WO2007031051A1 - Elektrisches bauelement für die frontendschaltung eines sendeempfangsgerätes - Google Patents

Elektrisches bauelement für die frontendschaltung eines sendeempfangsgerätes Download PDF

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WO2007031051A1
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signal path
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inductance
path
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PCT/DE2006/001539
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Luigi Rosetti
Jürgen KIWITT
Maximilian Pitschi
Andreas Fleckenstein
Andreas Przadka
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Epcos Ag
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/46—Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/0057—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using diplexing or multiplexing filters for selecting the desired band

Definitions

  • An electrical component is specified which can be used in a front-end circuit of a transceiver device.
  • a device with a front-end circuit is z.
  • Another front-end circuit is described in the Shibagaki, Sakiyama, Hikita "Miniature SAW Duplexer Modules for 1.9GHz PCN Systems Using SAW Resonator-Coupled Filters", IEEE MTT S International Microwave Symposium Digest, 1998 Vol 2 p.499.
  • An object to be solved is to provide an electrical component having low losses.
  • an electrical component with a first signal path and a second signal path is indicated, which are connected to a common signal path.
  • a first filter and in the second signal path a second filter is arranged.
  • the device comprises a first matching circuit comprising a shunt arm to ground.
  • an inductance is arranged, which is connected to the first signal path, the second signal path and the common signal path.
  • the component comprises a carrier substrate on which the filters, which are preferably realized as chips, are mounted. The inductance is integrated in the carrier substrate.
  • the first matching circuit and possibly a second matching circuit matches the input impedance of the first th and the second filter to each other such that the respective signal path has a high input impedance in the opposite band.
  • the first and second matching circuits preferably form an antenna-side matching network.
  • the common signal path is preferably provided as an antenna path.
  • the first signal path is provided as a transmission path and the second signal path as a reception path.
  • the first filter is then provided as a transmit filter and the second filter as a receive filter.
  • the antenna path branches into the transmission path and the reception path.
  • the filters together with the first matching circuit form a duplexer.
  • the first signal path and the second signal path are each provided as a reception path.
  • the first signal path can, for. B. the receiving band of the GSM800 radio system and the second signal path to the receiving band of the GSM900 radio system.
  • a first capacitance can be arranged which is connected in series with the inductance.
  • the arrangement of the first capacitance in the shunt arm to ground has the advantage that thus the DC path is interrupted to ground.
  • a second matching circuit is provided, which is arranged in the second signal path.
  • the second matching circuit is disposed between the first matching circuit and the second filter.
  • the second matching circuit has a second capacitance which is arranged in a series branch of the second signal path.
  • a third matching circuit can, in principle, be used. be arranged, which is preferably arranged between the first matching circuit and the first filter.
  • the second capacitance arranged in the serial branch is also referred to below as the series capacitance and the inductor arranged in the transverse branch as the parallel inductance.
  • a matching network comprising a parallel inductance and a series capacitance, is one of a matching network with respect to integration in a carrier substrate
  • Transmission line (eg ⁇ / 4 line) saves space.
  • the series capacity is realized in a variant in the carrier substrate and includes z. B. at least two superposed conductive surfaces.
  • the series capacitance can also be designed as a multi-layer capacitance with intermeshing electrode surfaces that are comb-shaped in cross-section or as a planar interdigital structure.
  • the first and the second matching circuit are capacitively coupled to one another in an advantageous variant with the formation of a coupling capacitance.
  • the passband of the transmit and receive filter is preferably in a frequency range in which the quality of an effective impedance element formed by the inductance and the coupling capacitance is at least half of its maximum value.
  • the effective impedance element comprising the inductance is arranged in the equivalent circuit in the shunt branch and is also referred to as the effective inductance.
  • the coupling capacity makes it possible, for example, to increase the effective inductance value of the effective impedance element in a predetermined frequency range.
  • the specified frequency rich can z. B. overlap at least partially with the pass bands of the duplexer or lie in the passbands of the duplexer.
  • the predetermined frequency range may also be outside (above or below) these passbands.
  • the effective inductance value can be increased by the capacitive coupling of the inductance with the conductive elements explained in more detail below at the desired frequency, the actual, frequency-independent inductance value of the inductance can be chosen to be relatively small. This is advantageous for a space-saving design of the inductance.
  • a coupling capacitance is in particular between the directly opposite conductive elements, d. H. Conductor tracks and / or conductive surfaces formed.
  • the capacitive elements to be coupled together can be arranged one above the other or next to each other, depending on the design.
  • a conductor track assigned to the inductance and a conductive area assigned to the first capacitance are arranged one above the other or next to one another in a variant.
  • the conductor track associated with the inductance and one of the first capacitance-associated conductive surfaces can be arranged one above the other or next to one another.
  • a coupling capacitance can also be formed in that the interconnect associated with the inductance and a ground plane are arranged one above the other or next to one another.
  • the coupling capacitance and the inductance form in a variant of a parallel resonant circuit whose resonant frequency is above the passbands of the first and second filters.
  • the resonant frequency of the parallel resonant circuit may, for. B. at least by a factor of 1.5 higher than the center frequency of the duplexer comprising the first and the second filter.
  • the series connection of the inductance and the first capacitance has, in one variant, a series resonance at a frequency which lies below the pass bands of the first and the second filter.
  • the series resonance frequency can be z. B. a maximum of half the center frequency of the duplexer, in a preferred variant, at most 1/3 of the center frequency of the duplexer.
  • the carrier substrate comprises a plurality of metallization levels and dielectric layers based on an LTCC ceramic arranged between them.
  • LTCC stands for Low Temperature Co-Fired Ceramics.
  • the first and the second matching circuit is integrated in an advantageous variant, at least partially in the carrier substrate, wherein the inductances and capacitances contained in the matching circuits are preferably realized by means of conductor tracks and conductor surfaces in the metallization of the carrier substrate. This applies in particular to the inductance arranged in the transverse branch, the first and the second capacitance.
  • the capacitances may comprise superimposed conductive surfaces arranged in different metallization levels. However, at least one of the capacitors can also be wholly or partially realized in a chip which is mounted on the carrier substrate. The capacitances can also be realized in each case by a static capacitance of an interdigital transducer.
  • the inductance can z. B. may be formed as a conductor track whose width is substantially smaller than the length thereof.
  • the inductance can be realized for example by a spirally or meandering folded conductor track.
  • the inductance may comprise stacked, conductively interconnected parts by means of a via, which are arranged in different metallization levels of the carrier substrate.
  • the trace implementing the inductance may be used to form at least a portion of the first or second capacitance.
  • the coupling capacitance it is possible to arrange a conductive area associated with the first capacitance and a conductive area associated with the second capacitance in different metallization levels of the substrate next to one another or in the same plane of the substrate.
  • the conductive surface assigned to the first capacitance is connected to ground. In a further variant, this surface is remote from the mass.
  • the filters are preferably bandpass filters.
  • the filters can in particular be used with acoustic waves working component structures such.
  • resonators, transducers, acoustic reflectors include.
  • the working with surface acoustic waves and / or bulk waves, electrically interconnected resonators may, for. B. form a Laddertype- arrangement (branch circuit).
  • the first filter can be realized in a first chip and the second filter in a second chip, both of which are mounted on the carrier substrate.
  • these filters can also be realized in a common chip, which is mounted on the carrier substrate.
  • the chips can be connected to the carrier substrate z. B. be electrically connected by means of bumps or bonding wires.
  • the carrier substrate and the filters form a structural unit with, preferably surface-mountable external connections arranged on the underside of the carrier substrate.
  • an e-lectric component is specified, the z. B. comprises a signal path provided as a receive path to which a pass band (eg, receive band) is assigned.
  • the component comprises a first matching circuit, which comprises a cross branch connected to the signal path to ground.
  • a second matching circuit is provided, which is arranged in the signal path and capacitively coupled with the formation of a coupling capacitance to the first matching circuit.
  • an inductance is arranged in a preferred variant.
  • a series circuit of the inductance and be arranged a first capacity.
  • the resonant frequency of this series circuit is preferably below the passband of the signal path.
  • the second matching circuit has a second capacitance arranged in the signal path, wherein a coupling capacitance is formed between the series circuit and the second capacitance, and wherein the inductance and the coupling capacitance form the effective impedance element.
  • the coupling capacitance can form a parallel resonant circuit with the inductance.
  • the inductance and the coupling capacitance is dimensioned such that the resonant frequency of the parallel resonant circuit is above the passband.
  • the first matching circuit and the coupling capacitance form a grounded effective impedance element, the Q of which depends on the frequency f.
  • the passband lies in a frequency range in which the quality of the effective impedance element is at least half its maximum value Q max , ie Q> Q max / 2.
  • the operating point (operating frequency) is preferably in a frequency range between the maximum Q max of quality Q (f) and its half-value point Q max / 2 above the maximum of the quality, since in this case the effective inductance is greater than in the frequency range below the maximum.
  • Elements of the first and second matching circuits are dimensioned in such a way in order to form the desired coupling capacitance and arranged relative to one another that the region of a relatively high quality of the effective impedance element Q> Q max / 2 corresponds to the frequency range comprising the pass band.
  • the first and the second signal path are in one variant ground-balanced (single-ended). At least one of these paths, the z. B. is designed as a receiving path can also be balanced (balanced).
  • FIG. 1A shows a duplexer with a parallel inductance between antenna and ground and a series capacitance in the receive path;
  • FIG. 1B shows a duplexer with a matching circuit, which comprises a mass-connected series circuit of an inductor and a capacitor;
  • FIG. 2, 2A show a detail of the matching circuit with coupling capacitances shown in FIG. 1B;
  • FIG. 3 shows an electrical component with a multilayer substrate in which the duplexer according to FIG. 1A or 1B is realized;
  • FIG. 4 shows the equivalent circuit diagram of a component in which a front-end circuit with a parallel inductance is implemented in the antenna-side matching network.
  • FIG. 1A shows a circuit with a transmission path TX set first signal path and designed as a receiving path RX second signal path.
  • the paths RX, TX are combined to form a common antenna path ANT.
  • the transmission path TX designed as a transmission filter first filter Fl and the receiving path RX arranged as a receiving filter second filter F2 is arranged.
  • a matching network Arranged between the filters F1, F2 is a matching network which, in the variant shown in FIG. 1A, comprises a first matching circuit MA1 and a second matching circuit MA2.
  • the first matching circuit MA1 has a shunt arm to ground, which connects the common node of the paths TX, RX and ANT to ground.
  • a parallel inductance L is arranged in the shunt branch.
  • a second matching circuit MA2 is arranged between the second filter F2 and the common node of the paths TX, RX and ANT, which comprises a series capacitance C2 arranged in the series branch.
  • a series capacitance can also be arranged in the first signal path TX.
  • the inductance L is connected directly to the antenna-side port of the first filter F1.
  • the series capacitance C2 can be dispensed with, depending on the impedance, of the filters F1, F2.
  • the inductance L is then connected directly to the antenna-side port of the filter Fl, F2.
  • the filters Fl, F2 and the matching circuits MA1, MA2 together form a duplexer DU.
  • the duplexer has an antenna input ANT, a transmit input TX-IN and a receive output RX-OUT.
  • the transmission path TX is arranged between the antenna input ANT and the transmission input TX-IN.
  • Of the Receive path RX is arranged between the antenna input ANT and the reception output RX-OUT.
  • FIG. 1A another embodiment is presented.
  • a series circuit of the inductance L and a first capacitance Cl is arranged in the shunt branch of the first matching circuit MA. This series circuit is connected to the antenna path. Otherwise, the description of FIG. 1A applies.
  • the filters comprise in a preferred variant electro-acoustic resonators, for. B. SAW resonators and / or BAW resonators. These filters are realized in the variant shown in FIG. 3 in each case in a filter chip CHI, CH2.
  • the transmit filter Fl is implemented in the filter chip CHI and the receive filter F2 in the filter chip CH2.
  • the filter chips CHI, CH2 are mounted here in flip-chip construction on the carrier substrate SU.
  • the components of the transmit and receive filter in particular the BAW resonators, may be arranged on the carrier substrate SU.
  • the first and / or second capacitance C 1, C 2 may comprise conductive surfaces arranged in different metallization planes of the carrier substrate SU, preferably horizontally or vertically opposite one another.
  • the first and / or second capacitance C 1, C 2 can in one variant be realized by the effective capacitance of an electroacoustic resonator, which can be arranged in the filter chip or on the carrier substrate SU.
  • FIG. 2 explains how the coupling capacitances CpI, Cp2 between the first and the second matching circuit MA1, MA2 come about.
  • the electrode E21 of the second capacitance C2 facing away from the reception filter F2 is preferably capacitively coupled to a conducting element of the first adaptation circuit MA1.
  • This conductive element may, for. B. be a conductor that realizes the inductance Ll and is opposite in a variant of the electrode E21. In this case, a part of the coupling capacity CpI is formed.
  • the electrode E21 and the inductance L1 can be arranged side by side in a metallization plane of the carrier substrate SU or one above the other in different metallization levels of this substrate.
  • Said conductive element may also be the grounded electrode E12 of the first capacitance Cl and / or its electrode Ell remote from the ground.
  • the coupling capacitance Cp2 or between the electrodes Ell and E21 a further part of the coupling capacitance CpI is formed.
  • the coupling capacitances CpI, Cp2 can also be formed between the connection lines connected to the electrode E21 of the second capacitance C2 and the electrodes Ell or E12 of the first capacitance Cl.
  • Another coupling capacitance can also be formed, for example, the capacitance CpIl in the variant presented in FIG. 2A, between the interconnect that implements the inductance L and a ground plane or conductor face (electrode Ell or E12) of the capacitance Cl opposite to it. It is possible to form a coupling capacitance between different, juxtaposed windings of the inductance.
  • the first capacitance C1 is preferably significantly larger (for example by at least a factor of five) than the coupling capacitors CpI, Cp2.
  • the capacitances to be coupled together z. B. Cl and C2 in Figures IA, IB and 2, both in a chip - in Fig. 3 chip CHI or CH2 - be arranged, which is mounted on the carrier substrate SU. It is possible to realize these capacitances and the filters F1, F2 in a chip operating with acoustic waves, wherein the capacitances can be realized by the static capacitance of an electroacoustic transducer or of the resonator.
  • the second matching circuit MA2 can have in all variants in addition to the series capacitance C2 further LC elements which can be arranged in the series branch or at least one further, connected to the second signal path shunt branch.
  • the ratio of the center frequencies of the frequency bands can be, for example, in the range 0.7... 1.4.
  • the use of only a few matching elements in the antenna-side matching network has the advantage that signal losses can be reduced as a result.
  • the first signal path is designed as a first reception path RX1 and the second signal path is designed as a second reception path RX2.
  • the antenna-side matching network which comprises the matching circuits MA1 and MA2, is designed as shown in FIG. 1A, but may also be formed as in FIG. 1B and / or without the second matching circuit MA2.
  • the first receive path RXl is for receiving the data of a first transmission system, for. B. GSM800 and the second receive path RX2 for receiving the data of a second transmission system, z. B. GSM900 designed.
  • the transmission data of the two transmission systems are transmitted in a common transmission path TX12.
  • the reception paths RX1, RX2 are combined on the antenna side to form a common reception path RX12.
  • the paths TX12 and RX12 are alternately connected in a conducting manner to a first transceiver path TR12 by means of a first switch SW1.
  • the component whose equivalent circuit diagram is shown in FIG. 4 is also suitable for data transmission of the further transmission systems.
  • the third receive path RX3 is here for receiving the data of a third transmission system, eg. B. DCS and the fourth receive path RX4 for receiving the data of a fourth transmission system, for. B. PCS designed.
  • the transmission data of the third and the fourth transmission system are transmitted in a common transmission path TX34.
  • the reception paths RX3, RX4 are combined on the antenna side to form a common receive path RX34.
  • the paths TX34 and RX34 are alternately connected to a second transmit-receive path TR34 by means of a second switch SW2.
  • the transmission reception paths TR12 and TR34 are electrically connected on the antenna side to the antenna path ANT by means of a diplexer DI.
  • reception paths RX3 and RX4 it is also possible to adapt the reception paths RX3 and RX4 to one another on the antenna side by means of a matching network explained above in such a way that the respective signal path has a high input impedance in the opposite band.
  • the signal paths TX, RX in FIGS. 1A, 1B, 2 can be exchanged for two receive paths RX1, RX2, as in FIG. 4, and vice versa.
  • the features described in connection with one of the embodiments shown in the figures are readily applicable to other variants.
  • RX, RXl, RX2, RX3, RX4 receive path
  • RX12, RX34 common receive path
  • TX12, TX34 common transmission path
  • TX-IN receive output

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Transceivers (AREA)

Abstract

Es wird ein elektrisches Bauelement mit einem ersten Signalpfad (TX, RX1) und einem zweiten Signalpfad (RX, RX2) angegeben, die an einen gemeinsamen Signalpfad (ANT, RX12) angeschlossen sind. Im ersten Signalpfad ist ein erstes Filter (F1) und im zweiten Signalpfad ein zweites Filter (F2) angeordnet. Das Bauelement umfasst eine erste Anpassschaltung (MA1), die einen Querzweig zur Masse umfasst. Im Querzweig ist eine Induktivität (L) angeordnet, die an den ersten Signalpfad, den zweiten Signalpfad und den gemeinsamen Signalpfad angeschlossen ist. Das Bauelement umfasst ein Trägersubstrat (SU), auf dem die vorzugsweise als Chips realisierten Filter (F1, F2) montiert sind. Die Induktivität (L) ist im Trägersubstrat (SU) integriert.

Description

ELEKTRISCHES BAUELEMENT FÜR DIE FRONTENDSCHALTUNG EINES SENDEEMPFANGSGERÄTES
Es wird ein elektrisches Bauelement angegeben, das in einer Frontendschaltung eines Sendeempfangsgeräts einsetzbar ist.
Ein Bauelement mit einer Frontendschaltung ist z. B. aus der Druckschrift EP 0788182 A2 oder US 6,731,184 bekannt. Eine weitere Frontendschaltung ist in der Druckschrift Shibagaki, Sakiyama, Hikita „Miniature SAW Duplexer Module for 1.9 GHz PCN Systems Using SAW-Resonator-Coupled Filters", IEEE MTT S International Microwave Symposium Digest, 1998 Vol. 2 p. 499 beschrieben .
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein elektrisches Bauelement anzugeben, das geringe Verluste aufweist.
Gemäß einer ersten bevorzugten Ausführungsform wird ein elektrisches Bauelement mit einem ersten Signalpfad und einem zweiten Signalpfad angegeben, die an einen gemeinsamen Signalpfad angeschlossen sind. Im ersten Signalpfad ist ein erstes Filter und im zweiten Signalpfad ein zweites Filter angeordnet. Das Bauelement umfasst eine erste Anpassschaltung, die einen Querzweig zur Masse umfasst. Im Querzweig ist eine Induktivität angeordnet, die an den ersten Signalpfad, den zweiten Signalpfad und den gemeinsamen Signalpfad angeschlossen ist. Das Bauelement umfasst ein Trägersubstrat, auf dem die vorzugsweise als Chips realisierten Filter montiert sind. Die Induktivität ist im Trägersubstrat integriert.
Die erste Anpassschaltung und ggf. eine nachstehend erläuterte zweite Anpassschaltung passt die Eingangsimpedanz des ers- ten und des zweiten Filters derart aneinander an, dass der jeweilige Signalpfad eine hohe Eingangsimpedanz im Gegenband aufweist. Die erste und die zweite Anpassschaltung bilden vorzugsweise ein antennenseitiges Anpassnetzwerk.
Der gemeinsame Signalpfad ist vorzugsweise als ein Antennenpfad vorgesehen. In einer vorteilhaften Variante ist der erste Signalpfad als ein Sendepfad und der zweite Signalpfad als ein Empfangspfad vorgesehen. Das erste Filter ist dann als ein Sendefilter und das zweite Filter als ein Empfangsfilter vorgesehen. Der Antennenpfad verzweigt sich in den Sendepfad und den Empfangspfad. In diesem Fall bilden die Filter zusammen mit der ersten Anpassschaltung einen Duplexer.
In einer weiteren vorteilhaften Variante sind der erste Signalpfad und der zweite Signalpfad jeweils als ein Empfangspfad vorgesehen. Der erste Signalpfad kann z. B. dem Empfangsband des Funksystems GSM800 und der zweite Signalpfad dem Empfangsband des Funksystems GSM900 zugeordnet sein.
Im Querzweig kann eine erste Kapazität angeordnet sein, die in Serie mit der Induktivität geschaltet ist. Die Anordnung der ersten Kapazität im Querzweig gegen Masse hat den Vorteil, dass damit der Gleichstrompfad gegen Masse unterbrochen wird.
In einer Variante ist eine zweite Anpassschaltung vorgesehen, die im zweiten Signalpfad angeordnet ist. Die zweite Anpassschaltung ist zwischen der ersten Anpassschaltung und dem zweiten Filter angeordnet. Die zweite Anpassschaltung weist eine zweite Kapazität auf, die in einem Serienzweig des zweiten Signalpfades angeordnet ist. Im Serienzweig des ersten Signalpfades kann im Prinzip eine dritte Anpassschaltung an- geordnet sein, die vorzugsweise zwischen der ersten Anpassschaltung und dem ersten Filter angeordnet ist.
Die im Serienzweig angeordnete zweite Kapazität wird nachstehend auch als Serienkapazität und die im Querzweig angeordnete Induktivität als Parallelinduktivität bezeichnet. Ein Anpassnetzwerk, umfassend eine Parallelinduktivität und eine Serienkapazität, ist im Hinblick auf die Integration in einem Trägersubstrat gegenüber einem Anpassnetzwerk mit einer
Transmissionsleitung (z. B. λ/4-Leitung) besonders Platz sparend.
Die Serienkapazität ist in einer Variante im Trägersubstrat realisiert und umfasst z. B. mindestens zwei übereinander angeordnete leitende Flächen. Die Serienkapazität kann auch als eine Mehrschichtkapazität mit ineinander greifenden, im Querschnitt kammartigen Elektrodenflächen oder als eine planare Interdigitalstruktur ausgebildet sein.
Die erste und die zweite Anpassschaltung sind in einer vorteilhaften Variante mit Bildung einer Koppelkapazität kapazitiv aneinander gekoppelt. Das Durchlassband des Sende- und Empfangsfilters liegt vorzugsweise in einem Frequenzbereich, in dem die Güte eines durch die Induktivität und die Koppelkapazität gebildeten effektiven Impedanzelements zumindest die Hälfte ihres Maximalwertes beträgt.
Das effektive Impedanzelement, das die Induktivität umfasst, ist im Ersatzschaltbild im Querzweig angeordnet und wird auch als die effektive Induktivität bezeichnet. Durch die Koppelkapazität gelingt es beispielsweise, den effektiven Induktivitätswert des effektiven Impedanzelements in einem vorgegebenen Frequenzbereich zu erhöhen. Der vorgegebene Frequenzbe- reich kann z. B. zumindest teilweise mit den Durchlassbändern des Duplexers überlappen oder in den Durchlassbändern des Duplexers liegen. Der vorgegebene Frequenzbereich kann auch außerhalb (oberhalb oder unterhalb) dieser Durchlassbänder liegen.
Da der effektive Induktivitätswert durch die kapazitive Ver- kopplung der Induktivität mit nachstehend näher erläuterten leitenden Elementen bei der gewünschten Frequenz vergrößert werden kann, kann der eigentliche, frequenzunabhängige Induktivitätswert der Induktivität relativ klein gewählt werden. Dies ist vorteilhaft für eine Platz sparende Ausbildung der Induktivität.
Eine Koppelkapazität ist insbesondere zwischen den einander direkt gegenüber liegenden leitenden Elementen, d. h. Leiterbahnen und/oder leitenden Flächen, gebildet. Die miteinander kapazitiv zu koppelnden Elemente können je nach Ausführung übereinander oder nebeneinander angeordnet sein.
Zur Bildung einer Koppelkapazität ist in einer Variante eine der Induktivität zugeordnete Leiterbahn und eine der ersten Kapazität zugeordneten leitenden Flächen übereinander oder nebeneinander angeordnet. Zur Bildung einer (weiteren) Koppelkapazität kann die der Induktivität zugeordnete Leiterbahn und eine der ersten Kapazität zugeordneten leitenden Flächen übereinander oder nebeneinander angeordnet sein. Eine Koppelkapazität kann auch dadurch gebildet sein, dass die der Induktivität zugeordnete Leiterbahn und eine Massefläche übereinander oder nebeneinander angeordnet sind.
Die Koppelkapazität und die Induktivität bilden in einer Variante einen Parallelschwingkreis, dessen Resonanzfrequenz oberhalb der Durchlassbänder des ersten und des zweiten Filters liegt. Die Resonanzfrequenz des Parallelschwingkreises kann z. B. mindestens um den Faktor 1,5 höher liegen als die Mittenfrequenz des Duplexers, der das erste und das zweite Filter umfasst.
Die Serienschaltung der Induktivität und der ersten Kapazität weist in einer Variante eine Serienresonanz bei einer Frequenz auf, die unterhalb der Durchlassbänder des ersten und des zweiten Filters liegt. Die Serienresonanzfrequenz kann z. B. maximal die Hälfte der Mittenfrequenz des Duplexers, in einer bevorzugten Variante maximal 1/3 der Mittenfrequenz des Duplexers betragen.
Das Trägersubstrat umfasst mehrere Metallisierungsebenen und zwischen diesen angeordnete dielektrische Schichten auf der Basis einer LTCC-Keramik. LTCC steht für Low Temperature Co- Fired Ceramics. Als Material für die dielektrischen Schichten kommen aber auch beliebige elektrisch isolierende Materialien in Betracht, die eine relativ hohe Güte der Induktivität gewährleisten können.
Die erste und die zweite Anpassschaltung ist in einer vorteilhaften Variante zumindest teilweise im Trägersubstrat integriert, wobei die in den Anpassschaltungen enthaltenen Induktivitäten und Kapazitäten vorzugsweise mittels Leiterbahnen und Leiterflächen in den Metallisierungsebenen des Trägersubstrats realisiert sind. Dies gilt insbesondere für die im Querzweig angeordnete Induktivität, die erste und die zweite Kapazität.
Die Kapazitäten können in verschiedenen Metallisierungsebenen angeordnete, übereinander liegende leitende Flächen umfassen. Zumindest eine der Kapazitäten kann aber auch ganz oder teilweise in einem Chip realisiert sein, der auf dem Trägersubstrat montiert ist. Die Kapazitäten können auch jeweils durch eine statische Kapazität eines Interdigitalwandlers realisiert sein.
Die Induktivität kann z. B. als eine Leiterbahn ausgebildet sein, deren Breite wesentlich kleiner als deren Länge ist. Die Induktivität kann beispielsweise durch eine spiral- oder mäanderförmig gefaltete Leiterbahn realisiert sein. Die Induktivität kann übereinander angeordnete, mittels einer Durchkontaktierung leitend miteinander verbundene Teile aufweisen, die in verschiedenen Metallisierungsebenen des Trägersubstrats angeordnet sind. Die Leiterbahn, die die Induktivität realisiert, kann zur Bildung zumindest eines Teils der ersten oder der zweiten Kapazität benutzt werden.
Zur Bildung der Koppelkapazität ist es möglich, eine der ersten Kapazität zugeordnete leitende Fläche und eine der zweiten Kapazität zugeordnete leitende Fläche in verschiedenen Metallisierungsebenen des Substrats übereinander oder in derselben Ebene des Substrats nebeneinander anzuordnen.
In einer Variante ist die der ersten Kapazität zugeordnete leitende Fläche an Masse angeschlossen. In einer weiteren Variante ist diese Fläche von der Masse abgewandt.
Zur Bildung der Koppelkapazität ist es ferner möglich, eine der Induktivität zugeordnete Leiterbahn und eine der zweiten Kapazität zugeordnete leitende Fläche übereinander oder nebeneinander anzuordnen. Die Filter sind vorzugsweise Bandpassfilter. Die Filter können insbesondere mit akustischen Wellen arbeitende Bauele- mentstrukturen wie z. B. Resonatoren, Wandler, akustische Reflektoren umfassen. Die mit akustischen Oberflächenwellen und/oder Volumenwellen arbeitenden, elektrisch miteinander verbundenen Resonatoren können z. B. eine Laddertype- Anordnung (Abzweigschaltung) bilden.
Das erste Filter kann in einem ersten Chip und das zweite Filter in einem zweiten Chip realisiert sein, die beide auf dem Trägersubstrat montiert sind. Diese Filter können aber auch in einem gemeinsamen Chip realisiert sein, der auf dem Trägersubstrat montiert ist. Die Chips können mit dem Trägersubstrat z. B. mittels Bumps oder Bonddrähten elektrisch verbunden sein.
Das Trägersubstrat und die Filter bilden eine bauliche Einheit mit auf der Unterseite des Trägersubstrats angeordneten, vorzugsweise oberflächenmontierbaren Außenanschlüssen.
Gemäß einer zweiten bevorzugten Ausführungsform wird ein e- lektrisches Bauelement angegeben, das einen z. B. als einen Empfangspfad vorgesehenen Signalpfad umfasst, dem ein Durchlassband (z. B. Empfangsband) zugeordnet ist. Das Bauelement umfasst eine erste Anpassschaltung, die einen an den Signalpfad angeschlossenen Querzweig gegen Masse umfasst. Außerdem ist eine zweite Anpassschaltung vorgesehen, die im Signalpfad angeordnet und mit Bildung einer Koppelkapazität kapazitiv an die erste Anpassschaltung gekoppelt ist.
Im in der ersten Anpassschaltung angeordneten Querzweig ist in einer bevorzugten Variante eine Induktivität angeordnet. Im Querzweig kann eine Serienschaltung der Induktivität und einer ersten Kapazität angeordnet sein. Die Resonanzfrequenz dieser Serienschaltung liegt vorzugsweise unterhalb des Durchlassbandes des Signalpfades .
Die zweite Anpassschaltung weist in einer Variante eine im Signalpfad angeordnete zweite Kapazität auf, wobei zwischen der Serienschaltung und der zweiten Kapazität eine Koppelkapazität gebildet ist, und wobei die Induktivität und die Koppelkapazität das effektive Impedanzelement bilden.
Die Koppelkapazität kann mit der Induktivität einen Parallelschwingkreis bilden. Dabei ist die Induktivität und die Koppelkapazität derart dimensioniert, dass die Resonanzfrequenz des Parallelschwingkreises oberhalb des Durchlassbandes liegt.
Die erste Anpassschaltung und die Koppelkapazität bilden ein gegen Masse geschaltetes effektives Impedanzelement, dessen Güte Q von der Frequenz f abhängt. Das Durchlassband liegt in einem Frequenzbereich, in dem die Güte des effektiven Impedanzelements zumindest die Hälfte ihres Maximalwertes Qmax beträgt, d. h. Q > Qmax/2. Der Arbeitspunkt (Betriebsfrequenz) liegt vorzugsweise in einem Frequenzbereich zwischen dem Maximum Qmax der Güte Q(f) und ihrem Halbwertspunkt Qmax/2 oberhalb des Maximums der Güte, da in diesem Fall die effektive Induktivität größer ist als im Frequenzbereich unterhalb des Maximums .
Elemente der ersten und der zweiten Anpassschaltung sind dabei zur Bildung der gewünschten Koppelkapazität derart dimensioniert und relativ zueinander angeordnet, dass der Bereich einer relativ hohen Güte des effektiven Impedanzelements Q > Qmax/2 dem Frequenzbereich entspricht, der das Durchlassband umfasst .
Der erste und der zweite Signalpfad sind in einer Variante erdunsymmetrisch (single-ended) . Zumindest einer dieser Pfade, der z. B. als Empfangspfad ausgelegt ist, kann auch erdsymmetrisch (balanciert) sein.
Im Folgenden wird das Bauelement gemäß der ersten und der zweiten bevorzugten Ausführungsformen anhand von schematischen und nicht maßstabsgetreuen Figuren erläutert. Es zeigen:
Figur IA einen Duplexer mit einer Parallelinduktivität zwischen Antenne und Masse und einer Serienkapazität im Empfangspfad;
Figur IB einen Duplexer mit einer Anpassschaltung, die eine gegen Masse geschaltete Serienschaltung einer Induktivität und einer Kapazität umfasst;
Figur 2, 2A jeweils ausschnittsweise die in Figur IB gezeigte Anpassschaltung mit Koppelkapazitäten;
Figur 3 ein elektrisches Bauelement mit einem Mehrschichtsubstrat, in dem der Duplexer gemäß Figur IA oder IB realisiert ist;
Figur 4 das Ersatzschaltbild eines Bauelements, in dem eine Frontendschaltung mit einer Parallelinduktivität im antennen- seitigen Anpassnetzwerk realisiert ist.
Figur IA zeigt eine Schaltung mit einem als Sendepfad TX aus- gelegten ersten Signalpfad und einem als Empfangspfad RX ausgelegten zweiten Signalpfad. Die Pfade RX, TX sind zu einem gemeinsamen Antennenpfad ANT zusammengefasst .
Im Sendepfad TX ist ein als Sendefilter ausgelegtes erstes Filter Fl und im Empfangspfad RX ein als Empfangsfilter ausgelegtes zweites Filter F2 angeordnet. Zwischen den Filtern Fl, F2 ist ein Anpassnetzwerk angeordnet, das in der in Fig. IA gezeigten Variante eine erste Anpassschaltung MAl und eine zweite Anpassschaltung MA2 umfasst.
Die erste Anpassschaltung MAl weist einen Querzweig gegen Masse auf, der den gemeinsamen Knoten der Pfade TX, RX und ANT mit Masse verbindet. Im Querzweig ist eine Parallelinduktivität L angeordnet. Im zweiten Signalpfad ist zwischen dem zweiten Filter F2 und dem gemeinsamen Knoten der Pfade TX, RX und ANT eine zweite Anpassschaltung MA2 angeordnet, die eine im Serienzweig angeordnete Serienkapazität C2 umfasst. Auch im ersten Signalpfad TX kann im Prinzip eine Serienkapazität angeordnet sein.
In der in Fig. IA gezeigten Variante ist die Induktivität L direkt an das antennenseitige Tor des ersten Filters Fl angeschlossen. Auf die Serienkapazität C2 kann im Prinzip je nach Impedanz der Filter Fl, F2 verzichtet werden. Die Induktivität L ist dann direkt an das antennenseitige Tor der Filter Fl, F2 angeschlossen.
Die Filter Fl, F2 und die Anpassschaltungen MAl, MA2 bilden zusammen einen Duplexer DU. Der Duplexer weist einen Antenneneingang ANT, einen Sendeeingang TX-IN und einen Empfangsausgang RX-OUT auf. Der Sendepfad TX ist zwischen dem Antenneneingang ANT und dem Sendeeingang TX-IN angeordnet. Der Empfangspfad RX ist zwischen dem Antenneneingang ANT und dem Empfangsausgang RX-OUT angeordnet.
In der Figur IB ist eine weitere Ausführungsform vorgestellt. Im Querzweig der ersten Anpassschaltung MAl ist eine Serienschaltung der Induktivität L und einer ersten Kapazität Cl angeordnet. Diese Serienschaltung ist an den Antennenpfad angeschlossen. Ansonsten gilt die Beschreibung der Figur IA.
Die Filter umfassen in einer bevorzugten Variante elektro- akustische Resonatoren, z. B. SAW-Resonatoren und/oder BAW- Resonatoren. Diese Filter sind in der in Figur 3 gezeigten Variante jeweils in einem Filterchip CHI, CH2 realisiert. Das Sendefilter Fl ist im Filterchip CHI und das Empfan-gsfilter F2 im Filterchip CH2 realisiert. Die Filterchips CHI, CH2 sind hier in Flip-Chip-Bauweise auf dem Trägersubstrat SU befestigt.
In einer Variante ist es möglich, sowohl das Sendefilter als auch das Empfangsfilter gemeinsam in einem Chip zu realisieren. Anstelle eines Filterchips können in einer weiteren Variante die Komponenten des Sende- und Empfangsfilters, insbesondere die BAW-Resonatoren, auf dem Trägersubstrat SU angeordnet sein.
Die erste und/oder zweite Kapazität Cl, C2 kann in verschiedenen Metallisierungsebenen des Trägersubstrats SU angeordnete, vorzugsweise einander horizontal oder vertikal gegenüber liegende leitende Flächen umfassen. Die erste und/oder zweite Kapazität Cl, C2 kann in einer Variante durch die effektive Kapazität eines elektroakustischen Resonators realisiert sein, der im Filterchip oder auf dem Trägersubstrat SU angeordnet sein kann. In Figur 2 ist es erläutert, wie die Koppelkapazitäten CpI, Cp2 zwischen der ersten und der zweiten Anpassschaltung MAl, MA2 zustande kommen.
Vorzugsweise ist die vom Empfangsfilter F2 abgewandte Elektrode E21 der zweiten Kapazität C2 kapazitiv an ein leitendes Element der ersten Anpassschaltung MAl gekoppelt. Dieses leitende Element kann z. B. eine Leiterbahn sein, die die Induktivität Ll realisiert und in einer Variante der Elektrode E21 gegenüber liegt. Dabei wird ein Teil der Koppelkapazität CpI gebildet. Die Elektrode E21 und die Induktivität Ll können nebeneinander in einer Metallisierungsebene des Trägersubstrats SU oder übereinander in verschiedenen Metallisierungsebenen dieses Substrats angeordnet sein.
Das genannte leitende Element kann auch die an Masse angeschlossene Elektrode E12 der ersten Kapazität Cl und/oder ihre von der Masse abgewandte Elektrode Ell sein. Dabei wird zwischen den Elektroden E12 und E21 die Koppelkapazität Cp2 bzw. zwischen den Elektroden Ell und E21 ein weiterer Teil der Koppelkapazität CpI gebildet.
Die Koppelkapazitäten CpI, Cp2 können auch zwischen den an die Elektrode E21 der zweiten Kapazität C2 angeschlossenen Verbindungsleitungen und den Elektroden Ell bzw. E12 der ersten Kapazität Cl gebildet werden.
Eine weitere Koppelkapazität kann auch, wie beispielsweise die Kapazität CpIl in der in Fig. 2A vorgestellten Variante, zwischen der die Induktivität L realisierenden Leiterbahn und einer ihr gegenüber liegenden Massefläche oder Leiterfläche (Elektrode Ell oder E12) der Kapazität Cl gebildet sein. Es ist möglich, eine Koppelkapazität zwischen verschiedenen, nebeneinander angeordneten Windungen der Induktivität zu bilden.
Die erste Kapazität Cl ist vorzugsweise deutlich (z. B. um mindestens den Faktor fünf) größer als die Koppelkapazitäten CpI, Cp2.
Die miteinander zu koppelnden Kapazitäten, z. B. Cl und C2 in den Figuren IA, IB und 2, können beide in einem Chip - in Fig. 3 Chip CHI oder CH2 - angeordnet sein, der auf dem Trägersubstrat SU montiert ist. Es ist möglich, diese Kapazitäten und die Filter Fl, F2 in einem mit akustischen Wellen arbeitenden Chip zu realisieren, wobei die Kapazitäten durch die statische Kapazität eines elektroakustischen Wandlers o- der Resonators realisiert werden kann.
Die zweite Anpassschaltung MA2 kann in allen Varianten neben der Serienkapazität C2 weitere LC-Elemente aufweisen, die im Serienzweig oder mindestens einem weiteren, an den zweiten Signalpfad angeschlossenen Querzweig angeordnet sein können. Es wurde allerdings festgestellt, dass die Anpassung der beiden Signalpfade, in denen die Filter Fl, F2 angeordnet sind, auch mit wenigen, z. B. nur zwei oder drei Anpasselementen L, Cl und/oder C2 gelingt. Dies gilt insbesondere für die Anpassung der aneinander angeschlossenen Signalpfade, die für die Übertragungssysteme ausgelegt sind, deren Frequenzbänder nicht weit voneinander liegen. Das Verhältnis der Mittenfrequenzen der Frequenzbänder kann beispielsweise im Bereich 0,7 ... 1,4 liegen. Das Verwenden von nur wenigen Anpasselementen im antennensei- tigen Anpassnetzwerk hat den Vorteil, dass dadurch Signalverluste reduziert werden können.
In der in Figur 4 vorgestellten Variante ist der erste Signalpfad als ein erster Empfangspfad RXl und der zweite Signalpfad als ein zweiter Empfangspfad RX2 ausgelegt. Das an- tennenseitige Anpassnetzwerk, das die Anpassschaltungen MAl und MA2 umfasst, ist wie in der Figur IA ausgebildet, kann aber auch wie in der Figur IB und/oder ohne die zweite Anpassschaltung MA2 ausgebildet sein.
Der erste Empfangspfad RXl ist für den Empfang der Daten eines ersten Übertragungssystems, z. B. GSM800 und der zweite Empfangspfad RX2 für den Empfang der Daten eines zweiten Ü- bertragungssystems, z. B. GSM900 ausgelegt. Die Sendedaten der beiden Übertragungssysteme werden in einem gemeinsamen Sendepfad TX12 übertragen. Die Empfangspfade RXl, RX2 sind antennenseitig zu einem gemeinsamen Empfangspfad RX12 zusam- mengefasst. Die Pfade TX12 und RX12 werden mittels eines ersten Schalters SWl abwechselnd mit einem ersten Sendeempfangs- pfad TR12 leitend verbunden.
Das Bauelement, dessen Ersatzschaltbild in der Figur 4 gezeigt ist, ist außerdem zur Datenübertragung der weiteren Ü- bertragungssysteme geeignet.
Der dritte Empfangspfad RX3 ist hier für den Empfang der Daten eines dritten Übertragungssystems, z. B. DCS und der vierte Empfangspfad RX4 für den Empfang der Daten eines vierten Übertragungssystems, z. B. PCS ausgelegt. Die Sendedaten des dritten und des vierten Übertragungssystems werden in einem gemeinsamen Sendepfad TX34 übertragen. Die Empfangspfade RX3, RX4 sind antennenseitig zu einem gemeinsamen Empfangspfad RX34 zusammengefasst. Die Pfade TX34 und RX34 werden mittels eines zweiten Schalters SW2 abwechselnd mit einem zweiten Sendeempfangspfad TR34 leitend verbunden.
Die Sendeempfangspfade TR12 und TR34 sind antennenseitig mittels eines Diplexers DI mit dem Antennenpfad ANT elektrisch verbunden.
Im Prinzip ist es möglich, auch die Empfangspfade RX3 und RX4 antennenseitig mittels eines vorstehend erläuterten Anpassnetzwerks derart aneinander anzupassen, dass der jeweilige Signalpfad eine hohe Eingangsimpedanz im Gegenband aufweist.
Die Signalpfade TX, RX in den Figuren IA, IB, 2 können wie in der Figur 4 gegen zwei Empfangspfade RXl, RX2 ausgetauscht werden, und umgekehrt. Die Merkmale, die in Zusammenhang mit einer der in den Figuren gezeigten Ausführungsformen beschrieben sind, sind ohne Weiteres auf andere Varianten anwendbar .
Bezugszeichenliste
ANT Antennenanschluss
Cl, C2 erste und zweite Kapazität
CpI, Cp2 Koppelkapazität
CHI, CH2 Filterchips
Fl Sendefilter
F2 Empfangsfilter
L Induktivität
MAl, MA2 erste und zweite Anpassschaltung
RX, RXl, RX2, RX3, RX4 Empfangspfad
RX12, RX34 gemeinsamer Empfangspfad
RX-OÜT Sendeeingangs
SU Trägersubstrat
SWl, SW2 Schalter
TR12, TR34 Sendeempfangspfad
TX Sendepfad
TX12, TX34 gemeinsamer Sendepfad
TX-IN Empfangsausgang

Claims

Patentansprüche
1. Elektrisches Bauelement
- mit einem ersten Signalpfad und einem zweiten Signalpfad, die an einen gemeinsamen Signalpfad angeschlossen sind,
- mit einem im ersten Signalpfad angeordneten ersten Filter (Fl) und einem im zweiten Signalpfad angeordneten zweiten Filter (F2),
- mit einer ersten Anpassschaltung (MAl) , die einen Querzweig zur Masse umfasst, in dem eine Induktivität (L) angeordnet ist, die an den ersten Signalpfad, den zweiten Signalpfad und den gemeinsamen Signalpfad angeschlossen ist,
- mit einem Trägersubstrat (SU), auf dem die Filter (Fl, F2 ) montiert sind,
- wobei die Induktivität (L) im Trägersubstrat (SU) angeordnet ist.
2. Bauelement nach Anspruch 1,
- wobei der gemeinsame Signalpfad als ein Antennenpfad (ANT) , der erste Signalpfad als ein Sendepfad (TX) und der zweite Sendepfad als ein Empfangspfad (RX) vorgesehen ist.
3. Bauelement nach Anspruch 1,
- wobei der gemeinsame Signalpfad als ein Antennenpfad (ANT) vorgesehen ist,
- wobei der erste Signalpfad und der zweite Signalpfad jeweils als ein Empfangspfad (RXl, RX2) vorgesehen ist.
4. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
- wobei der Querzweig eine erste Kapazität (Cl) umfasst, die in Serie mit der Induktivität (L) geschaltet ist.
5. Bauelement nach Anspruch 4, - wobei die Serienschaltung der ersten Kapazität (Cl) und der Induktivität (L) eine Serienresonanz bei einer Frequenz aufweist, die unterhalb der Durchlassbänder des ersten und des zweiten Filters (Fl, F2) liegt.
6. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
- mit einer zweiten Anpassschaltung (MA2) , die zwischen dem gemeinsamen Signalpfad und dem zweiten Filter (F2) angeordnet ist,
- wobei die zweite Anpassschaltung (MA2) eine zweite Kapazität (C2) umfasst, die in einem Serienzweig des zweiten Signalpfades angeordnet ist.
7. Bauelement nach einem der Ansprüche 4 bis 6,
- wobei zumindest eine Kapazität, ausgewählt aus der ersten Kapazität (Cl) und der zweiten Kapazität (C2), im Trägersubstrat (SU) realisiert ist.
8. Bauelement nach einem der Ansprüche 4 bis 6,
- wobei zumindest eine Kapazität, ausgewählt aus der ersten Kapazität (Cl) und der zweiten Kapazität (C2), in einem Chip realisiert ist, der auf dem Trägersubstrat (SU) montiert und elektrisch mit diesem verbunden ist.
9. Bauelement nach einem der Ansprüche 6 bis 8,
- wobei die zweite Anpassschaltung (MA2) zumindest teilweise im Trägersubstrat (SU) integriert ist.
10. Bauelement nach einem der Ansprüche 6 bis 9,
- wobei die erste und die zweite Anpassschaltung (MAl, MA2) unter Bildung einer Koppelkapazität kapazitiv aneinander gekoppelt sind,
- wobei die Koppelkapazität und die Induktivität (L) einen Parallelschwingkreis bilden, dessen Resonanzfrequenz oberhalb der Durchlassbänder des ersten und des zweiten Filters (Fl, F2) liegt.
11. Bauelement nach Anspruch 10,
- wobei zur Bildung der Koppelkapazität eine der ersten Kapazität (Cl) zugeordnete leitende Fläche und eine der zweiten Kapazität (C2) zugeordnete leitende Fläche übereinander oder nebeneinander angeordnet sind.
12. Bauelement nach Anspruch 11,
- wobei die der ersten Kapazität (Cl) zugeordnete leitende Fläche an Masse angeschlossen ist.
13. Bauelement nach Anspruch 11,
- wobei die der ersten Kapazität (Cl) zugeordnete leitende Fläche von der Masse isoliert ist.
14. Bauelement nach einem der Ansprüche 10 bis 13,
- wobei zur Bildung der Koppelkapazität eine der Induktivität (L) zugeordnete Leiterbahn und eine der zweiten Kapazität (C2) zugeordnete leitende Fläche übereinander oder nebeneinander angeordnet sind.
15. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 14,
- wobei die Filter (Fl, F2) mit akustischen Wellen arbeiten.
16. Bauelement nach einem der Ansprüche 6 bis 15,
- wobei die zweite Kapazität (C2) durch einen elektroakusti- schen Resonator gebildet ist.
17. Bauelement nach Anspruch 16,
- wobei die Resonanzfrequenz des Resonators oberhalb der Passbänder des ersten und zweiten Filters (Fl, F2) liegt.
18. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 17,
- wobei zur Bildung einer weiteren Koppelkapazität eine der Induktivität (L) zugeordnete Leiterbahn und eine der ersten Kapazität (Cl) zugeordnete leitende Fläche übereinander oder nebeneinander angeordnet sind.
19. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 17,
- wobei zur Bildung einer weiteren Koppelkapazität eine der Induktivität (L) zugeordnete Leiterbahn und eine Massefläche übereinander oder nebeneinander angeordnet sind.
20. Bauelement nach Anspruch 18 oder 19,
- wobei die weitere Koppelkapazität und die Induktivität (L) einen Parallelschwingkreis bilden, dessen Resonanzfrequenz oberhalb der Durchlassbänder des ersten und des zweiten Filters (Fl, F2) liegt.
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