JPWO2019131533A1 - 弾性波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置 - Google Patents

弾性波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置 Download PDF

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Abstract

弾性波フィルタ（１０）は、圧電性を有する基板（７０）と、基板（７０）上に形成された入出力端子（１１０および１２０）と、基板（７０）上に形成され、互いに分離されたグランド端子（１３０および１４０）と、基板（７０）上であって入出力端子（１１０および１２０）を結ぶ経路上に配置された縦結合共振部（１１）とを備え、縦結合共振部（１１）が有するＩＤＴ電極（５１〜５５）のそれぞれは、複数の電極指とバスバー電極とで構成された櫛形電極を一対有し、入出力端子（１２０）に最も近い位置で配置されたＩＤＴ電極（５１）が有する一対の櫛形電極の他方は、基板（７０）上でグランド端子（１４０）に接続されており、ＩＤＴ電極（５１）を除く全てのＩＤＴ電極（５２〜５５）のそれぞれが有する一対の櫛形電極の他方は、基板（７０）上でグランド端子（１３０）に接続されている。

Description

本発明は、弾性波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置に関する。
従来、携帯電話機などの通信機器には、縦結合共振子型ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）フィルタやラダー型ＳＡＷフィルタ等の弾性波フィルタが用いられている。近年の通信機器のマルチバンド化の進展に伴い、弾性波フィルタには、通信帯域における挿入損失の低減は勿論、通信帯域外における減衰量の向上も強く求められるようになっている。
特許文献１には、デュプレクサの受信側フィルタとして、５つのＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極で構成された縦結合共振器を有するＳＡＷフィルタの構成が開示されている。上記縦結合共振器を構成する５つのＩＤＴ電極が、圧電基板上の１つのアース端子に共通接続することによってグランドを強化するとともに、受信側フィルタと送信側フィルタとの間に結合容量を設けることにより、通過帯域近傍における帯域外減衰量を確保できるとしている。
特許第５７６５５０２号公報
特許文献１に開示された受信側フィルタでは、縦結合共振器の共振モードに起因して発生する、通過帯域より高周波側の不要波レスポンスを改善できない。このため、上記受信側フィルタの通過帯域より高周波側においては、減衰量を十分確保できない場合がある。
さらには、上記受信側フィルタと他のフィルタとをマルチプレクサに適用し、当該受信側フィルタの通過帯域より高周波側に位置する他のフィルタの通過帯域に上記不要波レスポンスが発生する場合、当該他のフィルタの通過特性が劣化するという問題がある。
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、通過帯域の高周波側近傍における減衰量が改善された弾性波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る弾性波フィルタは、圧電性を有する基板と、前記基板上に形成された第１入出力端子および第２入出力端子と、前記基板上に形成され、当該基板上で互いに分離された第１グランド端子および第２グランド端子と、前記基板上であって、前記第１入出力端子と前記第２入出力端子とを結ぶ経路上に配置された縦結合共振部と、を備え、前記縦結合共振部は、前記基板上を所定の弾性波が伝搬する方向に並んで配置された３以上のＩＤＴ電極を有し、前記３以上のＩＤＴ電極のそれぞれは、前記方向と交差する方向に延びる複数の電極指と当該複数の電極指を構成する電極指の一方端同士を接続するバスバー電極とで構成された櫛形電極を一対有し、前記一対の櫛形電極は、前記複数の電極指が互いに間挿し合うように対向しており、前記一対の櫛形電極の一方は前記経路に接続されており、前記３以上のＩＤＴ電極のうち、前記第２入出力端子に最も近い位置で配置されたＩＤＴ電極である第１ＩＤＴ電極が有する前記一対の櫛形電極の他方は、前記基板上で前記第２グランド端子に接続されており、前記３以上のＩＤＴ電極のうち前記第１ＩＤＴ電極を除く全てのＩＤＴ電極のそれぞれが有する前記一対の櫛形電極の他方は、前記基板上で前記第１グランド端子に接続されている。
従来の縦結合共振部を有する弾性波フィルタでは、縦結合共振部の共振モードに起因した不要波レスポンスが、通過帯域よりも高周波側に発生する。このため、縦結合共振部を構成する複数のＩＤＴ電極のグランドを単純に共通化しただけでは、通過帯域よりも高周波側の減衰量を確保できないといった問題がある。また、特に、入出力端子の近傍で複数のＩＤＴ電極のグランドを共通化しようとすると、当該入出力端子に接続される信号配線とグランド配線とが近接および重複することが想定される。このため、信号の低損失および高減衰が確保されない。
これに対して、上記構成によれば、縦結合共振部を構成する複数のＩＤＴ電極のうち、第２入出力端子に最近接する第１ＩＤＴ電極のグランド端子を、その他のＩＤＴ電極のグランド端子と分離し、当該その他のＩＤＴ電極のグランド端子を共通化している。第１ＩＤＴ電極のグランド端子を、その他のＩＤＴ電極のグランド端子と分離することで、縦結合共振部とグランドとの間のインダクタンス値を効果的に大きくでき、縦結合共振部に起因して発生する通過帯域よりも高周波側の減衰極を低周波側にシフトすることが可能となる。これにより、弾性波フィルタの通過帯域の高周波側近傍における減衰量を改善することが可能となる。
また、前記第１ＩＤＴ電極が有する前記一対の櫛形電極の一方は、前記第１入出力端子および前記第２入出力端子のうちの前記第１入出力端子側の経路に接続されており、前記３以上のＩＤＴ電極のうち、前記第１ＩＤＴ電極の次に前記第２入出力端子に近い位置で配置されたＩＤＴ電極である第２ＩＤＴ電極が有する前記一対の櫛形電極の一方と、前記第２入出力端子とを接続する配線は、前記第１ＩＤＴ電極が有する前記一対の櫛形電極の他方と前記第２グランド端子とを接続する配線、および、前記３以上のＩＤＴ電極のうち前記第１ＩＤＴ電極を除くＩＤＴ電極が有する前記一対の櫛形電極の他方と前記第１グランド端子とを接続する配線と重ならなくてもよい。
これによれば、第２ＩＤＴ電極と第２入出力端子とを接続する配線は、第１ＩＤＴ電極と第２グランド端子とを接続する配線、および、第１ＩＤＴ電極以外のＩＤＴ電極と第１グランド端子とを接続する配線と、誘電体膜を介した立体配線構造をとる必要がない。よって、第２入出力端子近傍での高周波信号を伝搬する配線の寄生容量を低減できるので、弾性波フィルタの通過帯域における挿入損失を効果的に改善できる。
また、さらに、前記経路上に配置された、１以上の直列腕共振子と、前記経路上のノードとグランドとの間に配置された１以上の並列腕共振子と、を備えてもよい。
これにより、通過帯域外の減衰極を形成するためのトラップ共振子が付加された弾性波フィルタにおいて、縦結合共振部により形成された通過帯域の高周波側近傍における減衰量を改善することが可能となる。
また、本発明の一態様に係るマルチプレクサは、共通端子、第１端子および第２端子と、前記共通端子と前記第１端子との間に接続された第１フィルタと、前記共通端子と前記第２端子との間に接続された第２フィルタと、を備え、前記第１フィルタは、上記いずれかに記載の弾性波フィルタであり、前記第２フィルタの通過帯域は、前記第１フィルタの通過帯域よりも高周波側にある。
第１フィルタの通過帯域よりも高周波側に発生する、縦結合共振部に起因した不要波レスポンスが、第２フィルタの通過帯域内に位置することで、第２フィルタの通過特性が劣化することが想定される。この場合であっても、第１フィルタが上記いずれかの弾性波フィルタであることにより、第１フィルタの通過帯域よりも高周波側の減衰極を低周波側にシフトさせることで、第１フィルタの通過帯域の高周波側近傍における減衰量を改善できる。これにより、第２フィルタの通過特性の劣化、および、第１フィルタと第２フィルタとのアイソレーションの劣化を抑制することが可能となり、マルチプレクサの通過特性を改善できる。
また、前記第２フィルタは、前記基板上に形成された送信側フィルタであり、前記第１フィルタは、受信側フィルタであり、前記共通端子は、前記第１入出力端子であり、前記第１端子は、前記第２入出力端子であってもよい。
一般的に、縦結合共振子で構成された弾性波フィルタは、受信側フィルタとして適用される。縦結合共振子で構成された弾性波フィルタは、通過帯域よりも高周波側に上述したような不要波レスポンスが発生するため、当該高周波側の減衰量を確保することが困難であるが、マルチプレクサを構成する場合、一般的に受信側フィルタの通過帯域は送信側フィルタの通過帯域より高周波側に位置することが多いため、問題にならない。
しかし、マルチプレクサにおいて、送信側フィルタの通過帯域が受信側フィルタの通過帯域より高周波側に位置する場合もある。その場合でも、前記１フィルタは、通過帯域よりも高周波側の減衰量が改善されるため、マルチプレクサを構成する場合、低周波側のフィルタとして適用することが可能となる。
また、本発明の一態様に係る高周波フロントエンド回路は、上記いずれかに記載のマルチプレクサと、前記マルチプレクサに接続された増幅回路と、を備える。
これにより、第１フィルタの通過帯域の高周波側近傍における減衰量を改善でき、第２フィルタの通過特性の劣化を抑制されるため、マルチプレクサの通過特性が改善された高周波フロントエンド回路を提供できる。
また、本発明の一態様に係る通信装置は、アンテナ素子で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、前記アンテナ素子と前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する上記記載の高周波フロントエンド回路と、を備える。
これにより、第１フィルタの通過帯域の高周波側近傍における減衰量を改善でき、第２フィルタの通過特性の劣化を抑制されるため、マルチプレクサの通過特性が改善された通信装置を提供できる。
本発明に係る弾性波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置によれば、弾性波フィルタの通過帯域の高周波側近傍における減衰量を改善することが可能となる。
図１は、実施の形態１に係る弾性波フィルタの回路構成図である。 図２Ａは、実施の形態１に係る弾性波共振子の一例を模式的に表す平面図および断面図である。 図２Ｂは、実施の形態１の変形例１に係る弾性波共振子を模式的に表す断面図である。 図３Ａは、実施の形態１に係る弾性波フィルタの縦結合共振部の電極レイアウトを示す平面図である。 図３Ｂは、実施の形態１に係る弾性波フィルタの入出力端子近傍における断面図である。 図４は、比較例に係る弾性波フィルタの回路構成図である。 図５Ａは、比較例に係る弾性波フィルタの縦結合共振部の電極レイアウトを示す平面図である。 図５Ｂは、比較例に係る弾性波フィルタの入出力端子近傍における断面図である。 図６は、実施の形態２に係るマルチプレクサの回路構成図である。 図７は、実施の形態２および比較例に係る弾性波フィルタの通過特性を比較したグラフである。 図８は、実施の形態２および比較例に係るマルチプレクサのアイソレーション特性を比較したグラフである。 図９は、実施の形態３に係る通信装置の構成図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。
（実施の形態１）
［１−１．弾性波フィルタ１０の構成］
図１は、実施の形態１に係る弾性波フィルタ１０の回路構成図である。同図に示すように、弾性波フィルタ１０は、縦結合共振部１１と、直列腕共振子ｓ１およびｓ２と、並列腕共振子ｐ１およびｐ２と、入出力端子１１０および１２０と、を備える。
縦結合共振部１１は、入出力端子１１０（第１入出力端子）と入出力端子１２０（第２入出力端子）とを結ぶ経路上に配置され、弾性波伝搬方向に隣り合うＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極５１、５２、５３、５４および５５と、反射器５６Ｌおよび５６Ｒと、を備える。
ＩＤＴ電極５１〜５５のそれぞれは、弾性波伝搬方向と交差する方向に延びる複数の電極指と当該複数の電極指を構成する電極指の一方端同士を接続するバスバー電極とで構成された櫛形電極を一対有している。上記一対の櫛形電極は、複数の電極指が互いに間挿し合うように対向している。
ＩＤＴ電極５１〜５５、反射器５６Ｌおよび５６Ｒは、弾性波伝搬方向に、反射器５６Ｌ、ＩＤＴ電極５１、５２、５３、５４、５５、および反射器５６Ｒの順に配置されている。ＩＤＴ電極５１、５３および５５が有する一対の櫛形電極の一方のバスバー電極と、ＩＤＴ電極５２および５４が有する一対の櫛形電極の他方のバスバー電極とは、入出力端子１１０および１２０のうち入出力端子１１０側に配置されている。また、ＩＤＴ電極５１、５３および５５が有する一対の櫛形電極の他方のバスバー電極と、ＩＤＴ電極５２および５４が有する一対の櫛形電極の一方のバスバー電極とは、入出力端子１１０および１２０のうち入出力端子１２０側に配置されている。
ＩＤＴ電極５１〜５５のそれぞれにおいて、一対の櫛形電極の一方は、入出力端子１１０と入出力端子１２０とを結ぶ経路上の信号配線５０Ｈ１または５０Ｈ２に接続され、当該一対の櫛形電極の他方は、グランド配線５０ＧＣまたは５０ＧＲに接続されている。より詳細には、反射器５６Ｌ側から奇数番目に配置されたＩＤＴ電極５１、５３および５５が有する一対の櫛形電極の一方は、信号配線５０Ｈ１または５０Ｈ２のうち、入出力端子１１０側の信号配線５０Ｈ１に接続されている。また、反射器５６Ｌ側から偶数番目に配置されたＩＤＴ電極５２および５４が有する一対の櫛形電極の一方は、信号配線５０Ｈ１または５０Ｈ２のうち、入出力端子１２０側の信号配線５０Ｈ２に接続されている。また、ＩＤＴ電極５２、５３、５４および５５が有する一対の櫛形電極の他方は、グランド配線５０ＧＣに接続されている。また、ＩＤＴ電極５１が有する一対の櫛形電極の他方は、グランド配線５０ＧＲに接続されている。
上記構成により、縦結合共振部１１は、主として弾性波フィルタ１０の通過帯域における挿入損失、および通過帯域近傍の減衰量を規定する。
なお、縦結合共振部１１を構成するＩＤＴ電極の数は５つであることに限定されず、３つ以上であればよい。
直列腕共振子ｓ１およびｓ２は、入出力端子１１０と入出力端子１２０とを結ぶ経路上に配置された弾性波共振子である。
並列腕共振子ｐ１およびｐ２は、上記経路上のノードとグランドとの間に配置された弾性波共振子である。
直列腕共振子ｓ１、ｓ２および並列腕共振子ｐ１、ｐ２は、主として弾性波フィルタ１０の特定の減衰帯域における減衰量を改善する。
なお、直列腕共振子は、１つでもよく、また、なくてもよい。同様に、並列腕共振子は、１つでもよく、また、なくてもよい。また、直列腕共振子ｓ１、ｓ２および並列腕共振子ｐ１、ｐ２のそれぞれは、縦結合共振部１１の入出力端子１１０側に配置されているが、入出力端子１２０側に配置されていてもよい。
以下、弾性波フィルタ１０を構成する弾性波共振子の構造について説明する。
図２Ａは、本実施の形態に係る弾性波フィルタを構成する弾性波共振子の一例を模式的に表す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）および（ｃ）は、（ａ）に示した一点鎖線における断面図である。図２Ａには、弾性波フィルタ１０を構成する縦結合共振子、直列腕共振子および並列腕共振子の構造を表す平面模式図および断面模式図が例示されている。なお、図２Ａに示された弾性波共振子２００は、縦結合共振部１１を構成するＩＤＴ電極、直列腕共振子ｓ１およびｓ２を構成するＩＤＴ電極、並列腕共振子ｐ１およびｐ２を構成するＩＤＴ電極の典型的な構造を説明するためのものであって、電極を構成する電極指の本数、長さおよび電極指ピッチなどは、図２Ａに示された構成に限定されない。
弾性波共振子２００は、圧電性を有する基板７０と、櫛形電極２０１ａおよび２０１ｂとで構成されている。
図２Ａの（ａ）に示すように、基板７０の上には、互いに対向する一対の櫛形電極２０１ａおよび２０１ｂが形成されている。櫛形電極２０１ａは、互いに平行な複数の電極指２００ａと、複数の電極指２００ａの一方端同士を接続するバスバー電極２０２ａとで構成されている。また、櫛形電極２０１ｂは、互いに平行な複数の電極指２００ｂと、複数の電極指２００ｂの一方端同士を接続するバスバー電極２０２ｂとで構成されている。複数の電極指２００ａおよび２００ｂは、弾性波伝搬方向（Ｘ軸方向）と直交する方向に沿って形成されている。
また、複数の電極指２００ａおよび２００ｂ、ならびに、バスバー電極２０２ａおよび２０２ｂで構成されるＩＤＴ電極２５０は、図２Ａの（ｂ）に示すように、密着層２５０ａと主電極層２５０ｂとの積層構造となっている。
密着層２５０ａは、基板７０と主電極層２５０ｂとの密着性を向上させるための層であり、材料として、例えば、Ｔｉが用いられる。密着層２５０ａの膜厚は、例えば、１２ｎｍである。
主電極層２５０ｂは、材料として、例えば、Ｃｕを１％含有したＡｌが用いられる。主電極層２５０ｂの膜厚は、例えば１６２ｎｍである。
保護層２５５は、櫛形電極２０１ａおよび２０１ｂを覆うように形成されている。保護層２５５は、主電極層２５０ｂを外部環境から保護する、周波数温度特性を調整する、および、耐湿性を高めるなどを目的とする層であり、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする誘電体膜である。保護層２５５の厚さは、例えば２５ｎｍである。
なお、密着層２５０ａ、主電極層２５０ｂおよび保護層２５５を構成する材料は、上述した材料に限定されない。さらに、ＩＤＴ電極２５０は、上記積層構造でなくてもよい。ＩＤＴ電極２５０は、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの金属又は合金から構成されてもよく、また、上記の金属又は合金から構成される複数の積層体から構成されてもよい。また、保護層２５５は、形成されていなくてもよい。
次に、基板７０の積層構造について説明する。
図２Ａの（ｃ）に示すように、基板７０は、高音速支持基板２５１と、低音速膜２５２と、圧電膜２５３とを備え、高音速支持基板２５１、低音速膜２５２および圧電膜２５３がこの順で積層された構造を有している。
圧電膜２５３は、５０°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３圧電単結晶または圧電セラミックス（Ｘ軸を中心軸としてＹ軸から５０°回転した軸を法線とする面で切断したタンタル酸リチウム単結晶、またはセラミックスであって、Ｘ軸方向に弾性表面波が伝搬する単結晶またはセラミックス）からなる。圧電膜２５３は、例えば、厚みが６００ｎｍである。なお、各フィルタの要求仕様により、圧電膜２５３として使用される圧電単結晶の材料およびカット角が適宜選択される。
高音速支持基板２５１は、低音速膜２５２、圧電膜２５３ならびにＩＤＴ電極２５０を支持する基板である。高音速支持基板２５１は、さらに、圧電膜２５３を伝搬する表面波および境界波などの弾性波よりも、高音速支持基板２５１中のバルク波の音速が高速となる基板であり、弾性表面波を圧電膜２５３および低音速膜２５２が積層されている部分に閉じ込め、高音速支持基板２５１より下方に漏れないように機能する。高音速支持基板２５１は、例えば、シリコン基板であり、厚みは、例えば２００μｍである。
低音速膜２５２は、圧電膜２５３を伝搬するバルク波よりも、低音速膜２５２中のバルク波の音速が低速となる膜であり、圧電膜２５３と高音速支持基板２５１との間に配置される。この構造と、弾性波が本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中するという性質とにより、弾性表面波エネルギーのＩＤＴ電極外への漏れが抑制される。低音速膜２５２は、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする膜であり、厚みは、例えば６７０ｎｍである。
なお、基板７０の上記積層構造によれば、圧電基板を単層で使用している従来の構造と比較して、共振周波数および反共振周波数におけるＱ値を大幅に高めることが可能となる。すなわち、Ｑ値が高い弾性波共振子を構成し得るので、当該弾性波共振子を用いて、挿入損失が小さいフィルタを構成することが可能となる。
なお、高音速支持基板２５１は、支持基板と、圧電膜２５３を伝搬する表面波および境界波などの弾性波よりも伝搬するバルク波の音速が高速となる高音速膜と、が積層された構造を有していてもよい。この場合、支持基板は、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、サファイア、ガラス等の誘電体またはシリコン、窒化ガリウム等の半導体及び樹脂基板等を用いることができる。また、高音速膜は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ膜またはダイヤモンド、上記材料を主成分とする媒質、上記材料の混合物を主成分とする媒質等、様々な高音速材料を用いることができる。
また、図２Ｂは、実施の形態１の変形例１に係る弾性波共振子を模式的に表す断面図である。図２Ａに示した弾性波共振子２００では、ＩＤＴ電極２５０が、圧電膜２５３を有する基板７０上に形成された例を示したが、当該ＩＤＴ電極２５０が形成される基板は、図２Ｂに示すように、圧電体層の単層からなる圧電単結晶基板７１であってもよい。圧電単結晶基板７１は、例えば、ＬｉＮｂＯ３の圧電単結晶で構成されている。本変形例に係る弾性波共振子２００は、ＬｉＮｂＯ３の圧電単結晶基板７１と、ＩＤＴ電極２５０と、圧電単結晶基板７１上およびＩＤＴ電極２５０上に形成された保護層２５５と、で構成されている。
上述した圧電膜２５３および圧電単結晶基板７１は、弾性波フィルタ１０の要求通過特性などに応じて、適宜、積層構造、材料、カット角、および、厚みを変更してもよい。上述したカット角以外のカット角を有するＬｉＴａＯ３圧電基板などを用いた弾性波共振子２００であっても、上述した圧電膜２５３を用いた弾性波共振子２００と同様の効果を奏することができる。
ここで、弾性波共振子を構成するＩＤＴ電極の電極パラメータの一例について説明しておく。
弾性波共振子の波長とは、図２Ａの（ｂ）に示すＩＤＴ電極２５０を構成する複数の電極指２００ａまたは２００ｂの繰り返し周期である波長λで規定される。また、電極指ピッチは、波長λの１／２であり、櫛形電極２０１ａおよび２０１ｂを構成する電極指２００ａおよび２００ｂのライン幅をＷとし、隣り合う電極指２００ａと電極指２００ｂとの間のスペース幅をＳとした場合、（Ｗ＋Ｓ）で定義される。また、一対の櫛形電極２０１ａおよび２０１ｂの交叉幅Ｌは、図２Ａの（ａ）に示すように、電極指２００ａと電極指２００ｂとの弾性波伝搬方向（Ｘ軸方向）から見た場合の重複する電極指長さである。また、各弾性波共振子の電極デューティーは、複数の電極指２００ａおよび２００ｂのライン幅占有率であり、複数の電極指２００ａおよび２００ｂのライン幅とスペース幅との加算値に対する当該ライン幅の割合であり、Ｗ／（Ｗ＋Ｓ）で定義される。また、櫛形電極２０１ａおよび２０１ｂの高さ、すなわち膜厚をｈとしている。上述した、波長λ、交叉幅Ｌ、電極デューティー、ＩＤＴ電極２５０の膜厚ｈ等、弾性波共振子のＩＤＴ電極の形状および大きさを決定するパラメータを、電極パラメータという。
図３Ａは、実施の形態１に係る弾性波フィルタ１０の縦結合共振部１１の電極レイアウトを示す平面図である。また、図３Ｂは、実施の形態１に係る弾性波フィルタ１０の入出力端子１２０の近傍における断面図である。
図３Ａには、弾性波フィルタ１０を構成する縦結合共振部１１の電極レイアウトが示されている。同図に示すように、弾性波フィルタ１０は、圧電性を有する基板７０と、基板７０上に形成された、縦結合共振部１１、直列腕共振子ｓ１およびｓ２（図３Ａには図示せず）、並列腕共振子ｐ１およびｐ２（図３Ａには図示せず）、入出力端子１１０（図３Ａには図示せず）および１２０、ならびに、グランド端子１３０および１４０と、で構成されている。グランド端子１３０（第１グランド端子）とグランド端子１４０（第２グランド端子）とは、基板７０上で互いに分離されている。
入出力端子１１０（図３Ａには図示せず）および１２０、ならびに、グランド端子１３０および１４０は、基板７０上の外周領域に形成され、例えば、縦結合共振部１１、直列腕共振子ｓ１およびｓ２、ならびに並列腕共振子ｐ１およびｐ２を構成するＩＤＴ電極と同じ電極材料で形成されている。
信号配線５０Ｈ１は、縦結合共振部１１のＩＤＴ電極５１、５３および５５が有する一対の櫛形電極の一方と、直列腕共振子ｓ２（図３ＡではノードＮ１）とを接続している。信号配線５０Ｈ２は、縦結合共振部１１のＩＤＴ電極５２および５４が有する一対の櫛形電極の一方と、入出力端子１２０とを接続している。
グランド配線５０ＧＲは、ＩＤＴ電極５１〜５５のうち入出力端子１２０に最も近い位置で配置されたＩＤＴ電極５１（第１ＩＤＴ電極）が有する一対の櫛形電極の他方および反射器５６Ｌと、グランド端子１４０とを接続している。つまり、ＩＤＴ電極５１が有する一対の櫛形電極の他方は、基板７０上でグランド端子１４０に接続されている。
グランド配線５０ＧＣは、ＩＤＴ電極５１〜５５のうち入出力端子１２０に最も近い位置で配置されたＩＤＴ電極５１（第１ＩＤＴ電極）を除く全てのＩＤＴ電極５２〜５５のそれぞれが有する一対の櫛形電極の他方および反射器５６Ｒと、グランド端子１３０とを接続している。つまり、ＩＤＴ電極５２〜５５が有する一対の櫛形電極の他方は、基板７０上でグランド端子１３０に接続されている。
従来の縦結合共振部を有する弾性波フィルタでは、縦結合共振部の共振モードに起因した不要波レスポンスが、通過帯域よりも高周波側に発生する。このため、通過帯域よりも高周波側の減衰量を確保できないといった問題がある。
これに対して、本実施の形態に係る弾性波フィルタ１０の構成によれば、縦結合共振部１１を構成する複数のＩＤＴ電極５１〜５５のうち、入出力端子１２０に最近接するＩＤＴ電極５１に接続されるグランド端子１４０を、その他のＩＤＴ電極５２〜５５に接続されるグランド端子１３０と分離し、その他のＩＤＴ電極５２〜５５に接続されるグランド端子１３０を共通化している。ＩＤＴ電極５１に接続されるグランド端子１４０を、その他のＩＤＴ電極５２〜５５のグランド端子１３０と分離することで、縦結合共振部１１とグランドとの間のインダクタンス値を大きくでき、縦結合共振部１１に起因して発生する通過帯域よりも高周波側の減衰極を低周波側にシフトすることが可能となる。これにより、弾性波フィルタ１０の通過帯域の高周波側近傍における減衰量を改善することが可能となる。
なお、グランド端子１３０および１４０のうち、入出力端子１２０に最も近いＩＤＴ電極５１が接続されたグランド端子１４０のほうが、入出力端子１２０に近いほうが望ましい。これにより、グランド配線５０ＧＲを短く形成できるので、縦結合共振部１１とグランドとの間のインダクタンス値をより大きくできる。
なお、図３Ａに示ように、信号配線５０Ｈ１および５０Ｈ２と、グランド配線５０ＧＣとが重なっている領域があるが、当該領域では、信号配線５０Ｈ１および５０Ｈ２とグランド配線５０ＧＣとが、誘電体層を挟んで積層されている。また、図３Ａでは、上記領域において、（１）基板７０、（２）信号配線５０Ｈ１および５０Ｈ２、（３）誘電体層、（４）グランド配線５０ＧＣ、の順で積層されている構成を示したが、（１）基板７０、（２）グランド配線５０ＧＣ、（３）誘電体層、（４）信号配線５０Ｈ１および５０Ｈ２の順で積層されていてもよい。
また、図３Ｂに示すように、入出力端子１２０の近傍において、信号配線５０Ｈ２とグランド配線５０ＧＲとは、基板７０上で、交差していない。つまり、ＩＤＴ電極５１が有する一対の櫛形電極の一方は、入出力端子１１０側の信号配線５０Ｈ１に接続されており、ＩＤＴ電極５１の次に入出力端子１２０に近い位置で配置されたＩＤＴ電極５２（第２ＩＤＴ電極）が有する一対の櫛形電極の一方と入出力端子１２０との間の信号配線５０Ｈ２は、入出力端子１２０の近傍において、グランド配線５０ＧＲおよび５０ＧＣと重ならない。
これによれば、信号配線５０Ｈ２と、グランド配線５０ＧＲおよび５０ＧＣとを、誘電体層を介した立体配線構造とする必要がない。よって、高周波信号を伝搬する配線の寄生容量を低減できるので、弾性波フィルタ１０の通過帯域における挿入損失を改善できる。
［１−２．比較例に係る弾性波フィルタ５１０の構成］
ここで、従来の弾性波フィルタの構成およびその問題点について示しておく。
図４は、比較例に係る弾性波フィルタ５１０の回路構成図である。同図に示すように、弾性波フィルタ５１０は、縦結合共振部５１１と、直列腕共振子ｓ１およびｓ２と、並列腕共振子ｐ１およびｐ２と、入出力端子１１０および１２０と、を備える。比較例に係る弾性波フィルタ５１０は、実施の形態１に係る弾性波フィルタ１０と比較して、縦結合共振部５１１が有するＩＤＴ電極のグランド接続の構成のみが異なる。以下、比較例に係る弾性波フィルタ５１０について、実施の形態１に係る弾性波フィルタ１０と異なる点を中心に説明する。
ＩＤＴ電極５１〜５５のそれぞれにおいて、一対の櫛形電極の一方は、入出力端子１１０と入出力端子１２０とを結ぶ経路上の信号配線６０Ｈ１または６０Ｈ２に接続され、当該一対の櫛形電極の他方は、グランド配線６０ＧＣに接続されている。より詳細には、反射器５６Ｌ側から奇数番目に配置されたＩＤＴ電極５１、５３および５５が有する一対の櫛形電極の一方は、入出力端子１１０側の信号配線６０Ｈ１に接続されている。また、反射器５６Ｌ側から偶数番目に配置されたＩＤＴ電極５２および５４が有する一対の櫛形電極の一方は、入出力端子１２０側の信号配線６０Ｈ２に接続されている。また、ＩＤＴ電極５１〜５５が有する一対の櫛形電極の他方は、グランド配線６０ＧＣに接続されている。
上記構成により、縦結合共振部５１１は、主として弾性波フィルタ５１０の通過帯域における挿入損失、および通過帯域近傍の減衰量を規定する。
図５Ａは、比較例に係る弾性波フィルタ５１０の縦結合共振部５１１の電極レイアウトを示す平面図である。また、図５Ｂは、比較例に係る弾性波フィルタ５１０の入出力端子１２０の近傍における断面図である。
図５Ａには、弾性波フィルタ５１０を構成する縦結合共振部５１１の電極レイアウトが示されている。同図に示すように、弾性波フィルタ５１０は、圧電性を有する基板７０と、基板７０上に形成された、縦結合共振部５１１、直列腕共振子ｓ１およびｓ２（図５Ａには図示せず）、並列腕共振子ｐ１およびｐ２（図５Ａには図示せず）、入出力端子１１０（図５Ａには図示せず）および１２０、ならびに、グランド端子１５０と、で構成されている。
入出力端子１１０（図５Ａには図示せず）および１２０、ならびに、グランド端子１５０は、基板７０上の外周領域に形成されている。
信号配線６０Ｈ１は、縦結合共振部５１１のＩＤＴ電極５１、５３および５５が有する一対の櫛形電極の一方と、直列腕共振子ｓ２（図５ＡではノードＮ１）とを接続している。信号配線６０Ｈ２は、縦結合共振部５１１のＩＤＴ電極５２および５４が有する一対の櫛形電極の一方と、入出力端子１２０とを接続している。
グランド配線６０ＧＣは、ＩＤＴ電極５１〜５５のそれぞれが有する一対の櫛形電極の他方、反射器５６Ｒおよび５６Ｌと、グランド端子１５０とを接続している。つまり、基板７０を平面視した場合、ＩＤＴ電極５１〜５５が有する一対の櫛形電極の他方は、グランド端子１５０に接続されている。
比較例に係る縦結合共振部５１１を有する弾性波フィルタ５１０では、縦結合共振部５１１の共振モードに起因した不要波レスポンスが、通過帯域よりも高周波側に発生する。このため、通過帯域よりも高周波側の減衰量を確保できないといった問題がある。また、比較例に係る弾性波フィルタ５１０では、小型化およびグランド強化のため、ＩＤＴ電極５１〜５５のグランドを基板７０上で共通化しているが、図５Ｂに示すように、ＩＤＴ電極５１〜５５のグランドを共通化する場合、入出力端子１２０の近傍で、信号配線６０Ｈ２とグランド配線６０ＧＣとが誘電体層８０を挟んで積層される構成となり、不要な容量成分および抵抗成分が発生する。特に、入出力端子の近傍で不要な容量成分および抵抗成分が発生すると、弾性波フィルタの通過特性および減衰特性の劣化が顕著となる。
これに対して、本実施の形態に係る弾性波フィルタ１０の構成によれば、縦結合共振部１１を構成する複数のＩＤＴ電極５１〜５５のうち、入出力端子１２０に最近接するＩＤＴ電極５１に接続されるグランド端子１４０を、その他のＩＤＴ電極５２〜５５に接続されるグランド端子１３０と分離し、その他のＩＤＴ電極５２〜５５に接続されるグランド端子１３０を共通化している。ＩＤＴ電極５１に接続されるグランド端子１４０を、その他のＩＤＴ電極５２〜５５のグランド端子１３０と分離することで、縦結合共振部１１とグランドとの間のインダクタンス値を大きくでき、縦結合共振部１１に起因して発生する通過帯域よりも高周波側の減衰極を低周波側にシフトすることが可能となる。これにより、弾性波フィルタ１０の通過帯域の高周波側近傍における減衰量を改善することが可能となる。
（実施の形態２）
［２−１．マルチプレクサ１の構成］
本実施の形態では、実施の形態１に係る弾性波フィルタ１０を有するマルチプレクサ１について示す。
図６は、実施の形態２に係るマルチプレクサ１の回路構成図である。同図に示すように、マルチプレクサ１は、受信側フィルタ１０Ａと、送信側フィルタ２０Ａと、共通端子１７０と、入出力端子１２０および１６０と、インダクタ３０と、を備える。マルチプレクサ１は、アンテナ端子１００において、例えばアンテナ素子に接続される。アンテナ端子１００と共通端子１７０とを結ぶ経路と、基準端子であるグランドとの間には、インピーダンス整合用のインダクタ３０が接続されている。なお、インダクタ３０は上記経路に直列に接続されてもよい。また、マルチプレクサ１は、インダクタ３０を備えない構成であってもよい。また、インダクタ３０は、マルチプレクサ１に含めた構成としてもよいし、マルチプレクサ１に外付けされた構成であってもよい。
受信側フィルタ１０Ａは、実施の形態１に係る弾性波フィルタ１０であり、共通端子１７０と入出力端子１２０（第１端子）との間に接続され、共通端子１７０から入力された受信波を入力し、当該受信波をＢａｎｄＡの受信通過帯域でフィルタリングして入出力端子１２０へ出力する第１フィルタである。
送信側フィルタ２０Ａは、共通端子１７０と入出力端子１６０（第２端子）との間に接続され、送信回路（ＲＦＩＣなど）で生成された送信波を、入出力端子１６０を経由して入力し、当該送信波をＢａｎｄＡの送信通過帯域でフィルタリングして共通端子１７０へ出力する第２フィルタである。送信側フィルタ２０Ａの構成は、特に限定されず、例えば、弾性波フィルタであってもよく、また、インダクタおよびキャパシタで構成されたＬＣフィルタであってもよい。
なお、本実施の形態に係るマルチプレクサ１では、送信側フィルタ２０Ａの送信通過帯域は、受信側フィルタ１０Ａの受信通過帯域よりも高周波側にある。
なお、共通端子１７０と上記各フィルタとの間に、インピーダンス整合用のインダクタンス素子およびキャパシタンス素子の少なくとも一方が接続されていてもよい。
［２−２．マルチプレクサ１の高周波伝搬特性］
図７は、実施の形態２および比較例に係るマルチプレクサの受信側フィルタの通過特性を比較したグラフである。また、図８は、実施の形態２および比較例に係るマルチプレクサのアイソレーション特性を比較したグラフである。
なお、比較例に係るマルチプレクサは、図６に示されたマルチプレクサの構成において、受信側フィルタとして、比較例に係る弾性波フィルタ５１０を適用した構成を有している。
図７において、マルチプレクサを構成する受信側フィルタの通過帯域内の挿入損失は、実施の形態２と比較例とで差異は殆ど見られない。
これに対して、受信側フィルタの通過帯域の高周波側近傍の減衰帯域において、実施の形態２の受信側フィルタ１０Ａのほうが、比較例の受信側フィルタよりも、減衰量が改善されている。このため、上記減衰帯域が、送信側フィルタの送信通過帯域に含まれる場合、実施の形態２の送信側フィルタ２０Ａのほうが、比較例の送信側フィルタよりも、挿入損失が改善される。
なお、実施の形態１に係る弾性波フィルタ１０、および、比較例に係る弾性波フィルタ５１０を、それぞれ、単体で通過特性を測定した場合でも、図７と同様の測定結果が得られる。つまり、弾性波フィルタ１０の通過帯域の高周波側近傍の減衰帯域において、実施の形態１に係る弾性波フィルタ１０のほうが、比較例に係る弾性波フィルタ５１０よりも、減衰量が改善される。
さらに、図８に示すように、受信側フィルタ１０Ａの上記減衰帯域における減衰量が改善されたことにより、受信側フィルタ１０Ａおよび送信側フィルタ２０Ａの間の上記減衰帯域におけるアイソレーションが改善される。
本実施の形態に係るマルチプレクサ１の構成によれば、受信側フィルタ１０Ａの縦結合共振部１１を構成する複数のＩＤＴ電極５１〜５５のうち、入出力端子１２０に最近接するＩＤＴ電極５１に接続されるグランド端子１４０を、その他のＩＤＴ電極５２〜５５に接続されるグランド端子１３０と分離し、その他のＩＤＴ電極５２〜５５に接続されるグランド端子１３０を共通化している。ＩＤＴ電極５１に接続されるグランド端子１４０を、その他のＩＤＴ電極５２〜５５に接続されるグランド端子１３０と分離することで、縦結合共振部１１とグランドとの間のインダクタンス値を大きくでき、縦結合共振部１１に起因して発生する上記減衰帯域での減衰極を低周波側にシフトさせることが可能となる（図７中の矢印）。これにより、受信側フィルタ１０Ａの受信通過帯域の高周波側近傍における減衰量を改善でき、かつ、送信側フィルタ２０Ａの挿入損失を改善できる。さらには、マルチプレクサ１の送信側フィルタ２０Ａの通過帯域におけるアイソレーション特性を改善できる。
なお、送信側フィルタ２０Ａは、受信側フィルタ１０Ａが形成された基板７０に形成されていてもよい。これにより、マルチプレクサ１を１枚の基板で形成できるので、マルチプレクサ１を小型化することができる。
なお、本実施の形態に係るマルチプレクサ１では、受信側フィルタ１０Ａおよび送信側フィルタ２０Ａを共通端子に接続したデュプレクサを例示したが、本発明に係るマルチプレクサは、送信側フィルタおよび受信側フィルタの双方を備える構成に限らず、複数の送信側フィルタのみ、または、複数の受信側フィルタのみを備える構成であってもよい。
また、本発明に係るマルチプレクサは、例えば、３つのフィルタが共通端子に接続されたトリプレクサや、２つのデュプレクサが共通端子で共通接続されたクワッドプレクサなどについても適用することができる。つまり、本発明に係るマルチプレクサは、２以上のフィルタを備えていればよい。
（実施の形態３）
実施の形態２に係るマルチプレクサ１は、高周波フロントエンド回路、さらには当該高周波フロントエンド回路を備える通信装置に適用することもできる。そこで、本実施の形態では、このような高周波フロントエンド回路および通信装置について説明する。
図９は、実施の形態３に係る通信装置６の構成図である。通信装置６は、高周波フロントエンド回路５と、ＲＦ信号処理回路３と、ベースバンド信号処理回路４と、を備える。なお、同図には、通信装置６と接続されるアンテナ素子２も図示されている。
高周波フロントエンド回路５は、マルチプレクサ１と、パワーアンプ回路４１およびローノイズアンプ回路４２と、を備える。
マルチプレクサ１は、実施の形態２に係るマルチプレクサが適用される。
パワーアンプ回路４１は、ＲＦ信号処理回路３から出力された高周波信号（ここでは高周波送信信号）を増幅し、マルチプレクサ１を経由してアンテナ素子２に出力する送信増幅回路である。
ローノイズアンプ回路４２は、アンテナ素子２、マルチプレクサ１を経由した高周波信号（ここでは高周波受信信号）を増幅し、ＲＦ信号処理回路３へ出力する受信増幅回路である。
ＲＦ信号処理回路３は、アンテナ素子２から受信信号経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をベースバンド信号処理回路４へ出力する。また、ＲＦ信号処理回路３は、ベースバンド信号処理回路４から入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号をパワーアンプ回路４１へ出力する。ＲＦ信号処理回路３は、例えば、ＲＦＩＣである。
ベースバンド信号処理回路４で処理された信号は、例えば、画像信号として画像表示のために、または、音声信号として通話のために使用される。
なお、高周波フロントエンド回路５は、上述した各構成要素の間に、他の回路素子を備えていてもよい。
上記構成によれば、マルチプレクサ１を備えることにより、受信側フィルタ１０Ａの通過帯域の高周波側近傍における減衰量を改善でき、送信側フィルタ２０Ａの挿入損失の劣化を抑制されるため、マルチプレクサ１の通過特性が改善された高周波フロントエンド回路５および通信装置６を提供できる。
なお、通信装置６は、高周波信号の処理方式に応じて、ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）４を備えていなくてもよい。
また、高周波フロントエンド回路５が有するマルチプレクサ１は、３以上のフィルタを備えたトリプレクサ、クワッドプレクサ、または、ヘキサプレクサなどであってもよい。その場合には、マルチプレクサとパワーアンプ回路４１およびローノイズアンプ回路４２との間に、適宜、スイッチ回路が配置される。
（その他の変形例など）
以上、実施の形態１に係る弾性波フィルタ１０、実施の形態２に係るマルチプレクサ１、ならびに実施の形態３に係る高周波フロントエンド回路５および通信装置６について、実施の形態を挙げて説明したが、本発明は、上述した実施の形態には限定されない。例えば、上述した実施の形態に変形を施した態様も、本発明に含まれ得る。
例えば、実施の形態２では、受信側フィルタ１０Ａ（第１フィルタ）の受信通過帯域が低周波側であり、送信側フィルタ２０Ａ（第２フィルタ）の送信通過帯域が高周波側である構成を説明したが、第１フィルタおよび第２フィルタの通過帯域の高低は逆であってもよい。この場合であっても、第１フィルタの通過帯域の高周波側近傍の減衰帯域の減衰量を改善することが可能である。
本発明は、通過帯域内の低損失および通過帯域外の高減衰が要求される無線通信端末のフロントエンドに使用される送受信フィルタおよびマルチプレクサとして広く利用できる。
１ マルチプレクサ
２ アンテナ素子
３ ＲＦ信号処理回路
４ ベースバンド信号処理回路
５ 高周波フロントエンド回路
６ 通信装置
１０、５１０ 弾性波フィルタ
１０Ａ 受信側フィルタ
１１、５１１ 縦結合共振部
２０Ａ 送信側フィルタ
３０ インダクタ
４１ パワーアンプ回路
４２ ローノイズアンプ回路
５０Ｈ１、５０Ｈ２、６０Ｈ１、６０Ｈ２ 信号配線
５０ＧＣ、５０ＧＲ、６０ＧＣ グランド配線
５１、５２、５３、５４、５５ ＩＤＴ電極
５６Ｌ、５６Ｒ 反射器
７０ 基板
７１ 圧電単結晶基板
８０ 誘電体層
１００ アンテナ端子
１１０、１２０、１６０ 入出力端子
１３０、１４０、１５０ グランド端子
１７０ 共通端子
２００ 弾性波共振子
２００ａ、２００ｂ 電極指
２０１ａ、２０１ｂ 櫛形電極
２０２ａ、２０２ｂ バスバー電極
２５０ ＩＤＴ電極
２５０ａ 密着層
２５０ｂ 主電極層
２５１ 高音速支持基板
２５２ 低音速膜
２５３ 圧電膜
２５５ 保護層
ｐ１、ｐ２ 並列腕共振子
ｓ１、ｓ２ 直列腕共振子

Claims (7)

  1. 圧電性を有する基板と、
    前記基板上に形成された第１入出力端子および第２入出力端子と、
    前記基板上に形成され、当該基板上で互いに分離された第１グランド端子および第２グランド端子と、
    前記基板上であって、前記第１入出力端子と前記第２入出力端子とを結ぶ経路上に配置された縦結合共振部と、を備え、
    前記縦結合共振部は、前記基板上を所定の弾性波が伝搬する方向に並んで配置された３以上のＩＤＴ電極を有し、
    前記３以上のＩＤＴ電極のそれぞれは、前記方向と交差する方向に延びる複数の電極指と当該複数の電極指を構成する電極指の一方端同士を接続するバスバー電極とで構成された櫛形電極を一対有し、
    前記一対の櫛形電極は、前記複数の電極指が互いに間挿し合うように対向しており、前記一対の櫛形電極の一方は前記経路に接続されており、
    前記３以上のＩＤＴ電極のうち、前記第２入出力端子に最も近い位置で配置されたＩＤＴ電極である第１ＩＤＴ電極が有する前記一対の櫛形電極の他方は、前記基板上で前記第２グランド端子に接続されており、
    前記３以上のＩＤＴ電極のうち前記第１ＩＤＴ電極を除く全てのＩＤＴ電極のそれぞれが有する前記一対の櫛形電極の他方は、前記基板上で前記第１グランド端子に接続されている、
    弾性波フィルタ。
  2. 前記第１ＩＤＴ電極が有する前記一対の櫛形電極の一方は、前記第１入出力端子および前記第２入出力端子のうちの前記第１入出力端子側の経路に接続されており、
    前記３以上のＩＤＴ電極のうち、前記第１ＩＤＴ電極の次に前記第２入出力端子に近い位置で配置されたＩＤＴ電極である第２ＩＤＴ電極が有する前記一対の櫛形電極の一方と、前記第２入出力端子とを接続する配線は、前記第１ＩＤＴ電極が有する前記一対の櫛形電極の他方と前記第２グランド端子とを接続する配線、および、前記３以上のＩＤＴ電極のうち前記第１ＩＤＴ電極を除くＩＤＴ電極が有する前記一対の櫛形電極の他方と前記第１グランド端子とを接続する配線と重ならない、
    請求項１に記載の弾性波フィルタ。
  3. さらに、
    前記経路上に配置された、１以上の直列腕共振子と、
    前記経路上のノードとグランドとの間に配置された１以上の並列腕共振子と、を備える、
    請求項１または２に記載の弾性波フィルタ。
  4. 共通端子、第１端子および第２端子と、
    前記共通端子と前記第１端子との間に接続された第１フィルタと、
    前記共通端子と前記第２端子との間に接続された第２フィルタと、を備え、
    前記第１フィルタは、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波フィルタであり、
    前記第２フィルタの通過帯域は、前記第１フィルタの通過帯域よりも高周波側にある、
    マルチプレクサ。
  5. 前記第２フィルタは、前記基板上に形成された送信側フィルタであり、
    前記第１フィルタは、受信側フィルタであり、
    前記共通端子は、前記第１入出力端子であり、
    前記第１端子は、前記第２入出力端子である、
    請求項４に記載のマルチプレクサ。
  6. 請求項４または５に記載のマルチプレクサと、
    前記マルチプレクサに接続された増幅回路と、を備える、
    高周波フロントエンド回路。
  7. アンテナ素子で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、
    前記アンテナ素子と前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する請求項６に記載の高周波フロントエンド回路と、を備える、
    通信装置。
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