JP2012501564A - デュプレクサおよび2つのフィルタの間の分離を増大させるための方法 - Google Patents
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Abstract
Description
1つの発展形において、第1のバンドパスフィルタのフィルタ機能と、帯域阻止フィルタのフィルタ機能とは、少なくとも1つの同じ共振器によってそれぞれの場合に実現される。
1つの発展形において、帯域阻止フィルタの少なくとも1つの共振器の共振周波数は、第1のバンドパスフィルタの同じ共振器の共振周波数に対して相対的に低い。
1つの発展形において、帯域阻止フィルタの共振器はGBAW共振器である。
本発明は、以下に、図面を伴う例示的な実施例に基づいて説明される。
Claims (46)
- デュプレクサであって、
アンテナ端子(ANT)と、
送信アンプ端子(PA)と、
受信アンプ端子(LNA)とを備え、
前記送信アンプ端子(PA)は、送信フィルタ(TX)を介して前記アンテナ端子(ANT)に結合され、
前記受信アンプ端子(LNA)は受信フィルタ(RX)に結合され、
前記受信フィルタ(RX)は、帯域阻止フィルタ(BS)を介して前記アンテナ端子(ANT)に結合され、
前記送信フィルタ(TX)は通過帯域(TP)を有し、
前記帯域阻止フィルタ(BS)は、前記送信フィルタ(TX)の前記通過帯域(TP)において阻止帯域を有し、
前記送信フィルタ(TX)は、少なくとも1つの共振器(PT1,PT2,ST1,ST2,ST3)を備え、
前記帯域阻止フィルタ(BS)は、前記送信フィルタ(TX)と同じ少なくとも1つの共振器(PB1,SB1,SB2)を備える、デュプレクサ。 - 前記送信フィルタ(TX)と前記帯域阻止フィルタ(BS)とは、直列共振器(S,S1,S2,ST1,ST2,ST3,SB1)または、並列共振器(P,P1,P2,PT1,PT2,PB1)を有するラダー構造を備える、請求項1に記載のデュプレクサ。
- 前記送信フィルタの少なくとも1つの並列共振器(P,P1,P2,PT1,PT2)は、前記送信フィルタの前記直列共振器(S,S1,S2,ST1,ST2,ST3)の共振周波数よりも低い共振周波数を有する、請求項2に記載のデュプレクサ。
- 前記帯域阻止フィルタ(BS)の少なくとも1つの直列共振器(SB1,SB2)は、前記送信フィルタ(TX)の並列共振器(PT1,TP2)と同じ共振器である、請求項2または3に記載のデュプレクサ。
- 前記帯域阻止フィルタ(BS)の少なくとも1つの並列共振器(PB1)は、前記送信フィルタ(TX)の直列共振器(ST1,ST2,ST3)と同じ共振器である、請求項2から4のいずれかに記載のデュプレクサ。
- 前記帯域阻止フィルタ(BS)の少なくとも1つの直列共振器(SB1)の共振周波数は、前記帯域阻止フィルタ(BS)の残りの直列共振器(SB2)の共振周波数と異なる、請求項2から5のいずれかに記載のデュプレクサ。
- 前記帯域阻止フィルタ(BS)の少なくとも1つの並列共振器の共振周波数は、前記帯域阻止フィルタ(BS)の残りの並列共振器の共振周波数と異なる、請求項4から6のいずれかに記載のデュプレクサ。
- その共振周波数が他の共振器と異なる共振器(PB1,SB1)は、共振周波数を低下させるとともに、他の共振器(PB,SB)に存在しない、または同じ範囲に存在しない追加の質量コーティングを有する、請求項6または7に記載のデュプレクサ。
- 前記追加の質量コーティングは、パッシベーション層、二酸化シリコン層、タングステン層、チタン層、アルミニウム層、モリブデン層、イリジウム層、ルテニウム層、窒化シリコン層、窒化アルミニウム層、酸化亜鉛層、チタン酸ジルコン酸鉛層、チタン酸バリウムストロンチウム層、または、いくつかの他の材料からなる層であり、
前記層は、前記共振器の圧電層の上または下に適用されるか、あるいは前記圧電層を厚くする、請求項8に記載のデュプレクサ。 - 前記送信フィルタ(TX)の前記共振器(PT1,PT2,ST1,ST2,ST3)と前記帯域阻止フィルタ(BS)の前記共振器(PB1,SB1,SB2)は、BAW共振器であり、同一の基板(CT)上に配置される、請求項1から9のいずれかに記載のデュプレクサ。
- 前記受信フィルタ(RX)の前記共振器(PR1,PR2,PR3,SR1,SR2)と前記帯域阻止フィルタ(BS)の前記共振器(PB1,SB1,SB2)は、BAW共振器であり、同一の基板(CT)上に配置される、請求項1から9のいずれかに記載のデュプレクサ。
- 前記送信フィルタ(TX)の前記共振器(PT1,PT2,ST1,ST2,ST3)、前記受信フィルタ(RX)の前記共振器(PR1,PR2,PR3,SR1,SR2)、および前記帯域阻止フィルタ(BS)の前記共振器(PB1,SB1,SB2)は、BAW共振器であり、同一の基板(CT)上に配置される、請求項1から9のいずれかに記載のデュプレクサ。
- 前記受信フィルタ(RX)は、少なくとも1つのSAW共振器(PR1,PR2,PR3,SR1,SR2)を備える、請求項10から12のいずれかに記載のデュプレクサ。
- 前記送信フィルタ(TX)と前記帯域阻止フィルタ(BS)とは、BAW共振器の代わりにSAW共振器を備え、
前記受信フィルタ(RX)、前記送信フィルタ(TX)、および前記帯域阻止フィルタ(BS)の前記SAW共振器(PB1,PR1,PR2,PR3,PT1,PT2,SB1,SB2,SR1,SR2,ST1,ST2,ST3)は、共通の基板(CT,CR)上に構成される、請求項10から13のいずれかに記載のデュプレクサ。 - GBAW共振器がBAW共振器の代わりに用いられる、請求項1から13のいずれかに記載のデュプレクサ。
- 前記帯域阻止フィルタ(BS)の少なくとも1つの前記共振器(PB1,SB1,SB2)は、第1の共振周波数と、第1の静的キャパシタンスとを有し、少なくともN個の共振器(S1,S2,P1,P2)を備え、
Nは2以上であり、
前記N個の共振器の各々は、前記第1の静的キャパシタンスのN倍大きい静的キャパシタンスを有し、
前記N個の共振器は、互いに直列に接続され、
前記N個の共振器の少なくとも1つにおいて、共振周波数は、前記第1の共振周波数から最大で3%ずれている、請求項1から15のいずれかに記載のデュプレクサ。 - 前記帯域阻止フィルタ(BS)の少なくとも1つの前記共振器(PB1,SB1,SB2)は、第1の共振周波数と、第1の静的キャパシタンスとを有し、少なくともN個の共振器(S1,S2,P1,P2)を備え、
Nは2以上であり、
前記N個の共振器の各々は、前記第1の静的キャパシタンスのN倍小さい静的キャパシタンスを有し、
前記N個の共振器は、互いに並列に接続され、
前記N個の共振器の少なくとも1つにおいて、共振周波数は、前記第1の共振周波数から最大で3%ずれている、請求項1から15のいずれかに記載のデュプレクサ。 - 少なくとも1つの整合回路(M1,M2)をさらに備え、前記整合回路は、
受信信号の受信において、
前記送信フィルタ(TX)が、前記受信フィルタ(RX)から見てオープン回路を構築し、
前記受信フィルタ(RX)と前記アンテナ端子(ANT)との間の反射が最小化され、
送信信号の送信において、
前記受信フィルタ(RX)が、前記送信フィルタ(TX)から見てオープン回路を構築し、
前記送信フィルタ(TX)と前記アンテナ端子(ANT)との間の反射が最小化されるように設計される、先行する請求項のいずれかに記載のデュプレクサ。 - 前記帯域阻止フィルタ(BS)は、第1の端子(1)と、第2の端子(2)とを有し、前記第1の端子(1)は、前記アンテナ端子(ANT)と前記送信フィルタ(TX)とに接続され、前記第2の端子(2)は、前記受信フィルタ(RX)に接続され、
前記整合回路(M1,M2)は、第1のインダクタンス(L1)と、第2のインダクタンス(L2)とを備え、前記第1のインダクタンス(L1)は、前記第1の端子(1)を接地(GND)に接続し、前記第2のインダクタンス(L2)は、前記第2の端子(2)を接地(GND)に接続する、請求項18に記載のデュプレクサ。 - 前記帯域阻止フィルタ(BS)は、前記第1の端子(1)に接続される第1の直列共振器(SB1)を備える、請求項19に記載のデュプレクサ。
- 前記第1の直列共振器(SB1)は、前記送信フィルタ(TX)の前記通過帯域(TP)に位置する反共振、または、周波数に関して最大で3%下の反共振を有する、請求項20に記載のデュプレクサ。
- 前記帯域阻止フィルタ(BS)は、さらに少なくとも1つの並列共振器(PB1)を備え、
前記少なくとも1つの並列共振器(PB1)の第1の端子は、接地(GND)に接続され、
前記少なくとも1つの並列共振器(PB1)の他の端子は、前記第2の端子(2)および前記第1の直列共振器(SB1)に接続される、請求項20に記載のデュプレクサ。 - 前記少なくとも1つの並列共振器(PB1)の少なくとも1つの前記第1の端子は、接地(GND)に、直接的にではなく、インダクタンス、キャパシタンス、またはインダクタンスとキャパシタンスとの組合せを介して接続される、請求項22に記載のデュプレクサ。
- 前記第1の直列共振器(SB1)は、前記送信フィルタ(TX)の低いほうの通過帯域の端部の領域において反共振を有し、前記並列共振器(PB1)は、前記送信フィルタ(TX)の前記通過帯域(TP)の中心の領域に位置する共振周波数を有する、請求項23に記載のデュプレクサ。
- 前記第1の直列共振器(SB1)は、前記送信フィルタ(TX)の並列共振器(PT1,PT2)と同じであるが、前記並列共振器(PT1,PT2)の共振周波数に対して相対的に前記第1の直列共振器(SB1)の共振周波数を低くする追加の質量コーティングを有し、
前記第2の端子(2)に接続される前記並列共振器(PB1)は、前記送信フィルタ(TX)の直列共振器(ST1,ST2)と同じである、請求項20から24のいずれかに記載のデュプレクサ。 - 前記帯域阻止フィルタ(BS)は、第1の端子(1)と第2の端子(2)と、接続ノード(A)を介して直列に接続された2つの直列共振器(SB1,SB2)とを備え、前記2つの直列共振器のうちの一方の直列共振器(SB1)は、前記第1の端子(1)に接続され、他方(SB2)は、前記第2の端子(2)に接続され、
前記第1の端子(1)は、前記送信フィルタ(TX)に接続され、前記第2の端子(2)は、前記受信フィルタ(RX)に接続され、
前記整合回路(M1,M2)は、第1のインダクタンス(L1)と第2のインダクタンス(L2)とを備え、前記第1のインダクタンス(L1)は、前記第1の端子(1)を前記アンテナ端子(ANT)に接続し、前記第2のインダクタンス(L2)は、前記接続ノード(A)を接地(GND)に接続する、請求項18に記載のデュプレクサ。 - 前記第1の端子(1)は、前記送信フィルタ(TX)ではなく、前記アンテナ端子(ANT)に接続され、
前記第1のインダクタンス(L1)は、前記第1の端子(1)を、前記アンテナ端子(ANT)ではなく、前記送信フィルタ(TX)に接続する、請求項26に記載のデュプレクサ。 - 前記第1の端子(1)に接続される前記直列共振器(SB1)は、前記送信フィルタ(TX)の低いほうの通過帯域の領域に反共振を有し、
前記第2の端子(2)に接続される前記直列共振器(SB2)は、前記送信フィルタ(TX)の前記通過帯域(TP)の中心の領域に位置する反共振周波数を有する、請求項26または27に記載のデュプレクサ。 - 前記第1の端子(1)に接続される前記直列共振器(SB1)は、前記送信フィルタ(TX)の並列共振器(PT1,PT2)と同じであるが、前記並列共振器(PT1,PT2)の共振周波数に対して相対的に前記直列共振器(SB1)の共振周波数を低くする追加の質量コーティングを有し、
前記第2の端子(2)に接続される前記直列共振器(SB2)は、前記送信フィルタ(TX)の並列共振器(PT)と同じである、請求項26から28のいずれかに記載のデュプレクサ。 - 前記第1の直列共振器(SB1)は、反共振を有するが共振を有していない、請求項20から29のいずれかに記載のデュプレクサ。
- 少なくとも1つの並列共振器(PB1)は、共振を有するが反共振を有していない、請求項20から29のいずれかに記載のデュプレクサ。
- 前記送信フィルタ(TX)は、直列共振器(ST)を備え、前記送信フィルタ(TX)は、前記直列共振器(ST)を介して前記第1の端子(1)に接続される、請求項29から31のいずれかに記載のデュプレクサ。
- 前記整合回路(M1,M2)は、さらに、
前記送信フィルタ(TX)を前記送信アンプ端子(PA)に接続するインダクタンス(L3)と、
前記受信フィルタ(RX)を前記受信アンプ端子(LNA)に接続するインダクタンス(L4)とを備える、請求項18から32のいずれかに記載のデュプレクサ。 - さらなる端子(PA2,LNA1,LNA2)が設けられ、前記さらなる端子は、それぞれのフィルタ(TX2、TX3、RX1、RX2)とそれぞれの帯域阻止フィルタ(BS)とを介して前記アンテナ端子(ANT)に結合され、前記それぞれの帯域阻止フィルタ(BS)の阻止帯域は、前記送信フィルタ(TX1)の通過帯域に位置する、先行する請求項のいずれかに記載のデュプレクサ。
- 第1のバンドパスフィルタ(TX,TX1)と少なくとも1つの第2のバンドパスフィルタ(RX,RX1,RX2,TX2,TX3)との間の分離を増大させるための方法であって、
前記第1のバンドパスフィルタ(TX,TX1)と前記少なくとも1つの第2のバンドパスフィルタ(RX,RX1,RX2,TX2,TX3)は、共通のノード(K)に結合され、
前記少なくとも1つの第2のバンドパスフィルタ(RX,RX1,RX2,TX2,TX3)は、前記共通のノード(K)に、それぞれの帯域阻止フィルタ(BS)を介して結合され、前記それぞれの帯域阻止フィルタ(BS)は、前記第1のバンドパスフィルタ(TX,TX1)の通過帯域(TP)における抑制をもたらし、
前記第1のバンドパスフィルタ(TX,TX1)のフィルタ機能と、前記帯域阻止フィルタ(BS)のフィルタ機能とは、各々の場合において、少なくとも1つの同じ共振器によって実現される、方法。 - 前記第1のバンドパスフィルタ(TX,TX1)の共振器と、前記少なくとも1つの帯域阻止フィルタ(BS)の共振器とは、同一の基板(CT)上に実現される、請求項35に記載の方法。
- 前記同じ共振器は、同じ処理ステップによって実現される、請求項36に記載の方法。
- 前記帯域阻止フィルタ(BS)の少なくとも1つの共振器の共振周波数は、前記第1のバンドパスフィルタ(TX,TX1)の前記同じ共振器の共振周波数に対して相対的に低くされる、請求項35から37のいずれかに記載の方法。
- 前記共振周波数は、前記共振器に適用された追加の質量コーティングによって低くされる、請求項38に記載の方法。
- 前記帯域阻止フィルタ(BS)と前記第1のバンドパスフィルタ(TX,TX1)との共振器は、BAW共振器である、請求項35から39のいずれかに記載の方法。
- 前記帯域阻止フィルタ(BS)の共振器は、SAW共振器である、請求項35から39のいずれかに記載の方法。
- 前記帯域阻止フィルタ(BS)の共振器は、GBAW共振器である、請求項35から39のいずれかに記載の方法。
- 前記第1のバンドパスフィルタ(TX,TX1)、前記少なくとも1つの第2のバンドパスフィルタ(RX,RX1,RX2,TX2,TX3,RX)、および前記共通のノード(K)に結合されたアンテナは、
前記第1のバンドパスフィルタ(TX,TX1)の通過帯域に位置する周波数において、
前記第1のバンドパスフィルタ(TX,TX1)と前記アンテナとの間の電力の反射が最小化され、
前記少なくとも1つの第2のバンドパスフィルタ(RX,RX1,RX2,TX2,TX3)が、前記第1のバンドパスフィルタ(TX,TX1)から見てオープン回路を構成し、
前記少なくとも1つの第2のバンドパスフィルタ(RX,RX1,RX2,TX2,TX3)の通過帯域における各々の場合に位置する周波数において、
各々の第2のバンドパスフィルタ(RX,RX1,RX2,TX2,TX3)と前記アンテナとの間の電力の反射が最小化され、
前記第1のバンドパスフィルタ(TX,TX1)が、それぞれの前記第2のバンドパスフィルタ(RX,RX1,RX2,TX2,TX3)から見た各々の場合においてオープン回路を構成する、
ように互いにインピーダンス整合される、請求項35から40のいずれかに記載の方法。 - 前記帯域阻止フィルタ(BS)の少なくとも1つの共振器の静的キャパシタンスは、整合により変化する、請求項43に記載の方法。
- 前記帯域阻止フィルタ(BS)の少なくとも1つの前記共振器は、第1の共振周波数と、第1の静的キャパシタンスとを有し、少なくともN個の共振器によって実現され、
共振器の数Nは、2以上であり、
前記N個の共振器の各々は、前記第1の静的キャパシタンスのN倍大きい静的キャパシタンスを有し、
前記N個の共振器は、互いに直列に接続され、
前記共振器の少なくとも1つにおいて、共振周波数は、前記第1の共振周波数から最大で3%ずれている、請求項43または44に記載の方法。 - 前記帯域阻止フィルタ(BS)の少なくとも1つの前記共振器は、第1の共振周波数と、第1の静的キャパシタンスとを有し、少なくともN個の共振器によって実現され、
共振器の数Nは、2以上であり、
前記N個の共振器の各々は、前記第1の静的キャパシタンスのN倍小さい静的キャパシタンスを有し、
前記N個の共振器は、互いに並列に接続され、
前記共振器の少なくとも1つにおいて、共振周波数は、前記第1の共振周波数から最大で3%ずれている、請求項43または44に記載の方法。
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