公共端子50与天线2之间的路径，为了取得多个声表面波滤波器间的阻抗匹配，也可以附加电感元件、电容元件等电路元件。
另外，高声速支承基板51也可以具有层叠了支承基板和高声速膜的构造，该高声速膜所传播的体波的声速与在压电膜53中传播的表面波、边界波的弹性波相比成为高速。在此情况下，支承基板能够使用钽酸锂、铌酸锂、石英等压电体、蓝宝石、矾土、氧化镁、氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石等各种陶瓷、玻璃等电介质或硅、氮化镓等半导体以及树脂基板等。此外，高声速膜能够使用氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜或金刚石、以上述材料为主要成分的媒质、以上述材料的混合物为主要成分的媒质等各种各样的高声速材料。
此外，在图3的(a)以及(b)中，λ表示构成梳齿状电极101a以及101b的多个电极指110a以及110b的重复间距，L表示梳齿状电极101a以及101b的交叉宽度，W表示电极指110a以及110b的宽度，S表示电极指110a与电极指110b之间的宽度，h表示梳齿状电极101a以及101b的高度。将电极指110a以及110b的宽度W相对于电极指110a与电极指110b之间的宽度S之比称作DUTY。
如上所述，IDT电极100是多个电极指110a以及110b交替地平行配置的结构，因此在多个电极指110a以及110b的各电极指之间可保持电荷。因此，IDT电极100还能够作为电容元件使用。
[3.带阻滤波器的电路结构]
接着，对带阻滤波器10的电路结构进行说明。
如图2所示，带阻滤波器10具备电感元件14以及15、串联臂谐振器11、和并联臂谐振器12以及13。
具体来说，在带阻滤波器10中，在将公共端子50和输入输出端子30连结的串联臂，从接近公共端子50的一侧起，依次配置有电感元件14、串联臂谐振器11、电感元件15。此外，在将串联臂谐振器11和电感元件15连结的串联臂与接地之间，连接有并联臂谐振器12。在将电感元件15和输入输出端子30连结的串联臂与接地之间，连接有并联臂谐振器13。
在此，串联臂谐振器11、并联臂谐振器12以及并联臂谐振器13例如由上述的IDT电极100构成。在带阻滤波器10中，串联臂谐振器11、并联臂谐振器12以及并联臂谐振器13作为电容元件来使用。即，带阻滤波器10具有由至少一个电感元件和至少一个电容元件构成的LC谐振电路。
串联臂谐振器11、并联臂谐振器12以及并联臂谐振器13的电极指的对数例如分别为230根、65根、40根。串联臂谐振器11、并联臂谐振器12以及并联臂谐振器13的交叉宽度例如分别为40μm、20μm、20μm。串联臂谐振器11、并联臂谐振器12以及并联臂谐振器13的DUTY例如均为0.6。串联臂谐振器11、并联臂谐振器12以及并联臂谐振器13的重复间距λ例如分别为1.611μm、1.606μm、1.562μm。另外，串联臂谐振器11、并联臂谐振器12、并联臂谐振器13的结构不限于上述的结构，也可以适当变更。
此外，电感元件14的电感值例如为3.6nH，电感元件15的电感值例如为3.2nH。电感元件14以及电感元件15的电感值也可以根据通带阻带而变更。
通过该结构，带阻滤波器10能够不使第一频带的高频信号通过，而使第二频带的高频信号通过。
另外，带阻滤波器10不限于上述的结构，只要具有至少一个电感元件和至少一个电容元件即可。例如，电感元件以及电容元件，只要在将公共端子50和输入输出端子30连结的串联臂配置至少一个，并在将公共端子50和输入输出端子30连结的串联臂与接地之间连接至少一个，则为怎样的结构都可以。
此外，对于电容元件，可以如上述那样使用利用了声表面波的声表面波谐振器，也可以使用利用了声边界波、BAW(Bulk Acoustic Wave，体声波)的弹性波谐振器。此外，作为电容元件，也可以使用片式电容器、由高频基板的导体图案形成的电容元件。在电容元件为弹性波元件的情况下，该弹性波元件也可以与构成带通滤波器20的串联臂谐振器21、23、25以及27和并联臂谐振器22、24、26以及28形成在同一压电基板。
此外，电感元件也可以是片式电感器、由高频基板的导体图案形成的电感元件。
[4.带通滤波器的电路结构]
接着，对带通滤波器20的电路结构进行说明。图4是本实施方式涉及的提取器1的带通滤波器20的电路结构图。
关于带通滤波器20，如图2以及图4所示，带通滤波器20是串联臂谐振器21、23、25以及27和并联臂谐振器22、24、26以及28连接成梯子状的梯型的滤波器。
具体来说，在带通滤波器20中，在将公共端子50和输入输出端子40连结的串联臂，从接近公共端子50的一侧起，依次配置有串联臂谐振器21、23、25以及27。此外，在将串联臂谐振器21和串联臂谐振器23连结的串联臂与接地之间，连接有并联臂谐振器22。在将串联臂谐振器23和串联臂谐振器25连结的串联臂与接地之间，连接有并联臂谐振器24。在将连结串联臂谐振器25和串联臂谐振器27的串联臂与接地连结的并联臂，连接有并联臂谐振器26。在将串联臂谐振器27和输入输出端子40连结的串联臂与接地之间，连接有并联臂谐振器28。串联臂谐振器21、23、25以及27和并联臂谐振器22、24、26以及28是声表面波谐振器。
另外，在带通滤波器20中，配置在最接近公共端子50的串联臂的串联臂谐振器21是第一串联臂谐振器。配置在最接近公共端子50的并联臂的并联臂谐振器22是第一并联臂谐振器。此外，串联臂谐振器21以外的串联臂谐振器23、25以及27是第二串联臂谐振器。并联臂谐振器22以外的并联臂谐振器24、26以及28是第二并联臂谐振器。另外，带通滤波器20在只具备一个串联臂谐振器的情况下，也可以设为将该串联臂谐振器作为第一串联臂谐振器而不具备第二串联臂谐振器的结构。此外，带通滤波器20在只具备一个并联臂谐振器的情况下，也可以设为将该并联臂谐振器作为第一并联臂谐振器而不具备第二并联臂谐振器的结构。
在此，对梯型的声表面波滤波器的动作原理进行说明。
图4所示的并联臂谐振器22、24、26以及28例如分别在谐振特性中具有谐振频率frp以及反谐振频率fap(＞frp)。此外，串联臂谐振器21、23、25以及27分别在谐振特性中具有谐振频率frs以及反谐振频率fas(＞frs＞frp)。另外，串联臂谐振器21、23、25以及27的谐振频率frs虽然设计为大体一致，但不一定一致。此外，关于串联臂谐振器21、23、25及27的反谐振频率fas、并联臂谐振器22、24、26及28的谐振频率frp、以及并联臂谐振器22、24、26及28的反谐振频率fap也是同样的，不一定一致。
在由梯型的声表面波滤波器构成带通滤波器20时，使并联臂谐振器22、24、26以及28的反谐振频率fap和串联臂谐振器21、23、25以及27的谐振频率frs接近。由此，并联臂谐振器22、24、26以及28的阻抗接近0的谐振频率frp附近的频率成为低频侧阻带。此外，若与此相比频率增加，则在反谐振频率fap附近并联臂谐振器22、24、26以及28的阻抗变高，并且，在谐振频率frs附近串联臂谐振器21、23、25以及27的阻抗接近0。由此，反谐振频率fap～谐振频率frs的附近的频率在从公共端子50到输入输出端子40的信号路径中成为信号通带。进而，若频率变高，且成为反谐振频率fas附近，则串联臂谐振器21、23、25以及27的阻抗变高。由此，反谐振频率fas附近的频率成为高频侧阻带。即，通过将串联臂谐振器21、23、25以及27的反谐振频率fas设定在信号通带外的何处，从而高频侧阻带中的衰减特性的陡峭性产生很大影响。
在带通滤波器20中，例如，若从公共端子50输入高频信号，则在公共端子50与基准端子之间产生电位差。由此，压电基板5形变，产生在X方向上传播的声表面波。在此，通过预先使梳齿状电极101a以及101b的电极指的重复间距λ和通带的波长大体一致，从而只有具有要使其通过的频率分量的高频信号通过带通滤波器20。此时，通过将串联臂谐振器21、23、25以及27和并联臂谐振器22、24、26以及28的至少任一者的IDT电极设为电极指的至少一个欠缺的结构，从而能够提高衰减特性的陡峭性。
另外，将构成IDT电极100的多个电极指110a以及110b均未欠缺的IDT电极100称作第一IDT电极，将多个电极指110a以及110b之中的至少一个欠缺的IDT电极100称作第二IDT电极。
在此，电极指的欠缺是指，不具备构成IDT电极100的多个电极指110a以及110b之中的至少一个。此外，电极指的欠缺不限于不具备多个电极指110a以及110b之中的至少一个，还包含具备与周期性地配置的多个电极指110a以及110b不同的其他结构的电极指。例如，如后面详述的那样，可以将与汇流条电极111a连接的多个电极指110a的至少一个，设为与对置配置的汇流条电极111a以及111b均不连接的电极指，也可以设为与汇流条电极111b连接的电极指。此外，也可以设为与相邻的多个电极指110a形成为一体以使得对相邻的多个电极指110a之间进行填埋的电极指。
在本实施方式中的带通滤波器20中，配置在图4中虚线所示的区域内的、串联臂谐振器23、25以及27和并联臂谐振器24、26以及28，如以下所示，构成IDT电极100的电极指110a以及110b的至少一个欠缺。
图5是表示提取器1的带通滤波器20中的声表面波谐振器的电极结构的一例的概要俯视图。在图5中，以带通滤波器20的串联臂谐振器23的结构为例来列举。
如图5所示，串联臂谐振器23具备IDT电极210和反射器220以及221。在IDT电极210形成有相互对置的一对梳齿状电极210a以及210b。梳齿状电极210a由相互平行的多个电极指212a和将多个电极指212a连接的汇流条电极211a构成。此外，梳齿状电极210b由相互平行的多个电极指212b和将多个电极指212b连接的汇流条电极211b构成。
此外，反射器220以及221配置在IDT电极210的高频的传播方向的两侧，使得夹着IDT电极210。
在此，在IDT电极210中，取代与汇流条电极211a连接的多个电极指212a的一部分，配置有和与汇流条电极211a对置的汇流条电极211b连接的电极指213a、213b以及213c。即，在串联臂谐振器23中，电极指212a每隔2根从汇流条电极211a欠缺，取而代之设置有与汇流条电极211b连接的电极指213a、213b以及213c。在电极指213a与电极指213b之间、以及电极指213b与电极指213c之间，各配置有2根电极指212a和3根电极指212b。
像这样，串联臂谐振器23的IDT电极210是多个电极指212a从汇流条电极211a周期性地欠缺，取而代之周期性地设置了电极指213a、213b以及213c的第二IDT电极。
此外，串联臂谐振器25以及27和并联臂谐振器24、26以及28的IDT电极与串联臂谐振器23所示的IDT电极210同样地，是电极指212a以及212b的一部分欠缺的第二IDT电极。另外，在串联臂谐振器23、25以及27和并联臂谐振器24、26以及28中，电极指212a以及212b的欠缺也可以不是如上述那样每隔2根的周期，也可以是其他周期。此外，关于串联臂谐振器25以及27和并联臂谐振器24、26以及28，可以使电极指的欠缺的周期不同也可以设为相同。此外，电极指的欠缺可以是周期性的也可以不是周期性的。
此外，在带通滤波器20中，配置在图4中虚线所示的区域外的串联臂谐振器21以及并联臂谐振器22的IDT电极是构成IDT电极的电极指均未欠缺的第一IDT电极。
在此，串联臂谐振器21、23、25以及27的电极指的对数例如分别为42根、69根、230根、98根。串联臂谐振器21、23、25以及27的交叉宽度例如均为20μm。串联臂谐振器21、23、25以及27的DUTY例如均为0.6。串联臂谐振器21、23、25以及27的重复间距λ例如分别为1.575μm、1.580μm、1.591μm、1.573μm。
此外，并联臂谐振器22、24、26以及28的电极指的对数例如分别为203根、105根、166根、80根。并联臂谐振器22、24、26以及28的交叉宽度例如均为20μm。并联臂谐振器22、24、26以及28的DUTY例如均为0.6。并联臂谐振器22、24、26以及28的重复间距λ例如分别为1.635μm、1.633μm、1.638μm、1.634μm。
另外，上述的串联臂谐振器23、25以及27和并联臂谐振器24、26以及28的电极指的对数的一例，以在设为电极指未欠缺的情况下配置的电极指的对数来表示。串联臂谐振器21、23、25以及27和并联臂谐振器22、24、26以及28的结构也可以适当变更。此外，关于串联臂谐振器23、25以及27和并联臂谐振器24、26以及28各自中的电极指的欠缺的周期，也是可以适当变更。
此外，在带通滤波器20中，不限于将串联臂谐振器21以及并联臂谐振器22双方的IDT电极设为第一IDT电极，只要将串联臂谐振器21以及并联臂谐振器22的至少任一者的IDT电极设为第一IDT电极即可。例如，可以将串联臂谐振器21的IDT电极设为第一IDT电极，将并联臂谐振器22的IDT电极设为第二IDT电极。此外，也可以将串联臂谐振器21的IDT电极设为第二IDT电极，将并联臂谐振器22的IDT电极设为第一IDT电极。
[5.提取器的高频传输特性]
以下，对本实施方式涉及的提取器1的高频传输特性，一边与比较例涉及的提取器的高频传输特性进行比较一边进行说明。
比较例涉及的提取器的结构，与图2所示的本实施方式涉及的提取器1相比较，设为串联臂谐振器21、23、25以及27和并联臂谐振器22、24、26以及28的全部的IDT电极为第二IDT电极的结构。
图6A是对本实施方式以及比较例涉及的带通滤波器20的通过特性进行了比较的曲线图。图6B是对本实施方式以及比较例涉及的带阻滤波器10的通过特性进行了比较的曲线图。
如图6A所示可知，在带通滤波器20中，与比较例涉及的提取器的带通滤波器相比较，通带以外的频带中的插入损耗较之于比较例涉及的提取器的带通滤波器的插入损耗有所提高。在比较例涉及的提取器的带通滤波器中，虽然在带通滤波器20的通带以外的频带中产生了多个纹波，然而这是因为，将构成带通滤波器20的串联臂谐振器21、23、25以及27和并联臂谐振器22、24、26以及28的IDT电极设为第二IDT电极。相对于此，在实施方式涉及的带通滤波器20中，将串联臂谐振器21以及并联臂谐振器22的IDT电极设为第一IDT电极，并将串联臂谐振器23、25以及27和并联臂谐振器24、26以及28的IDT电极设为第二IDT电极，因此可以说带通滤波器20的插入损耗整体提高。
此外，在带阻滤波器10中，与比较例涉及的提取器的带阻滤波器相比较，如图6B中虚线的粗线所包围的区域所示，抑制了纹波的产生。特别是，可知在比带阻滤波器10的阻带更靠低频侧的通带中，抑制了纹波的产生。可以说这是因为，将带通滤波器20的设置在接近公共端子50的一侧、即接近带阻滤波器10的一侧的串联臂谐振器21以及并联臂谐振器22的IDT电极的电极指设为了第一IDT电极。在带通滤波器20中设置在接近带阻滤波器10的一侧的串联臂谐振器21以及并联臂谐振器22对带阻滤波器10造成的影响大，因此通过将串联臂谐振器21以及并联臂谐振器22的IDT电极设为第一IDT电极，并将串联臂谐振器23、25以及27和并联臂谐振器24、26以及28的IDT电极设为第二IDT电极，从而能够抑制在带通滤波器20中产生的纹波对带阻滤波器10造成影响。
[6.总结]
以上，本实施方式涉及的提取器1具备带通滤波器20和带阻滤波器10，在带通滤波器20中，将配置在最接近公共端子50的一侧的串联臂谐振器21以及并联臂谐振器22的IDT电极设为多个电极指均未欠缺的第一IDT电极，并将串联臂谐振器23、25以及27和并联臂谐振器24、26以及28的IDT电极设为多个电极指的一部分欠缺的第二IDT电极。
通过将配置在最接近公共端子50的一侧、即最接近带阻滤波器10的位置的串联臂谐振器21以及并联臂谐振器22的IDT电极设为第一IDT电极，从而能够抑制由使用了第二IDT电极的串联臂谐振器23、25以及27和并联臂谐振器24、26以及28在带通滤波器20的低频侧的阻带产生的纹波对带阻滤波器10造成影响。因此，在带阻滤波器10的通带不产生纹波，因而能够抑制带阻滤波器10的插入损耗的劣化。由此，在提取器1中，能够提高带通滤波器20的陡峭性并且抑制带阻滤波器10的插入损耗的劣化。
另外，在上述的实施方式中，将串联臂谐振器21以及并联臂谐振器22双方设为了多个电极指均未欠缺的第一IDT电极，但不限于此，只要串联臂谐振器21以及并联臂谐振器22的至少任一者为第一IDT电极即可。
此外，在上述的实施方式中，将串联臂谐振器23、25以及27和并联臂谐振器24、26以及28各自的IDT电极设为了多个电极指的至少一个欠缺的第二IDT电极，但不限于此，只要在串联臂谐振器23、25以及27和并联臂谐振器24、26以及28的至少一个中是IDT电极的电极指欠缺的结构即可。
此外，所谓电极指的欠缺，如上所述，可以是指具备和与以往的汇流条电极相反侧的汇流条电极连接的电极，也可以是指设置与周期性地配置的其他多个电极指不同的结构的电极。此外，IDT电极的结构也可以设为以下的变形例1～3所示的结构或者这些以外的结构。此外，第二IDT电极关于串联臂谐振器23、25以及27和并联臂谐振器24、26以及28的全部，可以设为相同的结构，也可以设为不同的结构。
(实施方式1的变形例1)
图7A是表示实施方式1的变形例1涉及的提取器1的带通滤波器20中的第二IDT电极的结构的一例的概要俯视图。
如图7A所示，IDT电极223与实施方式1所示的串联臂谐振器23的IDT电极210同样地，具有由汇流条电极211a和电极指212a构成的梳齿状电极210a、以及由汇流条电极211b和电极指212b构成的梳齿状电极210b。
IDT电极223取代与汇流条电极211a连接的多个电极指212a的一部分而具有电极指223a、223b以及223c。电极指223a、223b以及223c是与汇流条电极211a以及211b均未连接的第三电极指。更具体来说，电极指223a、223b以及223c形成为应与汇流条电极211a连接的电极指212a每隔2根与汇流条电极211a以及211b均不连接。
在提取器1的带通滤波器20中，即使将串联臂谐振器23、25以及27和并联臂谐振器24、26以及28的IDT电极设为上述的IDT电极223那样的结构，也能够提高带通滤波器20的陡峭性并且抑制带阻滤波器10的插入损耗的劣化。
(实施方式1的变形例2)
图7B是表示实施方式1的变形例2涉及的提取器1的带通滤波器20中的第二IDT电极的结构的其他例的概要俯视图。
如图7B所示，IDT电极233与实施方式1所示的串联臂谐振器23的IDT电极210同样地，具有由汇流条电极211a和电极指212a构成的梳齿状电极210a、以及由汇流条电极211b和电极指212b构成的梳齿状电极210b。
在此，IDT电极233不具备与汇流条电极211a连接的多个电极指212a的一部分。具体来说，在汇流条电极211a中，电极指212a每隔2根不存在，存在有空隙。即，在IDT电极233中，与汇流条电极211a连接的多个电极指212a欠缺，周期性地设置有空隙。
在提取器1的带通滤波器20中，即使将串联臂谐振器23、25以及27和并联臂谐振器24、26以及28的IDT电极设为上述的IDT电极233的结构，也能够提高带通滤波器20的陡峭性并且抑制带阻滤波器10的插入损耗的劣化。
(实施方式1的变形例3)
图7C是表示实施方式1的变形例3涉及的提取器1的带通滤波器20中的第二IDT电极的结构的其他例的概要俯视图。
如图7C所示，IDT电极243在实施方式1的变形例2所示的IDT电极233中，与汇流条电极211b连接的相邻的电极指212b被一体形成。
具体来说，在IDT电极243中，对于汇流条电极211a而电极指212a每隔2根不存在，在汇流条电极211b连接有第四电极指243a、243b以及243c。第四电极指243a、243b以及243c分别是相邻的电极指212b形成为一体的电极指。即，在IDT电极223中，与汇流条电极211a连接的多个电极指212a欠缺，在汇流条电极211b周期性地连接有相邻的电极指212b被一体形成的第四电极指243a、243b以及243c。
在提取器1的带通滤波器20中，即使将串联臂谐振器23、25以及27和并联臂谐振器24、26以及28的IDT电极设为上述的IDT电极243的结构，也能够提高带通滤波器20的陡峭性并且抑制带阻滤波器10的插入损耗的劣化。
(实施方式2)
接着，对实施方式2涉及的提取器进行说明。本实施方式涉及的提取器与实施方式1涉及的提取器1相比较，带通滤波器320的电路结构不同。
图8是本实施方式涉及的提取器1的带通滤波器320的电路结构图。
如图8所示，带通滤波器320是串联臂谐振器321、323、325以及327和并联臂谐振器322、324、326以及328连接成梯子状的梯型的滤波器。
具体来说，在带通滤波器320中，在将公共端子50和输入输出端子40连结的串联臂，从接近公共端子50的一侧起，依次配置有串联臂谐振器321、323、325以及327。此外，在将公共端子50和串联臂谐振器321连结的串联臂与接地之间，连接有并联臂谐振器322。在将串联臂谐振器321和串联臂谐振器323连结的串联臂与接地之间，连接有并联臂谐振器324。在将串联臂谐振器323和串联臂谐振器325连结的串联臂与接地之间，连接有并联臂谐振器326。在将串联臂谐振器325和串联臂谐振器327连结的串联臂与接地之间，连接有并联臂谐振器328。串联臂谐振器321、323、325以及327和并联臂谐振器322、324、326以及328是声表面波谐振器。
另外，在带通滤波器320中，配置在最接近公共端子50的串联臂的串联臂谐振器321是第一串联臂谐振器，配置在最接近公共端子50的并联臂的并联臂谐振器322是第一并联臂谐振器。此外，串联臂谐振器321以外的串联臂谐振器323、325以及327是第二串联臂谐振器。并联臂谐振器322以外的并联臂谐振器324、326以及328是第二并联臂谐振器。
在此，串联臂谐振器321以及并联臂谐振器322的IDT电极是多个电极指均未欠缺的第一IDT电极。此外，配置在图8中虚线所示的区域内的、串联臂谐振器323、325以及327和并联臂谐振器324、326以及328的IDT电极是多个电极指的至少一个欠缺的第二IDT电极指。
通过该结构，在提取器1中，能够提高带通滤波器320的陡峭性并且抑制带阻滤波器10的插入损耗的劣化。
另外，带通滤波器320不限于串联臂谐振器321以及并联臂谐振器322双方的IDT电极为第一IDT电极，只要串联臂谐振器321以及并联臂谐振器322的至少任一者的IDT电极为第一IDT电极即可。此外，不限于串联臂谐振器323、325以及327和并联臂谐振器324、326以及328的全部的IDT电极为第二IDT电极，只要IDT电极不是第一IDT电极的串联臂谐振器321或并联臂谐振器322、和串联臂谐振器323、325、327以及并联臂谐振器324、326、328的至少任一者的IDT电极为第二IDT电极即可。
例如，在公共端子50与输入输出端子40之间的路径中，也可以将连接在最接近公共端子50的串联臂与接地之间的并联臂谐振器322的IDT电极设为第一IDT电极，将串联臂谐振器321的IDT电极设为第二IDT电极，将串联臂谐振器323、325及327以及并联臂谐振器324、326、328的IDT电极设为第一IDT电极。此外，也可以将串联臂谐振器321、323、325以及327的IDT电极设为第一IDT电极，将并联臂谐振器322的IDT电极设为第二IDT电极，将并联臂谐振器324、326以及328的IDT电极设为第一IDT电极。
(其他的变形例等)
以上，对本发明的实施方式以及实施方式的变形例涉及的提取器进行了说明，但本发明不限定于上述实施方式。例如，对上述实施方式实施了如下的变形的方式也可以包含在本发明中。
例如，在上述的实施方式中，将配置在最接近公共端子的串联臂的串联臂谐振器以及配置在最接近公共端子的并联臂的并联臂谐振器双方的IDT电极设为了多个电极指均未欠缺的第一IDT电极，但不限于此，只要配置在最接近公共端子的串联臂的串联臂谐振器以及配置在最接近公共端子的并联臂的并联臂谐振器的至少任一者为第一IDT电极即可。
此外，在上述的实施方式中，关于配置在最接近公共端子的串联臂的串联臂谐振器以及配置在最接近公共端子的并联臂的并联臂谐振器以外的串联臂谐振器以及并联臂谐振器的全部，设为IDT电极的电极指欠缺的结构，但不限于此，只要配置在最接近公共端子的串联臂且具有第一IDT电极指的串联臂谐振器以及配置在最接近公共端子的并联臂且具有第一IDT电极指的并联臂谐振器的至少任一者以外的串联臂谐振器以及并联臂谐振器的至少一个是多个电极指的至少一个欠缺的第二IDT电极即可。
此外，IDT电极的电极指的欠缺可以不是每隔2根的周期，也可以是其他周期。此外，关于IDT电极的电极指欠缺的多个串联臂谐振器以及多个并联臂谐振器，既可以使电极指的欠缺的周期不同也可以设为相同。此外，电极指的欠缺既可以是周期性的也可以不是周期性的。
此外，关于多个串联臂谐振器以及并联臂谐振器，IDT电极的对数、交叉宽度L、DUTY、重复间距λ也可以适当变更。
此外，构成带通滤波器的梯型的滤波器可以是在将公共端子和最接近公共端子的串联臂谐振器连结的串联臂与接地之间连接了并联臂谐振器的结构，也可以是未连接并联臂谐振器的结构。
此外，在带阻滤波器中，作为电容元件，可以使用利用了声表面波的声表面波谐振器，也可以使用利用了声边界波、BAW(Bulk Acoustic Wave，体声波)的弹性波谐振器。此外，作为电容元件，也可以使用片式电容器、由高频基板的导体图案形成的电容元件。在电容元件为弹性波元件的情况下，该弹性波元件也可以与构成带通滤波器的串联臂谐振器以及并联臂谐振器形成在同一压电基板。此外，电感元件也可以是片式电感器、由高频基板的导体图案形成的电感元件。
此外，上述的提取器也可以是在与公共端子相反侧的输入输出端子具有其他带通滤波器的结构。此外，上述的提取器也可以是在与公共端子相反侧的输入输出端子具有PA(功率放大器)、LNA(噪声去除放大器)等的结构。
工业实用性
本发明能够广泛利用于使用了具备能够应对基于不同的无线频带以及不同的无线方式的通信的提取器的前端电路、发送装置以及接收装置等的便携式电话等通信设备。
符号说明
1 提取器；
2 天线；
5 压电基板；
10 带阻滤波器；
11 串联臂谐振器(电容元件)；
12、13 并联臂谐振器(电容元件)；
14、15 电感元件；
20、320 带通滤波器；
21、321 串联臂谐振器(第一串联臂谐振器)；
22、322 并联臂谐振器(第一并联臂谐振器)；
23、25、27、323、325、327 串联臂谐振器(第二串联臂谐振器)；
24、26、28、324、326、328 并联臂谐振器(第二并联臂谐振器)；
30、40 输入输出端子；
50 公共端子；
51 高声速支承基板；
52 低声速膜；
53 压电膜；
54、101a、101b 梳齿状电极；
55 保护层；
100、210、223、233、243 IDT电极；
110a、212a 电极指(第一电极指)；
110b、212b 电极指(第二电极指)；
111a、211a 汇流条电极(第一汇流条电极)；
111b、211b 汇流条电极(第二汇流条电极)；
213a、213b、213c 电极指；
220、221 反射器；
223a、223b、223c 第三电极指；
243a、243b、243c 第四电极指。

Claims (12)

1.一种提取器，具备：
带通滤波器，具有连接成梯子状的多个声表面波谐振器，使第一通带的高频信号通过；
带阻滤波器，不使所述第一通带的高频信号通过，并且，使所述第一通带以外的第二通带的高频信号通过；和
公共端子，连接了所述带通滤波器和所述带阻滤波器，
在所述带通滤波器中，
所述多个声表面波谐振器各自具有叉指换能器IDT电极，该IDT电极具有：第一汇流条电极；第二汇流条电极，与所述第一汇流条电极对置；多个第一电极指，以等间隔相互平行地与所述第一汇流条电极连接；和多个第二电极指，以等间隔相互平行地与所述第二汇流条电极连接，以使得与所述第一电极指交替地配置，
所述多个声表面波谐振器构成至少一个串联臂谐振器和至少一个并联臂谐振器，该至少一个串联臂谐振器配置在将所述公共端子和输入输出端子连结的串联臂，该至少一个并联臂谐振器配置在将所述串联臂和接地连结的并联臂，
所述串联臂中所述至少一个串联臂谐振器之中配置在最接近所述公共端子的位置的第一串联臂谐振器以及所述至少一个并联臂谐振器之中配置在最接近所述公共端子的并联臂的第一并联臂谐振器的至少任一者的所述IDT电极，是所述多个第一电极指以及所述多个第二电极指均未欠缺的第一IDT电极，
所述IDT电极不是所述第一IDT电极的所述第一串联臂谐振器或所述第一并联臂谐振器、和所述至少一个串联臂谐振器之中的所述第一串联臂谐振器以外的第二串联臂谐振器以及所述至少一个并联臂谐振器之中的所述第一并联臂谐振器以外的第二并联臂谐振器的至少一个的所述IDT电极，是所述多个第一电极指以及所述多个第二电极指之中的至少一个欠缺的第二IDT电极。
2.根据权利要求1所述的提取器，其中，
在将所述第一串联臂谐振器和所述输入输出端子连结的串联臂与接地之间连接有所述第一并联臂谐振器，
所述第一串联臂谐振器的所述IDT电极是所述第一IDT电极。
3.根据权利要求2所述的提取器，其中，
所述第一并联臂谐振器的所述IDT电极是所述第一IDT电极。
4.根据权利要求1所述的提取器，其中，
在将所述公共端子和所述第一串联臂谐振器连结的串联臂与接地之间连接有所述第一并联臂谐振器，
所述第一并联臂谐振器的所述IDT电极是所述第一IDT电极。
5.根据权利要求4所述的提取器，其中，
所述第一串联臂谐振器的所述IDT电极是所述第一IDT电极。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的提取器，其中，
在所述第二IDT电极中，所述第一电极指以及所述第二电极指的至少任一者周期性地欠缺。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的提取器，其中，
所述第二IDT电极具有取代所述第一汇流条电极而与所述第二汇流条电极连接的所述第一电极指、以及取代所述第二汇流条电极而与所述第一汇流条电极连接的所述第二电极指的至少一个。
8.根据权利要求1～6中任一项所述的提取器，其中，
所述第二IDT电极具有与所述第一汇流条电极以及所述第二汇流条电极均未连接的第三电极指。
9.根据权利要求1～6中任一项所述的提取器，其中，
所述第二IDT电极具有相邻的多个所述第一电极指以及相邻的多个所述第二电极指的至少任一者形成为一体的第四电极指。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的提取器，其中，
所述带阻滤波器具有至少一个电感元件和至少一个电容元件。
11.根据权利要求10所述的提取器，其中，
所述电容元件是声表面波谐振器。
12.根据权利要求11所述的提取器，其中，
构成所述带通滤波器的所述声表面波谐振器和所述电容元件形成在同一压电基板。
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