KR20220020975A - 탄성파 필터 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 7
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 55
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 55
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 36
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 36
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 31
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 31
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 12
- 238000013461 design Methods 0.000 description 12
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 9
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101150008545 FAS1 gene Proteins 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100447178 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) frp1 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100447180 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) frp2 gene Proteins 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 101150078221 fas2 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 101100258769 Caenorhabditis elegans fars-3 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150052705 fap1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 steatite Chemical compound 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
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- H03H9/14541—Multilayer finger or busbar electrode
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
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- H03H9/02992—Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
- H03H9/14552—Transducers of particular shape or position comprising split fingers
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
- H03H9/1457—Transducers having different finger widths
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- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6483—Ladder SAW filters
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Abstract
탄성파 필터(1)는 IDT 전극을 가지는 탄성파 공진자로 이루어지는 직렬암 공진자(s1 및 s2)와 병렬암 공진자(p1 및 p2)를 포함하고, IDT 전극은 복수개의 전극지와 버스바 전극으로 구성된 빗형 전극을 한 쌍 가지며, 상기 복수개의 전극지 중 한 쌍의 빗형 전극을 구성하는 어느 버스바 전극과도 접속되지 않는 전극지를 플로팅 솎아냄 전극으로 정의하고, 한 쌍의 빗형 전극을 구성하는 모든 전극지 중 양 옆의 전극지가 접속된 버스바 전극과 동일한 버스바 전극에 접속된 전극지를 극성 반전 솎아냄 전극으로 정의한 경우, 직렬암 공진자 중에서 반공진 주파수(fas)가 가장 낮은 직렬암 공진자(s1)는 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가지며, 직렬암 공진자(s2)는 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가진다.
Description
본 발명은 탄성파 필터에 관한 것이다.
통신기기 등의 고주파 회로에 사용되는 대역 필터로서 탄성파 필터가 실용화되어 있다. 무선통신을 위한 주파수 자원을 유효하게 활용한다는 관점에서, 휴대전화기 등의 통신 대역으로서 많은 주파수 대역이 할당되기 때문에, 인접하는 주파수 대역의 간격은 좁아지고 있다. 이 주파수 대역의 할당 상황에 비추어 보아, 탄성파 필터에서는 통과 대역 단부(端部)에서의 통과 대역으로부터 감쇠 대역으로의 삽입 손실의 변화율(이후, 급준성(急峻性)으로 기재함)이 중요한 성능 지표가 되어 있다.
특허문헌 1에는 복수개의 직렬암(serial arm) 공진자 및 복수개의 병렬암(parallel arm) 공진자를 가지는 래더(ladder)형 탄성파 필터에서, 직렬암 공진자 및 병렬암 공진자 중 적어도 하나를 구성하는 IDT(InterDigital Transducer) 전극이 솎아냄 전극(thinned electrode)을 포함하는 구성이 개시되어 있다. 이 구성에 따르면, 통과 대역에서의 급준성을 향상시킬 수 있다.
그러나 솎아냄 전극의 전극지(電極指) 구조에 의해, 상기 솎아냄 전극을 포함하는 탄성파 공진자의 공진 대역 폭(공진 주파수와 반공진 주파수의 주파수 차), 공진점 및 반공진점에서의 공진 Q값의 변화 양태가 다르다. 이 때문에, IDT 전극의 일부에 솎아냄 전극을 이용하여 탄성파 필터를 형성하는 경우, 통과 대역에서의 급준성과 통과 대역에서의 저손실성을 양립시키는 것은 곤란하다.
따라서, 본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 통과 대역에서의 저손실성을 확보하면서 급준성이 향상된 탄성파 필터를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 한 양태에 따른 탄성파 필터는 제1 입출력 단자 및 제2 입출력 단자와, 상기 제1 입출력 단자와 상기 제2 입출력 단자를 잇는 경로 상에 배치된 복수개의 직렬암 공진자와, 상기 경로 상의 노드와 그라운드 사이에 배치된 1개 이상의 병렬암 공진자를 포함하고, 상기 복수개의 직렬암 공진자 및 상기 1개 이상의 병렬암 공진자 각각은 압전성을 가지는 기판 상에 형성된 IDT(InterDigital Transducer) 전극을 가지는 탄성파 공진자를 포함하며, 상기 IDT 전극은 탄성파 전파 방향과 교차하는 방향으로 연장되고 서로 평행하게 배치된 복수개의 전극지와, 상기 복수개의 전극지를 구성하는 전극지의 일방단(一方端)끼리를 접속하는 버스바(busbar) 전극으로 구성된 빗형 전극을 한 쌍 가지며, 상기 복수개의 전극지 중, 상기 한 쌍의 빗형 전극을 구성하는 어느 상기 버스바 전극과도 접속되지 않은 전극지를 플로팅 솎아냄 전극(floating thinned electrode)으로 정의하고, 상기 한 쌍의 빗형 전극을 구성하는 모든 전극지 중, 양 옆의 전극지가 접속된 버스바 전극과 동일한 버스바 전극에 접속된 전극지를 극성 반전 솎아냄 전극으로 정의한 경우, 상기 복수개의 직렬암 공진자 중, 반공진 주파수가 가장 낮은 제1 직렬암 공진자는 상기 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가지며, 상기 복수개의 직렬암 공진자 중, 상기 제1 직렬암 공진자를 제외한 1개 이상의 직렬암 공진자 중 적어도 하나는 상기 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가진다.
본 발명에 따르면, 통과 대역에서의 저손실성을 확보하면서 급준성이 향상된 탄성파 필터를 제공하는 것이 가능해진다.
도 1은 실시형태에 따른 탄성파 필터의 회로 구성도이다.
도 2a는 실시형태에 따른 탄성파 공진자의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도 및 단면도이다.
도 2b는 실시형태의 변형예 1에 따른 탄성파 공진자를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 래더형 탄성파 필터의 기본적인 동작 원리를 설명하는 회로 구성도 및 주파수 특성을 나타내는 그래프이다.
도 4는 실시형태에 따른 탄성파 필터의 통과 특성 및 직렬암 공진자의 임피던스 특성을 나타내는 그래프이다.
도 5a는 탄성파 필터에서의 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극의 구성을 나타내는 개략 평면도이다.
도 5b는 탄성파 필터에서의 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극의 구성을 나타내는 개략 평면도이다.
도 5c는 탄성파 필터에서의 필링(filling) 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극의 구성을 나타내는 개략 평면도이다.
도 6a는 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 탄성파 공진자의, 솎아냄률을 변화시킨 경우의 임피던스 및 Q값을 나타내는 그래프이다.
도 6b는 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 탄성파 공진자의, 솎아냄률을 변화시킨 경우의 임피던스 및 Q값을 나타내는 그래프이다.
도 6c는 필링 솎아냄 전극을 포함하는 탄성파 공진자의, 솎아냄률을 변화시킨 경우의 임피던스 및 Q값을 나타내는 그래프이다.
도 7은 탄성파 공진자의 솎아냄률을 변화시킨 경우의 공진점 및 반공진점에서의 반사 손실을 나타내는 그래프이다.
도 8은 실시예에 따른 탄성파 필터의 회로 구성도이다.
도 9는 실시예에 따른 탄성파 필터의 통과 특성 및 직렬암 공진자의 임피던스 특성을 나타내는 그래프이다.
도 10은 실시예, 비교예 1 및 비교예 2에 따른 탄성파 필터의 통과 대역에서의 삽입 손실을 비교한 그래프이다.
도 2a는 실시형태에 따른 탄성파 공진자의 일례를 모식적으로 나타내는 평면도 및 단면도이다.
도 2b는 실시형태의 변형예 1에 따른 탄성파 공진자를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 래더형 탄성파 필터의 기본적인 동작 원리를 설명하는 회로 구성도 및 주파수 특성을 나타내는 그래프이다.
도 4는 실시형태에 따른 탄성파 필터의 통과 특성 및 직렬암 공진자의 임피던스 특성을 나타내는 그래프이다.
도 5a는 탄성파 필터에서의 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극의 구성을 나타내는 개략 평면도이다.
도 5b는 탄성파 필터에서의 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극의 구성을 나타내는 개략 평면도이다.
도 5c는 탄성파 필터에서의 필링(filling) 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극의 구성을 나타내는 개략 평면도이다.
도 6a는 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 탄성파 공진자의, 솎아냄률을 변화시킨 경우의 임피던스 및 Q값을 나타내는 그래프이다.
도 6b는 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 탄성파 공진자의, 솎아냄률을 변화시킨 경우의 임피던스 및 Q값을 나타내는 그래프이다.
도 6c는 필링 솎아냄 전극을 포함하는 탄성파 공진자의, 솎아냄률을 변화시킨 경우의 임피던스 및 Q값을 나타내는 그래프이다.
도 7은 탄성파 공진자의 솎아냄률을 변화시킨 경우의 공진점 및 반공진점에서의 반사 손실을 나타내는 그래프이다.
도 8은 실시예에 따른 탄성파 필터의 회로 구성도이다.
도 9는 실시예에 따른 탄성파 필터의 통과 특성 및 직렬암 공진자의 임피던스 특성을 나타내는 그래프이다.
도 10은 실시예, 비교예 1 및 비교예 2에 따른 탄성파 필터의 통과 대역에서의 삽입 손실을 비교한 그래프이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해 실시예 및 변형예를 이용하여 상세하게 설명한다. 한편, 이하에서 설명하는 실시형태는 모두 포괄적 또는 구체적인 예를 나타내는 것이다. 이하의 실시형태에서 나타내지는 수치, 형상, 재료, 구성 요소, 구성 요소의 배치 및 접속 형태 등은 일례이며, 본 발명을 한정하는 주지가 아니다. 이하의 실시형태에서의 구성 요소 중 독립 청구항에 기재되지 않은 구성 요소에 대해서는 임의의 구성 요소로서 설명된다. 또한, 도면에 나타내지는 구성 요소의 크기 또는 크기의 비는 반드시 엄밀하지는 않다.
(실시형태)
[1 탄성파 필터(1)의 회로 구성]
도 1은 실시형태에 따른 탄성파 필터(1)의 회로 구성도이다. 동도면에 나타내는 바와 같이, 탄성파 필터(1)는 직렬암 공진자(s1 및 s2)와 병렬암 공진자(p1 및 p2)와 입출력 단자(110 및 120)를 포함한다.
직렬암 공진자(s1 및 s2) 각각은 입출력 단자(110)(제1 입출력 단자)와 입출력 단자(120)(제2 입출력 단자)를 잇는 경로 상에 배치되고, 서로 직렬 접속되어 있다. 또한, 병렬암 공진자(p1 및 p2) 각각은 상기 경로 상의 노드와 그라운드 사이에 배치되어 있다.
한편, 직렬암 공진자의 배치 수는 3개 이상이어도 된다. 또한, 병렬암 공진자의 배치 수는 1개 이상이면 된다.
또한, 직렬암 공진자(s1 및 s2), 병렬암 공진자(p1 및 p2), 입출력 단자(110 및 120), 그리고 그라운드 사이에 인덕터 및 커패시터 등의 회로 소자, 그리고 종결합형 공진기 등이 삽입되어 있어도 된다.
상기 구성에 의해, 탄성파 필터(1)는 래더형 밴드패스 필터를 구성한다.
이하에서는 탄성파 필터(1)를 구성하는 직렬암 공진자 및 병렬암 공진자의 기본 구조에 대해 설명한다.
[2 탄성파 공진자의 구조]
도 2a는 실시형태에 따른 탄성파 공진자의 일례를 모식적으로 나타내는 개략도이며, (a)는 평면도, (b) 및 (c)는 (a)에 나타낸 일점쇄선에서의 단면도이다. 도 2a에는 탄성파 필터(1)를 구성하는 직렬암 공진자 및 병렬암 공진자의 기본 구조를 가지는 탄성파 공진자(100)가 예시되어 있다. 한편, 도 2a에 나타내진 탄성파 공진자(100)는 탄성파 공진자의 전형적인 구조를 설명하기 위한 것으로, 전극을 구성하는 전극지의 개수 및 길이 등은 이에 한정되지 않는다.
탄성파 공진자(100)는 압전성을 가지는 기판(5)과 빗형 전극(100a 및 100b)으로 구성되어 있다.
도 2a의 (a)에 나타내는 바와 같이, 기판(5) 상에는 서로 대향하는 한 쌍의 빗형 전극(100a 및 100b)이 형성되어 있다. 빗형 전극(100a)은 서로 평행한 복수개의 전극지(150a)와, 복수개의 전극지(150a)를 접속하는 버스바 전극(160a)으로 구성되어 있다. 또한, 빗형 전극(100b)은 서로 평행한 복수개의 전극지(150b)와, 복수개의 전극지(150b)를 접속하는 버스바 전극(160b)으로 구성되어 있다. 복수개의 전극지(150a 및 150b)는 탄성파 전파 방향(X축 방향)과 직교하는 방향을 따라 형성되어 있다.
또한, 복수개의 전극지(150a 및 150b), 그리고 버스바 전극(160a 및 160b)으로 구성되는 IDT(InterDigital Transducer) 전극(54)은 도 2a의 (b)에 나타내는 바와 같이, 밀착층(540)과 메인 전극층(542)의 적층 구조로 되어 있다.
밀착층(540)은 기판(5)과 메인 전극층(542)의 밀착성을 향상시키기 위한 층이며, 재료로서 예를 들면, Ti이 사용된다. 밀착층(540)의 막 두께는 예를 들면, 12㎚이다.
메인 전극층(542)은 재료로서 예를 들면, Cu를 1% 함유한 Al이 사용된다. 메인 전극층(542)의 막 두께는 예를 들면 162㎚이다.
보호층(55)은 빗형 전극(100a 및 100b)을 덮도록 형성되어 있다. 보호층(55)은 메인 전극층(542)을 외부 환경으로부터 보호하고, 주파수 온도 특성을 조정하며, 내습성을 높이는 것 등을 목적으로 하는 층이며, 예를 들면, 이산화규소를 주성분으로 하는 유전체막이다. 보호층(55)의 두께는 예를 들면 25㎚이다.
한편, 밀착층(540), 메인 전극층(542) 및 보호층(55)을 구성하는 재료는 상술한 재료에 한정되지 않는다. 더욱이, IDT 전극(54)은 상기 적층 구조가 아니어도 된다. IDT 전극(54)은 예를 들면, Ti, Al, Cu, Pt, Au, Ag, Pd 등의 금속 또는 합금으로 구성되어도 되고, 또한 상기의 금속 또는 합금으로 구성되는 복수개의 적층체로 구성되어도 된다. 또한, 보호층(55)은 형성되지 않아도 된다.
다음으로, 기판(5)의 적층 구조에 대해 설명한다.
도 2a의 (c)에 나타내는 바와 같이, 기판(5)은 고음속 지지 기판(51)과 저음속막(52)과 압전막(53)을 포함하고, 고음속 지지 기판(51), 저음속막(52) 및 압전막(53)이 이 순서로 적층된 구조를 가진다.
압전막(53)은 50 °Y컷 X전파 LiTaO3 압전 단결정 또는 압전 세라믹스(X축을 중심축으로 하여 Y축으로부터 50° 회전한 축을 법선으로 하는 면으로 절단한 리튬탄탈레이트 단결정, 또는 세라믹스로서, X축 방향으로 탄성 표면파가 전파되는 단결정 또는 세라믹스)로 이루어진다. 압전막(53)은 예를 들면, 두께가 600㎚이다. 한편, 각 필터의 요구 사양에 따라, 압전막(53)으로 사용되는 압전 단결정의 재료 및 커트 각이 적절히 선택된다.
고음속 지지 기판(51)은 저음속막(52), 압전막(53) 및 IDT 전극(54)을 지지하는 기판이다. 고음속 지지 기판(51)은 또한 압전막(53)을 전파하는 표면파 및 경계파 등의 탄성파보다도 고음속 지지 기판(51) 중의 벌크파의 음속이 고속인 기판이며, 탄성 표면파를 압전막(53) 및 저음속막(52)이 적층되어 있는 부분에 가두고, 고음속 지지 기판(51)보다 하방으로 누설되지 않도록 기능한다. 고음속 지지 기판(51)은 예를 들면 실리콘 기판이며, 두께는 예를 들면 200㎛이다.
저음속막(52)은 압전막(53)을 전파하는 벌크파보다도 저음속막(52) 중의 벌크파의 음속이 저속인 막이며, 압전막(53)과 고음속 지지 기판(51) 사이에 배치된다. 이 구조와, 탄성파가 본질적으로 저음속인 매질에 에너지가 집중된다는 성질에 의해, 탄성 표면파 에너지의 IDT 전극 밖으로의 누설이 억제된다. 저음속막(52)은 예를 들면, 이산화규소를 주성분으로 하는 막이며, 두께는 예를 들면 670㎚이다.
한편, 기판(5)의 상기 적층 구조에 따르면, 압전 기판을 단층으로 사용하고 있는 종래의 구조와 비교하여, 공진 주파수 및 반공진 주파수에서의 Q값을 대폭적으로 높이는 것이 가능해진다. 즉, Q값이 높은 탄성파 공진자를 구성할 수 있으므로, 상기 탄성파 공진자를 이용하여 삽입 손실이 작은 필터를 구성하는 것이 가능해진다.
또한, 탄성파 필터(1)의 통과 대역 단부의 급준성을 개선하기 위해, 후술하는 바와 같이, 탄성파 공진자에 솎아냄 전극이 적용되면, 탄성파 공진자의 Q값이 등가적으로 작아지는 경우가 상정된다. 이에 반해, 상기 기판의 적층 구조에 따르면, 탄성파 공진자(100)의 Q값을 높은 값으로 유지할 수 있다. 따라서, 통과 대역 내의 저손실이 유지된 탄성파 필터(1)를 형성하는 것이 가능해진다.
한편, 고음속 지지 기판(51)은 지지 기판과, 압전막(53)을 전파하는 표면파 및 경계파 등의 탄성파보다도 전파하는 벌크파의 음속이 고속인 고음속막이 적층된 구조를 가지고 있어도 된다. 이 경우, 지지 기판에는 사파이어, 리튬탄탈레이트, 리튬니오베이트, 및 수정 등의 압전체, 알루미나, 마그네시아, 질화규소, 질화알루미늄, 탄화규소, 지르코니아, 코디에라이트, 멀라이트, 스테아타이트, 및 포스테라이트 등의 각종 세라믹, 유리 등의 유전체, 실리콘 및 질화갈륨 등의 반도체, 그리고 수지 기판 등을 사용할 수 있다. 또한, 고음속막에는 질화알루미늄, 산화알루미늄, 탄화규소, 질화규소, 산질화규소, DLC막, 다이아몬드, 이들 재료를 주성분으로 하는 매질, 이들 재료의 혼합물을 주성분으로 하는 매질 등, 다양한 고음속 재료를 사용할 수 있다.
또한, 도 2b는 실시형태의 변형예 1에 따른 탄성파 공진자를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 2a에 나타낸 탄성파 공진자(100)에서는 IDT 전극(54)이 압전막(53)을 가지는 기판(5) 상에 형성된 예를 나타냈지만, 상기 IDT 전극(54)이 형성되는 기판은 도 2b에 나타내는 바와 같이, 압전체층의 단층으로 이루어지는 압전 단결정 기판(57)이어도 된다. 압전 단결정 기판(57)은 예를 들면, LiNbO3의 압전 단결정으로 구성되어 있다. 본 변형예에 따른 탄성파 공진자(100)는 LiNbO3의 압전 단결정 기판(57)과, IDT 전극(54)과, 압전 단결정 기판(57) 상 및 IDT 전극(54) 상에 형성된 보호층(55)으로 구성되어 있다.
상술한 압전막(53) 및 압전 단결정 기판(57)은 탄성파 필터 장치의 요구 통과 특성 등에 따라, 적절히 적층 구조, 재료, 커트 각, 및 두께를 변경해도 된다. 상술한 커트 각 이외의 커트 각을 가지는 LiTaO3 압전 기판 등을 사용한 탄성파 공진자(100)이어도, 상술한 압전막(53)을 사용한 탄성파 공진자(100)와 동일한 효과를 발휘할 수 있다.
또한, IDT 전극(54)이 형성되는 기판은, 지지 기판과 에너지 가둠층과 압전막이 이 순서로 적층된 구조를 가지고 있어도 된다. 압전막 상에 IDT 전극(54)이 형성된다. 압전막은 예를 들면, LiTaO3 압전 단결정 또는 압전 세라믹스가 사용된다. 지지 기판은 압전막, 에너지 가둠층, 및 IDT 전극(54)을 지지하는 기판이다.
에너지 가둠층은 1층 또는 복수개의 층으로 이루어지고, 그 중 적어도 하나의 층을 전파하는 탄성 벌크파의 속도는 압전막 근방을 전파하는 탄성파의 속도보다도 크다. 예를 들면, 저음속층과 고음속층의 적층 구조로 되어 있어도 된다. 저음속층은 압전막을 전파하는 탄성파의 음속보다도 저음속층 중의 벌크파의 음속이 저속인 막이다. 고음속층은 압전막을 전파하는 탄성파의 음속보다도 고음속층 중의 벌크파의 음속이 고속인 막이다. 한편, 지지 기판을 고음속층으로 해도 된다.
또한, 에너지 가둠층은 음향 임피던스가 상대적으로 낮은 저음향 임피던스층과, 음향 임피던스가 상대적으로 높은 고음향 임피던스층이 교대로 적층된 구성을 가지는 음향 임피던스층이어도 된다.
여기서, 탄성파 공진자(100)를 구성하는 IDT 전극의 전극 파라미터의 일례(실시예)에 대해 설명한다.
탄성파 공진자의 파장이란, 도 2a의 (b)에 나타내는 IDT 전극(54)을 구성하는 복수개의 전극지(150a 또는 150b)의 반복 주기인 파장(λ)으로 규정된다. 또한, 전극 피치는 파장(λ)의 1/2이며, 빗형 전극(100a 및 100b)을 구성하는 전극지(150a 및 150b)의 라인 폭을 W로 하고, 서로 이웃하는 전극지(150a)와 전극지(150b) 사이의 스페이스 폭을 S로 한 경우, (W+S)로 정의된다. 또한, 한 쌍의 빗형 전극(100a 및 100b)의 교차 폭(L)은 도 2a의 (a)에 나타내는 바와 같이, 전극지(150a)와 전극지(150b)의 탄성파 전파 방향(X축 방향)에서 본 경우의 중복되는 전극지의 길이이다. 또한, 각 탄성파 공진자의 전극 듀티는 복수개의 전극지(150a 및 150b)의 라인 폭 점유율이고, 복수개의 전극지(150a 및 150b)의 라인 폭과 스페이스 폭의 가산값에 대한 상기 라인 폭의 비율이며, W/(W+S)로 정의된다. 또한, 빗형 전극(100a 및 100b)의 높이를 h로 했다. 이후에서는 파장(λ), 교차 폭(L), 전극 듀티, IDT 전극(54)의 높이(h) 등, 탄성파 공진자의 IDT 전극의 형상에 관한 파라미터는 전극 파라미터로 정의된다.
[3 탄성파 필터의 동작 원리]
다음으로, 본 실시형태에 따른 래더형 탄성파 필터의 동작 원리에 대해 설명한다.
도 3은 래더형 탄성파 필터의 기본적인 동작 원리를 설명하는 회로 구성도 및 주파수 특성을 나타내는 그래프이다.
도 3의 (a)에 나타내진 탄성파 필터는 하나의 직렬암 공진자(16) 및 하나의 병렬암 공진자(26)로 구성된 기본적인 래더형 필터이다. 도 3의 (b)에 나타내는 바와 같이, 병렬암 공진자(26)는 공진 특성에서 공진 주파수(frp) 및 반공진 주파수(fap(＞frp))를 가진다. 또한, 직렬암 공진자(16)는 공진 특성에서 공진 주파수(frs) 및 반공진 주파수(fas(＞frs＞frp))를 가진다.
래더형 탄성파 공진자를 이용하여 밴드패스 필터를 구성함에 있어, 일반적으로는 병렬암 공진자(26)의 반공진 주파수(fap)와 직렬암 공진자(16)의 공진 주파수(frs)를 근접시킨다. 이로써, 병렬암 공진자(26)의 임피던스가 0에 가까워지는 공진 주파수(frp) 근방은 저주파 측 저지역(沮止域)이 된다. 또한, 이보다 주파수가 증가하면, 반공진 주파수(fap) 근방에서 병렬암 공진자(26)의 임피던스가 높아지면서 공진 주파수(frs) 근방에서 직렬암 공진자(16)의 임피던스가 0에 가까워진다. 이로써, 반공진 주파수(fap)~공진 주파수(frs) 근방에서는 입출력 단자(110)로부터 입출력 단자(120)로의 신호 경로에서 신호 통과역이 된다. 이로써, 탄성파 공진자의 전극 파라미터 및 전기기계 결합 계수를 반영한 통과 대역을 형성하는 것이 가능해진다. 더욱이, 주파수가 높아지고 반공진 주파수(fas) 근방이 되면, 직렬암 공진자(16)의 임피던스가 높아져, 고주파 측 저지역이 된다.
상기 동작 원리를 가지는 탄성파 필터에서 입출력 단자(110)로부터 고주파 신호가 입력되면, 입출력 단자(110)와 기준 단자 사이에서 전위 차가 생기고, 이로써, 압전체층이 일그러짐으로써 탄성 표면파가 발생한다. 여기서, IDT 전극(54)의 파장(λ)과 통과 대역의 파장을 대략 일치시켜 둠으로써, 통과시키고자 하는 주파수 성분을 가지는 고주파 신호만이 상기 탄성파 필터를 통과한다.
한편, 병렬암 공진자 및 직렬암 공진자로 구성되는 공진 단의 단수는 요구 사양에 따라 적절히 최적화된다. 일반적으로, 복수개의 공진 단으로 탄성파 필터가 구성되는 경우에는 복수개의 병렬암 공진자의 반공진 주파수(fap) 및 복수개의 직렬암 공진자의 공진 주파수(frs)를 통과 대역 내 또는 그 근방에 배치한다. 또한, 복수개의 병렬암 공진자의 공진 주파수(frp)를 저주파 측 저지역에 배치하고, 복수개의 직렬암 공진자의 반공진 주파수(fas)를 고주파 측 저지역에 배치한다.
래더형 탄성파 필터의 상기 동작 원리에 따르면, 통과 특성에서의 통과 대역의 저주파 측 단부의 급준성은 복수개의 병렬암 공진자의 공진 주파수(frp)와 반공진 주파수(fap)의 주파수 차(공진 대역 폭)에 강하게 의존한다. 즉, 복수개의 병렬암 공진자의 공진 대역 폭이 작을수록 공진 주파수(frp)와 반공진 주파수(fap)를 잇는 직선의 경사는(수평선에 대하여) 커지기 때문에, 통과 특성에서의 통과 대역의 저주파 측 단부의 급준성은 높아진다. 또한, 통과 특성에서의 통과 대역의 고주파 측 단부의 급준성은 복수개의 직렬암 공진자의 공진 주파수(frs)와 반공진 주파수(fas)의 주파수 차(공진 대역 폭)에 강하게 의존한다. 즉, 복수개의 직렬암 공진자의 공진 대역 폭이 작을수록 공진 주파수(frs)와 반공진 주파수(fas)를 잇는 직선의 경사는(수평선에 대하여) 커지기 때문에, 통과 특성에서의 통과 대역의 고주파 측 단부의 급준성은 높아진다.
또한, 통과 대역 내의 삽입 손실은 복수개의 병렬암 공진자의 반공진 주파수(fap)에서의 Q값 및 복수개의 직렬암 공진자의 공진 주파수(frs)에서의 Q값에 강하게 의존한다. 즉, 복수개의 병렬암 공진자의 반공진 주파수(fap)에서의 Q값이 높을수록 통과 대역 내의 삽입 손실은 저감되고, 복수개의 직렬암 공진자의 공진 주파수(frs)에서의 Q값이 높을수록 통과 대역 내의 삽입 손실은 저감된다.
상술한 기본적인 탄성파 필터의 동작 원리에 따르면, 본 실시형태에 따른 탄성파 필터(1)의 통과 대역의 삽입 손실 및 급준성은 직렬암 공진자(s1, s2) 및 병렬암 공진자(p1, p2) 각각의 공진 주파수, 반공진 주파수, 공진 대역 폭, 및 Q값을 조정함으로써 결정된다.
[4 실시형태에 따른 탄성파 필터(1)의 공진 특성 및 통과 특성]
도 4는 실시형태에 따른 탄성파 필터(1)의 통과 특성 및 직렬암 공진자(s1 및 s2)의 임피던스 특성을 나타내는 그래프이다. 한편, 도 4에는 병렬암 공진자(p1 및 p2)의 임피던스 특성은 도시되어 있지 않다.
본 실시형태에 따른 탄성파 필터(1)에서, 임피던스가 극소인 병렬암 공진자(p1)의 공진 주파수(frp1) 및 병렬암 공진자(p2)의 공진 주파수(frp2)는 저주파 측 저지역에 위치한다. 또한, 임피던스가 극대인 병렬암 공진자(p1)의 반공진 주파수(fap1) 및 병렬암 공진자(p2)의 반공진 주파수(fap2), 그리고 임피던스가 극소인 직렬암 공진자(s1)의 공진 주파수(frs1) 및 직렬암 공진자(s2)의 공진 주파수(frs2)는 통과 대역의 신호 통과역에 위치한다. 또한, 임피던스가 극대인 직렬암 공진자(s1)의 반공진 주파수(fas1) 및 직렬암 공진자(s2)의 반공진 주파수(fas2)는 고주파 측 저지역에 위치한다.
여기서, 직렬암 공진자(s1)의 반공진 주파수(fas1)는 직렬암 공진자(s2)의 반공진 주파수(fas2)보다도 낮다. 즉, 탄성파 필터(1)를 구성하는 복수개의 직렬암 공진자 중 직렬암 공진자(s1)(제1 직렬암 공진자)는 반공진 주파수(fas)가 가장 낮다. 또한, 직렬암 공진자(s1)는 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가진다.
한편, 탄성파 필터(1)를 구성하는 복수개의 직렬암 공진자 중 직렬암 공진자(s2)는 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가진다.
한편, 상기 "탄성파 필터(1)를 구성하는 복수개의 직렬암 공진자"란 탄성파 필터(1)의 통과 대역을 형성하기 위한 직렬암 공진자이며, 통과 대역으로부터 떨어진 대역에서 감쇠극을 형성하기 위해서만 배치된 직렬암 공진자를 포함하지 않는다. 구체적으로는 탄성파 필터(1)를 구성하는 복수개의 직렬암 공진자란, 공진 주파수(frs)가 탄성파 필터(1)의 통과 대역 내 또는 그 근방에 위치하는 직렬암 공진자에 한정된다.
또한, 플로팅 솎아냄 전극 및 극성 반전 솎아냄 전극으로 예시되는 솎아냄 전극의 전극지 구성에 대해서는 도 5a~5c를 이용하여 후술하고, 상기 솎아냄 전극의 공진 특성에 대해서는 도 6a~6c를 이용하여 후술한다.
복수개의 직렬암 공진자와 1개 이상의 병렬암 공진자로 구성된 래더형 탄성파 필터에서, 통과 대역 단부의 급준성을 향상시키기 위해, 각 공진자를 구성하는 IDT 전극에 이른바 솎아냄 전극이 적용된다.
본 실시형태에 따른 탄성파 필터(1)에서, 통과 대역 고주파 측 단부의 급준성은 직렬암 공진자(s1 및 s2)의 반공진 주파수(fas) 근방의 공진 특성이 크게 영향을 준다. 통과 대역 단부의 급준성을 개선하기 위해 직렬암 공진자(s1 및 s2)의 IDT 전극에 솎아냄 전극을 적용하는 경우, 솎아냄 전극의 전극지 구조에 따라 공진 대역 폭, 그리고 공진점 및 반공진점에서의 공진 Q값의 변화 양태가 다르다. 플로팅 솎아냄 전극 및 극성 반전 솎아냄 전극 모두 솎아냄률의 증가에 따라 공진 대역 폭(비대역)이 좁아진다. 또한, 플로팅 솎아냄 전극은 솎아냄률의 증가에 따라 공진점의 Q값 저하가 크지만 반공진점의 Q값 저하가 작다. 한편, 극성 반전 솎아냄 전극은 솎아냄률의 증가에 따라 반공진점의 Q값 저하가 크지만 공진점의 Q값 저하가 작다.
상기 구성에 의하면, 직렬암 공진자(s1 및 s2) 중 반공진 주파수(fas)가 가장 낮은 직렬암 공진자(s1)의 IDT 전극에 반공진점의 Q값 저하가 작은 플로팅 솎아냄 전극을 적용하고, 직렬암 공진자(s2)에 공진점의 Q값 저하가 작은 극성 반전 솎아냄 전극을 적용하고 있다. 이로써, 통과 대역 고주파 측의 급준성을, 주로 직렬암 공진자(s1)의 반공진점 근방의 공진 특성에 의해 향상시키고, 직렬암 공진자(s2)의 공진점 근방의 공진 특성에 의해 통과 대역 내의 삽입 손실의 열화(劣化)를 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 탄성파 필터(1)의 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감하면서 통과 대역 단부의 급준성을 향상시킬 수 있다.
한편, 본 실시형태의 변형예 2에 따른 탄성파 필터로서, 도 1에 나타내진 탄성파 필터(1)의 병렬암 공진자(p1 및 p2)의 공진 특성을 최적화함으로써, 변형예 2에 따른 탄성파 필터의 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감하면서 통과 대역 저주파 측 단부의 급준성을 향상시키는 것도 가능하다.
구체적으로는 변형예 2에 따른 탄성파 필터에서, 병렬암 공진자(p1)의 공진 주파수(frp1)는 병렬암 공진자(p2)의 공진 주파수(frp2)보다도 높다. 즉, 탄성파 필터(1)를 구성하는 복수개의 병렬암 공진자 중 병렬암 공진자(p1)(제1 병렬암 공진자)는 공진 주파수(frp)가 가장 높다. 또한, 병렬암 공진자(p1)는 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가지며, 탄성파 필터를 구성하는 복수개의 병렬암 공진자 중 병렬암 공진자(p2)는 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가진다.
한편, 상기 "탄성파 필터를 구성하는 복수개의 병렬암 공진자"란 탄성파 필터의 통과 대역을 형성하기 위한 병렬암 공진자이며, 통과 대역으로부터 떨어진 대역에서 감쇠극을 형성하기 위해서만 배치된 병렬암 공진자를 포함하지 않는다. 구체적으로는 탄성파 필터를 구성하는 복수개의 병렬암 공진자란, 반공진 주파수(fap)가 탄성파 필터의 통과 대역 내 또는 그 근방에 위치하는 병렬암 공진자에 한정된다.
또한, 이 때 직렬암 공진자(s1 및 s2)는 솎아냄 전극을 가지지 않아도 되며, 또한 직렬암 공진자(s1 및 s2)의 공진 주파수의 고저 및 반공진 주파수의 고저에 대해서는 한정되지 않는다.
1개 이상의 직렬암 공진자와 복수개의 병렬암 공진자로 구성된 래더형 탄성파 필터에서, 통과 대역 단부의 급준성을 향상시키기 위해 각 공진자를 구성하는 IDT 전극에 이른바 솎아냄 전극이 적용된다.
본 변형예에 따른 탄성파 필터에서, 통과 대역 저주파 측 단부의 급준성은 병렬암 공진자(p1 및 p2)의 공진 주파수(frp) 근방의 공진 특성이 크게 영향을 준다.
상기 구성에 따르면, 병렬암 공진자(p1 및 p2) 중 공진 주파수(frp)가 가장 높은 병렬암 공진자(p1)의 IDT 전극에 공진점의 Q값 저하가 작은 극성 반전 솎아냄 전극을 적용하고, 병렬암 공진자(p2)에 반공진점의 Q값 저하가 작은 플로팅 솎아냄 전극을 적용하고 있다. 이로써, 통과 대역 저주파 측의 급준성을, 주로 병렬암 공진자(p1)의 공진점 근방의 공진 특성에 의해 향상시키고, 병렬암 공진자(p2)의 반공진점 근방의 공진 특성에 의해 통과 대역 내의 삽입 손실의 열화를 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 변형예 2에 따른 탄성파 필터의 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감하면서 통과 대역 단부의 급준성을 향상시킬 수 있다.
본 실시형태에 따른 탄성파 필터(1)에서는 직렬암 공진자(s1)는 플로팅 솎아냄 전극을 포함하고, 직렬암 공진자(s2)는 극성 반전 솎아냄 전극을 포함한다. 또한, 변형예 2에 따른 탄성파 필터에서는 병렬암 공진자(p1)는 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하고, 병렬암 공진자(p2)는 플로팅 솎아냄 전극을 포함한다.
이하에서는 직렬암 공진자(s1 및 s2), 그리고 병렬암 공진자(p1 및 p2)가 가지는 솎아냄 전극의 구조에 대해 예시한다.
[5 솎아냄 전극의 전극지 구조]
이하, 도 5a~도 5c를 이용하여, 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극의 전극지 구조에 대해 예시해 둔다.
도 5a는 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극의 구성을 나타내는 개략 평면도이다. 도 5b는 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극의 구성을 나타내는 개략 평면도이다. 도 5c는 필링 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극의 구성을 나타내는 개략 평면도이다.
도 5a에는 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 탄성파 공진자(101)의 IDT 전극 구조를 나타내는 평면 모식도가 예시되어 있다. 한편, 도 5a에 나타내진 탄성파 공진자(101)는 플로팅 솎아냄 전극의 전형적인 구조를 설명하기 위한 것으로, 전극을 구성하는 전극지의 개수 및 길이 등은 이에 한정되지 않는다.
탄성파 공진자(101)는 압전성을 가지는 기판(5)과, 기판(5) 상에 형성된 빗형 전극(101a 및 101b)과, 반사기(141)로 구성되어 있다.
도 5a에 나타내는 바와 같이, 빗형 전극(101a)은 서로 평행한 복수개의 전극지(151a)와, 복수개의 전극지(151a)의 일방단끼리를 접속하는 버스바 전극(161a)으로 구성되어 있다. 또한, 빗형 전극(101b)은 서로 평행한 복수개의 전극지(151b)와, 복수개의 전극지(151b)의 일방단끼리를 접속하는 버스바 전극(161b)으로 구성되어 있다. 복수개의 전극지(151a 및 151b)는 탄성 표면파 전파 방향(X축 방향)과 직교하는 방향을 따라 형성되어 있다. 빗형 전극(101a 및 101b)은 복수개의 전극지(151a와 151b)가 서로 맞물리도록 대향 배치되어 있다. 즉, 탄성파 공진자(101)의 IDT 전극은 한 쌍의 빗형 전극(101a 및 101b)을 가진다.
한편, 빗형 전극(101a)은 복수개의 전극지(151b)의 긴 쪽 방향으로 대향하여 배치된 더미 전극을 가지고 있지만, 상기 더미 전극은 없어도 된다. 또한, 빗형 전극(101b)은 복수개의 전극지(151a)의 긴 쪽 방향으로 대향하여 배치된 더미 전극을 가지고 있지만, 상기 더미 전극은 없어도 된다. 또한, 빗형 전극(101a 및 101b)은 버스바 전극의 연장 방향이 탄성 표면파 전파 방향에 대하여 경사진, 이른바 경사형 IDT 전극이어도 되고, 또한 이른바 피스톤 구조를 가져도 된다.
반사기(141)는 서로 평행한 복수개의 전극지와, 상기 복수개의 전극지를 접속하는 버스바 전극으로 구성되며, 한 쌍의 빗형 전극(101a 및 101b)의 양단에 배치되어 있다.
한편, 한 쌍의 빗형 전극(101a 및 101b)으로 구성되는 IDT 전극은 도 2a의 (b)에 나타내는 바와 같이, 밀착층(540)과 메인 전극층(542)의 적층 구조로 되어 있지만, 상기 적층 구조에 한정되지 않는다.
여기서, 탄성파 공진자(101)의 IDT 전극에는 전극지(152)가 이산적으로 형성되어 있다. 전극지(152)는 버스바 전극(161a 및 161b) 중 어느 것과도 접속되어 있지 않고, 복수개의 전극지(151a 및 151b)와 평행하면서 동일 피치로 배치된 플로팅 솎아냄 전극이다. 또한, 서로 이웃하는 2개의 전극지(152) 사이에는 복수개의 전극지(151a 및 151b)가 배치되어 있다. 즉, 전극지(152)의 피치는 복수개의 전극지(151a 및 151b)의 피치보다도 크다.
여기서, 플로팅 솎아냄 전극을 가지는 IDT 전극의 솎아냄률을 정의한다. 탄성파 공진자(101)에서의 IDT 전극의 솎아냄률이란 상기 IDT 전극에서의 전극지(152)의 개수를 M으로 하고, 서로 이웃하는 한 세트의 전극지(151a 및 151b)를 한 쌍의 전극지로 하며, 전극지(152)를 설비하지 않고 전극지(151a 및 151b)만의 반복으로 구성된 경우의 IDT 전극의 쌍 수를 N으로 한 경우, 이하의 식 1로 나타내진다.
솎아냄률 = M/{2(N-M)+1} (식 1)
도 5b에는 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 탄성파 공진자(201)의 IDT 전극 구조를 나타내는 평면 모식도가 예시되어 있다. 한편, 도 5b에 나타내진 탄성파 공진자(201)는 극성 반전 솎아냄 전극의 전형적인 구조를 설명하기 위한 것으로, 전극을 구성하는 전극지의 개수 및 길이 등은 이에 한정되지 않는다.
탄성파 공진자(201)는 압전성을 가지는 기판(5)과, 기판(5) 상에 형성된 빗형 전극(201a 및 201b)과, 반사기(241)로 구성되어 있다.
도 5b에 나타내는 바와 같이, 빗형 전극(201a)은 서로 평행한 복수개의 전극지(251a)와, 복수개의 전극지(251a)의 일방단끼리를 접속하는 버스바 전극(261a)으로 구성되어 있다. 또한, 빗형 전극(201b)은 서로 평행한 복수개의 전극지(251b)와, 복수개의 전극지(251b)의 일방단끼리를 접속하는 버스바 전극(261b)으로 구성되어 있다. 복수개의 전극지(251a 및 251b)는 탄성 표면파 전파 방향(X축 방향)과 직교하는 방향을 따라 형성되어 있다. 빗형 전극(201a 및 201b)은 복수개의 전극지(251a와 251b)가 서로 맞물리도록 대향 배치되어 있다. 즉, 탄성파 공진자(201)의 IDT 전극은 한 쌍의 빗형 전극(201a 및 201b)을 가진다.
한편, 빗형 전극(201a)은 복수개의 전극지(251b)의 긴 쪽 방향으로 대향하여 배치된 더미 전극을 가지고 있지만, 상기 더미 전극은 없어도 된다. 또한, 빗형 전극(201b)은 복수개의 전극지(251a)의 긴 쪽 방향으로 대향하여 배치된 더미 전극을 가지고 있지만, 상기 더미 전극은 없어도 된다. 또한, 빗형 전극(201a 및 201b)은 버스바 전극의 연장 방향이 탄성 표면파 전파 방향에 대하여 경사진, 이른바 경사형 IDT 전극이어도 되고, 또한 이른바 피스톤 구조를 가지고 있어도 된다.
반사기(241)는 서로 평행한 복수개의 전극지와, 상기 복수개의 전극지를 접속하는 버스바 전극으로 구성되고, 한 쌍의 빗형 전극(201a 및 201b)의 양단에 배치되어 있다.
한편, 한 쌍의 빗형 전극(201a 및 201b)으로 구성되는 IDT 전극은 도 2a의 (b)에 나타내는 바와 같이, 밀착층(540)과 메인 전극층(542)의 적층 구조로 되어 있지만, 상기 적층 구조에 한정되지 않는다.
여기서, 탄성파 공진자(201)의 IDT 전극에는 전극지(252)가 이산적으로 형성되어 있다. 전극지(252)는 한 쌍의 빗형 전극(201a 및 201b)을 구성하는 모든 전극지 중 양 옆의 전극지가 접속된 버스바 전극과 동일한 버스바 전극에 접속된 극성 반전 솎아냄 전극이다. 또한, 서로 이웃하는 2개의 전극지(252) 사이에는 복수개의 전극지(251a 및 251b)가 배치되어 있다. 즉, 전극지(252)의 피치는 복수개의 전극지(251a 및 251b)의 피치보다도 크다.
여기서, 극성 반전 솎아냄 전극을 가지는 IDT 전극의 솎아냄률을 정의한다. 탄성파 공진자(201)에서의 IDT 전극의 솎아냄률이란, 상기 IDT 전극에서의 전극지(252)의 개수를 M으로 하고, 서로 이웃하는 한 세트의 전극지(251a 및 251b)를 한 쌍의 전극지로 하며, 전극지(252)를 설비하지 않고 전극지(251a 및 251b)만의 반복으로 구성된 경우의 IDT 전극의 쌍 수를 N으로 한 경우, 상술한 식 1로 나타내진다.
도 5c에는 필링 솎아냄 전극을 포함하는 탄성파 공진자(301)의 IDT 전극 구조를 나타내는 평면 모식도가 예시되어 있다. 한편, 도 5c에 나타내진 탄성파 공진자(301)는 필링 솎아냄 전극의 전형적인 구조를 설명하기 위한 것으로, 전극을 구성하는 전극지의 개수 및 길이 등은 이에 한정되지 않는다.
탄성파 공진자(301)는 압전성을 가지는 기판(5)과, 기판(5) 상에 형성된 빗형 전극(301a 및 301b)과, 반사기(341)로 구성되어 있다.
도 5c에 나타내는 바와 같이, 빗형 전극(301a)은 서로 평행한 복수개의 전극지(351a)와, 복수개의 전극지(351a)의 일방단끼리를 접속하는 버스바 전극(361a)으로 구성되어 있다. 또한, 빗형 전극(301b)은 서로 평행한 복수개의 전극지(351b)와, 복수개의 전극지(351b)의 일방단끼리를 접속하는 버스바 전극(361b)으로 구성되어 있다. 복수개의 전극지(351a 및 351b)는 탄성 표면파 전파 방향(X축 방향)과 직교하는 방향을 따라 형성되어 있다. 빗형 전극(301a 및 301b)은 복수개의 전극지(351a와 351b)가 서로 맞물리도록 대향 배치되어 있다. 즉, 탄성파 공진자(301)의 IDT 전극은 한 쌍의 빗형 전극(301a 및 301b)을 가진다.
한편, 빗형 전극(301a)은 복수개의 전극지(351b)의 긴 쪽 방향으로 대향하여 배치된 더미 전극을 가지고 있지만, 상기 더미 전극은 없어도 된다. 또한, 빗형 전극(301b)은 복수개의 전극지(351a)의 긴 쪽 방향으로 대향하여 배치된 더미 전극을 가지고 있지만, 상기 더미 전극은 없어도 된다. 또한, 빗형 전극(301a 및 301b)은 버스바 전극의 연장 방향이 탄성 표면파 전파 방향에 대하여 경사진 이른바 경사형 IDT 전극이어도 되고, 또한 이른바 피스톤 구조를 가지고 있어도 된다.
반사기(341)는 서로 평행한 복수개의 전극지와, 상기 복수개의 전극지를 접속하는 버스바 전극으로 구성되고, 한 쌍의 빗형 전극(301a 및 301b)의 양단에 배치되어 있다.
한편, 한 쌍의 빗형 전극(301a 및 301b)으로 구성되는 IDT 전극은 도 2a의 (b)에 나타내는 바와 같이, 밀착층(540)과 메인 전극층(542)의 적층 구조로 되어 있지만, 상기 적층 구조에 한정되지 않는다.
여기서, 탄성파 공진자(301)의 IDT 전극에는 전극지(352)가 이산적으로 형성되어 있다. 전극지(352)는 탄성파 공진자(301)의 IDT 전극에서 최대의 전극지 폭을 가지는 전극지이며, 전극지(352)를 제외한 전극지에서의 평균 전극지 폭의 2배 이상의 전극지 폭을 가지는 필링 솎아냄 전극이다. 바꿔 말하면, 전극지(352)는 서로 이웃하는 전극지(351a 및 351b)와, 상기 서로 이웃하는 전극지(351a 및 351b) 사이의 스페이스가 합쳐져서 1개의 전극지가 되고, 버스바 전극(361a 및 361b) 중 어느 하나에 접속되며, 복수개의 전극지(351a 및 351b)보다도 전극지 폭이 넓은 필링 솎아냄 전극이다. 또한, 서로 이웃하는 2개의 전극지(352) 사이에는 복수개의 전극지(351a 및 351b)가 배치되어 있다. 즉, 전극지(352)의 피치는 복수개의 전극지(351a 및 351b)의 피치보다도 크다.
여기서, 필링 솎아냄 전극을 가지는 IDT 전극의 솎아냄률을 정의한다. 탄성파 공진자(301)에서의 IDT 전극의 솎아냄률이란, 상기 IDT 전극에서의 전극지(352)의 개수를 M으로 하고, 서로 이웃하는 한 세트의 전극지(351a 및 351b)를 한 쌍의 전극지로 하며, 전극지(352)를 설비하지 않고 전극지(351a 및 351b)만의 반복으로 구성된 경우의 IDT 전극의 쌍 수를 N으로 한 경우, 상술한 식 1로 나타내진다.
[6 솎아냄 전극을 가지는 탄성파 공진자의 공진 특성]
도 6a는 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 탄성파 공진자의, 솎아냄률을 변화시킨 경우(솎아냄률: 0%, 4%, 7%, 14%)의 임피던스(도 6a의 (a)) 및 Q값(도 6a의 (b))을 나타내는 그래프이다. 도 6b는 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 탄성파 공진자의, 솎아냄률을 변화시킨 경우(솎아냄률: 0%, 4%, 7%, 14%)의 임피던스(도 6b의 (a)) 및 Q값(도 6b의 (b))을 나타내는 그래프이다. 도 6c는 필링 솎아냄 전극을 포함하는 탄성파 공진자의, 솎아냄률을 변화시킨 경우(솎아냄률: 0%, 4%, 7%, 14%)의 임피던스(도 6c의 (a)) 및 Q값(도 6c의 (b))을 나타내는 그래프이다.
도 6a의 (a)에 나타내는 바와 같이, 탄성파 공진자(101)의 공진 특성을 나타내는 임피던스는 공진 주파수(fr)에서 0에 가까워지는 극소값이 되고, 반공진 주파수(fa)에서 무한대에 가까워지는 극대값이 된다. 여기서, 플로팅 솎아냄 전극의 솎아냄률이 커질수록 공진 주파수(fr)는 고주파 측으로 시프트된다. 한편, 플로팅 솎아냄 전극의 솎아냄률의 변화에 따라, 반공진 주파수(fa)는 대체로 변화되지 않는다. 이 때문에, 플로팅 솎아냄 전극의 솎아냄률이 커질수록 공진 주파수(fr)와 반공진 주파수(fa)의 주파수 차인 공진 대역 폭은 좁아진다.
한편, 도 6a의 (b)에 나타내는 바와 같이, 탄성파 공진자(101)의 Q값은 플로팅 솎아냄 전극의 솎아냄률이 커질수록 저하되는데, 반공진 주파수(fa) 부근에서의 Q값의 저하는 상대적으로 작고, 공진 주파수(fr) 부근에서의 Q값의 저하는 상대적으로 크다.
또한, 도 6b의 (a)에 나타내는 바와 같이, 탄성파 공진자(201)의 공진 특성을 나타내는 임피던스는 공진 주파수(fr)에서 0에 가까워지는 극소값이 되고, 반공진 주파수(fa)에서 무한대에 가까워지는 극대값이 된다. 여기서, 극성 반전 솎아냄 전극의 솎아냄률의 변화에 따라, 공진 주파수(fr)는 대체로 변화되지 않는다. 한편, 극성 반전 솎아냄 전극의 솎아냄률이 커질수록 반공진 주파수(fa)는 저주파 측으로 시프트된다. 이 때문에, 극성 반전 솎아냄 전극의 솎아냄률이 커질수록 공진 주파수(fr)와 반공진 주파수(fa)의 주파수 차인 공진 대역 폭은 좁아진다.
한편, 도 6b의 (b)에 나타내는 바와 같이, 탄성파 공진자(201)의 Q값은 극성 반전 솎아냄 전극의 솎아냄률이 커질수록 저하되는데, 공진 주파수(fr) 부근에서의 Q값의 저하는 상대적으로 작고, 반공진 주파수(fa) 부근에서의 Q값의 저하는 상대적으로 크다.
또한, 도 6c의 (a)에 나타내는 바와 같이, 탄성파 공진자(301)의 공진 특성을 나타내는 임피던스는 공진 주파수(fr)에서 0에 가까워지는 극소값이 되고, 반공진 주파수(fa)에서 무한대에 가까워지는 극대값이 된다. 여기서, 필링 솎아냄 전극의 솎아냄률이 커질수록 공진 주파수(fr)는 고주파 측으로 시프트된다. 한편, 필링 솎아냄 전극의 솎아냄률이 커질수록 반공진 주파수(fa)는 저주파 측으로 시프트된다. 이 때문에, 필링 솎아냄 전극의 솎아냄률이 커질수록 공진 주파수(fr)와 반공진 주파수(fa)의 주파수 차인 공진 대역 폭은 좁아진다.
한편, 도 6c의 (b)에 나타내는 바와 같이, 탄성파 공진자(301)의 Q값은 필링 솎아냄 전극의 솎아냄률이 커질수록 저하되며, 공진 주파수(fr) 부근에서의 Q값의 저하는 상대적으로 크고, 반공진 주파수(fa) 부근에서의 Q값의 저하도 상대적으로 크다.
상기와 같이, 솎아냄 전극의 전극지 구조가 다르면, 공진 대역 폭, 그리고 공진 주파수(fr) 및 반공진 주파수(fa)에서의 Q값의 변화 양태가 다르다.
도 7은 탄성파 공진자의 비대역을 변화시킨 경우의 반공진점(도 7의 (a)) 및 공진점(도 7의 (b))에서의 반사 손실을 나타내는 그래프이다. 도 7의 (a)에서의 세로축은 반공진점에서의 탄성파 공진자의 반사 손실을 나타내고, 도 7의 (b)에서의 세로축은 공진점에서의 탄성파 공진자의 반사 손실을 나타내고 있다. 또한, 도 7의 (a) 및 (b)에서의 가로축은 비대역(공진 대역 폭을 공진 주파수로 나눈 것)을 나타내고 있는데, 솎아냄률로 환산하는 것이 가능하다. 이 경우, 비대역이 클수록 솎아냄률은 작다.
도 7의 (a)로부터, 비대역이 작을수록(솎아냄률이 클수록), 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 탄성파 공진자 및 필링 솎아냄 전극을 포함하는 탄성파 공진자의 반사 손실은 커진다. 한편, 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 탄성파 공진자의 반사 손실은 비대역이 작아(솎아냄률이 커)져도 변화되지 않는다.
또한, 도 7의 (b)로부터, 비대역이 작을수록(솎아냄률이 클수록), 플로팅 솎아냄 전극, 극성 반전 솎아냄 전극, 또는 필링 솎아냄 전극을 포함하는 탄성파 공진자의 반사 손실은 커진다. 단, 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 탄성파 공진자의 반사 손실은 플로팅 솎아냄 전극 또는 필링 솎아냄 전극을 포함하는 탄성파 공진자의 반사 손실보다도 작다.
도 7의 (a) 및 (b)로부터, 본 실시형태에 따른 탄성파 필터(1)에서 직렬암 공진자(s1)에 플로팅 솎아냄 전극을 적용함으로써, 공진 대역 폭을 좁게 하여 통과 대역 고주파 측 단부의 급준성을 향상시킴과 함께 반공진점 부근의 반사 손실을 작게 하여 통과 대역 고주파 측 단부의 삽입 손실을 저감하는 것이 가능하다. 또한, 직렬암 공진자(s2)에 극성 반전 솎아냄 전극을 적용함으로써, 공진점 부근의 반사 손실을 작게 하여 통과 대역 중앙 부근의 삽입 손실을 저감하는 것이 가능하다.
또한, 도 7의 (a) 및 (b)로부터, 변형예 2에 따른 탄성파 필터에서 병렬암 공진자(p1)에 극성 반전 솎아냄 전극을 적용함으로써, 공진 대역 폭을 좁게 하여 통과 대역 저주파 측 단부의 급준성을 향상시시킴과 함께 공진점 부근의 반사 손실을 작게 하여 통과 대역 저주파 측 단부의 삽입 손실을 저감하는 것이 가능하다. 또한, 병렬암 공진자(p2)에 플로팅 솎아냄 전극을 적용함으로써, 반공진점 부근의 반사 손실을 작게 하여 통과 대역 중앙 부근의 삽입 손실을 저감하는 것이 가능하다.
[7 실시예에 따른 탄성파 필터(1A)의 회로 구성, 통과 특성 및 공진 특성]
도 8은 실시예에 따른 탄성파 필터(1A)의 회로 구성도이다. 실시예에 따른 탄성파 필터(1A)는 실시형태에 따른 탄성파 필터(1)의 한 실시예이며, 실시형태에 따른 탄성파 필터(1)와 비교하여 직렬암 공진자 및 병렬암 공진자의 수가 다르다.
도 8에 나타내는 바와 같이, 탄성파 필터(1A)는 직렬암 공진자(11, 12, 13A, 13B, 14 및 15)와 병렬암 공진자(21, 22, 23 및 24)와 입출력 단자(110 및 120)를 포함한다.
직렬암 공진자(11, 12, 13A, 13B, 14 및 15) 각각은 입출력 단자(110)와 입출력 단자(120)를 잇는 경로 상에 배치되고, 서로 직렬 접속된 탄성파 공진자이다. 또한, 병렬암 공진자(21~24) 각각은 상기 경로 상의 노드와 그라운드 사이에 배치된 탄성파 공진자이다.
상기 구성에 의해, 탄성파 필터(1A)는 래더형 밴드패스 필터를 구성한다.
한편, 직렬암 공진자(13A 및 13B)는 직렬암 공진회로(13)를 구성한다. 직렬암 공진자(13A 및 13B) 각각은 분할 공진자이다.
분할 공진자는 탄성파 필터(1A)의 내(耐)전력성 향상 및 상호 변조 왜곡의 억제를 목적으로 배치되어 있다. 용량성 임피던스를 가지는 하나의 탄성파 공진자를 2개의 직렬 접속된 분할 공진자로 구성함으로써 IDT 전극의 면적을 크게 확보할 수 있다. 이로써, 상기 하나의 탄성파 공진자의 전류 밀도에 대하여 상기 2개의 분할 공진자의 전류 밀도를 저감할 수 있으므로, 탄성파 필터(1A)의 내전력성 향상 및 상호 변조 왜곡의 억제를 실현할 수 있다.
한편, 직렬암 공진자(13A 및 13B) 각각은 분할 공진자가 아니어도 되고, 직렬암 공진자(13A 및 13B)의 전극 파라미터는 달라도 된다. 또한, 직렬암 공진자(13A)와 직렬암 공진자(13B)를 접속하는 노드에 다른 회로 소자가 접속되어도 되고, 또한, 상기 노드가 그라운드에 접속되어도 된다.
또한, 직렬암 공진자(11, 12, 14 및 15), 그리고 병렬암 공진자(21~24) 각각이 복수개의 분할 공진자로 구성되어 있어도 된다.
도 9는 실시예에 따른 탄성파 필터(1A)의 통과 특성(도 9의 (a)) 및 직렬암 공진자의 임피던스 특성(도 9의 (b))을 나타내는 그래프이다.
도 9의 (b)에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에 따른 탄성파 필터(1A)에서 직렬암 공진자(11, 12, 13A, 13B, 14 및 15)의 임피던스가 극대인 반공진 주파수(fas)는 고주파 측 저지역에 위치한다.
여기서, 직렬암 공진자(13B)의 반공진 주파수(fas13B)는 탄성파 필터(1A)를 구성하는 복수개의 직렬암 공진자(11~15) 각각의 반공진 주파수(fas) 중에서 가장 낮다. 또한, 직렬암 공진자(13B)는 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가진다. 또한, 직렬암 공진자(13B)를 제외한 직렬암 공진자(11, 12, 13A, 14 및 15) 각각은 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가진다.
도 10은 실시예, 비교예 1 및 비교예 2에 따른 탄성파 필터의 통과 대역에서의 삽입 손실을 비교한 그래프이다. 한편, 비교예 1 및 비교예 2에 따른 탄성파 필터는 각각 도 8에 나타내진 탄성파 필터(1)의 회로 구성과 동일한 회로 구성을 가지고 있으나, 실시예에 따른 탄성파 필터(1)와 비교하여 솎아냄 전극의 전극지 구성이 다르다.
표 1에 실시예, 비교예 1 및 비교예 2에 따른 탄성파 필터의, 솎아냄 전극 구성, 통과 대역 내의 삽입 손실, 통과 대역 고주파 측 단부의 급준도를 나타낸다.
표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예에 따른 탄성파 필터(1A)에서는 직렬암 공진자(13B)가 플로팅 솎아냄 전극을 포함하고, 직렬암 공진자(11, 12, 13A, 14 및 15) 각각이 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하고 있다.
또한, 비교예 1에 따른 탄성파 필터에서는 직렬암 공진자(11~15) 각각이 플로팅 솎아냄 전극을 포함하고 있다. 또한, 비교예 2에 따른 탄성파 필터에서는 직렬암 공진자(11~15) 각각이 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하고 있다.
또한, 실시예, 비교예 1 및 비교예 2에 따른 탄성파 필터에 공통적으로, 병렬암 공진자(21 및 24) 각각이 솎아냄 전극을 포함하지 않고, 병렬암 공진자(22 및 23) 각각이 플로팅 솎아냄 전극을 포함하고 있다. 한편, 실시예, 비교예 1 및 비교예 2에 따른 탄성파 필터에서 병렬암 공진자(21~24)는 솎아냄 전극을 포함해도 되고, 또한 솎아냄 전극을 포함하지 않아도 된다. 또한, 병렬암 공진자(21~24)의 솎아냄 전극 구조는 플로팅 솎아냄 전극, 극성 반전 솎아냄 전극, 및 필링 솎아냄 전극 중 어느 것이어도 된다.
또한, 표 1에 나타내진 솎아냄 전극을 포함하는 각 공진자의 솎아냄률은 모두 7%이다.
또한, 표 1에서 H-ch 삽입 손실은 통과 대역(2402.5-2471.5㎒) 중의, 고주파 측 대역(2452.5-2471.5㎒)에서의 삽입 손실(의 최대값)을 나타내고 있다. 또한, 고주파 측 급준도는 통과 대역보다도 고주파 측의 대역(2471.5-2483.5㎒)에서 삽입 손실이 1.6㏈인 주파수와 삽입 손실이 20㏈인 주파수의 주파수 차를 나타내고 있다.
본 실시예에 따른 탄성파 필터(1A)는 비교예 1에 따른 탄성파 필터와 비교하여, H-ch 삽입 손실이 0.06㏈만큼 저감되어 있고, 고주파 측 급준도가 0.5㎒만큼 개선되어 있다.
본 실시예에 따른 탄성파 필터(1A)는 비교예 1에 따른 탄성파 필터와 비교하여, 반공진 주파수가 가장 낮은 직렬암 공진자(13B) 이외의 직렬암 공진자(11, 12, 13A, 14 및 15)로서 공진점 부근의 반사 손실이 작은 극성 반전 솎아냄 전극을 적용하고 있기 때문에, 통과 대역 내의 삽입 손실이 개선된 것이라고 풀이된다.
또한, 본 실시예에 따른 탄성파 필터(1A)는 비교예 2에 따른 탄성파 필터와 비교하여, H-ch 삽입 손실이 0.08㏈만큼 저감되어 있고, 고주파 측 급준도가 2.1㎒만큼 개선되어 있다.
본 실시예에 따른 탄성파 필터(1A)는 비교예 2에 따른 탄성파 필터와 비교하여, 반공진 주파수가 가장 낮은 직렬암 공진자(13B)로서 반공진점 부근의 반사 손실이 작은 플로팅 솎아냄 전극을 적용하고 있기 때문에, H-ch 삽입 손실 및 고주파 측 급준도가 개선된 것이라고 풀이된다.
본 실시예에 따른 탄성파 필터(1A)에 따르면, 직렬암 공진자(11~15) 중 반공진 주파수(fas)가 가장 낮은 직렬암 공진자(13B)의 IDT 전극에 반공진점의 Q값 저하가 작은 플로팅 솎아냄 전극을 적용하고, 그 밖의 직렬암 공진자에 공진점의 Q값 저하가 작은 극성 반전 솎아냄 전극을 적용하고 있다. 이로써, 통과 대역 고주파 측의 급준성을, 주로 직렬암 공진자(13B)의 반공진점 근방의 공진 특성에 의해 향상시키고, 그 밖의 직렬암 공진자의 공진점 근방의 공진 특성에 의해 통과 대역 내의 삽입 손실의 열화를 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 탄성파 필터(1A)의 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감하면서 통과 대역 단부의 급준성을 향상시킬 수 있다.
한편, 본 실시예에 따른 탄성파 필터(1A)에서 직렬암 공진자(11, 12, 13A, 14 및 15) 중 적어도 하나가 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하고 있으면 된다. 예를 들면, 직렬암 공진자(13A)가 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하고, 직렬암 공진자(11, 12, 14 및 15)가 솎아냄 전극을 포함하지 않아도 된다.
이에 따르면, 직렬암 공진자(11, 12, 14 및 15)는 솎아냄 전극을 포함하지 않으므로, 공진점 및 반공진점에서의 Q값의 저하를 회피할 수 있다. 따라서, 탄성파 필터(1A)의 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감하면서 통과 대역 단부의 급준성을 효과적으로 향상시킬 수 있다.
또한, 입출력 단자(110)에 접속된 직렬암 공진자(11) 및 입출력 단자(120)에 접속된 직렬암 공진자(15) 중 적어도 하나는 솎아냄 전극을 포함하지 않고, 입출력 단자(110 및 120)에 직접 접속되지 않은 직렬암 공진자(12, 13A, 13B 및 14)는 플로팅 솎아냄 전극 또는 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하고 있어도 된다.
입출력 단자(110 및 120)에는 외부 회로가 접속되기 때문에, 입출력 단자(110 또는 120)에 접속되는 직렬암 공진자(11 및 15)는 외부 회로와 정합된 임피던스를 가지는 것이 요구된다. 상기 구성에 따르면, 입출력 단자(110 또는 120)에 접속되는 직렬암 공진자(11 및 15) 중 적어도 하나는 솎아냄 전극을 포함하지 않고, 입출력 단자(110 및 120)에 접속되지 않은 직렬암 공진자(12~14)는 솎아냄 전극을 포함하므로, 임피던스 조정을 위한 IDT 전극 설계와 통과 대역의 삽입 손실 및 급준성을 조정하기 위한 IDT 전극 설계를 개별적으로 할 수 있으므로, 필터 설계의 자유도가 향상된다.
한편, 본 실시예에 따른 탄성파 필터(1A)에서 직렬암 공진자(13B)의 플로팅 솎아냄 전극의 솎아냄률은 직렬암 공진자(11, 12, 13A, 14 및 15) 각각의 극성 반전 솎아냄 전극의 솎아냄률보다도 커도 된다.
플로팅 솎아냄 전극 또는 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 탄성파 공진자는 솎아냄률이 커짐에 따라 공진 주파수와 반공진 주파수의 차인 공진 대역 폭(비대역)이 작아지고, 솎아냄률이 커짐에 따라 공진점 및 반공진점에서의 Q값은 저하된다. 이 관점에서, 직렬암 공진자(13B)의 솎아냄률이 클수록 직렬암 공진자(13B)의 공진 대역 폭을 작게 할 수 있으므로 통과 대역 고주파 측 단부의 급준성을 향상시킬 수 있고, 직렬암 공진자(11, 12, 13A, 14 및 15)의 솎아냄률이 작을수록 상기 직렬암 공진자의 공진점에서의 Q값 저하를 억제할 수 있으므로 통과 대역 내의 삽입 손실의 열화를 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 탄성파 필터(1A)의 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감하면서 통과 대역 단부의 급준성을 향상시킬 수 있다.
한편, 본 실시예의 변형예 3에 따른 탄성파 필터로서, 도 8에 나타내진 탄성파 필터(1A)의 병렬암 공진자(21~22)의 공진 특성을 최적화함으로써, 변형예 3에 따른 탄성파 필터의 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감하면서 통과 대역 저주파 측 단부의 급준성을 향상시키는 것도 가능하다.
구체적으로는 변형예 3에 따른 탄성파 필터에서는 병렬암 공진자(22)의 공진 주파수(frp22)는 탄성파 필터를 구성하는 복수개의 병렬암 공진자(21~24) 각각의 공진 주파수(frp) 중에서 가장 높다. 또한, 병렬암 공진자(22)는 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하고, 병렬암 공진자(21, 23 및 24) 각각은 플로팅 솎아냄 전극을 포함한다.
한편, 이 때 직렬암 공진자(11~15)는 솎아냄 전극을 가지지 않아도 되고, 또한, 직렬암 공진자(11~15)의 공진 주파수의 고저 및 반공진 주파수의 고저에 대해서는 어느 쪽이어도 된다.
본 변형예에 따른 탄성파 필터에 따르면, 병렬암 공진자(21~24) 중 공진 주파수(frp)가 가장 높은 병렬암 공진자(22)의 IDT 전극에 공진점의 Q값 저하가 작은 극성 반전 솎아냄 전극을 적용하고, 그 밖의 병렬암 공진자에 반공진점의 Q값 저하가 작은 플로팅 솎아냄 전극을 적용하고 있다. 이로써, 통과 대역 저주파 측의 급준성을, 주로 병렬암 공진자(22)의 공진점 근방의 공진 특성에 의해 향상시키고, 그 밖의 병렬암 공진자의 반공진점 근방의 공진 특성에 의해 통과 대역 내의 삽입 손실의 열화를 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 탄성파 필터의 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감하면서 통과 대역 단부의 급준성을 향상시킬 수 있다.
한편, 본 변형예에 따른 탄성파 필터에서, 병렬암 공진자(21, 23 및 24) 중 적어도 하나가 플로팅 솎아냄 전극을 포함하면 된다. 예를 들면, 병렬암 공진자(23)가 플로팅 솎아냄 전극을 포함하고, 병렬암 공진자(21 및 24)가 솎아냄 전극을 포함하지 않아도 된다.
이에 따르면, 병렬암 공진자(21 및 24)는 솎아냄 전극을 포함하지 않으므로, 공진점 및 반공진점에서의 Q값의 저하를 회피할 수 있다. 따라서, 변형예 3에 따른 탄성파 필터의 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감하면서 통과 대역 단부의 급준성을 효과적으로 향상시킬 수 있다.
또한, 입출력 단자(110)에 병렬암 공진자(21)가 직접 접속되거나, 또는 입출력 단자(120)에 병렬암 공진자(24)가 직접 접속되어 있는 구성을 가지는 경우에는 입출력 단자(110 또는 120)에 직접 접속된 병렬암 공진자(21 및 24) 중 적어도 하나는 솎아냄 전극을 포함하지 않고, 입출력 단자(110 및 120)에 직접 접속되지 않은 병렬암 공진자(22 및 23)는 플로팅 솎아냄 전극 또는 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하고 있어도 된다.
입출력 단자(110 및 120)에는 외부 회로가 접속되기 때문에, 입출력 단자(110 또는 120)에 접속되는 병렬암 공진자(21 및 24)는 외부 회로와 정합된 임피던스를 가지는 것이 요구된다. 상기 구성에 따르면, 입출력 단자(110 또는 120)에 접속되는 병렬암 공진자(21 및 24) 중 적어도 하나는 솎아냄 전극을 포함하지 않고, 입출력 단자(110 및 120)에 접속되지 않은 병렬암 공진자(22 및 23)는 솎아냄 전극을 포함하므로, 임피던스 조정을 위한 IDT 전극 설계와, 통과 대역의 삽입 손실 및 급준성을 조정하기 위한 IDT 전극 설계를 개별적으로 할 수 있으므로, 필터 설계의 자유도가 향상된다.
한편, 변형예 3에 따른 탄성파 필터에서 병렬암 공진자(22)의 극성 반전 솎아냄 전극의 솎아냄률은 병렬암 공진자(21, 23 및 24) 각각의 플로팅 솎아냄 전극의 솎아냄률보다도 커도 된다.
플로팅 솎아냄 전극 또는 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 탄성파 공진자는 솎아냄률이 커짐에 따라 공진 주파수와 반공진 주파수의 차인 공진 대역 폭(비대역)이 작아지고, 솎아냄률이 커짐에 따라 공진점 및 반공진점에서의 Q값은 저하된다. 이 관점에서, 병렬암 공진자(22)의 솎아냄률이 클수록 병렬암 공진자(22)의 공진 대역 폭을 작게 할 수 있으므로 통과 대역 저주파 측 단부의 급준성을 향상시킬 수 있고, 병렬암 공진자(21, 23 및 24)의 솎아냄률이 작을수록 상기 병렬암 공진자의 공진점에서의 Q값 저하를 억제할 수 있으므로, 통과 대역 내의 삽입 손실의 열화를 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 변형예 3에 따른 탄성파 필터의 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감하면서 통과 대역 단부의 급준성을 향상시킬 수 있다.
[8 효과 등]
본 실시형태에 따른 탄성파 필터(1)는 입출력 단자(110 및 120)를 잇는 경로 상에 배치된 복수개의 직렬암 공진자(s1 및 s2)와, 상기 경로 상의 노드와 그라운드 사이에 배치된 1개 이상의 병렬암 공진자(p1 및 p2)를 포함하고, 직렬암 공진자(s1, s2), 병렬암 공진자(p1 및 p2)는 압전성을 가지는 기판 상에 형성된 IDT 전극을 가지는 탄성파 공진자를 포함한다. IDT 전극은 복수개의 전극지와 버스바 전극으로 구성된 빗형 전극을 한 쌍 가지며, 상기 복수개의 전극지 중 한 쌍의 빗형 전극을 구성하는 어느 버스바 전극과도 접속되지 않은 전극지를 플로팅 솎아냄 전극으로 정의하고, 한 쌍의 빗형 전극을 구성하는 모든 전극지 중 양 옆의 전극지가 접속된 버스바 전극과 동일한 버스바 전극에 접속된 전극지를 극성 반전 솎아냄 전극으로 정의한다. 이 때, 직렬암 공진자(s1 및 s2) 중 반공진 주파수(fas)가 가장 낮은 직렬암 공진자(s1)는 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가지며, 직렬암 공진자(s2)는 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가진다.
이에 따르면, 반공진 주파수가 가장 낮은 직렬암 공진자(s1)의 IDT 전극에 반공진점의 Q값 저하가 작은 플로팅 솎아냄 전극을 적용하고, 직렬암 공진자(s1)를 제외한 직렬암 공진자(s2)에 공진점의 Q값 저하가 작은 극성 반전 솎아냄 전극을 적용한다. 이로써, 통과 대역 고주파 측의 급준성을, 주로 직렬암 공진자(s1)의 반공진점 근방의 공진 특성에 의해 향상시키고, 직렬암 공진자(s2)의 공진점 근방의 공진 특성에 의해 통과 대역 내의 삽입 손실의 열화를 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 탄성파 필터(1)의 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감하면서 통과 대역 단부의 급준성을 향상시킬 수 있다.
또한, 직렬암 공진자(s1)의 솎아냄률은 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가지는 직렬암 공진자(s2)의 솎아냄률보다도 커도 된다.
이로써, 직렬암 공진자(s1)의 솎아냄률이 클수록 직렬암 공진자(s1)의 공진 대역 폭을 작게 할 수 있으므로 통과 대역 고주파 측 단부의 급준성을 향상시킬 수 있고, 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 직렬암 공진자(s2)의 솎아냄률이 작을수록 직렬암 공진자(s2)의 공진점에서의 Q값 저하를 억제할 수 있으므로, 통과 대역 내의 삽입 손실의 열화를 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 탄성파 필터(1)의 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감하면서 통과 대역 단부의 급준성을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예에 따른 탄성파 필터(1A)에서 직렬암 공진자(13B)는 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가지며, 복수개의 직렬암 공진자(11~15) 중 일부의 직렬암 공진자(13A 및 13B) 중 직렬암 공진자(13B)를 제외한 직렬암 공진자(13A)는 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가지며, 복수개의 직렬암 공진자(11~15) 중 일부의 직렬암 공진자(13A 및 13B)를 제외한 직렬암 공진자(11, 12, 14 및 15) 각각은 솎아냄 전극을 포함하지 않아도 된다.
이로써, 통과 대역 고주파 측의 급준성을 직렬암 공진자(13B)의 반공진점 근방의 공진 특성에 의해 향상시키고, 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 직렬암 공진자(13A)의 공진점 근방의 공진 특성에 의해 통과 대역 내의 삽입 손실의 열화를 억제하는 것이 가능해진다. 또한, 직렬암 공진자(11, 12, 14 및 15)는 솎아냄 전극을 포함하지 않으므로, 공진점 및 반공진점에서의 Q값의 저하를 회피할 수 있다. 따라서, 탄성파 필터(1A)의 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감하면서 통과 대역 단부의 급준성을 효과적으로 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예에 따른 탄성파 필터(1A)에서 직렬암 공진자(13B)는 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가지며, 복수개의 직렬암 공진자(11~15) 중 직렬암 공진자(13B)를 제외한 직렬암 공진자(11, 12, 13A, 14 및 15) 각각은 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가져도 된다.
이로써, 통과 대역 고주파 측의 급준성을 직렬암 공진자(13B)의 반공진점 근방의 공진 특성에 의해 향상시키고, 직렬암 공진자(13B)를 제외한 모든 직렬암 공진자(11, 12, 13A, 14 및 15)의 공진점 근방의 공진 특성에 의해 통과 대역 내의 삽입 손실의 열화를 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 탄성파 필터(1A)의 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감하면서 통과 대역 단부의 급준성을 향상시킬 수 있다.
또한, 입출력 단자(110 및 120) 중 적어도 하나에는 직렬암 공진자(11~15) 중 솎아냄 전극을 포함하지 않는 직렬암 공진자가 접속되어 있고, 복수개의 직렬암 공진자(11~15) 중 플로팅 솎아냄 전극 또는 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 직렬암 공진자는 입출력 단자(110 및 120)에 직접 접속되지 않아도 된다.
이로써, 입출력 단자에 접속되는 직렬암 공진자는 솎아냄 전극을 포함하지 않고, 입출력 단자에 접속되지 않은 직렬암 공진자는 솎아냄 전극을 포함하므로, 임피던스 조정을 위한 IDT 전극 설계와, 통과 대역의 삽입 손실 및 급준성을 조정하기 위한 IDT 전극 설계를 개별적으로 할 수 있으므로, 필터 설계의 자유도가 향상된다.
또한, 변형예 2에 따른 탄성파 필터는 입출력 단자(110 및 120)를 잇는 경로 상에 배치된 복수개의 직렬암 공진자(s1 및 s2)와, 상기 경로 상의 노드와 그라운드 사이에 배치된 1개 이상의 병렬암 공진자(p1 및 p2)를 포함하고, 직렬암 공진자(s1, s2), 병렬암 공진자(p1 및 p2)는 압전성을 가지는 기판 상에 형성된 IDT 전극을 가지는 탄성파 공진자를 포함한다. IDT 전극은 복수개의 전극지와 버스바 전극으로 구성된 빗형 전극을 한 쌍 가지며, 상기 복수개의 전극지 중 한 쌍의 빗형 전극을 구성하는 어느 버스바 전극과도 접속되지 않은 전극지를 플로팅 솎아냄 전극으로 정의하고, 한 쌍의 빗형 전극을 구성하는 모든 전극지 중 양 옆의 전극지가 접속된 버스바 전극과 동일한 버스바 전극에 접속된 전극지를 극성 반전 솎아냄 전극으로 정의한다. 이 때, 병렬암 공진자(p1 및 p2) 중 공진 주파수(frp)가 가장 높은 병렬암 공진자(p1)는 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가지며, 병렬암 공진자(p2)는 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가진다.
이에 따르면, 공진 주파수가 가장 높은 병렬암 공진자(p1)의 IDT 전극에 공진점의 Q값 저하가 작은 극성 반전 솎아냄 전극을 적용하고, 병렬암 공진자(p1)를 제외한 병렬암 공진자(p2)에 반공진점의 Q값 저하가 작은 플로팅 솎아냄 전극을 적용한다. 이로써, 통과 대역 저주파 측의 급준성을, 주로 병렬암 공진자(p1)의 공진점 근방의 공진 특성에 의해 향상시키고, 병렬암 공진자(p2)의 반공진점 근방의 공진 특성에 의해 통과 대역 내의 삽입 손실의 열화를 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 변형예 2에 따른 탄성파 필터의 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감하면서 통과 대역 단부의 급준성을 향상시킬 수 있다.
또한, 병렬암 공진자(p1)의 솎아냄률은 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가지는 병렬암 공진자(p2)의 솎아냄률보다도 커도 된다.
이로써, 병렬암 공진자(p1)의 솎아냄률이 클수록 병렬암 공진자(p1)의 공진 대역 폭을 작게 할 수 있으므로 통과 대역 저주파 측 단부의 급준성을 향상시킬 수 있고, 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 병렬암 공진자(p2)의 솎아냄률이 작을수록 병렬암 공진자(p2)의 반공진점에서의 Q값 저하를 억제할 수 있으므로, 통과 대역 내의 삽입 손실의 열화를 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 변형예 2에 따른 탄성파 필터의 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감하면서 통과 대역 단부의 급준성을 향상시킬 수 있다.
또한, 변형예 3에 따른 탄성파 필터에서, 병렬암 공진자(22)는 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가지며, 복수개의 병렬암 공진자(21~24) 중 일부의 병렬암 공진자(22 및 23) 중 병렬암 공진자(22)를 제외한 병렬암 공진자(23)는 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가지며, 복수개의 병렬암 공진자(21~24) 중 일부의 병렬암 공진자(22 및 23)를 제외한 병렬암 공진자(21 및 24) 각각은 솎아냄 전극을 포함하지 않아도 된다.
이로써, 통과 대역 저주파 측의 급준성을 병렬암 공진자(22)의 공진점 근방의 공진 특성에 의해 향상시키고, 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 병렬암 공진자(23)의 반공진점 근방의 공진 특성에 의해 통과 대역 내의 삽입 손실의 열화를 억제하는 것이 가능해진다. 또한, 병렬암 공진자(21 및 24)는 솎아냄 전극을 포함하지 않으므로, 공진점 및 반공진점에서의 Q값의 저하를 회피할 수 있다. 따라서, 변형예 3에 따른 탄성파 필터의 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감하면서 통과 대역 단부의 급준성을 효과적으로 향상시킬 수 있다.
또한, 변형예 3에 따른 탄성파 필터에서 병렬암 공진자(22)는 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가지며, 복수개의 병렬암 공진자(21~24) 중 병렬암 공진자(22)를 제외한 병렬암 공진자(21, 23 및 24) 각각은 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가져도 된다.
이로써, 통과 대역 저주파 측의 급준성을 병렬암 공진자(22)의 공진점 근방의 공진 특성에 의해 향상시키고, 병렬암 공진자(22)를 제외한 모든 병렬암 공진자(21, 22 및 24)의 반공진점 근방의 공진 특성에 의해 통과 대역 내의 삽입 손실의 열화를 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 변형예 3에 따른 탄성파 필터의 통과 대역 내의 삽입 손실을 저감하면서 통과 대역 단부의 급준성을 향상시킬 수 있다.
또한, 입출력 단자(110 및 120) 중 적어도 하나에는 병렬암 공진자(21~24) 중 솎아냄 전극을 포함하지 않는 병렬암 공진자가 접속되어 있고, 복수개의 병렬암 공진자(21~24) 중 플로팅 솎아냄 전극 또는 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 병렬암 공진자는 입출력 단자(110 및 120)에 직접 접속되지 않아도 된다.
이로써, 입출력 단자에 접속되는 병렬암 공진자는 솎아냄 전극을 포함하지 않고, 입출력 단자에 접속되지 않은 병렬암 공진자는 솎아냄 전극을 포함하므로, 임피던스 조정을 위한 IDT 전극 설계와, 통과 대역의 삽입 손실 및 급준성을 조정하기 위한 IDT 전극 설계를 개별적으로 할 수 있으므로, 필터 설계의 자유도가 향상된다.
(기타 변형예 등)
이상, 상기 실시형태에 따른 탄성파 필터에 대해, 실시예 및 변형예를 들어 설명했는데, 본 발명의 탄성파 필터는 상기 실시예 및 변형예에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시예 및 변형예에서의 임의의 구성 요소를 조합하여 실현되는 다른 실시형태나, 상기 실시예 및 변형예에 대하여 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 당업자가 생각해 내는 각종 변형을 실시하여 얻어지는 변형예나, 상기 실시예 및 변형예에 따른 탄성파 필터를 내장한 각종 기기도 본 발명에 포함된다.
한편, 상기 실시형태에 따른 탄성파 필터(1)를 구성하는 탄성파 공진자는 예를 들면, 상술한 탄성 표면파(SAW: Surface Acoustic Wave) 공진자이어도 되고, 또는 BAW(Bulk Acoustic Wave) 공진자이어도 된다. 한편, SAW에는 표면파뿐만 아니라 경계파도 포함된다.
본 발명은 멀티밴드화 및 멀티모드화된 주파수 규격에 적용할 수 있는 급준성이 높은 탄성파 필터로서, 휴대전화 등의 통신기기에 널리 이용할 수 있다.
1, 1A: 탄성파 필터
5: 기판
11, 12, 13A, 13B, 14, 15, 16, s1, s2: 직렬암 공진자
13: 직렬암 공진회로
21, 22, 23, 24, 26, p1, p2: 병렬암 공진자
51: 고음속 지지 기판
52: 저음속막
53: 압전막
54: IDT 전극
55: 보호층
57: 압전 단결정 기판
100, 101, 201, 301: 탄성파 공진자
100a, 100b, 101a, 101b, 201a, 201b, 301a, 301b: 빗형 전극
110, 120: 입출력 단자
150a, 150b, 151a, 151b, 152, 251a, 251b, 252, 351a, 351b, 352: 전극지
160a, 160b, 161a, 161b, 261a, 261b, 361a, 361b: 버스바 전극
540: 밀착층
542: 메인 전극층
5: 기판
11, 12, 13A, 13B, 14, 15, 16, s1, s2: 직렬암 공진자
13: 직렬암 공진회로
21, 22, 23, 24, 26, p1, p2: 병렬암 공진자
51: 고음속 지지 기판
52: 저음속막
53: 압전막
54: IDT 전극
55: 보호층
57: 압전 단결정 기판
100, 101, 201, 301: 탄성파 공진자
100a, 100b, 101a, 101b, 201a, 201b, 301a, 301b: 빗형 전극
110, 120: 입출력 단자
150a, 150b, 151a, 151b, 152, 251a, 251b, 252, 351a, 351b, 352: 전극지
160a, 160b, 161a, 161b, 261a, 261b, 361a, 361b: 버스바 전극
540: 밀착층
542: 메인 전극층
Claims (10)
- 제1 입출력 단자 및 제2 입출력 단자와,
상기 제1 입출력 단자와 상기 제2 입출력 단자를 잇는 경로 상에 배치된 복수개의 직렬암(serial arm) 공진자와,
상기 경로 상의 노드와 그라운드 사이에 배치된 1개 이상의 병렬암(parallel arm) 공진자를 포함하고,
상기 복수개의 직렬암 공진자 및 상기 1개 이상의 병렬암 공진자 각각은 압전성을 가지는 기판 상에 형성된 IDT(InterDigital Transducer) 전극을 가지는 탄성파 공진자를 포함하며,
상기 IDT 전극은 탄성파 전파 방향과 교차하는 방향으로 연장되고 서로 평행하게 배치된 복수개의 전극지(電極指)와, 상기 복수개의 전극지를 구성하는 전극지의 일방단(一方端)끼리를 접속하는 버스바(busbar) 전극으로 구성된 빗형 전극을 한 쌍 가지며,
상기 복수개의 전극지 중, 상기 한 쌍의 빗형 전극을 구성하는 어느 상기 버스바 전극과도 접속되지 않은 전극지를 플로팅 솎아냄 전극(floating thinned electrode)으로 정의하고,
상기 복수개의 전극지 중, 양 옆의 전극지가 접속된 버스바 전극과 동일한 버스바 전극에 접속된 전극지를 극성 반전 솎아냄 전극으로 정의한 경우,
상기 복수개의 직렬암 공진자 중, 반공진 주파수가 가장 낮은 제1 직렬암 공진자는 상기 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가지며,
상기 복수개의 직렬암 공진자 중, 상기 제1 직렬암 공진자를 제외한 1개 이상의 직렬암 공진자 중 적어도 하나는 상기 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가지는, 탄성파 필터. - 제1항에 있어서,
상기 제1 직렬암 공진자의 솎아냄률은 상기 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가지는 직렬암 공진자의 솎아냄률보다도 큰, 탄성파 필터. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 복수개의 직렬암 공진자 중, 상기 제1 직렬암 공진자는 상기 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가지며,
상기 복수개의 직렬암 공진자 중 일부의 직렬암 공진자 중, 상기 제1 직렬암 공진자를 제외한 직렬암 공진자 각각은 상기 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가지며,
상기 복수개의 직렬암 공진자 중, 상기 일부의 직렬암 공진자를 제외한 직렬암 공진자 각각은 솎아냄 전극을 포함하지 않는, 탄성파 필터. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 복수개의 직렬암 공진자 중, 상기 제1 직렬암 공진자는 상기 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가지며,
상기 복수개의 직렬암 공진자 중, 상기 제1 직렬암 공진자를 제외한 모든 직렬암 공진자는 상기 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가지는, 탄성파 필터. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 입출력 단자 및 상기 제2 입출력 단자 중 적어도 하나에는 상기 복수개의 직렬암 공진자 중, 솎아냄 전극을 포함하지 않는 직렬암 공진자가 접속되고,
상기 복수개의 직렬암 공진자 중, 상기 플로팅 솎아냄 전극 또는 상기 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 직렬암 공진자는 상기 제1 입출력 단자 및 상기 제2 입출력 단자에 직접 접속되지 않는, 탄성파 필터. - 제1 입출력 단자 및 제2 입출력 단자와,
상기 제1 입출력 단자와 상기 제2 입출력 단자를 잇는 경로 상에 배치된 1개 이상의 직렬암(serial arm) 공진자와,
상기 경로 상의 노드와 그라운드 사이에 배치된 복수개의 병렬암(parallel arm) 공진자를 포함하고,
상기 1개 이상의 직렬암 공진자 및 상기 복수개의 병렬암 공진자 각각은 압전성을 가지는 기판 상에 형성된 IDT 전극을 가지는 탄성파 공진자를 포함하며,
상기 IDT 전극은 탄성파 전파 방향과 교차하는 방향으로 연장되고 서로 평행하게 배치된 복수개의 전극지(電極指)와, 상기 복수개의 전극지를 구성하는 전극지의 일방단(一方端)끼리를 접속하는 버스바(busbar) 전극으로 구성된 빗형 전극을 한 쌍 가지며,
상기 복수개의 전극지 중, 상기 한 쌍의 빗형 전극을 구성하는 어느 상기 버스바 전극과도 접속되지 않은 전극지를 플로팅 솎아냄 전극(floating thinned electrode)으로 정의하고,
상기 한 쌍의 빗형 전극을 구성하는 모든 전극지 중, 양 옆의 전극지가 접속된 버스바 전극과 동일한 버스바 전극에 접속된 전극지를 극성 반전 솎아냄 전극으로 정의한 경우,
상기 복수개의 병렬암 공진자 중, 공진 주파수가 가장 높은 제1 병렬암 공진자는 상기 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가지며,
상기 복수개의 병렬암 공진자 중, 상기 제1 병렬암 공진자를 제외한 1개 이상의 병렬암 공진자 중 적어도 하나는 상기 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가지는, 탄성파 필터. - 제6항에 있어서,
상기 제1 병렬암 공진자의 솎아냄률은 상기 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가지는 병렬암 공진자의 솎아냄률보다도 큰, 탄성파 필터. - 제6항 또는 제7항에 있어서,
상기 복수개의 병렬암 공진자 중, 상기 제1 병렬암 공진자는 상기 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가지며,
상기 복수개의 병렬암 공진자 중 일부의 병렬암 공진자 중, 상기 제1 병렬암 공진자를 제외한 직렬암 공진자 각각은 상기 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가지며,
상기 복수개의 병렬암 공진자 중, 상기 일부의 병렬암 공진자를 제외한 병렬암 공진자 각각은 솎아냄 전극을 포함하지 않는, 탄성파 필터. - 제6항 또는 제7항에 있어서,
상기 복수개의 병렬암 공진자 중, 상기 제1 병렬암 공진자는 상기 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가지며,
상기 복수개의 병렬암 공진자 중, 상기 제1 병렬암 공진자를 제외한 모든 병렬암 공진자는 상기 플로팅 솎아냄 전극을 포함하는 IDT 전극을 가지는, 탄성파 필터. - 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 입출력 단자 및 상기 제2 입출력 단자 중 적어도 하나에는 상기 복수개의 병렬암 공진자 중, 솎아냄 전극을 포함하지 않는 병렬암 공진자가 접속되고,
상기 복수개의 병렬암 공진자 중, 상기 플로팅 솎아냄 전극 또는 상기 극성 반전 솎아냄 전극을 포함하는 병렬암 공진자는 상기 제1 입출력 단자 및 상기 제2 입출력 단자에 직접 접속되지 않는, 탄성파 필터.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019136883 | 2019-07-25 | ||
| JPJP-P-2019-136883 | 2019-07-25 | ||
| PCT/JP2020/028220 WO2021015187A1 (ja) | 2019-07-25 | 2020-07-21 | 弾性波フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220020975A true KR20220020975A (ko) | 2022-02-21 |
| KR102656805B1 KR102656805B1 (ko) | 2024-04-12 |
Family
ID=74192980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020227001738A KR102656805B1 (ko) | 2019-07-25 | 2020-07-21 | 탄성파 필터 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11962287B2 (ko) |
| KR (1) | KR102656805B1 (ko) |
| CN (1) | CN114208035A (ko) |
| WO (1) | WO2021015187A1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023080167A1 (ja) * | 2021-11-04 | 2023-05-11 | 株式会社村田製作所 | フィルタ装置及びマルチプレクサ |
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| WO2017131170A1 (ja) | 2016-01-29 | 2017-08-03 | 京セラ株式会社 | 弾性波共振子、弾性波フィルタ、分波器および通信装置 |
| WO2019131530A1 (ja) * | 2017-12-27 | 2019-07-04 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013247569A (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-09 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 弾性波フィルタ |
| CN107112976B (zh) | 2014-12-26 | 2020-09-25 | 京瓷株式会社 | 弹性波装置 |
| JP6668213B2 (ja) * | 2015-10-01 | 2020-03-18 | スカイワークスフィルターソリューションズジャパン株式会社 | 分波器と通信機器 |
| WO2018216417A1 (ja) * | 2017-05-26 | 2018-11-29 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、フィルタ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
| JP7057636B2 (ja) * | 2017-08-16 | 2022-04-20 | 株式会社村田製作所 | マルチプレクサ |
| CN111448758B (zh) * | 2017-12-06 | 2023-09-08 | 株式会社村田制作所 | 多工器、高频前端电路以及通信装置 |
-
2020
- 2020-07-21 CN CN202080051665.9A patent/CN114208035A/zh active Pending
- 2020-07-21 KR KR1020227001738A patent/KR102656805B1/ko active IP Right Grant
- 2020-07-21 WO PCT/JP2020/028220 patent/WO2021015187A1/ja active Application Filing
-
2022
- 2022-01-24 US US17/582,591 patent/US11962287B2/en active Active
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| WO2017131170A1 (ja) | 2016-01-29 | 2017-08-03 | 京セラ株式会社 | 弾性波共振子、弾性波フィルタ、分波器および通信装置 |
| WO2019131530A1 (ja) * | 2017-12-27 | 2019-07-04 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102656805B1 (ko) | 2024-04-12 |
| US20220149818A1 (en) | 2022-05-12 |
| CN114208035A (zh) | 2022-03-18 |
| WO2021015187A1 (ja) | 2021-01-28 |
| US11962287B2 (en) | 2024-04-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |