JPWO2019065861A1 - マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、図1〜図4を参照しながら本発明に至る経緯について説明する。図1は、本実施の形態及び比較例の両方に共通するマルチプレクサ1の基本構成図である。なお、同図には、共通端子Port1に接続されるアンテナ素子2も図示されている。
図1及び図5〜図9を参照しながら実施の形態1に係るマルチプレクサ1について説明する。なお、実施の形態1と前述した比較例とで重複する構成要素もあるが、重複する構成要素を含めて実施の形態1として改めて説明する。
実施の形態1のマルチプレクサ1は、通過帯域が互いに異なる複数のフィルタを備えており、これら複数のフィルタのアンテナ側の端子が共通端子Port1で束ねられたマルチプレクサ(分波器)である。具体的には図1に示すように、マルチプレクサ1は、共通端子Port1と、第1端子Port11と、第2端子Port21と、第1フィルタ11と、第2フィルタ21とを備える。
次に、第1フィルタ11及び第2フィルタ21の構成について、BandLを通過帯域とする第1フィルタ11を例に挙げて説明する。
次に、第1フィルタ11を構成する共振子110の基本構造について説明する。本実施の形態における共振子110は、弾性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave)共振子である。
ここで、再び図6を参照しながら、共振子110の断面構造について説明する。
図7は、各反射器32cを構成する反射電極指322cの本数の違いによる共振子110のインピーダンスを比較する図である。具体的には、図7は、各反射器32cを構成する反射電極指数を、それぞれ0、41とした場合における周波数とインピーダンスとの関係を示す図である。ここで、反射電極指数が0本であるとは、共振子110が反射器32cを有しないことを意味する。
実施の形態1の変形例1に係るマルチプレクサ1では、直列共振子111sおよび並列共振子111pの両方の反射電極指を、残りの共振子112s〜114s、112p、113pのいずれの反射電極指よりも少なく構成する。
実施の形態1の変形例2に係るマルチプレクサ1は、第1フィルタ11の直列共振子111sが、分割された共振子で構成されている。
実施の形態2のマルチプレクサ1は、第1フィルタ11Aがπ型のラダーフィルタ構造を有する点で、T型のラダーフィルタ構造を有する実施の形態1の第1フィルタ11と異なる。
実施の形態2の変形例1に係るマルチプレクサ1では、第1フィルタ11Aの並列共振子111dが、分割された共振子で構成されている。
上記実施の形態1、2及びその変形例に係るマルチプレクサは、高周波フロントエンド回路、さらには当該高周波フロントエンド回路を備える通信装置に適用することもできる。そこで、本実施の形態では、このような高周波フロントエンド回路及び通信装置について説明する。
以上、本発明の実施の形態に係るマルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置について、実施の形態及びその変形例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態及び変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る高周波フロントエンド回路及び通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
本発明の一態様に係るマルチプレクサは、共通端子、第1端子、及び第2端子と、前記共通端子と前記第1端子とを結ぶ第1経路上に配置され、複数の弾性波共振子を有する第1フィルタと、前記共通端子と前記第2端子とを結ぶ第2経路上に配置され、通過帯域の周波数が前記第1フィルタより高い第2フィルタと、を備え、前記複数の弾性波共振子は、前記第1経路上に配置された2以上の直列共振子と、前記第1経路上のノードとグランドとを結ぶ経路上に配置された1以上の並列共振子と、を含み、前記2以上の直列共振子のうち前記共通端子に最も近い第1直列共振子は、前記並列共振子を間に介さずに前記共通端子に接続され、前記複数の弾性波共振子は、圧電性を有する基板と、前記基板上に形成された一対の櫛歯状電極からなるIDT電極、及び、1以上の反射電極指を有する反射器を有し、前記第1直列共振子および、前記1以上の並列共振子のうち前記共通端子に最も近い第1並列共振子の少なくとも一方の反射電極指数は、残りの前記複数の弾性波共振子の反射電極指数よりも少ない。
2 アンテナ素子
3 RF信号処理回路(RFIC)
4 ベースバンド信号処理回路(BBIC)
11、11A 第1フィルタ
12、22 フィルタ
13 受信側スイッチ
14 ローノイズアンプ回路
21 第2フィルタ
23 送信側スイッチ
24 パワーアンプ回路
30 高周波フロントエンド回路
32 IDT電極
32a、32b 櫛歯状電極
32c 反射器
40 通信装置
110 共振子
111a、111d〜111h、111p〜113p 並列共振子
111b、111c、111s〜114s 直列共振子
320 基板
321a、321b バスバー電極
321c 反射器バスバー電極
322a、322b 電極指
322c 反射電極指
324 密着層
325 主電極層
326 保護層
327 圧電体層
328 低音速膜
329 高音速支持基板
N、n0、n1、n2、n3、n4 ノード
Port1 共通端子
Port11 第1端子
Port21 第2端子
Port12、Port22 個別端子
r1 第1経路
r2 第2経路
Claims (8)
- 共通端子、第1端子、及び第2端子と、
前記共通端子と前記第1端子とを結ぶ第1経路上に配置され、複数の弾性波共振子を有する第1フィルタと、
前記共通端子と前記第2端子とを結ぶ第2経路上に配置され、通過帯域の周波数が前記第1フィルタより高い第2フィルタと、を備え、
前記複数の弾性波共振子は、
前記第1経路上に配置された2以上の直列共振子と、
前記第1経路上のノードとグランドとを結ぶ経路上に配置された1以上の並列共振子と、を含み、
前記2以上の直列共振子のうち前記共通端子に最も近い第1直列共振子は、前記並列共振子を介さずに前記共通端子に接続され、
前記複数の弾性波共振子は、圧電性を有する基板と、前記基板上に形成された一対の櫛歯状電極からなるIDT電極、及び、1以上の反射電極指を有する反射器を有し、
前記第1直列共振子および、前記1以上の並列共振子のうち前記共通端子に最も近い第1並列共振子の少なくとも一方の反射電極指数は、残りの前記複数の弾性波共振子の反射電極指数よりも少ない、
マルチプレクサ。 - 前記第1直列共振子および前記第1並列共振子の反射電極指数は、残りの前記複数の弾性波共振子の反射電極指数よりも少ない、
請求項1に記載のマルチプレクサ。 - 共通端子、第1端子、及び第2端子と、
前記共通端子と前記第1端子とを結ぶ第1経路上に配置され、複数の弾性波共振子を有する第1フィルタと、
前記共通端子と前記第2端子とを結ぶ第2経路上に配置され、通過帯域の周波数が前記第1フィルタより高い第2フィルタと、を備え、
前記複数の弾性波共振子は、
前記第1経路上に配置された1以上の直列共振子と、
前記第1経路とグランドとを結ぶ経路上に配置された2以上の並列共振子と、を含み、
前記2以上の並列共振子は、前記1以上の直列共振子のうち前記共通端子に最も近い第1直列共振子から見て前記共通端子側に位置する第1並列共振子と、前記第1端子側に位置する並列共振子を含み、
前記複数の弾性波共振子は、圧電性を有する基板と、前記基板上に形成された一対の櫛歯状電極からなるIDT電極、及び、1以上の反射電極指を有する反射器を有し、
前記第1並列共振子および前記第1直列共振子の少なくとも一方の反射電極指数は、残りの前記複数の弾性波共振子の反射電極指数よりも少ない、
マルチプレクサ。 - 前記第1並列共振子および前記第1直列共振子の反射電極指数は、残りの前記複数の共振子の反射電極指数よりも少ない、
請求項3に記載のマルチプレクサ。 - 前記基板は、
前記IDT電極が一方の主面上に形成された圧電体層と、
前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板と、
前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され、前記圧電体層を伝搬するバルク波音速よりも、伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜と、を備える、
請求項1〜4のいずれか1項に記載のマルチプレクサ。 - 前記第1フィルタにより発生するストップバンドレスポンスの周波数は、前記第2フィルタの周波数通過帯域に含まれる、
請求項1〜5のいずれか1項に記載のマルチプレクサ。 - 請求項1〜6のいずれか1項に記載のマルチプレクサと、
前記マルチプレクサに接続された増幅回路と、を備える、
高周波フロントエンド回路。 - アンテナ素子で送受信される高周波信号を処理するRF信号処理回路と、
前記アンテナ素子と前記RF信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する請求項7に記載の高周波フロントエンド回路と、を備える、
通信装置。
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