CN107615659B - 弹性波装置 - Google Patents
弹性波装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107615659B CN107615659B CN201680031526.3A CN201680031526A CN107615659B CN 107615659 B CN107615659 B CN 107615659B CN 201680031526 A CN201680031526 A CN 201680031526A CN 107615659 B CN107615659 B CN 107615659B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film
- insulating layer
- elastic wave
- wave device
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 168
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 94
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 etc. Chemical compound 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02826—Means for compensation or elimination of undesirable effects of adherence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02897—Means for compensation or elimination of undesirable effects of strain or mechanical damage, e.g. strain due to bending influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02992—Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
本发明提供一种难以产生压电薄膜的破裂、缺口,且难以产生层叠膜中的界面剥离,进而难以产生布线电极的断线的弹性波装置。在支承基板(2)上层叠有包含压电薄膜(4)的层叠膜(3)的弹性波装置(1)。在设置有IDT电极(5a~5c)的区域的外侧的区域,部分地不存在层叠膜(3)。设置有第一绝缘层(12),使得从不存在该层叠膜(3)的区域(R)的至少一部分到达压电薄膜(4)上。布线电极(6a)从压电薄膜(4)上到达第一绝缘层(12)上,并到达位于区域(R)的第一绝缘层部分上。
Description
技术领域
本发明涉及在支承基板上层叠有层叠膜和压电薄膜的弹性波装置。
背景技术
在下述的专利文献1记载的弹性波装置中,在支承基板上设置有层叠膜。在该层叠膜上层叠有压电薄膜。上述层叠膜具有高声速膜以及低声速膜。低声速膜由所传播的体波的声速与在压电薄膜中传播的体波的声速相比为低速的膜构成。高声速膜由所传播的体波的声速与在压电薄膜中传播的弹性波的声速相比为高速的膜构成。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:WO2012/086639A1
发明内容
发明要解决的课题
在专利文献1记载的弹性波装置中,压电薄膜由LiTaO3等压电单晶构成。因此,容易由于外力而产生破裂、缺口。在弹性波装置中,为了与外部的连接而接合凸块等外部连接端子。在该外部连接端子的接合工序中,对具有上述压电薄膜和层叠膜的层叠体施加应力。因此,有可能产生压电薄膜的破裂、缺口。
另一方面,弹性波装置一般通过母构造体的利用划片的分割来得到。通过该划片时的力,也有可能产生上述压电薄膜的破裂、缺口。
进而,在外部连接端子的连接、划片时,在包含压电薄膜的层叠体中,还有可能产生界面剥离。
此外,在上述层叠膜上设置了压电薄膜的构造中,需要将布线电极设置为从支承基板上到达上述压电薄膜上。在该情况下,存在布线电极容易断线这样的问题。
本发明的目的在于,提供一种难以产生压电薄膜的破裂、缺口,且难以产生层叠膜中的界面剥离,进而难以产生布线电极的断线的弹性波装置。
用于解决课题的技术方案
本发明涉及的弹性波装置具备:支承基板;层叠膜,设置在所述支承基板上,并具有包含压电薄膜在内的多个膜;IDT电极,设置在所述压电薄膜的一个面;第一绝缘层,在俯视下,在设置有所述IDT电极的区域的外侧的区域,部分地不存在所述层叠膜,所述第一绝缘层设置为从不存在所述层叠膜的区域的至少一部分到达所述压电薄膜上;以及布线电极,与所述IDT电极电连接,从所述压电薄膜上到达所述第一绝缘层上,并到达位于不存在所述层叠膜的区域的所述第一绝缘层部分上。
在本发明涉及的弹性波装置的某个特定的局面中,所述第一绝缘层从所述压电薄膜上通过所述层叠膜的侧面,到达不存在所述层叠膜的区域的至少一部分。在该情况下,能够更加有效地抑制层叠膜内的剥离。
在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的局面中,所述第一绝缘层上的与所述支承基板相反侧的面具有倾斜面,所述倾斜面倾斜为,随着从不存在所述层叠膜的区域接近位于所述压电薄膜上的部分而接近所述压电薄膜侧。在该情况下,更加难以产生设置在第一绝缘层上的布线电极的断线。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的局面中,所述第一绝缘层的所述倾斜面从所述支承基板上到达所述压电薄膜上的所述第一绝缘层部分。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的局面中,所述第一绝缘层从所述倾斜面到达不存在所述层叠膜的区域。
在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的局面中,在所述支承基板上,还具备:支承层,覆盖设置有所述布线电极的区域的一部分,且具有用于构成中空空间的开口部,所述支承层越过所述第一绝缘层的所述倾斜面,到达所述压电薄膜上的所述第一绝缘层上。
在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的局面中,还具备:支承层,设置在所述支承基板上,并具有用于构成中空空间的开口部,所述支承层在所述支承基板上从设置有所述布线电极的区域到达所述倾斜面的所述压电薄膜侧的端部。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的局面中,还具备:第二绝缘层,设置在所述布线电极与所述支承基板之间,所述第二绝缘层到达所述第一绝缘层上。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的局面中,在将相对于所述布线电极延伸的方向正交的方向设为宽度方向的情况下,所述布线电极的所述宽度方向上的一端以及另一端分别位于比所述第二绝缘层的所述宽度方向上的一端以及另一端在所述宽度方向上更靠内侧。在该情况下,能够有效地抑制布线电极与其它部分的短路。
在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的局面中,所述倾斜面倾斜为,随着从所述压电薄膜侧到达不存在所述层叠膜的区域侧而从所述支承基板侧远离,所述第一绝缘层在不存在所述层叠膜的区域中设得比在所述压电薄膜上厚。
在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的局面中,所述层叠膜具有:所述压电薄膜;以及低声速膜,所传播的体波的声速与在所述压电薄膜中传播的弹性波的声速相比为低速,在所述低声速膜上,层叠有所述压电薄膜。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的局面中,所述层叠膜具有:所述压电薄膜;高声速膜,所传播的体波的声速与在所述压电薄膜中传播的弹性波的声速相比为高速;以及低声速膜,层叠在所述高声速膜上,所传播的体波的声速与在所述压电薄膜中传播的弹性波的声速相比为低速,在所述低声速膜上层叠有所述压电薄膜。在该情况下,能够将弹性波有效地限制在压电薄膜内。
在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的局面中,所述层叠膜具有:所述压电薄膜;高声阻抗膜,声阻抗相对高;以及低声阻抗膜,声阻抗比所述高声阻抗膜低。在该情况下,能够将弹性波有效地限制在压电薄膜内。
发明效果
根据本发明涉及的弹性波装置,能够抑制压电薄膜的破裂、缺口。此外,也难以产生层叠膜内的界面剥离。进而,还难以产生布线电极的断线。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的主视剖面图。
图2是省略本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的覆盖构件而示出的示意性俯视图。
图3是用于说明本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的主要部分的简图式俯视图。
图4(a)是沿着图3的A-A线的部分的局部放大剖视图,图4(b)是将图4(a)的主要部分放大而示出的局部剖视图。
图5(a)是用于说明本发明的第二实施方式的弹性波装置的主要部分的局部放大剖视图,图5(b)是将图5(a)中的主要部分进一步放大而示出的局部剖视图。
图6是示出本发明的第三实施方式涉及的弹性波装置的主要部分的局部放大剖视图。
图7是示出本发明的第四实施方式涉及的弹性波装置的主要部分的示意性俯视图。
图8是示出本发明的第四实施方式涉及的弹性波装置的主要部分的局部放大剖视图。
图9是示出本发明的第五实施方式涉及的弹性波装置的主要部分的局部放大剖视图。
图10是示出本发明的第六实施方式涉及的弹性波装置的主要部分的局部放大剖视图。
图11是沿着图10中的II-II线的部分的主要部分的剖视图。
图12是示出在第七实施方式中使用的层叠膜的主视剖面图。
图13是示出在第八实施方式中使用的层叠膜的主视剖面图。
图14是用于说明层叠膜的变形例的简图式主视图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的具体的实施方式进行说明,从而明确本发明。
另外,需要指出的是,在本说明书记载的各实施方式是例示性的,能够在不同的实施方式之间进行结构的部分置换或组合。
图1是本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的主视剖面图。
弹性波装置1具有支承基板2。支承基板2具有相互对置的第一主面2a以及第二主面2b。在第一主面2a上,设置有层叠膜3。层叠膜3具有高声速膜3a、层叠在高声速膜3a上的低声速膜3b、以及层叠在低声速膜3b上的压电薄膜4。在层叠膜3中,压电薄膜4位于最上部。高声速膜3a是所传播的体波的声速与在压电薄膜4中传播的弹性波的声速相比为高速的膜。低声速膜3b是所传播的体波的声速与在压电薄膜4中传播的弹性波的声速相比为低速的膜。
另外,作为压电薄膜的材料,并无特别限定,能够适当地使用LiTaO3、LiNbO3、ZnO、AlN或PZT中的任一者。在本实施方式中,压电薄膜4由LiTaO3构成。不过,也可以使用其它的压电单晶。另外,关于压电薄膜4的膜厚,在将由IDT电极的电极周期决定的弹性波的波长设为λ时,优选为1.5λ以下。这是因为,在该情况下,通过在1.5λ以下的范围内选择压电薄膜4的膜厚,从而能够容易地调整机电耦合系数。
高声速膜3a由满足上述声速关系的适当的材料构成。作为这样的材料,能够举出氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、DLC膜、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英等压电体、氧化铝、氧化锆、堇青石、多铝红柱石、滑石、镁橄榄石等各种陶瓷、氧化镁、金刚石等。此外,也可以使用以上述各材料为主成分的材料、以上述各材料的混合物为主成分的材料。
低声速膜3b由所传播的体波声速比在压电薄膜4中传播的弹性波的声速低的适当的材料构成。作为这样的材料,能够举出氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、在氧化硅中添加了氟、碳或者硼等的化合物等。关于低声速膜3b,也可以由以这些材料为主成分的混合材料构成。
另外,体波的声速是材料固有的声速,存在P波和S波,P波在波的行进方向,即,纵向上振动,S波在作为与行进方向垂直的方向的横向上振动。上述体波在压电薄膜4、高声速膜3a、低声速膜3b中的任一者中均进行传播。在各向同性材料的情况下,存在P波和S波。在各向异性材料的情况下,存在P波、慢S波以及快S波。而且,在使用各向异性材料激励了声表面波的情况下,作为两个S波,产生SH波和SV波。在本说明书中,所谓的在压电薄膜4中传播的主模式的弹性波的声速,是指P波、SH波以及SV波这三个模式中的、为了得到作为滤波器的通带、作为谐振器的谐振特性而使用的模式。
另外,也可以在高声速膜3a与压电薄膜4之间形成密接层。若形成密接层,则能够使高声速膜3a与压电薄膜4的密接性提高。密接层只要是树脂、金属即可,例如,可使用环氧树脂、聚酰亚胺树脂。
因为上述高声速膜3a以及低声速膜3b层叠于压电薄膜4,所以像专利文献1记载的那样,能够提高Q值。
另外,也可以在层叠膜3中层叠有多个高声速膜以及多个低声速膜。例如,像在图14中用简图式主视图示出的那样,也可以在支承基板2上,从支承基板2侧起依次层叠有低声速膜3b、高声速膜3a、低声速膜3b以及压电薄膜4。由此,能够将所利用的弹性波的能量有效地限制在层叠有压电薄膜4以及低声速膜3b的部分。除此以外,能够使成为杂散(spurious)的高阶模向高声速膜3a的支承基板2侧泄漏,能够抑制高阶模的杂散。因此,能够得到基于所利用的弹性波的良好的谐振特性、滤波器特性等,并且能够抑制由高阶模造成的不希望的响应。进而,层叠膜3也可以具有压电薄膜4、高声速膜3a以及低声速膜3b以外的其它的膜,例如,电介质膜等。
另外,在压电薄膜4上,设置有IDT电极5a~5c。IDT电极5a~5c通过布线电极6a~6d电连接。
在本实施方式中,由多个IDT电极5a~5c构成的声表面波谐振器相互连接。由此,构成了带通型滤波器。另外,滤波器电路并无特别限定。
设置有上述IDT电极5a~5c所面对的中空空间7。即,在支承基板2上,设置有具有开口部的支承层8。支承层8由合成树脂构成。支承层8也可以由无机绝缘性材料构成。
设置有覆盖构件9,使得封闭支承层8的开口部。通过覆盖构件9和支承层8对中空空间7进行密封。
另一方面,形成有通孔,使得贯通支承层8以及覆盖构件9。在该通孔内设置有凸块下金属层10a、10b。在凸块下金属层10a、10b接合有金属凸块11a、11b。
上述凸块下金属层10a、10b以及金属凸块11a、11b由适当的金属或者合金构成。
凸块下金属层10a的下端与布线电极6a接合。凸块下金属层10b的下端与布线电极6d接合。因此,布线电极6a、6d的接合了凸块下金属层10a、10b的部分成为连接外部连接端子的电极连接盘部分。在本实施方式中,作为外部连接端子而设置有金属凸块11a、11b。
另一方面,在支承基板2上设置有第一绝缘层12。第一绝缘层12由合成树脂构成。作为这样的合成树脂,可举出聚酰亚胺、环氧树脂等。另外,第一绝缘层12也可以由无机绝缘性材料形成,作为构成第一绝缘层12的材料,并无特别限定。例如,作为构成第一绝缘层12的材料,能够使用SOG、SiO2、TEOS、SiN等适当的材料。
另外,在支承基板2上,部分地不存在层叠有上述层叠膜3的构造。即,在支承基板2的第一主面2a,在设置有上述层叠膜3的区域的外侧,设置有不存在层叠膜3的区域R。第一绝缘层12从该区域R通过层叠膜3的侧面3d,到达了压电薄膜4的上表面。
在弹性波装置1中,在区域R内,设置有前述的电极连接盘。因此,作为外部连接端子的金属凸块11a、11b的接合时的应力不会直接施加于层叠膜3的层叠部分。因此,难以产生压电薄膜4的破裂、缺口。此外,也难以产生层叠膜3内的界面剥离。不仅是形成金属凸块11a、11b时的应力,而且即使是通过划片来进行分割时的应力,也难以产生压电薄膜的破裂、缺口,此外也难以产生界面剥离。
图2是上述弹性波装置1的示意性俯视图。在此,保留了金属凸块11a、11b,并透视了上述的覆盖构件9,以简图方式示出了下方的电极构造。关于IDT电极5a~5c,用长方形的形状来示出设置其的区域。图1成为相当于沿着图2的I-I线的部分的剖视图。另一方面,在图3中放大示出设置凸块下金属层10a的布线电极6a的细节。在图3中,布线电极6a位于上述区域R内。图3的虚线示出了接合凸块下金属层10a的部分。
沿着该图3的箭头A-箭头A线的部分相当于图1的虚线B1与虚线B2之间的部分。
图4(a)是放大示出该箭头A-箭头A线所示的部分,即,图1的用虚线B1和虚线B2示出的部分的局部放大剖视图。
如图4(a)所示,第一绝缘层12从位于上述区域R的部分到达了上述压电薄膜4上。在该情况下,像在图4(b)放大示出的那样,在层叠膜3的侧面3d的上方,倾斜面12a位于第一绝缘层12的与支承基板2相反侧的面。该倾斜面12a设置为,随着从区域R的上方到达上述压电薄膜4的上方而接近压电薄膜4,即,远离支承基板2的第一主面2a。由此,如上所述,布线电极6a的倾斜面6a1与第一主面2a所成的角度也设得小。因此,能够减小布线电极6a的设置有倾斜面6a1的部分的弯曲度。换言之,能够通过第一绝缘层12来减小侧面3d的外侧的区域R中的支承基板2的第一主面2a与压电薄膜4的上表面之间的台阶的影响。因此,难以产生布线电极6a的断线。
倾斜面12a与支承基板2的第一主面2a所成的角度C1优选为80°以下。
优选为,在第一绝缘层12的内侧端12c也设置倾斜面12b。该倾斜面12b与第一主面2a所成的角度C2也优选为80°以下。由此,也难以产生倾斜面12b的上方的布线电极6a的断线。
另外,倾斜面12a与第一主面2a所成的角度C1以及倾斜面12b与第一主面2a所成的角度C2更优选为60°以下。此外,若倾斜面12a与第一主面2a所成的角度C1以及倾斜面12b与第一主面2a所成的角度C2为45°以下,则进一步优选。
如上所述,减小了布线电极6a的弯曲度。因此,也难以产生施加了热时的断线、布线电极6a的形成工序中的断线。
此外,上述层叠膜3的侧面3d被第一绝缘层12所覆盖。因此,也难以产生层叠膜3内的界面剥离。
图5(a)是示出本发明的第二实施方式涉及的弹性波装置的主要部分的局部放大剖视图,图5(b)是将该主要部分进一步放大示出的局部剖视图。图5(a)以及图5(b)是与关于第一实施方式的图4(a)以及图4(b)相当的部分的剖视图。
在第二实施方式的弹性波装置中,第一绝缘层22设置为,从支承基板2的第一主面2a上的前述的区域R到达压电薄膜4上。不过,第一实施方式的弹性波装置中的第一绝缘层12在区域R上延伸到了外侧。相对于此,在第二实施方式中,第一绝缘层22的倾斜面22a的一端与支承基板2的第一主面2a抵接。即,第一绝缘层22并未到达倾斜面22a的外侧。另一方面,在压电薄膜4上,与第一实施方式同样地,设置有到达压电薄膜4的上表面的倾斜面22b。
如图5(b)所示,倾斜面22a与第一主面2a所成的角度C1以及倾斜面22b与第一主面2a所成的角度C2与第一实施方式的情况同样地,优选为80°以下。
另外,倾斜面22a与第一主面2a所成的角度C1以及倾斜面22b与第一主面2a所成的角度C2更优选为60°以下。此外,若倾斜面22a与第一主面2a所成的角度C1以及倾斜面22b与第一主面2a所成的角度C2为45°以下,则进一步优选。
像这样,第一绝缘层22也可以从位于压电薄膜4的上方的部分起在朝向区域R侧的倾斜面22a结束。在该情况下,在区域R中,也与第一实施方式同样地,通过将凸块下金属层以及金属凸块接合在布线电极6a上,从而难以产生压电薄膜4的缺口、破裂。此外,布线电极6a仍然具有倾斜面6a1,因此也难以产生布线电极6a的断线。
图6是示出第三实施方式涉及的弹性波装置的主要部分的局部剖视图。在第三实施方式中,第一绝缘层32的上表面在区域R中设得比在压电薄膜4中更高。即,区域R中的第一绝缘层32的厚度比层叠膜3的厚度以及压电薄膜4上的第一绝缘层32的厚度的合计厚。因此,在第一绝缘层32的与第一主面2a相反侧的面,形成有基于上述厚度之差的台阶。该台阶部分在本实施方式中设为了倾斜面32b。
倾斜面32b倾斜为,随着从区域R的上方侧朝向压电薄膜4侧而接近压电薄膜4。在此,随着从压电薄膜4侧朝向区域R侧,倾斜面32b向远离第一主面2a的方向倾斜。该倾斜面32b与第一主面2a所成的角度也与第一实施方式以及第二实施方式中的角度C1同样地,优选为60°以下。
此外,在压电薄膜4上,第一绝缘层32与第一实施方式以及第二实施方式同样地具有倾斜面32c。该倾斜面32c与第一主面2a所成的角度也优选为60°以下。由此,难以产生布线电极6a的倾斜面32b、32c上的断线。
像第三实施方式的弹性波装置那样,第一绝缘层32的上表面32a也可以在区域R中设得相对高。
在第三实施方式的弹性波装置中,上述第一绝缘层32和上述第一绝缘层32的厚度分布以及倾斜面32b的朝向、布线电极6a中的倾斜面的朝向与第一实施方式以及第二实施方式不同,但是关于其它方面,则同样地构成。
图7是用于说明构成第四实施方式的弹性波装置的电极连接盘的部分的示意性俯视图,在图8示出沿着图7中的箭头D-箭头D线的部分的剖面。
在第四实施方式的弹性波装置中,支承层8的内侧端延伸到压电薄膜4的上方位置。即,支承层8的内侧端从上述层叠膜3的侧面3d向内侧延伸了图8的尺寸a。上述尺寸a是上述层叠膜3的侧面3d与支承层8的内侧端之间的距离。上述尺寸a只要大于0即可。像这样,也可以将支承层8的内侧端设置为到达压电薄膜4的上方。
支承层8到达了压电薄膜4的上方的位置。因此,能够提高布线电极6a对来自支承层8的应力的耐性。另外,上述尺寸a也可以为0。
图9是示出本发明的第五实施方式涉及的弹性波装置的主要部分的局部放大剖视图。在第五实施方式的弹性波装置中,层叠有第二绝缘层52,使得覆盖第一绝缘层12。第二绝缘层52由与第一绝缘层12不同的绝缘性材料构成。第二绝缘层52由无机绝缘性材料构成。作为这样的无机绝缘性材料,能够举出氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。
设置由无机绝缘性材料构成的第二绝缘层52,并在第二绝缘层52上设置布线电极6a。由此,能够提高布线电极6a与第二绝缘层52的密接性。因此,通过作为第一绝缘层12而使用合成树脂,并作为第二绝缘层52而使用上述无机绝缘性材料,从而难以产生前述的电极连接盘部分的剥离。如前所述,在接合凸块下金属层以及金属凸块的电极连接盘部分,在接合金属凸块时会对布线电极6a的电极连接盘部分施加大的应力。在该情况下,由于该应力,电极连接盘有可能剥离。然而,像这样,通过设置第二绝缘层52,从而能够有效地抑制上述剥离。
图10是示出第六实施方式涉及的弹性波装置的主要部分的局部放大剖视图。在第六实施方式中,也与第五实施方式同样地设置有第二绝缘层52。在第六实施方式中,与第二实施方式的弹性波装置同样地,第一绝缘层22的倾斜面22a的下端在区域R上与第一主面2a抵接。因此,第二绝缘层52设置为覆盖上述第一绝缘层22,进而在区域R上,到达比第一绝缘层22更靠外侧的区域。优选为,如图10所示,期望第二绝缘层52到达在压电薄膜4以及第一绝缘层22的外侧配置了布线电极6a的区域的整个区域。由此,能够更加有效地抑制布线电极6a的电极连接盘部分的剥离。
第五实施方式以及第六实施方式的弹性波装置除了设置了上述第二绝缘层52以外,与第一实施方式以及第二实施方式相同,因此达到与第一实施方式以及第二实施方式同样的作用效果。
图11是与沿着图10的II-II线的部分相当的部分的剖视图。在图10中,布线电极6a从压电薄膜4上延伸到区域R侧。将与该方向正交的方向设为宽度方向。图11示出沿着该宽度方向的剖面。
如图11所示,优选上述布线电极6a的宽度方向上的一端6e和宽度方向上的另一端6f在宽度方向上位于比第二绝缘层52的宽度方向一端52c和宽度方向上的另一端52d更靠内侧。由此,能够抑制布线电极6a与支承基板2之间的漏电流。
图12是在本发明的第七实施方式涉及的弹性波装置中使用的层叠膜的主视剖面图。在第七实施方式中,层叠膜71具有低声速膜3b和压电薄膜4。也可以像层叠膜71这样,不设置高声速膜。第七实施方式涉及的弹性波装置除了代替层叠膜3而使用了层叠膜71以外,与第一实施方式相同。因此,达到与第一实施方式同样的作用效果。
图13是在本发明的第八实施方式涉及的弹性波装置中使用的层叠膜的主视剖面图。在第八实施方式中,层叠膜82具有如下构造,即,在声阻抗相对高的高声阻抗膜82a上层叠了声阻抗相对低的低声阻抗膜82b。在上述低声阻抗膜82b上层叠有压电薄膜4。也可以代替层叠膜3而使用层叠膜82。像这样,在本发明中,层叠膜并不限于前述的具有高声速膜以及低声速膜的层叠膜,也可以具有层叠了高声阻抗膜和低声阻抗膜的构造。
此外,在本发明中,包含压电薄膜的层叠膜的结构并无特别限定。
因此,也可以通过层叠多个用于改善温度特性的电介质膜来形成层叠膜。
附图标记说明
1:弹性波装置;
2:支承基板;
2a、2b:第一主面、第二主面;
3:层叠膜;
3a:高声速膜;
3b:低声速膜;
3d:侧面;
4:压电薄膜;
5a~5c:IDT电极;
6a~6d:布线电极;
6a1:倾斜面;
6e:宽度方向一端;
6f:宽度方向另一端;
7:中空空间;
8:支承层;
9:覆盖构件;
10a、10b:凸块下金属层;
11a、11b:金属凸块;
12:第一绝缘层;
12a、12b:倾斜面;
12c:内侧端;
22:第一绝缘层;
22a、22b:倾斜面;
32:第一绝缘层;
32a:上表面;
32b、32c:倾斜面;
52:第二绝缘层;
52c:宽度方向一端;
52d:宽度方向另一端;
71:层叠膜;
82:层叠膜;
82a:高声阻抗膜;
82b:低声阻抗膜。
Claims (14)
1.一种弹性波装置,具备:
支承基板;
层叠膜,设置在所述支承基板上,并具有包含压电薄膜在内的多个膜;
IDT电极,设置在所述压电薄膜的一个面;
第一绝缘层,在俯视下,在设置有所述IDT电极的区域的外侧的区域,部分地不存在所述层叠膜,所述第一绝缘层设置为从不存在所述层叠膜的区域的至少一部分到达所述压电薄膜上;以及
布线电极,与所述IDT电极电连接,从所述压电薄膜上到达所述第一绝缘层上,并到达位于不存在所述层叠膜的区域的所述第一绝缘层部分上。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,
所述第一绝缘层从所述压电薄膜上通过所述层叠膜的侧面,到达不存在所述层叠膜的区域的至少一部分。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置,其中,
所述第一绝缘层上的与所述支承基板相反侧的面具有倾斜面,所述倾斜面倾斜为,随着从不存在所述层叠膜的区域接近位于所述压电薄膜上的部分而接近所述压电薄膜侧。
4.根据权利要求3所述的弹性波装置,其中,
所述第一绝缘层的所述倾斜面从所述支承基板上到达所述压电薄膜上的所述第一绝缘层部分。
5.根据权利要求3所述的弹性波装置,其中,
所述第一绝缘层从所述倾斜面到达不存在所述层叠膜的区域。
6.根据权利要求4所述的弹性波装置,其中,
所述第一绝缘层从所述倾斜面到达不存在所述层叠膜的区域。
7.根据权利要求4所述的弹性波装置,其中,
在所述支承基板上,还具备:
支承层,覆盖设置有所述布线电极的区域的一部分,且具有用于构成中空空间的开口部,
所述支承层越过所述第一绝缘层的所述倾斜面,到达所述压电薄膜上的所述第一绝缘层上。
8.根据权利要求5或6所述的弹性波装置,其中,
还具备:支承层,设置在所述支承基板上,并具有用于构成中空空间的开口部,
所述支承层在所述支承基板上,从设置有所述布线电极的区域到达所述倾斜面的所述压电薄膜侧的端部。
9.根据权利要求1~2以及4~7中的任一项所述的弹性波装置,其中,
还具备:第二绝缘层,设置在所述布线电极与所述支承基板之间,
所述第二绝缘层到达所述第一绝缘层上。
10.根据权利要求9所述的弹性波装置,其中,
在将相对于所述布线电极延伸的方向正交的方向设为宽度方向的情况下,所述布线电极的所述宽度方向上的一端以及另一端分别位于比所述第二绝缘层的所述宽度方向上的一端以及另一端在所述宽度方向上更靠内侧。
11.根据权利要求4所述的弹性波装置,其中,
所述倾斜面倾斜为,随着从所述压电薄膜侧到达不存在所述层叠膜的区域侧而从所述支承基板侧远离,所述第一绝缘层在不存在所述层叠膜的区域中设得比在所述压电薄膜上厚。
12.根据权利要求1~2以及4~7中的任一项所述的弹性波装置,其中,
所述层叠膜具有:
所述压电薄膜;以及
低声速膜,所传播的体波的声速与在所述压电薄膜中传播的弹性波的声速相比为低速,
在所述低声速膜上,层叠有所述压电薄膜。
13.根据权利要求1~2以及4~7中的任一项所述的弹性波装置,其中,
所述层叠膜具有:
所述压电薄膜;
高声速膜,所传播的体波的声速与在所述压电薄膜中传播的弹性波的声速相比为高速;以及
低声速膜,层叠在所述高声速膜上,所传播的体波的声速与在所述压电薄膜中传播的弹性波的声速相比为低速,
在所述低声速膜上层叠有所述压电薄膜。
14.根据权利要求1~2以及4~7中的任一项所述的弹性波装置,其中,
所述层叠膜具有:
所述压电薄膜;
高声阻抗膜,声阻抗相对高;以及
低声阻抗膜,声阻抗比所述高声阻抗膜低。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015127150 | 2015-06-25 | ||
JP2015-127150 | 2015-06-25 | ||
PCT/JP2016/067409 WO2016208428A1 (ja) | 2015-06-25 | 2016-06-10 | 弾性波装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107615659A CN107615659A (zh) | 2018-01-19 |
CN107615659B true CN107615659B (zh) | 2020-11-17 |
Family
ID=57585575
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201680031526.3A Active CN107615659B (zh) | 2015-06-25 | 2016-06-10 | 弹性波装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10659001B2 (zh) |
JP (1) | JP6468357B2 (zh) |
KR (1) | KR101929333B1 (zh) |
CN (1) | CN107615659B (zh) |
DE (1) | DE112016002839B4 (zh) |
WO (1) | WO2016208428A1 (zh) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10148245B2 (en) * | 2015-06-25 | 2018-12-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device |
JP6432558B2 (ja) * | 2015-06-25 | 2018-12-05 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
KR102292154B1 (ko) | 2017-08-29 | 2021-08-23 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치 |
WO2019044178A1 (ja) * | 2017-08-31 | 2019-03-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置およびそれを備えた弾性波モジュール |
WO2019044310A1 (ja) | 2017-08-31 | 2019-03-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置およびそれを備えた弾性波モジュール |
JP6950658B2 (ja) * | 2017-11-29 | 2021-10-13 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
US11677378B2 (en) * | 2017-11-29 | 2023-06-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device |
JP7057690B2 (ja) * | 2018-03-19 | 2022-04-20 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
JP2019179961A (ja) | 2018-03-30 | 2019-10-17 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
JP2020205487A (ja) * | 2019-06-14 | 2020-12-24 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2023037916A1 (ja) * | 2021-09-09 | 2023-03-16 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
CN116131801A (zh) * | 2023-02-17 | 2023-05-16 | 北京超材信息科技有限公司 | 声表面波器件及其制造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004274574A (ja) * | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 弾性表面波装置とその製造方法 |
CN104104356A (zh) * | 2008-11-28 | 2014-10-15 | 京瓷株式会社 | 弹性波装置及电路基板 |
JP2014236387A (ja) * | 2013-06-03 | 2014-12-15 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス及びその製造方法 |
JP2015109622A (ja) * | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 株式会社村田製作所 | 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6426583B1 (en) * | 1999-06-14 | 2002-07-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave element, method for producing the same and surface acoustic wave device using the same |
JP2002261582A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法ならびにそれを用いた回路モジュール |
JP2006121356A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子、電子デバイスおよび電子機器 |
JP4904737B2 (ja) * | 2005-07-27 | 2012-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | Ic一体型薄膜振動片の製造方法。 |
JP2008060382A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
JP2009200093A (ja) | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Murata Mfg Co Ltd | 中空型の電子部品 |
WO2012086441A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
WO2012086639A1 (ja) | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
JPWO2015080045A1 (ja) * | 2013-11-29 | 2017-03-16 | 株式会社村田製作所 | 分波器 |
CN105794108B (zh) | 2013-12-27 | 2019-01-11 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
JP6397352B2 (ja) * | 2015-02-19 | 2018-09-26 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
DE112016002880B4 (de) * | 2015-06-24 | 2021-11-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Filtervorrichtung |
US10148245B2 (en) * | 2015-06-25 | 2018-12-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device |
-
2016
- 2016-06-10 JP JP2017525208A patent/JP6468357B2/ja active Active
- 2016-06-10 KR KR1020177032063A patent/KR101929333B1/ko active IP Right Grant
- 2016-06-10 WO PCT/JP2016/067409 patent/WO2016208428A1/ja active Application Filing
- 2016-06-10 DE DE112016002839.3T patent/DE112016002839B4/de active Active
- 2016-06-10 CN CN201680031526.3A patent/CN107615659B/zh active Active
-
2017
- 2017-12-05 US US15/831,471 patent/US10659001B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004274574A (ja) * | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 弾性表面波装置とその製造方法 |
CN104104356A (zh) * | 2008-11-28 | 2014-10-15 | 京瓷株式会社 | 弹性波装置及电路基板 |
JP2014236387A (ja) * | 2013-06-03 | 2014-12-15 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス及びその製造方法 |
JP2015109622A (ja) * | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 株式会社村田製作所 | 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112016002839B4 (de) | 2022-01-13 |
JP6468357B2 (ja) | 2019-02-13 |
KR101929333B1 (ko) | 2018-12-14 |
JPWO2016208428A1 (ja) | 2018-02-22 |
WO2016208428A1 (ja) | 2016-12-29 |
CN107615659A (zh) | 2018-01-19 |
KR20170134666A (ko) | 2017-12-06 |
DE112016002839T5 (de) | 2018-03-08 |
US20180097502A1 (en) | 2018-04-05 |
US10659001B2 (en) | 2020-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107615659B (zh) | 弹性波装置 | |
CN107615657B (zh) | 弹性波装置 | |
CN107615658B (zh) | 弹性波装置 | |
US11218130B2 (en) | Acoustic wave device | |
CN110324021B (zh) | 弹性波装置 | |
US10148245B2 (en) | Elastic wave device | |
JP6566033B2 (ja) | マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 | |
JP6432558B2 (ja) | 弾性波装置 | |
WO2017212774A1 (ja) | 弾性波装置及びその製造方法 | |
WO2017013968A1 (ja) | 弾性波装置 | |
US9680083B2 (en) | Composite substrate, piezoelectric device, and method for manufacturing composite substrate | |
JPWO2018235433A1 (ja) | 弾性波装置 | |
US10659002B2 (en) | Elastic wave device | |
US20240154601A1 (en) | Acoustic wave device and method of manufacturing the same | |
WO2022210683A1 (ja) | 弾性波装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |