JP5401549B2 - デュプレクサおよび2つのフィルタの間の分離を増大させるための方法 - Google Patents

デュプレクサおよび2つのフィルタの間の分離を増大させるための方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5401549B2
JP5401549B2 JP2011524337A JP2011524337A JP5401549B2 JP 5401549 B2 JP5401549 B2 JP 5401549B2 JP 2011524337 A JP2011524337 A JP 2011524337A JP 2011524337 A JP2011524337 A JP 2011524337A JP 5401549 B2 JP5401549 B2 JP 5401549B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
filter
resonator
resonators
terminal
band
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011524337A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012501564A (ja
Inventor
リンク,アンドレアス
バデル,ベルンハルト
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Electronics AG
Original Assignee
Epcos AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epcos AG filed Critical Epcos AG
Publication of JP2012501564A publication Critical patent/JP2012501564A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5401549B2 publication Critical patent/JP5401549B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/703Networks using bulk acoustic wave devices
    • H03H9/706Duplexers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/50Structural association of antennas with earthing switches, lead-in devices or lightning protectors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38Impedance-matching networks
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/54Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/547Notch filters, e.g. notch BAW or thin film resonator filters
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/54Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/58Multiple crystal filters
    • H03H9/60Electric coupling means therefor
    • H03H9/605Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6406Filters characterised by a particular frequency characteristic
    • H03H9/6409SAW notch filters
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433Coupled resonator filters
    • H03H9/6483Ladder SAW filters
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725Duplexers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Transceivers (AREA)

Description

本発明は、送信経路において、送信信号が送信アンプからアンテナへと導かれ、受信経路において、受信信号がアンテナから受信アンプへと導かれるデュプレクサに関する。送信と受信とを同時に可能にするため、異なる周波数範囲が送信信号と受信信号とのために用いられる。送信信号が、より一層弱い受信信号と干渉しないため、受信フィルタが受信経路に設けられ、受信フィルタは、受信信号を通過させるとともに、送信信号を大きく抑制する。受信経路と送信経路との間の50dB〜60dBの分離が送信周波数帯において典型的に要求される。
送信周波数帯および受信周波数帯が接近する場合において、送信周波数範囲における分離は、受信フィルタの選択によって決定され、受信フィルタは、通常、バンドパスフィルタとして実現される。受信周波数範囲が送信周波数範囲の上にあるならば、選択は、低いほうの受信フィルタの端部の勾配によって予め決定される。しかしながら、所定の受信フィルタ帯域および要求されるインピーダンス整合により、設計の影響のために選択は任意に増大させることができない。インダクタンスのおかげで、分離においておよそ10dBの改善が極(pole)シフトにより達成され得る。しかしながら、この方法は、送信周波数帯と受信周波数帯との間の小さな分離が、およそ20MHzしかなく、およそ1.9GHzの送信周波数および受信周波数における、デュプレクサの場合における制限された範囲にのみ用いられ得る。その理由は、低いほうの受信フィルタ端部が平坦化されるためである。さらに、インダクタンスの値は、典型的として特定された、送信範囲の分離を低減させる変動を有する。
したがって、本発明の目的は、送信周波数において、送信経路と受信経路との間の分離を増大させることである。
本発明は、この目的を、アンテナ端子と送信アンプ端子と受信アンプ端子とを備えるデュプレクサによって達成する。送信アンプ端子は、送信フィルタを介してアンテナ端子と結合され、受信アンプ端子は、受信フィルタと結合される。受信フィルタは、帯域阻止フィルタを介してアンテナ端子と結合される。帯域阻止フィルタは、デュプレクサの分離が増大されるように、送信経路を受信経路から分離する。
送信フィルタは、通過帯域を有し、帯域阻止フィルタは、送信フィルタの通過帯域において阻止帯域を有する。帯域阻止フィルタの阻止帯域が送信フィルタの通過帯域内にあるので、送信周波数範囲における分離が増大される。
送信フィルタは、少なくとも1つの共振器を備え、帯域阻止フィルタは、少なくとも1つの、送信フィルタと同じ共振器を備える。この出願において、「同じ共振器」との用語は、共振周波数と、材料および層厚みに関する同じ層構成とを有する共振器を意味する。しかしながら、共振器は、異なる領域を有し、したがって異なる静電容量を有することができる。帯域阻止フィルタと送信フィルタとが同じ共振器を有しているので、デュプレクサの設計の支出と製造とが単純化されることができる。
1つの発展形において、送信フィルタおよび帯域阻止フィルタは、直列共振器または並列共振器を有するラダー(ladder)構造を備える。送信フィルタおよび帯域阻止フィルタの所望の伝達特性は、カスケードされたラダー構造によって合成されることができる。
1つの発展形において、送信フィルタの少なくとも1つの並列共振器は、直列共振器の共振周波数よりも低い共振周波数を有する。送信フィルタおよび帯域阻止フィルタの帯域は、異なる共振周波数によって設定されることができる。
1つの発展形において、帯域阻止フィルタの少なくとも1つの直列共振器が、送信フィルタの並列共振器と同じ共振器である。送信フィルタの並列共振器のために用いられる同じ製造プロセスが、したがって、帯域阻止フィルタの直列共振器のためにも用いられることができる。さらに、並列共振器の反共振が、したがって受信フィルタと直列に存在するとともに分離を増大させる。
1つの発展形において、帯域阻止フィルタの少なくとも1つの並列共振器が、送信フィルタの直列共振器と同じ共振器である。この場合にも、帯域阻止フィルタの並列共振器と送信フィルタの直列共振器とは、1つのプロセスで実現可能である。送信フィルタの並列共振器および直列共振器が帯域阻止フィルタの直列共振器および並列共振器としてそれぞれ用いられることによって、帯域阻止フィルタは、送信フィルタの通過帯域に関して擬似的に逆である伝達関数を得る。
1つの発展形において、帯域阻止フィルタの少なくとも1つの直列共振器の共振周波数が、帯域阻止フィルタの残りの直列共振器の共振周波数と異なる。
1つの発展形において、帯域阻止フィルタの少なくとも1つの並列共振器の共振周波数が、帯域阻止フィルタの残りの並列共振器の共振周波数と異なる。並列共振器および直列共振器の異なる共振周波数は、結果として、整合と、伝達関数と、分離とに関してデュプレクサを最適化するために用いられうる、利用可能なさらなる自由度をもたらす。
1つの発展形において、その共振周波数が他の共振器と異なる共振器は、共振周波数を変化させるとともに、他の共振器には存在しないか、あるいは同じ範囲に存在しない、追加の質量コーティング(mass coating)を有する。追加の質量コーティングが単純な手段を用いて適用されるならば、それは、共振周波数に影響を与える1つの可能性を、大きな支出および複雑な処理ステップをともなわずに構成する。
1つの発展形において、追加の質量コーティングは、チタン層、アルミニウム層、モリブデン層、イリジウム層、ルテニウム層、窒化シリコン層、窒化アルミニウム層、酸化亜鉛層、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)層、チタン酸バリウムストロンチウム(BST)層、またはいくつかの他の材料からなる層であり、その層は、共振器の圧電層の上部または下部に適用されるか、または、その圧電層を厚くする。これらの層は、大きな支出なしに共振周波数を変えることができるように、目標とされた方式で適用されることができるか、あるいは単純な処理ステップによって取除かれることができる。
1つの発展形において、送信フィルタの共振器と帯域阻止フィルタの共振器とは、BAW共振器であり、同一の基板上に設けられる。送信フィルタおよび帯域阻止フィルタの共振器は、もしそれらが、上記の定義に従って同じであるならば、同一のプロセスによって製造されることができ、その結果として、処理ステップの数が減少される。
1つの発展形において、受信フィルタの共振器および帯域阻止フィルタの共振器は、BAW共振器であり、同一の基板上に設けられる。
1つの発展形において、送信フィルタの共振器、受信フィルタの共振器、および帯域阻止フィルタの共振器は、BAW共振器であり、同一の基板上に設けられる。
1つの発展形において、受信フィルタは、少なくとも1つのSAW共振器を備える。SAW共振器は、フィルタの平衡−不平衡(balanced-unbalanced)動作を可能にする。SAW技術は、大きく異なる周波数を1つの基板上で実現することを可能にする。
1つの発展形において、送信フィルタおよび帯域阻止フィルタは、BAW共振器の代わりにSAW共振器を備え、受信フィルタ、送信フィルタおよび帯域阻止フィルタのSAW共振器は、共通の基板上に構築される。
異なる共振周波数を有するSAW共振器は、ともに同一のプロセスによって製造されることができ、その結果としてデュプレクサの製造が単純化される。
1つの発展形において、GBAW共振器がBAW共振器の代わりに用いられる。GBAW(誘導バルク音波)は、SAWと同様の部品であり、音波が部品表面の直下を伝達する。GBAW共振器の共振周波数は、第1に、SAW共振器の場合と同様に、フィンガ(finger)配置の周期に由来し、第2に、BAW共振器の場合と同様に、層の構造に由来する。したがって、BAW共振器の場合における周波数低減のための方法が、GBAW共振器にも適用されることができる。
デュプレクサが、BAW共振器とGBAW共振器との両方を備え、したがって、ハイブリッドデュプレクサとして実現されることもまた可能である。
受信フィルタは、少なくとも1つのGBAW共振器を備える。同様に、送信フィルタと帯域阻止フィルタとは、BAW共振器の代わりにGBAW共振器を備えることができ、受信フィルタ、送信フィルタおよび帯域阻止フィルタのすべてのGBAW共振器は、共通の基板上に構築されることができる。
1つの発展形において、帯域阻止フィルタの少なくとも1つの共振器は、第1の共振周波数と、第1の静電容量を有する。帯域阻止フィルタは、N個の共振器を備え、Nは2以上であり、N個の共振器の各々は、第1の静電容量のN倍の静電容量を有し、N個の共振器は、互いに直列に接続され、N個の共振器の少なくとも1つにおいて、共振周波数は、第1の共振周波数から最大3%ずれている。共振器の増大は、結果として周波数のずれによって生成される多数の極による、フィルタの設計のためのさらなる自由度をもたらす。
1つの発展形において、帯域阻止フィルタの少なくとも1つの共振器は、第1の共振周波数と、第1の静電容量を有する。帯域阻止フィルタはN個の共振器を備え、Nは2以上であり、N個の共振器の各々は、第1の静電容量のN倍小さい静電容量を有し、N個の共振器は互いに並列に接続され、N個の共振器の少なくとも1つにおいて、共振周波数は、第1の共振周波数から最大で3%ずれている。共振器の増大は、結果として、周波数のずれによって生成される多数の極による、フィルタの設計のためのさらなる自由度をもたらす。
1つの発展形において、デュプレクサはさらに、少なくとも1つの整合回路を備え、受信信号の受信においては、送信フィルタが受信フィルタから見てオープン回路を構成して、受信フィルタとアンテナ端子との間の反射が最小化され、送信信号の送信においては、受信フィルタが送信フィルタから見てオープン回路を構成して、送信フィルタとアンテナ端子との間の反射が最小化されるように、その整合回路が設計される。電力が低い損失でかつ端子間の必要な分離をともなって伝達されることができるように、送信フィルタ、受信フィルタおよび帯域阻止フィルタは、互いに整合されるとともに、アンテナ端子と整合される必要がある。
1つの発展形において、帯域阻止フィルタは、第1の端子と第2の端子とを有し、第1の端子はアンテナ端子と送信フィルタとに接続され、第2の端子は受信フィルタに接続される。整合回路は、第1のインダクタンスと第2のインダクタンスとを備え、第1のインダクタンスは第1の端子を接地に接続し、第2のインダクタンスは、第2の端子を接地に接続する。第1のインダクタンスは、送信フィルタの整合を可能にし、第1のインダクタンスは、第2のインダクタンスおよび帯域阻止フィルタの静電容量とともに、受信フィルタのためのPI整合回路(network)を形成する。
1つの発展形において、帯域阻止フィルタは、第1の直列共振器を備え、第1の直列共振器は第1の端子に接続される。第1の直列共振器により、受信フィルタに関する伝達特性が目標の方式で影響されることができる。
1つの発展形において、第1の直列共振器は、送信フィルタの通過帯域に位置する反共振を有する。受信フィルタに関する高い分離が、送信フィルタの通過帯域中の周波数において生じるように、その反共振において、第1の直列共振器は高いインピーダンスを有する。
1つの発展形において、帯域阻止フィルタは、さらに、少なくとも1つの並列共振器を備え、その少なくとも1つの並列共振器の第1の端子は接地に接続され、その少なくとも1つの並列共振器の他の端子は、第2の端子および第1の直列共振器に接続される。帯域阻止フィルタの帯域は並列共振器によって設定されることができる。
1つの発展形において、少なくとも1つの並列共振器の少なくとも1つの第1の端子が、直接的ではなく、むしろインダクタンス、キャパシタンス、あるいはインダクタンスとキャパシタンスとの組合せを介して、接地に接続される。追加のインダクタンスは、デュプレクサの整合におけるさらなる自由度を可能にする。
1つの発展形において、第1の直列共振器は、送信フィルタの低いほうの通過帯域の端部の領域における反共振を有し、並列共振器は、送信フィルタの通過帯域の中央の領域に位置する共振周波数を有する。反共振が送信フィルタの低いほうの通過帯域の端の領域に位置するので、直列共振器の共振周波数は、送信フィルタの低いほうの通過帯域の端よりも下にあり、逆に後者には影響を与えない。送信フィルタの通過帯域の中央の領域における並列共振器の共振は、送信周波数が接地に散逸され、したがって分離を増大させることを確保する。
1つの発展形において、第1の直列共振器は、送信フィルタの並列共振器と同じであるが、並列共振器の共振周波数に対して相対的に第1の直列共振器の共振周波数を低減させる追加の質量コーティングを有し、第2の端子に接続される並列共振器は、送信フィルタの直列共振器と同じである。BAW技術を用いる共振器の製造においては、通常1つのチップ上に2つの共振周波数のみが利用可能であるので、帯域阻止フィルタと送信フィルタとの両方のための同じ共振器の使用は、有利である。追加の質量コーティングによる共振周波数の低減は、結果として、設計におけるさらなる自由度をもたらす。質量コーティングは、既に上で述べられた方式で実現可能である。
1つの発展形において、帯域阻止フィルタは、第1の端子と、第2の端子と、接続ノードを介して直列に接続された2つの直列共振器とを備え、それら2つの直列共振器のうちの一方は、第1の端子に接続され、他方は第2の端子に接続される。第1の端子は、送信フィルタに接続され、第2の端子は、受信フィルタに接続される。整合回路は、第1のインダクタンスと第2のインダクタンスとを備え、第1のインダクタンスは第1の端子をアンテナ端子に接続し、第2のインダクタンスは、接続ノードを接地に接続する。第1のインダクタンスは、アンテナ端子において必要な誘導特性を与え、第2のインダクタンスは、直列共振器のキャパシタンスとともに、受信フィルタの整合のためのT回路を形成する。
1つの発展形において、第1の端子は、送信フィルタではなく、むしろアンテナ端子に接続され、第1のインダクタンスは、アンテナ端子ではなく、むしろ送信フィルタに接続される。この方法において、送信フィルタの整合を、受信フィルタの整合とは独立に構成することができる。
1つの発展形において、第1の端子に接続される直列共振器は、送信フィルタの低いほうの通過帯域の領域において反共振を有し、第2の端子に接続される直列共振器は、送信フィルタの通過帯域の中央の領域に位置する反共振周波数を有する。反共振の組合せは、送信フィルタと受信フィルタとの間の分離のさらなる増大をもたらす。
1つの発展形において、第1の端子に接続される直列共振器は、送信フィルタの並列共振器と同じであるが、並列共振器の共振周波数に対して相対的に直列共振器の共振周波数を低減させる追加の質量コーティングを有し、第2の端子に接続される直列共振器は、送信フィルタの追加の質量コーティングのない並列共振器と同じである。共振周波数の低減は、後者がもはや送信フィルタの通過帯域の低いほうの側に直接的にはないという効果を有し、結果として、後者は、逆に影響を受けない。帯域阻止フィルタと送信フィルタのための同じ共振器の使用は、同じ処理ステップによる製造を可能にする。
1つの発展形において、第1の直列共振器は、反共振を有するが、共振を有さない。第1の直列共振器が反共振周波数においてとても高いインピーダンスを有するならば、分離の目的のため十分である。
1つの発展形において、少なくとも1つの並列共振器は、共振を有するが、反共振を有さない。共振により、共振器はよく導通する。並列共振器が共振において低いインピーダンスを有するならば、分離の目的のため、十分である。
1つの発展形において、送信フィルタは直列共振器を備え、それを介して、送信フィルタが第1の端子に接続される。直列共振器により、アンテナポートにおける送信フィルタは、受信周波数範囲に反共振を有するならば、この周波数範囲内においてオープン回路のように振舞う。
1つの発展形において、整合回路は、さらに送信フィルタを送信アンプ端子に接続するインダクタンスと、受信フィルタを受信アンプ端子に接続するインダクタンスとを備える。それらのインダクタンスは、送信フィルタおよび受信フィルタを、それぞれの端子に整合させる機能を果たす。
1つの発展形において、さらなる端子が設けられ、端子は、それぞれのフィルタおよび帯域阻止フィルタを介してアンテナ端子に結合され、それぞれの帯域阻止フィルタの阻止帯域は、送信フィルタの通過帯域にある。帯域阻止フィルタは、複数の信号経路の間の高い分離を達成することを可能にする。さらに、一方のフィルタから他方への通過帯域の間の分離が十分に大きく、したがって一方のフィルタが他方のフィルタにおける容量性負荷として機能するならば発生する容量性損失を、最小化することができる。
本発明は、さらに、第1のバンドパスフィルタと、少なくとも1つの第2のバンドパスフィルタとの間の分離を増大させるための方法を提供し、第1のバンドパスフィルタと、少なくとも1つの第2のバンドパスフィルタは、共通のノードに結合される。少なくとも1つの第2のバンドパスフィルタは、それぞれの帯域阻止フィルタを介して共通のノードに結合され、それぞれの帯域阻止フィルタは、第1のバンドパスフィルタの通過帯域において抑制の効果をもたらす。この方法の1つの利点は、帯域阻止フィルタによるそれぞれの第2のフィルタの容量性負荷が大きく低減されることである。この特性は、大きく周波数範囲が異なるフィルタの場合に特に有利である
1つの発展形において、第1のバンドパスフィルタのフィルタ機能と、帯域阻止フィルタのフィルタ機能とは、少なくとも1つの同じ共振器によってそれぞれの場合に実現される。
1つの発展形において、第1のバンドパスフィルタの共振器と、少なくとも1つの帯域阻止フィルタの共振器とは、共通の基板上に実現される。
1つの発展形において、同じ共振器は、同じ処理ステップによって実現される。
1つの発展形において、帯域阻止フィルタの少なくとも1つの共振器の共振周波数は、第1のバンドパスフィルタの同じ共振器の共振周波数に対して相対的に低い。
1つの発展形において、共振周波数は、共振器に適用される追加の質量コーティングによって低くされる。
1つの発展形において、帯域阻止フィルタと第1のバンドパスフィルタの共振器はBAW共振器である。
1つの発展形において、帯域阻止フィルタの共振器はSAW共振器である。
1つの発展形において、帯域阻止フィルタの共振器はGBAW共振器である。
1つの発展形において、第1のバンドパスフィルタ、少なくとも1つの第2のバンドパスフィルタ、および共通のノードに結合されたアンテナは、第1のバンドパスフィルタの通過帯域に位置する周波数において第1のバンドパスフィルタとアンテナとの間の電力の反射が最小化され、少なくとも1つの第2のバンドパスフィルタが第1のバンドパスフィルタから見てオープン回路を構築し、少なくとも1つの第2のバンドパスフィルタの通過帯域における各々の場合において位置する周波数において各々の第2のバンドパスフィルタとアンテナとの間の電力の反射が最小化され、それぞれの第2のバンドパスフィルタから見て各々の場合に第1のバンドパスフィルタがオープン回路を構築するように、互いにインピーダンス整合される。
1つの発展形において、帯域阻止フィルタの少なくとも1つの共振器の静電容量は、整合のために変化する。
1つの発展形において、帯域阻止フィルタの少なくとも1つの共振器は、第1の共振周波数と第1の静電容量とを有し、少なくともN個の共振器によって実現され、共振器の数Nは2以上であり、N個の共振器の各々は、第1の静電容量のN倍の静電容量を有し、N個の共振器は、互いに直列に接続され、共振器の少なくとも1つにおいて、共振周波数は、第1の共振周波数より最大で3%ずれている。
1つの発展形において、帯域阻止フィルタの少なくとも1つの共振器は、第1の共振周波数と第1の静電容量とを有し、少なくともN個の共振器によって実現され、共振器の数Nは2以上であり、N個の共振器の各々は、第1の共振器のN倍小さい静電容量を有し、N個の共振器は、互いに並列に接続され、共振器の少なくとも1つにおける共振周波数は、第1の共振周波数から最大3%ずれている。
1つの発展形において、帯域阻止フィルタの共振器はSAW共振器である。
本発明は、以下に、図面を伴う例示的な実施例に基づいて説明される。
デュプレクサの例示的実施例を示す図である。 アンテナ端子と送信アンプ端子との間、およびアンテナ端子と受信フィルタと帯域阻止フィルタを有するそれぞれの受信フィルタとの間の例示的な伝達関数を示す図である。 送信アンプ端子と受信アンプ端子との間の例示的な分離プロファイルを示す図である。 直列共振器と並列共振器とを有するラダー構造の例示的実施例を示す図である。 送信フィルタ、帯域阻止フィルタ、および受信フィルタの例示的実施例を示す図である。 共振器が複数の共振器を備える例示的実施例を示す図である。 整合回路を有する帯域阻止フィルタの例示的実施例を示す図である。 整合回路を有する帯域阻止フィルタの例示的実施例を示す図である。 整合回路を有する帯域阻止フィルタの例示的実施例を示す図である。 整合回路を有する帯域阻止フィルタの例示的実施例を示す図である。 複数の帯域阻止フィルタとバンドパスフィルタとを有するマルチバンドデュプレクサの例示的実施例を示す図である。
図1は、送信アンプ端子PA、受信アンプ端子LNA、およびアンテナ端子ANTを備えるデュプレクサDの例示的実施例を示す。送信アンプ端子PAは、送信フィルタTXに結合され、受信アンプ端子LNAは、受信フィルタRXに結合される。2つの整合回路M1,M2が設けられ、それらによって、送信信号がアンテナに伝達されたとき、および受信信号がアンテナによって受信されたときに電力が反射しないように、送信フィルタTXと受信フィルタRXとがアンテナ端子ANTにインピーダンス整合される。送信周波数において、受信フィルタRXが送信フィルタTXから見てオープン回路を構築し、受信周波数において、送信フィルタTXが受信フィルタRXから見てオープン回路を構築するように、整合回路M1,M2が設計される。送信経路と受信経路との間の分離は、受信信号経路に位置する帯域阻止フィルタBSによって増大される。そのようなデュプレクサDは、たとえば、信号の同時送受信のためのWCDMAバンドIIでの動作中に用いられることができる。
図2および図3は、アンテナ端子ANT、送信アンプ端子PAおよび受信アンプ端子LNAの間の帯域阻止フィルタBSの有無における例示的な伝達関数を示す。図2における曲線Tは、送信アンプ端子PAとアンテナ端子ANTとの間の伝達関数を示す。曲線RBは、受信アンプ端子LNAとアンテナ端子ANTとの間の伝達関数を示す。曲線Rは、受信アンプ端子LNAとアンテナ端子ANTとの間の伝達関数を示すが、比較の目的のために帯域阻止フィルタBSは存在しない。示された伝達関数は、既に整合している。
WCDMAバンドIIの場合、送信信号の通過帯域TPは、1850〜1910MHzの間にあり、60MHzの幅を有する。受信帯域は、送信帯域の上側にあり、上記の受信帯域は同様に、60MHzの幅を有し、1930〜1990MHzの間にある。送信帯域および受信帯域は、したがって、互いにちょうど20MHz分離している。
伝達関数RとRBとの間の比較によって示されるように、送信周波数範囲において、送信信号のよりよい抑制は、帯域阻止フィルタがないよりも、帯域阻止フィルタBSによって起こる。さらに、伝達関数R,RBは、実際には受信周波数範囲において完全に互いの頂上にあり、そのことは、帯域阻止フィルタBSが伝達関数にわずかに影響を与えるのみであるということを示す。受信フィルタRXの左側の通過帯域端部の勾配が変化しないまま維持されるということはさらに重要である。帯域阻止フィルタBSの設計は、送信フィルタTXおよび受信フィルタRXの設計とはさらに独立している。したがって、さらなる自由度によってフィルタ設計を単純化するために用いられることが可能な、新しい帯域阻止フィルタBSが構成される。
図3は、送信アンプ端子PAと受信アンプ端子LNAとの間の分離を示す。曲線Iは、帯域阻止フィルタBSがない場合の分離を示し、曲線IBは、帯域阻止フィルタBSがある場合の分離を示す。送信周波数範囲において、40dBから60dBの分離の改善が明らかである。
図4A〜4Eは、送信フィルタTX、帯域阻止フィルタBSおよび受信フィルタRXの構築に用いられることが可能なラダー構造の例示的実施例を示す。図4Aは、直列共振器Sを示し、図4Bは、並列共振器Pを示す。図4C,4Dは、直列共振器Sと並列共振器Pの組合せを示す。図4Eは、2つの直列共振器S1,S2と1つの並列共振器Pとを備えるT配置を示す。ラダー構造は、多段ラダー構造を得るために、チェーン回路において互いに相互接続されることができる。段数およびラダー構造自身の選択は、フィルタ相互コンダクタンス、フィルタ帯域および挿入損失からなる要求から決定される。
図4に示されたラダー構造は「シングルエンド−シングルエンド」である。「平衡−平衡」の場合のための拡張は、地線(ground rail)において存在するフィルタ部分を鏡像反転させて、元の接地ノードへの接続をなくすことによって生じる。「平衡−平衡」の場合のための格子構造もまた可能である。
図4におけるラダー構造の共振器は、バターワース−バン ダイク モデル(Butterworth-van Dyke model)によって記述されることが可能な共振器であり得る。これらは、たとえば、バルク音波(BAW)技術、表面音波(SAW)技術、誘導バルク音波(GBAW)技術、他のマイクロ音波技術を用いた共振器、インダクタンスおよびキャパシタンス、または一般的に電気磁気的機能素子のような集中回路(concentrated network)素子からなる共振器である。これらの共振器は、それらがよく導通する共振と、それらがあまり導通しない反共振とを示す。これらの共振の外では、共振器は典型的に容量的振る舞いを示す。
各々の場合において反共振のみを有する共振器が、帯域阻止フィルタの直列共振器にとって十分である。共振は必要ではない。その1つの例が、インダクタンスとキャパシタンスとからなる並列共振回路である。各々の場合において共振のみを有する共振器は、帯域阻止フィルタの並列共振器にとって十分である。反共振は必要ではない。その1つの例は、音叉またはMEMS振動子である。
図5は、送信フィルタTX、帯域阻止フィルタBSおよび受信フィルタRXの例示的実施例を示す。この場合において、送信フィルタTXは、図4Cに従う2つのラダー構造と図4Aに従う1つのラダー構造とのチェーン回路からなる。送信フィルタは、直列共振器ST1,ST2,ST3と並列共振器PT1,PT2とを備える。帯域阻止フィルタBSは、1段で実現され、図4Cに示されたラダー構造を有する。帯域阻止フィルタは、直列共振器SB1と並列共振器PB1とを備える。受信フィルタRXは、図4Dに従う2つのラダー構造と図4Bに従う1つのラダー構造とのチェーン回路からなる。受信フィルタは、直列共振器SR1,SR2と並列共振器PR1,PR2,PR3とを備える。インダクタンスL12は、PB1の共振周波数をシフトさせる。さらに、端子LNAおよびPAにおいて整合素子を設けることが可能である。整合回路M2が存在しないことを考慮するならば、配置は、図1に示されたデュプレクサDに対応する。
1つの例示的実施例において、並列共振器と直列共振器とはバルク音波(BAW)共振器である。正確には、およそ2GHzの相対的に高い周波数において、BAW共振器は、表面音波(SAW)共振器と比較して、同じ寸法でよりよい電気的特性を有する。BAW共振器は、実質的に、2つの電極の間に配置され、共振周波数においてともに振動する圧電層からなる。BAW共振器の場合において、反共振の周波数は、共振の周波数の上側に位置する。代替的に、共振器はGBAW共振器でもよい。
並列共振器は、直列共振器よりも低い共振周波数を有する。並列共振器が通過帯域経路にあるので、直列共振器は、その反共振によって、送信フィルタおよび受信フィルタの通過帯域の上側の端部を形成し、一方で、並列共振器は、接地へと散逸し、その共振によって、低いほうの端部を形成する。帯域は、周波数における違いによって設定されることができる。
BAW製造技術の場合、2つの共振fs,fpのみが通常1つのチップ上で利用可能である。2以上の共振周波数が可能であるが、より高いプロセスの支出と、従ってより低い部品の歩留まりとを意味する。送信フィルタTXと受信フィルタRXとは異なる中心周波数を有するので、それらは、したがって専用の基板CTおよびCRに製造される。
図5において、帯域阻止フィルタBSは、送信フィルタTXと同じ基板CT上に集積化される。帯域阻止フィルタBSの共振器は、送信フィルタTXの共振器と同じ製造ステップによって製造される。帯域阻止フィルタと送信フィルタとは、したがって同じ共振器を有する。この方法において、帯域阻止フィルタBSのための追加の基板が必要ではなく、追加の処理ステップが除かれる。
しかしながら、同じ共振器を有する送信フィルタTXの通過帯域において帯域阻止フィルタBSを実現するために、共振器を異なって配置することが必要である。帯域阻止フィルタBSの並列共振器PB1は、したがって送信フィルタTXの直列共振器ST1,ST2またはST3と同じ共振器であり、同じ共振周波数において、インダクタンスL12を介して接地GNDへと散逸される。帯域阻止フィルタBSの直列共振器SB1は、送信フィルタTXの並列共振器PT1,PT2と同じ共振器である。帯域阻止フィルタBSと送信フィルタTXとに同じ共振器が用いられるということにより、デュプレクサの設計においていくつかの制限が生じるが、後で説明するように、それらを回避することができる。
図5における帯域阻止フィルタBSは、送信フィルタTXとともに1つの基板CT上に集積化され、したがって、結果的に、製造の間におけるかなりの利点をもたらすが、帯域阻止フィルタBSは、専用の部品によって外的に、あるいは筐体内に集積化する方法によって製造されることもできる。
帯域阻止フィルタBSの共振器SB1,PB1は、受信フィルタRXの基板CR上に実現されることもまた可能である。しかしながら、このことは、異なる共振周波数を有する第3の、および、もし適切ならばさらなる共振器タイプを製造できる可能性がある、より複雑なBAW製造プロセスを必要とする。
図5における図示と対照的に、配置において、送信フィルタが、直列共振器から始まるか、あるいは直列共振器SRが帯域阻止フィルタBSと送信フィルタの第1の並列共振器PR1との間に配置されるならば、有利である。
筐体内、デュプレクサモジュール内、あるいは回路基板上に配置された外部インダクタンスの使用と比較した、BAW共振器を用いて製造された帯域阻止フィルタBSの1つの本質的な利点は、インダクタンス値が、共振器の周波数安定性および製造安定性に対して、相対的に大きな変動を受けるということである。典型的に特定され得る送信周波数分離は、したがって不必要に損なわれる。対照的に、図5に示された帯域阻止フィルタBSは、音波素子によって構成され、当該素子は、第1に周波数でトリミングされ、第2に、温度的に安定であり、BAW共振器の場合にはおよそ−20ppm/Kである。典型的な分離は、したがって、より小さい余裕で具体化することができ、その結果として、製造プロセスからなる要求を低減することができ、あるいは、同じ製造プロセスにおける歩留まりが増加する。
受信フィルタRXの共振器は、BAW共振器に代えてSAW共振器で製造されることも可能である。SAW共振器は、追加的に、「シングルエンド」の「平衡」への整合を与えるとともに、よりよい電気的特性を有する可能性があるという利点を有する。SAW技術とBAW技術との組合せは、ハイブリッドデュプレクサを形成する。
ここで、送信フィルタTX、帯域阻止フィルタBSおよび受信フィルタRXをSAW共振器で実現することが可能である。この場合、SAW素子は、単一の基板上に実現可能であるが、その理由は、SAW製造技術の場合には異なる共振周波数を有する共振器が相対的に大きな支出を伴わず、たとえばインターデジタルトランスデューサ(IDT)の適切なフィンガ周期を選択することによって実現されるためである。
帯域阻止フィルタBSの共振器の共振周波数を変更し、したがって電気的特性を最適化するために、多くの可能性がある。BAW共振器の場合、追加の質量コーティングが適用され得るが、そのコーティングは共振器の振動質量を増加させる。1つの可能性は、一部分が除去可能な質量層を適用することからなる。質量コーティングを有する共振器は、したがって、追加の材料層を有さない、あるいは材料層が部分的にのみ存在する共振器よりも低い共振周波数を有する。
図5における帯域阻止フィルタBSは、送信フィルタTXとともに1つの基板CT上に集積化され、したがって製造の間におけるかなりの利点をもたらすが、帯域阻止フィルタBSは、専用の部品によって外的に、または筐体内に集積化する方式によって製造されることも可能である。
図6は、1つの共振器が複数の共振器を備え、したがってデュプレクサの設計に対するさらなる自由度を生じさせる例示的実施例を示す。図4A,4Cと比較して、直列共振器Sは図6A,6Bにおける直列共振器S1,S2によって置換えられている。図6Cは、並列共振器P1,P2によって、図4Cからの並列共振器Pの置換えを示す。図4Cと比較して、共振器S,Pは、図6Dにおける直列共振器S1,S2および並列共振器P1,P2に置換えられている。置換えられた共振器が元の共振器S,Pと同じ静電容量C0を有するために、これらの共振器は、もし、それらが直列に接続されるならば2倍の容量、すなわち2倍の領域を有していなければならず、もしそれらが並列に接続されるならば、半分の容量、すなわち半分の領域を有していなければならない。2倍を示す共振器の1つにおいて、共振周波数は、上記のように、元の共振器S,Pに対して相対的に最大で3%変化し得る。さらなる共振周波数では、最適化のためのさらなる可能性は、さらなる共振周波数を有するBAW共振器のための新しい製造プロセスの導入なしに生じる。
図7は、第1の端子1および第2の端子2を有する帯域阻止フィルタBSと、第1のインダクタンスL1および第2のインダクタンスL2を有する整合回路とを有する、例示的実施例を示す。帯域阻止フィルタBSは個別の直列共振器SB1からなり、同じ処理ステップによって同一基板CT上に送信フィルタTXの共振器とともに再び製造されることができる。SB1のL1,L2および静電容量は、受信信号の受信において、送信フィルタTXが受信フィルタRXから見てオープン回路を構築し、受信フィルタRXとアンテナ端子ANTとの間の反射が最小化されるように設計される。さらに、送信信号の送信において、受信フィルタRXは、送信フィルタTXから見てオープン回路を構築し、送信フィルタTXとアンテナ端子ANTとの間の反射が最小化されることを意図される。この場合、第1のインダクタンスL1は、送信フィルタTXをアンテナ端子ANTに整合する機能を果たす。直列共振器SB1の静電容量C0と第2のインダクタンスL2とを合わせて、第1のインダクタンスL1は受信フィルタRXの整合のために用いられるPI回路を形成する機能を果たす。整合回路は、さらにインダクタンスL3,L4を備える。この場合、インダクタンスL3,L4は、送信フィルタTXと受信フィルタRXとを送信アンプ端子PAと受信アンプ端子LNAとに整合させる機能を果たす。この場合、送信フィルタTXと受信フィルタRXとは任意の所望の方式で構成されることができる。整合は、また、たとえば並列インダクタンス、あるいは大部分、誘導性の特性を有する回路によって、異なるようにもたらされることができる。
帯域阻止フィルタBSは、送信周波数において高いインピーダンスの振る舞いを有するように、すなわちオープン回路を形成するように意図され、その結果、より容易な整合が可能である。この目的のため、第1の直列共振器SB1は、送信フィルタTXの通過帯域TPの範囲において反共振周波数を有する。その結果、受信フィルタRXは、送信フィルタTXから見て常にオープン回路を構築する。この配置において第1の並列共振器の使用は不可能であるが、その理由は、その共振器が、送信周波数範囲において短絡回路をもたらすためである。直列共振器SB1は、送信フィルタTXの並列共振器であってもよく、その共振周波数は任意選択的に低下する。
直列共振器SB1の共振は、送信フィルタの左側の端部の損傷が生じないように、周波数に関して、送信フィルタの通過帯域側の最大で3%下にある。このことは、上記の手段を用いた直列共振器SB1の共振周波数の低下によって可能とすることができる。一般的に、この場合には、反共振が通過帯域の中央に正確に存在することは絶対的に必要ではない。
この問題に対するさらなる解決策は、帯域阻止フィルタBSに直列に接続されたインダクタンスの使用である。この方法において、同じ反共振位置を有する帯域阻止フィルタBSの共振は、低周波数側に引っ張られ、送信フィルタTXの左側の通過帯域の端部は損傷を受けないままとなる。しかしながら、およそ2GHzの周波数において、直列インダクタンスは、10nHより大きくならなければならず、その結果、この解決策はより高い周波数での適用に制限される。
図8は、並列共振器PB1による図7の拡張を示し、並列共振器は第2の端子に接続されるとともに、その第1の端子によって接地GNDに接続される。第1の直列共振器SB1の反共振は、それが低いほうの通過帯域端部の範囲に存在するように再び選ばれる。このことは、たとえば、BAW技術を用いる共振器によってもたらされることができ、前記共振器の周波数は、追加の質量コーティングによって低くされる。送信フィルタTXの直列共振器は、並列共振器PB1で選ばれることができる。整合回路は、図7と比較して、その構造の点において変わらない。インダクタンスL2は、並列共振器PB1の存在により、有利に小さくなることができる。一番目のSB1共振器は、送信フィルタTXを受信フィルタRXから切り離し、その結果として、整合が単純化される。反共振は、送信フィルタの通過帯域内にあるか、あるいは最大でおよそ3%下であり、共振は、左側の通過帯域の端部が損傷しないために、通過帯域の下に存在する。帯域阻止フィルタからなる要求に依存して、さらなる並列共振器もまた、第2の端子および接地GNDに接続されることが可能である。整合のため、並列共振器の第1の端子は、少なくとも一部において、また、直接的接続に代えてインダクタンスを介して接地GNDに接続されることができる。さらなる並列共振器の共振周波数は、最大で3%互いに異なり得る。
図9は、図7の変形を示し、直列共振器SB1は、直列に接続された2つの直列共振器SB1,SB2に置換えられている。PI回路として設計された、図7における整合回路の代わりに、受信フィルタRXの整合のためにT回路が用いられる。T回路のキャパシタンスは、直列共振器SB1,SB2の静電容量から形成される。T回路に必要なインダクタンスは、コイルL2によって与えられ、コイルL2は接続ノードAに接続され、そのノードを介して、直列共振器SB1,SB2が互いに接続され、接地GNDに接続される。直列共振器SB1は再び、その反共振が送信フィルタTXの低いほうの通過帯域の端部にあるように、送信フィルタTXの並列共振器の低いほうの共振周波数を有する。第1のインダクタンスL1はアンテナ端子ANTにおいて主として誘導性の特性を与える。共振器SB2は、送信フィルタの並列共振器である。
図10は、さらなる例示的実施例を示し、図9に基づく。図7〜9において、送信フィルタTXの整合は、受信フィルタRXの整合とは独立していない。この欠点は、図10に示された整合回路で回避することができる。図9と比較して、第1のインダクタンスL1は、もはや第1の端子1をアンテナ端子ANTに接続しておらず、むしろ送信フィルタTXに接続する。しかしながら、受信フィルタRXのためのオープン回路条件の達成は、示された配置よりも難しい。もし、送信フィルタTXがたとえば図5のST3のような直列共振器を有し、その直列共振器を介して送信フィルタが第1のインダクタンスに接続されるならば有益である。アンテナ端子ANTは、受信周波数範囲においてオープン回路となっている。
図11は、複数のフィルタTX1,TX2,TX3,RX1,RX2が共通のノードKに結合された例示的実施例を示す。そのような配置は、たとえば、複数の送信経路および受信経路が存在するモジュールでのアプリケーションにおいて存在する。各々の送信経路と各々の受信経路との間の高い分離は、既に述べたように、ここで望まれる。さらに、互いに関して十分に大きなバンドギャップを有するバンドパスフィルタが、もしそれらが共通のノードKに接続されるならば、互いに容量性負荷のように動作するということによって生じる容量性の損失を最小化するということも意図される。送信経路と受信経路との間の分離は、上記の方式で達成され得る。バンドパスフィルタTX1の挿入損失、その結果としてのバンドパスフィルタTX2,TX3による容量性の損失を低減するために、帯域阻止フィルタBSがその上流に接続される。帯域阻止フィルタBSは、その反共振がおよそ第1のバンドパスフィルタTX1の通過帯域の中心にある共振器であり得る。さらなるバンドパスフィルタRX1、RX2による容量性の負荷は同じ方法でなくすことができる。要求される整合回路は図11に示されていない。帯域阻止フィルタBSのための整合および共振器の選択のためのすべての上記のステップおよび、また、上記の変形も、図7〜11に適用可能である。
1,2 端子、fp 並列共振器の共振周波数、fs 直列共振器の共振周波数、A 接続ノード、ANT アンテナ端子、BS 帯域阻止フィルタ、C0 BAW共振器の静電容量、CT 送信フィルタの基板、CS 受信フィルタの基板、D デュプレクサ、GND 接地、I 帯域阻止フィルタのない分離、IB 帯域阻止フィルタのある分離、K 共通のノード、L1,L2,L3,L4 インダクタンス、LNA,LNA1,LNA2 受信アンプ端子、M1,M2 整合回路、N 共振器の数、PA,PA1,PA2 送信アンプ端子、P,P1,P2 並列共振器、PB1 帯域阻止フィルタの並列共振器、PT1,PT2 送信フィルタの並列共振器、PR1,PR2,PR3 受信フィルタの並列共振器、R 受信フィルタの伝達関数、RB 帯域阻止フィルタを有する受信フィルタの伝達関数、RX,RX1,RX2 受信フィルタ,第2のバンドパスフィルタ、T 送信フィルタの伝達関数、TP 送信フィルタの通過帯域、TX,TX1 送信フィルタ,第1のバンドパスフィルタ、TX2,TS3 第2のバンドパスフィルタ、S,S1,S2 直列共振器、SB1,SB2 帯域阻止フィルタの直列共振器、ST1,ST2,ST3 送信フィルタの直列共振器、SR1,SR2 受信フィルタの直列共振器。

Claims (44)

  1. デュプレクサであって、
    アンテナ端子(ANT)と、
    送信アンプ端子(PA)と、
    受信アンプ端子(LNA)とを備え、
    前記送信アンプ端子(PA)は、送信フィルタ(TX)を介して前記アンテナ端子(ANT)に結合され、
    前記受信アンプ端子(LNA)は受信フィルタ(RX)に結合され、
    前記受信フィルタ(RX)は、帯域阻止フィルタ(BS)を介して前記アンテナ端子(ANT)に結合され、
    前記送信フィルタ(TX)は通過帯域(TP)を有し、
    前記帯域阻止フィルタ(BS)は、前記送信フィルタ(TX)の前記通過帯域(TP)において阻止帯域を有し、
    前記送信フィルタ(TX)は、少なくとも1つの共振器(PT1,PT2,ST1,ST2,ST3)を備え、
    前記帯域阻止フィルタ(BS)は、前記送信フィルタ(TX)と同じ少なくとも1つの共振器(PB1,SB1,SB2)を備え
    前記帯域阻止フィルタ(BS)の少なくとも1つの前記共振器(PB1,SB1,SB2)は、第1の共振周波数と、第1の静的キャパシタンスとを有し、少なくともN個の共振器(S1,S2,P1,P2)を備え、
    Nは2以上であり、
    前記N個の共振器の少なくとも1つにおいて、共振周波数は、前記第1の共振周波数と最大で3%異なっており、
    前記N個の共振器は互いに直列に接続され、かつ前記N個の共振器の各々は、前記第1の静的キャパシタンスのN倍大きい静的キャパシタンスを有するか、あるいは、
    前記N個の共振器は互いに並列に接続され、かつ前記N個の共振器の各々は前記第1の静的キャパシタンスの1/N倍の静的キャパシタンスを有する、デュプレクサ。
  2. 前記送信フィルタ(TX)と前記帯域阻止フィルタ(BS)とは、直列共振器(S,S1,S2,ST1,ST2,ST3,SB1)または、並列共振器(P,P1,P2,PT1,PT2,PB1)を有するラダー構造を備える、請求項1に記載のデュプレクサ。
  3. 前記送信フィルタの少なくとも1つの並列共振器(P,P1,P2,PT1,PT2)は、前記送信フィルタの前記直列共振器(S,S1,S2,ST1,ST2,ST3)の共振周波数よりも低い共振周波数を有する、請求項2に記載のデュプレクサ。
  4. 前記帯域阻止フィルタ(BS)の少なくとも1つの直列共振器(SB1,SB2)は、前記送信フィルタ(TX)の並列共振器(PT1,TP2)と同じ共振器である、請求項2または3に記載のデュプレクサ。
  5. 前記帯域阻止フィルタ(BS)の少なくとも1つの並列共振器(PB1)は、前記送信フィルタ(TX)の直列共振器(ST1,ST2,ST3)と同じ共振器である、請求項2から4のいずれかに記載のデュプレクサ。
  6. 前記帯域阻止フィルタ(BS)の少なくとも1つの直列共振器(SB1)の共振周波数は、前記帯域阻止フィルタ(BS)の残りの直列共振器(SB2)の共振周波数と異なる、請求項2から5のいずれかに記載のデュプレクサ。
  7. 前記帯域阻止フィルタ(BS)の少なくとも1つの並列共振器の共振周波数は、前記帯域阻止フィルタ(BS)の残りの並列共振器の共振周波数と異なる、請求項4から6のいずれかに記載のデュプレクサ。
  8. その共振周波数が他の共振器と異なる共振器(PB1,SB1)は、共振周波数を低下させるとともに、他の共振器(PB,SB)に存在しない、または同じ範囲に存在しない追加の質量コーティングを有する、請求項6または7に記載のデュプレクサ。
  9. 前記追加の質量コーティングは、パッシベーション層、二酸化シリコン層、タングステン層、チタン層、アルミニウム層、モリブデン層、イリジウム層、ルテニウム層、窒化シリコン層、窒化アルミニウム層、酸化亜鉛層、チタン酸ジルコン酸鉛層、チタン酸バリウムストロンチウム層、または、いくつかの他の材料からなる層であり、
    前記層は、前記共振器の圧電層の上または下に適用されるか、あるいは前記圧電層を厚くする、請求項8に記載のデュプレクサ。
  10. 前記送信フィルタ(TX)の前記共振器(PT1,PT2,ST1,ST2,ST3)と前記帯域阻止フィルタ(BS)の前記共振器(PB1,SB1,SB2)は、BAW共振器であり、同一の基板(CT)上に配置される、請求項1から9のいずれかに記載のデュプレクサ。
  11. 前記受信フィルタ(RX)の前記共振器(PR1,PR2,PR3,SR1,SR2)と前記帯域阻止フィルタ(BS)の前記共振器(PB1,SB1,SB2)は、BAW共振器であり、同一の基板(CT)上に配置される、請求項1から9のいずれかに記載のデュプレクサ。
  12. 前記送信フィルタ(TX)の前記共振器(PT1,PT2,ST1,ST2,ST3)、前記受信フィルタ(RX)の前記共振器(PR1,PR2,PR3,SR1,SR2)、および前記帯域阻止フィルタ(BS)の前記共振器(PB1,SB1,SB2)は、BAW共振器であり、同一の基板(CT)上に配置される、請求項1から9のいずれかに記載のデュプレクサ。
  13. 前記受信フィルタ(RX)は、少なくとも1つのSAW共振器(PR1,PR2,PR3,SR1,SR2)を備える、請求項10から12のいずれかに記載のデュプレクサ。
  14. 前記送信フィルタ(TX)と前記帯域阻止フィルタ(BS)とは、BAW共振器の代わりにSAW共振器を備え、
    前記受信フィルタ(RX)、前記送信フィルタ(TX)、および前記帯域阻止フィルタ(BS)の前記SAW共振器(PB1,PR1,PR2,PR3,PT1,PT2,SB1,SB2,SR1,SR2,ST1,ST2,ST3)は、共通の基板(CT,CR)上に構成される、請求項10から13のいずれかに記載のデュプレクサ。
  15. GBAW共振器がBAW共振器の代わりに用いられる、請求項1から13のいずれかに記載のデュプレクサ。
  16. 前記帯域阻止フィルタ(BS)の少なくとも1つの前記共振器(PB1,SB1,SB2)は、第1の共振周波数と、第1の静的キャパシタンスとを有し、少なくともN個の共振器(S1,S2,P1,P2)を備え、
    Nは2以上であり、
    前記N個の共振器の各々は、前記第1の静的キャパシタンスのN倍大きい静的キャパシタンスを有し、
    前記N個の共振器は、互いに直列に接続され、
    前記N個の共振器の少なくとも1つにおいて、共振周波数は、前記第1の共振周波数最大で3%異なっている、請求項1から15のいずれかに記載のデュプレクサ。
  17. 前記帯域阻止フィルタ(BS)の少なくとも1つの前記共振器(PB1,SB1,SB2)は、第1の共振周波数と、第1の静的キャパシタンスとを有し、少なくともN個の共振器(S1,S2,P1,P2)を備え、
    Nは2以上であり、
    前記N個の共振器の各々は、前記第1の静的キャパシタンスの1/N倍の静的キャパシタンスを有し、
    前記N個の共振器は、互いに並列に接続され、
    前記N個の共振器の少なくとも1つにおいて、共振周波数は、前記第1の共振周波数最大で3%異なっている、請求項1から15のいずれかに記載のデュプレクサ。
  18. 少なくとも1つの整合回路(M1,M2)をさらに備え、前記整合回路は、
    受信信号の受信において、
    前記送信フィルタ(TX)が、前記受信フィルタ(RX)から見てオープン回路を構築し、
    前記受信フィルタ(RX)と前記アンテナ端子(ANT)との間の反射が最小化され、
    送信信号の送信において、
    前記受信フィルタ(RX)が、前記送信フィルタ(TX)から見てオープン回路を構築し、
    前記送信フィルタ(TX)と前記アンテナ端子(ANT)との間の反射が最小化されるように設計される、請求項1から17のいずれかに記載のデュプレクサ。
  19. 前記帯域阻止フィルタ(BS)は、第1の端子(1)と、第2の端子(2)とを有し、前記第1の端子(1)は、前記アンテナ端子(ANT)と前記送信フィルタ(TX)とに接続され、前記第2の端子(2)は、前記受信フィルタ(RX)に接続され、
    前記整合回路(M1,M2)は、第1のインダクタンス(L1)と、第2のインダクタンス(L2)とを備え、前記第1のインダクタンス(L1)は、前記第1の端子(1)を接地(GND)に接続し、前記第2のインダクタンス(L2)は、前記第2の端子(2)を接地(GND)に接続する、請求項18に記載のデュプレクサ。
  20. 前記帯域阻止フィルタ(BS)は、前記第1の端子(1)に接続される第1の直列共振器(SB1)を備える、請求項19に記載のデュプレクサ。
  21. 前記第1の直列共振器(SB1)は、前記送信フィルタ(TX)の前記通過帯域(TP)の周波数の97%から100%の間に位置する反共振を有する、請求項20に記載のデュプレクサ。
  22. 前記帯域阻止フィルタ(BS)は、さらに少なくとも1つの並列共振器(PB1)を備え、
    前記少なくとも1つの並列共振器(PB1)の第1の端子は、接地(GND)に接続され、
    前記少なくとも1つの並列共振器(PB1)の他の端子は、前記第2の端子(2)および前記第1の直列共振器(SB1)に接続される、請求項20に記載のデュプレクサ。
  23. 前記少なくとも1つの並列共振器(PB1)の少なくとも1つの前記第1の端子は、接地(GND)に、直接的にではなく、インダクタンス、キャパシタンス、またはインダクタンスとキャパシタンスとの組合せを介して接続される、請求項22に記載のデュプレクサ。
  24. 前記第1の直列共振器(SB1)は、前記送信フィルタ(TX)の低いほうの通過帯域の端部の領域において反共振を有し、前記並列共振器(PB1)は、前記送信フィルタ(TX)の前記通過帯域(TP)の中心の領域に位置する共振周波数を有する、請求項23に記載のデュプレクサ。
  25. 前記第1の直列共振器(SB1)は、前記送信フィルタ(TX)の並列共振器(PT1,PT2)と同じであるが、前記並列共振器(PT1,PT2)の共振周波数に対して相対的に前記第1の直列共振器(SB1)の共振周波数を低くする追加の質量コーティングを有し、
    前記第2の端子(2)に接続される前記並列共振器(PB1)は、前記送信フィルタ(TX)の直列共振器(ST1,ST2)と同じである、請求項20から24のいずれかに記載のデュプレクサ。
  26. 前記帯域阻止フィルタ(BS)は、第1の端子(1)と第2の端子(2)と、接続ノード(A)を介して直列に接続された2つの直列共振器(SB1,SB2)とを備え、前記2つの直列共振器のうちの一方の直列共振器(SB1)は、前記第1の端子(1)に接続され、他方(SB2)は、前記第2の端子(2)に接続され、
    前記第1の端子(1)は、前記送信フィルタ(TX)に接続され、前記第2の端子(2)は、前記受信フィルタ(RX)に接続され、
    前記整合回路(M1,M2)は、第1のインダクタンス(L1)と第2のインダクタンス(L2)とを備え、前記第1のインダクタンス(L1)は、前記第1の端子(1)を前記アンテナ端子(ANT)に接続し、前記第2のインダクタンス(L2)は、前記接続ノード(A)を接地(GND)に接続する、請求項18に記載のデュプレクサ。
  27. 前記第1の端子(1)は、前記送信フィルタ(TX)ではなく、前記アンテナ端子(ANT)に接続され、
    前記第1のインダクタンス(L1)は、前記第1の端子(1)を、前記アンテナ端子(ANT)ではなく、前記送信フィルタ(TX)に接続する、請求項26に記載のデュプレクサ。
  28. 前記第1の端子(1)に接続される前記直列共振器(SB1)は、前記送信フィルタ(TX)の低いほうの通過帯域の領域に反共振を有し、
    前記第2の端子(2)に接続される前記直列共振器(SB2)は、前記送信フィルタ(TX)の前記通過帯域(TP)の中心の領域に位置する反共振周波数を有する、請求項26または27に記載のデュプレクサ。
  29. 前記第1の端子(1)に接続される前記直列共振器(SB1)は、前記送信フィルタ(TX)の並列共振器(PT1,PT2)と同じであるが、前記並列共振器(PT1,PT2)の共振周波数に対して相対的に前記直列共振器(SB1)の共振周波数を低くする追加の質量コーティングを有し、
    前記第2の端子(2)に接続される前記直列共振器(SB2)は、前記送信フィルタ(TX)の並列共振器(PT)と同じである、請求項26から28のいずれかに記載のデュプレクサ。
  30. 前記第1の直列共振器(SB1)は、反共振を有するが共振を有していない、請求項20から29のいずれかに記載のデュプレクサ。
  31. 少なくとも1つの並列共振器(PB1)は、共振を有するが反共振を有していない、請求項20から29のいずれかに記載のデュプレクサ。
  32. 前記送信フィルタ(TX)は、直列共振器(ST)を備え、前記送信フィルタ(TX)は、前記直列共振器(ST)を介して前記第1の端子(1)に接続される、請求項29から31のいずれかに記載のデュプレクサ。
  33. 前記整合回路(M1,M2)は、さらに、
    前記送信フィルタ(TX)を前記送信アンプ端子(PA)に接続するインダクタンス(L3)と、
    前記受信フィルタ(RX)を前記受信アンプ端子(LNA)に接続するインダクタンス(L4)とを備える、請求項18から32のいずれかに記載のデュプレクサ。
  34. さらなる端子(PA2,LNA1,LNA2)が設けられ、前記さらなる端子は、それぞれのフィルタ(TX2、TX3、RX1、RX2)とそれぞれの帯域阻止フィルタ(BS)とを介して前記アンテナ端子(ANT)に結合され、前記それぞれの帯域阻止フィルタ(BS)の阻止帯域は、前記送信フィルタ(TX1)の通過帯域に位置する、請求項1〜33のいずれかに記載のデュプレクサ。
  35. 第1のバンドパスフィルタ(TX,TX1)と少なくとも1つの第2のバンドパスフィルタ(RX,RX1,RX2,TX2,TX3)との間の分離を増大させるための方法であって、
    前記第1のバンドパスフィルタ(TX,TX1)と前記少なくとも1つの第2のバンドパスフィルタ(RX,RX1,RX2,TX2,TX3)は、共通のノード(K)に結合され、
    前記少なくとも1つの第2のバンドパスフィルタ(RX,RX1,RX2,TX2,TX3)は、前記共通のノード(K)に、それぞれの帯域阻止フィルタ(BS)を介して結合され、前記それぞれの帯域阻止フィルタ(BS)は、前記第1のバンドパスフィルタ(TX,TX1)の通過帯域(TP)における抑制をもたらし、
    前記第1のバンドパスフィルタ(TX,TX1)のフィルタ機能と、前記帯域阻止フィルタ(BS)のフィルタ機能とは、各々の場合において、少なくとも1つの同じ共振器によって実現され
    前記第1のバンドパスフィルタ(TX,TX1)、前記少なくとも1つの第2のバンドパスフィルタ(RX,RX1,RX2,TX2,TX3,RX)、および前記共通のノード(K)に結合されたアンテナは、
    前記第1のバンドパスフィルタ(TX,TX1)の通過帯域に位置する周波数において、
    前記第1のバンドパスフィルタ(TX,TX1)と前記アンテナとの間の電力の反射が最小化され、
    前記少なくとも1つの第2のバンドパスフィルタ(RX,RX1,RX2,TX2,TX3)が、前記第1のバンドパスフィルタ(TX,TX1)から見てオープン回路を構成し、
    前記少なくとも1つの第2のバンドパスフィルタ(RX,RX1,RX2,TX2,TX3)の通過帯域における各々の場合に位置する周波数において、
    各々の第2のバンドパスフィルタ(RX,RX1,RX2,TX2,TX3)と前記アンテナとの間の電力の反射が最小化され、
    前記第1のバンドパスフィルタ(TX,TX1)が、それぞれの前記第2のバンドパスフィルタ(RX,RX1,RX2,TX2,TX3)から見た各々の場合においてオープン回路を構成するように互いにインピーダンス整合され、
    前記帯域阻止フィルタ(BS)の少なくとも1つの共振器の静的キャパシタンスは、インピーダンス整合により変化する、方法。
  36. 前記第1のバンドパスフィルタ(TX,TX1)の共振器と、前記少なくとも1つの帯域阻止フィルタ(BS)の共振器とは、同一の基板(CT)上に実現される、請求項35に記載の方法。
  37. 前記同じ共振器は、同じ処理ステップによって実現される、請求項36に記載の方法。
  38. 前記帯域阻止フィルタ(BS)の少なくとも1つの共振器の共振周波数は、前記第1のバンドパスフィルタ(TX,TX1)の前記同じ共振器の共振周波数に対して相対的に低くされる、請求項35から37のいずれかに記載の方法。
  39. 前記共振周波数は、前記共振器に適用された追加の質量コーティングによって低くされる、請求項38に記載の方法。
  40. 前記帯域阻止フィルタ(BS)と前記第1のバンドパスフィルタ(TX,TX1)との共振器は、BAW共振器である、請求項35から39のいずれかに記載の方法。
  41. 前記帯域阻止フィルタ(BS)の共振器は、SAW共振器である、請求項35から39のいずれかに記載の方法。
  42. 前記帯域阻止フィルタ(BS)の共振器は、GBAW共振器である、請求項35から39のいずれかに記載の方法。
  43. 前記帯域阻止フィルタ(BS)の少なくとも1つの前記共振器は、第1の共振周波数と、第1の静的キャパシタンスとを有し、少なくともN個の共振器によって実現され、
    共振器の数Nは、2以上であり、
    前記N個の共振器の各々は、前記第1の静的キャパシタンスのN倍大きい静的キャパシタンスを有し、
    前記N個の共振器は、互いに直列に接続され、
    前記共振器の少なくとも1つにおいて、共振周波数は、前記第1の共振周波数最大で3%異なっている、請求項35に記載の方法。
  44. 前記帯域阻止フィルタ(BS)の少なくとも1つの前記共振器は、第1の共振周波数と、第1の静的キャパシタンスとを有し、少なくともN個の共振器によって実現され、
    共振器の数Nは、2以上であり、
    前記N個の共振器の各々は、前記第1の静的キャパシタンスの1/N倍の静的キャパシタンスを有し、
    前記N個の共振器は、互いに並列に接続され、
    前記共振器の少なくとも1つにおいて、共振周波数は、前記第1の共振周波数最大で3%異なっている、請求項35に記載の方法。
JP2011524337A 2008-09-01 2009-08-21 デュプレクサおよび2つのフィルタの間の分離を増大させるための方法 Active JP5401549B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008045346.3 2008-09-01
DE102008045346.3A DE102008045346B4 (de) 2008-09-01 2008-09-01 Duplexer und Verfahren zum Erhöhen der Isolation zwischen zwei Filtern
PCT/EP2009/060841 WO2010023168A1 (de) 2008-09-01 2009-08-21 Duplexer und verfahren zum erhöhen der isolation zwischen zwei filtern

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012501564A JP2012501564A (ja) 2012-01-19
JP5401549B2 true JP5401549B2 (ja) 2014-01-29

Family

ID=41171059

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011524337A Active JP5401549B2 (ja) 2008-09-01 2009-08-21 デュプレクサおよび2つのフィルタの間の分離を増大させるための方法
JP2011524336A Active JP5662935B2 (ja) 2008-09-01 2009-08-21 アンテナ整合回路

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011524336A Active JP5662935B2 (ja) 2008-09-01 2009-08-21 アンテナ整合回路

Country Status (4)

Country Link
US (3) US9214920B2 (ja)
JP (2) JP5401549B2 (ja)
DE (1) DE102008045346B4 (ja)
WO (2) WO2010023168A1 (ja)

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1277224B1 (en) * 2000-04-19 2007-08-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. High-pressure discharge lamp
DE102008045346B4 (de) * 2008-09-01 2018-06-07 Snaptrack Inc. Duplexer und Verfahren zum Erhöhen der Isolation zwischen zwei Filtern
JP4835814B2 (ja) * 2010-03-01 2011-12-14 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置
DE102010046677B4 (de) * 2010-09-27 2017-10-12 Snaptrack Inc. Schaltungsanordnung
DE102010046794B4 (de) 2010-09-28 2015-07-16 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitendes Filter mit verringerten Nichtlinearitäten
DE102011018918B4 (de) * 2011-04-28 2017-01-05 Epcos Ag Schaltungsanordnung
JP6114198B2 (ja) * 2011-11-28 2017-04-12 スカイワークスフィルターソリューションズジャパン株式会社 高周波フィルタ
US9190712B2 (en) 2012-02-03 2015-11-17 Apple Inc. Tunable antenna system
US9496913B2 (en) 2012-04-12 2016-11-15 Skyworks Solutions, Inc. Systems and methods related to improved isolation between transmit and receive radio-frequency signals
US9397721B2 (en) 2012-04-12 2016-07-19 Skyworks Solutions, Inc. Systems and methods for reducing filter insertion loss while maintaining out-of band attenuation
ES2533314T3 (es) 2012-06-07 2015-04-09 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Transceptor sin duplexor y aparato de comunicación
DE102012107244B4 (de) 2012-08-07 2019-10-31 Snaptrack, Inc. Duplexer mit Phasenschieberschaltung
DE102012108030B4 (de) * 2012-08-30 2018-05-09 Snaptrack, Inc. Multiplexer mit verringerten Intermodulationsprodukten
DE102012108035B4 (de) 2012-08-30 2016-06-16 Epcos Ag Kondensator mit verbessertem linearen Verhalten
EP2733855B1 (en) 2012-11-15 2016-07-27 Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) Transceiver front-end
EP2974048B1 (en) 2013-03-14 2021-06-23 Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) Transmitter receiver leakage reduction in a full duplex system without the use of a duplexer
US10027465B2 (en) 2013-04-26 2018-07-17 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson Transceiver arrangement, communication device, method and computer program
WO2014177191A1 (en) 2013-04-30 2014-11-06 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Transceiver arrangement, communication device, method and computer program
JP6380400B2 (ja) 2013-09-26 2018-08-29 株式会社村田製作所 周波数可変フィルタ
WO2015110149A1 (en) 2014-01-21 2015-07-30 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Transceiver arrangement and communication device
US9281800B2 (en) * 2014-01-24 2016-03-08 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Resonator filter device having narrow pass-band
JP6363378B2 (ja) 2014-04-10 2018-07-25 太陽誘電株式会社 マルチプレクサ
GB2526197B (en) * 2014-04-11 2020-11-18 Skyworks Solutions Inc Circuits and methods related to radio-frequency receivers having carrier aggregation
DE102014110905A1 (de) * 2014-07-31 2016-02-04 Epcos Ag Duplexer mit verbesserter Reflektivität
WO2016066278A1 (en) 2014-10-29 2016-05-06 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Transceiver arrangement and communication device
US9838056B2 (en) 2015-05-28 2017-12-05 Skyworks Solutions, Inc. Integrous signal combiner
US10707905B2 (en) * 2015-06-23 2020-07-07 Skyworks Solutions, Inc. Wideband multiplexer for radio-frequency applications
JP6615704B2 (ja) * 2015-06-29 2019-12-04 スカイワークス ソリューションズ,インコーポレイテッド 共振器付きハイブリッド回路を有するマルチプレクサ
JP6607258B2 (ja) * 2015-10-30 2019-11-20 株式会社村田製作所 弾性波装置
JP6822764B2 (ja) 2015-12-17 2021-01-27 Tdk株式会社 分波器
JP6743396B2 (ja) 2016-01-25 2020-08-19 Tdk株式会社 バンドパスフィルタおよび分波器
US10476532B2 (en) * 2016-02-24 2019-11-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multiplexer, transmission apparatus, and reception apparatus
JP6658070B2 (ja) * 2016-02-24 2020-03-04 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、送信装置および受信装置
CN108713290B (zh) * 2016-02-29 2022-04-15 株式会社村田制作所 带阻滤波器以及复合滤波器
DE102016111917A1 (de) * 2016-06-29 2018-01-04 Snaptrack, Inc. RF Schaltkreis und Verfahren zum Betrieb
DE102016112984A1 (de) * 2016-07-14 2018-01-18 Snaptrack, Inc. HF-Filter mit verringerter Einfügedämpfung
JP6573851B2 (ja) 2016-08-04 2019-09-11 太陽誘電株式会社 マルチプレクサ
KR102565276B1 (ko) * 2016-11-16 2023-08-09 삼성전자주식회사 코일 공유 구조를 가지는 무선 장치
JP2018101943A (ja) * 2016-12-21 2018-06-28 株式会社村田製作所 高周波モジュール
KR102278128B1 (ko) * 2017-03-14 2021-07-16 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 엑스트랙터
JP2018157248A (ja) 2017-03-15 2018-10-04 株式会社村田製作所 フロントエンドモジュール
RU2668312C2 (ru) * 2017-03-17 2018-09-28 Сергей Александрович Шабад Музыкальный фильтр
DE112018000598B4 (de) * 2017-03-29 2024-09-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. Trap-filter und filterschaltung
CN109391242B (zh) * 2017-08-03 2022-08-09 株式会社村田制作所 复合型滤波器装置、高频前端电路以及通信装置
DE102017118933B4 (de) * 2017-08-18 2019-10-31 RF360 Europe GmbH Duplexer, Duplexer-Bauelement, Quadplexer und Quadplexer-Bauelement
WO2019065861A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
FR3073995B1 (fr) * 2017-11-17 2021-01-08 Continental Automotive France Systeme d'au moins deux unites emettrices et/ou receptrices reliees a une antenne commune
DE102018102832B4 (de) * 2018-02-08 2023-01-05 RF360 Europe GmbH Filterschaltung mit einem Notchfilter
JP2020048067A (ja) 2018-09-19 2020-03-26 株式会社村田製作所 エクストラクタ
JP6939763B2 (ja) * 2018-12-25 2021-09-22 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、および通信装置
JP6889413B2 (ja) * 2018-12-25 2021-06-18 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、および通信装置
DE102019119239A1 (de) * 2019-07-16 2021-01-21 RF360 Europe GmbH Multiplexer
CN110535449B (zh) * 2019-07-23 2023-07-28 同方电子科技有限公司 一种恒阻短波多工器
DE102019120312A1 (de) * 2019-07-26 2021-01-28 RF360 Europe GmbH Filtervorrichtung umfassend zwei verbundene Filterschaltungen
JP7352855B2 (ja) * 2019-08-21 2023-09-29 株式会社村田製作所 分波器
CN112073018B (zh) * 2020-05-28 2022-02-25 诺思(天津)微系统有限责任公司 双工器、多工器以及通信设备
KR102482602B1 (ko) * 2020-08-19 2022-12-29 삼성전기주식회사 음향 공진기 필터
US11824522B2 (en) * 2020-11-11 2023-11-21 Rf360 Singapore Pte. Ltd. Electroacoustic filter with modified phase characteristics
CN112736378B (zh) * 2020-12-01 2021-12-14 武汉虹信科技发展有限责任公司 一种滤波移相器及天线

Family Cites Families (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4559587A (en) * 1983-11-17 1985-12-17 Harvey Hubbell Incorporated Wall mounted luminaire
US4599587A (en) * 1984-12-03 1986-07-08 R. F. Monolithics, Inc. Impedance element
JPH01227530A (ja) * 1988-03-07 1989-09-11 Kokusai Electric Co Ltd 分波器
JPH0661783A (ja) * 1992-08-14 1994-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JPH06152299A (ja) * 1992-11-09 1994-05-31 Fujitsu Ltd 弾性表面波デバイス
JP3487692B2 (ja) * 1995-10-02 2004-01-19 富士通株式会社 分波器
JPH09232909A (ja) * 1996-02-28 1997-09-05 Oki Electric Ind Co Ltd 分波器
EP0837517B1 (en) 1996-10-18 2004-01-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dielectric laminated filter and communication apparatus
JP3554133B2 (ja) * 1997-04-10 2004-08-18 松下電器産業株式会社 弾性表面波フィルタ
DE19730710C2 (de) * 1997-07-17 2002-12-05 Epcos Ag Oberflächenwellenakustikfilter mit verbesserter Flankensteilheit
JP2000059174A (ja) * 1998-08-14 2000-02-25 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 弾性表面波分波器及びそれを用いた移動体通信機器
US6262637B1 (en) 1999-06-02 2001-07-17 Agilent Technologies, Inc. Duplexer incorporating thin-film bulk acoustic resonators (FBARs)
JP2001068965A (ja) * 1999-08-26 2001-03-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd ラダー型フィルタ
JP2001313542A (ja) 2000-04-28 2001-11-09 Oki Electric Ind Co Ltd 分波器
EP1303055A4 (en) * 2000-06-26 2009-11-04 Panasonic Corp THREE-FREQUENCY BRANCH CIRCUIT, BRANCH CIRCUIT, AND RADIO COMMUNICATION DEVICE
JP3414384B2 (ja) 2001-01-12 2003-06-09 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ、およびそれを用いた通信機装置
JP3973915B2 (ja) * 2001-03-30 2007-09-12 株式会社日立メディアエレクトロニクス 高周波フィルタ、高周波回路、アンテナ共用器及び無線端末
EP1296454B1 (en) * 2001-09-25 2013-05-22 TDK Corporation SAW element and SAW device
JP2003283363A (ja) * 2002-03-27 2003-10-03 Nrs Technology Kk アンテナ共用器
DE20221966U1 (de) * 2002-06-06 2010-02-25 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit einem Anpaßnetzwerk
US6879224B2 (en) * 2002-09-12 2005-04-12 Agilent Technologies, Inc. Integrated filter and impedance matching network
US7230510B2 (en) 2002-11-19 2007-06-12 Nxp B. V. Duplexer and method of isolating an Rx-band and a Tx-band
KR100517841B1 (ko) 2003-02-22 2005-09-30 주식회사 엠에스솔루션 체적탄성파 공진기 밴드 패스 필터, 이를 포함하는듀플렉서 및 그 제조 방법
US7042311B1 (en) * 2003-10-10 2006-05-09 Novellus Systems, Inc. RF delivery configuration in a plasma processing system
JP2005160056A (ja) * 2003-11-07 2005-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電デバイス及びアンテナ共用器並びにそれらに用いられる圧電共振器の製造方法
DE10352642B4 (de) 2003-11-11 2018-11-29 Snaptrack, Inc. Schaltung mit verringerter Einfügedämpfung und Bauelement mit der Schaltung
JP2005260915A (ja) * 2004-02-09 2005-09-22 Murata Mfg Co Ltd 分波器、通信機
JP4857538B2 (ja) 2004-08-25 2012-01-18 Nok株式会社 中空糸膜モジュール
JPWO2006040927A1 (ja) * 2004-10-08 2008-05-15 株式会社村田製作所 分波器
US7777597B2 (en) * 2004-10-29 2010-08-17 Nortel Networks Limited Band reject filters
JP2006135447A (ja) * 2004-11-02 2006-05-25 Fujitsu Media Device Kk 分波器
DE102004053319A1 (de) 2004-11-04 2006-05-11 Epcos Ag Frequenzweiche
US20060158281A1 (en) * 2004-11-18 2006-07-20 Steven Garris SAW ladder filter
JP4091043B2 (ja) * 2004-12-22 2008-05-28 富士通メディアデバイス株式会社 分波器
US20080116993A1 (en) * 2005-02-28 2008-05-22 Takehiko Yamakawa Piezoelectric Filter, and Duplexer and Communications Apparatus Using the Same
US8229366B2 (en) * 2005-04-08 2012-07-24 Qualcomm, Incorporated Tunable duplexer with common node notch filter
US7274270B2 (en) * 2005-04-13 2007-09-25 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Resonator matching network
DE102005027715B4 (de) 2005-06-15 2020-01-02 Snaptrack, Inc. Elektroakustischer Resonator, Filter, Duplexer und Verfahren zur Bestimmung von Parametern eines Resonators
DE102005028927B4 (de) 2005-06-22 2007-02-15 Infineon Technologies Ag BAW-Vorrichtung
JP2007036856A (ja) * 2005-07-28 2007-02-08 Fujitsu Media Device Kk 共振器、フィルタおよびアンテナ分波器
JP2007053563A (ja) * 2005-08-17 2007-03-01 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 弾性表面波フィルタモジュールおよびこのモジュールの製造方法
JP5039290B2 (ja) * 2005-08-25 2012-10-03 太陽誘電株式会社 フィルタおよびアンテナ分波器
DE102005043373A1 (de) * 2005-09-12 2007-03-15 Epcos Ag Elektrisches Bauelement mit einem Duplexer
DE112006001884B4 (de) 2005-09-12 2018-09-27 Snaptrack, Inc. Elektrisches Bauelement
US7339445B2 (en) 2005-10-07 2008-03-04 Infineon Technologies Ag BAW duplexer without phase shifter
DE102005051852B4 (de) 2005-10-28 2021-05-20 Snaptrack, Inc. SAW Filter mit breitbandiger Bandsperre
KR100752280B1 (ko) 2005-12-14 2007-08-28 삼성전자주식회사 휴대단말기의 안테나주파수 자동매칭 장치
DE102006005298B4 (de) 2006-02-06 2017-05-24 Epcos Ag Duplexer
JP4661958B2 (ja) 2006-04-05 2011-03-30 株式会社村田製作所 圧電共振子及び圧電フィルタ
JP2008109413A (ja) * 2006-10-25 2008-05-08 Fujitsu Media Device Kk 弾性波デバイスおよびフィルタ
DE102006057340B4 (de) * 2006-12-05 2014-05-22 Epcos Ag DMS-Filter mit verbesserter Anpassung
JP4943137B2 (ja) * 2006-12-25 2012-05-30 京セラ株式会社 分波器および通信装置
JP2008206139A (ja) * 2007-01-25 2008-09-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 二重モード圧電フィルタ、その製造方法、およびそれを用いた高周波回路部品および通信機器
JP5042663B2 (ja) * 2007-02-21 2012-10-03 日本碍子株式会社 ラダー型圧電フィルタ
US7598913B2 (en) 2007-04-20 2009-10-06 Research In Motion Limited Slot-loaded microstrip antenna and related methods
DE102008045346B4 (de) * 2008-09-01 2018-06-07 Snaptrack Inc. Duplexer und Verfahren zum Erhöhen der Isolation zwischen zwei Filtern
DE102009011639B4 (de) 2009-03-04 2013-08-29 Epcos Ag Reaktanzfilter mit steiler Flanke und dessen Verwendung als Sendefilter in einem Duplexer
US8063717B2 (en) 2009-07-27 2011-11-22 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Duplexer having resonator filters

Also Published As

Publication number Publication date
JP5662935B2 (ja) 2015-02-04
US20110187478A1 (en) 2011-08-04
DE102008045346B4 (de) 2018-06-07
DE102008045346A1 (de) 2010-03-04
US20110210805A1 (en) 2011-09-01
US20150130680A1 (en) 2015-05-14
US9577606B2 (en) 2017-02-21
JP2012501563A (ja) 2012-01-19
WO2010023168A1 (de) 2010-03-04
US9214920B2 (en) 2015-12-15
JP2012501564A (ja) 2012-01-19
WO2010023167A1 (de) 2010-03-04
US9160306B2 (en) 2015-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5401549B2 (ja) デュプレクサおよび2つのフィルタの間の分離を増大させるための方法
US8279021B2 (en) Duplexer
US6995631B2 (en) Ladder filter, branching filter, and communication apparatus
WO2018037968A1 (ja) 弾性波フィルタ装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
US7586389B2 (en) Impedance transformation and filter using bulk acoustic wave technology
JP5212648B2 (ja) 分波器
JP4944889B2 (ja) 電気的なモジュール
US9136817B2 (en) Filter module and duplexer module
US10892738B2 (en) Acoustic wave filter device and multiplexer
JP4468185B2 (ja) 等しい共振周波数を有する共振器フィルタ構造体
US7518410B2 (en) Duplexer
US7498900B2 (en) System on chip structure comprising air cavity for isolating elements, duplexer, and duplexer fabrication method thereof
US20200280301A1 (en) Multiplexer
JP2006513662A5 (ja)
KR20200040857A (ko) 필터 장치, 멀티플렉서, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
JPWO2006040927A1 (ja) 分波器
CN110739929A (zh) 滤波器以及多路复用器
JP5613813B2 (ja) 分波器
JP6885376B2 (ja) フィルタおよびマルチプレクサ
CN111162752A (zh) 一种体声波滤波器
JP3988864B2 (ja) フィルタ及びこれを用いた分波器
CN110661507A (zh) 滤波器以及多路复用器
US7535319B2 (en) Band pass filter and duplexer having the same
WO2017184759A1 (en) Multiplexer with filters realized in different technologies
JPH11298283A (ja) 弾性表面波フィルタ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120704

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130603

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130611

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130830

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131001

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131028

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5401549

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250