KR20010040543A - 탄성 표면파 공진기를 가지는 필터 - Google Patents

탄성 표면파 공진기를 가지는 필터 Download PDF

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KR20010040543A
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쏠랄마르끄
데부와쟝
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트뤼옹-벵-똥 엠.쎄.
톰슨-씨에스에프
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Abstract

본 발명은 등가의 전기 브리지 구조를 사용하여 양호한 관계(필터 제거 밴드 및 통과대역폭 간의 관계)를 획득하는 탄성 표면파 공진기를 가진 필터에 관한 것이다. 브리지 암은 유리하게도 몇몇 병렬 공진기를 구비하며, 이로써 직렬 접속된 공진기의 사용을 제공하는 종래 기술에서와 같은 부가적인 전기 요소를 요하지 않는다. 본 발명은 또한, 몇몇 병렬 공진기에 등가의 구조를 제공하기 위한 특정 주입법에 관한 것이다.

Description

탄성 표면파 공진기를 가지는 필터{FILTER WITH SURFACE ACOUSTIC WAVE RESONATORS}
본 발명은 고주파수 선택 성능 특성, 즉 고제거(high rejection) 품질을 가지는 비교적 미소한 대역폭을 가지는 탄성 표면파 필터(surface acoustic wave)에 관한 것이다. 여기서 "표면파(surface wave)"라는 용어는 레일리파(Rayleigh wave) 뿐만 아니라, 결정의 표면 상에 또는 결정 및 어떠한 재료의 하나 이상의 층 간의 인터페이스에서 교대배치형(interdigitated) 전극과 상호작용할 수 있는 모든 파형을 의미하는 것으로 이해된다. 따라서, 의사(pseudo) SAW 및 누설 SAW 파로서 공지된 파 및 표면 횡단파(Surface Transverse Wave) 또는 SSBW(Surface Skimming Bulk Waves, 표면 미끄러짐 벌크파)로서 공지된 파는 표면파로서 간주될 수 있으며, 본 발명은 상기 조건을 만족하는 모든 파형에는 물론, 이러한 파형에 적용될 수 있다.
일반적으로, 이러한 종류의 성능 특성을 획득하기 위하여, 필터가 도 1에 도시된 바와 같이, 2개의 주기적인 어레이에 의하여 형성된 공동 내에 포함된 트랜스듀서에 의하여 통상적으로 형성된 공진기와 함께 사용된다. 보다 구체적으로는, 몇몇 공진기를 연결시킴으로써 획득된 복수의 필터가 존재한다. 서로 연결된 공진기의 수는 일반적으로 필터의 형태 요인, 즉 필터의 제거 밴드(rejection band) 및 필터의 통과대역폭(passband) 간의 비율을 결정하므로, 최대수의 공진기를 연결하는 것이 실제로 요구된다. 공진기 수의 증가는 형태 요인 1로 달성되는 것을 가능하게 한다.
현재, 도 2에 도시된 바와 같이, 중심 주파수 f1을 가진 제 1 쌍의 공진기(IDT1)와, 중심 주파수 f2을 가진 제 2 쌍의 공진기(IDT2)를 구비하는 2개의 극을 가지며, 2 쌍의 공진기 세트가 "등전위" 브리지 구조에 장착되는 탄성 표면파 필터 구성의 제조 방법이 공지되어 있다. 이러한 형태의 구성은 미국 특허 5 508 667에 개시되어 있다.
이 구조의 중요성은 제 1 쌍의 정전식 커패시턴스의 생성물이 제 2 쌍의 정전식 커패시턴스의 생성물과 동일하다는 데 있다. 이 균형은 공진기의 중심 주파수로부터 떨어진 필터에 의한 제거를 보장케 하는 것을 가능하게 한다. 실제로, 주파수에서 멀리 떨어짐으로써, 공진기는 이들의 정전식 커패시턴스와 전기적으로 등가이며, 본 균형은 어떠한 신호도 통과하지 않도록 하는 것을 가능하게 한다.
공진기 필터의 성능 특성을 보다 향상시키기 위하여, 몇몇 "등전위" 브리지 구조의 직렬 캐스케이드를 장치하도록 설치된다. 가장 빈번하게는, 동일한 브리지가 서로 캐스케이드 접속된다. 이러한 종류의 구조의 단점은, 이 캐스케이드가 효율성을 위하여 부가의 전기 요소(인덕터 또는 커패시터)를 요한다는 것이다. 또한, 몇몇 캐스케이드 접속된 "브리지"의 사용은 필터 팩 내의 장착에 대한 장애가 된다.
이것은, 본 발명이 단일 등가 브리지 구조가 상기 브리지의 각 암에서 서로 다른 공진기의 병렬 접속을 통하여 다수의 극을 구비할 수 있는 결합 인덕턴스에 대한 필요성을 제거할 수 있는 필터 구조를 제시하기 때문이다.
보다 자세하게는, 본 발명의 목적은 N이 3이상의 수인 N 개의 극을 가지며, 공진기 세트를 구비하는 탄성 표면파 필터를 제공하는 것으로서,
- 상기 공진기는 4암 전기 브리지를 형성하도록 전기적으로 접속되며;
- 2개의 암은 각각 병렬 접속된 N1공진기의 2개의 동일한 서브 어셈블리(E1, E3)를 구비하며;
- 2개의 암은 각각 병렬 접속된 N2공진기의 2개의 동일한 서브 어셈블리(E2,E4)를 구비하며;
- N1+ N2= N이며;
- 서브 어셈블리(E3)의 총 정전식 커패시턴스에 의하여 승산된 서브 어셈블리(E1)의 총 정전식 커패시턴스의 생성물은 실질적으로 서브 어셈블리(E4)의 총 정전식 커패시턴스에 의하여 승산된 서브 어셈블리(E2)의 총 정전식 커패시턴스의 생성물과 동일하여, 전기 브리지의 균형을 이루는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 1 변형에 따라, N 이 짝수인 경우, N1= N2= N/2이다.
본 발명의 제 2 변형에 따라, N 이 홀수인 경우, N1= (N-1)/2 이며, N2= (N +1)/2 이다.
본 발명에서 제안된 필터 구성에 따라, 공진기의 병렬 접속은 기판 상의 접속 배선 또는 트랙을 요하여 브리지를 형성한다. 이러한 장애를 극복하기 위하여, 본 발명의 바람직한 모드는 공진기의 병렬 접속을 물리적으로 형성하는 데 있는 것이 아니라, 브리지의 서로 다른 암에서 몇몇 병렬 접속된 공진기 처럼 작동하는 표면파 장치를 사용하는 데 있다.
이것은, 전기 브리지의 하나 이상의 암에서, 탄성 표면파 필터가 공진기의 서브 어셈블리의 병렬 접속에 등가인 어드미턴스를 가지는 단일 표면파 장치를 구비할 수 있기 때문이다.
특히, 본 발명에 따른 필터는 하나 이상의 암이 몇몇 병렬 접속된 공진기에 등가인 구조를 구비하며, 상기 구조는 상기 공진기의 변환부(transduction part)를 구성하는 교대배치형 전극의 2개의 네트워크를 구비하며, 상기 네트워크는 서로 다른 극성을 가지는 2개의 버스에 접속되며, 상기 2개의 버스 사이에 삽입된 m개의 음향 채널을 구비하며, 상기 i번째 채널은 전극(W1)의 길이 상의 전극의 피치(pi)를 가지며, 여기서 1≤i ≤m 인 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 제 1 변형에 따라, i번째 음향 채널은 변환부의 각 면 상에 2개의 반사 어레이를 구비할 수 있다.
본 발명의 제 1 변형에 따라, 탄성 표면파 필터는 전기 브리지의 암 중 하나 이상의 암에서, 2개 이상의 병렬 접속된 공진기에 등가인 구조를 구비할 수 있으며, 상기 구조는 2개의 교대배치형 전극 어레이를 구비하며, 상기 어레이는 서로 다른 극성을 가지는 제 1 버스 및 제 2 버스에 연결되어 상기 전극에 평행인 중심축(Z)을 가지는 트랜스듀서를 정의하며, 상기 중심축에 대하여 대칭적으로 위치된 전극의 일부를 구비하며, 상기 트랜스듀서는 또한 중심축에 대하여 대칭적으로 위치되며 서로 다른 극성을 가지는 버스에 연결된 전극을 구비하여 대칭 길이방향 모드 및 비대칭 길이방향 모드를 활성화시킨다. 전극의 어레이는 반사기 어레이 사이에 삽입될 수 있거나 그렇지 않을 수 있다.
본 발명의 다른 변형에 따라, 탄성 표면 필터는 전기 브리지의 암 중 하나 이상의 암에서, 반사 셀 사이에 삽입된 변환 셀을 가지는 DART형 공진기를 구비한다.
유리하게도, DART형 공진기는 공진 공동을 구비할 수 있다.
극의 수가 짝수이면, 변환셀의 변환 중심 및 상기 변환셀에 인접한 반사셀의 반사 중심 간의 거리는 바람직하게는 (3 ±d)λ/8 + kλ/2 의 범위일 수 있으며, 여기서 λ는 필터의 중심 주파수에 대응하는 파장이며, d는 1 보다 작으며, k는 정수이다.
최종적으로, 다른 변형에 따라, 탄성 표면파 필터는 몇몇 공진기 세트의 직렬 접속을 구비하며, 적어도 하나 이상의 공진기 세트가 본 발명의 공진기에 대응한다.
본 발명은 첨부된 도면을 참조로 한 비제한적인 예로서 제공된 다음의 상세한 설명으로부터 보다 명백하게 이해될 것이며, 다른 이점들이 설명될 것이다.
도 1은 반사 어레이 사이에 삽입된 트랜스듀서를 가지는 공진기의 개략도이며,
도 2는 브리지 구조에 장착된 종래 기술의 필터의 구성을 도시하며,
도 3은 본 발명에 따른 탄성 표면파 필터의 일반적인 구성의 개략도이며,
도 4는 종래 기술의 2극 탄성 표면파 필터 장치를 도시하며,
도 5a는 2개의 병렬 접속된 공진기를 구비하는 탄성 표면파 필터 장치의 개략도이며,
도 5b는 도 5a에 도시된 2개의 병렬 접속된 공진기에 등가인 제 1 예의 공진기 장치를 도시하며,
도 6은 3개의 음향 채널을 사용하여 2개의 병렬 접속된 공진기에 등가인 제 2 예의 공진기 장치를 도시하며,
도 7은 피치(pi)로 오프셋된, 2개의 음향 채널을 사용하는 2개의 병렬 접속된 공진기에 등가인 제 3 예의 공진기 장치를 도시하며,
도 8은 대칭 모드 및 비대칭 모드를 길이방향으로 활성화시킨, 2개의 병렬 접속된 공진기에 등가인 제 4 예의 공진기 장치를 도시하며,
도 9는 변환셀의 중심이 인접한 반사셀의 중심으로부터 3λ/8 의 거리 만큼 분리된 예시적인 DART 형 트랜스듀서의 어드미턴스를 도시하며,
도 10은 변환셀의 중심이 인접한 반사셀로부터 (3-0.4)λ/8 내지 (3+0.4)λ/8 까지 다양화하는 거리만큼 분리된 동일한 DART 형 트랜스듀서의 컨덕턴스 과정을 도시하며,
도 11은 변환셀의 중심이 인접한 반사셀의 중심으로부터 (3-0.4)λ/8 내지 (3+0.4)λ/8 까지 다양화하는 거리만큼 분리된 동일한 DART 형 트랜스듀서의 서셉턴스 과정을 도시하며,
도 12는 본 발명에 따라 DART를 사용하는 제 4 예의 극 필터에 대한 전달 함수(transfer function)를 도시하며,
도 13은 3극을 가진 본 발명에 따른 예시적인 필터에 사용된 투-모드(two-mode) DART를 구비하는 전기 브리지 암의 어드미턴스를 도시하며,
도 14는 3극을 가진 본 발명에 따른 예시적인 필터에 비가중(non-weighted) DART를 구비하는 제 2 전기 브리지 암의 어드미턴스를 도시하며,
도 15는 3극을 가진 본 발명에 따라 하나의 암에 원-모드(one-mode) 공진기 및 다른 암에 투-모드(two-mode) 공진기를 구비하는 동일한 예시적인 필터의 전달함수를 도시하며,
도 16은 본 발명에 따라 도 6에 도시된 형태의 공진기를 사용하는 예시적인 87 MHz 필터에 사용된 2개의 공진기의 컨덕턴스 값을 도시하며,
도 17은 본 발명에 따라 도 6에 도시된 형태의 공진기를 사용하는 예시적인 87 MHz 필터에 사용된 2개의 공진기의 서셉턴스 값을 도시하며,
도 18은 필터의 특징이 도 15, 도 16 및 도 17에 제공된 필터 장치를 도시하며,
도 19는 본 발명에 따라 제조된 87 MHz 필터의 전달 함수를 도시한 것이다.
본 발명에 따른 탄성 표면파 필터의 일반적인 구성은 도 3에 개략적으로 도시되어 있다. 상기 필터는 4개의 암으로 형성된 등가의 브리지 형태의 구조를 구비하며, 각 암은 입력(E+, E-) 및 출력(S+, S-)에 접속된 한 세트의 병렬 접속된 공진기를 구비한다. 서로 다른 공진기의 "접속(coupling)"은 물론, 필터의 극에 대응하는 공진기의 중심 주파수(f1, f2... fN)는 요구되는 필터링 함수를 획득하도록 선택된다.
동작을 명확히 이해하기 위하여, 공진기의 동작을 보다 세부적으로 관찰하는 것이 필요하다. 일반적으로, 공진 주파수 근처에서, 공진기의 등가도는 주파수(fs)에서 직렬 공진기 회로와 병렬인 정전식 커패시턴스에 의하여 주어진다.
그러므로, 공진기의 어드미턴스는 다음과 같으며(저항 RS를 간과하여), 여기서 f는 주파수이며, ω는 맥동(脈動)(ω= 2ηf)이다.
그러므로, 계수 a에 비례하는 병렬 커패시턴스(CP) 및 공진 간격에 관련된 총 용량성 간격 형태의 공진기 어드미턴스를 나타낼 수 있다.
계수 a(공진기의 직렬 커패시턴스에 비례하는)는 전기적 억세스에서 고려된 공진 모드의 "접속(coupling)"을 결정한다. 이하, 모드 접속(coupling of the mode)이라고 칭할 것이다.
그러므로, 이상적인 공진기는 다음과 같은 형태를 가지며,
따라서, 주파수 ±fS에서 극을 가지는 어드미턴스의 공진부에 의하여 특징지워 진다. 실제로, 공진부 상의 직렬 저항에 대략 등가인 공진기에서의 영(0)이 아닌 손실로 인하여, 어드미턴스의 공진 간격은 다음과 같이 나타낸다.
주파수 f = fS(여기서, ω= ωs)에서의 극은 감쇠되므로, 더 이상 실제 극이 아니다. 다시 말하면, 본 손실은 주파수 f = fS에서의 극을 fS에 가까운 실수부 및 손실이 클 때, 보다 큰 허수부를 가지는 극으로 변환시킨다. 그러므로, 공진기는 감쇠될 수 있거나 또는 그렇지 않을 수 있는 공진을 구비하는 어드미턴스를 특징으로 하여 실제 축에 가까운 주파수에서 극을 가진다.
이 구성에서, 각 암은 2개의 병렬 접속된 공진기를 구비한다.
이제, 4극 탄성 표면파 필터의 경우에서 본 발명을 자세히 설명할 것이다.
종래 기술에 따라, 각각 공진기를 구비하는 4암 전기 브리지 구조를 위치시키는 것이 요구될 때, 브리지의 균형을 위하여 따라서, 필터의 제거 품질을 위하여 요구되는 대칭 구조를 도 4에 개략적으로 도시된 형태의 장치로 고안하는 것이 가능하다.
본 장치는 기생 커패시턴스에 대하여도, 팩의 후면에 대칭이라는 이점을 가진다. 반사기 어레이(Ri)의 표면적은 2개의 포트, 즉 플러스(+) 및 마이너스(-) 포트에 대하여 동일하다. 또한, 어레이가 입/출력 포트 중 하나에 모두 접속되므로, 접지는 필터에 접속되지 않으며, 따라서 전기적 소스 및 부하 회로의 어떠한 불균형도 효과적으로 극복할 수 있다.
그러나, 상술된 장치로 획득될 수 있는 대칭성은 극의 수가 증가할 때, 보다 획득하기 어렵다.
이것은, 본 발명이 이 병렬 접속에 등가이며, 2개의 공진기의 병렬 접속의 경우에서 4개가 아닌 2개의 접속 버스만을 사용하는(2개의 입력, 2개의 출력) 공진기를 제조함으로써 몇몇 공진기의 병렬 접속을 대체하도록 제안한다.
특히, 음향 개구부(acoustic aperture)를 2개의 채널로 분리하며 두 채널의 전극을 상호 접속시킴으로써 2개의 병렬 접속된 공진기에 등가인 공진기를 제조할 수 있으며, 따라서 2개의 채널 각각에 2개의 트랜스듀서 중 하나에 대응하는 시퀀스를 가진다. 예로서, 도 5a는 2개의 병렬 접속 공진기의 어셈블리용 가능한 장치를 도시한다.
도 5b는 제 1 상부 음향 채널이 피치(p1)에서 교대배치된 전극에 의하여 제조되며, 제 2 하부 음향 채널이 피치(p2)에서 교대배치된 전극에 의하여 제조되는 등가 장치를 도시한다. 2개의 채널은 도면에 기호로 도시된 금속화(m1)에 의하여 전기적으로 접속된다.
피치 값(p1, p2)은 2개의 병렬 접속된 공진기에 등가인 공진기의 공진 주파수를 제어한다. 크기(w1, w2)는 이들 공진기의 접속을 제어하여 제조될 필터의 특성을 획득한다. 도 5a 및 도 5b는 공진기의 트랜스듀서부 만을 도시한다. 종래 기술에 따라, 공진기는 일반적으로 트랜스듀서의 한 면 상에 2개의 반사기 어레이를 구비한다. 반사기 어레이는 도면에서 생략되었으나, 채널 각각에 부가될 수 있다. 각 채널의 어레이는 서로 연결될 수 도 있고 그렇지 않을 수 도 있다. 바람직하게는, 서로 다른 채널의 반사기 어레이에 대하여, 선택된 주기는 트랜스듀서의 주기에 비례한다. 다시 말하면, pi및 pj가 2개의 트랜스듀서의 주기이며, PRi및 PrPj가 어레이의 주기인 경우, 다음이 선택될 것이다.
유사하게, Δ및 Δ'는 반사기 어레이 및 트랜스듀서 간의 거리인 경우, 바람직하게는 다음이 선택될 것이다.
이러한 방식으로, 2개의 채널은 서로 닮음 형태(homothetical)이다.
최종적으로, 4개 이상의 극을 가지는 필터에 대하여, 2개 이상의 공진기를 병렬로 위치시키는 것이 필수적이다. 상술한 바와 동일한 방식으로, 병렬 접속을 형성하기 위하여 몇몇 음향 채널을 사용하여 서로 다른 채널 모두의 금속화를 접속시키는 것도 가능하다.
그러나, 이러한 형태의 구성에서, 크기(w1, w2)를 가지는 2개의 음향 채널이 서로 상당히 근접한 경우, 기생 음향 크로스토크(crosstalk) 현상이 채널 간에 나타난다.
이것은, 이러한 형태의 크로스토크를 제거하기 위하여, 본 발명은 또한, 도 6에 도시된 다른 구조를 제안하기 때문이다. 이러한 목적을 위하여, 수평축과 대칭인 활성화를 생성시키며, 따라서 횡단적으로 대칭인 형태를 가지는 파에만 연결된 중앙 채널이 도 5b에 도시된 음향 채널 중 대체적으로 하나에 대응하는 2개의 상부 및 하부 채널 사이에 삽입된다. 상부 및 하부 음향 채널은 전기 크기 (w1= w3) 및 전극 피치(p1= p3)의 동일한 특성을 가진다. 이들 2개의 채널은 상기 2개의 채널용 마주보는 전극이 반대 전위에 접속되므로, 수평축에 대하여 비대칭 활성화를 생성시킨다. 그러므로, 이들 2개의 채널은 횡단적으로 비대칭 형태를 가진 파에만 접속되며, 따라서 중앙 채널 및 외부 채널 간의 크로스토크가 존재하지 않을 수 있다. 다시 말해서, 단부 채널을 바라보는 전극을 마주보는 버스에 접속시킴으로써, 중앙 채널 및 정상 채널 간의 크로스토크가 반대 위상(phase opposition)에 부가되어, 중앙 채널 및 하부 채널 간의 크로스토크와 함께 소거된다. 접속 현상에 대한 보상을 획득하기 위하여, 버스 E+에 접속된 전극은 단부 채널 상의 버스 E-에 접속된 전극을 마주보도록 위치된다.
2개의 병렬 접속된 공진기를 재구성하도록 요구되는 2개의 공진 주파수는 또한, 대칭 및 비대칭 횡단 모드 간의 속도차에 의하여 획득될 수 있다.
이 경우, 피치 값(p1, p2)이 동일한 구조를 제조하는 것 또한 가능하다. 이 특정 경우에서, 도 7에 도시된 바와 같이, 2개의 음향 채널을 가진 구조를 제조하는 것도 가능하다. 2개의 채널의 전극을 서로 p1의 거리로 오프셋함으로써, 버스 E-에 접속된 전극을 바라보도록 버스 E+에 접속된 전극을 위치시킬 수 있으므로, 상기에 설명한 바와 같이 동일한 방식으로 기생 접속 현상에서 보상을 획득할 수 있다. 이 구성에서, 중앙 채널은 단부 채널 중 하나와 정렬된다.
본 발명의 다른 변형에 따라, 공진기에 형성된 길이방향 모드수를 파라미터화함으로써 2개의 병렬 접속된 공진기에 등가인 구조를 제조할 수 있다.
실제로, 일반적으로 공진기는 2개의 반사기 어레이 사이에 위치된 트랜스듀서이다. 어레이의 주기 및 트랜스듀서의 주기에 따라, 그리고 어레이 및 트랜스듀서 간의 거리에 따라, 몇몇 길이방향 모드에 있다. 모드 접속은 공동에서 트랜스듀서의 무게를 모드 크기 상으로 오버랩한 것의 적분에 좌우된다. 일반적으로는 대칭 및 비대칭 모드에 있다. 대칭 및 비대칭 모드를 가지는 요구되는 접속을 획득하도록 트랜스듀서를 가중시키는 것이 가능하다.
도 8은 대칭 길이방향 모드 및 비대칭 길이방향 모드 모두를 활성화시킬 수 있는 예시적인 공진기를 도시한다.
Pr은 어레이(1, 2)의 구성 요소의 피치를 나타낸다. Pt는 트랜스듀서의 전극의 피치를 나타낸다. Δ는 트랜스듀서 및 어레이 간의 간격을 나타낸다. 트랜스듀서는 상기 트랜스듀서 상의 중심에 있는 Z 축에 대하여 비대칭이다.
주기 Pr및 Pt, 거리 Δ및 트랜스듀서의 주기수에 따라, 공진 동공은 상기 동공 내의 에너지의 서로 다른 길이방향 분포에 대응하는 몇몇 공진 주파수를 가질 것이다. 활성화, 즉 트랜스듀서의 전극의 시퀀스를 적절히 선택함으로써, 대칭 길이방향 모드 및 비대칭 길이방향 모드를 활성화시킬 수 있다. 트랜스듀서의 가중은 두 부분으로 분리될 수 있다. 가중의 대칭부(z 축에 관하여)는 대칭 길이방향 모드를 활성화시킬 것인 반면, 비대칭부(z 축에 관하여)는 비대칭 길이방향 모드를 활성화시킬 것이다. 대칭(비대칭) 모드값 상에 가중의 대칭(또는 비대칭)부를 오버랩한 것의 적분은 대칭(비대칭) 모드의 접속에 관련될 것이다.
도 8에 도시된 트랜스듀서는 완전히 대칭적이지 않고 완전히 비대칭적이지도 않으며, 대칭 모드 및 비대칭 모드 모두의 활성화를 인에이블하여 내부모드 접속을 재구성하고 이로써 2개의 병렬 접속된 공진기와의 등가를 획득한다.
본 발명의 다른 변형에 따라, 탄성 표면파 필터는 문헌에 SPUDT(Single Phase Unidirectional Transducers)로서 또한 공지된 DART(Distributed Phase Unidirectional Transducers)형 트랜스듀서를 구비한다.
특허 공개 제 2 702 899 호에 개시된 이러한 형태의 트랜스듀서는 변환셀로서 공지된 셀 및 반사셀로서 공지된 셀을 트랜스듀서 내에 삽입시킴으로써, 그리고 서로에 관하여 셀을 위치시킴으로써 획득되어, 전송된 파가 유용한 방향으로 반사파와 위상이 같도록 리셋되며 다른 방향으로는 반대 위상으로 위치된다. 통상의 기판용으로, 변환 중심 및 반사 중심 간의 거리는 3λ/8이어야 하며, 이로써 위상이 정확하다. 보다 일반적으로는, DART는 전극이 분포되는 트랜스듀서이도록 간주될 수 있다. 이들 전극은 트랜스듀서 내에서 변환 함수 및 반사 함수가 존재하여 트랜스듀서가 바람직한 방향을 가지도록 고안된다. 특허 공개 제 2 702 899 호에는 DART 내에 공진 공동이 제조되며, 상기 공진 공동은 반사 함수의 신호를 변화시킴으로써 제조되는 것이 유리하다는 것이 개시되어 있다.
비가중 DART, 즉 1에 가까운 전체 반사 계수에 대하여 충분히 일정하며 긴 반사 및 변환 함수를 구비하는 DART의 경우에서 반사기의 제거 밴드의 개시 및 종료 주파수에 존재하는 2개의 모드가 존재한다는 것이 공지되어 있다. 반사 및 변환 간의 위상차가 유용한 방향으로 전송되어 반사된 파의 위상에서의 리셋에 대응한다면, 즉 일반적으로 변환 중심 및 반사 중심 간의 거리가 3λ/8이라면, 2개의 모드는 동일하게 활성화되어 트랜스듀서의 컨덕턴스가 주파수에서 대칭이다. 예로써, 도 9는 109.3 MHz에서 200λ의 파장을 가진 DART 트랜스듀서의 어드미턴스를 도시한다. 선택된 금속화의 두께는 0.7 ㎛이며, 너비 3λ/8인 하나의 반사기는 파장당 사용된다. 트랜스듀서는 "이상적(Ideal)"이며, 즉 변환 중심 및 반사 중심 간의 거리가 3λ/8이다.
도 10 내지 도 11은 변환 중심 및 반사 중심 간의 거리가 3λ/8 - 0.05λ에서 3λ/8 + 0.05λ로 변하는 경우에서의 컨덕턴스 및 서셉턴스 값에 의하여 경험하는 변화를 도시한 것이다. 여전히 동일한 2개의 모드에 있으나, 이들 모드의 상대적 중요성은 거리에 따라 다양화된다는 것을 볼 수 있다. 또한, 시프트의 신호가 변할 때, 동일한 컨덕턴스가 대칭성을 제외한 모드용으로 획득된다. 4극 필터의 경우, 일반적으로 전기 브리지의 암에서 이들의 접속 비율이 약 2이도록 모드를 사용하는 것이 유용하다. 예컨대, 본 발명에 따른 필터는 이것의 암 중의 하나에서 -0.025 λ의 시프트를 사용하는 DART 및 나머지 다른 암에서 +0.025 λ의 시프트를 사용하는 DART를 구비할 수 있다. 4개의 구별되는 공진 주파수를 가지기 위하여, -0.025 λ시프트를 사용하는 트랜스듀서는 약 250 kHz의 하부 주파수 시프트에 제공되었다. 도 12는 전기적으로 동조된 필터용으로 획득된 전달 함수를 도시한다.
DART를 사용하는 다른 예에 따라, 3극 필터가 암 중 하나에서의 원-모드 공진기 및 나머지 다른 암에서의 투-모드 공진기를 사용함으로써 획득될 수 있다. 본 예에서 사용되는 투-모드 공진기는 3λ/8의 변환/반사 거리를 가지는 비가중 DART이다. DART는 400 파장 길이를 가진다. 선택된 금속화의 두께는 0.35㎛이며, 3λ/8의 너비를 가진 반사기는 파장당 사용된다. 중심 주파수는 109.8 MHz이다. 도 13은 제거 밴드의 입력 및 출력에서 2개의 모드를 가지는 DART의 어드미턴스를 도시한다. 전기 브리지의 다른 암에 대하여, 동일한 길이(따라서, 동일한 정전식 커패시턴스)를 가지며 중심 주파수에서 공진하는 DART를 사용하는 것이 선택된다. 도 14는 전기 브리지의 다른 암에 포함된 비가중 DART의 어드미턴스를 도시한다. 이것은 트랜스듀서의 중심에서 반사 함수의 신호의 변화를 삽입함으로써 획득된다. 이후, 단일 공진 모드가 존재한다.
3극 필터용으로 획득된 전달 함수는 도 15에 제공된다.
87 MHz의 석영 필터의 예
본 필터는 N에서 4까지의 다수의 극을 가지는 상당히 미소한 팩(7mm x 5mm)에서의 약 300 kHz의 통과대역폭을 가진 필터이다.
팩의 저공간 요구를 달성하기 위하여, 사용된 공진기는 반사기 어레이를 가지지 않으며, 따라서 파장당 2개의 전극을 가지는 단순한 트랜스듀서로 축소된다.이 장치는 도 18에 도시된 형태이다. 트랜스듀서의 길이는 264 주기(즉, 대략 4.75 mm 길이)이다. 손실을 무시하고, 암의 어드미턴스 값은 대략 다음과 같이 주어진다.
여기서, f2- f1= 250 kHz 이며, f3- f2~ 60 kHz 이며, f1- f4~ 60 kHz이며, a2= a1, a3= a4= a1/2 이다.
주파수 함수로서 획득된 컨덕턴스 값 및 서셉턴스 값의 특성은 도 16 및 도 17에 각각 도시되어 있다.
공진기용으로 요구되는 어드미턴스 값을 획득하기 위하여, 제 1 대칭 횡단 모드 및 제 1 비대칭 횡단 모드 간의 310 kHz의 차이를 위하여 제공되는 개구부 및 금속화 두께를 가지며, 0.8 ㎛의 금속화 두께 및 약 300 ㎛의 트랜스듀서 개구부가 제공된다.
도 7의 구조는 공진기용이다.
따라서, 2개의 공진기에 대하여, 다음의 특징을 가진다.
제 1 공진기(2개의 병렬 접속된 공진기에 등가인):
w'1= 210 ㎛
w'2= 90 ㎛
제 2 공진기(2개의 병렬 접속된 공진기에 등가인):
w'1= 232.5 ㎛
w'2= 67.5 ㎛
이들 2개의 공진기의 주기는 서로 주파수를 정확하게 연결하도록 결정된다. 다시 말하면, 대략
제 1 공진기에 대하여, 17.95 ㎛의 주기이며,
제 2 공진기에 대하여, 17.94 ㎛의 주기이다.
도 18은 2개의 암에서의 제 1 공진기 및 다른 2개의 암에서의 제 2 공진기로 제조된 전기 브리지를 나타내는 장치가 도시되어 있다.
공간 요구상의 이유로, 2개의 입력 E+가 트랙이 아닌, 배선에 의하여 병렬 접속된다.
필터는 병렬 접속된 인덕터와 함께 4,000Ω의 임피던스 값으로 동작하도록 고안된다. 상기 필터의 전달 함수는 도 19에 도시되어 있다.

Claims (15)

  1. N이 3이상의 수인 N개의 극을 가지며, 공진기 세트를 구비하는 탄성 표면파 필터로서,
    상기 공진기는 4암 전기 브리지를 형성하도록 전기적으로 접속되며;
    상기 암 중 2개의 암은 병렬 접속된 N1공진기의 2개의 동일한 서브 어셈블리(E1, E3)를 구비하며;
    상기 암 중 2개의 암은 병렬 접속된 N2공진기의 2개의 동일한 서브 어셈블리(E2, E4)를 구비하며;
    N1+ N2= N 이며;
    서브 어셈블리(E3)의 총 정전식 커패시턴스에 의하여 승산된 서브 어셈블리(E1)의 총 정전식 커패시턴스의 생성물은 서브 어셈블리(E4)의 총 정전식 커패시턴스에 의하여 승산된 서브 어셈블리(E2)의 총 정전식 커패시턴스의 생성물과 실질적으로 동일하여, 전기 브리지의 균형을 맞추는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  2. 제 1 항에 있어서, N은 짝수이며, N1= N2= N/2 인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  3. 제 1 항에 있어서, N은 홀수이며, N1= (N-1)/2 이며 N2= (N+1)/2 인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 하나 이상의 암은 공진기의 서브 어셈블리의 병렬 접속에 등가인 어드미턴스를 가지는 단일 탄성 표면파 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 하나 이상의 암은 몇몇 병렬 접속된 공진기에 등가인 구조를 구비하며, 상기 구조는 상기 공진기의 변환부를 구성하는 교대배치형 전극의 2개의 네트워크를 구비하며, 상기 네트워크는 서로 다른 극성을 가지는 2개의 버스에 접속되며 상기 버스 간에 삽입된 m개의 음향 채널을 구비하며, 상기 i번째 채널은 전극(wi)의 길이 상에 전극 피치(pi)를 가지며, 상기 i는 1≤i≤m 인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 i번째 음향 채널은 변환부의 각 면 상에 2개의 반사 어레이를 구비하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 2개의 연속 음향 채널은 금속화(mi)에 의하여 서로 접속되어, 피치 pi로 분리된 전극을 피치 pi+1로 분리된 전극과 접속시키는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  8. 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 하나 이상의 암은 2개의 병렬 접속된 공진기에 등가인 구조를 구비하며, 상기 구조는 전극 피치 p1및 전극 길이 w1을 가지는 상부 음향 채널 및 하부 음향 채널과, 전극 피치 p2및 전극 길이 w2을 가지는 중앙 음향 채널을 구비하며, 상부 음향 채널의 제 1 버스에 접속된 전극 어레이의 전극은 상기 하부 음향 채널의 제 2 버스에 접속된 전극 어레이의 전극과 정렬되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  9. 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 피치 값 p1및 p2은 동일하며, 상기 구조는 2개의 음향 채널을 구비하며, 상기 전극 어레이 각각의 상기 전극은 상기 2개의 음향 채널 사이의 거리(p1)에 의하여 오프셋되는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  10. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 암 중 하나 이상의 암은 2개 이상의 병렬 접속된 공진기에 등가인 구조를 구비하며, 상기 구조는 2개의 교대배치형 전극 어레이를 구비하며, 상기 어레이는 서로 다른 극성을 가지는 제 1 버스 및 제 2 버스에 접속되어 상기 전극에 평행인 중심축(Z)을 가지는 트랜스듀서를 정의하며, 상기 트랜스듀서는 중심 축에 관하여 대칭으로 위치되며 상기 제 1 버스에 접속된 전극을 구비하며, 중심 축에 관하여 대칭으로 위치되며 반대의 극성을 가진 상기 제 2 버스에 접속된 전극을 구비하여 대칭 길이방향 모드 및 비대칭 길이방향 모드를 활성화시키는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 트랜스듀서는 2개의 반사기 어레이 사이에 삽입되는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  12. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 암 중 하나 이상의 암은 반사 셀 사이에 삽입된 변환 셀을 가진 DART 형 공진기를 구비하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 DART 형 공진기는 공진 공동을 구비하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  14. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서, 극의 수는 짝수이며, 상기 변환 셀의 상기 변환 중심 및 상기 변환 셀에 인접한 상기 반사 셀의 반사 중심 간의 거리는 (3±d)λ/8 + kλ/2의 범위 내이며, 여기서 λ는 상기 필터의 중심 주파수에 대응하는 파장이며, d는 1이하이며, k는 정수인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  15. 탄성 표면파 필터로서, 상기 탄성 표면파 필터는, 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 대응하는 하나 이상의 공진기 세트가 직렬 접속된 몇개의 공진기 세트를 구비하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10026074B4 (de) * 2000-05-25 2010-02-18 Epcos Ag Rekursives OFW-Filter mit geringer Chiplänge
JP3863712B2 (ja) * 2000-09-06 2006-12-27 株式会社日立製作所 弾性表面波共振器
JP3824498B2 (ja) * 2000-09-28 2006-09-20 富士通株式会社 弾性表面波フィルタ
US6924715B2 (en) * 2002-02-12 2005-08-02 Nortel Networks Limited Band reject filters
JP4079658B2 (ja) * 2002-03-05 2008-04-23 株式会社リコー ２値化ウォブル信号を生成する回路、ライトクロック生成回路、２値化ウォブル信号を生成する方法、ライトクロック生成方法及び光ディスク装置
FR2837636B1 (fr) * 2002-03-19 2004-09-24 Thales Sa Dispositif a ondes acoustiques d'interface en tantalate de lithium
JP3963824B2 (ja) * 2002-11-22 2007-08-22 富士通メディアデバイス株式会社 フィルタ素子、それを有するフィルタ装置、分波器及び高周波回路
DE10319554B4 (de) * 2003-04-30 2018-05-09 Snaptrack, Inc. Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement mit gekoppelten Resonatoren
FR2864618B1 (fr) * 2003-12-24 2006-03-03 Temex Sa Capteur de temperature ou de temperature et de pression interrogeable a distance
JP4586404B2 (ja) * 2004-04-28 2010-11-24 ソニー株式会社 フィルタ装置及び送受信機
JP4800026B2 (ja) * 2005-12-16 2011-10-26 三星電子株式会社 複素係数トランスバーサルフィルタおよび周波数変換器
DE202006007423U1 (de) * 2006-05-09 2007-09-13 EKATO Rühr- und Mischtechnik GmbH Rührorgan
JP5237138B2 (ja) * 2009-01-27 2013-07-17 太陽誘電株式会社 フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール
JP6135184B2 (ja) * 2013-02-28 2017-05-31 セイコーエプソン株式会社 超音波トランスデューサーデバイス、ヘッドユニット、プローブ及び超音波画像装置
JP6160120B2 (ja) * 2013-02-28 2017-07-12 セイコーエプソン株式会社 超音波トランスデューサーデバイス、超音波測定装置、ヘッドユニット、プローブ及び超音波画像装置
US10381998B2 (en) 2015-07-28 2019-08-13 Qorvo Us, Inc. Methods for fabrication of bonded wafers and surface acoustic wave devices using same
US10084427B2 (en) 2016-01-28 2018-09-25 Qorvo Us, Inc. Surface acoustic wave device having a piezoelectric layer on a quartz substrate and methods of manufacturing thereof
US10128814B2 (en) 2016-01-28 2018-11-13 Qorvo Us, Inc. Guided surface acoustic wave device providing spurious mode rejection
US11206007B2 (en) 2017-10-23 2021-12-21 Qorvo Us, Inc. Quartz orientation for guided SAW devices
US20230061645A1 (en) * 2021-09-01 2023-03-02 RF360 Europe GmbH Electroacoustic filter with low phase delay for multiplexed signals

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3435259A (en) * 1965-05-13 1969-03-25 Us Army Filter circuit
FR2250102B1 (ko) 1973-10-31 1976-10-01 Thomson Csf
FR2266394B1 (ko) 1974-03-26 1981-02-27 Thomson Csf
FR2326094A1 (fr) 1975-09-26 1977-04-22 Thomson Csf Dispositif de lecture bidimensionnelle d'image optique, utilisant des ondes elastiques de surface
FR2365138A1 (fr) 1976-09-17 1978-04-14 Thomson Csf Systeme de codage par modulation d'un signal lumineux
JPS6352509A (ja) * 1986-08-22 1988-03-05 Clarion Co Ltd コンボルバ最適バイアス回路
GB2197559B (en) * 1986-08-22 1990-03-28 Clarion Co Ltd Bias voltage circuit for a convolver
FR2628265B1 (fr) 1987-03-06 1990-12-21 Thomson Csf Antenne directive a transducteurs multiples notamment pour sonar
FR2612711A1 (fr) 1987-03-19 1988-09-23 Thomson Csf Procede de correction d'un dispositif a ondes de surface, notamment pour un filtre dispersif
US5264751A (en) 1989-10-20 1993-11-23 Thomson-Csf Unilateral surface wave transducer
US5028895A (en) * 1990-05-29 1991-07-02 Motorola, Inc. Notch filter for reducing clock signal feedthrough effects in an acoustic charge transport device
FR2682833B1 (fr) 1991-10-18 1993-12-03 Thomson Csf Filtre a ondes de surface et a trajet acoustique replie.
US5703427A (en) 1993-03-19 1997-12-30 Thomson-Csf Surface-wave distributed acoustic reflection transducer and filter including such a transducer
GB2280806B (en) * 1993-08-04 1997-10-08 Advanced Saw Prod Sa Saw filter
US5847626A (en) * 1994-02-22 1998-12-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Balanced-type surface acoustic wave lattice filter
FR2739232B1 (fr) 1995-09-26 1997-10-24 Thomson Csf Filtre a ondes acoustiques de surface utilisant le couplage de trois voies acoustiques
FR2740908B1 (fr) 1995-11-07 1997-11-28 Thomson Csf Transducteur a ondes acoustiques de surface attaque en differentiel
GB2312109B (en) * 1996-03-29 2000-08-02 Advanced Saw Prod Sa Acoustic wave filter
FR2762458B1 (fr) 1997-04-18 1999-07-09 Thomson Csf Dispositif a ondes acoustiques de surface a couplage par proximite a entrees/sorties differentielles

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Publication number Publication date
CA2319690A1 (fr) 1999-08-12
EP1053593A1 (fr) 2000-11-22
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JP2002503049A (ja) 2002-01-29
DE69901426D1 (de) 2002-06-13
CN1289478A (zh) 2001-03-28
FR2774826B1 (fr) 2000-05-05
HK1035969A1 (en) 2001-12-14
CN1144361C (zh) 2004-03-31
EP1053593B1 (fr) 2002-05-08
WO1999040678A1 (fr) 1999-08-12

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